JP2004227717A

JP2004227717A - 磁気記録媒体およびその製造方法

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Publication number: JP2004227717A
Application number: JP2003016580A
Authority: JP
Inventors: Tadaaki Oikawa; 忠昭及川; Takahiro Shimizu; 貴宏清水; Hiroyuki Uwazumi; 洋之上住; Naoki Takizawa; 直樹滝澤
Original assignee: Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2003-01-24
Filing date: 2003-01-24
Publication date: 2004-08-12
Also published as: SG124271A1; MY135553A; US20040229084A1; US7183013B2

Abstract

【課題】高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】非磁性の下地層２を、優先結晶配向面がｂｃｃ（１１０）面である体心立方結晶構造とし、この下磁層２とグラニュラー磁性層４との間に、六方細密充填構造でｈｃｐ（１００）またはｈｃｐ（２００）面を優先配向面とする非磁性中間層３を設けることとした。さらに、非磁性中間層３とグラニュラー磁性層４との間の結晶格子のミスフィット量が、ａ軸およびｃ軸のそれぞれについて１０％以下となるようにした。これにより、ｈｃｐ構造をもつグラニュラー磁性層４中の強磁性結晶のエピタキシャル成長が助長されて磁性層の結晶性が高められ、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現可能となる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高い記録密度と低ノイズとが要求される磁気記録媒体に対しては、従来からさまざまな磁性層の組成や構造及び非磁性下地層の材料等が検討され提案されてきている。特に近年では、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層である「グラニュラー磁性層」が多く提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、非磁性膜と強磁性膜と非磁性膜とを順次積層した後に加熱処理を行なうことで、非磁性膜中に強磁性の結晶粒が分散したグラニュラー磁性層（記録層）を形成し、これにより低ノイズ化を図ることが提案されている。この場合の非磁性膜には、シリコンの酸化物や窒化物等が用いられている。
【０００４】
また、特許文献２には、予めＳｉＯ_２等の酸化物を添加したＣｏＮｉＰｔターゲットを用い、ＲＦスパッタリングで記録層を成膜することで、磁性結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造を持つグラニュラー磁性層が形成でき、高い保磁力（Ｈｃ）と低ノイズ化が実現されることが記載されている。
【０００５】
また、特許文献３には、ｈｃｐ構造を有するＣｏを主成分とした合金と、３〜５０ｍｏｌ％以下の酸化物または窒化物から構成され、磁化容易軸が実質的に基板面と略平行方向に配向しているグラニュラー磁性層が開示されており、これにより高い保磁力化と低ノイズ化が可能であることが記載されている。
【０００６】
さらに、特許文献４には、記録層を、例えばＣｏ_８０Ｐｔ_１５Ｃｒ_５の組成の合金からなる複数の強磁性の結晶粒体がＳｉＯ_２マトリックス中に配列されてなるグラニュラー磁性層で構成し、これによりオーバーライト特性が良好な磁気記録媒体を実現した例が報告されている。
【０００７】
このようなグラニュラー磁性層では、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を相互に物理的（空間的）に分離するため磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するため、低ノイズ特性が得られるものと考えられている。
【０００８】
従来用いられてきたＣｏＣｒ系の金属磁性膜では、高温で成膜することによりＣｒがＣｏ系磁性粒から析出して粒界に偏析し、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させるが、グラニュラー磁性層の場合には、粒界相として非磁性非金属の物質を利用しているため、従来のＣｏＣｒ系の金属磁性膜中のＣｒに比べて偏析し易く、比較的容易に磁性粒の孤立化が促進できる。また、従来のＣｏＣｒ系金属磁性層において充分なＣｒ偏析を担保するためには成膜時の基板温度を２００℃以上に設定することが必要不可欠なのに対し、グラニュラー磁性層の場合には基板加熱なしで磁性層を成膜した場合においても非磁性非金属の物質を粒界に偏析させることが可能であるという利点もある。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２５５３４２号公報
【００１０】
【特許文献２】
米国特許第５，６７９，４７３号明細書
【００１１】
【特許文献３】
特開２００１−１０１６５１号公報
【００１２】
【特許文献４】
特開２０００−２７６７２９号公報
【００１３】
【特許文献５】
特開２００２−０１５４１７号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、グラニュラー磁性層を備えた磁気記録媒体は、所望の磁気特性（特に高保磁力Ｈｃ）を実現するためには高価なＰｔを比較的多量にＣｏ合金に添加する必要が生じるという問題がある。例えば、前出の特許文献２に記載されている磁気記録媒体で２４００Ｏｅ程度のＨｃを実現するためには１１ａｔ％もの多量のＰｔを必要としているのに対し、従来のＣｏＣｒ系金属磁性膜で同程度のＨｃを実現するためには、高々５ａｔ％程度のＰｔ添加で足りる。近年の磁気記録の高密度化に伴い、磁気記録媒体には３０００Ｏｅ以上の非常に高いＨｃが要求されてきている状況にあって、高Ｈｃ化のために高価なＰｔを多量に必要とするグラニュラー磁性層は、製造コストを上昇させてしまうという問題がある。
【００１５】
また、このような高記録密度化に伴って媒体ノイズのさらなる低減が求められており、グラニュラー磁性層の磁性結晶粒径や偏析構造等の微細構造を細密に制御する必要性が高まっている。例えば、特許文献５には、グラニュラー磁性層と非磁性の下地層との間に、結晶構造がｈｃｐ構造である非磁性金属または合金の非磁性中間層を形成することで、高Ｈｃおよび低媒体ノイズ化を実現することが可能であることが開示されているが、さらなる低ノイズ化のためには、各層相互間の結晶格子の配向状態やミスフィット量の制御といった原子レベルでの結晶設計が必要とされている。
【００１６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上に、少なくとも、非磁性の下地層とグラニュラー磁性層と保護層と液体潤滑剤層とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、前記下地層は、優先結晶配向面がｂｃｃ（１１０）面である体心立方結晶構造を有し、当該下磁層と前記グラニュラー磁性層との間には、六方細密充填構造でｈｃｐ（１００）またはｈｃｐ（２００）面を優先配向面とする非磁性中間層を備えていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、少なくともＧｅを含み、かつ、ＦｅまたはＭｎのうちの少なくとも一方を含む合金であることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、少なくともＣｏを含み、かつ、ＷまたはＭｏのうちの少なくとも一方を含む合金であることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、少なくともＴｉを含み、かつ、Ｐｄ、ＧａまたはＡｌのうちの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、少なくともＮｉを含み、かつ、Ｚｒ、ＳｎまたはＩｎのうちの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、ＦｅとＳｎの合金であることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、Ｃｏ、ＮｉまたはＦｅの炭化物もしくは窒化物のうちの少なくとも１種を含む化合物であることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層が、Ｎｉ_３Ｓｎ型またＡｕＣｄ型の規則格子構造を有する合金であることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間層と前記グラニュラー磁性層との間の結晶格子のミスフィット量がａ軸およびｃ軸のそれぞれについて１０％以下であることを特徴とする。
【００２６】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記グラニュラー磁性層中の非磁性粒界が、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，ＨｆまたはＺｒのうちの少なくとも１種の元素の酸化物からなることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記グラニュラー磁性層中の強磁性を有する結晶がＣｏＰｔ合金であり、当該ＣｏＰｔ合金には、Ｃｒ，ＮｉまたはＴａのうちの少なくとも１種の元素が添加されていることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１１の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記下地層が、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、ＭｏまたはＶの金属、ＣｒＭｏ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶまたはＣｒＷのＣｒ合金、あるいは、１０ａｔ％以上６０ａｔ％以下のＴｉを含む、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ、ＴｉＣｒ、ＴｉＶのＴｉ合金、の何れかであることを特徴とする。
【００２９】
また、請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１２の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性基体がプラスチック樹脂からなることを特徴とする。
【００３０】
さらに、請求項１４に記載の発明は、請求項１〜１３記載の磁気記録媒体を製造するための方法であって、前記非磁性基体を事前に加熱せずに成膜プロセスを行なうことを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明の垂直磁気記録媒体およびその製造方法について説明する。
【００３２】
本発明者は、グラニュラー磁性層の高保磁力化と低ノイズ化および低コスト化のために鋭意検討した結果、グラニュラー磁性層と非磁性下地層との間に、結晶構造が六方細密充填（ｈｃｐ）構造の合金からなる非磁性中間層を設けることで、高価なＰｔの添加量を増やすことなく高保磁力化と低ノイズ化が可能であることを見出した。同様の着想は特許文献５にも開示されているが、本発明においてはＲｕやＩｒなどの高価な貴金属を含有する合金で非磁性中間層を構成するのではなく、比較的安価な、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｉなどの金属を含有する合金で非磁性中間層を構成するとともに、磁性層との間の結晶格子の配向状態とミスフィット量とを考慮して非磁性中間層の結晶設計を行なっている。
【００３３】
非磁性中間層の具体的な合金組成については後述するが、本発明の磁気記録媒体を構成する非磁性の下地層は体心立方（ｂｃｃ）構造のｂｃｃ（１１０）面に優先配向しており、この上に設けられる非磁性中間層はｈｃｐ（１００）面またはｈｃｐ（２００）面に容易に配向する。その結果、非磁性中間層の上にはグラニュラー磁性層のエピタキシャル成長が助長されてｈｃｐ（１００）面の面内配向が容易化する。
【００３４】
図１は本発明の磁気記録媒体の断面略図である。この磁気記録媒体は、非磁性基体１上に、非磁性の下地層２と非磁性中間層３とグラニュラー磁性層４と保護膜５とが順次積層された構造を有しており、保護層５の上には液体潤滑剤層６が形成されている。
【００３５】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用基板として用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いることができるほか、後述する理由により必ずしも基板加熱を必要としないことから、ポリカーボネートやポリオレフィンなどのプラスチック樹脂を射出成形で作製した基板をも用いることができる。
【００３６】
非磁性の下地層２は、ｂｃｃ（１１０）面に優先配向したＮｉＡｌやＣｒ等を含有する非磁性体で構成され、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖなどの金属や、ＣｒＭｏ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、ＣｒＷなどのＣｒ合金、あるいは、１０ａｔ％以上６０ａｔ％以下のＴｉを含む、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ、ＴｉＣｒ、ＴｉＶなどのＴｉ合金を用いることが好ましい。特に、後述する非磁性中間層３を用いたことの効果を高めるためにはＴｉＷ合金またはＴｉＭｏ合金が好ましい。なお、下地層２の膜厚に特に制限はないが、良好な記録再生特性を得る観点からは５〜５０ｎｍ程度に設定することが好ましい。
【００３７】
グラニュラー磁性層４は、ｈｃｐ構造を有し強磁性の結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界からなり、かつ、その非磁性粒界には金属の酸化物または窒化物が存在して結晶粒相互間を空間的に分離している。このようなグラニュラー構造は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットとしてスパッタリング成膜したり、酸素を含有するＡｒガス中で強磁性金属をターゲットとして反応性スパッタリング成膜することにより得ることが可能である。
【００３８】
強磁性を有する結晶粒の構成材料についての制限は特にないが、好ましくはＣｏＰｔ系合金が選択される。特に、媒体ノイズの低減の観点からは、ＣｏＰｔ合金にＣｒ，Ｎｉ，Ｔａのうちの少なくとも１種の元素を添加することが好ましい。
【００３９】
一方、安定なグラニュラー構造を形成するための非磁性粒界の構成材料としては、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素の酸化物が望ましい。なお、磁性層の膜厚は特に制限はなく、記録再生時に充分なヘッド再生出力を得るための膜厚であればよい。
【００４０】
保護膜５には、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられる。また、液体潤滑剤層６には、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
【００４１】
本発明の磁気記録媒体が備える非磁性中間層３は、結晶構造がｈｃｐ構造でｈｃｐ（１００）面もしくはｈｃｐ（２００）面に優先配向した合金（または金属）であることが必要であり、具体的には、▲１▼少なくともＧｅを含み、かつ、ＦｅまたはＭｎのうちの少なくとも一方を含む合金、▲２▼少なくともＣｏを含み、かつ、ＷまたはＭｏのうちの少なくとも一方を含む合金、▲３▼少なくともＴｉを含み、かつ、Ｐｄ、ＧａまたはＡｌのうちの少なくとも１種を含む合金、▲４▼少なくともＮｉを含み、かつ、Ｚｒ、ＳｎまたはＩｎのうちの少なくとも１種を含む合金、▲５▼ＦｅとＳｎの合金、▲６▼Ｃｏ、ＮｉまたはＦｅの炭化物もしくは窒化物のうちの少なくとも１種を含む化合物、▲７▼Ｎｉ_３Ｓｎ型（Ｄ０_１９型）またＡｕＣｄ型（Ｂ１９型）の規則格子構造を有する合金、であることが好ましい。
【００４２】
このような非磁性中間層３を設けることにより磁気特性が向上するのは、グラニュラー磁性層４の成膜の下地としてｈｃｐ構造を有する非磁性中間層３が予め存在することとなるため、ｈｃｐ構造をもつグラニュラー磁性層４中の強磁性結晶のエピタキシャル成長が助長されて磁性層の結晶性が高められるという効果に加え、磁性層の初期成長状態が好ましく制御されるためであると考えられる。なお、非磁性中間層３の膜厚には特に制限はないが、１〜５０ｎｍ程度が好適である。
【００４３】
また、よりエピタキシャル成長度を高めて高い磁気特性を得るためには、非磁性中間層３とグラニュラー磁性層４との間の結晶格子のミスフィット量を以下のように設定することが好ましい。すなわち、非磁性中間層３のａ軸とｃ軸の格子定数をａおよびｃとし、グラニュラー磁性層４のａ軸とｃ軸の格子定数をａ´およびｃ´とした場合に、ａ軸の格子定数ａがａ≦３Åの場合にはＡ値をａ（Ａ＝ａ）とする一方ａ＞３Åの場合にはＡ値をａ／２（Ａ＝ａ／２）としてＡ値を求め、ｃ軸の格子定数ｃがｃ≦５Åの場合にはＣ値をｃ（Ｃ＝ｃ）とする一方ｃ＞５Åの場合にはＣ値をｃ／２（Ｃ＝ｃ／２）としてＣ値を求め、これらの値を基に、ａ軸方向でのミスフィット量（％）を｜（Ａ−ａ´）／Ａ｜×１００、ｃ軸方向でのミスフィット量（％）を｜（Ｃ−ｃ´）／Ｃ｜×１００と定義する。そしてこれらのミスフィット量を１０％以下になるように非磁性中間層の結晶を設計するのである。
【００４４】
このような図１に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造工程で必須である基板加熱工程を省略しても、高Ｈｃ化と低媒体ノイズ化を図ることが可能となり、製造工程の簡略化に伴って製造コストの低減が可能となる。
【００４５】
以下に、実施例により本発明をより詳細に説明する。
（実施例）
非磁性基体１として、射出成形されたポリカーボネート基板（３．５”ディスク形状）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｍｏ組成の下地層２を膜厚１５ｎｍで形成する。この下地層２の上に、各種の組成を有する非磁性中間層３を、何れの非磁性中間層３についてもＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で膜厚３０ｎｍで成膜した。
【００４６】
引き続き、ＳｉＯ_２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ_１２Ｐｔ_１２ターゲットを用いてＲＦスパッタ法によりＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でグラニュラー磁性層４を膜厚２０ｎｍで成膜後、カーボンの保護層５を１０ｎｍ積層してスパッタ装置から取り出し、その後、液体潤滑剤６を１．５ｎｍ塗布して、図１に示す構成の磁気記録媒体を作製した。これらの成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００４７】
なお、比較のために、非磁性中間層３を設けない構成の磁気記録媒体（比較例１）、および、ｈｃｐ構造を有する非磁性の７０Ｉｒ３０Ｃｒを非磁性中間層３として膜厚２０ｎｍで設けた構成の磁気記録媒体（比較例２）も作製した。
【００４８】
表１は、各磁気記録媒体の非磁性中間層３の組成と結晶構造、および、各磁気特性を纏めたものである。
【００４９】
【表１】

【００５０】
ここで、Ｈｃは保磁力、ＢｒδはＶＳＭにより測定した残留磁束密度と膜厚の積、ＳＮＲは信号雑音比である。また、再生出力はＧＭＲヘッドを用いスピンスタンドテスタで測定した孤立再生波形の再生出力であり、媒体ノイズは線記録密度２００ｋＦＣＩで測定した値である。
【００５１】
非磁性中間層３を設けていない磁気記録媒体（比較例１）のＨｃは１６８０ＯｅでありＳＮＲは２０．２５ｄＢであるのに対し、ｈｃｐ構造を有する非磁性の７０Ｉｒ３０Ｃｒを２０ｎｍ付与した磁気記録媒体（比較例２）では、Ｈｃが２７６５Ｏｅとなっており、比較例１に比べてＨｃが１０００Ｏｅ程度向上すると共にＳＮＲ値も２４．１３ｄＢと４ｄＢ程度高くなっている。
【００５２】
さらに、ｈｃｐ構造でかつ規則格子構造のＤ０_１９型若しくはＢ１９型の結晶構造を有する非磁性中間層３を備えた本実施例の磁気記録媒体（実施例１〜９）では、何れも３１００Ｏｅを越える高いＨｃと略２７ｄＢを上回るＳＮＲが得られており、従来用いられてきたＩｒ−Ｃｒ合金等に比較して、Ｈｃで約５００Ｏｅ、ＳＮＲでは約３ｄＢの特性向上が確認された。
【００５３】
表２は、実施例１〜９の磁気記録媒体が備える非磁性中間層の組成と各非磁性中間層のａ軸およびｃ軸の格子定数（ａおよびｃ）を基に、グラニュラー磁性層４との格子とのミスフィット量（％）を求めた結果を纏めたものである。
【００５４】
【表２】

【００５５】
ここで、非磁性中間層の本来の格子定数は、Ｃｏ合金であるグラニュラー磁性層の格子定数よりも大きいが、ａ軸の格子定数ａがａ≦３Åの場合にはＡ値をａ（Ａ＝ａ）とする一方ａ＞３Åの場合にはＡ値をａ／２（Ａ＝ａ／２）としてＡ値を求め、ｃ軸の格子定数ｃがｃ≦５Åの場合にはＣ値をｃ（Ｃ＝ｃ）とする一方ｃ＞５Åの場合にはＣ値をｃ／２（Ｃ＝ｃ／２）としてＣ値を求めている。
【００５６】
このようにして求めたＡ値およびＣ値からＣ／Ａを求めると、何れの磁気記録媒体もＣ／Ａが１．５〜１．９の間の値を示し、かつ、グラニュラー磁性層との格子ミスフィット量はａ軸、ｃ軸ともに、１０％以下の極めて小さな値となることがわかる。
【００５７】
図２は、Ｗの下地層と６６Ｆｅ３４Ｃの非磁性中間層とを備えた本発明の磁気記録媒体について、放射光を用いて測定したＸ線面内回折パターンである。この回折パターンから、Ｗ−ｂｃｃ（１１０）／６６Ｆｅ３４Ｃ−ｈｃｐ（００２）／磁性層Ｃｏ合金ｈｃｐ（００２）のエピタキシャル成長した積層構造となっていることがわかる。なお、この回折パターンはＸ線面内回折により得られたものであり、ｈｃｐ（００２）面は従来のθ−２θ測定法におけるｈｃｐ（１００）面に相当している。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体においては、非磁性の下地層を、優先結晶配向面がｂｃｃ（１１０）面である体心立方結晶構造とし、この下磁層とグラニュラー磁性層との間に、六方細密充填構造でｈｃｐ（１００）またはｈｃｐ（２００）面を優先配向面とする非磁性中間層を設けることとし、さらに、非磁性中間層とグラニュラー磁性層との間の結晶格子のミスフィット量がａ軸およびｃ軸のそれぞれについて１０％以下となるようにしたので、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現するに際しての、磁性層組成中のＰｔ量の低減、および、比較的安価な材料で非磁性中間層を構成すること、が可能となり大幅な低コスト化が図れる。また、本発明の磁気記録媒体の製造に際しては必ずしも基板加熱が必要ではなくなるため、安価なプラスチックを基板として使用することも可能となる。
【００５９】
このように、本発明によれば、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の断面略図である。
【図２】Ｗの下地層と６６Ｆｅ３４Ｃの非磁性中間層とを備えた本発明の磁気記録媒体のＸ線面内回折パターンを示す図である。
【符号の説明】
１非磁性基体
２下地層
３非磁性中間層
４グラニュラー磁性層
５保護膜
６液体潤滑剤層

Claims

非磁性基体上に、少なくとも、非磁性の下地層とグラニュラー磁性層と保護層と液体潤滑剤層とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、
前記下地層は、優先結晶配向面がｂｃｃ（１１０）面である体心立方結晶構造を有し、
当該下磁層と前記グラニュラー磁性層との間には、六方細密充填構造でｈｃｐ（１００）またはｈｃｐ（２００）面を優先配向面とする非磁性中間層を備えていることを特徴とする磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、少なくともＧｅを含み、かつ、ＦｅまたはＭｎのうちの少なくとも一方を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、少なくともＣｏを含み、かつ、ＷまたはＭｏのうちの少なくとも一方を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、少なくともＴｉを含み、かつ、Ｐｄ、ＧａまたはＡｌのうちの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、少なくともＮｉを含み、かつ、Ｚｒ、ＳｎまたはＩｎのうちの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、ＦｅとＳｎの合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、Ｃｏ、ＮｉまたはＦｅの炭化物もしくは窒化物のうちの少なくとも１種を含む化合物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層が、Ｎｉ_３Ｓｎ型またＡｕＣｄ型の規則格子構造を有する合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性中間層と前記グラニュラー磁性層との間の結晶格子のミスフィット量がａ軸およびｃ軸のそれぞれについて１０％以下であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の磁気記録媒体。
前記グラニュラー磁性層中の非磁性粒界が、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，ＨｆまたはＺｒのうちの少なくとも１種の元素の酸化物からなることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の磁気記録媒体。
前記グラニュラー磁性層中の強磁性を有する結晶がＣｏＰｔ合金であり、
当該ＣｏＰｔ合金には、Ｃｒ，ＮｉまたはＴａのうちの少なくとも１種の元素が添加されていることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の磁気記録媒体。
前記下地層が、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、ＭｏまたはＶの金属、ＣｒＭｏ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶまたはＣｒＷのＣｒ合金、あるいは、１０ａｔ％以上６０ａｔ％以下のＴｉを含む、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ、ＴｉＣｒ、ＴｉＶのＴｉ合金、の何れかであることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の磁気記録媒体。
前記非磁性基体がプラスチック樹脂からなることを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の磁気記録媒体。
請求項１〜１３記載の磁気記録媒体を製造するための方法であって、前記非磁性基体を事前に加熱せずに成膜プロセスを行なうことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。