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JP2006301111A5 - - Google Patents

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  1. 現像剤担持体と、該現像剤担持体に現像剤を現像剤規制位置で規制する現像剤量規制手段とを具備し、該現像剤担持体が現像位置で被現像体を押圧しながら被現像体を現像剤で現像する現像装置において、該現像剤担持体表面が弾性体であり、該現像剤は一成分磁性現像剤であり、該現像剤担持体の内部に設けられた固定の磁界発生手段によって、現像剤担持体に引き寄せられることを特徴とし、該現像位置より該現像剤担持体が回転する方向に対し下流側で該現像剤担持体に当接する現像剤担持体当接部材を具備し、該現像剤担持体当接部材の該現像剤担持体への当接位置の下流側、該現像剤規制位置より上流側に現像剤供給部を具備し、以下の(1)式、(2)式、(3)式を満たす現像装置。
    |Vs|>|Vdev|・・・(1)式
    |Br|/|B|≦0.5・・・(2)式
    L/(BH×R)≧0.1・・・(3)式
    ここで|Vdev|は該現像剤担持体に印加するバイアスの直流成分の値Vdevの大きさ、|Vs|は該現像剤担持体当接部材に印加するバイアスの直流成分の値Vsの大きさである。|B|は、該当接位置における磁束密度Bの大きさ(|B|=|Br+Bθ1/2)であり、該現像剤担持体表面に形成される磁束密度Bのうち、Brは該現像剤担持体表面に対して垂直成分、Bθは該現像剤担持体表面に対して水平成分である。Lは該現像剤担持体と該現像剤担持体当接部材との間の当接ニップ幅、BH(rad)はBθの半値幅、Rは該現像剤担持体の半径である。
  2. 該現像剤担持体当接部材の該現像剤担持体への当接位置において、該磁界発生手段により発生する磁束密度の関係が(4)式を満たすことを特徴とする請求項1に記載の現像装置。
    |Br|/|B|≦0.35・・・(4)式
  3. 当接ニップ幅Lと、該磁界発生手段により発生する該現像剤担持体表面における磁束密度の水平成分Bθの半値幅BHと、該現像剤担持体の半径Rの関係が(5)を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載の現像装置。
    0.5≧L/(BH×R)≧0.2・・・(5)式
  4. 直流バイアスに交番バイアスを重畳した現像バイアスVの絶対値の最大値|V|maxと帯電手段により被現像体表面を帯電する所定の電圧値Vd(暗電位)の関係が|V|max≦|Vd|を満たし、該現像バイアスVを該現像剤担持体に印加して、現像剤を被現像体に現像することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1つに記載の現像装置。
  5. 該当接部材と該現像剤担持体とのに現像剤を介して印加する電圧が、直流バイアスに交番バイアスを重畳し、該電圧の直流成分において、該現像剤量規制手段の電位が該現像剤担持体の電位より該現像剤の極性側であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1つに記載の現像装置。
  6. 画像形成装置に着脱可能であり、少なくとも請求項1乃至5の何れか1つに記載の現像装置を含むことを特徴とするプロセスカートリッジ。
  7. 画像形成装置に着脱可能であり、少なくとも、像担持体、該像担持体を帯電する帯電手段、該像担持体に形成された静電潜像を現像する現像装置からなる一体に形成したプロセスカートリッジにおいて、該現像装置は請求項1乃至5の何れか1つに記載の現像装置であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  8. 請求項6または7に記載のプロセスカートリッジにおいて、該像担持体に担持された現像剤を転写材に転写する転写工程後に該像担持体に残留した転写残現像剤を該現像装置にて回収することを特徴とするプロセスカートリッジ。
  9. 請求項6乃至8の何れか1つに記載のプロセスカートリッジを取り外し可能に装備することを特徴とする画像形成装置。
  10. 少なくとも、像担持体、該像担持体を帯電する帯電装置、該像担持体に形成された静電潜像を現像する現像装置、該像担持体の該現像剤を転写材に転写する転写手段とを有する画像形成装置において、該現像装置は請求項1乃至5の何れか1つに記載の現像装置であることを特徴とする画像形成装置。
  11. 少なくとも、像担持体、該像担持体を帯電する帯電装置、該像担持体に形成された静電潜像を現像する現像装置、該像担持体の該現像剤を転写材に転写する転写手段とを有する画像形成装置において、該現像装置は請求項1乃至5の何れか1つに記載の現像装置であるとともに、像担持体に残留した転写残現像剤を該現像装置にて回収することを特徴とする画像形成装置。
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