JP4607237B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法について図1乃至図11を用いて説明する。本実施の形態は、従来例として既に説明した2つの液晶表示装置の優れた点を抽出して組み合わせ、さらには通常の透過型液晶表示装置の製造プロセスを変更する必要のないように工夫したものである。
本実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置について図2乃至図5を用いて説明する。図2は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示している。図2に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン及びドレインバスラインと、画素毎に形成されたTFT及び画素電極とを備えたTFT基板2を有している。また、液晶表示装置は、共通電極が形成された対向基板4と、両基板2、4間に封止された液晶(図示せず)とを有している。
次に、本実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置について図6乃至図8を用いて説明する。図6は、本実施例による液晶表示装置のほぼ1画素分の構成を示している。図7は、本実施例と比較するための従来の液晶表示装置の構成を示している。本実施例では、従来の液晶表示装置と異なり、TFT20のソース/ドレイン電極と同一の形成材料からなる蓄積容量電極19上のBM68’が形成されていない。また、本実施例では、対向基板側に配向規制用の突起70が設けられている。突起70は、電極ユニット60のほぼ中央に配置されている。また、蓄積容量電極19上の突起70は十字状に形成されている。これにより、反射板として用いられる蓄積電極19上で液晶の配向分割が行われ、視野角特性の優れた反射表示が実現できる。
次に、本実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置について図9を用いて説明する。これまでの実施例では、反射型も透過型も同一の電圧を印加するようになっている。しかし、透過領域では光が一回しか通過しないのに対して、反射領域では光は往復で2回通過する。このため、反射領域における光学効果は透過領域の2倍となり、例えば透過領域で白を表示しているときには、反射領域では黄色味を帯びてしまうことになる。透過表示の際には反射領域が蓄積容量電極19に隠れて見えないため問題にならないが、反射表示の際にはこの黄色味を帯びる現象は問題となる。このため、本実施例では反射表示を行う際には、駆動電圧を下げることとした。
次に、本実施の形態の実施例1−4による液晶表示装置及びその製造方法について図10及び図11を用いて説明する。図10は、本実施例による液晶表示装置の画素の一部の構成を示している。図10に示すように、アルミニウム(Al)とチタン(Ti)とをこの順に成膜した積層膜からなる蓄積容量電極19上の大部分には、保護膜(図示せず)が開口された開口部(コンタクトホール)76が形成されている。開口部76では、蓄積容量電極19の上層のTi層もエッチング除去されており、下層のAl層表面が反射面として露出している。また、保護膜上に形成された電極ユニット60(画素電極16、あるいは図10中の接続電極64)は、開口部76を介して蓄積容量電極19に電気的に接続されている。
次に、本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置について図12乃至図30を用いて説明する。半透過型(反射透過型)液晶表示装置は、明るい環境下では外光を利用して反射表示を行い、暗い環境下ではバックライトを利用して透過表示を行うものである。反射型液晶表示装置は暗い環境下では表示が見づらく、透過型液晶表示装置は明るい環境下では表示が見づらくなる。半透過型液晶表示装置は、明るさの異なる環境下で見やすい表示を選択できるため、携帯型情報端末等に広く用いられている。
(実施例2−1)
本実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置について図24乃至図30を用いて説明する。図24は、本実施例による液晶表示装置の反射突起物の配置を示している。図25は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す写真である。図24及び図25に示すように、TFT基板2上には、線状突起70とその上層の反射膜56とが反射突起物として形成されている。線状突起70は、レジスト(シプレーファーイースト製)を用いて画素電極16上に形成されている。線状突起70の断面形状は凸型であり、平均傾斜角が8°、ピーク高さが1.5μmである。線状突起70は、画素電極16端辺に対してほぼ平行又は約45°の角度をなすように形成されている。反射膜56は、線状突起70上に選択的に形成されている。反射膜56は画素毎に電気的に独立して形成され、各画素電極16に電気的に接続されている。また、隣り合う線状突起70の間隙部にはスリット62が形成されている。線状突起70とスリット62とは共にTFT基板2上に形成されている。
次に、本実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置について説明する。本実施例では、突起70の一部に代えて窪み71を形成し、反射膜56と画素電極16とを電気的に分離した。また、隣り合う突起70又は窪み71の間隙部に液晶6を介して対向する領域の対向基板4上にスリット62を形成した。上記以外は、実施例2−1と同様の液晶表示装置を作製した。窪み71は、レジストを用いて断面形状が凹型、平均傾斜角が8°、ピーク高低差が1.5μmになるように形成した。また、突起70及び窪み71上には、画素電極16から電気的に分離されるように反射膜56を形成した。反射及び透過の両表示モードで配向観察を行った。その結果、突起70近傍では透過表示において、窪み71近傍では反射表示において、図26及び図27に示す配向写真と同様に配向不良のない配向状態が得られた。突起70上及び窪み71上の反射膜56と画素電極16とを電気的に分離して別々に駆動させることにより、突起70及び窪み71の傾斜面による配向方位と電界歪みによる配向方位とが一致し、液晶6の配向が安定することを確認できた。
次に、本実施の形態の実施例2−3による液晶表示装置について説明する。本実施例では、突起70上の反射膜56にスリット62を形成した。また、隣り合う突起70の間隙部に液晶6を介して対向する領域の対向基板4上にスリット62を形成し、突起70の間隙部のTFT基板2上にはスリット62を形成しなかった。上記以外は実施例2−1と同様の液晶表示装置を作製した。反射及び透過の両表示モードで配向観察を行った。その結果、各表示モードにおいて図26及び図27に示す配向写真と同様に配向不良のない配向状態が得られた。突起70上の反射膜56にスリット56を形成したため、突起70の傾斜面による配向方位と電界歪みによる配向方位とが一致し、液晶6の配向が安定することを確認できた。
次に、本実施の形態の実施例2−4による液晶表示装置について説明する。本実施例では、窪み71上の反射膜56と画素電極16とを電気的に接続したこと以外は実施例2−2と同様に液晶表示装置を作製した。反射及び透過の両表示モードで配向観察を行った。その結果、各表示モードにおいて図26及び図27に示す配向写真と同様に配向不良のない配向状態が得られた。窪み71に液晶6を介して対向する領域の対向基板4上にスリット56を形成したため、窪み71の傾斜面による配向方位と電界歪みによる配向方位とが一致し、液晶6の配向が安定することを確認できた。
次に、本実施の形態の実施例2−5による液晶表示装置について説明する。本実施例では、液晶の屈折率より大きい屈折率1.7の透明樹脂(JSR製)を用いて凸型の断面形状を有する突起70を形成し、突起70の下層に反射膜56を選択的に形成した。また、隣り合う突起70の間隙部に液晶6を介して対向する領域の対向基板4上にスリット62を形成し、突起70の間隙部のTFT基板2上にはスリット62を形成しなかった。上記以外は実施例2−1と同様の液晶表示装置を作製した。反射及び透過の両表示モードで配向観察を行った。その結果、各表示モードにおいて図26及び図27に示す配向写真と同様に配向不良のない配向状態が得られた。突起70の下層に反射膜56を選択的に形成することにより、突起70及び反射膜56は絶縁性突起として機能する。このため、突起70の傾斜面による配向方位と電界歪みによる配向方位とが一致し、液晶6の配向が安定することを確認できた。
(付記1)
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止され、電圧無印加時に前記基板に対してほぼ垂直に配向する液晶と、
前記一対の基板の外側にそれぞれ配置された一対の1/4波長板と、
前記一対の1/4波長板の外側にそれぞれ配置された一対の偏光板と、
ほぼ平坦な反射面を有し、前記一対の基板の一方側から入射する光を反射する反射板を備えた反射領域と、前記一対の基板の他方側から入射する光を前記一対の基板の一方側に透過させる透過領域とを備えた画素領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
付記1記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方の外側に配置された光散乱層をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
付記2記載の液晶表示装置において、
前記光散乱層は、所定範囲の入射角で入射する光のみを散乱させること
を特徴とする液晶表示装置。
付記1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタの電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、前記画素領域毎に形成された蓄積容量の一方の電極であること
を特徴とする液晶表示装置。
付記1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、基板面に垂直方向に見て、前記画素領域毎に形成された画素電極に重なって配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記6記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、前記画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記6記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、前記画素電極から電気的に分離されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、基板面に垂直方向に見て、前記画素領域毎に形成された画素電極に重ならないように配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記1乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射面のうち少なくとも一部は、アルミニウムで形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記10記載の液晶表示装置において、
前記反射板は、アルミニウム以外からなる導電層と、前記導電層の下層に形成され、前記導電層が除去された領域で表面が露出したアルミニウム層とを有していること
を特徴とする液晶表示装置。
付記11記載の液晶表示装置において、
前記アルミニウム層を覆って透明電極が形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記11又は12に記載の液晶表示装置において、
前記導電層は、チタン層であること
を特徴とする液晶表示装置。
アルミニウム層とアルミニウム以外からなる導電層とをこの順に形成する工程と、
前記導電層及び前記アルミニウム層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記導電層上に絶縁層を形成する工程と、
前記導電層上の前記絶縁層を除去して開口部を形成した後に、前記開口部を介して露出した前記導電層を除去して前記アルミニウム層を露出させ、反射板の反射面を形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
付記14記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記アルミニウム層を覆う形で透明電極を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(付記16)
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止され、負の誘電率異方性を有する液晶と、
前記一対の基板の一方の画素領域毎に形成された画素電極と、
前記一対の基板の少なくとも一方に平面形状が直線で構成された配向規制用構造物と、
前記配向規制用構造物の傾斜面上を含む当該配向規制用構造物上に選択的に形成された反射膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
付記16記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は突起であること
を特徴とする液晶表示装置。
付記17記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は窪みであること
を特徴とする液晶表示装置。
付記18記載の液晶表示装置において、
前記液晶を介して前記窪みに対向して配置された第2の配向規制用構造物をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至19のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記傾斜面の平均傾斜角は、概ね0°以上20°未満であること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至20のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
隣り合う前記配向規制用構造物の間隙部に形成された第3の配向規制用構造物をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至21のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射膜の一部が除去されたスリットをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止され、負の誘電率異方性を有する液晶と、
前記一対の基板の一方の画素領域毎に形成された画素電極と、
前記一対の基板の少なくとも一方に平面形状が直線で構成された配向規制用構造物と、
前記配向規制用構造物の下層に選択的に形成された反射膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
付記23記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は突起であること
を特徴とする液晶表示装置。
付記24記載の液晶表示装置において、
前記突起は、凸型の断面形状を有し、前記液晶より屈折率の大きい透明材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至25のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は、前記画素電極端辺に対してほぼ平行又はほぼ直交又は約45°の角度をなすように延びること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至26のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射膜は、前記画素電極から電気的に分離されていること
を特徴とする液晶表示装置。
付記16乃至26のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記反射膜は、前記画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
4 対向基板
6 液晶
10、11 ガラス基板
12 ゲートバスライン
14 ドレインバスライン
16 画素電極
18 蓄積容量バスライン
19 蓄積容量電極
20 TFT
30 絶縁膜
42 共通電極
50、51 1/4波長板
52 光路制御フィルム
54 反射板
56 反射膜
60 電極ユニット
62 スリット
64 接続電極
66 スペース
68 BM
70 突起
71 窪み
72 TACフィルム
74 光学フィルム
76 開口部
78 配向制御傾斜部
80 ゲートバスライン駆動回路
82 ドレインバスライン駆動回路
84 制御回路
86、87 偏光板
88 バックライトユニット
90、95 吸収軸
91、94 光学軸
Claims (10)
- 対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止され、電圧無印加時に前記基板に対してほぼ垂直に配向する液晶と、
前記一対の基板の外側にそれぞれ配置された一対の1/4波長板と、
前記一対の1/4波長板の外側にそれぞれ配置された一対の偏光板と、
前記一対の基板の一方側から入射する光を反射する反射板を備えた反射領域と、前記一対の基板の他方側から入射する光を前記一対の基板の一方側に透過させる透過領域とを備えた画素領域とを有する液晶表示装置であって、
前記反射板は、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタの電極と同一の形成材料且つ同一の層で形成されてなり、
基板面に垂直方向に見て、前記反射板を覆って前記画素領域毎に形成された透明画素電極が形成されており、
前記反射板の上部には前記薄膜トランジスタの保護膜を形成する絶縁層が一部に形成されてなり、該絶縁層の形成されていない開口部から該反射板が露出してなり、該露出した反射板に接して該透明画素電極が形成されてなること
を特徴とする液晶表示装置。 - 前記反射板は、前記画素領域毎に形成された蓄積容量の一方の電極であること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記一対の基板の一方の外側に配置された光散乱層を有すること
を特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 前記反射板のうち少なくとも一部は、アルミニウムで形成されていること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - アルミニウム層とアルミニウム以外からなる導電層とが薄膜トランジスタ構成電極として形成されてなり、
前記導電層及び前記アルミニウム層は、前記絶縁層が除去された開口部から露出しており、特に、前記アルミニウム層が露出して前記反射板の反射面を形成していること
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記光散乱層は、所定範囲の入射角で入射する光のみを散乱させること
を特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。 - 前記反射板は、前記透明画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記反射板は、前記透明画素電極から電気的に分離されていること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記導電層は、チタン層であること
を特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。 - 薄膜トランジスタ基板上の透明電極の材質が対向基板上の透明電極と同一材料で構成されていること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
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