JP2009294659A - 多層ミラー用のスペクトル純化フィルタ、このような多層ミラーを含むリソグラフィ機器、所望の放射と望ましくない放射の比を拡大する方法、及びデバイスの製作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶリソグラフィ機器に適用するＥＵＶ放射とＤＵＶ放射の比を拡大する多層ミラーを提供すること。
【解決手段】スペクトル純度増強層を上部に含む多層ミラーが提供され、スペクトル純度増強層は、第１スペクトル純度増強層を含むが、多層ミラーと第１スペクトル純度増強層の間に、任意選択で、中間層、又は第２スペクトル純度増強層及び中間層を設けることもできる。したがって、多層ミラー／第１スペクトル純度増強層、多層ミラー／中間層／第１スペクトル純度増強層、及び多層ミラー／第２スペクトル純度増強層／中間層／第１スペクトル純度増強層の構成の多層ミラーが可能である。ＥＵＶ放射よりもＤＵＶ放射が比較的大きく減少するように、垂直入射放射のスペクトル純度を高めることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、多層ミラー用のスペクトル純化フィルタ、このような多層ミラーを含むリソグラフィ機器、所望の放射と望ましくない放射の比を拡大する方法、及びこのような多層ミラーを使用するデバイスの製作方法に関するものである。

リソグラフィ機器は、基板に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ機器は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製作に使用することができる。この場合、マスク又はレチクルとも称するパターン化装置を使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを形成できる。このパターンは、基板（例えばシリコン・ウエハ）の（例えば、ダイの一部或いは１つ又は複数のダイを含む）目標部分に転写できる。パターンの転写は、典型的には、基板上に形成された放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介して行われる。一般に、１枚の基板は、次々にパターン化される隣接した網目状の目標部分を含む。周知のリソグラフィ機器の例は、目標部分にパターン全体を１回露光することによって各目標部分が照射されるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームを通過させてパターンを走査し、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって各目標部分が照射されるスキャナである。基板上にパターンをインプリント（押印）することによって、パターン化装置から基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ機器では、基板に結像できるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限される。デバイスの密度がより高い、したがって、動作スピードがより速い集積回路を形成するために、より小さいフィーチャを結像できることが望ましい。最新のリソグラフィ投影機器は、水銀ランプ又はエキシマ・レーザによって発生される紫外光を使用するが、より短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は、極紫外（ＥＵＶ）又は軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源には、例えば、レーザ発生プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。

ＥＵＶ放射の放射源は、典型的には、レーザ発生プラズマ源又は放電源などのプラズマ源である。場合によっては、ＥＵＶ放射源は、いくつかの異なる波長の光を放出することがあり、これらの一部は、深紫外放射（ＤＵＶ）などの望ましくない放射であることがある。この非ＥＵＶ放射は、場合によっては、そのためにコントラストが減少することがあるので、ＥＵＶリソグラフィ・システムに有害なことがある。そのため、スペクトル純化フィルタ（ＳＰＦ）によってこのような望ましくない放射を除去することが望ましいことがある。

現在のスペクトル純化フィルタは、ブレーズ回折格子に基づくものである。これらの回折格子は、三角形状パターンの表面品質を高くすべきであることから製作することが難しい場合が多い。例えば、ある種の回折格子では、表面粗さを１ｎｍＲＭＳよりも小さくすべきである。これに加えて、現在のスペクトル純化フィルタは光路を折り曲げる。即ち、スペクトル純化フィルタを置き換えるには別のミラーを使用しない限り、システムからスペクトル純化フィルタを取り外すことはできず、それによって損失が生じる。融通性を保つために、システムからスペクトル純化フィルタを自在に取り外して、スペクトル純化フィルタによって生じる損失を回避できることが望ましい場合がある。

本発明の観点は、例えばリソグラフィ機器内で使用するための、ＥＵＶ放射とＤＵＶ放射の比を拡大する多層ミラーを提供することである。本発明の別の観点は、１枚又は複数枚のこのような多層ミラーを備えるリソグラフィ機器を提供することである。本発明の別の観点は、ＥＵＶ放射とＤＵＶ放射の比を拡大する方法、並びにこのような方法を応用するデバイス製作方法を提供することである。

本発明は、とりわけＥＵＶリソグラフィ機器に適用されるスペクトル純度増強層を上面に含む多層ミラーを提供する。このスペクトル純度増強層は、少なくとも第１のスペクトル純度増強層を含むが、多層ミラーと第１スペクトル純度増強層の間に、中間層、又は第２のスペクトル純度増強層及び中間層を設けることもできる。したがって、本発明の具体例には、多層ミラー／第１スペクトル純度増強層、多層ミラー／中間層／第１スペクトル純度増強層、及び多層ミラー／第２スペクトル純度増強層／中間層／第１スペクトル純度増強層の構成の多層ミラーがある。これら及びその他の具体例により、垂直入射放射のスペクトル純度を高めて、ＥＵＶ放射よりもＤＵＶ放射を比較的大きく減少させることができる。

本発明の実施例によるリソグラフィ機器を概略的に示す図。 図１のリソグラフィ投影機器のＥＵＶ用の照明系及び投影光学系を概略的に示す側面図。 本発明による多層ミラーを概略的に示す図。 本発明による多層ミラーの実施例を概略的に示す図。 本発明による多層ミラーの実施例を概略的に示す図。 本発明による多層ミラーの実施例を概略的に示す図。 本発明の実施例による多層ミラーを概略的に示す図。 本発明の実施例によるスペクトル純度増強層の厚さが反射率に及ぼす影響を示すグラフ。 本発明の実施例によるスペクトル純度増強層用のいくつかの材料の選択が反射率に及ぼす影響を示すグラフ。 本発明の実施例によるＳｉ_３Ｎ_４スペクトル純度増強層を使用したときの、層の厚さが反射率に及ぼす影響を示すグラフ。 本発明の実施例によるスペクトル純度増強層の反射率に関する、モデルによる研究を示すグラフ。 本発明の実施例によるスペクトル純度増強層上のキャップ層が反射率に及ぼす影響を示すグラフ。 本発明の実施例によるスペクトル純度増強層の数がＤＵＶとＥＵＶの損失比に及ぼす影響を示すグラフ。

次に、添付の概略図面を参照して、単なる例として本発明の実施例を説明する。図面では、対応する参照記号はそれに対応する部分を示す。

図１に、本発明の実施例によるリソグラフィ機器１を概略的に示す。機器１は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明系（照明器）ＩＬを備える。支持部（例えば、マスク・テーブル）ＭＴは、パターン化装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、ある種のパラメータに従ってパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに結合される。基板テーブル（例えば、ウエハ・テーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストを塗布したウエハ）Ｗを保持するように構成され、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決め装置ＰＷに結合される。投影系（例えば、屈折型投影レンズ系）ＰＳは、基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃに、パターン化装置ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成される。

照明系は、放射を方向づけ、形づくり、且つ／又は制御する屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型その他のタイプの光学部材、或いはこれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学部材を含むことができる。

支持部は、パターン化装置を支持し、例えばパターン化装置の重量を支える。この支持部は、パターン化装置の向き、リソグラフィ機器の設計、並びに、例えばパターン化装置が真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件によって決まる方法で、パターン化装置を保持する。この支持部は、機械、真空、静電気その他のクランプ技術を利用して、パターン化装置を保持できる。この支持部は、例えば枠台（フレーム）又はテーブルとすることができ、これらは必要に応じて固定又は移動可能とできる。この支持部は、例えば投影系に関してパターン化装置が確実に所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用いる「レチクル」又は「マスク」という用語は、「パターン化装置」というより一般の用語と同義とみなすことができる。

本明細書で用いる「パターン化装置」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成するなどのために、放射ビームの横断面にパターンを付与するために使用できる任意の装置を指すと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えば、このパターンが位相シフト用のフィーチャ、即ち、いわゆるアシスト・フィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成中の集積回路などのデバイス内の特定の機能層に対応する。

パターン化装置は、透過型又は反射型とすることができる。パターン化装置の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー配列、及びプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知のものであり、その例には、バイナリ型、交互配置位相シフト型、及びハーフトーン位相シフト型などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー配列の実施例では、入射する放射ビームが異なる方向に反射されるように、それぞれ個々に傾けることのできるマトリックス(行列)配置の小ミラーを使用する。これらの傾いたミラーにより、ミラー・マトリックスによって反射される放射ビームにパターンが付与される。

本明細書で用いる「投影系」という用語は、用いられる露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に対して適宜、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、又はこれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影系を包含すると広く解釈すべきである。本明細書で用いる「投影レンズ」という用語は、「投影系」というより一般の用語と同義とみなすことができる。

ここで示すように、この機器は、（例えば、反射性マスクを使用する）反射タイプのものである。或いは、この機器は、（例えば、透過性マスクを使用する）透過タイプのものとできる。

このリソグラフィ機器は、２つ（２ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとできる。このような「複数ステージ」型の機械では、追加のテーブルを並列で使用できる。即ち、１つ又は複数のテーブルで準備工程を実施しながら、１つ又は複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。

このリソグラフィ機器は、比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部を覆って、投影系と基板の間の空間を満たし得るタイプのものとすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ機器内の他の空間、例えばマスクと投影系の間に適用することもできる。投影系の開口数を大きくする液浸技術は、当技術分野では周知のものである。本明細書で用いる「浸漬」という用語は、基板などの構造を液体中に浸さなければならないという意味ではなく、露光中に、例えば投影系と基板の間に液体を配置するというだけの意味である。

図１を参照すると、照明器ＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取る。放射源とリソグラフィ機器は、例えば放射源がエキシマ・レーザの場合は別々の要素とできる。このような場合には、放射源がリソグラフィ機器の一部を形成するとはみなさず、放射は、放射源ＳＯから、例えば適当な方向づけミラー及び／又はビーム拡大器（エキスパンダ）を含むビーム送達系を使用して照明器ＩＬに至る。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプの場合、放射源はリソグラフィ機器と一体の部分にできる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬは、必要な場合には、ビーム送達系と併せて放射系と称することがある。

照明器ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置を含むことができる。一般に、照明器の瞳面内の強度分布の少なくとも（一般に、それぞれ外側σ及び内側σと称する）外側及び／又は内側の径方向範囲を調節できる。照明器ＩＬはさらに、統合器及びコンデンサなど他の様々な構成部材を備えることがある。この照明器を使用して放射ビームを調整し、それによって放射ビーム断面において所望の均一性及び強度分布を得ることができる。

放射ビームＢは、支持部（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上で保持されるパターン化装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン化装置によってパターン化される。マスクＭＡを横切った後で、放射ビームＢは、投影系ＰＳを通過し、投影系ＰＳによって基板Ｗの目標部分Ｃに投影される。第２位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例えば、放射ビームＢの経路内で異なる目標部分Ｃを位置決めできる。同様に、第１位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量センサ）を使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、或いは走査中に、放射ビームＢの経路に関してマスクＭ
Ａを正確に位置決めできる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成する（粗い位置決め用の）長ストローク・モジュール及び（精密位置決め用の）短ストローク・モジュールを使用して実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現できる。スキャナと異なり、ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータだけに連結することもできるし、或いは固定することもできる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２及び基板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を使用して位置調整できる。図に示す基板位置調整用マークは、専用の目標部分を占めているが、これらは、目標部分間の領域に配置できる（これらは、スクライブ・レーン位置調整用マークとして知られている）。同様に、マスクＭＡに２つ以上のダイが設けられる状況では、マスク位置調整用マークは、これらのダイとダイの間に配置できる。

図に示す機器は、以下のモードの少なくとも１つのモードで使用できるはずである。１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に固定したまま、放射ビームに付与されたパターン全体を目標部分Ｃに１回で投影する（即ち、１回の静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向に位置を変えて、異なる目標部分Ｃを露光できる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．スキャン・モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴを同期走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する（即ち、１回の動的な露光）。マスク・テーブルＭＴに対する相対的な基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）及び像の反転特性によって決めることができる。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的な露光における目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動長により、目標部分の（走査方向の）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスク・テーブルＭＴを本質的に固定してプログラム可能なパターン化装置を保持したまま、基板テーブルＷＴを移動又は走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルＷＴの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー配列などのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。

上記で説明した使用モードの組合せ及び／又は変形、或いは全く異なる使用モードを用いることもできる。

「レンズ」という用語は、状況次第では、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学部材を含めて、様々なタイプの光学部材のいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことがある。

本明細書で用いる「層」という用語は、当業者には知られているように、他の層及び／又は（使用中の）真空などの他の媒体との、１つ又は複数の境界表面を有する層を表すことがある。ただし、「層」は、構造の一部を意味することもあることを理解されたい。「層」という用語は、いくつかの層を示すこともある。これらの層は、例えば、互いに隣接させることもできるし、互いに重ねることもでき、また、他の形態とすることもできる。これらの層は、１種類の材料を含むこともあり、また、複数種の材料の組合せを含むこともある。本明細書で用いる「層」という用語は、連続層又は不連続層を表すことがあることにも留意されたい。本発明では、本明細書で用いる「材料」という用語は、複数の材料の組合せと解釈することもできる。

本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、波長λが３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの）紫外（ＵＶ）放射、及び（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長の）極紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の波長の放射をＩＲ放射とみなす。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長の放射を指す。リソグラフィでは、ＵＶは通常、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍの水銀放電ランプによって生成できる波長にも当てはまる。ＶＵＶは、真空ＵＶ（即ち、空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは、深紫外であり、通常は、エキシマ・レーザによって発生される１２６ｎｍ〜２４８ｎｍなどの波長のリソグラフィで用いられる。例えば５〜２０ｎｍの範囲内のある波長の放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある、ある波長帯域の放射に関係することが当業者には理解されよう。

本明細書では、屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲から選択された、例えば１００〜２００ｎｍ内のある放射波長における屈折率、又はある放射波長範囲内における屈折率を指す。

図２に、放射系４２、照明光学ユニット４４、及び投影光学系ＰＳを備える投影機器１をより詳細に示す。放射系４２は、放電プラズマによって形成できる放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、極めて高温のプラズマが生成され、それによって電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気などのガス又は蒸気によって生成することができる。この極めて高温のプラズマは、当業者には知られているように、例えば電気放電によって、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマにすることによって生成される。放射を効率よく発生させるために必要とされるＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気その他の適切なガス又は蒸気の分圧は、例えば１０Ｐａである。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７の開口内、又はその後に位置決めされたガス遮蔽体又は汚染トラップ４９を介して集光チャンバ４８に入る。ガス遮蔽体４９は、例えば、米国特許第６６１４５０５号、６３５９９６９号、及び第６５７６９１２号、並びに国際公開ＷＯ０４／１０４７０７号に詳細に記載されているチャネル構造を含む。これらの特許文献を参照により本明細書に援用する。

集光チャンバ４８は、すれすれの（グレージング）入射集光部によって形成できる放射集光部５０を含む。集光部５０は、いくつかの反射体１４２、１４３、１４６を含み得る。反射体１４２は内部反射体と称し、反射体１４６は外部反射体と称する。放射集光部５０は、先行技術で周知のものである。本発明で使用できる放射集光部の一実施例が、例えば、米国特許出願公開第２００４／００９４２７４Ａ１号（例えば、図３及び図４）に記載されている。この文献を参照により本明細書に援用する。

集光部５０を通過した放射は、回折格子型スペクトル・フィルタ５１で反射して、集光チャンバ４８の開口のところの仮想放射源点５２で合焦できる。集光チャンバ４８から、放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で垂直入射反射体５３、５４により反射され、レチクル又はマスク用のテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクル又はマスクに至る。パターン付与されたビーム５７は、投影系ＰＳにおいて、反射要素５８、５９を介してウエハ・ステージ又は基板テーブルＷＴ上で結像される。照明光学ユニット４４及び投影系ＰＳ内には一般に、図に示すよりも多くの要素が存在できる。リソグラフィ機器のタイプによっては、回折格子型スペクトル・フィルタ５１が存在できる。さらに、図に示すよりも多くのミラーが存在できる。当業者には理解されるように、また、例えば、参照により本明細書に援用する米国特許第６５５６６４８号に記載されているように、例えば、５８、５９の他に１〜４個の反射要素が存在できる。

図１及び図２に示すリソグラフィ機器は、例えば、放射ビームを調整するように構成された照明系、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン化された放射ビームを形成するように構成されたパターン化装置を支持するように構成された支持部、基板を保持するように構成された基板テーブル、基板の目標部分にパターン化された放射ビームを投影するように構成された投影系、放射源、及び集光ミラーを備える、ＥＵＶリソグラフィ機器などのリソグラフィ機器とできる。

ある実施例では、本発明のリソグラフィ機器及び方法で用い、集光ミラー５０で集光される放射は、５〜２０ｎｍの範囲から選択された波長、例えば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ放射を含む。

図３に、本発明による多層ミラー１００を概略的に示す。多層ミラー１００は、例えばＭｏ／Ｓｉ層、又はＷ／Ｓｉ層、或いはＷＲｅ／Ｓｉ層がいくつか交互に並んだ多層ミラー積層体１０２を含む。多層ミラー１００は、垂直入射ミラーとできる。多層ミラー及び垂直入射ミラーは、当業者には周知のものである。このようなミラーは、例えば、Ｊ．Ｈ．Ｕｎｄｅｒｗｏｏｄ、Ｔ．Ｗ．Ｂａｒｂｅｅ，Ｊｒ．による「Ｌａｙｅｒｅｄ ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｓ Ｂｒａｇｇ ｄｉｆｆｒａｃｔｏｒｓ ｆｏｒ Ｘ ｒａｙｓ ａｎｄ ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ： ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ ｐｒｅｄｉｃｔｅｄ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ（Ｘ線および極紫外線用ブラッグ回折体としての層状合成微細構造：理論および予想性能）」、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ ２０、３０２７頁、１９８１年、Ｋ．Ｍ．Ｓｋｕｌｉｎａ、Ｃ．Ｓ．Ａｌｆｏｒｄ、Ｒ．Ｍ．Ｂｉｏｎｔａ、Ｄ．Ｍ．Ｍａｋｏｗｉｅｋｉ、Ｅ．Ｍ．Ｇｕｌｌｉｋｓｏｎ、Ｒ．Ｓｏｕｆｌｉ、Ｊ．Ｂ．Ｋｏｒｔｒｉｇｈｔ、Ｊ．Ｈ．Ｕｎｄｅｒｗｏｏｄによる「Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ／Ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍｉｒｒｏｒｓ ｆｏｒ Ｎｏｒｍａｌ Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ ｉｎ ｔｈｅ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ（極紫外線の垂直入射用モリブデン／ベリリウム多層ミラー）」、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ ３４、３７２７頁、１９９５年、及びＥｂｅｒｈａｒｄ Ｓｐｉｌｌｅｒによる「Ｓｏｆｔ Ｘ−ｒａｙ Ｏｐｔｉｃｓ（軟Ｘ線光学）」、ＳＰＩＥ、Ｂｅｌｌｉｎｇｈａｍ Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ、１９９４年、に記載されている。これらの文献を参照により本明細書に援用する。多層積層体１０２は、Ｍｏ又はＳｉとできる上部層１０３（即ち、多層積層体１０２に属する層の１つ）を有する。この多層積層体上部層１０３の上に、スペクトル純度増強層１０４と、任意選択で、追加のキャップ層１０５とを設ける。図４ａ〜図４ｃに、本発明による多層ミラーのいくつかの実施例を概略的且つより詳細に示す。

図４ａに、本発明の実施例による多層ミラーを概略的に示す。この多層ミラーは、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）この多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、層の厚さがｄ２の中間層１１１と、多層積層体上部層１０３上に配置され、層の厚さがｄ３の第２スペクトル純度増強層１１２とを含み得る。キャップ層１０５を設けてもよい。

図４ｂに、本発明による多層ミラー１００の別の実施例を概略的に示す。多層ミラー１００は、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）この多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体上部層１０３上に配置され、層の厚さがｄ２の中間層１１１とを含み得る。

図４ｃに、本発明による多層ミラー１００の別の実施例を概略的に示す。多層ミラー１００は、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）この多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、多層積層体上部層１０３上に配置され、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０を含み得る。

これらのスペクトル・フィルタ上部層１０４を使用して、特定の帯域の放射周波数を、フィルタを通して除去できる。こうすると、スペクトル純度増強層１０４に含まれるそれぞれの層の１つ又は複数の選択された材料（それぞれｍ１、ｍ２、及びｍ３）、選択された層の厚さ（それぞれｄ１、ｄ２、及びｄ３）を変えることによって、また、このようなスペクトル・フィルタ上部層１０４を受ける入れる多層ミラーの数を選択することによって、抑制量を調整できるので柔軟性が得られる。このようにして、例えばＤＵＶなどの望ましくない放射の必要とされる抑制を、ＥＵＶの損失が最小限に抑えられた状態で行うことができる。異なるミラー上で異なるスペクトル・フィルタ上部層１０４を使用して、より広い又はより強い抑制を行うことができる。

このことを、まず、第１スペクトル純度増強層１１０だけを含む、例えば図４ｃに示すスペクトル・フィルタ上部層１０４を参照してより詳細に説明する。その後で、他の２つの実施例を論じる。そのうちの前者は、中間層で分離された２つのスペクトル純度増強層を含むスペクトル・フィルタ上部層１０４を対象とし、後者は、第１スペクトル純度増強層及び中間層を含むスペクトル・フィルタ上部層１０４を対象とする。

図５に、図４ｃに示す本発明の実施例による多層ミラー１００を概略的に示す。多層ミラー１００は、多層積層体１０２と、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する。図５に示すのは、実際には、３層系である。第１「層」が多層ミラー１００の上の雰囲気、例えば、処理条件下では真空である。第２層は第１スペクトル純度増強層１１０であり、この系の第３層は多層積層体１０２である。多層積層体１０２は垂直入射光に対して使用することもできるので、例えば約１５°までの垂直入射の放射を考える。したがって、結果は偏光に依存しない。即ち、横電界モード（ＴＥ）は横磁界モード（ＴＭ）と同じである。

層１（周囲：多層ミラー１００の上の雰囲気）からこの系に入射する光についての、上部に第１スペクトル純度増強層１１０を伴う多層積層体１０２についての強度反射Ｒの式は、

である。ここで、ｒ_ｐｑは、層ｐから入射し、ｐとｑの界面で反射する垂直入射平面波の反射についてのフレネル振幅反射係数である。この場合、ｒ_２３は、第１スペクトル純度増強層１１０と多層積層体１０２の界面における第１スペクトル純度増強層１１０内での光の反射であり、ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の透過についてのフレネル振幅透過係数である。λは光の波長であり、ｔは第１スペクトル純度増強層１１０の厚さ（即ち、ｄ１）、Ｋ_２は媒体ｐの波数、Ｎ_ｐは媒体ｐの複素屈折率Ｎ_ｐ＝ｎ_ｐ＋ｊ・ｋ_ｐである。

フレネル反射は、当業者には周知のものであり、光学に関する書物なら事実上どんなものにも出ている（例えば、Ｅ．Ｈｅｃｈｔ、「Ｏｐｔｉｃｓ（光学）」、第２版、Ａｄｄｉｓｏｎ Ｗｅｓｌｅｙ、１９９７年、を参照されたい。この書籍を参照により本明細書に援用する）。垂直入射光の場合、媒体ｐと媒体ｑの界面における媒体ｐから入射する光のフレネル反射は、偏光に無関係であり、ｒ_ｐｑ＝（Ｎ_ｐ−Ｎ_ｑ）／（Ｎ_ｐ＋Ｎ_ｑ）で与えられる。多層の場合には、第１スペクトル純度増強層１１０と多層積層体１０２の界面における層２から入射するビームについての反射ｒ_２３を計算すべきである。

第１スペクトル純度増強層１１０の厚さは、ＥＵＶの損失を防ぐためにできるだけ薄くできる。別の実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択された材料ｍ１を含む。別の実施例では、材料ｍ１は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、又はアモルファス・カーボンから選択される。この実施例の第１スペクトル純度増強層１１０では、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ１は約０．５〜３０ｎｍである。下記の表１に本発明による実施例を示す。

多層ミラー１００にビームＢの光線ｒを投影する際に、反射をできるだけ小さくするには、直接反射する望ましくない放射と、第１スペクトル純度増強層１１０内を少なくとも１回往復して伝播する望ましくない放射との打ち消し合う干渉が必要である。

第１スペクトル純度増強層１１０の厚さの式を導出するために、直接反射の複素振幅（ｒ_１２）と、第１スペクトル純度増強層１１０内を１回往復して伝播した反射に対する寄与の複素振幅（ｒ_１）とが比較される。
ｒ_１＝ｔ_１２・ｔ_２１・ｒ_２３・ｅｘｐ（ｉ・２・Ｋ_２・ｔ） （２）

直接反射と、第１スペクトル純度増強層１１０内を１回往復して伝播した寄与の打ち消し合う干渉では、比Ｑ≡ｒ_１／ｒ_１２の偏角はπであるべきである。

打ち消し合う干渉では、ａｒｇ（Ｑ）＝πである。

Ｎ＝ｎ＋ｊ×ｋ（Ｎは複素屈折率であり、ｎはこの複素屈折率の実数部、ｋはこの複素屈折率の虚数部である）によれば、例えば、多層積層体１０２の上部層１０３としては（Ｓｉ／Ｍｏ多層積層体の代わりに）ａ−Ｓｉであり、第１スペクトル純度増強層１１０としてはＳｉ_３Ｎ_４である、上記で説明し、図５に示す系について、波長１９８．４ｍｍの屈折率は、
空気 Ｎ１＝１
Ｓｉ_３Ｎ_４ Ｎ２＝２．６２＋０．１７４×ｊ
ａ−Ｓｉ Ｎ３＝１．０２８＋２．１７１６９８１×ｊ
である。

ｉ）ＩＭＤソフトウエアを利用してＳｉ_３Ｎ_４がａ−Ｓｉ／Ｍｏ多層積層体１０２に及ぼす影響を計算し、ｉｉ）式（１）を使用してＳｉ_３Ｎ_４が（多層積層体１０２の代わりにモデルとしての）ａ−Ｓｉ基板に及ぼす影響を計算すると、図６に示す結果が得られる。この図には、ＩＭＤソフトウエアを利用したａ−Ｓｉ／Ｍｏ多層積層体１０２によるモデル結果と、式（１）を使用した（多層積層体１０２の代わりにモデルとして）ａ−Ｓｉ基板の結果を示す。多層積層体上のＳｉ_３Ｎ_４とａ−Ｓｉ基板上のＳｉ_３Ｎ_４の計算値は驚くほど重なり合っているように見える。これは、Ｓｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉ界面での反射が大きいことを示している。直接反射と、スペクトル純度増強層１０４、（ここでは、第１スペクトル純度増強層１１０（Ｓｉ_３Ｎ_４）被覆）内を１回往復して伝播する寄与との間の位相差を（図６で、参照数字１２０でも示す繰り返し切り下がる曲線を提供する（右側の垂直軸に注目されたい））式（３）を用いて計算すると、Ｓｉ_３Ｎ_４層の厚さ（Ｘ軸）（直接反射と第１スペクトル純度増強層１１０を１回通って伝播する寄与との間の位相差がπである）と、空気／Ｓｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉの３層モデルの反射についての極小値との間にはわずかな差しかないことがわかる。そのため、基準（３）は確かに、厚さについての良好な基準であるように見える。位相差がπの場合、ｉ）及びｉｉ）の打ち消し合う干渉はともに極小値になり、位相差が２πの場合、ｉ）及びｉｉ）の打ち消し合う干渉はともに極大値になる。層の厚さｄ（ここではｄ１）はできるだけ薄くされるので、位相差がπである第１極小値が選択されることになり、その結果、この実施例での、この波長（１９８．４ｎｍ）を減少させる層の厚さｄ１は約４〜１１ｎｍ、例えば約９±１ｎｍである。

界面での振幅反射及び振幅透過を考えると、以下のようになる。

直接反射と、第１スペクトル純度増強層１１０を１回通って伝播する寄与との間の位相差に関連する反射及び透過をイタリック体で示す。表２には、Ｓｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉ界面における反射による大きな位相変化０．５３２πが示されている。この界面における他の位相変化は比較的小さく、直接反射と、第１スペクトル純度増強層１１０を１回通って伝播する寄与との間の全位相差は０．５２πである。Ｓｉ_３Ｎ_４層の実際の屈折率が大きいので、望ましくない放射の波長を１９８．４ｎｍと仮定すると、わずか約４〜１１ｎｍ、例えば約９ｎｍにすぎない厚さでも、０．４８πの位相変化を追加し、全位相差をπにするには十分である。

したがって、本発明により、スペクトル・フィルタ上部層１０４に含まれる層１１０の材料ｍ１及び層１１０の層の厚さｄ１が、以下の基準を満足するように設計される多層ミラー１００を含む実施例がさらに提供される。

打ち消し合う干渉では、ａｒｇ（Ｑ）＝πである。ここで、ｒ_１２は、層１（即ち、多層ミラー１００の上の雰囲気）から入射し、層１と層２（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０）の界面で反射する垂直入射平面波の反射についてのフレネル振幅反射係数であり、層１及び層２は、それぞれ多層ミラーの上の雰囲気及びスペクトル・フィルタ上部層１０４（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０）である。ｒ_２３は、層２から入射し、層２と層３の界面で反射する垂直入射平面波の反射についてのフレネル振幅反射係数であり、層２及び層３は、それぞれスペクトル・フィルタ上部層１０４（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０）及び多層積層体上部層１０３である。ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の透過についてのフレネル振幅透過係数である。λは放射の波長であり、ｔはスペクトル・フィルタ上部層１０４（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０）の厚さ（したがって、この実施例ではｔ＝ｄ＝ｄ１）である。

したがって、厚さの初期値は、関係式（３）に従うように選択すべきである。必要な場合には、この多層積層体を備えた系についての反射を最小限に抑えることによってさらなる実験を実施できる。第１スペクトル純度増強層１１０の厚さｄ１（この実施例ではｄ＝ｄ１）をできる限り薄くする場合、第１スペクトル純度増強層１１０の屈折率は、ある実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体１０２の多層積層体上部層１０３との界面における反射強度が大きくなり、この界面における反射による位相変化も大きくなるように選択する。ある実施例では、層１１０は、（式（３）で定義された）Ｑの大きさができる限り１に近づくように選択され、別の実施例では、Ｑの大きさが１±０．０５の範囲に入り、ａｒｇ（Ｑ）＝（１±０．０５）π＋２πｓ）（ｓはゼロ以上の整数である）になるように選択される。これは、多重反射ではもはや厳密には当てはまらないことがあるが、依然として良好な選択である。ある実施例では、これは、第１スペクトル純度増強層１１０について、屈折率の実数部（ｎ）ができるだけ大きく、虚数部（ｋ）ができるだけ小さい材料ｍ１を選択するか、或いは、第１スペクトル純度増強層１１０の所与の厚さｄ１について、第１スペクトル純度増強層１１０を通る伝播による往復の位相差ができるだけ大きい（ａｒｇ（Ｑ）＝π、３π、５πなど）（これは、この層の材料の屈折率の実数部が大きいことを必要とする）材料ｍ１を選択することによって実現できる。

したがって、本発明の実施例によれば、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である多層ミラー１００が提供される。ここで、ｎは、この複素屈折率の実数部である。本発明の別の実施例によれば、複素屈折率の実数部は１．５以上であり、この複素屈折率の虚数部は２以下である。別の実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の実数部は２以上であり、この複素屈折率の虚数部は１．６以下である。ここで、これらの屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲から選択された、例えば１００〜２００ｎｍ内のある放射波長における屈折率、又はある放射波長範囲内における屈折率を指す。例えば、１９０ｎｍの波長の放射、又は１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減少させることが望まれる場合は、材料及び層の厚さは、本明細書で説明する基準を満足するように選択される。

本発明の別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、多層積層体上部層１０３上に配置された、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０を含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である材料ｍ１を含む。ここで、ｎは、この複素屈折率の実数部である。スペクトル・フィルタ上部層１１０の層の厚さｄ１は０．５〜３０ｎｍである。

別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、多層積層体上部層１０３上に配置された、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０を含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、複素屈折率の実数部が２以上であり、この複素屈折率の虚数部が１．６以下の材料ｍ１を含み、スペクトル・フィルタ上部層１１０の層の厚さｄ１は０．５〜３０ｎｍである。

これらの実施例は組み合わせることができる。

本発明の別の実施例によれば、スペクトル・フィルタ上部層１０４に含まれる層の材料及びこの層の厚さｄ（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１及び層の厚さｄ１）が、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にし、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される多層ミラー１００が提供される。

別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、多層積層体上部層１０３上に配置された、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０を含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択した材料ｍ１を含む。スペクトル・フィルタ上部層１１０の層の厚さｄ１は０．５〜３０ｎｍである。

図７及び図８に、この実施例に関する別の変形を示す。これらの図には、スペクトル純度増強層１０４（即ち、１１０）用のいくつかの材料ｍ１の選択が反射率に及ぼす影響と、Ｓｉ_３Ｎ_４スペクトル純度増強層１１０の厚さｄ（即ち、ｄ１）が反射率に及ぼす影響をそれぞれ示す。これらの実施例はすべて、ある種の材料（例えばＳｉ）の上部層１０３を伴う標準の５０層Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラー１００を対象とするものである。凡例に列挙した割合は、１３．５ｎｍのＥＵＶ放射についての反射率を示す。ｙ軸上の値は、反射率（×１００％）を示す。図７には、１００〜２００ｎｍの範囲について、多層ミラー１００上の第１スペクトル純度増強層１１０のいくつかの理論実施例を示す。第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１の良好な候補の実施例は、アモルファス・カーボン、ダイヤモンド、ＳｉＣ、及びＳｉ_３Ｎ_４である。シミュレーションでは、目標波長での高屈折率とＥＵＶについての低吸収との組合せが望ましいことが示されている（上記も参照されたい）。得られた反射率曲線は、多層ミラー１００（即ち、多層積層体１０２）及びスペクトル純度増強層１０４（即ち、これらの実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０）についての反射率曲線の組合せである。これに加えて、第１スペクトル純度増強層１１０の反射率曲線は、厚さによっても変化する（上記及び図６も参照されたい）。このため、反射率が最小の波長は、第１スペクトル純度増強層１１０の厚さによって決まる。図８に、第１スペクトル純度増強層１１０としてのＳｉ_３Ｎ_４及びＳｉ／Ｍｏ多層積層体１０２を使用し、厚さｄ１を変化させた別の実施例を示す。したがって、ある実施例では、Ｓｉ_３Ｎ_４を含む第１スペクトル純度増強層１１０だけを有するスペクトル純度増強層１０４を伴う多層ミラー１００が提供される。第１スペクトル純度増強層１１０の層の厚さｄ１は４〜１１ｎｍである。

スペクトル純度増強層１０４、例えば、第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を提供するために、ＬＰ−ＣＶＤ、ＰＥ−ＣＶＤその他の技術を利用できる。シリコン・ウエハ上にＳｉ_３Ｎ_４層を被着させて実際にＳＰＥ層の原理を試験することによるモデル研究を行った。層の厚さｄ１は１５ｎｍを選択した。この厚さでは、理論最小反射率は約１０％であり、そのため、第１スペクトル純度増強層１１０は、この範囲ではあまり良好に働かないが、反射率の損失は、原理を証明できるのに十分である。偏光解析法を利用して、被着させたＳｉ_３Ｎ_４層１１０の厚さｄ１を１３．５ｎｍと求めた（ＬＰ−ＣＶＤによる被着時間は１分４５秒であった）。推定ＲＭＳ表面粗さは約０．５ｎｍであった。

図９に、Ｓｉ_３Ｎ_４を被覆したシリコン・ウエハについて測定した反射率曲線と、非被覆シリコン・ウエハについて測定した反射率曲線とを比較したものを示す。ＩＭＤによる理論曲線も示す。第１スペクトル純度増強層１１０の実験値は、明らかに計算値と極めて良好に一致し、それによって、スペクトル純度増強層１０４（この実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０のみ）の原理が予想通り働くことが実証される。

図８に示すように、スペクトル純度増強層１０４の上部に、キャップ層１０５を配置することができる。したがって、本発明の別の実施例によれば、スペクトル・フィルタ上部層１０４がさらに、第１スペクトル純度増強層１１０の上に、Ｒｕを含み、層の厚さｄ４が０．５〜２ｎｍのキャップ層１０５を含む多層ミラー１００が提供される。或いは、ある実施例では、キャップ層１０５として、例えば、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、又はＣ_２Ｆ_４から選択された材料ｍ４などの他の材料も使用できる。別の代替実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０はさらに、キャップ層１０５として使用できる。キャップ層１０５（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０は同時にキャップ層１０５である）として使用するのに適切な材料ｍ４は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択され得る。このキャップ層は、放射源からの粒子又は他の粒子、或いは、例えば本発明による多層ミラー１００を使用するリソグラフィ機器内に存在するガスによる化学的又は物理的な作用による酸化に対するさらなる保護を提供できる。したがって、別の実施例では、スペクトル・フィルタ上部層１０４がさらに、第１スペクトル純度増強層１１０の上に、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択された材料ｍ４を含み、層の厚さｄ４が０．５〜１１ｎｍであるキャップ層１０５を含む多層ミラーが提供される。ある変形形態では、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１は、キャップ層１０５の材料ｍ４と異なる材料を含む。例えば、ｍ１はＳｉ_３Ｎ_４であり、ｍ４はＲｕである。

図１０に、キャップ層１０５を伴う実施例の反射の例（ｙ軸×１００％）を放射波長の関数として示す。図１０には、スペクトル純度増強層１１０上の、Ｒｕを含むキャップ層１０５が反射率に及ぼす影響を示す。

ある実施例では、従来型多層ミラー１００による光の通常の抑制が、１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲で十分でなく、現在のＤＵＶ強度をその現在の出力の１０％に減少させる必要があると見られている。これは、ＥＵＶリソグラフィ機器で予想できる典型的な値である。ＥＵＶリソグラフィ・システムは、典型的には、１１枚のＳｉ／Ｍｏ多層ミラーを含む。ＤＵＶ範囲で十分な抑制を実現するために、これらのミラー１００の一部の上に、例えば、多層積層体上部層１０３上に、上記で説明した実施例による第１スペクトル純度増強層１１０を配置することになる。第１スペクトル純度増強層１１０を使用すると、ＥＵＶ光についての抑制及びその結果生じる損失を選択する柔軟性が得られる。通常のスペクトル純化フィルタでは常に約５０％の損失があるが、この場合には、これらの損失をはるかに小さくできる。１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲を抑制する必要があるので、ある実施例では、５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０が選択される。

図１１に、第１スペクトル純度増強層１１０の数の増加（１〜５）に対して、即ち、このような第１スペクトル純度増強層１１０を含む多層ミラー１００の数の増加に対するＤＵＶ光の抑制を示す。また、ＤＵＶ範囲での目標反射率１０％も示す（水平の破線）。図１１から、ＤＵＶの所望の抑制に達するには、Ｒｕで覆われた５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０を伴う２枚の多層ミラーで十分であることがわかる。実際、２つの第１スペクトル純度増強層１１０により、ＤＵＶが、１３０〜１９０ｎｍの範囲のいずれの波長についても１５％未満に減少し、平均して７％に減少する。これによって生じるＥＵＶの損失は、通常のＲｕで覆われた２枚の多層ミラー１００の反射率（Ｒは１枚のミラー当たり約７５％であり、総計Ｒ_ｔｏｔは約５６％である）と、５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０を伴うＲｕで覆われた２枚の多層ミラー１００の反射率（Ｒは１枚のミラー当たり約６３％であり、Ｒ_ｔｏｔは約４０％である）とを比較することによって計算することができ、その結果、第１スペクトル純度増強層１１０によるＥＵＶ光の損失は１６％になる。比較として、通常のスペクトル純化フィルタは５０％の損失である。ここで生じたＥＵＶの損失と、２×５＝１０ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４層による吸収とを比較すると、１枚の多層ミラー１００当たり６％の損失になり、これは、多層ミラー１００の反射率は、計算値の６３％ではなく、６９％であるはずであることを意味する。この余分なＥＵＶの損失は、ＥＵＶ波長で生じる干渉の影響によるものである。これを回避するために、Ｓｉ_３Ｎ_４層を２つの部分に分割し、これらの間に例えばＭｏ層を配置できる。こうすると、このミラーのＥＵＶ反射率の計算値は６８％になり、第１スペクトル純度増強層１１０内でのＥＵＶの吸収と完全に一致する。このことは、以下の本発明の別の態様から明らかになるであろう。

通常のスペクトル純化フィルタ（ＮＯＳＰＥ）の損失（５０％）と同じになる第１スペクトル純度増強層１１０の数を計算することが可能である。

これは、４つの通常の第１スペクトル純度増強層１１０により、ＥＵＶについての全損失が５０％であり、ＤＵＶは平均して０．７％に減少する（ほぼ２桁）ことを意味する。通常の第１スペクトル純度増強層１１０の上でＲｕキャップ層１０５を使用しない場合、例えば、第１スペクトル純度増強層１１０はキャップ層自体として働き得るので、同じ５０％の損失になるのに合計６つの第１スペクトル純度増強層１１０を使用することができ、それによって、ＤＵＶが平均して０．０１２％に抑制される（ほぼ４桁）。

ある実施例では、本発明による多層ミラー１００は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである。別の実施例では、本発明による多層ミラー１００は、１２〜１５ｎｍの波長範囲から選択された波長の放射、例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである。

本発明の別の態様によれば、例えば上記のように、上記で説明され、図４ｃ及び図５に概略的に示された１枚又は複数枚の多層ミラー１００を含むリソグラフィ機器が提供される。したがって、別の態様では、本発明は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビーム内で、この放射源の放射ビームの少なくとも一部をミラー上で反射させることによって拡大する方法も提供する。

先に述べたように、別の実施例では、このリソグラフィ機器は、本発明による２枚以上の多層ミラー１００を含む。これらの多層ミラー１００は、放射源ＳＯによって発生される放射ビーム内に垂直入射ミラーとして配置される。したがって、ある実施例では、本発明による複数の多層ミラー１００を使用し、例えば別の実施例では２枚以上を使用し、放射源によって発生された放射ビーム内のこの放射源に最も近い多層ミラーで反射された放射が、それぞれ１枚又は複数枚の次の多層ミラー１００上で反射されるリソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。

別の実施例によれば、リソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。このリソグラフィ機器は、上記で説明した複数の多層ミラー１００を含み、異なる多層ミラー１００の層１０４（即ち、第１スペクトル純度増強層１１０）の材料ｍ１及びスペクトル・フィルタ上部層１０４に含まれる層１１０の層の厚さｄ（即ち、ｄ１）はそれぞれ、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される。

第１スペクトル純度増強層１１０についての厚さｄ１又は材料ｍ１、或いはその両方がそれぞれ異なる本発明によるいくつかの多層ミラー１００を使用することによって、望ましくない波長を、フィルタを通して除去することを、例えば５〜２０ｎｍの所望の波長が大きく減少せず（このような第１スペクトル純度増強層１１０を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば約５０％未満の減少）、ＤＵＶ放射が大きく減少する（このような第１スペクトル純度増強層１１０を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば約９０％、又は約９５％、さらには約９９％以上の減少）ように調整できる。ある実施例では、このような減少は、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分、例えば１００〜４００ｎｍの波長範囲の１５％に適用することができる。即ち、この波長範囲の少なくとも約１５％について、放射の減少は、波長範囲のこの約１５％の部分において全放射の少なくとも約９０％になる。ある実施例では、少なくとも約１３０〜１９０ｎｍの波長における放射が約９０％以上減少する。

ある実施例では、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、１００〜２００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができ、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、２００〜３００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができる。

本発明の別の態様によれば、放射ビームを提供する段階と、この放射ビームをパターン化する段階と、このパターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビーム内で、上記で説明した実施例によるミラー上でこの放射源の放射ビームの少なくとも一部を反射させることによって拡大する段階とを含むデバイス製作方法が提供される。

先に述べたように、第１スペクトル純度増強層１１０を伴ういくつかの多層ミラー１００を使用することができる。或いは、本発明の別の態様によれば、図４ａに概略的に示すように、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ３を含み、層の厚さがｄ３の第２スペクトル純度増強層１１２とを含む。

単一のスペクトル純度増強層１１０を伴う上記実施例で先に述べたように、ＥＵＶ波長で生じる干渉の影響のために、ＥＵＶがいくらか損失し得る。ＥＵＶでの干渉によりマイナスの影響が生じない（第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を伴う上記実施例を参照されたい）、例えば、ＥＵＶ領域での干渉が生じない（例えば、７ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４層では、ＥＵＶの干渉による損失がないことがある）第１スペクトル純度増強層１１０の厚さを求めることができる。或いは、この実施例（第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２並びに中間層１１１を含むスペクトル・フィルタ上部層１０４）で説明する追加の中間層１１１を選択する。

したがって、生じ得るＥＵＶの干渉による損失をなくすか、又は最小限に抑えるために、本発明のこの実施例によれば、第１スペクトル純度増強層１１０（例えばＳｉ_３Ｎ_４）を２つの部分、即ち、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２に「分割」し、例えばＭｏの中間層１１１をこれらの間に入れる。このようにして、干渉による損失を減少させることができる。こうすると、Ｓｉ_３Ｎ_４と仮定したミラー１００についてのＥＵＶ反射率計算値が６８％になり、第１スペクトル純度増強層１１０でのＥＵＶの吸収と完全に一致できる。

図１１を参照すると、点線の曲線は、１３０が分割スペクトル純度増強層を伴う２枚のミラーであり、１３１が分割スペクトル純度増強層を伴う３枚のミラー、１３２が分割スペクトル純度増強層を伴う４枚のミラー、１３３が分割スペクトル純度増強層を伴う５枚のミラーであることを表す。本明細書では、分割スペクトル純度増強層は、１つの第１スペクトル純度増強層１１０、及び中間層１１１、並びに第２スペクトル純度増強層１１２である図４ａに示す実施例を指す。図１１に、実線の曲線（即ち、それぞれ第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を有する１枚又は複数枚の多層ミラー１００）で示すのと同じ計算値を示すが、この場合には、２．５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０には、その後に、２ｎｍのＭｏ中間層１１１と、２．５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第２スペクトル純度増強層１１２と、２．５ｎｍのＲｕキャップ層１０５が続く。これらの曲線は極めて似ているが、点線の曲線は、ＤＵＶの抑制がわずかに少なく、短波長側にわずかにずれている。この場合、１０％未満に抑制するために、この実施例のスペクトル純度増強層（分割層）を伴う多層ミラー１００を３枚必要とできるが、全損失ははるかに小さく、即ち、ＥＵＶの損失は１１％であり、ＤＵＶは平均して３．４％に抑制される（Ｒｕで覆われた３枚のミラーでは、Ｒ_ｔｏｔは約４２％であり、Ｒｕで覆われたＭｏ分割スペクトル純度増強層１１０及び１１２の３枚のミラーでは、Ｒ_ｔｏｔは約３１％である）。

先に述べたように、４つの通常の第１スペクトル純度増強層１１０を使用する場合、ＥＵＶについての全損失は５０％であり、ＤＵＶは平均して０．７％に抑制される（ほぼ２桁）。しかし、本発明のＭｏ分割第１スペクトル純度増強層の場合、最大で７つのスペクトル純度増強層１１０＋１１２（即ち、それぞれ層１１０、１１１、及び１１２を含み、それぞれ異なる多層ミラー１００上に配置された７つのスペクトル純度増強層１０４）を使用でき、ＤＵＶは平均して０．０６％に抑制される（ほぼ３桁）。別の実施例では、厚さｄ１＋ｄ２は、上記実施例で与えられ、表１の実施例に示す厚さｄ１とほぼ同じである。

この実施例では、Ｒｕキャップ層１０５を使用することができる。

本発明の別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ３を含み、層の厚さがｄ３の第２スペクトル純度増強層１１２とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択された材料（それぞれｍ１及びｍ３）をそれぞれ独立に含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１及びｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３は２．５〜４０ｎｍである。

ある実施例では、多層ミラー１００は任意選択で、第１スペクトル純度増強層１０４の上に、Ｒｕを含み、層の厚さｄ４が０．５〜２．５ｎｍであるキャップ層１０５をさらに有する。

別の実施例では、本発明により、中間層が金属を含む多層ミラー１００が提供される。別の実施例では、中間層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、又はＵから選択された材料ｍ２を含む多層ミラー１００が提供される。

本発明の実施例によれば、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２の複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である多層ミラー１００が提供される。ただし、ｎは、この複素屈折率の実数部である。本発明の別の実施例によれば、この複素屈折率の実数部は１．５以上であり、この複素屈折率の虚数部は２以下である。別の実施例によれば、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２の複素屈折率の実数部は２以上であり、この複素屈折率の虚数部は１．６以下である。ここで、これらの屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲から選択された、ある実施例では１００〜２００ｎｍ内のある放射波長における屈折率、又はある放射波長範囲内における屈折率を指す。例えば、１９０ｎｍの波長の放射、又は１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減少させる場合、それぞれの層の材料及び層の厚さは、本明細書で説明する基準を満足するように選択される。

したがって、本発明の代替実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ３を含み、層の厚さがｄ３の第２スペクトル純度増強層１１２とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２はそれぞれ独立に、複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である材料を含む（それぞれｍ１及びｍ３）。ここで、ｎは、この複素屈折率の実数部である。中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１及びｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３は２．５〜４０ｎｍである。

したがって、本発明の別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ３を含み、層の厚さがｄ３の第２スペクトル純度増強層１１２とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２はそれぞれ独立に、複素屈折率の実数部が２以上であり、この複素屈折率の虚数部が１．６以下である材料を含む（それぞれｍ１及びｍ３）。中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１及びｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３は２．５〜４０ｎｍである。

上記実施例は組み合わせることができる。

別の実施例では、スペクトル・フィルタ上部層に含まれる層の材料（それぞれｍ１、ｍ２、及びｍ３）並びにそれらの層の厚さ（それぞれｄ１、ｄ２、及びｄ３）が、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される多層ミラー１００が提供される。

ある実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２がＳｉ_３Ｎ_４を含む多層ミラー１００が提供される。各層は、それぞれ独立に１．５〜３．５ｎｍの層の厚さｄ１及びｄ３を有する。中間層１１１はＭｏを含み、その層の厚さｄ２は１〜３ｎｍである。代替実施例では寸法は同じだが、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択される。

ある実施例では、本発明による多層ミラー１００は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである。別の実施例では、本発明による多層ミラー１００は、１２〜１５ｎｍの波長範囲から選択された波長の放射、例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである。

本発明の別の態様によれば、例えば上記のように、上記で説明され、図４ａに概略的に示された１枚又は複数枚の多層ミラー１００を含むリソグラフィ機器が提供される。したがって、別の態様では、本発明は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビーム内で、この放射源の放射ビームの少なくとも一部をこの実施例によるミラー上で反射させることによって拡大する方法も提供する。

先に述べたように、別の実施例では、このリソグラフィ機器は、本発明による２枚以上の多層ミラー１００を含む。これらの多層ミラー１００は、放射源ＳＯによって発生される放射内に垂直入射ミラーとして配置される。したがって、ある実施例では、本発明による複数の多層ミラー１００を使用し、例えば別の実施例では２枚以上を使用し、放射源によって発生された放射内のこの放射源に最も近い多層ミラーで反射された放射は、それぞれ１枚又は複数枚の次の多層ミラー１００上で反射されるリソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。

別の実施例によれば、リソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。このリソグラフィ機器は、上記で説明された複数の多層ミラー１００を含み、異なる多層ミラー１００のスペクトル純度増強層１０４に含まれる第１スペクトル純度増強層１１０、中間層１１１、及び第２スペクトル純度増強層１１２のそれぞれの材料ｍ１、ｍ２、及びｍ３、並びにスペクトル・フィルタ上部層１０４に含まれる層１１０、１１１、及び１１２のそれぞれの層の厚さｄ１、ｄ２、及びｄ３はそれぞれ、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される。

第１スペクトル純度増強層１１０、第２スペクトル純度増強層１１２、及び中間層１１１についてのそれぞれの厚さｄ１、ｄ２、又はｄ３、又は材料ｍ１、ｍ２、又はｍ３、或いは層の厚さ及び材料の両方がそれぞれ異なる本発明によるいくつかの多層ミラー１００を使用することによって、望ましくない波長を、フィルタを通して除去することを、例えば５〜２０ｎｍの波長の所望の放射が大きく減少せず（中間層１１１によって分割されたこのような第１スペクトル純度増強層１１０及び第２スペクトル純度増強層１１２を伴わない同じ多層ミラー、即ち、図４ａに示すスペクトル純度増強層１０４を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば約５０％未満の減少）、ＤＵＶ放射が大きく減少する（図４ａに示すスペクトル純度増強層１０４を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば９０％、又は約９５％、さらには約９９％の減少）ように調整できる。ある実施例では、好ましくは、このような減少は、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分、例えば１００〜４００ｎｍの波長範囲の１５％に適用できる。ある実施例では、少なくとも約１３０〜１９０ｎｍの波長における放射が約９０％以上減少する。

ある実施例では、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、１００〜２００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができ、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、２００〜３００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができる。

本発明の別の態様によれば、放射ビームを提供する段階と、この放射ビームをパターン化する段階と、このパターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビーム内で、上記で説明された実施例によるミラー上でこの放射源の放射ビームの少なくとも一部を反射させることによって拡大する段階とを含むデバイス製作方法が提供される。

上記で説明された実施例を参照すると、スペクトル純度増強層１０４が、第１スペクトル純度増強層１１０及び中間層１１１しか含まず、後者は多層積層体上部層１０３上に位置決めされる別の「中間」の実施例がある。したがって、本発明の別の態様によれば、図４ａに概略的に示すように、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１とを含む。

この実施例は、スペクトル純度増強層１０４が、任意選択のキャップ層１０５、例えば層の厚さｄ４が０．５〜２．５ｎｍのＲｕと組み合わせることができる。したがって、ある実施例では、多層ミラー１００は、任意選択で、第１スペクトル純度増強層１０４の上に、Ｒｕを含み、層の厚さｄ４が０．５〜２．５ｎｍのキャップ層１０５をさらに含む。

本発明の別の実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択された材料ｍ１を含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２は２．５〜４０ｎｍである。

別の実施例では、本発明により、中間層１１１が金属を含む多層ミラー１００が提供される。別の実施例では、中間層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、又はＵから選択された材料ｍ２を含む多層ミラー１００が提供される。

本発明の実施例によれば、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である多層ミラー１００が提供される。ここで、ｎは、この複素屈折率の実数部である。本発明の別の実施例によれば、この複素屈折率の実数部は１．５以上であり、この複素屈折率の虚数部は２以下である。別の実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の実数部は２以上であり、この複素屈折率の虚数部は１．６以下である。ここで、これらの屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲から選択された、ある実施例では１００〜２００ｎｍ内のある放射波長における屈折率、又はある放射波長範囲内における屈折率を指す。例えば、１９０ｎｍの波長の放射、又は１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減少させる場合、それぞれの層の材料及び層の厚さは、本明細書で説明する基準を満足するように選択する。

したがって、本発明の代替実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、複素屈折率がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７の材料ｍ１を含む。ただし、ｎは、この複素屈折率の実数部である。中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２は２．５〜４０ｎｍである。

本発明の別の代替実施例によれば、ａ）多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１の第１スペクトル純度増強層１１０と、多層積層体上部層１０３上に配置され、材料ｍ２を含み、層の厚さがｄ２の中間層１１１とを含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、複素屈折率の実数部が２以上であり、この複素屈折率の虚数部が１．６以下である材料ｍ１を含む。中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトル・フィルタ上部層１０４の層の厚さｄ＝ｄ１＋ｄ２は２．５〜４０ｎｍである。

上記実施例は組み合わせることができる。

別の実施例では、スペクトル・フィルタ上部層に含まれる層の材料（それぞれｍ１及びｍ２）並びにそれらの層の厚さ（それぞれｄ１及びｄ２）が、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される多層ミラー１００が提供される。

ある実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０がＳｉ_３Ｎ_４を含み、層の厚さｄ１が４〜１ｎｍの多層ミラー１００が提供される。中間層１１１はＭｏを含み、その層の厚さｄ２は１〜３ｎｍである。

ある実施例では、本発明による多層ミラー１００は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである。別の実施例では、本発明による多層ミラー１００は、１２〜１５ｎｍの波長範囲から選択された波長の放射、例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである。

本発明の別の態様によれば、例えば上記のように、上記で説明され、図４ｂに概略的に示された１枚又は複数枚の多層ミラー１００を含むリソグラフィ機器が提供される。したがって、別の態様では、本発明は、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビーム内で、この放射源の放射ビームの少なくとも一部をミラー上で反射させることによって拡大する方法も提供する。

先に述べたように、別の実施例では、このリソグラフィ機器は、本発明による２枚以上の多層ミラー１００を含む。これらの多層ミラー１００は、放射源ＳＯによって発生される放射内に垂直入射ミラーとして配置される。したがって、本発明による複数の多層ミラー１００を使用し、例えば別の実施例では２枚以上を使用し、放射源によって発生された放射内のこの放射源に最も近い多層ミラーで反射された放射は、それぞれ１枚又は複数枚の次の多層ミラー１００上で反射されるリソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。

別の実施例によれば、リソグラフィ用の機器及び／又は方法が提供される。このリソグラフィ機器は、上記で説明され複数の多層ミラー１００を含み、異なる多層ミラー１００のスペクトル純度増強層１０４に含まれる第１スペクトル純度増強層１１０及び中間層１１１のそれぞれの材料ｍ１及びｍ２、並びにスペクトル・フィルタ上部層１０４に含まれる層１１０及び１１１のそれぞれの層の厚さｄ１及びｄ２はそれぞれ、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分から選択された波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように設計される。

第１スペクトル純度増強層１１０及び中間層１１１についてのそれぞれの厚さｄ１及びｄ２又は材料ｍ１及びｍ２、或いは層の厚さ及び材料の両方がそれぞれ異なる本発明によるいくつかの多層ミラー１００を使用することによって、望ましくない波長を、フィルタを通して除去することを、例えば５〜２０ｎｍの所望の波長が大きく減少せず（このような第１スペクトル純度増強層１１０を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば約５０％未満の減少）、ＤＵＶ放射が大きく減少する（図４ａに示す第１スペクトル純度増強層１０４を伴わない同じ多層ミラーと比べて、例えば９０％、又は約９５％、さらには約９９％の減少）ように調整できる。ある実施例では、このような減少は、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分、例えば１００〜４００ｎｍの波長範囲の約１５％に適用することができる。ある実施例では、少なくとも約１３０〜１９０ｎｍの波長における放射が約９０％以上減少する。

ある実施例では、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、１００〜２００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができ、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、２００〜３００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができる。

本発明の別の態様によれば、照明系を使用して放射ビームを提供する段階と、この放射ビームをパターン化する段階と、このパターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択された波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択された波長の放射との比を、これら両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射内で、上記で説明された実施例によるミラー上でこの放射源の放射の少なくとも一部を反射させることによって拡大する段階とを含むデバイス製作方法が提供される。

本発明の別の態様によれば、上記で説明された３つの実施例から選択された２枚以上の多層ミラー１００を使用するリソグラフィ機器、所望の（ＥＵＶ）放射と望ましくない（ＤＵＶ）放射との比を拡大する方法、及び／又はデバイス製作方法が提供される。ある実施例では、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、１００〜２００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができ、１枚又は複数枚の多層ミラー１００は、２００〜３００ｎｍの範囲の波長の放射を減少させるように設計されたスペクトル純度増強層１０４とともに供給することができる。

上記で説明された実施例に加えて、第１スペクトル純度増強層１１０、中間層１１１、及び第２スペクトル純度増強層１１２の積層体を適用することもできる。例えば、これは、多層積層体上部層１０３の上に、（１１０／１１１）_ｎ、（１１１／１１０）_ｎ、（１１０／１１１）_ｎ／１１０、及び（１１１／１１０）_ｎ／１１０の層積層体から選択された１つ又は複数を伴う多層積層体１０２を含む多層ミラー１００とできる（最初（最も左側）の数字は、多層積層体上部層１０３上に配置される層を表し、ｎは、層の組合せを繰り返す数を記号で表したものである）。或いは、（最後の（最も右側の）数字の）最終層上にキャップ層１０５を設けることができる。例えば、概略的には、１０２／（１１０／１１１）_ｎ／１１０／１０５になる。

先に述べたように、多層ミラー１００は、例えば、いくつかの交互に配置されたＭｏ／Ｓｉ、又はＷ／Ｓｉ、或いはＷＲｅ／Ｓｉその他のタイプの多層積層体を含めて、多層（ミラー）積層体１０２を含み得る。多層積層体上部層１０３は、例えば、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｗ、又はＷＲｅなどを含み得る。この多層積層体上部層１０３の上に、本発明によるスペクトル・フィルタ上部層１０４が配置される。スペクトル・フィルタ上部層１０４はさらに任意選択で、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択された材料ｍ４を含み、且つ層の厚さが０．５〜１１ｎｍのキャップ層１０５で覆うことができる。ある実施例では、キャップ層１０５の材料ｍ４は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と同じ材料ではない。別の実施例では、材料ｍ４は、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦ、或いは、これらの材料の２つ以上の合金又は複数の層から選択される。先に述べた変形形態では、キャップ層１０５はＲｕを含み、その層の厚さｄ４は０．５〜２．５ｎｍである。

しかし、代替実施例では、この多層積層体上部層１０３は、多層積層体１０２の層の１つを表さず、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択された材料ｍ５を含み、層の厚さｄ５が０．５〜１１ｎｍであるキャップ層を表す。例えば、図３、図４ａ〜図４ｃ、及び図５を参照すると、多層ミラー１００は、ａ）（層の厚さがｄ５の）キャップ層を表す多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層ミラー積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する。このスペクトル・フィルタ上部層１０４は、上記で説明した実施例の１つによるスペクトル・フィルタ上部層１０４である。ある実施例では、キャップ層／多層積層体上部層１０３の材料ｍ５は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と同じ材料ではない。

ある変形形態では、ａ）キャップ層を表す多層積層体上部層１０３を伴う複数の交互層を含む多層積層体１０２と、ｂ）多層積層体１０２上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層１０４とを有する多層ミラー１００が提供される。スペクトル・フィルタ上部層１０４は、材料ｍ１を含み、層の厚さがｄ１であり、多層積層体上部層１０３上に配置された第１スペクトル純度増強層１１０を含む。第１スペクトル純度増強層１１０は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択された材料ｍ１を含む。スペクトル・フィルタ上部層１１０の層の厚さｄ１は０．５〜３０ｎｍであり、キャップ層は、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（例えば、ダイヤモンド様の炭素）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択された材料ｍ５を含み、その層の厚さは０．５〜１１ｎｍである。

ある変形形態では、多層積層体上部層１０３は、Ｒｕを含み、その層の厚さｄ５は０．５〜２．５ｎｍである。スペクトル・フィルタ上部層１１０は、ある実施例では層の厚さｄ１が４〜１１ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４（ｍ５）を含み、ある変形形態では５〜７ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４（ｍ５）を含む。

ある実施例では、（図３及び図４ａに示すように）スペクトル・フィルタ上部層１０４上に配置された第２キャップ層１０５を設けることができる。

スペクトル純度増強層１０４は、１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲などの、ある目標波長範囲の光を抑制するのに適している。

１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲では、例えばＲｕキャップ層１０５を含むスペクトル純度増強層１０４を伴う２枚のミラーを使用して、典型的には２桁以上の抑制を実現できる。Ｒｕキャップ層１０５がないと、損失がより小さい状態でさらに良好な抑制を実現できる。

ＥＵＶの損失は、上記で説明し、図４ａに概略的に示すように、スペクトル純度増強層１０４を２つの部分に分割することによって小さくできる。

スペクトル純度増強層１０４は、酸化から多層ミラー１００を保護するキャップ層としても働き得る。

異なる波長には、異なる材料を使用できる。

異なるミラー上で異なるスペクトル純度増強層１０４を使用して、（異なる材料で）より広い吸収範囲を実現することもできるし、（スペクトル純度増強層と同じ材料で）より強い抑制を実現することもできる。

スペクトル純度増強層１０４は通常、目標波長範囲以外の波長について余分な反射率をもたらすことはない。

スペクトル純度増強層１０４を使用すると、柔軟性が大きくなるという利点が得られる。なぜならば、必要とされる抑制に応じてスペクトル純度増強層１０４の数（したがって損失）を選択できるからである。

スペクトル純化フィルタを用いないで設計されたＥＵＶリソグラフィ・システムに対して、いつでもスペクトル純度増強層１０４を追加できる。

本明細書では、ＩＣの製作にリソグラフィ機器を使用することが言及されるがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ機器は、例えば、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導／検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製作など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウエハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることを理解されたい。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール、及び／又は検査ツール内で、露光前又は露光後に処理することがある。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを形成するために２回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。

上記では、光リソグラフィの状況で本発明の実施例を利用することを言及したが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなどの他の応用例で利用することができ、状況次第では、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン化装置の凹凸形状（トポグラフィ）が、基板に形成されるパターンを規定する。パターン化装置のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し付けることができ、その後、電磁放射、熱、圧力、又はこれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターン化装置をレジストから取り外し、それによって、レジストが硬化した後でレジスト中にパターンが残る。

以上、本発明の実施例を説明してきたが、上記で説明した以外の形でも本発明を実施できることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械可読命令からなる１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、或いは、このようなコンピュータ・プログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、又は光ディスク）の形態をとり得る。

上記の説明は、例示するためのものであり、限定するためのものではない。そのため、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明に変更を加え得ることが当業者には明らかであろう。さらに、上記で説明した実施例は組み合わせ得ることを理解されたい。

例えば、第１スペクトル純度増強層１１０（該当する場合には、さらに第２スペクトル純度増強層１１２）の複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である場合には（ただし、ｎは、この複素屈折率の実数部である）、或いは、本発明の別の実施例によれば、材料ｍ１（且つ、該当する場合には、材料ｍ３）の複素屈折率の実数部が１．５以上であり、この複素屈折率の虚数部が２以下である場合には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択された材料以外の材料を選択することができる。別の実施例では、材料ｍ１（且つ、該当する場合には、材料ｍ３）は、これら両方の基準を満足するように選択される。別の実施例では、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１（且つ、該当する場合には、第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ３）の複素屈折率の実数部は２以上であり、この複素屈折率の虚数部は１．６以下である。

本明細書では、窒化シリコンをＳｉ_３Ｎ_４と称する。ただし、これは、ＳｉＮなどすべてのＳｉ−Ｎ化合物を含むと解釈すべきである。

本発明は、実施例で説明したリソグラフィ機器への応用、又はリソグラフィ機器での使用に限定されるものではない。さらに、図面は通常、本発明を理解するために必要な要素及び特徴しか含まない。それ以外は、リソグラフィ機器の図面は概略的であり、原寸に比例していない。本発明は、これらの概略図面に示すこれらの要素（例えば、概略図面に描かれたミラーの数）に限定されるものではない。さらに、本発明は、図１及び図２で説明したリソグラフィ機器に限定されるものではない。

１０２ 多層積層体
１０３ 多層積層体上部層
１０４ スペクトル・フィルタ上部層
１０５ キャップ層
１１０ 第１スペクトル純度増強層
１１１ 中間層
１１２ 第２スペクトル純度増強層

Claims (60)

1. 多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラーにおいて、
   前記スペクトル・フィルタ上部層が、
   第１の材料を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
   第２の材料を含む、第２の層の厚さｄ２を有する中間層と、
   第３の材料を含む、第３の層の厚さｄ３を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第２スペクトル純度増強層とを含み、
   前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第３の材料が、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１及び第３の材料とは異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２＋ｄ３が２．５〜４０ｎｍである、多層ミラー。
2. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層の上にキャップ層をさらに含み、前記キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される第４の材料を含む、請求項１に記載された多層ミラー。
3. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層の上に、Ｒｕを含む、０．５〜２．５ｎｍの第４の層の厚さｄ４を有するキャップ層をさらに含む、請求項１に記載された多層ミラー。
4. 前記中間層が金属を含む、請求項１に記載された多層ミラー。
5. 前記第２の材料が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、又はＵから選択される、請求項１に記載された多層ミラー。
6. 前記第１及び第２のスペクトル純度増強層はそれぞれ独立に、ｎを前記複素屈折率の実数部とすると、複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である、請求項１に記載された多層ミラー。
7. 前記第１及び第２のスペクトル純度増強層はそれぞれ独立に、複素屈折率の実数部が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部が１．６以下である、請求項１に記載された多層ミラー。
8. 前記第１、第２、及び第３の材料、並びに前記第１、第２、及び第３の層の厚さが、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項１に記載された多層ミラー。
9. 垂直入射ミラーである、請求項１に記載された多層ミラー。
10. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである、請求項１に記載された多層ミラー。
11. １２〜１５ｎｍの波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである、請求項１に記載された多層ミラー。
12. 前記第１及び第３の材料がＳｉ_３Ｎ_４を含み、各層の厚さが１．５〜３．５ｎｍであり、
    前記第２の材料がＭｏを含み、層の厚さが１〜３ｎｍである、請求項１に記載された多層ミラー。
13. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される第４の材料を含む、請求項１に記載された多層ミラー。
14. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、Ｒｕを含み、０．５〜２．５ｎｍの第４の層の厚さｄ４を有する、請求項１に記載された多層ミラー。
15. 多層ミラーを含むリソグラフィ装置において、
    前記多層ミラーが、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを有し、前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料を含む、第２の層の厚さｄ２を有する中間層と、
    第３の材料を含む、第３の層の厚さｄ３を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第２スペクトル純度増強層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第３の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１及び第３の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２＋ｄ３が２．５〜４０ｎｍである、リソグラフィ機器。
16. 前記リソグラフィ機器が、複数の多層ミラーをさらに備え、
    前記複数の多層ミラーの前記第１、第２、及び第３の材料、並びに前記第１、第２、及び第３の層の厚さが、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項１５に記載されたリソグラフィ機器。
17. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームにおいて拡大する方法において、
    該方法が、前記放射ビームの少なくとも一部を、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラー上で反射させる段階を含み、前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料を含む、第２の層の厚さｄ２を有する中間層と、
    第３の材料を含む、第３の層の厚さｄ３を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第２スペクトル純度増強層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第３の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１及び第３の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２＋ｄ３が２．５〜４０ｎｍである、方法。
18. 多層ミラー上で前記放射ビームの少なくとも一部を反射させる段階が、複数の多層ミラー上で前記放射ビームの少なくとも一部を反射させる段階を含む、請求項１７に記載された方法。
19. 前記第１、第２、及び第３の材料、並びに前記第１、第２、及び第３の層の厚さが、前記第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、前記第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項１７に記載された方法。
20. デバイス製造方法において、該方法が、
    放射ビームを提供する段階と、
    前記放射ビームをパターン化する段階と、
    前記パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、
    ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームにおいて、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラー上で、前記放射ビームの少なくとも一部を反射させることによって拡大させる段階とを含み、前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料を含む、第２の層の厚さｄ２を有する中間層と、
    第３の材料を含む、第３の層の厚さｄ３を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第２スペクトル純度増強層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第３の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１及び第３の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２＋ｄ３が２．５〜４０ｎｍである、デバイス製造方法。
21. 多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラーにおいて、前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料ｍ１を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料ｍ２を含む、第２の層の厚さｄ２を有する、前記多層積層体上部層上に配置された中間層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２が１．５〜４０ｎｍである、多層ミラー。
22. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層の上にキャップ層をさらに含み、前記キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される第３の材料を含む、請求項２１に記載された多層ミラー。
23. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層上に、Ｒｕを含む、０．５〜２．５ｎｍの層の厚さｄ４を有するキャップ層をさらに含む、請求項２１に記載された多層ミラー。
24. 前記中間層が金属を含む、請求項２１に記載された多層ミラー。
25. 前記第２の材料が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、又はＵから選択される、請求項２１に記載された多層ミラー。
26. 前記第１スペクトル純度増強層は、ｎを前記複素屈折率の実数部とすると、複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である、請求項２１に記載された多層ミラー。
27. 前記第１スペクトル純度増強層は、複素屈折率の実数部が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部が１．６以下である、請求項２１に記載された多層ミラー。
28. 前記第１及び第２の材料、並びに前記第１及び第２の層の厚さは、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項２１に記載された多層ミラー。
29. 垂直入射ミラーである、請求項２１に記載された多層ミラー。
30. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである、請求項２１に記載された多層ミラー。
31. １２〜１５ｎｍの波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである、請求項２１に記載された多層ミラー。
32. 前記第１スペクトル純度増強層は、層の厚さが４〜１１ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４を含み、前記中間層は、層の厚さが１〜３ｎｍのＭｏを含む、請求項２１に記載された多層ミラー。
33. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記上部層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される材料ｍ５を含む、請求項２１に記載された多層ミラー。
34. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、Ｒｕを含み、０．５〜２．５ｎｍの層の厚さｄ５を有する、請求項２１に記載された多層ミラー。
35. 多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層と含むリソグラフィ装置において、
    前記スペクトル・フィルタ上部層多層積層体が、
    第１の材料ｍ１を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料ｍ２を含む、第２の層の厚さｄ２を有する、前記多層積層体上部層上に配置された中間層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２が１．５〜４０ｎｍである、リソグラフィ機器。
36. 前記リソグラフィ機器が複数の多層ミラーをさらに備え、
    前記第１及び第２の材料、並びに前記第１及び第２の層の厚さが、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項３５に記載されたリソグラフィ機器。
37. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームにおいて拡大する方法において、
    前記方法が、前記放射ビームの少なくとも一部を、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層スタック上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを有する多層ミラー上で反射させる段階を含み、
    前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料ｍ１を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料ｍ２を含む、第２の層の厚さｄ２を有する、前記多層積層体上部層上に配置された中間層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２が１．５〜４０ｎｍである、方法。
38. 前記放射ビームの少なくとも一部を反射させる段階が、複数の多層ミラー上で前記ビームの少なくとも一部を反射させる段階を含む、請求項３７に記載された方法。
39. 前記第１及び第２の材料、並びに前記第１及び第２の層の厚さが、前記第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの前記第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項３７に記載された方法。
40. デバイス製造方法において、該方法が、
    放射ビームを提供する段階と、
    前記放射ビームをパターン化する段階と、
    前記パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、
    ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを有する多層ミラー上で、前記放射ビームの少なくとも一部を反射させることによって拡大させる段階とを含み、前記スペクトル・フィルタ上部層が、
    第１の材料ｍ１を含む、第１の層の厚さｄ１を有する第１スペクトル純度増強層と、
    第２の材料ｍ２を含む、第２の層の厚さｄ２を有する、前記多層積層体上部層上に配置された中間層とを含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記第２の材料が、前記第１の材料と異なる材料を含み、厚さｄ１＋ｄ２が１．５〜４０ｎｍである、デバイス製造方法。
41. 多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラーであって、
    前記スペクトル・フィルタ上部層が、第１の材料を含む、層の厚さｄ１を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第１スペクトル純度増強層を含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記厚さｄ１が０．５〜３０ｎｍである、多層ミラー。
42. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層上にキャップ層をさらに含み、前記キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される第２の材料を含む、請求項４１に記載された多層ミラー。
43. 前記スペクトル・フィルタ上部層が、前記第１スペクトル純度増強層の上に、Ｒｕを含む、０．５〜２．５ｎｍの第２の層の厚さを有するキャップ層をさらに含む、請求項４１に記載された多層ミラー。
44. 前記第１スペクトル純度増強層は、ｎを前記複素屈折率の実数部とすると、複素屈折率の虚数部がｋ≦０．２５ｎ＋１．０７である、請求項４１に記載された多層ミラー。
45. 前記第１スペクトル純度増強層は、複素屈折率の実数部が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部が１．６以下である、請求項４１に記載された多層ミラー。
46. 前記第１の材料及び前記層の厚さｄ１が、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項４１に記載された多層ミラー。
47. 前記スペクトル・フィルタ上部層に含まれる層の前記第１の材料及び層の厚さｄ１が、
    

    

    打ち消し合う干渉のａｒｇ（Ｑ）＝π
    の基準を満足するように設計され、ここで、ｒ_１２は、第１層１から入射し、前記第１層１と第２層２の界面で反射する垂直入射平面波の反射についてのフレネル振幅反射係数であり、前記第１層１及び前記第２層２は、それぞれ前記多層ミラーの上の雰囲気及び前記スペクトル・フィルタ上部層であり、ｒ_２３は、前記第２層２から入射し、前記第２層２と第３層３の界面で反射する垂直入射平面波の反射についてのフレネル振幅反射係数であり、前記第２層２及び前記第３層３は、それぞれ前記スペクトル・フィルタ上部層及び前記多層積層体上部層であり、ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の透過についてのフレネル振幅透過係数であり、λは放射の波長であり、ｔは前記スペクトル・フィルタ上部層の厚さであり、Ｋ_２は媒体ｐの波数であり、Ｎ_ｐは媒体ｐの複素屈折率ｎ_ｐ＋ｊ・ｋ_ｐである、請求項４１に記載された多層ミラー。
48. 垂直入射ミラーである、請求項４１に記載された多層ミラー。
49. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射ミラーである、請求項４１に記載された多層ミラー。
50. １２〜１５ｎｍの波長範囲から選択される波長の放射を反射するように構成された垂直入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである、請求項４１に記載された多層ミラー。
51. 前記第１スペクトル純度増強層は、層の厚さが４〜１１ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４を含む、請求項４１に記載された多層ミラー。
52. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、又はＬｉＦから選択される第２の材料を含む、請求項４１に記載された多層ミラー。
53. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、Ｒｕを含む、０．５〜２．５ｎｍの第２の層の厚さを有する、請求項４１に記載された多層ミラー。
54. 前記多層積層体上部層がキャップ層を含み、前記多層積層体上部層が、０．５〜２．５ｎｍの第２の層の厚さを有するＲｕを含み、前記第１スペクトル・フィルタ上部層は、前記層の厚さｄ１が４〜１１ｎｍのＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４を含む、請求項４１に記載された多層ミラー。
55. 多層積層体を含む１枚又は複数枚の多層ミラーを備えるリソグラフィ機器において、前記多層積層体が、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを有し、
    前記スペクトル・フィルタ上部層が、第１の材料を含む、層の厚さｄ１を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第１スペクトル純度増強層を含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記厚さｄ１が０．５〜３０ｎｍである、リソグラフィ機器。
56. 前記リソグラフィ機器が、複数の多層ミラーをさらに備え、
    異なる多層ミラーの前記スペクトル・フィルタ上部層の層の材料及び層の厚さが、５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの波長範囲のかなりの部分から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項５５に記載されたリソグラフィ機器。
57. ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームにおいて拡大させる方法において、
    該方法が、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを備える多層ミラーで前記放射ビームを反射させる段階を含み、
    前記スペクトル・フィルタ上部層が、第１の材料を含む、層の厚さｄ１を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第１スペクトル純度増強層を含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記厚さｄ１が０．５〜３０ｎｍである、方法。
58. 複数の多層ミラーで前記放射ビームを反射させる段階をさらに含む、請求項５７に記載された方法。
59. 前記放射ビームが、複数の多層ミラーで反射され、前記複数の多層ミラーの前記スペクトル・フィルタ上部層の層の材料及び層の厚さが、５〜２０ｎｍの前記第１波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最小にして、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射の吸収及び／又は打ち消し合う干渉を最大にするように構成されている、請求項５７に記載された方法。
60. デバイス製造方法において、該方法が、
    放射ビームを提供する段階と、
    前記放射ビームをパターン化する段階と、
    前記パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影する段階と、
    ５〜２０ｎｍの第１波長範囲から選択される波長の放射と、１００〜４００ｎｍの第２波長範囲から選択される波長の放射との比を、両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームにおいて、多層積層体上部層を伴う複数の交互層を含む多層積層体と、前記多層積層体上に配置されたスペクトル・フィルタ上部層とを有する多層ミラー上で、前記放射源の前記放射ビームの少なくとも一部を反射させることによって拡大させる段階とを含み、
    前記スペクトル・フィルタ上部層が、第１の材料を含む、層の厚さｄ１を有する、前記多層積層体上部層上に配置された第１スペクトル純度増強層を含み、
    前記第１の材料が、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、アモルファス・カーボン、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、又はＮａＦから選択され、前記厚さｄ１が０．５〜３０ｎｍである、デバイス製造方法。

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