DE10309084A1

DE10309084A1 - Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät

Info

Publication number: DE10309084A1
Application number: DE10309084A
Authority: DE
Inventors: Johann Dr. Trenkler; Hans-Jürgen Dr. Mann; Udo Dr. Nothelfer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2003-03-03
Filing date: 2003-03-03
Publication date: 2004-09-16
Also published as: US20090251772A1; US7952797B2; US8537460B2; WO2004079753A2; DE112004000320B4; US20150055111A1; DE112004000320A5; US9910193B2; US8243364B2; JP2006519386A; US8891163B2; US20180224585A1; US20120293779A1; JP4927529B2; US20130301023A1; WO2004079753A3; US20060066940A1; US20110228237A1

Abstract

Es wird ein reflektives optisches Element sowie ein ein solches enthaltendes EUV-Lithographiegerät vorgeschlagen, das eine geringe Neigung zu Kontaminationen zeigt. Erfindungsgemäß weist das reflektive optische Element ein Deckschichtsystem aus einer oder mehreren Schichten auf. Die optischen Eigenschaften des Deckschichtsystems liegen zwischen denen eines Spacers und eines Absorbers bzw. entsprechen denen eines Spacers. Die Wahl eines Materials mit einem möglichst kleinen Imaginärteil und einem Realteil möglichst nahe 1 beim Brechungsindex führt in Abhängigkeit von der Deckschichtsystemdicke zwischen zwei Dicken d¶1¶ und d¶2¶ zu einem plateauförmigen Reflektivitätsverlauf. Die Dicke des Deckschichtsystems wird als d¶1¶ gewählt.

Description

Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängenbereich, das ein Multilayersystem und ein Deckschichtsystem aufweist, wobei die dem Deckschichtsystem zugewandte Seite des Multilayersystems mit einer Absorberschicht endet. Ferner betrifft die Erfindung ein EUV-Lithographiegerät mit einem gattungsgemäßen reflektiven optischen Element.

Multilayer sind aus periodischen Wiederholungen aufgebaut, wobei eine Periode im einfachsten Fall aus zwei Schichten besteht. Das eine Schichtmaterial sollte aus einem so genannten Spacermaterial bestehen, während das andere Schichtmaterial aus einem so genannten Absorbermaterial bestehen sollte. Spacermaterial weist einen Realteil des Brechungsindex nahe 1 auf, Absorbermaterial weist einen Realteil des Brechungsindex signifikant ungleich 1 auf. Die Periodendicke sowie die Dicken der einzelnen Schichten werden in Abhängigkeit der Betriebswellenlänge gewählt, so dass bei dieser Betriebswellenlänge in der Regel die Reflektivität maximiert wird.

Je nach Anforderung an das reflektive optische Element in Bezug auf das Reflektionsprofil sind diverse Ausgestaltungen des Multilayersystems denkbar. Bandbreite und Reflektivität lassen sich beispielsweise dadurch einstellen, dass man mehr als nur zwei Materialien in einer Periode vorsieht oder von der Konstanz der Schichtdicke oder auch der Konstanz der Dickenverhältnisse abweicht (so genannte Depth-Graded Multilayers).

EUV-Lithographiegeräte werden bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen, wie z. B. integrierten Schaltkreisen verwendet. Lithographiegeräte, die im extremen ultravioletten Wellenlängenbereich betrieben werden, weisen als optisches reflektives Element vorwiegend Multilayersysteme aus beispielsweise Molybdän und Silizium auf. EUV-Lithographiegeräte weisen zwar in ihrem Inneren ein Vakuum oder eine Restgasatmosphäre auf. Es lässt sich aber nicht völlig verhindern, dass sich auch Kohlenwasserstoffe und/oder sonstige Kohlenstoffverbindungen innerhalb des Gerätes befinden. Diese Kohlenstoffverbindungen werden durch die extreme ultraviolette Strahlung bzw. durch Sekundärelektronen aufgespalten, was dazu führt, dass sich ein kohlenstoffhaltiger Kontaminationsfilm auf den optischen Elementen niederschlägt. Diese Kontamination mit Kohlenstoffverbindungen führen zu signifikanten Reflektionsverlusten der optischen Funktionsflächen, was einen erheblichen Einfluss auf die Wirtschaftlichkeit der EUV-Lithographieverfahren haben kann. Dieser Effekt wird dadurch verstärkt, dass typische EUV-Lithographiegeräte acht oder mehr reflektive optische Elemente aufweisen. Deren Transmission ist proportional zum Produkt der Reflektivitäten der einzelnen optischen reflektiven Elemente.

Die Kontaminationen führen nicht nur zu Reflektivitätsverlust, sondern auch zu Abbildungsfehlern, die im schlimmsten Fall eine Abbildung unmöglich machen. Beim Betrieb eines EUV-Lithographiegerätes bzw. beim Einsatz reflektiver optischer Elemente müssen also Reinigungszyklen vorgesehen werden. Diese erhöhen signifikant die Betriebskosten. Die Reinigungszyklen vergrößern aber nicht nur die Standzeiten, sondern bergen das Risiko der Verschlechterung der Schichtdickenhomogenität des reflektiven optischen Elements bzw. das Risiko der Erhöhung der Oberflächenrauhigkeit, was zu weiteren Reflektivitätsverlusten führt.

Ein Ansatz, die Kontamination bei Mo/Si-Multilayerspiegeln zu kontrollieren, findet sich in M. Malinowski et al, Proceedings of SPIE Vol. 4688 (2002), Seiten 442 – 453. Ein Multilayersystem aus 40 Paaren Molybdän und Silizium einer Paardicke von 7 nm und einem Γ = (d_Mo/(d_Mo + d_Si)) von ungefähr 0,4 wurde auf der obersten Molybdänschicht mit einer zusätzlichen Siliziumschicht versehen. Es wurden Multilayersysteme mit unterschiedlichen Siliziumdeckschichtdicken vermessen, die von 2 bis 7 nm reichten. Herkömmliche Mo/Si-Multilayersysteme weisen eine Siliziumdeckschicht von 4,3 nm auf, die zwar als Kontaminationsschutz dient, aber sehr schnell oxidiert. Bei den Messungen stellte sich heraus, dass sich bei einer Siliziumdeckschicht von 3 nm in Abhängigkeit von der Strahlungsdosis ein Reflektivitätsplateau ergibt. Es wird daher empfohlen, statt Siliziumdeckschichten einer Dicke von 4,3 nm Siliziumdeckschichten einer Dicke von 3 nm einzusetzen. Denn bei gleicher Toleranz im Reflektivitätsverlust lässt sich mit einer 3 nm dicken Siliziumdeckschicht eine längere Betriebszeit erreichen.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein reflektives optisches Element für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängenbereich bereitzustellen, das eine möglichst hohe Lebensdauer aufweist. Ferner besteht die Aufgabe der Erfindung darin, ein EUV-Lithographiegerät mit möglichst geringen Standzeiten bereitzustellen.

Gelöst wird diese Aufgabe durch ein reflektives optisches Element gemäß Anspruch 1 sowie durch ein EUV-Lithographiegerät gemäß Anspruch 10.

Es hat sich herausgestellt, dass reflektive optische Elemente für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängenbereich mit hoher Lebenszeit erhalten werden, wenn sie mit einem Deckschichtsystem versehen werden, das eine oder mehrere Schichten von Materialien mit einem bestimmten Brechungsindex aufweist, und bei denen die Gesamtdicke des Deckschichtsystems nach bestimmten Kriterien ausgewählt wird. Die eine oder mehr Schichten des Deckschichtsystems sollten bei Betriebswellenlängen zwischen 12,5 nm und 15 nm einen Brechungsindex aufweisen, dessen Realteil zwischen 0,90 und 1,03, vorzugsweise zwischen 0,95 und 1,02 und dessen Imaginärteil zwischen 0,0 und 0,025, besonders bevorzugt zwischen 0 und 0,015 liegt. Verglichen mit den Schichten des darunter liegenden Multilayersystem haben die Deckschichtsystemschichten also die optischen Eigenschaften eines Spacers bzw. liegen zwischen denen eines Spacers und eines Absorbers. Die Wahl eines Materials mit einem möglichst kleinen Imaginärteil und einem Realteil möglichst nahe bei 1 führt in Abhängigkeit von der Deckschichtsystemdicke zwischen zwei Dicken d₁ und d₂ zu einem plateauförmigen Reflektivitätsverlauf. Dies bedeutet, dass bei diesen ausgewählten Materialien das reflektive optische Element aus Multilayersystem und Deckschichtsystem in einem gewissen Bereich unempfindlich gegenüber Schwankungen der Deckschichtsystemdicke ist. Erfindungsgemäß weist das reflektive optische Element ein Deckschichtsystem einer Dicke d₁ auf, das heißt der Dicke, ab der die Reflektivität im Wesentlichen konstant bleibt.

Die erfindungsgemäßen reflektiven optischen Elemente weisen den Vorteil auf, dass deren relative Unempfindlichkeit gegen Dickenschwankungen des Deckschichtsystems sich auch in einer Unempfindlichkeit gegenüber dem Aufwachsen einer Kontaminationsschicht äußert. Ohne signifikante Reflektivitätsänderung können viel dickere Kohlenstoffschichten als bei herkömmlichen reflektiven optischen Elementen toleriert werden. Dies äußert sich ebenfalls positiv in der Homogenität der Abbildung, da auch Dickenschwankungen über die gesamte Fläche vernachlässigbar werden.

Insgesamt wählt man bei gegebener Betriebswellenlänge die Materialien, den Schichtaufbau des Deckschichtsystems und die einzelnen Schichtdicken so, dass sich zwischen zwei Dicken d₁ und d₂ ein Plateau in der Reflektivität als Funktion der Dicke des Deckschichtsystems ausbildet. Dessen Dicke wählt man dann so, dass sie möglichst klein ist, aber noch innerhalb des Reflektivitätsplateaus liegt. In der Praxis ist dabei zu beachten, dass für jede Schicht immer eine Mindestschichtdicke eingehalten werden muss, damit eine geschlossene Schicht hergestellt werden kann.

Es hat sich gezeigt, dass sich bei Reflektion an dem reflektiven optischen Element ein stehendes Wellenfeld ausbildet, dessen Minimum bei einer Deckschichtsystemdicke d1 einen Bruchteil der Betriebswellenlänge entfernt im Vakuum liegt. Wird nun die Schichtdicke des Deckschichtsystems erhöht, nähert sich das Minimum des stehenden Wellenfeldes der Oberfläche. Danach steigt der Wert des stehenden Wellenfeldes an der Oberfläche an bis auch das Maximum erreicht wird. Die Ausbildung des Reflektivitätsplateaus in Abhängigkeit der Dicke des Deckschichtsystems ergibt sich also deshalb, weil mit zunehmender Schichtdicke die zusätzlich entstehende Absorption, das heißt die resultierende Verminderung der Reflektivität, dadurch kompensiert wird, dass ab einer gewissen Schichtdicke Reflektivitätszuwächse durch zunehmend konstruktive Interferenz entstehen.

Als zusätzlicher Effekt kommt hinzu, dass in der Nähe des Minimums eines stehenden Wellenfeldes weniger Photoelektronen emitiert werden. Da auch die Photoelektronen die Kohlenwasserstoffe aus der Restgasatmosphäre in Kohlenstoff oder kohlenstoffhaltige Einzelteile zerlegen, hat dies zur Folge, dass die Kontamination merkbar langsamer aufwächst.

Eine bevorzugte Ausführungsform zeichnet sich daher dadurch aus, dass die Dicke d1 des Deckschichtsystems derart ist, dass eine sich bei Reflexion bei Betriebswellenlänge λ_B ausbildende stehende Welle ein Minimum in einem Abstand von der Oberfläche des reflektiven optischen Elements von 0,1 λ_B oder weniger aufweist. Das Minimum liegt dabei im Vakuum. Bei zunehmender Dichte wandert die Oberfläche sozusagen durch das Minimum hindurch bis die Dicke d₂ erreicht ist. Dies entspricht einem Abstand Oberfläche zu Minimum von maximal 0,2 λ_B, wobei sich das Minimum innerhalb des reflektiven optischen Elementes befindet.

Die vorteilhaften Eigenschaften der erfindungsgemäßen reflektiven optischen Elemente wirken sich insbesondere positiv aus, wenn sie in einem EUV-Lithographiegerät verwendet werden. Vor allem beim Hintereinanderschalten von mehreren reflektiven optischen Elementen wirken sich die gleichmäßigere Reflektivität und auch gleichmäßigere Feldausleuchtung über längere Zeiträume besonders positiv aus. Es hat sich gezeigt, dass auch bei zunehmender Kontamination die Wellenfrontfehler in der komplexen optischen Systemen von EUV-Lithographiegeräten gering gehalten werden können. Ein großer Vorteil besteht darin, dass wegen der längeren Lebenszeit der reflektiven optischen Elemente weniger Reinigungszyklen am EUV-Lithographiegerät werden müssen. Dadurch werden nicht nur die Standzeiten reduziert, sondern auch das Risiko der Degeneration der Schichthomogenität, der Aufrauhung der Oberfläche bzw. des teilweisen Zerstörung der obersten Deckschicht bei zu starkem Reinigen werden signifikant verringert. Insbesondere können bei den erfindungsgemäßen reflektiven optischen Elementen die Reinigungsprozesse derart gesteuert werden, dass von vornherein die Kontaminationsschicht nicht komplett abgetragen wird, sondern immer eine minimale Kontaminationsschicht auf der obersten Schicht verbleibt. Diese schützt das reflektive optische Element vor einer Zerstörung durch zu starkes Reinigen. Die Dicke der Kontamiationsschicht kann dabei auf herkömmliche Art und Weise während des Aufwachsens bzw. während des Reinigens mit einem geeigneten In-situ-Überwachungssystemen gemessen werden.

Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn das Deckschichtsystem aus einem oder mehreren Materialien der Gruppe Ce, Be, SiO, SiC, SiO₂, Si₃N₄, C, Y, MoSi₂, B, Y₂O₃, MoS₂, B4C, BN, Ru_xSi_y, Zr, Nb, MoC, ZrO₂, Ru_xMo_y, Rh_xMo_y, Rh_xSi_y besteht. Das SiO₂ sollte dabei vorzugsweise amorph oder polykristallin vorliegen.

Die besten Ergebnisse sind mit einem Multilayersystem erreicht worden, das aus Mo/Si-Schichten besteht und das auf der dem Deckschichtsystem zugewandten Seite mit der Molybdänschicht endet. Je nach Betriebswellenlänge, Multilayersystem und Anforderung an das reflektive optische Element kann es von Vorteil sein, wenn das Deckschichtsystem aus genau zwei oder genau drei Schichten besteht.

In einer bevorzugten Ausführungsform endet das Deckschichtsystem zum Vakuum hin mit einer Schicht aus einem Material, bei dem das Aufwachsen von kohlenstoffhaltigen Stoffen unterdrückt ist. Es wurde festgestellt, dass gewisse Materialien eine geringe Affinität zu kohlenstoffhaltigen Stoffen aufweisen, mit anderen Worten, bei denen kohlenstoffhaltige Schichten nur mit einer geringen Wahrscheinlichkeit haften bleiben bzw. eine geringe Adsorbtionsrate zeigen. Bei diesen Materialien ist also das Aufwachsen von kohlenstoffhaltigen Stoffen drastisch verringert bzw. unterdrückt. Es hat sich herausgestellt, dass derartige Materialien als Schutzschicht für reflektive optische Elemente für den EUV- und weiche Röntgenwellenlängenbereich eingesetzt werden können, ohne signifikante negative Auswirkungen auf das optische Verhalten des reflektiven optischen Elements zu zeigen.

Besonders bevorzugt werden dabei die Materialien ZrO₂, Y₂O₃ und Siliziumoxid in verschiedenen stöchiometrischen Verhältnissen. Das Siliziumoxid kann amorph oder polykristallin, eventuell auch kristallin vorliegen.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform endet das Deckschichtsystem zum Vakuum hin mit einer Schicht aus einem Material, das gegen Energieeintrag inert ist, das heißt gegen Bestrahlung mit EUV-Photonen oder gegenüber extern elektrischen Feldern. Dies verringert die Wahrscheinlichkeit spontaner Elektronenemission, die ihrerseits die Restgase in reaktive Spaltprodukte aufspalten könnten. Somit wird zusätzlich die Kontaminationsablagerung auf dem Deckschichtsystem verringert. Einfluss nehmen auf die Inertie gegen externe elektromagnetische Felder kann man z. B., indem die Oberfläche eine möglichst geringe Rauhigkeit aufweist und/oder indem Materialien verwendet werden, die eine große Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband aufweisen. Besonders bevorzugt sind dabei die Materialien Nb, BN, B, C, Y, amorpher Kohlenstoff, Si₃N₄, SiC sowie Siliziumoxid in verschiedenen stöchiometrischen Verhältnissen. Das Siliziumoxid kann amorph oder polykristallin, eventuell auch kristallin vorliegen.

Die Erfindung soll anhand einiger Beispiele und der Figuren näher erläutert werden. Dazu zeigen
1 die Reflektivität eines Multilayers mit Deckschichtsystem in Abhängigkeit der Dicke des Deckschichtsystems;
2a, b die Lage des stehenden Wellenfeldes bei unterschiedlichen Deckschichtsystemdicken;
3 die Reflektivität eines ersten reflektiven optischen Elements in Abhängigkeit der Kontaminationsschichtdicke und
4a, b die Abhängigkeit des Wellenfrontfehlers von der Kontaminationsschichtdicke für ein Sechsspiegelsystem für die EUV-Lithographie und
5 die Reflektivität eines zweiten reflektiven optischen Elementes in Abhängigkeit der Kontaminationsschichtdicke.
Beispiel 1:
Auf einem auf einem Substrat aus amorphem Siliziumdioxid befindlichen Mo/Si-Multilayersystem aus 50 Paaren aus 2,76 nm Molybdän und 4,14 nm amorphem Silizium wird ein dreischichtiges Deckschichtsystem aufgebracht. Dieses Deckschichtsystem grenzt mit einer 1,2 nm dicken Y-Schicht an die oberste Molybdänschicht des Multilayersystems. Auf der Y-Schicht befindet sich eine 1,5 nm Y₂O₃-Schicht. Zum Vakuum hin schließt das Deckschichtsystem mit einer 1 nm dicken amorphen Siliziumdioxidschicht auf. Die Wahl der Materialien und deren Dicken erfolgt dabei nach den erfindungsgemäßen Kriterien. Insbesondere werden die Materialien auch dahingehend gewählt, dass sie Kohlenstoffwachstum unterdrücken (Y₂O₃, a-SiO₂) bzw. gegen Energieeintrag inert sind (Y, a-SiO₂).
Unter Vernachlässigung der Interface- und Oberflächenrauhigkeit erhält man bei einem Einfallswinkel von 0° mit der Oberflächennormalen bei einer Betriebswellenlänge von 13,5 nm eine Reflektivität von 70,2%. In 1 ist die Reflektivität des gesamten reflektiven optischen Elements bei diesen Bedingungen in Abhängigkeit der Deckschichtsystemdicke gezeigt, wobei aber die Dicken von 1,2 nm für Y und 1,5 nm für Y₂O₃ konstant gehalten werden. Es bildet sich ein deutliches Reflektivitätsplateau zwischen einer Dicke d1 = 3,7 nm und einer Dicke d2 = 6,68 nm des Deckschichtsystems, bzw. eine a-SiO₂-Schicht von 1 nm und 2,98 nm aus. Entsprechend wurde die Dicke der Siliziumdioxidschicht mit 1,0 nm gewählt.
In den 2a und 2b wird das sich ausbildende stehende Wellenfeld für eine Deckschichtsystemdicke von 3,7 nm (2a) und für eine Deckschichtsystemdicke von 6,68 nm dargestellt (2b). Abschnitte a–c entsprechend dem Deckschichtsystem aus amorphem SiO₂ (a), Y₂O₃ (b) und Y (c) und Abschnitte d, e entsprechend dem Multilayersystem aus Molybdän (d) und amorphem Silizium (e). Es ist deutlich zu sehen, dass bei zunehmender Dicke des Deckschichtsystems die Oberfläche des reflektiven optischen Elements sich in der Nähe des Minimums bestehenden Wellenfeldes befindet, sie sozusagen durch das Minimum hindurchwandert. Dies würde für eine geringe durch Sekundärelektronen verursachte Kontamination sprechen.
In 3 ist die Abhängigkeit der Reflektivität des reflektiven optischen Elements mit dem Deckschichtsystem aus Y, Y₂O₃ und a-SiO₂ in Abhängigkeit von der aufgewachsenen Kontaminationsschicht aufgezeichnet. Wählt man einen Toleranzbereich für die Reflektivitätsschwankung von 1%, kann eine bis zu 4 nm dicke Kohlenstoffschicht ohne signifikante Reflektivitätsänderung toleriert werden. Die Betriebszeit ist daher um ein Vielfaches höher als bei herkömmlichen reflektiven optischen Elementen.
In 4a und b sind diese positiven Ergebnisse auch anhand eines EUV-Lithographiegerätes mit sechs erfindungsgemäßen reflektiven optischen Elementen (S1–S6) als Spiegel dargestellt. Der getestete Spiegelaufbau ist in 4a dargestellt. In 4b ist der Wellenfrontfehler in Abhängigkeit von der Kohlenstoffdicke dargestellt. Zwar variiert die Wellenfront periodisch mit der aufgewachsenen Kohlenstoffdicke, der Absolutwert des Wellenfrontfehlers übersteigt aber für keine Kohlenstoffdicke einen Wert, der die Abbildungsqualität des Lithographiesystems signifikant beeinträchtigen würde.
Wegen der Unempfindlichkeit des hier diskutierten reflektiven optischen Elements gegenüber dem Aufwachsen einer Kohlenstoffkontaminationsschicht, bietet es sich hier an, bei dem Reinigen des reflektiven optischen Elements bzw. beim Reinigen der gesamten EUV-Lithographievorrichtung, die Kontaminationsschicht nur bis auf eine Schicht von 0,5 nm zu entfernen. Dadurch wird einerseits gewährleistet, dass das gereinigte optische Element wieder eine lange Lebensdauer aufweist. Es wird aber auch dafür gesorgt, dass das Risiko der Degeneration der Schichthomogenität bzw. der Aufrauung der Oberfläche oder des teilweisen Zerstörens der obersten Schicht bei zu starkem Reinigen verringert wird.
Beispiel 2:
Auf einem auf einem amorphen Siliziumdioxidsubstrat befindlichen Multilayersystem aus 50 Mo/Si-Paaren, die für eine Betriebswellenlänge von 13,5 nm optimiert sind, befindet sich ein Deckschichtsystem aus einer 2,0 nm dicken Cerschicht, die sich an die oberste Molybdänschicht des Multilayersystems anschließt, und eine 1,5 nm dicke Siliziumdioxidschicht. Das Minimum einer bei Reflexion am unkontaminierten reflektiven optischen Element bei Betriebswellenlänge λ_B entstehenden stehenden Welle liegt 0,05 λ_B von dessen Oberfläche im Vakuum. Bei einer maximalen Reflektivität von 70,9% bei einer Betriebswellenlänge von 13,5 nm und einem tolerierten Reflektivitätsabfall von 1% kann eine Kohlenstoffkontaminationsschicht eine Dicke von bis zu 3,5 nm toleriert werden (siehe 5). Auch dieses reflektive optische Element eignet sich für die Verwendung in einem EUV-Lithographiegerät.

Claims

Reflektives optisches Element für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängenbereich, das ein Multilayersystem und ein Deckschichtsystem aufweist, wobei die dem Deckschichtsystem zugewandte Seite des Multilayersystem mit einer Absorberschicht endet, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem mindestens eine Schicht eines Materials mit einem Brechungsindex aufweist, dessen Realteil bei einer Betriebswellenlänge zwischen 12,5 nm und 15 nm zwischen 0,90 und 1,03 liegt und dessen Imaginärteil bei einer Betriebswellenlänge von 12,5 nm bis 15 nm zwischen 0 und 0,025 liegt, so dass der Reflektivitätsverlauf in Abhängigkeit von der Dicke des Deckschichtsystems zunächst abfällt, bis eine Dicke d1 erreicht ist, zwischen der Dicke d1 und einer weiteren Dicke d2, d2 > d1 die Reflektivität im Wesentlichen konstant bleibt und bei einer Dicke > d2 die Reflektivität weiter abfällt, und die Dicke des Deckschichtsystems als d1 gewählt wird.
Reflektives optisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Imaginärteil zwischen 0 und 0,015 und der Realteil zwischen 0,95 und 1,02 liegt.
Reflektives optisches Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem aus einem oder mehreren Materialien der Gruppe Ce, Be, SiO, SiC, SiO₂, Si₃N₄, C, Y, MoSi₂, B, Y₂O₃, MoS₂, B₄C, BN, Ru_xSi_y, Zr, Nb, MoC, ZrO₂, Ru_xMo_y, Rh_xMo_Y, Rh_xSi_y besteht.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Multilayersystem um ein System aus Molybdän- und Siliziumschichten handelt, das auf der dem Deckschichtsystem zugewandten Seite mit einer Molybdänschicht endet.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem zum Vakuum hin mit einer Schicht aus einem Material endet, bei dem das Kohlenstoffwachstum unterdrückt ist.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem zum Vakuum hin mit einer Schicht aus einem Material endet, das gegen Energieeintrag inert ist.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem aus zwei Schichten besteht.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Deckschichtsystem aus drei Schichten besteht.
Reflektives optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke d1 des Deckschichtsystems derart ist, dass eine sich bei Reflexion bei Betriebswellenlänge λ_B ausbildende stehende Welle ein Minimum in einem Abstand von der Oberfläche des reflektiven optischen Elements von 0,1 λ_B oder weniger aufweist.
EUV-Lithographiegerät mit mindestens einem reflektierenden optischen Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8.