JP2003507760A5 - - Google Patents

Description

反射防止膜の使用は式（１）のＲ₁ を減少させることによってスイング比を著しく減少させることができる。非吸収膜および一般に入射光線を仮定すればＲ₁ はｎ_topcoat ＝（ｎ_resist）^1/2 でそして膜の光学的厚さが四分の一の波長（λ／４ｎ_topcoat ）である時に０に減少する。これら二つの反射防止条件は薄膜光学の理論からよく知られている。底面反射防止膜（上面反射防止膜ではない）は式（Ｉ）のＲ₂ を著しく減少させることによって反射ノッチングを減少させる。

有利な実施態様においては温度は約８５℃〜約９５℃である。この処理は溶剤除去の変化率が相対的に取るに足らなくなるまで行なう。温度および時間の選択は使用者によって望まれるフォトレジスト特性並びに使用される装置および市場で望まれる塗布時間に左右される。次いで被覆された基板をいずれかの所望のパターン、例えば適当なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレート等の使用によって製造されたパターンのもとで放射線、例えば紫外線（約３００ｎｍ〜約４５０ｎｍ）、ｘ線、電子ビーム、イオンビームまたはレーザー光線で露光することができる。

この反射防止膜用組成物は、４０００回転／分（ＲＰＭ）でスピン塗布した時に、７７２．７Å（オングストローム）の膜を形成する。被覆された膜は１．４０の屈折率を有する。

実施例２：
Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −５０（ポリオキサゾリン：Ｍw 500,000) ３．３０ｇＦＣ−２６^(R) （ペルフルオルオクタン酸） ７．６０ｇＴＭＡＨ（２．３８重量％濃度水溶液） ２．０５ｇ脱イオン水 １８８ｇ
で組成される反射防止膜用組成物を、脱イオン水に最初の３成分を溶解しそしてその溶液を１．０μｍ（マイクロメータ）のフィルターに通して濾過することによって製造する。６５００回転／分でスピン塗装した時に組成物は８００Åの膜を形成する。被覆された膜は１．３９の屈折率を有する。

実施例５：
ＡＺ^(R) ７９０８フォトレジストをＨＭＤＳの準備されたシリコンウエハの上に塗布して１．０８３μｍ（マイクロメーター）の膜厚としそして次にＳＶＧ^(R) ８１００インラインホットプレート上で９０℃で６０秒、ソフトベーク処理する。実施例２からの反射防止膜用組成物を次いでこのフォトレジストの上面に塗布して０．０７７μｍ（マイクロメーター）の膜厚とする。このウエハを最初に０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ^(R) ｉ線ステッパーの上でマスクと一緒に１１Ｘ１１“ＱＣ”プログラムを使用し露光し、次いで露光マトリックスを０．５４ＮＡ ＮＩＫＯＮ^(R) ｉ線ステッパーおよびＮＩＫＯＮ^(R) 解像レチクルを用いてプリントする。露光されたウエハをインライン(in-line) ホットプレート上で１１０℃に７０秒、露光後ベーク処理する。次にこのウエハをＡＺ^(R) ３００ＭＩＦ ＴＭＡＨ現像剤を用いて現像する。現像されたウエハをＨＩＴＡＣＨ^(R) Ｓ−４０００ＳＥＭを用いて検査する。最小露光量および最適露光量を最良の焦点で測定する。解像度および焦点深度（ＤＯＦ）も測定する。結果を以下の表１に示す。

実施例６：
本発明の反射防止膜用組成物の４つのロット（Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ）を０．８３％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．３６％濃度Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −５０および２．８３％濃度ＦＣ−２６^(R) の脱イオン水溶液に溶解して製造する。次いでそれらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性（ＴＤ、ＤＥＶ．）、４０００回転／分でスピンコートした時の膜厚［ＦＴ（Å）］、屈折率（ＲＩ）および標準偏差（ＳＴＤ．ＤＥＶ）を以下の表２に示す：

実施例１１：
本発明の反射防止膜用組成物の４つの別のロット（Ｅ、Ｆ、ＧおよびＨ）を０．７１％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．１７％濃度Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −５００および２．７１％濃度ＦＣ−２６^(R) の脱イオン水溶液に溶解して製造する。次いでそれらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過する。それぞれ４０００回転／分でスピンコートした各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および屈折率を以下の表３に示す：

実施例１２：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の４つのロット（Ｉ、Ｊ、ＫおよびＬ）を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −５（Ｍw ＝５０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６^(R) の脱イオン水に溶解して製造する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および屈折率（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートした）を以下の表４に示す：

実施例１３：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の４つのロット（Ｍ、Ｎ、ＯおよびＰ）を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．６４％濃度Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −２００（Ｍw ＝２００，０００）、および３．４３％濃度ＦＣ−２６^(R) の脱イオン水溶液に溶解して製造する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および屈折率（４つのウエハの一つにそれぞれ４０００回転／分でスピンコートした）を以下の表５に示す：

実施例１４：
本発明の反射防止膜用組成物の更に別の３つのロット（Ｒ、ＳおよびＴ）を１．０２％濃度水酸化テトラメチルアンモニウム、１．４８％濃度Ａｑｕａｚｏｌ^(R) −５０、および３．３０％濃度ＦＣ−２６^(R) TMAH塩の脱イオン水溶液に溶解して製造する。これらの溶液を１．０ミクロン（マイクロメータ−）フィルタに通して濾過する。各ロットの膜の均一性、膜厚、標準偏差および屈折率（３つのウエハの一つに４０００回転／分でスピンコートした）を以下の表６に示す：