JP2003507760A - フォトレジスト用の反射防止膜用組成物 - Google Patents
フォトレジスト用の反射防止膜用組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明はａ）以下の構造式
【化１】
［式中、Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であり、Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であり、ｎは１０〜５０，０００である。］で規定されるポリマー；ｂ）（水に０．１〜１０重量％溶解する）低い水溶性で弗素含有の有機系Ｃ3 〜〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸；ｃ）非金属水酸化物；およびｄ）溶剤の混合物を含有する反射防止膜用組成物に関する。また本発明はかゝる反射防止膜用組成物を製造する方法および反射防止膜用組成物をフォトレジスト組成物と併せて電子部品を製造する方法にも関する。
Description
【０００１】
本発明は、フォトレジストと一緒に使用するのに適する、反射防止膜用組成物
、好ましくは上面反射防止膜用組成物、かゝる反射防止膜用組成物の製造方法お
よび感光性フォトレジスト組成物と併せてかゝる反射防止膜用組成物を用いて半
導体デバイスおよび他の電子部品を製造する方法に関する。更に本発明は感光性
フォトレジスト組成物で被覆する前または後にかゝる反射防止膜用組成物で基板
を被覆する方法並びに基板の上にかゝる反射防止膜用組成物と併せて感光性フォ
トレジスト組成物を塗布し、像形成しそして現像する方法に関する。
、好ましくは上面反射防止膜用組成物、かゝる反射防止膜用組成物の製造方法お
よび感光性フォトレジスト組成物と併せてかゝる反射防止膜用組成物を用いて半
導体デバイスおよび他の電子部品を製造する方法に関する。更に本発明は感光性
フォトレジスト組成物で被覆する前または後にかゝる反射防止膜用組成物で基板
を被覆する方法並びに基板の上にかゝる反射防止膜用組成物と併せて感光性フォ
トレジスト組成物を塗布し、像形成しそして現像する方法に関する。
【０００２】
薄膜干渉は電子部品を製造する際に光学的にマイクロリソグラフィーで使用す
るためのプロセス制御において中心的な役割を果たしている。フォトレジスト膜
またはフォトレジストの上または直ぐ下に塗布される薄膜の厚さの小さな変化が
大きな露光変化を引き起し得る。結果としてこの露光変化が一般に二種類の不所
望の線幅変化をもたらす。 １．薄膜の厚さがロット毎に、ウエハ毎にまたはウエハを横切って変化し得るの で、線幅がロット毎に、ウエハ毎にまたはウエハを横切って変化し得る。 ２．パタ−ン形成をウエハ地形にわたって行なわれるので、フォトレジスト膜厚 が地形端部で必然的に変化し、端部に近づく時に線幅が変化する原因となる。
るためのプロセス制御において中心的な役割を果たしている。フォトレジスト膜
またはフォトレジストの上または直ぐ下に塗布される薄膜の厚さの小さな変化が
大きな露光変化を引き起し得る。結果としてこの露光変化が一般に二種類の不所
望の線幅変化をもたらす。 １．薄膜の厚さがロット毎に、ウエハ毎にまたはウエハを横切って変化し得るの で、線幅がロット毎に、ウエハ毎にまたはウエハを横切って変化し得る。 ２．パタ−ン形成をウエハ地形にわたって行なわれるので、フォトレジスト膜厚 が地形端部で必然的に変化し、端部に近づく時に線幅が変化する原因となる。
【０００３】
かゝる薄膜干渉効果の回避はｘ−線リソグラフィまたは多層フォトレジスト系
の様な先端のプロセスの有利な手段の一つである。しかしながら単層レジスト（
ＳＬＲ）法は、簡単であり、費用効率がより良好でありそして乾燥法に比較した
時にウエット現像法が比較的に清潔であるので、半導体および他の電子部品を製
造するための製造ラインを支配している。
の様な先端のプロセスの有利な手段の一つである。しかしながら単層レジスト（
ＳＬＲ）法は、簡単であり、費用効率がより良好でありそして乾燥法に比較した
時にウエット現像法が比較的に清潔であるので、半導体および他の電子部品を製
造するための製造ラインを支配している。
【０００４】
薄膜干渉はフォトレジスト膜厚に対するポジ型フォトレジストを除去するため
に必要とされる露光量（最小露光量：Dose to Clear ）のプロットに周期的起伏
を生じさせる。光学的には、フォトレジスト被覆した基板上では光が底部反射面
から反射される（基板＋薄膜の効果によって生じる“鏡”）。これは上面鏡（フ
ォトレジスト／空気- 界面）で光が反射されて干渉することである。光学リソグ
ラフィは短い露光波長に向かって押し進ので、薄膜干渉効果はますます重要にな
っている。かゝる薄膜干渉の強度のより強い変動は露光波長が減少した時に見ら
れる。
に必要とされる露光量（最小露光量：Dose to Clear ）のプロットに周期的起伏
を生じさせる。光学的には、フォトレジスト被覆した基板上では光が底部反射面
から反射される（基板＋薄膜の効果によって生じる“鏡”）。これは上面鏡（フ
ォトレジスト／空気- 界面）で光が反射されて干渉することである。光学リソグ
ラフィは短い露光波長に向かって押し進ので、薄膜干渉効果はますます重要にな
っている。かゝる薄膜干渉の強度のより強い変動は露光波長が減少した時に見ら
れる。
【０００５】
過去には染色されたフォトレジストがこれらの反射問題を解決する試みに利用
されて来た。しかしながら総合的には、染色されたフォトレジストは基板からの
反射だけを減少させるが、実質的にそれを排除していないことがわかっている。
更に染色されたフォトレジストは、染料の昇華がありうることおよび染料とフォ
トレジスト膜の他の成分との相容性がないことと共に、しばしばフォトレジスト
のリソグラフ性能を減少させる原因になっている。変動比を更に減少させるかま
たは実質的に排除することが必要とされる場合には、フォトレジストで被覆する
前または後でかつ露光前に反射防止膜材料が基板に塗布される。フォトレジスト
は放射線で像様露光されそして次に現像される。露光された領域の反射防止膜は
フォトレジストの前（反射防止膜の上面で）かまたはフォトレジストの後（反射
防止膜底面）で一般に酸素プラズマで実質的にエッチングされそしてフォトレジ
ストパターンがそれによって基板に転写される。反射防止膜のエッチング速度は
フォトレジストに比較して比較的に早くあるべきであり、それによって反射防止
膜はエッチング工程の間に未露光の保護フォトレジストを過度に損失することな
くエッチングされる。
されて来た。しかしながら総合的には、染色されたフォトレジストは基板からの
反射だけを減少させるが、実質的にそれを排除していないことがわかっている。
更に染色されたフォトレジストは、染料の昇華がありうることおよび染料とフォ
トレジスト膜の他の成分との相容性がないことと共に、しばしばフォトレジスト
のリソグラフ性能を減少させる原因になっている。変動比を更に減少させるかま
たは実質的に排除することが必要とされる場合には、フォトレジストで被覆する
前または後でかつ露光前に反射防止膜材料が基板に塗布される。フォトレジスト
は放射線で像様露光されそして次に現像される。露光された領域の反射防止膜は
フォトレジストの前（反射防止膜の上面で）かまたはフォトレジストの後（反射
防止膜底面）で一般に酸素プラズマで実質的にエッチングされそしてフォトレジ
ストパターンがそれによって基板に転写される。反射防止膜のエッチング速度は
フォトレジストに比較して比較的に早くあるべきであり、それによって反射防止
膜はエッチング工程の間に未露光の保護フォトレジストを過度に損失することな
くエッチングされる。
【０００６】
光を吸収するための染料および良好な膜特性を与える有機ポリマーを含有する
反射防止膜用組成物は従来から知られている。しかしながら環境へのおよび／ま
たは加熱する間の隣接フォトレジスト層への染料の昇華および／または拡散の可
能性がこれらの種類の反射防止膜用組成物を望ましくないものとしている。
反射防止膜用組成物は従来から知られている。しかしながら環境へのおよび／ま
たは加熱する間の隣接フォトレジスト層への染料の昇華および／または拡散の可
能性がこれらの種類の反射防止膜用組成物を望ましくないものとしている。
【０００７】
ポリマー性の有機系反射防止膜用組成物はヨーロッパ特許出願公開第５８３，
２０５号明細書に記載されている様に公知である。このヨーロッパ特許出願公開
明細書の内容をここに全部記載したものとする。しかしながらかゝる反射防止膜
用組成物は有機溶剤、例えばシクロヘキサノンおよびシクロペンタノンで注型さ
れる。かゝる有機溶剤を含有する反射防止膜材料を用いる作業に潜在的な危険が
伴われるという懸念が、本発明の反射防止膜用組成物の開発に導く一つの理由で
あった。
２０５号明細書に記載されている様に公知である。このヨーロッパ特許出願公開
明細書の内容をここに全部記載したものとする。しかしながらかゝる反射防止膜
用組成物は有機溶剤、例えばシクロヘキサノンおよびシクロペンタノンで注型さ
れる。かゝる有機溶剤を含有する反射防止膜材料を用いる作業に潜在的な危険が
伴われるという懸念が、本発明の反射防止膜用組成物の開発に導く一つの理由で
あった。
【０００８】
フォトレジスト組成物は、コンピュータチップ、メモリー部品及び集積回路の
製造など、微細化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィ法に使
用される。一般的に、これらの方法では、最初に、フォトレジスト組成物の薄膜
を、集積回路および他の電子部品の製造に使用されるシリコンウエハなどの基板
に塗布する。次いで、この塗布された基板をベーク処理して、フォトレジスト組
成物中のフォトレジスト用溶剤を蒸発させ、フォトレジスト膜を基板上に固定（
良好に接着）させる。次に、この基板の塗布されそしてベーク処理された表面を
放射線、一般に化学線で像様露光に付される。
製造など、微細化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィ法に使
用される。一般的に、これらの方法では、最初に、フォトレジスト組成物の薄膜
を、集積回路および他の電子部品の製造に使用されるシリコンウエハなどの基板
に塗布する。次いで、この塗布された基板をベーク処理して、フォトレジスト組
成物中のフォトレジスト用溶剤を蒸発させ、フォトレジスト膜を基板上に固定（
良好に接着）させる。次に、この基板の塗布されそしてベーク処理された表面を
放射線、一般に化学線で像様露光に付される。
【０００９】
ポジ型フォトレジスト組成物では放射線でのこの露光で被覆された表面の露光
域で化学的変化を引き起こす。可視光線、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム及びＸ線
の放射エネルギーが、現在、マイクロリソグラフィ法で通常使用されている放射
線の種類である。この像様露光の後、この被覆された基板を現像剤溶液で処理し
て、基板の表面からフォトレジストの放射線で露光された領域（ポジ型フォトレ
ジスト）または未露光領域（ネガ型フォトレジスト）を溶解除去する。可視光線
、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム及びＸ線の放射エネルギーが、現在、マイクロリ
ソグラフィ法で通常使用されている放射線の種類である。この像様露光の後、こ
の被覆された基板を現像剤溶液で処理して、基板の表面からフォトレジストの放
射線で露光された領域または未露光領域および反射防止膜の全てを溶解除去する
。
域で化学的変化を引き起こす。可視光線、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム及びＸ線
の放射エネルギーが、現在、マイクロリソグラフィ法で通常使用されている放射
線の種類である。この像様露光の後、この被覆された基板を現像剤溶液で処理し
て、基板の表面からフォトレジストの放射線で露光された領域（ポジ型フォトレ
ジスト）または未露光領域（ネガ型フォトレジスト）を溶解除去する。可視光線
、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム及びＸ線の放射エネルギーが、現在、マイクロリ
ソグラフィ法で通常使用されている放射線の種類である。この像様露光の後、こ
の被覆された基板を現像剤溶液で処理して、基板の表面からフォトレジストの放
射線で露光された領域または未露光領域および反射防止膜の全てを溶解除去する
。
【００１０】
ネガ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光する場合には、放射線に露光
されたレジスト組成物の領域が現像剤溶液に溶解し難くなり（例えば架橋反応を
起こし）、他方、フォトレジスト膜の未露光領域はかゝる溶液に比較的に溶解し
易いままである。それ故に露光されたネガ型レジストの現像剤での処理は、フォ
トレジスト膜の未露光領域を除去し、それによってフォトレジスト組成物で被覆
されていた直ぐ下の基板表面の所望の場所を曝露する原因となる。
されたレジスト組成物の領域が現像剤溶液に溶解し難くなり（例えば架橋反応を
起こし）、他方、フォトレジスト膜の未露光領域はかゝる溶液に比較的に溶解し
易いままである。それ故に露光されたネガ型レジストの現像剤での処理は、フォ
トレジスト膜の未露光領域を除去し、それによってフォトレジスト組成物で被覆
されていた直ぐ下の基板表面の所望の場所を曝露する原因となる。
【００１１】
現像後に、今や部分的に未保護のこの基板を基板用エッチング溶液またはプラ
ズマガス等で処理することができる。このエッチング溶液またはプラズマガスは
フォトレジスト膜が現像の間に除かれた基板部分をエッチングする。フォトレジ
スト膜が未だ残っている基板領域は保護されており、その結果放射線での像様露
光に使用されたフォトマスクに相応するエッチングパターンが基板材料に形成さ
れる。後でフォトレジスト膜の残留領域はストリッピング操作の間に除くことが
でき、鮮明にエッチングされた基板表面が残される。幾つかの場合には、現像段
階の後およびエッチング段階の前に残りのフォトレジスト層を熱処理して、下側
基板へのその接着性およびエッチング溶液への耐久性を向上させることが望まし
い。
ズマガス等で処理することができる。このエッチング溶液またはプラズマガスは
フォトレジスト膜が現像の間に除かれた基板部分をエッチングする。フォトレジ
スト膜が未だ残っている基板領域は保護されており、その結果放射線での像様露
光に使用されたフォトマスクに相応するエッチングパターンが基板材料に形成さ
れる。後でフォトレジスト膜の残留領域はストリッピング操作の間に除くことが
でき、鮮明にエッチングされた基板表面が残される。幾つかの場合には、現像段
階の後およびエッチング段階の前に残りのフォトレジスト層を熱処理して、下側
基板へのその接着性およびエッチング溶液への耐久性を向上させることが望まし
い。
【００１２】
ポジ型フォトレジスト組成物は、一般に、ネガ型レジストよりも良好な解像能
力及びパターン転写特性を有するため、現在これらはネガ型レジストよりも好ま
れている。フォトレジスト解像度とは、レジスト組成物が露光及び現像処理の後
に、高度の鋭い像縁をもってフォトマスクから基板へと転写できる最小の図形と
定義される。現在、多くの製造用途において、０．５ミクロン未満のオーダーの
レジスト解像度が必要とされている。更に、現像したフォトレジストの壁プロフ
ィールが基板に対してほぼ垂直であることが常に望まれている。レジスト膜の現
像領域と非現像領域との間の明確なこのような区分が、マスク像を基板に正確に
パターン転写させる。このことは、最近の微細化傾向がデバイス上での微小寸法
を小さくしているので、より一層重要になっている。
力及びパターン転写特性を有するため、現在これらはネガ型レジストよりも好ま
れている。フォトレジスト解像度とは、レジスト組成物が露光及び現像処理の後
に、高度の鋭い像縁をもってフォトマスクから基板へと転写できる最小の図形と
定義される。現在、多くの製造用途において、０．５ミクロン未満のオーダーの
レジスト解像度が必要とされている。更に、現像したフォトレジストの壁プロフ
ィールが基板に対してほぼ垂直であることが常に望まれている。レジスト膜の現
像領域と非現像領域との間の明確なこのような区分が、マスク像を基板に正確に
パターン転写させる。このことは、最近の微細化傾向がデバイス上での微小寸法
を小さくしているので、より一層重要になっている。
【００１３】
本発明は反射防止膜用組成物に関する。本発明は更にかゝる反射防止膜用組成
物を製造する方法および反射防止膜用組成物を電子部品の製造に用いることにも
関する。反射防止膜用組成物は、ポジ型が一般に有利であるとは言え、ネガ型ま
たはポジ型でもよいフォトレジスト組成物の上に（後に）またはフォトレジスト
組成物の真下に（前に）塗布される。
物を製造する方法および反射防止膜用組成物を電子部品の製造に用いることにも
関する。反射防止膜用組成物は、ポジ型が一般に有利であるとは言え、ネガ型ま
たはポジ型でもよいフォトレジスト組成物の上に（後に）またはフォトレジスト
組成物の真下に（前に）塗布される。
【００１４】
要するに本発明は、新規のポリマー、好ましくは、電子部品を製造するための
リソグラフィ法で使用できる反射防止膜用組成物で使用するのに適する水溶性ポ
リマーに関する。本発明のこのポリマーは以下の構造で規定される：
リソグラフィ法で使用できる反射防止膜用組成物で使用するのに適する水溶性ポ
リマーに関する。本発明のこのポリマーは以下の構造で規定される：
【００１５】
【化４】
［式中、
Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ
り、
Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、
Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ
り、
ｎは１０〜５０，０００である。］
本発明のポリマーは、水および他の毒性の低い溶剤に溶解するので水性の反射
防止膜用組成物で使用できる。
防止膜用組成物で使用できる。
【００１６】
また、本発明は反射防止膜用組成物を製造する方法にも関する。この方法は、
ａ）以下の構造
ａ）以下の構造
【００１７】
【化５】
［式中、
Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ
り、
Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、
Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ
り、
ｎは１０〜５０，０００である。］
で規定されるポリマーを準備し、
ｂ）(1) 約１０００〜５００，０００、好ましくは約２０００〜５００，０００
、最も好ましくは約５０００〜５００，０００の重量平均分子量Ｍw を
有する段階（ａ）のポリマー約１％〜約５％、好ましくは約１％〜約３
％ ；
(2) （水に０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％溶解する）低
い水溶性で弗素含有の有機系Ｃ3 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸約２％〜約
１０％、好ましくは約２％〜約５％；
(3) 非金属水酸化物、例えば水酸化アンモニウム類、好ましくは水酸化テト
ラメチルアンモニウム約０．５％〜約３％、好ましくは約０．５％〜約
１．５％；および
(4) 溶剤、好ましくは脱イオン水少なくとも８５％、好ましくは少なくとも
９０％
の混合物を準備することによって反射防止膜用組成物を調製することを特徴とす
る。
る。
【００１８】
低い水溶性で弗素含有の有機系Ｃ3 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸としては弗素化
カルボン酸、例えばペンタデカフルオロオクタン酸またはペルフルオロオクタン
酸が適する。本発明の反射防止膜用組成物のための適する溶剤には水、ジグリム
、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとの混
合物、乳酸エチル（ＥＬ）、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）、
ＥＬとＥＥＰとの混合物、キシレン、醋酸ｎ−ブチル、およびエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテートがある。溶剤は組成物中に約８５重量％〜約９
５重量％、好ましくは約９０重量％〜約９８重量％の固形分含有量で存在しても
よい。勿論、溶剤は基板に上面反射防止膜用組成物を塗布した後に実質的に除か
れる。
カルボン酸、例えばペンタデカフルオロオクタン酸またはペルフルオロオクタン
酸が適する。本発明の反射防止膜用組成物のための適する溶剤には水、ジグリム
、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとの混
合物、乳酸エチル（ＥＬ）、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）、
ＥＬとＥＥＰとの混合物、キシレン、醋酸ｎ−ブチル、およびエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテートがある。溶剤は組成物中に約８５重量％〜約９
５重量％、好ましくは約９０重量％〜約９８重量％の固形分含有量で存在しても
よい。勿論、溶剤は基板に上面反射防止膜用組成物を塗布した後に実質的に除か
れる。
【００１９】
本発明はかゝる反射防止膜用組成物を使用して電子部品、例えば半導体を製造
する方法にも関する。この方法は、 ａ）以下の構造
する方法にも関する。この方法は、 ａ）以下の構造
【００２０】
【化６】
［式中、
Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基で
あり、
Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、
Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ
り、
ｎは１０〜５０，０００である。］
で規定されるポリマーを準備し、
ｂ）(1) 約１０００〜５００，０００、好ましくは約２０００〜５００，０００
、最も好ましくは約５０００〜５００，０００の重量平均分子量Ｍw を
有する段階（ａ）のポリマー約１％〜約５％、好ましくは約１％〜約３
％ ；
(2) （水に０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％溶解する）低
い水溶性で弗素含有の有機系Ｃ3 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸約２％〜約
１０％、好ましくは約２％〜約５％；
(3) 非金属水酸化物、例えば水酸化アンモニウム、好ましくは水酸化テトラ
メチルアンモニウム約０．５％〜約３％、好ましくは約０．５％〜約１
．５％；および
(4) 溶剤、好ましくは脱イオン水少なくとも８５％、好ましくは少なくとも
９０％
の混合物を準備することによって反射防止膜用組成物を調製し、
ｃ）適当な基板の上にフォトレジスト組成物を塗布する前かまたは後に、前記の
適当な基板の上に浸漬法、スプレー塗布法、ローラー塗布法およびスピン塗布
法を含めたフォトレジスト分野で使用される慣用の方法によって段階ｂ）から の反射防止膜用組成物を塗布し、 ｄ）段階ｃ）の被覆された基板をホットプレート上で約７０℃〜約１１０℃の温 度に約３０秒〜約１８０秒またはオーブンで約７０℃〜約１１０℃の温度に約 １５分〜約９０分加熱し； ｅ）段階ｄ）の被覆された基板を所望のパターン、例えば適当なマスク、ネガ、 ステンシル、テンプレート等の使用によって製造されたパターンのもとで放射 線、例えば紫外線（約３００ｎｍ〜約４５０ｎｍ）、電子線、イオンビームま たはレーザー光線を照射して露光し； ｆ）場合によっては、段階ｅ）からの基板を現像前かまたは後に、露光後の第二 ベーク処理に付し、 ｇ）段階ｅ）からのフォトレジスト被覆され露光された基板を段階ｆ）の露光後
の第二ベーク処理の前かまたは後に現像してポジ型フォトレジストの像様露光 領域またはネガ型フォトレジストの未露光領域を除く 各段階を含む。
適当な基板の上に浸漬法、スプレー塗布法、ローラー塗布法およびスピン塗布
法を含めたフォトレジスト分野で使用される慣用の方法によって段階ｂ）から の反射防止膜用組成物を塗布し、 ｄ）段階ｃ）の被覆された基板をホットプレート上で約７０℃〜約１１０℃の温 度に約３０秒〜約１８０秒またはオーブンで約７０℃〜約１１０℃の温度に約 １５分〜約９０分加熱し； ｅ）段階ｄ）の被覆された基板を所望のパターン、例えば適当なマスク、ネガ、 ステンシル、テンプレート等の使用によって製造されたパターンのもとで放射 線、例えば紫外線（約３００ｎｍ〜約４５０ｎｍ）、電子線、イオンビームま たはレーザー光線を照射して露光し； ｆ）場合によっては、段階ｅ）からの基板を現像前かまたは後に、露光後の第二 ベーク処理に付し、 ｇ）段階ｅ）からのフォトレジスト被覆され露光された基板を段階ｆ）の露光後
の第二ベーク処理の前かまたは後に現像してポジ型フォトレジストの像様露光 領域またはネガ型フォトレジストの未露光領域を除く 各段階を含む。
【００２１】
フォトレジスト組成物を適当な基板に塗布する時、フォトレジスト溶液は、利
用されるスピン塗装装置の種類およびスピン塗布法に許容される時間を考慮して
所望の厚さの塗膜を提供するために、固形分含有量の百分率に関して調整するこ
とができる。適する基板には珪素、アルミニウム、ポリマー樹脂、二酸化珪素、
ドープド二酸化珪素、チッ化珪素、タンタル、銅、ポリシリコーン、セラミック
ス、アルミニウム／銅−混合物；砒化ガリウムおよび他のIII/Ｖ群化合物が含ま
れる。本発明の反射防止膜用材料の場合には、反射防止膜用材料の固体成分は両
方とも可溶性でありかつ毒物的危険の非常に低い溶剤でスピン注型可能である。
かゝる毒性の低い有利な溶剤には、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ
）および乳酸エチル（ＥＬ）がある。更に有利でかつ更に毒性のない溶剤は取り
扱いおよび運搬が容易であるという長所も持つ水である。本発明の反射防止膜用
材料はかゝる低い毒性の溶剤、好ましくは水または水と水混和性である低級アル
キル（Ｃ1 〜Ｃ5 −アルキル）アルコール、低級アルキルケトン類または低級ア
ルキル酸エステルとの混合物であることから注型することができる。反射防止膜
用材料は米国特許第５，５２５，４５７号明細書および出願継続中の米国特許出
願シリアル番号０８／６９８，７４２；０８／６９９，００１および０８／７２
４，１０９にも説明されている（これら文献の内容を全てここに記載したものと
する）。しかしながら本発明の反射防止膜用組成物の染料官能性は、上記の特別
な種類のモノマーと結びつけた時、従来技術の組成物から本発明の反射防止膜用
組成物を著しく相違させている。本発明の反射防止膜用組成物を使用することの
別の長所は、低い毒性の有利な溶剤に溶解することおよびこれらの同じ溶剤の幾
つかが反射防止膜の縁部塵(edge bead) を除くのにも使用できることである。そ
れ故に危険または装置のために追加的に浪費しないでよい。更にこれらの低い毒
性の溶剤の多くはフォトレジストおよびフォトレジスト加工にも使用される。
用されるスピン塗装装置の種類およびスピン塗布法に許容される時間を考慮して
所望の厚さの塗膜を提供するために、固形分含有量の百分率に関して調整するこ
とができる。適する基板には珪素、アルミニウム、ポリマー樹脂、二酸化珪素、
ドープド二酸化珪素、チッ化珪素、タンタル、銅、ポリシリコーン、セラミック
ス、アルミニウム／銅−混合物；砒化ガリウムおよび他のIII/Ｖ群化合物が含ま
れる。本発明の反射防止膜用材料の場合には、反射防止膜用材料の固体成分は両
方とも可溶性でありかつ毒物的危険の非常に低い溶剤でスピン注型可能である。
かゝる毒性の低い有利な溶剤には、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ
）および乳酸エチル（ＥＬ）がある。更に有利でかつ更に毒性のない溶剤は取り
扱いおよび運搬が容易であるという長所も持つ水である。本発明の反射防止膜用
材料はかゝる低い毒性の溶剤、好ましくは水または水と水混和性である低級アル
キル（Ｃ1 〜Ｃ5 −アルキル）アルコール、低級アルキルケトン類または低級ア
ルキル酸エステルとの混合物であることから注型することができる。反射防止膜
用材料は米国特許第５，５２５，４５７号明細書および出願継続中の米国特許出
願シリアル番号０８／６９８，７４２；０８／６９９，００１および０８／７２
４，１０９にも説明されている（これら文献の内容を全てここに記載したものと
する）。しかしながら本発明の反射防止膜用組成物の染料官能性は、上記の特別
な種類のモノマーと結びつけた時、従来技術の組成物から本発明の反射防止膜用
組成物を著しく相違させている。本発明の反射防止膜用組成物を使用することの
別の長所は、低い毒性の有利な溶剤に溶解することおよびこれらの同じ溶剤の幾
つかが反射防止膜の縁部塵(edge bead) を除くのにも使用できることである。そ
れ故に危険または装置のために追加的に浪費しないでよい。更にこれらの低い毒
性の溶剤の多くはフォトレジストおよびフォトレジスト加工にも使用される。
【００２２】
本発明の反射防止膜用組成物は良好な溶液安定性も有している。更に反射防止
膜と隣接フォトレジスト膜との間のインターミキシングが実質的に発生しない。
反射防止膜は、フォトレジストから基板への像の良好な転写、および反射ノッチ
ングおよび線幅変動を実質的に防止する為の良好な吸収特性を可能とする良好な
乾燥エッチング特性も有している。
膜と隣接フォトレジスト膜との間のインターミキシングが実質的に発生しない。
反射防止膜は、フォトレジストから基板への像の良好な転写、および反射ノッチ
ングおよび線幅変動を実質的に防止する為の良好な吸収特性を可能とする良好な
乾燥エッチング特性も有している。
【００２３】
電子部品の製造で薄膜干渉を減少させるための重要な方策は吸収性の反射防止
膜用組成物を使用することによって基板反射性を減少させることである。これを
行なう一つの方法は露光前にフォトレジストの上面にかゝる反射防止膜用材料を
塗布するものである。フォトレジストの薄膜内の界面反射はレジスト／基板−界
面でレジストパターンの干渉現象および反射ノッチング、即ちアンダーカットを
発生させる。薄膜干渉のために反射スイング比（Ｒmax ／Ｒmin ）の簡単な分析
式は以下の通りである： Ｓ＝４（Ｒ1 Ｒ2 ）1/2 ｅｘｐ（−αＤ） （１） 式中、Ｒ1 はフォトレジスト／空気−界面またはフォトレジスト／反射防止膜−
界面での反射率であり、Ｒ2 はレジスト／基板−界面での反射率であり、αはフ
ォトレジスト吸収係数でありそしてＤはスイング曲線が発生するフォトレジスト
の平均厚である。
膜用組成物を使用することによって基板反射性を減少させることである。これを
行なう一つの方法は露光前にフォトレジストの上面にかゝる反射防止膜用材料を
塗布するものである。フォトレジストの薄膜内の界面反射はレジスト／基板−界
面でレジストパターンの干渉現象および反射ノッチング、即ちアンダーカットを
発生させる。薄膜干渉のために反射スイング比（Ｒmax ／Ｒmin ）の簡単な分析
式は以下の通りである： Ｓ＝４（Ｒ1 Ｒ2 ）1/2 ｅｘｐ（−αＤ） （１） 式中、Ｒ1 はフォトレジスト／空気−界面またはフォトレジスト／反射防止膜−
界面での反射率であり、Ｒ2 はレジスト／基板−界面での反射率であり、αはフ
ォトレジスト吸収係数でありそしてＤはスイング曲線が発生するフォトレジスト
の平均厚である。
【００２４】
スイング比は線幅制御のために最小限にされなければならないが、レジスト露
光に使用される光の波長が著しく減少する時（例えばｇ線からｉ線におよび次い
で更に深紫外線に減少する時）にスイング比は劇的に増加する。光の波長が更に
更により小さい幾何学模様（例えば１９３ナノメーター）をプリントすることを
可能とする程に小さくした時に、スイング比の制御がなお更に重要になる。
光に使用される光の波長が著しく減少する時（例えばｇ線からｉ線におよび次い
で更に深紫外線に減少する時）にスイング比は劇的に増加する。光の波長が更に
更により小さい幾何学模様（例えば１９３ナノメーター）をプリントすることを
可能とする程に小さくした時に、スイング比の制御がなお更に重要になる。
【００２５】
反射防止膜の使用は式（１）のＲ1 を現象させることによってスイング比を著
しく減少させることができる。非吸収膜および一般に入射光線を仮定すればＲ1 はｎtopcoat ＝（ｎresist）1/2 でそして膜の光学的厚さが四分の一の波長（λ
／４ｎtopcoat ）である時に０に減少する。これら二つの反射防止条件は薄膜光
学の理論からよく知られている。底面反射防止膜（上面反射防止膜ではない）は
式（Ｉ）のＲ2 を著しく減少させることによって反射ノッチングを減少させる。
しく減少させることができる。非吸収膜および一般に入射光線を仮定すればＲ1 はｎtopcoat ＝（ｎresist）1/2 でそして膜の光学的厚さが四分の一の波長（λ
／４ｎtopcoat ）である時に０に減少する。これら二つの反射防止条件は薄膜光
学の理論からよく知られている。底面反射防止膜（上面反射防止膜ではない）は
式（Ｉ）のＲ2 を著しく減少させることによって反射ノッチングを減少させる。
【００２６】
上記の方法によって製造される反射防止膜用組成物は熱的に成長させた珪素／
二酸化珪素で被覆したウエハ、例えばマイクロプロセッサーおよび他の電子部品
の製造で利用されるものに塗布するのに特に適している。アルミニウム／酸化ア
ルミニウム−ウエハも使用することができる。基板には種々のポリマー樹脂、特
に透明のポリマー、例えばポリエステルも包含される。基板は適当な組成の接着
促進層、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の様なヘキサアルキルジシ
ラザンを含有するものを有していてもよい。
二酸化珪素で被覆したウエハ、例えばマイクロプロセッサーおよび他の電子部品
の製造で利用されるものに塗布するのに特に適している。アルミニウム／酸化ア
ルミニウム−ウエハも使用することができる。基板には種々のポリマー樹脂、特
に透明のポリマー、例えばポリエステルも包含される。基板は適当な組成の接着
促進層、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の様なヘキサアルキルジシ
ラザンを含有するものを有していてもよい。
【００２７】
反射防止膜用組成物は基板にフォトレジスト組成物の上または真下に塗布され
、被覆されたその基板を次いでホットプレート上で約７０℃〜約１１０℃の温度
で約３０秒〜約１８０秒処理するかまたはオーブンで約１５〜約９０分間処理す
る。この温度処理はフォトレジスト膜および反射防止膜中の残留溶剤の濃度を相
当に減少させるために選択され、他方、これはフォトレジスト組成物中の感光剤
の本質的な熱分解の原因にならない。一般に溶剤濃度を最小限にすることが望ま
れ、そしてこの最初の温度処理は溶剤の実質的全てが蒸発されそしてフォトレジ
スト組成物の薄膜が基板上に１μの程度で残るまで行なう。
、被覆されたその基板を次いでホットプレート上で約７０℃〜約１１０℃の温度
で約３０秒〜約１８０秒処理するかまたはオーブンで約１５〜約９０分間処理す
る。この温度処理はフォトレジスト膜および反射防止膜中の残留溶剤の濃度を相
当に減少させるために選択され、他方、これはフォトレジスト組成物中の感光剤
の本質的な熱分解の原因にならない。一般に溶剤濃度を最小限にすることが望ま
れ、そしてこの最初の温度処理は溶剤の実質的全てが蒸発されそしてフォトレジ
スト組成物の薄膜が基板上に１μの程度で残るまで行なう。
【００２８】
有利な実施態様においては温度は約８５℃〜約９５℃である。この処理は溶剤
除去の変化率が相対的に取るに足らなくなるまで行なう。温度および時間の選択
は使用者によって望まれるフォトレジスト特性並びに使用される装置および市場
で望まれる塗布時間に左右される。次いで被覆された基板をいずれかの所望のパ
ターン、例えば適当なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレート等の使用によっ
て製造されたパターンのもとで放射線、例えば紫外線（約３００ｎｍ〜約４５０
ｎｍ）、ｘ線、電子ビームまたはレーザー光線で露光することができる。
除去の変化率が相対的に取るに足らなくなるまで行なう。温度および時間の選択
は使用者によって望まれるフォトレジスト特性並びに使用される装置および市場
で望まれる塗布時間に左右される。次いで被覆された基板をいずれかの所望のパ
ターン、例えば適当なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレート等の使用によっ
て製造されたパターンのもとで放射線、例えば紫外線（約３００ｎｍ〜約４５０
ｎｍ）、ｘ線、電子ビームまたはレーザー光線で露光することができる。
【００２９】
次いで基板を場合によっては現像の前または後で露光後のベーク処理または熱
処理に付す。加熱温度は約９０℃〜約１２０℃、好ましくは約１００℃〜約１１
０℃の範囲でもよい。加熱はホットプレート上で約３０秒〜約２分、好ましくは
約６０秒〜約９０秒または慣用のオーブンで約３０〜約４５分行なう。
処理に付す。加熱温度は約９０℃〜約１２０℃、好ましくは約１００℃〜約１１
０℃の範囲でもよい。加熱はホットプレート上で約３０秒〜約２分、好ましくは
約６０秒〜約９０秒または慣用のオーブンで約３０〜約４５分行なう。
【００３０】
次いでフォトレジスト／反射防止膜用組成物を塗布し露光された基板は現像さ
れて、（ポジ型フォトレジストでは）像様の露光領域または（ネガ型フォトレジ
ストでは）未露光領域を例えばアルカリ現像溶液に浸漬することによってまたは
スプレー現像法を用いて除くことができる。現像溶液は例えば窒素吹き込み攪拌
によって攪拌するのが好ましい。基板はフォトレジスト膜の全部または実質的に
全部が（ポジ型フォトレジストでは）露光領域または（ネガ型フォトレジストで
は）未露光領域が溶解されるまで現像剤中に残してもよい。使用できる現像剤に
は水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液が含まれる。有利な水酸化物は水酸
化テトラメチルアンモニウムである。被覆されたウエハを現像工程から取り出し
た後に、場合によって行なう現像後の熱処理またはベーク処理を行い、膜接着性
およびエッチング溶液および他の物質に対する耐薬品性を向上させる。現像後の
熱処理は膜軟化点より下での膜および基板の炉でのベーク処理を含む。工業的用
途、特に珪素／二酸化珪素のタイプの基板での集積回路の製造では、現像された
基板を次いでフッ化水素酸ベースの緩衝さたエッチング溶液でエッチング処理す
るかも知れない。
れて、（ポジ型フォトレジストでは）像様の露光領域または（ネガ型フォトレジ
ストでは）未露光領域を例えばアルカリ現像溶液に浸漬することによってまたは
スプレー現像法を用いて除くことができる。現像溶液は例えば窒素吹き込み攪拌
によって攪拌するのが好ましい。基板はフォトレジスト膜の全部または実質的に
全部が（ポジ型フォトレジストでは）露光領域または（ネガ型フォトレジストで
は）未露光領域が溶解されるまで現像剤中に残してもよい。使用できる現像剤に
は水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液が含まれる。有利な水酸化物は水酸
化テトラメチルアンモニウムである。被覆されたウエハを現像工程から取り出し
た後に、場合によって行なう現像後の熱処理またはベーク処理を行い、膜接着性
およびエッチング溶液および他の物質に対する耐薬品性を向上させる。現像後の
熱処理は膜軟化点より下での膜および基板の炉でのベーク処理を含む。工業的用
途、特に珪素／二酸化珪素のタイプの基板での集積回路の製造では、現像された
基板を次いでフッ化水素酸ベースの緩衝さたエッチング溶液でエッチング処理す
るかも知れない。
【００３１】
以下の特別な実施例は、本発明の組成物を製造及び使用する方法の詳細な例示
を与えるものである。しかし、これらの例は本発明の範囲をどのようにも限定ま
たは減縮することを意図したものではなく、本発明を実施するのに排他的に使用
しなければならない条件、パラメータまたは値を与えるものと解釈すべきではな
い。
を与えるものである。しかし、これらの例は本発明の範囲をどのようにも限定ま
たは減縮することを意図したものではなく、本発明を実施するのに排他的に使用
しなければならない条件、パラメータまたは値を与えるものと解釈すべきではな
い。
【００３２】
実施例１：
Ａｑｕａｚｏｌ(R) −５０（ポリオキサゾリン：Ｍw ５０，０００）３．３０ｇ
ＦＣ−２６(R) （ペルフルオルオクタン酸） ６．９０ｇ
ＴＭＡＨ（２．３８重量％濃度水溶液） ２．０ｇ
脱イオン水 １８８ｇ
で組成される反射防止膜用組成物を、脱イオン水に最初の３成分を溶解しそして
次いでこの溶液を１．０μｍ（マイクロメーター）のフィルターに通して濾過す
ることによって製造する。
次いでこの溶液を１．０μｍ（マイクロメーター）のフィルターに通して濾過す
ることによって製造する。
【００３３】
この反射防止膜用組成物は、４００回転／分（ＲＰＭ）でスピン塗布した時に
、７７２．７Å（オングストローム）の膜を形成する。被覆された膜は１．４０
の反射率を有する。
、７７２．７Å（オングストローム）の膜を形成する。被覆された膜は１．４０
の反射率を有する。
【００３４】
実施例２：
Ａｑｕａｚｏｌ(R) −５０（ポリオキサゾリン：Ｍw 500,000) ３．３０ｇ
ＦＣ−２６(R) （ペルフルオルオクタン酸） ７．６０ｇ
ＴＭＡＨ（２．３８重量％濃度水溶液） ２．０５ｇ
脱イオン水 １８８ｇ
で組成される反射防止膜用組成物を、脱イオン水に最初の３成分を溶解しそして
その溶液を１．０μｍ（マイクロメータ）のフィルターに通して濾過することに
よって製造する。６５００回転／分でスピン塗装した時に組成物は８００Åの膜
を形成する。被覆された膜は１．３９の反射率を有する。
その溶液を１．０μｍ（マイクロメータ）のフィルターに通して濾過することに
よって製造する。６５００回転／分でスピン塗装した時に組成物は８００Åの膜
を形成する。被覆された膜は１．３９の反射率を有する。
【００３５】
実施例３：
ＡＺ(R) ７９０８フォトレジスト（Ｃｌａｒｉａｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎの電子材料営業部門から市販されている）を２つのヘキサメチルジシラザン（
ＨＭＤＳ）の準備されたシリコンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（
マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R) ８１００インラインホット
プレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理する。被覆された１つのウエハ
を０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチ
クルを用いて露光する。二番目の被覆されたウエハを、０．５４ＮＡ ＮＩＫＯ
Ｎ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１品質制御（“ＱＣ”）プロ
グラムを使用して露光する。両方の露光されたウエハをインライン(in-line) ホ
ットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３０
０ＭＩＦ ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム２．３８重量％濃度）現
像剤を用いて現像する。現像されたウエハを次いでＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４００
０ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。公称露光量（最適露光量(Dose
to Print):ＤＴＰ）を最良の焦点で測定し、この露光量は所定の特徴を正確に複
写するのに必要とされる。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）を測定し、以下の表
１に示す。最初のクリアーダイのエネルギーは次のウエハから記録され（最小露
光量（Dose to Clear:ＤＴＣ) そして結果を以下の表１に示す。
ｎの電子材料営業部門から市販されている）を２つのヘキサメチルジシラザン（
ＨＭＤＳ）の準備されたシリコンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（
マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R) ８１００インラインホット
プレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理する。被覆された１つのウエハ
を０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチ
クルを用いて露光する。二番目の被覆されたウエハを、０．５４ＮＡ ＮＩＫＯ
Ｎ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１品質制御（“ＱＣ”）プロ
グラムを使用して露光する。両方の露光されたウエハをインライン(in-line) ホ
ットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３０
０ＭＩＦ ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム２．３８重量％濃度）現
像剤を用いて現像する。現像されたウエハを次いでＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４００
０ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。公称露光量（最適露光量(Dose
to Print):ＤＴＰ）を最良の焦点で測定し、この露光量は所定の特徴を正確に複
写するのに必要とされる。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）を測定し、以下の表
１に示す。最初のクリアーダイのエネルギーは次のウエハから記録され（最小露
光量（Dose to Clear:ＤＴＣ) そして結果を以下の表１に示す。
【００３６】
実施例４：
ＡＺ(R) ７９０８フォトレジストをＨＭＤＳの準備されたシリコンウエハの上
に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R ) ８１００インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理す
る。実施例１からの反射防止膜用組成物を次いでこのフォトレジストの上面に塗
布して０．０７７μｍ（マイクロメーター）の膜厚とする。このウエハを最初に
０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーの上のマスクと一緒に１１Ｘ１１
“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光されたマトリックスを０．５４
ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用い
てプリントする。露光されたウエハをインライン(in-line) ホットプレート上で
１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理する。次にこのウエハをＡＺ(R) ３００Ｍ
ＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭを用いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦
点で測定する。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）も測定する。結果を以下の表１
に示す。
に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R ) ８１００インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理す
る。実施例１からの反射防止膜用組成物を次いでこのフォトレジストの上面に塗
布して０．０７７μｍ（マイクロメーター）の膜厚とする。このウエハを最初に
０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーの上のマスクと一緒に１１Ｘ１１
“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光されたマトリックスを０．５４
ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用い
てプリントする。露光されたウエハをインライン(in-line) ホットプレート上で
１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理する。次にこのウエハをＡＺ(R) ３００Ｍ
ＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭを用いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦
点で測定する。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）も測定する。結果を以下の表１
に示す。
【００３７】
実施例５：
ＡＺ(R) ７９０８フォトレジストをＨＭＤＳの準備されたシリコンウエハの上
に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R ) ８１００インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理す
る。実施例２からの反射防止膜用組成物を次いでこのフォトレジストの上面に塗
布して０．０７７μｍ（マイクロメーター）の膜厚とする。このウエハを最初に
０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーの上でマスクと一緒に１１Ｘ１１
“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．５４ＮＡ
ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて複写
する。露光されたウエハをインライン(in-line) ホットプレート上で１１０℃に
７０秒、露光後ベーク処理する。次にこのウエハをＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭ
ＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４００
０ＳＥＭを用いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦点で測定す
る。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）も測定する。結果を以下の表１に示す。
に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ(R ) ８１００インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理す
る。実施例２からの反射防止膜用組成物を次いでこのフォトレジストの上面に塗
布して０．０７７μｍ（マイクロメーター）の膜厚とする。このウエハを最初に
０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーの上でマスクと一緒に１１Ｘ１１
“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．５４ＮＡ
ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて複写
する。露光されたウエハをインライン(in-line) ホットプレート上で１１０℃に
７０秒、露光後ベーク処理する。次にこのウエハをＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭ
ＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４００
０ＳＥＭを用いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦点で測定す
る。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）も測定する。結果を以下の表１に示す。
【００３８】
【表１】
実施例６：
本発明の反射防止膜用組成物の４つのロット（Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ）を０．８
３％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．３％濃度Ａｑｕａｚｏｌ(R) −
５０および２．８３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解し、次いでそ
れらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ）フィルタに通して濾過する。各
ロットの膜の均一性（ＴＤ、ＤＥＶ．）、４０００回転／分でスピンコートした
時の膜厚［ＦＴ（Å）］、反射率（ＲＩ）および標準偏差（ＳＴＤ．ＤＥＶ）を
以下の表２に示す：
３％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．３％濃度Ａｑｕａｚｏｌ(R) −
５０および２．８３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解し、次いでそ
れらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ）フィルタに通して濾過する。各
ロットの膜の均一性（ＴＤ、ＤＥＶ．）、４０００回転／分でスピンコートした
時の膜厚［ＦＴ（Å）］、反射率（ＲＩ）および標準偏差（ＳＴＤ．ＤＥＶ）を
以下の表２に示す：
【００３９】
【表２】
実施例７：
ＡＺ(R) ７９００フォトレジスト（Ｃｌａｒｉａｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎの電子材料営業部門から市販されている）を２つのＨＭＤＳの準備されたシリ
コンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚と
しそして次にＳＶＧ(R) ８１００ インラインホットプレート上で９０℃で６０
秒、ソフトベーク処理する。露光マトリックスを０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、被覆されたウエハ
の上にプリントする。次いで両方のウエハを、０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ
線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１“ＱＣ”プログラムを使用し露光す
る。両方の露光されたウエハをインラインホットプレート上で１１０℃に７０秒
、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて
現像する。最良の焦点での最適露光量、解像度および焦点深度をウエハ上で測定
する。最小露光量を他のウエハで測定する。結果を以下の表１に示す。
ｎの電子材料営業部門から市販されている）を２つのＨＭＤＳの準備されたシリ
コンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚と
しそして次にＳＶＧ(R) ８１００ インラインホットプレート上で９０℃で６０
秒、ソフトベーク処理する。露光マトリックスを０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、被覆されたウエハ
の上にプリントする。次いで両方のウエハを、０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ
線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１“ＱＣ”プログラムを使用し露光す
る。両方の露光されたウエハをインラインホットプレート上で１１０℃に７０秒
、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて
現像する。最良の焦点での最適露光量、解像度および焦点深度をウエハ上で測定
する。最小露光量を他のウエハで測定する。結果を以下の表１に示す。
【００４０】
実施例８：
実施例７で使用したのと同じフォトレジストをＨＭＤＳの準備されたシリコン
ウエハの上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次
にＳＶＧ(R) ８１００ インライン(in-line) ホットプレート上で９０℃で６０
秒、ソフトベーク処理する。実施例６の反射防止膜用組成物のロットＡをフォト
レジストの上面に塗布して０．０７７μｍ（マイクロメータ）の膜厚とする。ウ
エハを最初に０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に
１１Ｘ１１“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．
５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを
用いて、被覆されたウエハの上にプリントする。次いでこのウエハを、ＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハを次いでＨ
ＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。最小
露光量および最適露光量を最良の焦点で測定する。解像度および焦点深度も測定
する。結果を上記の表１に示す。
ウエハの上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次
にＳＶＧ(R) ８１００ インライン(in-line) ホットプレート上で９０℃で６０
秒、ソフトベーク処理する。実施例６の反射防止膜用組成物のロットＡをフォト
レジストの上面に塗布して０．０７７μｍ（マイクロメータ）の膜厚とする。ウ
エハを最初に０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に
１１Ｘ１１“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．
５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを
用いて、被覆されたウエハの上にプリントする。次いでこのウエハを、ＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハを次いでＨ
ＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。最小
露光量および最適露光量を最良の焦点で測定する。解像度および焦点深度も測定
する。結果を上記の表１に示す。
【００４１】
実施例９：
実施例７で使用したのと同じフォトレジストをＨＭＤＳの準備された２つのシ
リコンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚
としそして次にＳＶＧ(R) ８１００ インライン(in-line) ホットプレート上で
９０℃で６０秒、ソフトベーク処理する。露光マトリックスを０．５４ＮＡ Ｎ
ＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、被覆
された一つのウエハの上にプリントする。２番目の被覆されたウエハを０．５４
ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１“ＱＣ”プ
ログラムを使用し露光する。両方の露光されたウエハを、インライン(in-line)
ホットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３
００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。最初に現像されたウエハをＨＩ
ＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。最良の
焦点での最適露光量、解像度および焦点深度を一つのウエハで測定する。最小露
光量をもう一つのウエハで測定する。結果を上記の表１に示す。
リコンウエハの各々の上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚
としそして次にＳＶＧ(R) ８１００ インライン(in-line) ホットプレート上で
９０℃で６０秒、ソフトベーク処理する。露光マトリックスを０．５４ＮＡ Ｎ
ＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、被覆
された一つのウエハの上にプリントする。２番目の被覆されたウエハを０．５４
ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１１“ＱＣ”プ
ログラムを使用し露光する。両方の露光されたウエハを、インライン(in-line)
ホットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理し、次いでＡＺ(R) ３
００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。最初に現像されたウエハをＨＩ
ＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて検査する。最良の
焦点での最適露光量、解像度および焦点深度を一つのウエハで測定する。最小露
光量をもう一つのウエハで測定する。結果を上記の表１に示す。
【００４２】
実施例１０：
実施例７で使用したのと同じフォトレジストをＨＭＤＳの準備されたシリコン
ウエハの上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次
にＳＶＧ(R) ８１００ インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフト
ベーク処理する。実施例６の反射防止膜用組成物のロットＡをフォトレジストの
上面に塗布して０．０７７μｍ（マイクロメータ−）の膜厚とする。ウエハを最
初に０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１
１“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．５４ＮＡ
ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、
被覆されたウエハの上にプリントする。次いでこの露光されたウエハを、インラ
イン(in-line) ホットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理する。
次にこのウエハをＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現
像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用
いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦点で測定する。解像度お
よび焦点深度も測定する。結果を上記の表１に示す。
ウエハの上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次
にＳＶＧ(R) ８１００ インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフト
ベーク処理する。実施例６の反射防止膜用組成物のロットＡをフォトレジストの
上面に塗布して０．０７７μｍ（マイクロメータ−）の膜厚とする。ウエハを最
初に０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパー上でマスクと一緒に１１Ｘ１
１“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．５４ＮＡ
ＮＩＫＯＮ(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ(R) 解像レチクルを用いて、
被覆されたウエハの上にプリントする。次いでこの露光されたウエハを、インラ
イン(in-line) ホットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理する。
次にこのウエハをＡＺ(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現
像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ(R) Ｓ−４０００ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用
いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦点で測定する。解像度お
よび焦点深度も測定する。結果を上記の表１に示す。
【００４３】
実施例１１：
本発明の反射防止膜用組成物の４つの別のロット（Ｅ、Ｆ、ＧおよびＨ）を０
．７１％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．１７％濃度Ａｑｕａｚｏｌ (R) −５００および２．７１％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解し、
次いでそれらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾
過する。それぞれ４０００回転／分でスピンコートした各ロットの膜の均一性、
膜厚、標準偏差および反射率を以下の表３に示す：
．７１％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．１７％濃度Ａｑｕａｚｏｌ (R) −５００および２．７１％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解し、
次いでそれらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾
過する。それぞれ４０００回転／分でスピンコートした各ロットの膜の均一性、
膜厚、標準偏差および反射率を以下の表３に示す：
【００４４】
【表３】
実施例１２：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の４つのロット（Ｉ、Ｊ、ＫおよびＬ）
を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚ
ｏｌ(R) −５（Ｍw ＝５０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イ
オン水溶液に溶解する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フ
ィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および反射率
（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートした）を以下
の表４に示す：
を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚ
ｏｌ(R) −５（Ｍw ＝５０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イ
オン水溶液に溶解する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フ
ィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および反射率
（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートした）を以下
の表４に示す：
【００４５】
【表４】
実施例１３：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の４つのロット（Ｍ、Ｎ、ＯおよびＰ）
を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚ
ｏｌ(R) −２００（Ｍw ＝２００，０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６ (R) の脱イオン水溶液に溶解する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメ
ータ−）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差お
よび反射率（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートし
た）を以下の表５に示す：
を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚ
ｏｌ(R) −２００（Ｍw ＝２００，０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６ (R) の脱イオン水溶液に溶解する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメ
ータ−）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差お
よび反射率（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートし
た）を以下の表５に示す：
【００４６】
【表５】
実施例１４：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の３つのロット（Ｒ、ＳおよびＴ）を１
．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．４８％濃度Ａｑｕａｚｏｌ (R) −５０、および３．４３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解する
。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過す
る。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および反射率（３つのウエハの一つ
に４０００回転／分でスピンコートした）を以下の表６に示す：
．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．４８％濃度Ａｑｕａｚｏｌ (R) −５０、および３．４３％濃度ＦＣ−２６(R) の脱イオン水溶液に溶解する
。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過す
る。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および反射率（３つのウエハの一つ
に４０００回転／分でスピンコートした）を以下の表６に示す：
【００４７】
【表６】
他に特別に表示が無い限り、全ての部および百分率は重量部および重量％であ
り、全ての分子量はＧＰＣで測定した重量平均分子量（Ｍw ）でありそして全て
の温度は摂氏である。
り、全ての分子量はＧＰＣで測定した重量平均分子量（Ｍw ）でありそして全て
の温度は摂氏である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４
(72)発明者 ハンナ・ディニッシュ・エヌ
アメリカ合衆国、ニュージャージー州、フ
レミントン、サットン・ファーム・ロー
ド、７
(72)発明者 オウバーランダー・ジョセフ・イー
アメリカ合衆国、ニュージャージー州、フ
ィリップスブルク、ヴェクスフォード・コ
ート、31
Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB16 AC08 AD01 AD03
CB41 CB47 CB53 CC20 DA01
DA34
4J038 DJ001 GA02 HA146 JA35
JB01 JC31 KA06 NA19
5F046 PA07
Claims (17)
- 【請求項１】 ａ）以下の構造 【化１】 ［式中、 Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、 Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 ｎは１０〜５０，０００である。］ で規定されるポリマーを準備し、 ｂ）(1) 約１０００〜５００，０００の重量平均分子量を有する段階（ａ）のポ リマー； (2) （水に０．１〜１０重量％溶解する）低い水溶性で弗素含有の有機系 Ｃ3 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸； (3) 非金属水酸化物；および (4) 溶剤 の混合物を準備することによって上面反射防止膜用組成物を調製する ことを特徴とする、反射防止膜用組成物の製造方法。
- 【請求項２】 段階（ｂ）の非金属水酸化物がアンモニウム水酸化物類であ
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 非金属水酸化物が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化
テトラエチルアンモニウム、ピリジニウムヒドロキシドおよびメチルピリジニウ
ムヒドロキシドよりなる群から選択されるアンモニウム水酸化物である請求項２
に記載の方法。 - 【請求項４】 ポリマーが約２，０００〜約５００，０００の重量平均分子
量を有する請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 ポリマーが約５，０００〜約５００，０００の重量平均分子
量を有する請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 ａ）以下の構造式 【化２】 ［式中、 Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、 Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 ｎは１０〜５０，０００である。］ で規定されるポリマー； ｂ）（水に０．１〜１０重量％溶解する）低い水溶性で弗素含有の有機系Ｃ3 〜 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸； ｃ）非金属水酸化物；および ｄ）溶剤 の混合物を含有する反射防止膜用組成物。
- 【請求項７】 非金属水酸化物がアンモニウム水酸化物類である請求項６に
記載の反射防止膜用組成物。 - 【請求項８】 非金属水酸化物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸
化テトラエチルアンモニウム、ピリジニウムヒドロキシドおよびメチルピリジニ
ウムヒドロキシドよりなる群から選択されるアンモニウム水酸化物である請求項
７に記載の反射防止膜用組成物。 - 【請求項９】 ポリマーが約２，０００〜約５００，０００の重量平均分子
量を有する請求項６に記載の反射防止膜用組成物。 - 【請求項１０】 ポリマーが約５，０００〜約５００，０００の重量平均分
子量を有する請求項６に記載の反射防止膜用組成物。 - 【請求項１１】 ａ）以下の構造 【化３】 ［式中、 Ｒ1 およびＲ2 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 Ｒ3 はメチル、エチル、プロピルまたはブチル基であり、 Ｒ4 〜Ｒ7 は互いに無関係に水素原子またはＣ1 〜Ｃ5 −アルキル基であ り、 ｎは１０〜５０，０００である。］ で規定されるポリマーを準備し、 ｂ）(1) 約１０００〜５００，０００の重量平均分子量Ｍw を有する段階（ａ） の水溶性ポリマー； (2) （水に０．１〜１０重量％溶解する）低い水溶性で弗素含有の有機系 Ｃ3 〜Ｃ13−脂肪族カルボン酸； (3) 非金属水酸化物；および (4) 溶剤 の混合物を準備することによって上面反射防止膜用組成物を調製し、 ｃ）適当な基板の上にフォトレジスト組成物を塗布する前かまたは後に、前記の 適当な基板の上に段階ｂ）からの反射防止膜を塗布し、 ｄ）段階ｃ）の被覆された基板をホットプレート上で約７０℃〜約１１０℃の温 度に約３０秒〜約１８０秒間または炉で約７０℃〜約１１０℃の温度に約１５ 分〜約９０分間加熱し； ｅ）段階ｄ）の被覆された基板を所望のパターンのもとで照射して露光し； ｆ）段階ｅ）の被覆され露光された基板を現像する ことを特徴とする、反射防止膜用組成物を用いるミクロ電子部品の製造方法。
- 【請求項１２】 ｂ）段階の非金属水酸化物がアンモニウム水酸化物である
請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 非金属水酸化物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水
酸化テトラエチルアンモニウム、ピリジニウムヒドロキシドおよびメチルピリジ
ニウムヒドロキシドよりなる群から選択されるアンモニウム水酸化物である請求
項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 ポリマーが約２，０００〜約５００，０００の重量平均分
子量を有する請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１５】 ポリマーが約５，０００〜約５００，０００の重量平均分
子量を有する請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１６】 フォトレジストを反射防止膜用組成物より前に基板に塗布
する請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１７】 フォトレジストを反射防止膜用組成物の後に基板に塗布す
る請求項１１に記載の方法。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045432A (en) * | 1990-07-17 | 1991-09-03 | Eastman Kodak Company | Radiation-sensitive composition containing both a poly(N-acylalkyleneimine) and an unsaturated polyester and use thereof in lithographic printing plates |
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