JP2012134564A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012134564A JP2012134564A JP2012087550A JP2012087550A JP2012134564A JP 2012134564 A JP2012134564 A JP 2012134564A JP 2012087550 A JP2012087550 A JP 2012087550A JP 2012087550 A JP2012087550 A JP 2012087550A JP 2012134564 A JP2012134564 A JP 2012134564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- mold resin
- package
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 180
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 180
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 6
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000849798 Nita Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】発光ダイオードパッケージは一対のリード端子を備える。パッケージ本体が一対のリード端子の少なくとも一部を埋め込む。パッケージ本体は一対のリード端子を露出させる開口部を有する。発光ダイオードダイ(LEDdie)が開口部内に実装されて位置する。発光ダイオードダイは一対のリード端子に電気的に連結される。一方、第1のモールド樹脂が発光ダイオードダイを覆う。しかも、第1のモールド樹脂に比べて相対的に硬度が高い第2のモールド樹脂が第1のモールド樹脂の上部を覆う。これにより、発光ダイオードダイに印加されるストレスを減少させることができ、モールド樹脂の変形を防止することができる。
【選択図】図3
Description
本発明の他の目的は、ヒートシンクを採用して、LEDダイ(die)から発生した熱を外部に円滑に放出することができ、且つヒートシンクがパッケージ本体から分離されることを防止することができる発光ダイオードパッケージを提供することにある。
これにより、前記第1のモールド樹脂は、発光ダイオードダイに及ぼすストレスを緩和し、前記第2のモールド樹脂は、外力によるモールド樹脂の変形を防止する。
前記第1のモールド樹脂は、デュロメーターショア(Durometer Shore)値が50A未満であり、前記第2のモールド樹脂は、デュロメーターショア値が50A以上であることができる。
前記第1又は第2のモールド樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂であることができる。一方、前記第1及び第2のモールド樹脂のいずれかは、蛍光体を含有することができる。
また、前記第1のモールド樹脂は、前記第2のモールド樹脂に比べて相対的に厚くてもよい。その結果、前記第1のモールド樹脂の下部の発光ダイオードダイに印加されるストレスをさらに減少させることができる。
ヒートシンクが前記パッケージ本体の下部に結合されるようにすることができる。前記ヒートシンクの一部は、前記開口部により露出される。前記発光ダイオードダイは、前記ヒートシンクの露出された上部面に実装される。
これにより、前記発光ダイオードダイから生成された熱を、前記ヒートシンクを介して外部に円滑に放出することができる。
前記ヒートシンクは、基底部と、該基底部の中央部から上向きに突出する突出部とを有することができる。したがって、発光ダイオードパッケージの大きさを増加させることなく、熱放出表面を増加させることができ、熱放出効率を増加させることができる。
前記ヒートシンクは、前記基底部及び/又は前記突出部の外側面のうち少なくとも一側に結合突起を有することができる。前記結合突起が前記パッケージ本体に結合され、前記ヒートシンクが前記パッケージ本体から分離されることを防止することができる。
前記第1のモールド樹脂は、デュロメーターショア(Durometer Shore)値が50A未満であり、前記第2のモールド樹脂は、デュロメーターショア値が50A以上であることができる。
前記第1又は第2のモールド樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂であることができる。一方、前記第1及び第2のモールド樹脂のいずれかは、蛍光体を含有することができる。
また、前記第1のモールド樹脂は、前記第2のモールド樹脂に比べて相対的に厚くてもよい。その結果、前記第1のモールド樹脂の下部の発光ダイオードダイに印加されるストレスをさらに減少させることができる。
一方、前記ヒートシンクは、基底部と、該基底部の中央部から上向きに突出する突出部とを含むことができ、前記突出部が前記支持リングに挿入される。
前記ヒートシンクは、前記突出部の側面に、前記支持リングを収容溝に固定するための、支持リング収容溝を有することができる。したがって、前記ヒートシンクが前記パッケージ本体から分離されることをさらに防止することができる。
図2は、本発明の一実施の形態による発光ダイオードパッケージ10を説明する断面図である。
図3を参照すれば、発光ダイオードパッケージ50は、図2を参照して説明したように、一対のリード端子51、53と、本体55と、発光ダイオードダイ(LEDdie)57と、導電性接着剤59と、第1のモールド樹脂63と、第2のモールド樹脂65とを含む。また、本体55は、図2を参照して説明したように、開口部66を有し、開口部66の内壁54は、傾斜することができる。
図4乃至図12は、本発明の一実施の形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を説明する図であり、図13乃至図25は、本発明の他の実施の形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を説明する図である。
図13は、本発明の他の実施の形態によるリードフレーム210を説明するための斜視図である。
ヒートシンク220は、基底部221と、基底部の中央部から上向きに突出する突出部223とを有することができる。この時、支持リング収容溝223aは、突出部223の側面に位置する。基底部221及び突出部223は、図示するように、円筒状であることができるが、これに限定されるものではなく、多角の筒状であることができる。突出部223は、支持リング213の内部形状と類似の形状であることができるが、これに限定されるものではない。すなわち、支持リング213は、円形の環状であり、突出部223は、四角の筒状であることができる。
ボンディングワイヤーで発光ダイオードダイ241、243、245とリード端子とを連結した後、第1及び第2のモールド樹脂(図示せず)を使用して発光ダイオードダイ241、243、245を密封する(ステップS15)。モールド樹脂は、パッケージ本体230の開口部を満たし、発光ダイオードダイ及びボンディングワイヤーを密封することができる。
再び図25を参照すれば、発光ダイオードパッケージは、ヒートシンク支持リング213を含む。支持リング213は、燐青銅のような銅合金で製造される。支持リング213は、図示するように、円形の環状であることができるが、これに限定されるものではなく、多角形の環状であることができる。支持リング213の外側に切断された支持リード216a、216bが延長されて位置する。切断された支持リード216a、216bは、支持リング213の対向する両側に位置することができる。
さらに、ヒートシンク220の上部面に発光ダイオードダイ241、243、245が搭載されて位置する。図25に示した発光ダイオードダイは、2ボンドダイを示すが、これに限定されるものではなく、発光ダイオードダイは、1ボンドダイであることができ、1ボンドダイと2ボンドダイとの組み合わせであることができる。
発光ダイオードダイとリード端子とを連結する方式は多様であり、要求される発光ダイオードパッケージの特性に応じて選択することができる。
11、13、51、53、140、217a、217b、217c、219a、219b、219c、501、502リード端子
14、54、504 開口部の内壁
15、55、230、230a、503 パッケージ本体
17、57、160、240、241、241a、243、245、506 発光ダイオードダイ(LED die)
19、59、507 導電性接着剤
21、61、62、162、509 ボンディングワイヤー
23、63、165 第1のモールド樹脂
25、65、167 第2のモールド樹脂
26、66、505 開口部
27、67、513 レンズ部
56、153、220 ヒートシンク
101 LEDリードパネル
141 連結フレーム
142、215a、215b、216a、216b 支持リード
144 中空部
150 第1パッケージハウジング
151 第2パッケージハウジング
152 収容溝
154 ヒートシンクの挿入突出部
154a 係止突起
155、158 貫通孔
156 LED載置部
157 ヒートシンク載置溝
159、159a、159b 段差部
161 ツェナーダイオード(ZenerDiode)
166、250 レンズ
210 リードフレーム
211 外部フレーム(outerframe)
213 ヒートシンク支持リング
221 基底部
223 突出部
223a 支持リング収容溝
511 密封樹脂
Claims (12)
- 少なくとも一対のリード端子と、
前記一対のリード端子に電気的に接続された発光ダイオードダイと、
前記一対のリード端子を露出させる開口部が形成された第1パッケージハウジングと第2パッケージハウジングとを備え、前記第1パッケージハウジング及び前記第2パッケージハウジングの間に、前記一対のリード端子及び前記発光ダイオードダイが配置されたパッケージ本体と、
前記発光ダイオードダイを覆うように前記パッケージ本体内に形成され、蛍光体を含有する、多重モールド樹脂と、
前記第2パッケージハウジングの下部に結合されたヒートシンクと、を具備することを特徴とする多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。 - 前記多重モールド樹脂は、発光ダイオードダイを覆う第1のモールド樹脂と、前記第1のモールド樹脂の上部を覆い、且つ前記第1のモールド樹脂に比べて相対的に硬度が高い第2のモールド樹脂と、を具備することを特徴とする請求項1に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記第1パッケージハウジングは、その内壁面に少なくとも2つの段差部が形成されており、前記第1のモールド樹脂及び前記第2のモールド樹脂は、それぞれ段差部に固定されることを特徴とする請求項2に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記第1のモールド樹脂は、デュロメーターショア(Durometer Shore)値が50A未満であり、
前記第2のモールド樹脂は、デュロメーターショア値が50A以上であることを特徴とする請求項2又は3に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。 - 前記第1又は第2のモールド樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂であることを特徴とする請求項2又は3に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 第2のモールド樹脂の上部を覆うレンズ部が形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記ヒートシンクは、アルミナ、炭化ケイ素及び窒化アルミニウムのうち、少なくとも1種以上の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記発光ダイオードダイは、前記ヒートシンクの上部面に実装されることを特徴とする請求項1又は7に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記ヒートシンクは、基底部と、該基底部の中央部から上向きに突出する突出部とを有することを特徴とする請求項8に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記ヒートシンクは、前記基底部及び/又は前記突出部の外側面のうち少なくとも一側に結合突起を有することを特徴とする請求項9に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記ヒートシンクの底面は、前記第2パッケージハウジングから露出していることを特徴とする、請求項1に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
- 前記リードフレーム及び前記ヒートシンクは、平面状に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040072452A KR100709890B1 (ko) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 다중 몰딩수지를 갖는 발광다이오드 패키지 |
KR10-2004-0072452 | 2004-09-10 | ||
KR10-2004-0079909 | 2004-10-07 | ||
KR1020040079909A KR100678848B1 (ko) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR20050000269A KR100635779B1 (ko) | 2005-01-03 | 2005-01-03 | 히트싱크 지지링을 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
KR10-2005-0000269 | 2005-01-03 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531067A Division JP5192811B2 (ja) | 2004-09-10 | 2005-06-23 | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012134564A true JP2012134564A (ja) | 2012-07-12 |
Family
ID=36565244
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531067A Active JP5192811B2 (ja) | 2004-09-10 | 2005-06-23 | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
JP2012087550A Pending JP2012134564A (ja) | 2004-09-10 | 2012-04-06 | 発光素子及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531067A Active JP5192811B2 (ja) | 2004-09-10 | 2005-06-23 | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7855395B2 (ja) |
EP (1) | EP1794808B1 (ja) |
JP (2) | JP5192811B2 (ja) |
TW (2) | TWI302384B (ja) |
WO (1) | WO2006059828A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093498A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Apic Yamada Corp | 半導体装置、半導体チップの実装用基板、および、それらの製造方法 |
KR20150097533A (ko) * | 2012-12-21 | 2015-08-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 층상 중합체 구조물 및 방법 |
US10014449B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-07-03 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR102249465B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2021-05-07 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열 플라스틱 패키지 |
WO2024209913A1 (ja) * | 2023-04-05 | 2024-10-10 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明ユニット、露光装置、及び露光方法 |
Families Citing this family (160)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
KR100631901B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지 |
KR100631903B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
JP2007123777A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
US7910943B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-03-22 | Nexxus Lighting, Inc. | Light emitting diode fixture and heat sink |
JP4965858B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-07-04 | 株式会社東芝 | レンズ付発光ダイオード装置 |
EP1816688B1 (en) * | 2006-02-02 | 2016-11-02 | LG Electronics Inc. | Light emitting diode package |
US7675145B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US7655957B2 (en) * | 2006-04-27 | 2010-02-02 | Cree, Inc. | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same |
KR100731678B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-06-22 | 서울반도체 주식회사 | 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치 |
RU2425432C2 (ru) * | 2006-06-14 | 2011-07-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Осветительное устройство |
KR100809210B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100851636B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2008-08-13 | 삼성전기주식회사 | 표면실장형 발광다이오드 소자 |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
JP4952126B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2012-06-13 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品の製造方法 |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US7909482B2 (en) | 2006-08-21 | 2011-03-22 | Innotec Corporation | Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement |
KR101258227B1 (ko) | 2006-08-29 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
US8067778B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-11-29 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting diode package |
DE102006048230B4 (de) * | 2006-10-11 | 2012-11-08 | Osram Ag | Leuchtdiodensystem, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Hinterleuchtungseinrichtung |
US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8408773B2 (en) | 2007-03-19 | 2013-04-02 | Innotec Corporation | Light for vehicles |
KR100811723B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2008-03-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
JP5431688B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2014-03-05 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチledパッケージ |
KR100880638B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP5114773B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-01-09 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型発光装置 |
KR101365621B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-02-24 | 서울반도체 주식회사 | 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
TW200915597A (en) * | 2007-09-17 | 2009-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode device |
TWM329864U (en) * | 2007-10-03 | 2008-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Structure of light emitted diode package |
US9086213B2 (en) | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8946987B2 (en) * | 2007-11-07 | 2015-02-03 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and fabricating method thereof |
JP3139038U (ja) * | 2007-11-12 | 2008-01-31 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
KR100998233B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
WO2009076579A2 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Innotec Corporation | Overmolded circuit board and method |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US20100133580A1 (en) * | 2008-01-02 | 2010-06-03 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package structure and conductive structure and manufacturing method thereof |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
TWI385781B (zh) * | 2008-01-23 | 2013-02-11 | I Chiun Precision Ind Co Ltd | 導線架 |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
JP5416975B2 (ja) | 2008-03-11 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
TWI419357B (zh) * | 2008-03-12 | 2013-12-11 | Bright Led Electronics Corp | Manufacturing method of light emitting module |
CN101546754A (zh) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管模组 |
JP5341915B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-11-13 | パナソニック株式会社 | 樹脂成型品、半導体発光光源、照明装置及び樹脂成型品の製造方法 |
CN101567366A (zh) * | 2008-04-25 | 2009-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
KR101431711B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2014-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템 |
TW200947568A (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-16 | Genius Electronic Optical Co Ltd | Application method of grid board in packaging LED |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
JP5543084B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2014-07-09 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の製造方法 |
DE102008045925A1 (de) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
CN101749654A (zh) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 照明装置 |
US7923739B2 (en) * | 2009-06-05 | 2011-04-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8598602B2 (en) | 2009-01-12 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
TWI423421B (zh) * | 2009-01-17 | 2014-01-11 | Bright Led Electronics Corp | A light emitting device and a manufacturing method thereof |
TWI376043B (en) * | 2009-01-23 | 2012-11-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting device package structure and manufacturing method thereof |
TW201031014A (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-16 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting device and fabrication method thereof |
US8269248B2 (en) * | 2009-03-02 | 2012-09-18 | Thompson Joseph B | Light emitting assemblies and portions thereof |
KR101064005B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법 |
US8039862B2 (en) * | 2009-03-10 | 2011-10-18 | Nepes Led Corporation | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same |
US8058667B2 (en) * | 2009-03-10 | 2011-11-15 | Nepes Led Corporation | Leadframe package for light emitting diode device |
DK2407015T3 (da) * | 2009-03-13 | 2013-02-11 | Siemens Ag | Effekthalvledermodul med lagvist opbyggede isolerende sidevægge |
KR101051489B1 (ko) | 2009-03-17 | 2011-07-25 | 주식회사 두성에이텍 | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 |
JP5487704B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US9269875B2 (en) * | 2009-05-20 | 2016-02-23 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light emitter |
CN101899647B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-06-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 托盘 |
US8860043B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, systems and methods |
US9111778B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
CN101937889A (zh) * | 2009-06-29 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 半导体元件封装结构及其封装方法 |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
JPWO2011021402A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US8120056B2 (en) * | 2009-10-19 | 2012-02-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting diode assembly |
TWI531088B (zh) * | 2009-11-13 | 2016-04-21 | 首爾偉傲世有限公司 | 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片 |
US8963178B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-02-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
KR101064090B1 (ko) | 2009-11-17 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN102714267B (zh) * | 2009-11-19 | 2015-05-20 | 住友化学株式会社 | 半导体用封装以及散热形引线框架 |
KR101619832B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2016-05-13 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지, 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법, 및 이를 구비한 헤드 램프 모듈과 그 제어 방법 |
EP2346100B1 (en) * | 2010-01-15 | 2019-05-22 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus and lighting system |
US8258524B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode device |
US9425372B2 (en) | 2010-01-29 | 2016-08-23 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | LED device, method of manufacturing the same, and light-emitting apparatus |
US9024350B2 (en) * | 2010-02-08 | 2015-05-05 | Ban P Loh | LED light module |
JP5455720B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 光半導体パッケージおよび光半導体装置 |
US8525213B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-09-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same |
KR100997646B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2010-12-01 | 루미리치 주식회사 | 발광다이오드 조명등 |
CN102668135B (zh) | 2010-06-24 | 2016-08-17 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
US8269244B2 (en) | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
CN103053036B (zh) | 2010-07-28 | 2015-11-25 | 首尔伟傲世有限公司 | 具有分布式布拉格反射器的发光二极管 |
US9614129B2 (en) | 2010-08-14 | 2017-04-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified luminophores |
US9196785B2 (en) * | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
DE102010034322A1 (de) * | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe |
TW201210078A (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Light emitting diode |
JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
TWI407600B (zh) * | 2010-10-25 | 2013-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝結構的製造方法 |
WO2012060336A1 (ja) | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム |
CN102468375B (zh) * | 2010-11-15 | 2015-06-17 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
US8669580B2 (en) * | 2010-12-22 | 2014-03-11 | Psi Technologies, Inc. | Scalable heat dissipating microelectronic integration platform (SHDMIP) for lighting solutions and method of manufacturing thereof |
KR101626412B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2016-06-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US20120188738A1 (en) * | 2011-01-25 | 2012-07-26 | Conexant Systems, Inc. | Integrated led in system-in-package module |
TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
US9048396B2 (en) | 2012-06-11 | 2015-06-02 | Cree, Inc. | LED package with encapsulant having planar surfaces |
US10147853B2 (en) | 2011-03-18 | 2018-12-04 | Cree, Inc. | Encapsulant with index matched thixotropic agent |
DE102011100028A1 (de) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
JP5968674B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-08-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ |
US10686107B2 (en) * | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10490712B2 (en) * | 2011-07-21 | 2019-11-26 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) * | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
JP5674610B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-02-25 | 日東電工株式会社 | シリコーン樹脂シート、その製造方法、封止シートおよび発光ダイオード装置 |
JP2013084889A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5902823B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-04-13 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット |
US8575645B2 (en) * | 2011-11-22 | 2013-11-05 | GEM Weltronics TWN Corporation | Thin multi-layer LED array engine |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
CN103177746A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子装置 |
JP5938912B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
DE102012200973A1 (de) | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchte und verfahren zur herstellung einer leuchte |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
JP6021416B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2016-11-09 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法 |
US10468565B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-11-05 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces |
US10424702B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-09-24 | Cree, Inc. | Compact LED package with reflectivity layer |
US9887327B2 (en) | 2012-06-11 | 2018-02-06 | Cree, Inc. | LED package with encapsulant having curved and planar surfaces |
WO2013188678A1 (en) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Innotec, Corp. | Flexible light pipe |
CN103515367B (zh) * | 2012-06-25 | 2016-10-05 | 青岛玉兰祥商务服务有限公司 | 发光二极管封装结构 |
WO2014007240A1 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
DE102012215705B4 (de) * | 2012-09-05 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe |
DE102012111123A1 (de) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauelement |
JP6115172B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-04-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6476567B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI540769B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-07-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 承載結構及發光裝置 |
TWI559053B (zh) * | 2013-05-28 | 2016-11-21 | 潘宇翔 | 適用於直下式背光模組之光源裝置及其顯示器 |
KR20140143701A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 디바이스 및 이의 제조방법 |
US9461024B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips |
US11239123B2 (en) * | 2013-08-29 | 2022-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle |
KR102070089B1 (ko) | 2013-10-23 | 2020-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
TW201523926A (zh) * | 2013-12-12 | 2015-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 白光led封裝結構 |
US20160341854A1 (en) * | 2013-12-26 | 2016-11-24 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making reflective trays |
KR102131771B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2020-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 |
JP5873886B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2016-03-01 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂成形体の製造方法、及び、ledパッケージの製造方法 |
JP6470956B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2019-02-13 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止用金型とその製造方法 |
WO2017068739A1 (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子用ホルダ及び半導体発光素子モジュール |
JP6029221B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2016-11-24 | 日本航空電子工業株式会社 | 半導体装置用パッケージの集合体、半導体装置の集合体、半導体装置の製造方法 |
JP7041133B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2022-03-23 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | Led照明ユニット |
KR102471689B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2022-11-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 |
JP6373545B1 (ja) | 2017-12-27 | 2018-08-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6822442B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US10873015B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-22 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
TWI648878B (zh) * | 2018-05-15 | 2019-01-21 | 東貝光電科技股份有限公司 | Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器 |
US11375639B2 (en) | 2018-06-03 | 2022-06-28 | Tcpoly Inc. | Additive manufactured multi-layer thermally conductive parts |
JP7231809B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7376775B2 (ja) * | 2019-09-24 | 2023-11-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TWI747113B (zh) | 2019-12-23 | 2021-11-21 | 瑞軒科技股份有限公司 | 發光二極體裝置和顯示器 |
CN111628066A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-04 | 江西鸿利光电有限公司 | 一种提升led发光亮度的工艺方法 |
WO2022036194A1 (en) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | Lumileds Llc | Electronic device, light emitting device and method for manufacturing an electronic device |
CN118471939A (zh) * | 2024-06-26 | 2024-08-09 | 池州昀钐半导体材料有限公司 | 一种引线框架和封装组件 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07111343A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Matsushita Electron Corp | 光電装置 |
JPH08335720A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JPH11112036A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sharp Corp | 面実装半導体装置 |
JP2000077723A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光半導体を備えた半導体装置 |
JP2001257410A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2002094122A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 光源装置及びその製造方法 |
JP2002237620A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2002252376A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2002368277A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
JP2003152225A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003234511A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2003318448A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
WO2003098711A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ccs Inc. | Light emitting diode and method for fabricating the same |
WO2004053933A2 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Cree, Inc. | Composite leadframe led package and method of making the same |
JP2004521506A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-07-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
JP2004235261A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学系装置及びその製造方法 |
WO2004074885A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Nusil Technology | Optically clear high temperature resistant polysiloxanes of high refractive index |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5177669A (en) | 1992-03-02 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Molded ring integrated circuit package |
US5958100A (en) | 1993-06-03 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Process of making a glass semiconductor package |
JP3915196B2 (ja) | 1997-10-16 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
RU2134000C1 (ru) | 1997-12-31 | 1999-07-27 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6274924B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
JP3964590B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-08-22 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 光半導体パッケージ |
JP2001223305A (ja) | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
US6517218B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-02-11 | Relume Corporation | LED integrated heat sink |
JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2006-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2002299699A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2002314139A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP4055373B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US6924514B2 (en) * | 2002-02-19 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device and process for producing thereof |
DE10214119A1 (de) | 2002-03-28 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP3770192B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2006-04-26 | 松下電器産業株式会社 | チップ型led用リードフレーム |
US7264378B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7170151B2 (en) | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
JP4599857B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2010-12-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
EP1620903B1 (en) * | 2003-04-30 | 2017-08-16 | Cree, Inc. | High-power solid state light emitter package |
WO2004102685A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | Nano Packaging Technology, Inc. | Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof |
JP2004342870A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Stanley Electric Co Ltd | 大電流駆動用発光ダイオード |
EP1484802B1 (en) * | 2003-06-06 | 2018-06-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
DE102004034166B4 (de) | 2003-07-17 | 2015-08-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
US7482638B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-01-27 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package for a semiconductor light emitting device |
US7321161B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
US7456499B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
TW200614548A (en) | 2004-07-09 | 2006-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
US7119422B2 (en) | 2004-11-15 | 2006-10-10 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Solid-state semiconductor light emitting device |
-
2005
- 2005-06-23 EP EP05765982.3A patent/EP1794808B1/en active Active
- 2005-06-23 JP JP2007531067A patent/JP5192811B2/ja active Active
- 2005-06-23 WO PCT/KR2005/001946 patent/WO2006059828A1/en active Application Filing
- 2005-06-23 US US11/575,128 patent/US7855395B2/en active Active
- 2005-09-07 TW TW094130647A patent/TWI302384B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-07 TW TW096102663A patent/TWI302387B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-08-21 US US12/196,028 patent/US7737463B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-06 JP JP2012087550A patent/JP2012134564A/ja active Pending
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07111343A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Matsushita Electron Corp | 光電装置 |
JPH08335720A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JPH11112036A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sharp Corp | 面実装半導体装置 |
JP2000077723A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光半導体を備えた半導体装置 |
JP2001257410A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2002094122A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 光源装置及びその製造方法 |
JP2002237620A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2002252376A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2004521506A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-07-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
JP2002368277A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
JP2003152225A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003234511A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2003318448A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
WO2003098711A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ccs Inc. | Light emitting diode and method for fabricating the same |
WO2004053933A2 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Cree, Inc. | Composite leadframe led package and method of making the same |
JP2004235261A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学系装置及びその製造方法 |
WO2004074885A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Nusil Technology | Optically clear high temperature resistant polysiloxanes of high refractive index |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093498A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Apic Yamada Corp | 半導体装置、半導体チップの実装用基板、および、それらの製造方法 |
KR20150097533A (ko) * | 2012-12-21 | 2015-08-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 층상 중합체 구조물 및 방법 |
JP2016508290A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-17 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | 層状ポリマー構造及び方法 |
KR102091994B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2020-03-23 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 층상 중합체 구조물 및 방법 |
US10014449B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-07-03 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR102249465B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2021-05-07 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열 플라스틱 패키지 |
WO2024209913A1 (ja) * | 2023-04-05 | 2024-10-10 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明ユニット、露光装置、及び露光方法 |
WO2024209586A1 (ja) * | 2023-04-05 | 2024-10-10 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明ユニット、露光装置、及び露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7737463B2 (en) | 2010-06-15 |
EP1794808A1 (en) | 2007-06-13 |
TW200729566A (en) | 2007-08-01 |
US20080023721A1 (en) | 2008-01-31 |
TW200614553A (en) | 2006-05-01 |
US7855395B2 (en) | 2010-12-21 |
EP1794808B1 (en) | 2017-08-09 |
TWI302384B (en) | 2008-10-21 |
JP2008512867A (ja) | 2008-04-24 |
EP1794808A4 (en) | 2009-09-23 |
WO2006059828A1 (en) | 2006-06-08 |
JP5192811B2 (ja) | 2013-05-08 |
TWI302387B (en) | 2008-10-21 |
US20080303052A1 (en) | 2008-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5192811B2 (ja) | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ | |
JP4523496B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ | |
CN100533787C (zh) | 具多模造树脂的发光二极管封装 | |
US8482023B2 (en) | Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of a light emitting diode package using the same, and light emitting diode package fabricated by the method | |
US7573071B2 (en) | Light emitting diode package | |
US8778705B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
US7748873B2 (en) | Side illumination lens and luminescent device using the same | |
JP5140711B2 (ja) | 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ | |
US20060157726A1 (en) | Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein and methods of packaging same | |
KR100875702B1 (ko) | 고출력 발광 다이오드 패키지 | |
WO2010123647A2 (en) | Substrate based light source package with electrical leads | |
KR100613066B1 (ko) | 일체형 방열판을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을제조하는 방법 | |
KR100855062B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR100635779B1 (ko) | 히트싱크 지지링을 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 | |
KR100678848B1 (ko) | 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
KR100593152B1 (ko) | 방열효율이 향상된 단색 고출력 발광다이오드 패키지 | |
JP3109109U (ja) | 固体半導体発光素子 | |
KR100827690B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120502 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131205 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131210 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140729 |