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JP2002082331A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Publication number
JP2002082331A
JP2002082331A JP2000270480A JP2000270480A JP2002082331A JP 2002082331 A JP2002082331 A JP 2002082331A JP 2000270480 A JP2000270480 A JP 2000270480A JP 2000270480 A JP2000270480 A JP 2000270480A JP 2002082331 A JP2002082331 A JP 2002082331A
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JP
Japan
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liquid crystal
light
crystal display
display device
opening
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000270480A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Yamada
義孝 山田
Yasuyuki Hanazawa
康行 花澤
Masaki Kinoshita
正樹 木下
Akio Murayama
昭夫 村山
Yasuharu Tanaka
康晴 田中
Ryoichi Watanabe
良一 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000270480A priority Critical patent/JP2002082331A/ja
Priority to TW090121785A priority patent/TWI230825B/zh
Priority to KR1020010054090A priority patent/KR20020020192A/ko
Priority to US09/946,365 priority patent/US6753938B2/en
Publication of JP2002082331A publication Critical patent/JP2002082331A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造プロセスを複雑にすることなく反射率の低
下を防止する。 【解決手段】液晶表示装置は複数の画素電極２を含む電
極基板Ｇ１と、複数の画素電極２に対向する対向電極１
２を含む電極基板Ｇ２と、電極基板Ｇ１，Ｇ２間に挟持
され各画素電極２により規定される画素の反射光および
透過光を変調する液晶層ＬＱとを備える。特に、各画素
電極２は入射光を反射する導電性光反射膜２Ｒおよび入
射光を透過させるために導電性光反射膜２Ｒの欠落部と
して形成される少なくとも１つの開口２Ｈを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光反射および光透
過併用方式で画像を表示する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話やポケットベル（登録商
標）のような携帯端末の表示装置は、数字や文字などの
単純なキャラクタ表示を行うことを目的としていたが、
近年の情報技術の飛躍的な発展に伴い、携帯端末におい
ても高精細カラー画像を表示でき小型軽量で薄く、さら
に低消費電力であるような表示装置の実用化が望まれて
いる。
【０００３】例えば反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置はこの要望を満たす表示装置として有力視さ
れ、一部実用化されつつある。この液晶表示装置は日中
の屋外において内部光源を必要とせずに見やすい画像を
表示できるが、この画像を夜間の暗闇において表示して
もほとんど確認できないことから使用環境上の制限があ
る。
【０００４】この対策として、フロントライト技術が提
案されている。この技術では、反射型液晶表示装置の表
示面が外光の照度を補う透明な面光源で覆われる。この
面光源は液晶表示装置の内部構造の変更を必要としない
が、反射光量の低下、画像のにじみ、奥行き感の増大等
により高精細画像の画質を低下させてしまう。
【０００５】このような事情により、特開平１１−３１
６３８２は光反射および光透過併用方式で画像を表示す
る液晶表示装置を提案する。この液晶表示装置では、各
画素電極が導電性光反射膜および導電性光透過膜の組み
合わせにより構成される。導電性光反射膜は日中の屋外
などの高照明環境で光反射方式の画像表示を行うために
外光を反射し、導電性光透過膜は夜間などの低照明環境
で光透過方式の画像表示を行うためにバックライト光を
透過する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら光反射
膜および光透過膜はそれぞれ独立なプロセスで所定形状
に形成されるため、これが歩留まりの低下および製造コ
ストの上昇を招き、さらに光反射膜と光透過膜との重な
りによる反射率の低下から明るい画像を得ることが難し
いという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、上述した問題点を解消
し、製造プロセスを複雑にすることなく反射率の低下を
防止できる液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光反射
および光透過併用方式で画像を表示する液晶表示装置で
あって、複数の画素電極を含む第１電極基板と、複数の
画素電極に対向する対向電極を含む第２電極基板と、第
１および第２電極基板間に挟持され各画素電極により規
定される画素の反射光および透過光を変調する液晶層と
を備え、各画素電極は入射光を反射する導電性光反射膜
および入射光を透過させるために導電性光反射膜の欠落
部として形成される少なくとも１つの開口を有する液晶
表示装置が提供される。
【０００９】この液晶表示装置では、各画素電極が入射
光を反射する導電性光反射膜および入射光を透過させる
ために導電性光反射膜の欠落部として形成される少なく
とも１つの開口を有する。この開口は導電性光反射膜を
所定形状にするパターニングで同時に形成できるため、
製造プロセスが複雑化することがない。さらに、この開
口は導電性光反射膜に重なって反射率を低下させるＩＴ
Ｏ(Indium Titan Oxide)のような導電性光透過膜を必要
とせずに入射光を透過させることができる。従って、こ
の液晶表示装置は反射光および透過光を併用してより明
るく高精細な画像を表示でき、しかも低コストで製造可
能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
アクティブマトリックス液晶表示装置について図１およ
び図２を参照して説明する。この液晶表示装置は光反射
および光透過併用方式でカラー画像を表示するものであ
り、カラー画像はＶＧＡ×ＲＧＢの解像度で対角約１０
ｃｍの画面に表示される。
【００１１】図１はこの液晶表示装置の断面構造を示
し、図２はこの液晶表示装置の平面構造を示す。この液
晶表示装置は電極基板Ｇ１およびＧ２、およびこれら電
極基板Ｇ１およびＧ２間に挟持される液晶層ＬＱを備え
る。液晶層ＬＱは屈折率異方性Δｎ≒０．０８、比誘電
率ε／ε０≒＋８のネマティック液晶を含む液晶材料で
構成され、この液晶材料は電極基板Ｇ１およびＧ２間に
おいて周辺シール材により取り囲まれる。電極基板Ｇ１
およびＧ２はこの周辺シール材によって貼り合わされる
ことにより液晶層ＬＱと一体化する。
【００１２】電極基板Ｇ１はガラス板等の光透過性絶縁
基板１、マトリックス状に配置され各々画素を構成する
液晶分子の配列を制御する電界を液晶層ＬＱに印加する
複数の画素電極２、これら画素電極２の行に沿って配置
される複数の走査線３、これら画素電極２の列に沿って
配置される複数の信号線４、各々対応走査線３および対
応信号線４の交差位置近傍にスイッチング素子として配
置される複数の画素用薄膜トランジスタ５、および複数
の画素電極２を覆って形成され配向膜Ａ１を含む。各薄
膜トランジスタ５は対応走査線３に接続されるゲート、
対応画素電極２に接続されるソース、および対応信号線
４に接続されるドレインを有する。複数の走査線３は絶
縁基板１上に形成され、これら走査線３および絶縁基板
１は光透過性層間絶縁膜６により覆われる。複数の画素
電極２、複数の信号線４、および複数の薄膜トランジス
タ５はこの絶縁膜６上に形成される。各画素電極２は入
射光を反射する導電性光反射膜２Ｒおよび入射光を透過
させるために導電性光反射膜２Ｒの欠落部として形成さ
れる少なくとも１つの開口２Ｈを有する。ここで、層間
絶縁膜６は凹凸を形成した透明樹脂表面を持ち、複数の
画素電極２は絶縁膜６の透明樹脂表面上に形成される厚
さ０．２μｍの導電性光反射膜２Ｒを所定のマスクパタ
ーンを用いてパターニングすることにより少なくとも１
個の開口２Ｈと共に形成される。導電性光反射膜２Ｒは
絶縁膜６の透明樹脂表面に対応した高低差約１μｍの凹
凸構造を持ち、これにより反射光を拡散する。図１およ
び図２では、２Ａが導電性光反射膜２Ｒの凸部を表し、
２Ｂが導電性光反射膜２Ｒの凹部を表す。各画素電極２
により規定される画素のサイズは横４０μｍ×縦１００
μｍである。この場合、例えば１５個の開口２Ｈが主に
この導電性反射膜２Ｒの凹部２Ｂに不規則に配置され
る。各開口は直径４μｍの円形状である。また、開口２
Ｈの面積は画素電極２の面積に対して最大で５％程度の
割合を占めるように設定される。このため、画素電極２
の面積に対する導電性光反射膜２Ｒの面積比率の低下は
実質的に無視できるほど小さい。
【００１３】電極基板Ｇ２は、ガラス板等の光透過性絶
縁基板１０、この絶縁基板１０上に形成されるカラーフ
ィルタ１１、複数の画素電極２に対向するようカラーフ
ィルタ１１上に形成される光透過性対向電極１２、この
対向電極１２を覆って形成される配向膜Ａ２を含む。カ
ラーフィルタ１１は赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）とい
う３色の着色層により構成される。これら着色層は複数
の画素電極２にそれぞれ対向し、これら画素電極２の間
隙に対向するブラックマトリックスとして絶縁基板１０
上に形成される遮光層１３により露出部ＯＰを残してそ
れぞれ取り囲まれる。電極基板Ｇ１の配向膜１Ａ２およ
び電極基板Ｇ２の配向膜Ａ２は液晶層ＬＱの液晶分子を
約７０゜でツイスト配向するように配向処理される。
【００１４】液晶層ＬＱは導電性光反射膜２Ｒに対応す
る光反射領域において電極基板Ｇ１およびＧ２によって
２μｍから５μｍの範囲に設定されるセルギャップｄ１
を持ち、開口２Ｈの直径ｗとセルギャップｄ１との比ｗ
／ｄは０．１から３の範囲に設定される。また、液晶層
ＬＱは開口２Ｈに対応する光透過領域において電極基板
Ｇ１およびＧ２によってセルギャップｄ１より０．１μ
ｍ以上厚く設定されるセルギャップｄ２を持つ。実際の
セルギャップｄ１はリタデーション値Δｎ・ｄ１を約２
４０ｎｍとして光反射領域の反射率をおおよそ最高とす
るよう平均３μｍに設定される。また、実際のセルギャ
ップｄ２は光反射膜２Ｒの膜厚０．２μｍおよびその高
低差の半分である約０．５μｍをセルギャップｄ１に加
算した値として平均３．７μｍに設定されている。尚、
電極基板Ｇ１およびＧ２は各開口２Ｈの透過光を金属配
線のような不透明部材によって遮らないように構成され
る。
【００１５】この液晶表示装置はさらに絶縁基板１の背
面に固定される１／４波長板７、この波長板７に貼付け
られる偏光板８、絶縁基板１０の背面に固定される１／
４波長板１４、この波長板１４に貼付けられる偏光板１
５、および偏光板８全体に光を入射させるように配置さ
れるバックライトＢＬを備える。このバックライトＢＬ
は約１０００カンデラ毎平方メートルの輝度を持つ。
【００１６】次に、上述の液晶表示装置の動作原理につ
いて説明する。
【００１７】開口２Ｈは電極として機能する導電性を持
たないため、開口２Ｈに対応する光透過領域の液晶分子
配列を制御できないと思われ易い。しかし、この液晶分
子配列は実際のところ開口２Ｈを取り囲む導電性光反射
膜２Ｒの端部から信号電圧Ｖｓｉｇに対応して印加され
る電界により制御される。この導電性光反射膜２Ｒの電
位はこの端部から液晶層ＬＱ側および電極基板Ｇ１の背
面側へ漏れる。従って、液晶層ＬＱ側への漏れ電位Ｖ１
と電極基板Ｇ１の背面側への漏れ電位Ｖ２との和が信号
電圧Ｖｓｉｇにほぼ等しくなる（Ｖ１＋Ｖ２≒Ｖｓｉ
ｇ）。
【００１８】電極基板Ｇ１の背面側への漏れ電位Ｖ２が
十分小さい（Ｖ２≒０）場合には、液晶層ＬＱ側への漏
れ電位Ｖ１が信号電圧Ｖｓｉｇにほぼ等しくなり（Ｖ１
≒Ｖｓｉｇ）、この漏れ電位Ｖ１を利用して液晶分子配
列を制御することが可能である。
【００１９】本願発明者等はコンピュータシミュレーシ
ョンにより液晶層ＬＱにおいて画素電極２および対向電
極１２間の電位分布を検討した。この結果、漏れ電位Ｖ
１およびＶ２の関係が開口２Ｈの最小幅ｗとセルギャッ
プｄとの比ｗ／ｄに大きく依存することを見いだした。
【００２０】具体的には、ｗ／ｄが図７に示すように１
以下の場合、漏れ電位Ｖ２が非常に小さく、実質的に漏
れ電位Ｖ１が信号電圧Ｖｓｉｇに等しいとみなせる（Ｖ
１≒Ｖｓｉｇ）。漏れ電位Ｖ２はｗ／ｄが大きくなるに
つれて加速度的に大きくなり、Ｖ１≪Ｖｓｉｇとなる。
実用的には、ｗ／ｄが図８に示すように３以下であれ
ば、液晶分子配列が開口２Ｈに対応する光透過領域の略
全てにおいて電界の変化に応答することを確認した。
【００２１】例えばＶｓｉｇ＝４Ｖ、ｄ＝３μｍ、ｗ＝
４μｍの場合、ｗ／ｄ＝１．３でシミュレーションを行
った結果として漏れ電位Ｖ１≒３Ｖとなり、液晶分子配
列を制御可能である。但し、幅ｗをサブミクロンオーダ
まで小さくしてしまうと、可視光線による回折効果が顕
著になり、十分な光透過率が得られなくなってしまう。
従って、幅ｗをサブミクロンオーダまで小さくすること
は不適当である。
【００２２】本願発明者等の検討によれば、セルギャッ
プｄが２μｍから５μｍまでの範囲にある場合に、ｗ／
ｄが０．１から３の範囲に設定されることが望ましいと
いう結果を得た。
【００２３】さらに、発明者等は開口２Ｈの形態につい
て検討した。光透過領域の出射輝度はバックライトＢＬ
の輝度Ｌと、液晶層ＬＱの透過率Ｔの積Ｌ×Ｔに比例す
る。この透過率Ｔは各画素電極２に占める開口２Ｈの総
面積に比例する。単一の開口２Ｈが画素電極２に設けら
れ、この開口２Ｈの面積Ｓ０によって光透過領域を決定
する場合、上述したｗ／ｄの制約から、面積Ｓ０が画素
に必要な総面積Ｓ１に対して不足することが考えられ
る。このような理由により、開口２Ｈの数はこの面積Ｓ
１を得るために必要に応じて増大される。また、開口２
Ｈが円形状である場合、開口２Ｈでの電位ロスが少ない
というメリットがあるが、光透過領域を決定する面積上
の制約が大きい。これに対して、開口２Ｈがスリット形
状である場合、電極基板Ｇ１の背面側への漏れ電位Ｖ２
に対応する電位ロスがやや大きくなるが、光透過領域を
決定する面積上の制約が円形状の場合よりも少ない。従
って、これら円形状およびスリット形状はそれぞれの特
徴を考慮して使い分けることが好ましい。
【００２４】この液晶表示装置は、導電性光反射膜２Ｒ
に対応した光反射領域で図３および図４に示す光学的な
スイッチングを行い、開口２Ｈに対応した光透過領域で
図５および図６に示す光学的なスイッチングを行う。こ
こで、画像輝度信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する明暗表
示の極性は光反射領域と光透過領域とで同じであること
が実用上望ましい。
【００２５】図３は明表示状態にある光反射領域を示
し、図４は暗表示状態にある光反射領域を示す。この光
反射領域では、ノーマリホワイト表示が偏光板１５、１
／４波長板１４、およびツイステッドネマティック液晶
構成の液晶層ＬＱを組み合わせた光反射方式で行われ
る。具体的には、電圧無印加時、ネマティック液晶分子
はツイスト配向して１／４波長板として機能し、さらに
偏光板１５および１／４波長板１４との組み合わせによ
り光反射領域を図３に示す明表示状態にする。これに対
して、電圧印加時、液晶分子は垂直配向して１／４波長
板の機能を失い、偏光板１５で反射光を遮断することに
より光反射領域を図４に示す暗表示状態にする。
【００２６】図５は明表示状態にある光透過領域を示
し、図６は暗表示状態にある光透過領域を示す。この光
透過領域では、光反射領域と同様のノーマリホワイト表
示が偏光板１５の透過軸および１／４波長板１４の遅相
軸との角度関係と偏光板８の透過軸および１／４波長板
７の角度関係と相対的に同じになるように配置してこれ
ら偏光板１５、１／４波長板１４、偏光板８、１／４波
長板７およびツイステッドネマティック液晶構成の液晶
層ＬＱを組み合わせた光透過方式で行われる。具体的に
は、バックライトＢＬからの光が偏光板８および１／４
波長板７を経て略円偏光状態となり開口２Ｈに入射す
る。電圧無印加時、ネマティック液晶分子はツイスト配
向して１／４波長板として機能し、これにより円偏光を
直線偏光に変換し、さらに１／４波長板１４で再び円偏
光状態とし、光強度の約１／２が直線偏光板１５を通過
することにより光透過領域を図５に示す明表示状態にす
る。これに対して、電圧印加時、液晶分子は垂直配向し
て１／４波長板の機能を失う。このとき、偏光板８から
出た直線偏光は１／４波長板７により円偏光され、１／
４波長板１４により再び直線偏光状態となる。この直線
偏光の偏光軸は偏光板１５の偏光軸に直交するため、光
透過領域を図６に示す暗表示状態にする。
【００２７】このようにしてノーマリホワイト表示が光
反射領域および光透過領域で行われる。また、光透過領
域のセルギャップｄ２は反射領域のセルギャップｄ１よ
り大きく設定される。この設定理由は、液晶層ＬＱの入
射光が反射領域を２回通過し、光透過領域を１回通過す
るため、最も明るくなるリタデーション値が光透過領域
で光反射領域の２倍必要となり、構造上セルギャップｄ
２もセルギャップｄ１の約２倍必要となるからである。
【００２８】本実施形態の液晶表示装置では、光反射領
域に関し、液晶層ＬＱの反射率は輝度に対して約１０
％、コントラスト比は約２０を得た。これは、開口２Ｈ
を利用しない従来の反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置と同等の光学性能である。他方、光反射領域に
関し、液晶層ＬＱの透過率は輝度に対して約１％を得
た。バックライトＢＬは輝度約１０００カンデラ毎平方
メートルのものを用いたため、表示輝度として約１０カ
ンデラ毎平方メートルを得た。また、このときのコント
ラスト比は約１０であった。
【００２９】図９はこの液晶表示装置の表示動作におけ
る電圧応答特性を示す。図６に示すように、光反射領域
および光透過領域のいずれもノーマリホワイト表示であ
り、電圧応答曲線が互いに類似している。このため、同
一の信号電圧Ｖｓｉｇにより、同等の階調特性がこれら
光反射領域および光透過領域相互において得られること
がわかる。
【００３０】この液晶表示装置の構造に注目すれば、開
口２Ｈが導電性光反射膜２Ｒを所定形状にするパターニ
ングで同時に形成できるため、製造プロセスが複雑化す
ることがない。さらに、この開口２Ｈは導電性光反射膜
２Ｒに重なって反射率を低下させる導電性光透過膜を必
要とせずに入射光を透過させることができる。従って、
この液晶表示装置は反射光および透過光を併用してより
明るく高精細な画像を表示でき、しかも低コストで製造
可能である。
【００３１】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形できる。
【００３２】例えば、光透過領域は外光照度が低い状態
での補助表示を意図したため、明るすぎないような表示
輝度に設定した。この表示輝度はバックライトＢＬの輝
度、開口２Ｈの数および面積等を変更して任意の使用環
境に適合する値に修正可能である。
【００３３】また、１／４波長板７および１４は波長分
散特性を小さくするために１／４波長板と１／２波長板
の２層構造とすることが好ましいが、１／４波長板とし
て機能すればこの２層構造である必要はない。
【００３４】開口２Ｈは導電性光透過膜等で覆われるよ
うなことがなければ円形状およびスリット形状以外の形
状にしてもよい。また、開口２Ｈは規則的に配置した場
合に生じる干渉効果を避けるために不規則に配置された
が、このような配置に限定される必要はない。さらに、
開口２Ｈはプロセスの増加を回避して光透過領域の透過
率をできるだけ大きくするために導電性反射膜２Ｒの凹
部２Ｂに配置されたが、このような配置に限定される必
要もない。これとは逆に、セルギャップｄ１をプロセス
の工夫により大きくして透過率を最適化することも本発
明の範疇である。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば製造プロ
セスを複雑にすることなく反射率の低下を防止できる液
晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリッ
クス液晶表示装置の断面構造を示す図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の平面構造を示す図で
ある。
【図３】図１に示す液晶表示装置において明表示状態に
ある光反射領域を示す図である。
【図４】図１に示す液晶表示装置において暗表示状態に
ある光反射領域を示す図である。
【図５】図１に示す液晶表示装置において明表示状態に
ある光透過領域を示す図である。
【図６】図１に示す液晶表示装置において暗表示状態に
ある光透過領域を示す図である。
【図７】図１に示す液晶表示装置の画素電極に形成され
る狭い開口によって生じる漏れ電位分布を示す図であ
る。
【図８】図１に示す液晶表示装置の画素電極に形成され
る広い開口によって生じる漏れ電位分布を示す図であ
る。
【図９】図１に示す液晶表示装置の表示動作における電
圧応答特性を示す図である。
【符号の説明】
２…画素電極 ２Ｒ…導電性光反射膜 ２Ｈ…開口 １２…対向電極 Ｇ１，Ｇ２…電極基板 ＬＱ…液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木下 正樹 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 村山 昭夫 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 田中 康晴 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 渡辺 良一 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DA11 DA22 DE04 2H091 FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FA35Y FA41X FA41Z HA07 LA16

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光反射および光透過併用方式で画像を表
    示する液晶表示装置であって、複数の画素電極を含む第
    １電極基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極
    を含む第２電極基板と、前記第１および第２電極基板間
    に挟持され各画素電極により規定される画素の反射光お
    よび透過光を変調する液晶層とを備え、各画素電極は入
    射光を反射する導電性光反射膜および入射光を透過させ
    るために前記導電性光反射膜の欠落部として形成される
    少なくとも１つの開口を有することを特徴とする液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】 前記開口に対応する光透過領域の液晶分
    子配列が前記開口を取り囲む前記導電性光反射膜の端部
    から印加される電界により制御されることを特徴とする
    請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記開口の最小幅ｗは前記液晶分子配列
    が前記光透過領域の略全てにおいて前記電界の変化に応
    答するように決定されることを特徴とする請求項２に記
    載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記液晶層は前記導電性光反射膜に対応
    する光反射領域において前記第１および第２電極基板に
    よって２μｍから５μｍの範囲に設定されるセルギャッ
    プｄ１を持ち、前記開口の最小幅ｗと前記セルギャップ
    ｄ１との比ｗ／ｄは０．１から３の範囲に設定されるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記開口は円形状であることを特徴とす
    る請求項１に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記開口はスリット形状であることを特
    徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１および第２電極基板は前記開口
    の透過光を不透明部材によって遮らないように構成され
    ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記第１電極基板の背面にバックライト
    をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶
    表示装置。
  9. 【請求項９】 前記液晶層はネマティック液晶を含み、
    前記第１および第２電極基板はこのネマティック液晶を
    ツイスト配向するように構成されることを特徴とする請
    求項１に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 電界制御複屈折方式で光学的なスイッ
    チングを行うために前記光反射領域および光透過領域に
    共通な円偏光子をさらに備えることを特徴とする請求項
    １に記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記導電性光反射膜は反射光を拡散す
    る凸凹構造を有し、前記開口は主に前記導電性光反射膜
    の凹部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の
    液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記液晶層は前記光透過領域において
    前記第１および第２電極基板によって前記セルギャップ
    ｄ１より０．１μｍ以上厚く設定されるセルギャップｄ
    ２を持つことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記開口は前記導電性光反射膜におい
    て不規則に配置されることを特徴とする請求項１に記載
    の液晶表示装置。
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