JP2003202594A - 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、携帯型電子機器等の表示装置として
用いられ、反射及び透過の両モードでの表示が可能な半
透過型の液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示
装置に関し、低コストで優れた表示特性が得られること
を目的とする。 【解決手段】対向面に共通電極が形成される対向基板と
ともに液晶を挟持する基板２と、基板２表面に絶縁膜を
介して互いに交差して形成された複数のバスライン１
０、１２と、複数のバスライン１０、１２の交差位置近
傍に形成された薄膜トランジスタ１４と、基板２表面側
から入射する光を反射させる反射電極２０がマトリクス
状に形成された複数の反射領域と、反射電極２０周囲に
配置され、基板２裏面側から入射する光を基板２表面側
に透過させる透過領域Ｔとで構成された複数の画素領域
とを有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯型電子機器等
の表示装置として用いられ、反射及び透過の両モードで
の表示が可能な半透過型の液晶表示装置用基板及びそれ
を備えた液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる透明電極が各画素に
形成されて、裏面側にバックライトユニットを有する透
過型と、アルミニウム（Ａｌ）等からなる反射電極が各
画素に形成された反射型とに大別される。近年のアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置においては、軽量化、
薄型化及び低消費電力化の観点から反射型液晶表示装置
に注目が集まっている。反射型液晶表示装置として、特
開平５−２３２４６５号公報や特開平８−３３８９９３
号公報等に開示されているＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）モードを用いた１枚偏光板方式のものが既
に実用化されている。しかし、反射型液晶表示装置は周
囲の明るさにより視認性が大きく左右され、特に周囲の
明るさが相対的に暗い場所（暗所）では視認性が著しく
低下してしまうという問題が生じる。

【０００３】一方、透過型液晶表示装置は、バックライ
トユニットで裏面側から照明するため、暗所でもコント
ラスト比が高く視認性が高い。しかし、晴天時の屋外等
の周囲の明るさが相対的に明るい場所（明所）では視認
性が著しく低下してしまうという問題が生じる。また、
バックライトユニットを常に使用するため、消費電力が
大きくなってしまうという問題が生じる。

【０００４】上記の問題を解決する液晶表示装置とし
て、表示画面側から照明するフロントライトユニットを
備えたフロントライト方式の反射型液晶表示装置があ
る。しかし、フロントライト方式の反射型液晶表示装置
は、フロントライトユニットからの照明光が反射電極だ
けでなく表示画面表面でも反射してしまうため、暗所で
のコントラスト比が透過型液晶表示装置より低くなって
しまう。また、明所ではフロントライトユニットの導光
板での光吸収により、通常の反射型液晶表示装置より表
示が暗くなってしまう。

【０００５】また、他の方式として、特開平７−３３３
５９８号公報に開示されているような半透過反射膜を画
素電極に用いた半透過型液晶表示装置がある。半透過反
射膜には、一般に膜厚３０ｎｍ程度のＡｌ等の金属薄膜
が用いられる。しかし、金属薄膜は光の吸収率が大きい
ため、光の利用効率が低下してしまう。さらに、基板面
内で均一な膜厚の半透過反射膜を形成するのは困難であ
るため、基板面内で光の透過率や反射率にばらつきが生
じてしまう。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の問題を解決する
半透過型液晶表示装置が、特開平１１−２８１９７２号
公報に開示されている。図２７は、従来の半透過型液晶
表示装置の構成を示している。図２７に示すように、Ｔ
ＦＴ基板１０２には、図中上下方向に延びるゲートバス
ライン１０４が互いに平行に複数形成されている。ま
た、不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１０４に
交差して、図中左右方向に延びるドレインバスライン１
０６が互いに平行に複数形成されている。両バスライン
１０４、１０６の交差位置近傍にはＴＦＴ１０８が形成
されている。ＴＦＴ１０８のドレイン電極１４０は、ド
レインバスライン１０６に電気的に接続されている。ま
たソース電極１４２は、コンタクトホール１４４を介し
て、Ａｌ等からなる反射電極１１０に電気的に接続され
ている。反射電極１１０が形成された領域は、各画素の
反射領域になっている。反射電極１１０の中央部は開口
され、ＩＴＯ等からなる透明電極１１２が形成されてい
る。透明電極１１２が形成された領域は、各画素の透過
領域になっている。

【０００７】図２８は、図２７のＸ−Ｘ線で切断した液
晶表示装置の断面図である。図２８に示すように、液晶
表示装置は、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１１４と両基
板１０２、１１４間の液晶層１１６とで構成されてい
る。ＴＦＴ基板１０２は、ガラス基板１１８上の反射領
域に平坦化膜１２０を有している。平坦化膜１２０表面
には、複数の凹凸が形成されている。平坦化膜１２０上
には反射電極１１０が形成されている。反射電極１１０
表面には、下層の平坦化膜１２０表面に形成された凹凸
に対応する凹凸が形成されている。反射電極１１０は表
面に形成された複数の凹凸により光散乱特性が向上し、
入射した外光を各方向に散乱させて反射させるようにな
っている。

【０００８】また、ガラス基板１１８上の透過領域には
透明電極１１２が形成されている。透明電極１１２は、
図中下方に配置されたバックライトユニット（図示せ
ず）から射出された光を透過するようになっている。透
明電極１１２は、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）
等からなるバリアメタル層１３６を介して、反射電極１
１０に電気的に接続されている。

【０００９】一方、対向基板１１４は、ガラス基板１１
９上の全面に共通電極１３０を有している。また、両基
板１０２、１１４の対向面と反対側の面には、偏光板１
３２、１３４がそれぞれ貼り付けられている。

【００１０】図２７及び図２８に示す液晶表示装置は、
各画素に反射領域と透過領域とを形成することにより、
反射及び透過の両モードでの表示を実現している。

【００１１】しかし、上記の構成では、Ａｌからなる反
射電極１１０とＩＴＯからなる透明電極１１２をともに
形成する必要がある。また、ＡｌとＩＴＯが接触して形
成されると電池効果による腐食が発生するため、反射電
極１１０と透明電極１１２との間に、バリアメタル層１
３６を形成する必要がある。したがって、液晶表示装置
の製造工程が煩雑になるとともに、製造コストが増加し
てしまうという問題が生じている。

【００１２】また上記の構成では、各画素に反射領域と
透過領域とが形成されている。このため、反射型液晶表
示装置と比較して反射特性が低く、透過型液晶表示装置
と比較して透過特性が低い。しかし、反射特性を向上さ
せるために反射領域の面積を拡大すると、透過領域の面
積が縮小されて、透過特性がさらに低下してしまう。同
様に、透過特性を向上させるために透過領域の面積を拡
大すると、反射領域の面積が縮小されて、反射特性がさ
らに低下してしまう。このように、従来の半透過型液晶
表示装置は、反射特性と透過特性とがトレードオフの関
係にあり、反射特性及び透過特性をともに向上させるの
が困難であるという問題が生じている。

【００１３】さらに、反射領域では入射した光がカラー
フィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）層を２回
透過するのに対し、透過領域ではＣＦ層を１回のみ透過
することになる。このため、反射モードで表示する際と
透過モードで表示する際との間に色度ずれが発生してし
まう。色度ずれは、ある程度の光学補償が可能である
が、表示特性低下の要因となってしまう。

【００１４】本発明の目的は、低コストで優れた表示特
性が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶
表示装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、対向して配
置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記
基板表面に絶縁膜を介して互いに交差して形成された複
数のバスラインと、前記複数のバスラインの交差位置近
傍に形成された薄膜トランジスタと、前記基板表面側か
ら入射する光を反射させる反射電極がマトリクス状に形
成された複数の反射領域と、前記複数の反射領域周囲に
配置され、前記基板裏面側から入射する光を前記基板表
面側に透過させる透過領域とで構成された画素領域とを
有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達
成される。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による液晶
表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について
図１乃至図６を用いて説明する。まず、本実施の形態の
前提となる本発明の第１の基本構成について図１及び図
２を用いて説明する。図１は、第１の基本構成による液
晶表示装置を示している。図１に示すように、ＴＦＴ基
板２には、図中上下方向に延びるゲートバスライン１０
が互いに平行に複数形成されている（図１では１本のみ
示している）。また、不図示の絶縁膜を介してゲートバ
スライン１０に交差して、図中左右方向に延びるドレイ
ンバスライン１２が互いに平行に複数形成されている。
両バスライン１０、１２の交差位置近傍には、ＴＦＴ１
４が形成されている。ＴＦＴ１４のドレイン電極１６は
ドレインバスライン１２から引き出され、その端部がゲ
ートバスライン１０上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）等で形成された動作半導体層及びその上層に形成さ
れたチャネル保護膜（共に図示せず）の一端辺側に位置
するように形成されている。

【００１７】一方、ＴＦＴ１４のソース電極１８は、動
作半導体層及びチャネル保護膜上の他端辺側に位置する
ように形成されている。このような構成において、チャ
ネル保護膜直下のゲートバスライン１０がＴＦＴ１４の
ゲート電極として機能するようになっている。両バスラ
イン１０、１２の交差位置及びＴＦＴ１４の上層には、
反射電極２０が形成されている。ＴＦＴ１４のソース電
極１８は、コンタクトホール２２を介して反射電極２０
に電気的に接続されている。

【００１８】図２は、図１のＡ−Ａ線で切断した液晶表
示装置の断面を示している。図２に示すように、液晶表
示装置は、ＴＦＴ基板２と対向基板４と両基板２、４間
の液晶層２４とで構成されている。ＴＦＴ基板２と対向
基板４は、セルギャップｄ１を介して対向配置されてい
る。ＴＦＴ基板２は、例えばセルギャップｄ１とほぼ同
じ膜厚の平坦化膜２８をガラス基板２６上に有してい
る。平坦化膜２８表面には複数の凹凸が形成されてい
る。平坦化膜２８上には、Ａｌ等からなる反射電極２
０、２０’が画素毎に形成されている。反射電極２０、
２０’表面には、下層の平坦化膜２８表面に形成された
凹凸に対応する凹凸が形成されている。反射電極２０、
２０’は、表面に形成された複数の凹凸により光散乱特
性が向上し、反射電極２０、２０’に入射した外光を各
方向に散乱させて反射させるようになっている。反射電
極２０、２０’は、間隔ｗ＋ｗ’を隔てて配置されてい
る。

【００１９】一方、対向基板４は、ガラス基板２７上の
全面にＩＴＯ等からなる共通電極３０を有している。ま
た、両基板２、４の対向面と反対側の面には、所定の偏
光板３２、３４がそれぞれ貼り付けられている。ＴＦＴ
基板２の図中下方には、バックライトユニット（図示せ
ず）が配置されている。

【００２０】反射電極２０が形成されている領域は、入
射した外光を反射させる反射領域Ｒになっている。同様
に、反射電極２０’が形成されている領域は反射領域
Ｒ’になっている。反射電極２０、２０’が形成されて
いない領域は、バックライトユニットから照射される光
を透過させる透過領域Ｔ、Ｔ’になっている。ここで、
透過領域Ｔは反射電極２０の端部からの距離がｗ（≒ｄ
１）以内の範囲であり、透過領域Ｔ’は反射電極２０’
の端部からの距離がｗ’（≒ｄ１）以内の範囲である。
すなわち、反射領域Ｒは、その周囲に配置される透過領
域Ｔとともに１画素を構成している。また反射領域Ｒ’
は、その周囲に配置される透過領域Ｔ’とともに１画素
を構成している。透過領域Ｔ、Ｔ’には、図２８に示す
透明電極１１２は形成されていない。

【００２１】図２では、反射電極２０に所定の階調電圧
が印加された状態を示している。図中の破線は反射電極
２０と共通電極３０との間の電界を表している。透過領
域Ｔには、共通電極３０と反射電極２０端部との間に、
基板面に垂直な方向に対して斜めに斜め電界が発生して
いる。透過領域Ｔの液晶分子は、この斜め電界により反
射領域Ｒの液晶分子とほぼ同様に駆動されるようになっ
ている。また、透過領域Ｔ’には、共通電極３０と反射
電極２０’端部との間に斜め電界が発生している。透過
領域Ｔ’の液晶分子は、この斜め電界により反射領域
Ｒ’の液晶分子とほぼ同様に駆動されるようになってい
る。

【００２２】また、透過領域Ｔ、Ｔ’では平坦化膜２８
が除去されている。平坦化膜２８の膜厚がセルギャップ
ｄ１とほぼ同じであるため、透過領域Ｔ、Ｔ’のセルギ
ャップｄ２は、反射領域Ｒ、Ｒ’のセルギャップｄ１の
ほぼ２倍になっている。これにより、液晶分子が基板面
に平行に配向した際に液晶層２４に生じるリタデーショ
ン（Δｎ・ｄ）は、反射領域Ｒ、Ｒ’ではλ／４にな
り、透過領域Ｔ、Ｔ’ではその２倍のλ／２になる。

【００２３】本発明の第１の基本構成では、反射電極２
０を両バスライン１０、１２の交差位置及びＴＦＴ１４
上に配置し、透過領域Ｔ、Ｔ’に露出する両バスライン
１０、１２の面積を大幅に縮小することにより、反射領
域Ｒ、Ｒ’の面積を減少させずに透過領域Ｔ、Ｔ’の面
積を拡大している。すなわち、第１の基本構成では、従
来の半透過型液晶表示装置では反射領域としても透過領
域としても用いられないバスライン配線領域が透過領域
Ｔ、Ｔ’として用いられている。このため、反射特性を
低下させずに透過特性を向上させることができ、光の利
用効率が向上する。また、第１の基本構成では、透過領
域Ｔ、Ｔ’に透明電極１１２を形成していない。このた
め、透明電極１１２を形成する工程とバリアメタル層１
３６を形成する工程とを削減でき製造コストを低減でき
る。

【００２４】次に、本発明の第２の基本構成について図
３を用いて説明する。図３は、第２の基本構成による液
晶表示装置を示している。なお、図１に示す第１の基本
構成による液晶表示装置と同一の機能作用を奏する構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。図３に示すように、反射領域Ｒを構成する反射電極
２０ａ〜２０ｅは、ゲートバスライン１０及びドレイン
バスライン１２で画定された領域に形成されている。反
射電極２０ａ〜２０ｅには、スリット状あるいは円形や
多角形の孔状等の種々の形状に開口された開口部３６ａ
〜３６ｅが形成されている。

【００２５】例えば反射電極２０ａには、反射電極２０
ａ長辺に平行に延びる１つのスリットと、反射電極２０
ａ長辺に斜めに延びる複数のスリットで構成された開口
部３６ａが形成されている。反射電極２０ｂには、反射
電極２０ｂ短辺に平行に延びる直線状の開口部３６ｂが
複数形成されている。反射電極２０ｃには、反射電極２
０ｃ短辺に平行に延びる細長い菱形状の開口部３６ｃが
複数形成されている。反射電極２０ｄには、円形の開口
部３６ｄが複数形成されている。反射電極２０ｅには、
反射電極２０ｅ長辺に平行に延びる楔状の開口部３６ｅ
が複数形成されている。

【００２６】開口部３６ａ〜３６ｅが形成された領域
は、透過領域Ｔになっている。開口部３６ａ〜３６ｅに
は、図２８に示す透明電極１１２は形成されていない。
透過領域Ｔの液晶分子は、反射電極２０ａ〜２０ｅ端部
と共通電極３０（図３では図示せず）との間の斜め電界
により、反射領域Ｒの液晶分子とほぼ同様に駆動される
ようになっている。

【００２７】各開口部３６ａ〜３６ｅは、各画素で全て
同一の形状にしてもよい。また、各開口部３６ａ〜３６
ｅは、液晶分子を配向規制する形状を有していてもよ
い。こうすることにより、液晶分子が基板面に対しほぼ
垂直に配向するＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇ
ｎｅｄ）モードの液晶表示装置では、配向膜のラビング
処理を行わずに配向分割が可能になる。なお、ラビング
処理は必要になるが、水平配向膜を用いるＴＮモード
や、一方に水平配向膜を用い、他方に垂直配向膜を用い
るＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）モード等の液晶表示装置にも本基本構成は適用可
能である。

【００２８】本発明の第２の基本構成によれば、第１の
基本構成と同様に、透過領域Ｔに透明電極１１２が形成
されていないため、透明電極１１２を形成する工程とバ
リアメタル層１３６を形成する工程とを削減でき製造コ
ストを低減できる。

【００２９】図４は、上記第１及び第２の基本構成の組
合せによる液晶表示装置を示している。図４に示すよう
に、反射電極２０ａ〜２０ｆは、両バスライン１０、１
２の交差位置及びＴＦＴ１４の上層に形成されている。
また、反射電極２０ａ〜２０ｆには、種々の形状に開口
された開口部３７ａ〜３７ｆが形成されている。

【００３０】例えば反射電極２０ａには、反射電極２０
ａ長辺に斜めに延びる「く」の字状のスリットで構成さ
れた複数の開口部３７ａが形成されている。反射電極２
０ｂには、三角形状の開口部３７ｂが複数形成されてい
る。反射電極２０ｃには、反射電極２０ｃ短辺に平行に
延びる細長い菱形状の開口部３７ｃが複数形成されてい
る。反射電極２０ｄには、六角形状の開口部３７ｄが複
数形成されている。反射電極２０ｅには、反射電極２０
ｅ短辺に平行に延びる直線状の開口部３７ｅが複数形成
されている。反射電極２０ｆには、反射電極２０ｆ短辺
に平行に延びる直線状の開口部３７ｆが複数形成されて
いる。

【００３１】このような構成によっても、第１及び第２
の基本構成と同様に、透明電極１１２を形成する工程と
バリアメタル層１３６を形成する工程とを削減でき製造
コストを低減できる。

【００３２】以下、第１及び第２の基本構成による液晶
表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置につい
て、第１乃至第７の実施例を用いてより具体的に説明す
る。

【００３３】まず、本発明の一実施の形態における第１
の実施例による液晶表示装置について図５及び図６を用
いて説明する。なお、本実施例による液晶表示装置は図
１及び図２に示す第１の基本構成とほぼ同様の構成を有
しているため、図１及び図２を参照しつつ説明する。図
１及び図２に示すように、本実施例による液晶表示装置
は、ＴＦＴ基板２と対向基板４の対向面に例えばポリイ
ミド樹脂からなる水平配向膜が形成され、所定のラビン
グ処理が施されている。両基板２、４はセルギャップｄ
１（例えば３μｍ）を介して貼り合わされており、両基
板２、４間には正の誘電率異方性を有するネマチック液
晶（Δｎ＝０．６７）が封止されている。液晶分子の配
向は、液晶分子の長軸の方向が互いに平行でかつ基板面
に平行なホモジニアス配向になっている。

【００３４】偏光板３２は、ガラス基板２６側に配置さ
れるλ／４位相差板３９と、その外側に配置される直線
偏光板３８とで構成される円偏光板である。直線偏光板
３８の偏光軸（光透過軸）と、λ／４位相差板３９の光
学軸（遅相軸）とは、４５°回転して配置されている。
ここで遅相軸とは、光学フィルムの面内方向の屈折率を
ｎｘ、ｎｙとしたとき、屈折率ｎｘ、ｎｙのうち大きい
方の軸を指している。同様に偏光板３４は、ガラス基板
２７側に配置されるλ／４位相差板４１と、その外側に
配置される直線偏光板４０とで構成される円偏光板であ
る。直線偏光板４０の偏光軸とλ／４位相差板４１の遅
相軸とは、４５°回転して配置されている。

【００３５】本実施例では、第１の基本構成と同様に、
反射電極２０を両バスライン１０、１２の交差位置及び
ＴＦＴ１４上に配置し、透過領域Ｔ、Ｔ’に露出する両
バスライン１０、１２の面積を縮小することにより、反
射領域Ｒ、Ｒ’の面積を減少させずに透過領域Ｔ、Ｔ’
の面積を拡大している。すなわち本実施例では、従来の
半透過型液晶表示装置では反射領域としても透過領域と
しても用いられていない領域が透過領域Ｔ、Ｔ’として
用いられている。このため、反射特性を低下させずに透
過特性を向上させることができる。

【００３６】次に、本実施例による液晶表示装置の表示
動作について図５及び図６を用いて説明する。図５及び
図６は、本実施例による液晶表示装置に所定の画像を表
示させた状態を示している。図５は本実施例による液晶
表示装置に所定の画像を表示させた状態を比較的高倍率
（約３０倍）で拡大した顕微鏡写真を示し、図６は本実
施例による液晶表示装置に所定の画像を表示させた状態
を比較的低倍率（約１５倍）で拡大した顕微鏡写真を示
している。また、図５及び図６の（ａ）は反射モードで
の表示状態を示し、（ｂ）は透過モードでの表示状態を
示している。図５及び図６に示すように、本実施例によ
れば、反射モードでの優れた表示特性を犠牲にすること
なく、透過モードでの表示を実現できる。

【００３７】なお、本実施例では、直線偏光板３８とλ
／４位相差板３９とを組み合わせた円偏光板を偏光板３
２に用いている。このとき、λ／４位相差板３９に用い
られるフィルムにより、透過表示の際の表示特性は異な
る。表１は、バックライト側の偏光板３２を構成するλ
／４位相差板３９による透過特性の変化を示している。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１に示すように、偏光板３２のλ／４位
相差板３９に１枚のＡＲＴＯＮフィルムを用いると、白
を表示させた際の輝度は５．１ｃｄ／ｍ²になり、黒を
表示させた際の輝度は１．９ｃｄ／ｍ²になる。すなわ
ち、コントラスト比（ＣＲ）は２．７になる。

【００４０】偏光板３２のλ／４位相差板３９に逆波長
分散位相差フィルムを用いると、白を表示させた際の輝
度は５．３ｃｄ／ｍ²になり、黒を表示させた際の輝度
は１．７ｃｄ／ｍ²になる。すなわち、コントラスト比
は３．０になる。

【００４１】また、λ／４位相差板３９を用いず直線偏
光板３８のみを偏光板３２に用いると、白を表示させた
際の輝度は６．１ｃｄ／ｍ²になり、黒を表示させた際
の輝度は１．２ｃｄ／ｍ²になる。すなわち、コントラ
スト比は５．０になる。ただしこの場合、透過モードと
反射モードとで表示の明暗が反転してしまうため、所望
の表示を得るには階調信号をバックライトの点灯と同期
させて変換する必要がある。

【００４２】以上により、本実施例による液晶表示装置
は、透過型液晶表示装置と比較するとコントラスト比が
低いものの、暗所で使用するには十分な透過特性が得ら
れることが分かる。

【００４３】次に、本発明の一実施の形態における第２
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図７乃至図１１を用いて説明する。
なお、本実施例による液晶表示装置は図３に示す第２の
基本構成とほぼ同様の構成を有しているため、図３を参
照しつつ説明する。図３に示すように、本実施例では、
反射領域Ｒを構成する反射電極２０ａ〜２０ｅは、ゲー
トバスライン１０及びドレインバスライン１２で画定さ
れた領域に形成されている。反射電極２０ａ〜２０ｅに
は、種々の形状に開口された開口部３６ａ〜３６ｅが形
成されている。開口部３６ａ〜３６ｅが形成された領域
は、透過領域Ｔになっている。

【００４４】ＴＦＴ基板２と対向基板４（図３では図示
せず）の対向面には、例えばポリイミド樹脂からなる水
平配向膜が形成され、所定のラビング処理が施されてい
る。両基板２、４は例えば２μｍのセルギャップを介し
て貼り合わされており、両基板２、４間には正の誘電率
異方性を有するネマチック液晶が封止されている。液晶
分子の配向は、液晶分子の長軸の方向が互いに平行でか
つ基板面に平行なホモジニアス配向になっている。

【００４５】次に、本実施例によるノーマリーホワイト
モードの液晶表示装置の動作原理について図７乃至図１
１を用いて説明する。まず、反射モードでの動作原理に
ついて説明する。図７は、本実施例による液晶表示装置
の反射領域Ｒでの断面構成を模式的に示している。図７
（ａ）は白表示（明状態）を示し、図７（ｂ）は黒表示
（暗状態）を示している。反射領域Ｒの液晶層２４の観
察者側（図中上方）にはλ／４位相差板４１が配置され
ている。λ／４位相差板４１のさらに観察者側には直線
偏光板４０が配置されている。直線偏光板４０は、紙面
に平行方向の偏光軸を有しているものとする。また、液
晶層２４の観察者側の反対側（図中下方）には、反射電
極２０が配置されている。

【００４６】図８は、本実施例による液晶表示装置の各
光学フィルムの光学軸を観察者側から見た際の配置を示
している。図８に示すように、観察者側のλ／４位相差
板４１の遅相軸４４は、観察者側の直線偏光板４０の偏
光軸４２に対して左回りに４５°回転して配置されてい
る。バックライトユニット側の偏光板３８の偏光軸５０
は、λ／４位相差板３９の遅相軸４８に対して右回りに
４５°回転して配置されている。また、液晶分子６０は
基板面に平行に配向している。

【００４７】図７では、外光を直線偏光板４０の偏光軸
４２に平行な偏光方位を有する直線偏光の光Ｌ１と、そ
れに直交する紙面に垂直な偏光方位を有する直線偏光の
光Ｌ２とで表している。また、反射領域Ｒの液晶層２４
に生じるリタデーション（Δｎ・ｄ１）は、液晶分子６
０が基板面に平行に配向した際にλ／４になり、液晶分
子６０が基板面に垂直に配向した際に０になるものとす
る。

【００４８】図７（ａ）に示すように、外光が観察者側
から直線偏光板４０に入射すると、光Ｌ２は直線偏光板
４０で吸収されてしまい、光Ｌ１だけが直線偏光板４０
を透過する。次に、光Ｌ１は、観察者側から見てその偏
光方位から左回りに４５°回転した遅相軸４４を有する
λ／４位相差板４１に入射すると、観察者側から見て左
回りの円偏光の光Ｌ３になる。次に、光Ｌ３は液晶層２
４に入射する。液晶層２４の液晶分子６０は、電圧が印
加されていない状態で基板面にほぼ平行に配向してい
る。この状態では、液晶分子６０に屈折率異方性が生じ
て、液晶層２４のリタデーションはλ／４になる。これ
により、光Ｌ３は紙面に平行な偏光方位を有する直線偏
光の光Ｌ４となり、反射電極２０で反射して再び液晶層
２４に入射する。光Ｌ４は、液晶層２４のリタデーショ
ンにより観察者側から見て右回りの円偏光の光Ｌ５にな
る。次いで光Ｌ５はλ／４位相差板４１に入射し、紙面
に平行な直線偏光の光Ｌ６となってλ／４位相差板４１
を射出する。光Ｌ６の偏光方位は直線偏光板４０の偏光
軸４２と平行なので直線偏光板４０を透過して観察者側
に射出され、白表示がなされる。

【００４９】一方、図７（ｂ）に示すように、外光が観
察者側から直線偏光板４０に入射すると、光Ｌ２は直線
偏光板４０で吸収されてしまい、光Ｌ１だけが直線偏光
板４０を透過する。次に、光Ｌ１はλ／４位相差板４１
に入射して、観察者側から見て左回りの円偏光の光Ｌ３
となる。次に、光Ｌ３は液晶層２４に入射する。液晶層
２４の液晶分子６０は、所定の電圧が印加された状態で
基板面にほぼ垂直に配向している。この状態では、液晶
分子６０に屈折率異方性が生じないので、液晶層２４の
リタデーションはほぼ０になる。これにより光Ｌ３は観
察者側から見て左回りの円偏光状態を保ったまま反射電
極２０に入射する。光Ｌ３は、反射電極２０で反射され
ても観察者側から見て左回りの円偏光状態を保ち、光Ｌ
７となって再び液晶層２４に入射する。液晶層２４のリ
タデーションはほぼ０であるため、光Ｌ７は観察者側か
ら見て左回りの円偏光状態を保ったままλ／４位相差板
４０に入射し、紙面に垂直な直線偏光の光Ｌ８となって
λ／４位相差板４０を射出する。光Ｌ８の偏光方位は直
線偏光板４０の偏光軸４２に直交するため直線偏光板４
０で吸収されてしまい、光が観察者側に射出されず黒表
示がなされる。

【００５０】次に、透過モードでの動作原理について説
明する。図９は、本実施例による液晶表示装置の透過領
域Ｔでの断面構成を模式的に示している。図９（ａ）は
白表示を示し、図９（ｂ）は黒表示を示している。透過
領域Ｔの液晶層２４のバックライトユニット側（図中下
方）には、λ／４位相差板３９が配置されている。λ／
４位相差板３９のさらにバックライトユニット側には直
線偏光板３８が配置されている。

【００５１】図８に戻り、観察者側のλ／４位相差板４
１の遅相軸４４は、観察者側の直線偏光板４０の偏光軸
４２に対して左回りに４５°回転して配置されている。
バックライトユニット側の偏光板３８の偏光軸５０は、
λ／４位相差板３９の遅相軸４８に対して右回りに４５
°回転して配置されている。

【００５２】図９では、バックライトユニットからの照
明光を直線偏光板３８の偏光軸５０に平行な偏光方位を
有する直線偏光の光Ｌ１１と、それに直交する偏光方位
を有する直線偏光の光Ｌ１２とで表している。また、透
過領域Ｔの液晶層２４に生じるリタデーション（Δｎ・
ｄ２）は、液晶分子６０が基板面に平行に配向した際に
λ／２になり、液晶分子６０が基板面に垂直に配向した
際にほぼ０になるものとする。

【００５３】図９（ａ）に示すように、バックライトユ
ニットからの照明光が直線偏光板３８に入射すると、光
Ｌ１２は直線偏光板３８で吸収されてしまい、光Ｌ１１
だけが直線偏光板３８を透過する。次に、光Ｌ１１は、
観察者側から見てその偏光方位から左回りに４５°回転
した遅相軸４８を有するλ／４位相差板３９に入射する
と、観察者側から見て左回りの円偏光の光Ｌ１３にな
る。次に、光Ｌ１３は液晶層２４に入射する。液晶層２
４の液晶分子６０は、電圧が印加されていない状態で基
板面にほぼ平行に配向している。この状態では、液晶分
子６０に屈折率異方性が生じて、液晶層２４のリタデー
ションはλ／２になる。これにより、光Ｌ１３は観察者
側から見て右回りの円偏光の光Ｌ１４になる。次いで光
Ｌ１４は、λ／４位相差板４１に入射し、紙面に平行な
直線偏光の光Ｌ１５となってλ／４位相差板４１を射出
する。光Ｌ１５の偏光方位は直線偏光板４０の偏光軸４
２と平行なので直線偏光板４０を透過して観察者側に射
出され、白表示がなされる。

【００５４】一方、図９（ｂ）に示すように、バックラ
イトユニットからの照明光が直線偏光板３８に入射する
と、光Ｌ１２は直線偏光板３８で吸収されてしまい、光
Ｌ１１だけが直線偏光板３８を透過する。次に、光Ｌ１
１はλ／４位相差板３９に入射して、観察者側から見て
左回りの円偏光の光Ｌ１６となる。次に、光Ｌ１６は液
晶層２４に入射する。液晶層２４の液晶分子６０は、所
定の電圧が印加された状態で基板面にほぼ垂直に配向し
ている。この状態では、液晶分子６０に屈折率異方性が
生じないので、液晶層２４のリタデーションはほぼ０に
なる。これにより、光Ｌ１６は観察者側から見て左回り
の円偏光状態を保ったまま液晶層２４を射出する。光Ｌ
１６はλ／４位相差板４１に入射し、紙面に垂直な直線
偏光の光Ｌ１７となってλ／４位相差板４１を射出す
る。光Ｌ８の偏光方位は直線偏光板４０の偏光軸４２に
直交するため直線偏光板４０で吸収されてしまい、光が
観察者側に射出されず黒表示がなされる。

【００５５】図１０は本実施例による液晶表示装置の反
射モードでの表示状態を示し、図１１は本実施例による
液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示している。
また、図１０及び図１１の（ａ）は階調電圧が０Ｖの際
の表示状態を示し、（ｂ）は階調電圧が４．３Ｖの際の
表示状態を示している。（ｃ）は階調電圧が５Ｖの際の
表示状態を示し、（ｄ）は階調電圧が８Ｖの際の表示状
態を示している。

【００５６】図１０（ａ）に示すように、複数の開口部
３６は、例えば幅が３６μｍで高さが４μｍの菱形状で
ある。図中左右方向に隣接する開口部３６間の間隔は２
４μｍであり、図中上下方向に隣接する開口部３６間の
間隔は２０μｍである。

【００５７】図１０に示すように、反射モードでの本実
施例による液晶表示装置は、階調電圧が０Ｖの際に白表
示になり、階調電圧が大きくなるとともに表示が暗くな
る。そして本実施例による液晶表示装置は、階調電圧が
８Ｖの際に黒表示になる。また、図１１に示すように、
透過モードでの本実施例による液晶表示装置は、階調電
圧が０Ｖの際に白表示になり、階調電圧が大きくなると
ともに表示が暗くなる。そして本実施例による液晶表示
装置は、階調電圧が８Ｖの際に黒表示になる。このよう
に、本実施例によれば、図１０及び図１１に示すよう
に、反射モード及び透過モードともに良好な表示特性が
得られる。

【００５８】次に、本発明の一実施の形態における第３
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図１２乃至図１４を用いて説明す
る。本実施例では、第２の実施例と異なり、ＴＦＴ基板
２と対向基板４の対向面に、例えばポリイミド樹脂から
なる垂直配向膜が形成されている。両基板２、４は例え
ば３μｍのセルギャップを介して貼り合わされており、
両基板２、４間には負の誘電率異方性を有するネマチッ
ク液晶（Δｎ＝０．０８、Δε＝−４）が封止されてい
る。液晶分子の配向は、液晶分子の長軸の方向が互いに
平行でかつ基板面に垂直なホメオトロピック配向になっ
ている。

【００５９】図１２は、本実施例による液晶表示装置の
各光学フィルムの光学軸を観察者側から見た際の配置を
示している。図８に示す第２の実施例と異なり、電圧が
印加されていない状態での液晶分子６０の配向方位は紙
面に垂直な方向になっている。各光学フィルムの光学軸
の配置は第２の実施例と同様である。

【００６０】図１３は本実施例によるノーマリーブラッ
クモードの液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示
し、図１４は本実施例によるノーマリーブラックモード
の液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示してい
る。また、図１３及び図１４の（ａ）は階調電圧が０Ｖ
の際の表示状態を示し、（ｂ）は階調電圧が４．３Ｖの
際の表示状態を示している。（ｃ）は階調電圧が５Ｖの
際の表示状態を示し、（ｄ）は階調電圧が８Ｖの際の表
示状態を示している。

【００６１】図１３に示すように、反射モードでの本実
施例による液晶表示装置は、階調電圧が０Ｖの際に黒表
示になり、階調電圧が大きくなるとともに表示が明るく
なる。そして本実施例による液晶表示装置は、階調電圧
が８Ｖの際に白表示になる。また、図１４に示すよう
に、透過モードでの本実施例による液晶表示装置は、階
調電圧が０Ｖの際に黒表示になり、階調電圧が大きくな
るとともに表示が明るくなる。そして本実施例による液
晶表示装置は、階調電圧が８Ｖの際に白表示になる。こ
のように、本実施例によれば、図１３及び図１４に示す
ように、反射モード及び透過モードともに良好な表示特
性が得られる。

【００６２】次に、本発明の一実施の形態における第４
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図１５乃至図１７を用いて説明す
る。本実施例による液晶表示装置は、液晶分子６０の配
向方位及び開口部３６の形状を除き、第２の実施例とほ
ぼ同様の構成を有している。

【００６３】図１５は、本実施例による液晶表示装置の
各光学フィルムの光学軸を観察者側から見た際の配置を
示している。図８に示す第２の実施例と異なり、階調電
圧が印加されていない状態での液晶分子６０の配向方位
は、λ／４位相差板４１の遅相軸４４に平行な方向にな
っている。各光学フィルムの光学軸の配置は第２の実施
例と同様である。

【００６４】図１６は本実施例によるノーマリーホワイ
トモードの液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示
し、図１７は本実施例によるノーマリーホワイトモード
の液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示してい
る。また、図１６及び図１７の（ａ）は階調電圧が０Ｖ
の際の表示状態を示し、（ｂ）は階調電圧が４．３Ｖの
際の表示状態を示している。（ｃ）は階調電圧が５Ｖの
際の表示状態を示し、（ｄ）は階調電圧が８Ｖの際の表
示状態を示している。図１６（ａ）に示すように、複数
の開口部３６は、例えば幅が３７μｍで高さが５μｍの
菱形状である。図中左右方向に隣接する開口部３６間の
間隔は２３μｍであり、図中上下方向に隣接する開口部
３６間の間隔は５μｍである。

【００６５】図１６に示すように、反射モードでの本実
施例による液晶表示装置は、階調電圧が０Ｖの際に白表
示になり、階調電圧が大きくなるとともに表示が暗くな
る。そして本実施例による液晶表示装置は、階調電圧が
８Ｖの際に黒表示になる。また、図１７に示すように、
透過モードでの本実施例による液晶表示装置は、階調電
圧が０Ｖの際に白表示になり、階調電圧が大きくなると
ともに表示が暗くなる。そして本実施例による液晶表示
装置は、階調電圧が８Ｖの際に黒表示になる。このよう
に、本実施例によれば、図１６及び図１７に示すよう
に、反射モード及び透過モードともに良好な表示特性が
得られる。

【００６６】次に、本発明の一実施の形態における第５
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図１８乃至図２０を用いて説明す
る。本実施例による液晶表示装置は、開口部３６の形状
を除き、第４の実施例とほぼ同様の構成を有している。

【００６７】図１８は、本実施例による液晶表示装置の
各光学フィルムの光学軸を観察者側から見た際の配置を
示している。各光学フィルムの光学軸の配置は第２の実
施例と同様である。

【００６８】図１９は本実施例によるノーマリーホワイ
トモードの液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示
し、図２０は本実施例によるノーマリーホワイトモード
の液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示してい
る。また、図１９及び図２０の（ａ）は階調電圧が０Ｖ
の際の表示状態を示し、（ｂ）は階調電圧が４．３Ｖの
際の表示状態を示している。（ｃ）は階調電圧が５Ｖの
際の表示状態を示し、（ｄ）は階調電圧が８Ｖの際の表
示状態を示している。図１９（ａ）に示すように、複数
の開口部３６は、例えば幅が３０μｍで高さが６μｍの
長方形状である。図中左右方向に隣接する開口部３６間
の間隔は３０μｍであり、図中上下方向に隣接する開口
部３６間の間隔は２５μｍである。

【００６９】図１９に示すように、反射モードでの本実
施例による液晶表示装置は、階調電圧が０Ｖの際に白表
示になり、階調電圧が大きくなるとともに表示が暗くな
る。そして本実施例による液晶表示装置は、階調電圧が
８Ｖの際に黒表示になる。また、図２０に示すように、
透過モードでの本実施例による液晶表示装置は、階調電
圧が０Ｖの際に白表示になり、階調電圧が大きくなると
ともに表示が暗くなる。そして本実施例による液晶表示
装置は、階調電圧が８Ｖの際に黒表示になる。このよう
に、本実施例によれば、図１９及び図２０に示すよう
に、反射モード及び透過モードともに良好な表示特性が
得られる。

【００７０】次に、本発明の一実施の形態における第６
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図２１を用いて説明する。図２１に
示すように、本実施例による液晶表示装置は、液晶分子
を横電界で駆動するＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置である。ＴＦＴ基
板２上の各画素領域には、櫛歯状の反射電極２１と、反
射電極２１に対向して配置される櫛歯状の共通電極３１
とを有している。反射電極２１と共通電極３１とが形成
された領域は反射領域Ｔになり、両電極２１、３１間の
領域は透過領域Ｒになる。なお、ＴＦＴ基板２及び対向
基板４上に形成される配向膜は、水平配向膜でも垂直配
向膜でもよい。本実施例によっても、第１の実施例と同
様の効果を奏することができる。

【００７１】次に、本発明の一実施の形態における第７
の実施例による液晶表示装置用基板について図２２及び
図２３を用いて説明する。図２２は、本実施例による液
晶表示装置用基板の概略構成を示している。図２２
（ａ）は本実施例によるＴＦＴ基板２の断面構成を示
し、図２２（ｂ）は開口部３６を形成する前のＴＦＴ基
板２の断面を示している。

【００７２】図２２（ａ）に示すように、平坦化膜２８
表面には、複数の凹凸が形成されている。平坦化膜２８
上には反射電極２０が形成されている。反射電極２０表
面には、下層の平坦化膜２８表面に形成された凹凸に対
応する凹凸が形成されている。反射電極２０には複数の
開口部３６が形成されている。開口部３６は、基板面に
対する反射電極２０表面の平均傾斜角が５°以下の図２
２（ｂ）に示す略平坦領域７２に形成されている。

【００７３】図２３は、反射電極２０の平均傾斜角ｋに
よる反射率Ｙの変化を示している。横軸は基板面に対す
る反射電極２０の平均傾斜角ｋ（ｄｅｇ．）を表し、縦
軸は基板面に垂直な方向への反射率Ｙ（％）を表してい
る。入射光には、入射角０°、１５°、３０°及び４５
°の平行光と、積分球を用いた拡散光とが用いられてい
る。

【００７４】図２３に示すように、平行光の入射角が大
きくなるほど、最大の反射率Ｙの得られる平均傾斜角ｋ
は大きくなる。液晶表示装置を使用する実環境では、様
々な方向から光が入射するため、平均傾斜角ｋが５°以
下の領域は実環境での反射特性の向上に寄与しないこと
が分かる。したがって、平均傾斜角ｋが５°以下の略平
坦領域７２に開口部３６を形成することにより、反射特
性の低下を抑えつつ透過特性を向上させることができ
る。本実施例によれば、光利用効率の高い半透過型液晶
表示装置を実現できる。

【００７５】次に、本発明の一実施の形態における第８
の実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液
晶表示装置について図２４乃至図２６を用いて説明す
る。図２４は、本実施例による液晶表示装置用基板及び
それを備えた液晶表示装置の断面構成を示している。な
お、図２４では、反射領域Ｒでのセルギャップｄ１を透
過領域Ｔでのセルギャップｄ２のほぼ半分にする平坦化
膜２８の図示を省略している。図２４に示すように、対
向基板４は、ガラス基板２７上にＣＦ層７０を有してい
る。ＣＦ層７０は、透過領域Ｔでの膜厚が反射領域Ｒで
の膜厚のほぼ２倍になるように形成され、異なる色純度
で形成されている。本実施例によれば、反射モードと透
過モードとの間に色度ずれが生じないため表示特性が向
上する。

【００７６】図２５は、本実施例による液晶表示装置用
基板及びそれを備えた液晶表示装置の変形例を示してい
る。なお、図２５では、反射領域Ｒでのセルギャップｄ
１を透過領域Ｔでのセルギャップｄ２のほぼ半分にする
平坦化膜２８の図示を省略している。図２５に示すよう
に、ＴＦＴ基板２は、反射電極２０上にＣＦ層７０を有
している。ＣＦ層７０の表面はほぼ平坦に形成されてい
るため、ＣＦ層７０は、反射電極２０の形成された反射
領域Ｒと、反射電極２０の形成されていない透過領域Ｔ
とで膜厚が異なるように形成されている。本実施例によ
れば、反射モードと透過モードとの間の色度ずれを抑制
できるため表示特性が向上する。

【００７７】図２６は、本実施例による液晶表示装置用
基板及びそれを備えた液晶表示装置の他の変形例を示し
ている。なお、図２６では、反射領域Ｒでのセルギャッ
プｄ１を透過領域Ｔでのセルギャップｄ２のほぼ半分に
する平坦化膜２８の図示を省略している。図２６に示す
ように、反射電極２０の下層には、反射領域ＲでのＣＦ
層７０の膜厚を調整する膜厚調整膜７４が形成されてい
る。膜厚調整膜７４は、例えばＴＦＴ１４の保護膜（図
示せず）と同一の形成材料で同時に形成されている。Ｃ
Ｆ層７０の表面はほぼ平坦に形成されているため、ＣＦ
層７０は、反射領域Ｒと透過領域Ｔとで膜厚が異なるよ
うに形成されている。本実施例によれば、反射モードと
透過モードとの間の色度ずれを抑制できるため表示特性
が向上する。

【００７８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、低コストで優れた表示特性が得られる液晶表示装置
用基板及びそれを備えた液晶表示装置を実現できる。

【００７９】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、反射
電極２０の表面に形成された凹凸により光散乱特性を向
上させているが、本発明はこれに限られない。反射電極
２０を表面が平坦（鏡面）になるように形成し、観察者
側の対向基板４に前方散乱板を設けることにより光散乱
特性を向上させるようにしてもよい。

【００８０】以上説明した実施の形態による液晶表示装
置及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまと
められる。 （付記１）対向して配置される対向基板とともに液晶を
挟持する基板と、前記基板表面に絶縁膜を介して互いに
交差して形成された複数のバスラインと、前記複数のバ
スラインの交差位置近傍に形成された薄膜トランジスタ
と、前記基板表面側から入射する光を反射させる反射電
極がマトリクス状に形成された複数の反射領域と、前記
反射領域周囲に配置され、前記基板裏面側から入射する
光を前記基板表面側に透過させる透過領域とで構成され
た複数の画素領域とを有することを特徴とする液晶表示
装置用基板。

【００８１】（付記２）付記１記載の液晶表示装置用基
板において、前記反射領域は、前記複数のバスラインの
交差位置の上層に形成されていることを特徴とする液晶
表示装置用基板。

【００８２】（付記３）付記１又は２に記載の液晶表示
装置用基板において、前記反射領域は、前記薄膜トラン
ジスタの上層に形成されていることを特徴とする液晶表
示装置用基板。

【００８３】（付記４）付記１乃至３のいずれか１項に
記載の液晶表示装置用基板において、前記透過領域は、
隣接する前記反射電極間に設けられていることことを特
徴とする液晶表示装置用基板。

【００８４】（付記５）対向して配置される対向基板と
ともに液晶を挟持する基板と、前記基板表面に絶縁膜を
介して互いに交差して形成された複数のバスラインと、
前記複数のバスラインの交差位置近傍に形成された薄膜
トランジスタと、前記基板表面側から入射する光を反射
させる反射電極がマトリクス状に形成された複数の反射
領域と、前記反射電極を開口して形成され、前記基板裏
面側から入射する光を前記基板表面側に透過させる透過
領域とで構成された複数の画素領域とを有することを特
徴とする液晶表示装置用基板。

【００８５】（付記６）付記５記載の液晶表示装置用基
板において、前記透過領域は、多角形状の形状を有して
いることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【００８６】（付記７）付記５又は６に記載の液晶表示
装置用基板において、前記反射電極は表面に凹凸を有し
ていることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【００８７】（付記８）付記７記載の液晶表示装置用基
板において、前記透過領域は、前記反射電極の略平坦領
域に形成されていることを特徴とする液晶表示装置用基
板。

【００８８】（付記９）付記８記載の液晶表示装置用基
板において、前記略平坦領域は、基板面に対する平均傾
斜角が５°以下であることを特徴とする液晶表示装置用
基板。

【００８９】（付記１０）付記１乃至９のいずれか１項
に記載の液晶表示装置用基板において、前記透過領域
は、前記反射領域に対して凹型であることを特徴とする
液晶表示装置用基板。

【００９０】（付記１１）一対の基板と、前記一対の基
板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であっ
て、前記基板の一方は、付記１乃至１０のいずれか１項
に記載の液晶表示装置用基板が用いられていることを特
徴とする液晶表示装置。

【００９１】（付記１２）付記１１記載の液晶表示装置
において、前記基板の一方にカラーフィルタ層を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記透過領域と前記反射領域
とで異なる色純度を有していることを特徴とする液晶表
示装置。

【００９２】（付記１３）付記１２記載の液晶表示装置
において、前記カラーフィルタ層は、前記透過領域と前
記反射領域とが異なる膜厚で形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。

【００９３】（付記１４）付記１３記載の液晶表示装置
において、前記カラーフィルタ層は、前記透過領域が前
記反射領域のほぼ２倍の膜厚で形成されていることを特
徴とする液晶表示装置。

【００９４】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、低コスト
で優れた表示特性が得られる液晶表示装置用基板及びそ
れを備えた液晶表示装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における第１の基本構成
による液晶表示装置を示す図である。

【図２】本発明の一実施の形態における第１の基本構成
による液晶表示装置を示す図である。

【図３】本発明の一実施の形態における第２の基本構成
による液晶表示装置を示す図である。

【図４】本発明の一実施の形態における第１及び第２の
基本構成の組合せによる液晶表示装置を示す図である。

【図５】本発明の一実施の形態における第１の実施例に
よる液晶表示装置に所定の画像を表示させている状態の
顕微鏡写真を示す図である。

【図６】本発明の一実施の形態における第１の実施例に
よる液晶表示装置に所定の画像を表示させている状態を
示す図である。

【図７】本発明の一実施の形態における第２の実施例に
よる液晶表示装置の断面構成を模式的に示す図である。

【図８】本発明の一実施の形態における第２の実施例に
よる液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図である。

【図９】本発明の一実施の形態における第２の実施例に
よる液晶表示装置の断面構成を模式的に示す図である。

【図１０】本発明の一実施の形態における第２の実施例
による液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示す図
である。

【図１１】本発明の一実施の形態における第２の実施例
による液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示す図
である。

【図１２】本発明の一実施の形態における第３の実施例
による液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図である。

【図１３】本発明の一実施の形態における第３の実施例
による液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示す図
である。

【図１４】本発明の一実施の形態における第３の実施例
による液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示す図
である。

【図１５】本発明の一実施の形態における第４の実施例
による液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図である。

【図１６】本発明の一実施の形態における第４の実施例
による液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示す図
である。

【図１７】本発明の一実施の形態における第４の実施例
による液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示す図
である。

【図１８】本発明の一実施の形態における第５の実施例
による液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図である。

【図１９】本発明の一実施の形態における第５の実施例
による液晶表示装置の反射モードでの表示状態を示す図
である。

【図２０】本発明の一実施の形態における第５の実施例
による液晶表示装置の透過モードでの表示状態を示す図
である。

【図２１】本発明の一実施の形態における第６の実施例
による液晶表示装置の構成を示す図である。

【図２２】本発明の一実施の形態における第７の実施例
による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図２３】本発明の一実施の形態における第７の実施例
の前提となる平均傾斜角に対する反射率を示す図であ
る。

【図２４】本発明の一実施の形態における第８の実施例
による液晶表示装置の構成を示す図である。

【図２５】本発明の一実施の形態における第８の実施例
による液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。

【図２６】本発明の一実施の形態における第８の実施例
による液晶表示装置の構成の他の変形例を示す図であ
る。

【図２７】従来の半透過型液晶表示装置の構成を示す図
である。

【図２８】従来の半透過型液晶表示装置の構成を示す断
面図である。

【符号の説明】

２ ＴＦＴ基板 ４ 対向基板 １０ ゲートバスライン １２ ドレインバスライン １４ ＴＦＴ １６ ドレイン電極 １８ ソース電極 ２０、２１ 反射電極 ２２ コンタクトホール ２４ 液晶層 ２６、２７ ガラス基板 ２８ 平坦化膜 ３０、３１ 共通電極 ３２、３４ 偏光板 ３６ 開口部 ３８、４０ 直線偏光板 ３９、４１ λ／４位相差板 ４２、５０ 偏光軸 ４４、４８ 遅相軸 ６０ 液晶分子 ７０ ＣＦ層 ７２ 略平坦領域 ７４ 膜厚調整膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 規生 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田代 国広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小池 善郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Y FD04 FD07 FD14 FD22 FD23 GA13 LA03 LA11 LA12 LA15 LA18 2H092 GA13 GA14 HA05 JB13 JB38 JB58 NA01 NA27 NA29 PA04 PA05 PA06 PA10 QA06 QA07

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】対向して配置される対向基板とともに液晶
   を挟持する基板と、 前記基板表面に絶縁膜を介して互いに交差して形成され
   た複数のバスラインと、 前記複数のバスラインの交差位置近傍に形成された薄膜
   トランジスタと、 前記基板表面側から入射する光を反射させる反射電極が
   マトリクス状に形成された複数の反射領域と、前記反射
   領域周囲に配置され、前記基板裏面側から入射する光を
   前記基板表面側に透過させる透過領域とで構成された複
   数の画素領域とを有することを特徴とする液晶表示装置
   用基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記反射領域は、前記複数のバスラインの交差位置の上
   層に形成されていることを特徴とする液晶表示装置用基
   板。
3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基
   板において、 前記透過領域は、隣接する前記反射電極間に設けられて
   いることことを特徴とする液晶表示装置用基板。
4. 【請求項４】対向して配置される対向基板とともに液晶
   を挟持する基板と、 前記基板表面に絶縁膜を介して互いに交差して形成され
   た複数のバスラインと、 前記複数のバスラインの交差位置近傍に形成された薄膜
   トランジスタと、 前記基板表面側から入射する光を反射させる反射電極が
   マトリクス状に形成された複数の反射領域と、前記反射
   電極を開口して形成され、前記基板裏面側から入射する
   光を前記基板表面側に透過させる透過領域とで構成され
   た複数の画素領域とを有することを特徴とする液晶表示
   装置用基板。
5. 【請求項５】請求項４記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記反射電極は表面に凹凸を有していることを特徴とす
   る液晶表示装置用基板。
6. 【請求項６】請求項５記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記透過領域は、前記反射電極の略平坦領域に形成され
   ていることを特徴とする液晶表示装置用基板。
7. 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液
   晶表示装置用基板において、 前記透過領域は、前記反射領域に対して凹型であること
   を特徴とする液晶表示装置用基板。
8. 【請求項８】一対の基板と、前記一対の基板間に封入さ
   れた液晶とを有する液晶表示装置であって、 前記基板の一方は、請求項１乃至７のいずれか１項に記
   載の液晶表示装置用基板が用いられていることを特徴と
   する液晶表示装置。
9. 【請求項９】請求項８記載の液晶表示装置において、 前記基板の一方にカラーフィルタ層を有し、 前記カラーフィルタ層は、前記透過領域と前記反射領域
   とで異なる色純度を有していることを特徴とする液晶表
   示装置。
10. 【請求項１０】請求項９記載の液晶表示装置において、 前記カラーフィルタ層は、前記透過領域と前記反射領域
    とが異なる膜厚で形成されていることを特徴とする液晶
    表示装置。