JP2003234511A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003234511A JP2003234511A JP2002029417A JP2002029417A JP2003234511A JP 2003234511 A JP2003234511 A JP 2003234511A JP 2002029417 A JP2002029417 A JP 2002029417A JP 2002029417 A JP2002029417 A JP 2002029417A JP 2003234511 A JP2003234511 A JP 2003234511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- phosphor
- resin
- transmissive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光色の色ムラや輝度の低下を改善した半導
体発光素子およびその製造方法を得る。 【解決手段】 カップ体１には、逆円錐状にテーパをな
してカップ部が形成され、発光チップをボンディングし
たワイヤの領域近傍まで充填された第１の光透過性樹脂
層３が形成され、この第１の光透過性樹脂層の上に、光
の波長変換作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過
性樹脂層４が積層して形成されている。第２の光透過性
樹脂層は４、カップ体の開放縁周囲に略凸レンズ状に盛
り上がって形成され、その表面近傍には、蛍光体が集ま
って層状をなしている。また、反転したマガジンの状態
で蛍光体の混ざった樹脂は硬化の工程に入るが、蛍光体
と樹脂には比重差があり、蛍光体の方が重いことから蛍
光体は沈降して下向きに凸状、すなわち凸レンズ状を呈
して硬化する。
体発光素子およびその製造方法を得る。 【解決手段】 カップ体１には、逆円錐状にテーパをな
してカップ部が形成され、発光チップをボンディングし
たワイヤの領域近傍まで充填された第１の光透過性樹脂
層３が形成され、この第１の光透過性樹脂層の上に、光
の波長変換作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過
性樹脂層４が積層して形成されている。第２の光透過性
樹脂層は４、カップ体の開放縁周囲に略凸レンズ状に盛
り上がって形成され、その表面近傍には、蛍光体が集ま
って層状をなしている。また、反転したマガジンの状態
で蛍光体の混ざった樹脂は硬化の工程に入るが、蛍光体
と樹脂には比重差があり、蛍光体の方が重いことから蛍
光体は沈降して下向きに凸状、すなわち凸レンズ状を呈
して硬化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子に
関し、特に、ＬＥＤディスプレイ、バックライト、光源
等に使用される半導体発光素子に関する。また、本発明
は、半導体発光素子の製造方法に関する。
関し、特に、ＬＥＤディスプレイ、バックライト、光源
等に使用される半導体発光素子に関する。また、本発明
は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ディスプレイやバックライト等
の光源の色調としては、白色光が好適であることから、
白色光を得るＬＥＤランプや半導体発光素子として、多
くの提案がなされている。たとえば、発光色が青色のＬ
ＥＤランプや発光素子からの光を、蛍光体からの励起光
と混和させ、あるいはフィルター作用を行う波長吸収材
に通過させることにより、白色光を得ている。蛍光体を
使用する場合には、蛍光体層のコントロールが容易でな
く、色ムラが生じやすい。そこで、蛍光体層を改善する
ものとして、たとえば、特開２０００−２２３７４８号
が知られている。これは、ケースを構成する樹脂部材に
波長変換剤が混和されて成るＬＥＤランプおよびその製
造方法であって、ケースはインナーケースとアウターケ
ースとから成り、インナーケースはＬＥＤチップをリー
ドフレーム側が上方となるように金型中に保持し、この
金型中に波長変換剤が沈降するに充分な硬化時間を有す
る樹脂部材に波長変換剤を混和してトランスファーモー
ルドで成形し、しかる後にインナーケースを覆うアウタ
ーケースは波長変換剤が混和されていない樹脂部材で成
形したものである。
の光源の色調としては、白色光が好適であることから、
白色光を得るＬＥＤランプや半導体発光素子として、多
くの提案がなされている。たとえば、発光色が青色のＬ
ＥＤランプや発光素子からの光を、蛍光体からの励起光
と混和させ、あるいはフィルター作用を行う波長吸収材
に通過させることにより、白色光を得ている。蛍光体を
使用する場合には、蛍光体層のコントロールが容易でな
く、色ムラが生じやすい。そこで、蛍光体層を改善する
ものとして、たとえば、特開２０００−２２３７４８号
が知られている。これは、ケースを構成する樹脂部材に
波長変換剤が混和されて成るＬＥＤランプおよびその製
造方法であって、ケースはインナーケースとアウターケ
ースとから成り、インナーケースはＬＥＤチップをリー
ドフレーム側が上方となるように金型中に保持し、この
金型中に波長変換剤が沈降するに充分な硬化時間を有す
る樹脂部材に波長変換剤を混和してトランスファーモー
ルドで成形し、しかる後にインナーケースを覆うアウタ
ーケースは波長変換剤が混和されていない樹脂部材で成
形したものである。
【０００３】このように、比重差を利用して、波長変換
剤を樹脂部材中に沈降させ変換層を形成するようにして
いるので、均一の層厚となり色ムラを改善することがで
きる。
剤を樹脂部材中に沈降させ変換層を形成するようにして
いるので、均一の層厚となり色ムラを改善することがで
きる。
【０００４】しかしながら、かかる技術は、単一のＬＥ
Ｄランプにかかるものであって、機器への実装の際に
は、たとえば、ソケット等を使用することから、表面実
装技術ＳＭＴ（Surface Mount Technology）の進展に
伴うコンパクト化あるいは高密度実装化の要請には適し
ていなかった。
Ｄランプにかかるものであって、機器への実装の際に
は、たとえば、ソケット等を使用することから、表面実
装技術ＳＭＴ（Surface Mount Technology）の進展に
伴うコンパクト化あるいは高密度実装化の要請には適し
ていなかった。
【０００５】そこで、表面実装デバイスＳＭＤ（Surfac
e Mount Device）により、プリント基板上への高密度
実装が可能な半導体発光素子として、たとえば、特開２
０００−３１５３０号等が知られている。
e Mount Device）により、プリント基板上への高密度
実装が可能な半導体発光素子として、たとえば、特開２
０００−３１５３０号等が知られている。
【０００６】ここでの半導体発光素子は、たとえば、図
３に示すように、発光チップ５をフレーム２上にマウン
トし、金ワイヤ６でボンディングした後に、発光チップ
５上面および周辺に蛍光体７を塗布した後、発光チップ
５を透明樹脂３で覆うものである。この樹脂層は、成形
型となるカップ内に光透過性樹脂を注入し、硬化させて
製造されている。
３に示すように、発光チップ５をフレーム２上にマウン
トし、金ワイヤ６でボンディングした後に、発光チップ
５上面および周辺に蛍光体７を塗布した後、発光チップ
５を透明樹脂３で覆うものである。この樹脂層は、成形
型となるカップ内に光透過性樹脂を注入し、硬化させて
製造されている。
【０００７】また、カップ内の樹脂層を２層とした半導
体発光素子も提案されている。たとえば、図４に示すよ
うに、発光チップ５をフレーム２上にマウントし、金ワ
イヤ６でボンディングした後に、光透過性樹脂を注入し
て、硬化させる。硬化した樹脂層の上に、さらに蛍光体
を混和した光透過性樹脂８をカップ体内からあふれない
程度まで注入し、硬化させたものである。
体発光素子も提案されている。たとえば、図４に示すよ
うに、発光チップ５をフレーム２上にマウントし、金ワ
イヤ６でボンディングした後に、光透過性樹脂を注入し
て、硬化させる。硬化した樹脂層の上に、さらに蛍光体
を混和した光透過性樹脂８をカップ体内からあふれない
程度まで注入し、硬化させたものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体発光素子は、発光チップ上に蛍光体を塗布するも
のにあっては、乾燥の過程で蛍光体がダレて成分分離
し、濃度がばらつく結果、発光色の色ムラを生じ、輝度
が低下するという問題があった。また、カップ内の樹脂
層を２層とするものにあっては、樹脂部材と混和される
蛍光体とでは比重差があるので、第２層が硬化するまで
に、蛍光体の沈降を生じ、発光効率が低下するという問
題があった。
半導体発光素子は、発光チップ上に蛍光体を塗布するも
のにあっては、乾燥の過程で蛍光体がダレて成分分離
し、濃度がばらつく結果、発光色の色ムラを生じ、輝度
が低下するという問題があった。また、カップ内の樹脂
層を２層とするものにあっては、樹脂部材と混和される
蛍光体とでは比重差があるので、第２層が硬化するまで
に、蛍光体の沈降を生じ、発光効率が低下するという問
題があった。
【０００９】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、発光チップ周辺や透明樹脂カバーの成形型であ
るカップ体内に蛍光体が混在しない半導体発光素子を提
供することを解決すべき課題とする。
であり、発光チップ周辺や透明樹脂カバーの成形型であ
るカップ体内に蛍光体が混在しない半導体発光素子を提
供することを解決すべき課題とする。
【００１０】さらに、本発明はそのような半導体発光素
子の製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
子の製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による半導体発光素子は、フレームと、この
フレーム上にマウントされワイヤボンディングされる発
光チップと、前記フレームにマウントされた前記発光チ
ップを囲繞して収容するカップ体と、このカップ体中
に、前記発光チップを囲繞するように充填される第１の
光透過性樹脂層と、この第１の光透過性樹脂層上に積層
して形成された第２の光透過性樹脂とを備え、この第２
の光透過性樹脂は、その表面が凸レンズ状に湾曲形成さ
れ、前記表面近傍に光の波長変換作用を有する蛍光体層
を含むことを特徴とするものである。
め、本発明による半導体発光素子は、フレームと、この
フレーム上にマウントされワイヤボンディングされる発
光チップと、前記フレームにマウントされた前記発光チ
ップを囲繞して収容するカップ体と、このカップ体中
に、前記発光チップを囲繞するように充填される第１の
光透過性樹脂層と、この第１の光透過性樹脂層上に積層
して形成された第２の光透過性樹脂とを備え、この第２
の光透過性樹脂は、その表面が凸レンズ状に湾曲形成さ
れ、前記表面近傍に光の波長変換作用を有する蛍光体層
を含むことを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の半導体発光素子において
は、前記カップ体は、芳香族ポリアミド樹脂を主原料と
して成ることを特徴とするものである。
は、前記カップ体は、芳香族ポリアミド樹脂を主原料と
して成ることを特徴とするものである。
【００１３】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記発光チップは、ＩｎＧａＮ活性層を有するダブ
ルヘテロ構造であることを特徴とするものである。
は、前記発光チップは、ＩｎＧａＮ活性層を有するダブ
ルヘテロ構造であることを特徴とするものである。
【００１４】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第１の光透過性樹脂の体積は、カップ体の容積
の約６０％ないし７０％であることを特徴とするもので
ある。
は、前記第１の光透過性樹脂の体積は、カップ体の容積
の約６０％ないし７０％であることを特徴とするもので
ある。
【００１５】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第２の光透過性樹脂の体積は、カップ体の容積
の約５０％ないし６０％であることを特徴とするもので
ある。
は、前記第２の光透過性樹脂の体積は、カップ体の容積
の約５０％ないし６０％であることを特徴とするもので
ある。
【００１６】本発明の半導体発光素子の製造方法は、半
導体ウエハ上に複数の発光チップを形成する第１の工程
と、前記半導体ウエハ上の前記複数の発光チップをフレ
ーム上にマウントする第２の工程と、前記複数の発光チ
ップと前記フレームをワイヤボンディングする第３の工
程と、前記ワイヤボンディングされた発光チップを第１
の光透過性樹脂で埋設し、硬化させる第４の工程と、こ
の硬化された第１の光透過性樹脂上に蛍光体を混和させ
た第２の光透過性樹脂を積層充填する第５の工程と、こ
の第２の光透過性樹脂の充填後、前記フレームを反転
し、前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第６の工程と
からなることを特徴とするものである。
導体ウエハ上に複数の発光チップを形成する第１の工程
と、前記半導体ウエハ上の前記複数の発光チップをフレ
ーム上にマウントする第２の工程と、前記複数の発光チ
ップと前記フレームをワイヤボンディングする第３の工
程と、前記ワイヤボンディングされた発光チップを第１
の光透過性樹脂で埋設し、硬化させる第４の工程と、こ
の硬化された第１の光透過性樹脂上に蛍光体を混和させ
た第２の光透過性樹脂を積層充填する第５の工程と、こ
の第２の光透過性樹脂の充填後、前記フレームを反転
し、前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第６の工程と
からなることを特徴とするものである。
【００１７】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
においては、前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第６
の工程は、混和させた蛍光体がその重力により沈降した
後に硬化させることを特徴とする請求項６記載の半導体
発光素子の製造方法。
においては、前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第６
の工程は、混和させた蛍光体がその重力により沈降した
後に硬化させることを特徴とする請求項６記載の半導体
発光素子の製造方法。
【００１８】さらに、前記第２の光透過性樹脂を硬化さ
せる第６の工程は、前記第２の光透過性樹脂本発明の半
導体発光素子の製造方法においては、が、その重力に抗
する表面張力により、その表面が凸状に湾曲した状態で
硬化させることを特徴とするものである。
せる第６の工程は、前記第２の光透過性樹脂本発明の半
導体発光素子の製造方法においては、が、その重力に抗
する表面張力により、その表面が凸状に湾曲した状態で
硬化させることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して説明する。尚、各図において同一箇所について
は同一の符号を付してある。
参照して説明する。尚、各図において同一箇所について
は同一の符号を付してある。
【００２０】図１は、本発明にかかる半導体発光素子の
一実施例の断面図である。ここでの実施例は、ＬＥＤ
（Light Emitting Diode）ペレットから放射される光
の波長を蛍光体で変換し、白色を呈するようにした半導
体発光素子である。図１において、青色ＬＥＤペレット
５がフレーム２上にマウントされる。このフレーム２
は、たとえば、周知の半導体ウエハを使用することがで
きる。青色ＬＥＤペレット５は、中心波長が約４５０ｎ
ｍの青色で発光するもので、たとえば、ＧａＮ系ＬＥＤ
ペレットを用いることができる。ここでは、ＩｎＧａＮ
活性層を有するダブルヘテロ構造のＬＥＤペレットであ
る。
一実施例の断面図である。ここでの実施例は、ＬＥＤ
（Light Emitting Diode）ペレットから放射される光
の波長を蛍光体で変換し、白色を呈するようにした半導
体発光素子である。図１において、青色ＬＥＤペレット
５がフレーム２上にマウントされる。このフレーム２
は、たとえば、周知の半導体ウエハを使用することがで
きる。青色ＬＥＤペレット５は、中心波長が約４５０ｎ
ｍの青色で発光するもので、たとえば、ＧａＮ系ＬＥＤ
ペレットを用いることができる。ここでは、ＩｎＧａＮ
活性層を有するダブルヘテロ構造のＬＥＤペレットであ
る。
【００２１】ＬＥＤペレット５の一方の電極は、たとえ
ば、金ワイヤ６を介してフレーム２にボンディングさ
れ、もう一方の電極も、たとえばマイクロバンプを介し
てフレーム２にボンディングされている。フレーム２に
マウントされたＬＥＤペレット５を取り囲むように収容
するカップ体１が配設されている。このカップ体１は、
軽量であること、振動特性に優れていること等が望まし
いことから、たとえば、芳香族ポリアミド樹脂を主原料
とするのが好適である。なお、芳香族ポリアミド樹脂
は、たとえば、「アモデル」という商品名で市販されて
いる。
ば、金ワイヤ６を介してフレーム２にボンディングさ
れ、もう一方の電極も、たとえばマイクロバンプを介し
てフレーム２にボンディングされている。フレーム２に
マウントされたＬＥＤペレット５を取り囲むように収容
するカップ体１が配設されている。このカップ体１は、
軽量であること、振動特性に優れていること等が望まし
いことから、たとえば、芳香族ポリアミド樹脂を主原料
とするのが好適である。なお、芳香族ポリアミド樹脂
は、たとえば、「アモデル」という商品名で市販されて
いる。
【００２２】図１に示すように、カップ体１には、逆円
錐状にテーパをなしてカップ部が形成されている。この
カップ部内に、ボンディングワイヤ６の領域近傍まで充
填された第１の光透過性樹脂層３が形成されている。こ
の第１の光透過性樹脂層３の容積は、カップ部の容積の
６０％ないし７０％程度としてある。振動に弱い金ワイ
ヤ６を保護するため、金ワイヤ６のある程度を埋めてい
る。この第１の光透過性樹脂層３の上に、光の波長変換
作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過性樹脂層４
が積層して形成されている。そして、第２の光透過性樹
脂層４は、図１に示されるように、カップ体１の開放縁
周囲に略凸レンズ状に盛り上がって形成され、その表面
近傍には、蛍光体が凝集して層状をなしている。
錐状にテーパをなしてカップ部が形成されている。この
カップ部内に、ボンディングワイヤ６の領域近傍まで充
填された第１の光透過性樹脂層３が形成されている。こ
の第１の光透過性樹脂層３の容積は、カップ部の容積の
６０％ないし７０％程度としてある。振動に弱い金ワイ
ヤ６を保護するため、金ワイヤ６のある程度を埋めてい
る。この第１の光透過性樹脂層３の上に、光の波長変換
作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過性樹脂層４
が積層して形成されている。そして、第２の光透過性樹
脂層４は、図１に示されるように、カップ体１の開放縁
周囲に略凸レンズ状に盛り上がって形成され、その表面
近傍には、蛍光体が凝集して層状をなしている。
【００２３】本実施例にかかる半導体発光素子では、外
側の光透過樹脂層の表面に均一に蛍光体を凝集させてい
るので、白色光の色ムラが著しく低減される。
側の光透過樹脂層の表面に均一に蛍光体を凝集させてい
るので、白色光の色ムラが著しく低減される。
【００２４】図２は、図１に示した本発明に係る半導体
発光素子の一製造工程を示す素子断面図である。以下、
図２により、本発明に係る半導体発光素子の製造方法を
説明する。
発光素子の一製造工程を示す素子断面図である。以下、
図２により、本発明に係る半導体発光素子の製造方法を
説明する。
【００２５】まず、図２ａに示すように、たとえば周知
の半導体基板から成るフレーム２を用意し、このフレー
ム２上にＬＥＤペレット５をマウントする。ＬＥＤペレ
ット５の一方の電極は、たとえば、金ワイヤ６を介して
フレーム２にボンディングする。ＬＥＤペレット５のも
う一方の電極も、たとえばマイクロバンプを介してフレ
ーム２にボンディングする。次いで、フレーム２にマウ
ントされたＬＥＤペレット５を取り囲むように収容する
カップ体１を配設する。尚、ここまでの各工程は周知の
技術であって、説明してきた内容に限られることはな
く、それぞれの製造ラインの特質等により、工程のプロ
セスを変更しうることは言うまでもない。
の半導体基板から成るフレーム２を用意し、このフレー
ム２上にＬＥＤペレット５をマウントする。ＬＥＤペレ
ット５の一方の電極は、たとえば、金ワイヤ６を介して
フレーム２にボンディングする。ＬＥＤペレット５のも
う一方の電極も、たとえばマイクロバンプを介してフレ
ーム２にボンディングする。次いで、フレーム２にマウ
ントされたＬＥＤペレット５を取り囲むように収容する
カップ体１を配設する。尚、ここまでの各工程は周知の
技術であって、説明してきた内容に限られることはな
く、それぞれの製造ラインの特質等により、工程のプロ
セスを変更しうることは言うまでもない。
【００２６】次いで、カップ部内に、たとえば、光透過
性の熱硬化性樹脂３であるエポキシ樹脂を注入する。注
入の際には、樹脂内部に気泡の生じないように留意する
必要がある。樹脂の量は、カップ部の容積の６０％ない
し７０％程度とし、ボンディングされた金ワイヤ６が動
かないように埋まる程度の量とするのが望ましい。振動
に弱い金ワイヤ６を保護する目的であるから、金ワイヤ
６全体が樹脂で埋まる必要はない。
性の熱硬化性樹脂３であるエポキシ樹脂を注入する。注
入の際には、樹脂内部に気泡の生じないように留意する
必要がある。樹脂の量は、カップ部の容積の６０％ない
し７０％程度とし、ボンディングされた金ワイヤ６が動
かないように埋まる程度の量とするのが望ましい。振動
に弱い金ワイヤ６を保護する目的であるから、金ワイヤ
６全体が樹脂で埋まる必要はない。
【００２７】樹脂注入後、熱処理を施して樹脂を硬化さ
せる。尚、熱処理工程は、周知の技術をそのまま適用で
きるので、特段の説明は省略する。
せる。尚、熱処理工程は、周知の技術をそのまま適用で
きるので、特段の説明は省略する。
【００２８】このような状態の複数のフレーム２を、た
とえば、図２ｂに示すように、マガジン９にセットす
る。図２ｂでは、一例として３個のものを例示してい
る。次いで、蛍光体と樹脂を混練したものをカップ部内
に注入する。ここで、蛍光体としては、ＹＡＧ（イット
リウム、アルミニウム、ガーネット）蛍光体を用いるこ
とができ、樹脂としては、先と同じ光透過性のエポキシ
樹脂を用いることができる。蛍光体を混練した樹脂４の
量は、カップ部容積の５０％ないし６０％程度とするの
が望ましい。
とえば、図２ｂに示すように、マガジン９にセットす
る。図２ｂでは、一例として３個のものを例示してい
る。次いで、蛍光体と樹脂を混練したものをカップ部内
に注入する。ここで、蛍光体としては、ＹＡＧ（イット
リウム、アルミニウム、ガーネット）蛍光体を用いるこ
とができ、樹脂としては、先と同じ光透過性のエポキシ
樹脂を用いることができる。蛍光体を混練した樹脂４の
量は、カップ部容積の５０％ないし６０％程度とするの
が望ましい。
【００２９】樹脂４を注入後、図２ｃに示すように、マ
ガジン９を反転させる。尚、樹脂４は適度の粘性を持つ
ことおよびその表面張力の作用により、マガジン９を反
転しても、樹脂に作用する重力に抗して作用し、カップ
から樹脂が漏れてしまうことはない。更に、カップ内に
注入した樹脂の総量がカップ内容積を若干越えるように
設定しているので、適度の粘性と表面張力を持つ樹脂
は、カップの外縁に沿って凸状に膨らむことになる。ま
た、樹脂４内の蛍光体はその比重差により沈降した後凝
集する。この結果、樹脂４全体は下向きに凸状、すなわ
ち凸レンズ状を呈して硬化するとともに、蛍光体は凸状
の表面付近に均一に分散する。
ガジン９を反転させる。尚、樹脂４は適度の粘性を持つ
ことおよびその表面張力の作用により、マガジン９を反
転しても、樹脂に作用する重力に抗して作用し、カップ
から樹脂が漏れてしまうことはない。更に、カップ内に
注入した樹脂の総量がカップ内容積を若干越えるように
設定しているので、適度の粘性と表面張力を持つ樹脂
は、カップの外縁に沿って凸状に膨らむことになる。ま
た、樹脂４内の蛍光体はその比重差により沈降した後凝
集する。この結果、樹脂４全体は下向きに凸状、すなわ
ち凸レンズ状を呈して硬化するとともに、蛍光体は凸状
の表面付近に均一に分散する。
【００３０】本実施例にかかる半導体発光素子の製造方
法では、マガジン９を反転して硬化させているので、外
側光透過樹脂層の表面に均一に蛍光体が分散し、半導体
発光素子のカップ部周辺からの青色ＬＥＤの光漏れが生
じなかった。また、外側光透過樹脂層が凸レンズ状を呈
するようにしたので、レンズ高さで従来比1.5倍〜３倍
程度まで輝度が上がった。
法では、マガジン９を反転して硬化させているので、外
側光透過樹脂層の表面に均一に蛍光体が分散し、半導体
発光素子のカップ部周辺からの青色ＬＥＤの光漏れが生
じなかった。また、外側光透過樹脂層が凸レンズ状を呈
するようにしたので、レンズ高さで従来比1.5倍〜３倍
程度まで輝度が上がった。
【００３１】本発明は上記実施例に限定されることな
く、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の
変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれる
ものであることはいうまでもない。
く、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の
変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれる
ものであることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、発光チップ周辺や透明
樹脂カバーの成形型であるカップ体内に蛍光体が混在し
ない半導体発光素子が得られるので、発光色の色ムラが
著しく改善され、さらに、レンズ効果により、輝度が向
上するという効果がある。
樹脂カバーの成形型であるカップ体内に蛍光体が混在し
ない半導体発光素子が得られるので、発光色の色ムラが
著しく改善され、さらに、レンズ効果により、輝度が向
上するという効果がある。
【図１】 本発明にかかる半導体発光素子の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明に係る半導体発光素子の製造方法の工
程を示す素子断面図である。
程を示す素子断面図である。
【図３】 従来の半導体発光素子の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】 従来の半導体発光素子の構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ カップ体
２ フレーム
３、４、８ 光透過性樹脂
５ ＬＥＤペレット
６ 金ワイヤ
７ 蛍光体
９ マガジン
Claims (8)
- 【請求項１】 フレームと、このフレーム上にマウント
されワイヤボンディングされる発光チップと、前記フレ
ームにマウントされた前記発光チップを囲繞して収容す
るカップ体と、このカップ体中に、前記発光チップを囲
繞するように充填される第１の光透過性樹脂層と、この
第１の光透過性樹脂層上に積層して形成された第２の光
透過性樹脂とを備え、この第２の光透過性樹脂は、その
表面が凸レンズ状に湾曲形成され、前記表面近傍に光の
波長変換作用を有する蛍光体層を含むことを特徴とする
半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記カップ体は、芳香族ポリアミド樹脂
を主原料として成ることを特徴とする請求項１記載の半
導体発光素子。 - 【請求項３】 前記発光チップは、ＩｎＧａＮ活性層を
有するダブルヘテロ構造であることを特徴とする請求項
１ないし２記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記第１の光透過性樹脂の体積は、カッ
プ体の容積の約６０％ないし７０％であることを特徴と
する請求項１ないし３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記第２の光透過性樹脂の体積は、カッ
プ体の容積の約５０％ないし６０％であることを特徴と
する請求項１ないし４記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 半導体ウエハ上に複数の発光チップを形
成する第１の工程と、前記半導体ウエハ上の前記複数の
発光チップをフレーム上にマウントする第２の工程と、
前記複数の発光チップと前記フレームをワイヤボンディ
ングする第３の工程と、前記ワイヤボンディングされた
発光チップを第１の光透過性樹脂で埋設し、硬化させる
第４の工程と、この硬化された第１の光透過性樹脂上に
蛍光体を混和させた第２の光透過性樹脂を積層充填する
第５の工程と、この第２の光透過性樹脂の充填後、前記
フレームを反転し、前記第２の光透過性樹脂を硬化させ
る第６の工程とからなることを特徴とする半導体発光素
子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第
６の工程は、混和させた蛍光体がその重力により沈降し
た後に硬化させることを特徴とする請求項６記載の半導
体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の光透過性樹脂を硬化させる第
６の工程は、前記第２の光透過性樹脂が、その重力に抗
する表面張力により、その表面が凸状に湾曲した状態で
硬化させることを特徴とする請求項７記載の半導体発光
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029417A JP2003234511A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029417A JP2003234511A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234511A true JP2003234511A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27773680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002029417A Pending JP2003234511A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003234511A (ja) |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005053041A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 |
| JP2005166734A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2005268708A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び製造方法 |
| JP2006156704A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2007157943A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2007184616A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
| JP2007201392A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置 |
| JP2007531317A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法 |
| JP2007531320A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光デバイスをパッケージングする方法およびパッケージングされた発光デバイス |
| JP2008103688A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-05-01 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| JP2008109113A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置 |
| CN100416874C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-03 | 松下电工株式会社 | 采用发光二极管芯片的发光器件 |
| JP2008252136A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| KR100966368B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 엘이디 패키지 |
| US7910938B2 (en) | 2006-09-01 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
| KR20110109409A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ용 렌즈 및 그것을 포함하는 발광장치 |
| WO2011125731A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
| US8106584B2 (en) | 2004-12-24 | 2012-01-31 | Kyocera Corporation | Light emitting device and illumination apparatus |
| JP2012134564A (ja) * | 2004-09-10 | 2012-07-12 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| CN103094465A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
| US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| CN103094465B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-12-14 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
| US9954148B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-04-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with optical element and method of manufacturing the same |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| WO2022176574A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、光源装置及び灯具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029417A patent/JP2003234511A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9105817B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US7717589B2 (en) | 2003-11-25 | 2010-05-18 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device using light emitting diode chip |
| WO2005053041A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 |
| CN100416874C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-09-03 | 松下电工株式会社 | 采用发光二极管芯片的发光器件 |
| JP2005166734A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| DE102005012921B4 (de) | 2004-03-22 | 2019-06-19 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung |
| JP4504056B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-07-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US7605405B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having first and second resins |
| JP2005268708A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び製造方法 |
| JP2007531320A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光デバイスをパッケージングする方法およびパッケージングされた発光デバイス |
| JP2007531317A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法 |
| EP1730793B1 (en) * | 2004-03-31 | 2016-07-20 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element and methods for packaging the same |
| US8154043B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-04-10 | Cree, Inc. | Packaged light emitting devices |
| US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7955878B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-06-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2012134564A (ja) * | 2004-09-10 | 2012-07-12 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2006156704A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2008252136A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2008252135A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US8106584B2 (en) | 2004-12-24 | 2012-01-31 | Kyocera Corporation | Light emitting device and illumination apparatus |
| KR101114305B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-03-08 | 쿄세라 코포레이션 | 발광 장치 및 조명 장치 |
| JP2007201392A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置 |
| JP2007157943A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2007184616A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
| US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| DE102007040841B4 (de) * | 2006-09-01 | 2012-12-06 | Cree, Inc. | Phosphor-Position in lichtemittierenden Dioden, Verfahren zur Bildung dieser Dioden, Display mit diesen Dioden |
| US8425271B2 (en) | 2006-09-01 | 2013-04-23 | Cree, Inc. | Phosphor position in light emitting diodes |
| US7910938B2 (en) | 2006-09-01 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
| JP2008103688A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-05-01 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| US8766298B2 (en) | 2006-09-01 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
| JP2012009905A (ja) * | 2006-09-01 | 2012-01-12 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| JP2008109113A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置 |
| US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Side-view type light emitting apparatus and package |
| US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| KR100966368B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 엘이디 패키지 |
| JP2011215304A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Autonetworks Technologies Ltd | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
| KR101662308B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2016-10-06 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ용 렌즈 및 그것을 포함하는 발광장치 |
| WO2011125731A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
| KR20110109409A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ용 렌즈 및 그것을 포함하는 발광장치 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| CN103094465A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
| CN103094465B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-12-14 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
| US9954148B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-04-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with optical element and method of manufacturing the same |
| WO2022176574A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、光源装置及び灯具 |
| EP4297107A4 (en) * | 2021-02-16 | 2024-09-04 | Stanley Electric Co Ltd | LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT SOURCE DEVICE AND LAMP |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003234511A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP5290368B2 (ja) | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、ｌｅｄ照明装置、光源 | |
| US6576931B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
| JP6102273B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| US7858408B2 (en) | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens | |
| JP5106813B2 (ja) | 色変換型発光ダイオード | |
| KR101521260B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 | |
| US20060105484A1 (en) | Molded lens over LED die | |
| US20090039762A1 (en) | White led device comprising dual-mold and manufacturing method for the same | |
| US20110227123A1 (en) | Light Emitting Diode and Method of Fabricating the Same | |
| JP2000156528A (ja) | 発光素子 | |
| JP2000077723A (ja) | 発光半導体を備えた半導体装置 | |
| CN101123286A (zh) | 发光二极管封装结构和方法 | |
| CN1523683A (zh) | 发光装置 | |
| JP2005093681A (ja) | 発光装置 | |
| JP2011171357A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2007234968A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
| JP5334123B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置アセンブリ、および半導体発光装置の製造方法 | |
| JP4763122B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US10790424B2 (en) | Method of manufacturing light-emitting device, and light-emitting device | |
| JP2006049524A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
| US20140217437A1 (en) | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2004343149A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| CN100359705C (zh) | 白光二极管制造方法 | |
| KR100748707B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050204 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050209 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080304 |