JP2008538452A5

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Publication number: JP2008538452A5
Application number: JP2008506975A
Authority: JP
Filing date: 2006-04-12
Publication date: 2009-04-30
Anticipated expiration: 2026-04-12

Claims

ＥＵＶ領域の光を発生させるための光源（１８）と、当該光源（１８）の光によってマスク（２５）を照明するための第１の光学系（１９、２０、２１、２２、２３、２４）と、構成部材（３２）に前記マスク（２５）を結像するための第２の光学系（２６、２７、２８、２９、３０）とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源（１８）と前記構成部材（３２）との間のビーム経路にＥＵＶ領域用の少なくとも一つの偏光光学素子（１）が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が少なくとも一つの反射円錐面（３、７、１２、１４）を備え、前記光源によって発せられた光に偏光作用を及ぼす、投影露光系。
前記偏光光学素子は、
０゜から前記円錐面（３）が偏光作用をもたらす最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するＥＵＶ光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面（３）を有する少なくとも一つの円錐体（２）を備え、および
前記円錐体（２）の外側円錐面（３）で反射されたＥＵＶ光を集束する少なくとも一つの別のＥＵＶ光用反射要素（４、１１、１３）を有する、請求項１に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子は、
０゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に別の円錐体（６）の円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するＥＵＶ光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面（３）を有する少なくとも一つの別の円錐体（６）を備え、
両円錐体（２、６）の底面領域が相互に向かい合い、両円錐面（３、７）の回転対称軸が一致している、請求項１または２に記載の投影露光系。
前記少なくとも一つの別の要素（４）が中空円筒体として形成され、その内面（５）が反射性を有し、前記中空円筒体の回転対称軸が前記少なくとも一つの円錐体（２、６）の回転対称軸と一致するように配置された、請求項２または３に記載の投影露光系。
前記少なくとも一つの偏光光学素子の少なくとも一つの別の反射要素が、０゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するＥＵＶ光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する二つの内側円錐面（１２、１４）を有している投影露光系であって、
両内側円錐面（１２、１４）が相互に向かい合い、両内側円錐面（１２、１４）の回転対称軸が一致しており、
入射したＥＵＶ光が初めに前記偏光外側円錐面（３）によって反射され、その後続いて両内側円錐面（１２、１４）によって反射され、その後前記別の外側円錐面によって反射されるように前記円錐面（３、７、１２、１４）が配置された、請求項２または３に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子の前記外側円錐面（３、７）および前記内側円錐面（１２、１４）が同一の円錐角を有する、請求項５に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子の円錐角が４５゜である、請求項５に記載の投影露光系。
ＥＵＶ領域の光を発生させるための光源（１８）と、当該光源（１８）の光によってマスク（２５）を照明するための第１の光学系（１９、２０、２１、２２、２３、２４）と、構成部材（３２）に前記マスク（２５）を結像するための第２の光学系（２６、２７、２８、２９、３０）とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源（１８）と前記構成部材（３２）との間のビーム経路にＥＵＶ領域用の少なくとも一つの偏光光学素子（１）が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が、
所定の傾斜角αを下回って入射するＥＵＶ光の第１の偏光状態に対して少なくとも部分的に透明である基板を有し、
前記基板に配置され、かつＥＵＶ光の第２の偏光状態に対して反射性を有する層構造を有し、
前記偏光光学素子は、前記層構造を有するミラー（１５）を備え、偏光ビームスプリッタとして働き、第１の偏光状態を有する透過されたビームと、第２の偏光状態を有するミラー反射されたビームとが発生する、投影露光系。
約４５゜のＥＵＶ光の入射角αで、透明でかつ反射する光学作用を有するように、前記偏光光学素子の基板および層構造が配置された、請求項８に記載の投影露光系。
前記基板が１μｍ未満の厚さを有し、好ましくはシリコン基板である、請求項８または９に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子の基板が、当該基板よりも機械的安定性の高い局所的に孔の開いたキャリヤ構成物に配置されている、請求項１０に記載の投影露光系。
前記層構造が、交互に連続するモリブデン層とシリコン層を備える、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の投影露光系。
前記層構造が交互に連続する複数の層を有する、請求項１２に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子が交互に連続する８０層未満の層、好ましくは交互に連続する約４０層の層を備える、請求項１３に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子のモリブデン層の層厚が２，４７８ｎｍ／ｃｏｓαであり、前記偏光光学素子のシリコン層の層厚が４，４０６ｎｍ／ｃｏｓαである請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の投影露光系。
ＥＵＶ光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも１０％となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項８〜１５のいずれか一項に記載の投影露光系。
ＥＵＶ光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも１５％となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項１６に記載の投影露光系。
ＥＵＶ光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも２０％となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項１７に記載の投影露光系。
前記偏光光学素子の層構造が少なくとも一つの不均一な厚さの層を有し、または、
前記層構造の層のうち少なくとも一つがＥＵＶ光ビームにさらされる面を有し、その面が相互に傾斜した数個の部分面を有する、請求項８〜１８のいずれか一項に記載の投影露光系。
偏光されたＥＵＶ領域の光によって投影露光系を少なくとも部分的に操作し、構成部材（３２）の感光性被膜にマスク（２５）を結像する、微細構造の構成部材（３２）を製造する方法。
ＥＵＶ領域で操作される投影露光系の補助により構成部材（３２）の感光性被膜にマスク（２５）を結像し、このために用いる光の偏光状態を修正する、微細構造の構成部材（３２）を製造する方法。
請求項１〜１９のいずれか一項に記載の投影露光系で動作するように適応させた、ＥＵＶ領域用の偏光光学素子。
少なくとも一つの構成要素（２、４、６、１１、１３、１６、１７）を備え、伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの偏光状態に及ぼす前記構成要素の作用が光ビームの断面にわたって異なる、請求項２１に記載の偏光光学素子。
伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの場合、光ビームの断面にわたって不均一な偏光分布を形成する少なくとも一つの構成要素（２、４、６、１１、１３、１６、１７）を備える、請求項２１に記載の偏光光学素子。