JP2002151489A - 基板処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体膜を分子層単位で成長させる基板処理
装置および方法を提供する。 【解決手段】 処理容器中に、基被処理基板を挟んで対
向するように第１および第２の処理ガス供給口を設け、
前記第１および第２の処理ガス供給口に前記被処理基板
を挟んで対向するよう、第1および第2の処理ガスの流れ
に略直交してスリット状の第１および第２の排気口を設
ける。第１の処理ガスを前記第１の処理ガス供給口から
前記第１の排気口の方に、前記被処理基板表面に沿って
流し、被処理基板表面に吸着させる。次に第２の処理ガ
スを第２の処理ガス供給口から前記第２の排気口の方
に、前記被処理基板表面に沿って流し、先に吸着されて
いた第１の処理ガス分子と反応させることにより、１分
子層の高誘電体膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に高誘電体膜を有する超微細化高速半導体装置の製造
に使われる基板処理装置および基板処理方法に関する。

【０００２】今日の超高速高速半導体装置では、微細化
プロセスの進歩とともに、０．１μｍ以下のゲート長が
可能になりつつある。一般に微細化とともに半導体装置
の動作速度は向上するが、このように非常に微細化され
た半導体装置では、ゲート絶縁膜の膜厚を、微細化によ
るゲート長の短縮に伴って、スケーリング則に従って減
少させる必要がある。

【０００３】

【従来の技術】しかしゲート長が０．１μｍ以下になる
と、ゲート絶縁膜の厚さも、ＳｉＯ₂を使った場合、１
〜２ｎｍ、あるいはそれ以下に設定する必要があるが、
このように非常に薄いゲート絶縁膜ではトンネル電流が
増大し、その結果ゲートリーク電流が増大する問題を回
避することができない。

【０００４】このような事情で従来より、比誘電率がＳ
ｉＯ₂膜のものよりもはるかに大きく、このため実際の
膜厚が大きくてもＳｉＯ₂膜に換算した場合の膜厚が小
さいＴａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，ＨｆＯ₂，ＺｒＳｉ
Ｏ₄，ＨｆＳｉＯ₄のような高誘電体材料をゲート絶縁膜
に対して適用することが提案されている。このような高
誘電体材料を使うことにより、ゲート長が０．１μｍ以
下と、非常に微細な超高速半導体装置においても２〜５
μｍ程度の膜厚のゲート絶縁膜を使うことができ、トン
ネル効果によるゲートリーク電流を抑制することができ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような高誘電体ゲ
ート絶縁膜をＳｉ基板上に形成する際には、高誘電体ゲ
ート絶縁膜を構成する金属元素がＳｉ基板中に拡散する
のを抑制するために、厚さが１ｎｍ以下、典型的には
０．８ｎｍ以下のＳｉＯ₂膜を前記Ｓｉ基板上にベース
酸化膜として形成し、かかる非常に薄いＳｉＯ₂ベース
酸化膜上に前記高誘電体ゲート絶縁膜を形成する必要が
ある。その際、前記高誘電体ゲート絶縁膜を、膜中に界
面準位などの欠陥が形成されないように形成しなければ
ならない。また、かかる高誘電体ゲート絶縁膜を前記ベ
ース酸化膜上に形成する際に、組成を前記ベース酸化膜
に接する側から高誘電体ゲート絶縁膜上主面に向かっ
て、ＳｉＯ₂を主とする組成から高誘電体を主とする組
成に徐々に変化させるのが好ましい。

【０００６】高誘電体ゲート絶縁膜を欠陥を含まないよ
うに形成しようとすると、荷電粒子が関与するプラズマ
プロセスを使うことはできない。例えばかかる高誘電体
ゲート絶縁膜をプラズマＣＶＤ法で形成すると、膜中に
ホットキャリアのトラップとして作用する欠陥がプラズ
マダメージの結果として形成されてしまう。

【０００７】一方、かかる高誘電体ゲート絶縁膜を熱Ｃ
ＶＤ法により形成しようとすると、下地となるベース絶
縁膜の性質により、膜厚が大きく変動することが、先に
本発明の発明者により見出された。換言すると、かかる
高誘電体ゲート絶縁膜を従来のＣＶＤ法で形成しようと
すると膜表面が不規則になり、かかる表面が不規則なゲ
ート絶縁膜上にゲート電極を形成した場合、半導体装置
の動作特性が劣化してしまう。

【０００８】そこで、本発明は上記の課題を解決した、
新規で有用な基板処理方法および処理装置を提供するこ
とを概括的課題とする。

【０００９】本発明のより具体的な課題は、基板上に欠
陥を含まない高誘電体膜を、効率よく形成できる基板処
理装置および基板処理方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を、
処理容器と、前記処理容器中に、前記被処理基板を保持
可能に設けられた基板保持台と、前記処理容器中、前記
基板保持台の第１の側に形成され、前記基板保持台上の
前記被処理基板表面に第１の処理ガスを、前記第１の処
理ガスが前記被処理基板表面に沿って、前記第１の側か
ら前記第１の側に対向する第２の側に向かって流れるよ
うに供給する第１の処理ガス供給部と、前記処理容器
中、前記基板保持台の前記第２の側に形成された第１の
排気口と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２
の側に形成され、前記基板保持台上の前記被処理基板表
面に第２の処理ガスを、前記第２の処理ガスが前記被処
理基板表面に沿って、前記第２の側から前記第１の側に
向かって流れるように供給する第２の処理ガス供給部
と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第１の側に
形成された第２排気口を備えたことを特徴とする基板処
理装置により、または処理容器と、前記処理容器中に、
前記被処理基板を保持可能に設けられた基板保持台と、
前記処理容器中、前記基板保持台の第１の側に形成され
た第１の処理ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板
保持台の第２の、前記第１の側に対向する側に形成され
た第１の排気口と、前記処理容器中、前記基板保持台の
前記第２の側に形成された第２の処理ガス供給部と、前
記処理容器中、前記基板保持台の前記第１の側に形成さ
れた第２排気口を備えた基板処理装置を使った基板処理
方法であって、前記第１の処理ガス供給部から第１の処
理ガスを、前記被処理基板表面に沿って前記第１の側か
ら前記第２の側に流し、前記被処理基板表面に第１の処
理を行う工程と、前記第２の処理ガス供給部から第２の
処理ガスを、前記被処理基板表面に沿って前記第２の側
から前記第１の側に流し、前記被処理基板表面に第２の
処理を行う工程をよりなり、前記第１の処理を行う工程
では、前記第２の排気口の排気量を前記第１の排気口の
排気量よりも減少させ、前記第２の処理を行う工程で
は、前記第１の排気口の排気量を前記第２の排気口の排
気量よりも減少させることを特徴とする基板処理方法に
より、または処理容器と、前記処理容器中に、前記被処
理基板を保持可能に設けられた基板保持台と、前記処理
容器中、前記基板保持台の第１の側に形成され、前記基
板保持台上の前記被処理基板表面に処理ガスを、前記処
理ガスが前記被処理基板表面に沿って、前記第１の側か
ら前記第１の側に対向する第２の側に向かって流れるよ
うに供給する処理ガス供給部と、前記処理容器中、前記
基板保持台の前記第２の側に形成された第１の排気口
と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２の側に
形成され、前記基板保持台上の前記被処理基板表面にラ
ジカルを、前記ラジカルが前記被処理基板表面に沿っ
て、前記第２の側から前記第１の側に向かって流れるよ
うに供給するラジカル源と、前記処理容器中、前記基板
保持台の前記第１の側に形成された第２排気口を備えた
ことを特徴とする基板処理装置により解決する。

【００１１】本発明によれば、処理容器中に被処理基板
を挟んで対向するように第１および第２の処理ガス導入
口を設け、さらに前記被処理基板を挟んで前記第１およ
び第２の処理ガス導入口に対向するように、第１および
第２の排出口を設け、前記第１の処理ガス導入口より第
１の処理ガスを前記処理容器中に導入し、前記被処理基
板表面に沿って流した後、前記第１の排出口より排出
し、次に前記第２の処理ガス導入口あるいはプラズマ源
より第２の処理ガスあるいはラジカルを導入し、前記被
処理基板表面に沿って流して先に前記被処理基板表面に
吸着されていた前記第１の処理ガス分子と反応させた
後、前記第２の排出口より排出する工程により、前記被
処理基板上に、高誘電体膜を１分子層ずつ積層しながら
形成することが可能になる。 ［作用］図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の原理を示す。

【００１２】図１（Ａ），（Ｂ）を参照するに、被処理
基板２を保持する処理容器１には前記被処理基板２に対
して第１の側に第１の処理ガス供給口３Ａが設けられて
おり、また前記被処理基板２に対して第２の、前記第１
の側に対向する側には第１の排気口４Ａが設けられてい
る。さらに前記処理容器１には、前記第２の側に第２の
処理ガス供給口３Ｂが設けられており、また前記第１の
側には第２の排気口４Ｂが設けられている。前記第１の
処理ガス供給口３Ａには第１の原料切替弁５Ａを介して
第１の処理ガスＡが供給され、前記第２の処理ガス供給
口３Ｂには第２の原料切替弁５Ｂを介して第２の処理ガ
スＢが供給される。さらに、前記第１の排気口４Ａは第
１の排気量調整弁６Ａを介して排気され、前記第２の排
気口４Ｂは第２の排気量調整弁６Ｂを介して排気され
る。

【００１３】最初に図１（Ａ）の工程において、前記第
１の原料切替弁５Ａを介して前記第１の処理ガスＡを前
記第１の処理ガス供給口３Ａに供給し、前記処理容器１
中において前記第１の処理ガスＡを前記被処理基板表面
に吸着させる。その際、前記第１の処理ガス供給口３Ａ
に対向する前記第１の排気口４Ａを駆動することで前記
被処理基板表面に沿って前記第１の処理ガスは、前記第
１の処理ガス供給口３Ａから前記第１の排気口４Ａまで
第１の方向に流れる。

【００１４】次に図１（Ｂ）の工程において、前記第２
の原料切替弁５Ｂを介して前記第２の処理ガスＢを前記
第２の処理ガス供給口３Ｂに供給し、前記処理容器１中
において前記第２の処理ガスＢを前記被処理基板２の表
面に沿って流す。その結果、前記第２の処理ガスＢは先
に前記被処理基板表面に吸着した前記第１の処理ガス分
子に作用し、前記被処理基板表面に高誘電体分子層が形
成される。その際、前記第２の処理ガス供給口３Ｂに対
向する前記第２の排気口４Ｂを駆動することで前記被処
理基板表面に沿って前記第２の処理ガスは、前記第２の
処理ガス供給口３Ｂから前記第２の排気口４Ｂまで第２
の方向に流れる。

【００１５】さらに前記図１（Ａ）および（Ｂ）の工程
を繰り返すことにより、前記被処理基板２上に所望の高
誘電体膜が形成される。

【００１６】その際、前記図１（Ａ）の工程では前記第
２の原料切替弁５Ｂからの前記第２の処理ガス供給口３
Ｂへの前記第２の処理ガスＢの供給は遮断され、また前
記図１（Ｂ）の工程では前記第１の原料切替弁５Ａから
の前記第１の処理ガス供給口３Ａへの前記第１の処理ガ
スＡの供給は遮断されるが、図１（Ａ）の工程において
前記第１の処理ガス供給口３Ａから導入された前記第１
の処理ガスＡが対向する第２の処理ガス供給口３Ｂ中に
侵入し、析出物を生じるのを回避するために、図１
（Ａ）の工程では前記第２の原料切替弁５Ｂから前記第
２の処理ガス供給口３Ｂに不活性ガスを供給するのが好
ましい。同様に、図１（Ｂ）の工程においては前記第１
の原料切替弁５Ａから前記第１の処理ガス供給口３Ａに
不活性ガスを供給するのが好ましい。さらに図１（Ａ）
の工程では前記第１の排気量調整弁６Ａは前記被処理基
板２の表面を通過した前記第１の処理ガスを排気すべく
大きな開弁度に設定されるが、前記第２の排気量調整弁
６Ｂは、高温での弁開閉動作に鑑み、完全に遮断するの
ではなく、例えば３％以下の小さな開弁度に設定してお
くのが好ましい。同様に図１（Ｂ）の工程でも、前記第
２の排気量調整弁６Ｂは大きな開弁度に設定されるが前
記第１の排気量調整弁６Ａも完全に遮断するのではな
く、例えば３％以下の小さな開弁度に設定しておくのが
望ましい。

【００１７】前記処理容器は、前記第１および第２の処
理ガスが前記被処理基板２の表面をシート状の層流で流
れるように平坦な形状に形成するのが好ましく、また前
記第１および第２の処理ガス供給口３Ａ，３Ｂも対応し
た平坦な、スリット状の開口部を有するのが好ましい。
さらに、前記第１および第２の排気口４Ａ，４Ｂも、前
記第１あるいは第２の処理ガスが流れる方向に対して略
直交する方向に延在するスリット状に形成するのが好ま
しい。また、処理ガスの流れ方向に対して直交するスリ
ットから下方に均等に排気を行うことにより、シート状
の処理ガスの流れが乱されることがない。

【００１８】本発明の基板処理装置において、前記第１
の処理ガスとしてＺｒもしくはＡｌもしくはＹもしくは
ＴｉもしくはＬａを含む原料を使い、前記第２の処理ガ
スとして酸化性ガスを使うことにより、ＺｒもしくはＡ
ｌもしくはＹもしくはＴｉもしくはＬａの酸化物層を被
処理基板上に形成することができる。

【００１９】さらに本発明の基板処理装置において、前
記第３の処理ガスとして前記第１の処理ガスとは異なる
成膜ガスを使い、これを前記第２の処理ガスと組み合わ
せることにより、前記被処理基板上にＺｒＳｉＯx，Ｈ
ｆＳｉＯx，ＡｌＳｉＯx，ＹＳｉＯx，ＴｉＳｉＯx，Ｌ
ａＳｉＯxあるいはＺｒＡｌＯx，ＨｆＡｌＯx，ＹＡｌ
Ｏx，ＴｉＡｌＯx，ＬａＡｌＯx等の三元系酸化物層を
形成することができる。

【００２０】ところで、図１（Ａ），（Ｂ）に示す本発
明の基板処理装置では、図１（Ａ）の工程において処理
容器１中に処理ガス供給口３Ａから処理ガスＡを導入し
た後、図１（Ｂ）の工程において処理ガス供給口３Ｂか
らパージガスあるいは処理ガスＢを導入した場合、処理
容器１中に残留している処理ガスＡはパージガスあるい
は処理ガスＢの流れに乗って排気口４Ｂより速やかに排
出され、前記処理容器１内における処理ガスＡの残留濃
度は急激に低下する。同様に、図１（Ｂ）の工程におい
て処理容器１中に処理ガス供給口３Ｂから処理ガスＢを
導入した後、図１（Ａ）の工程に戻って処理ガス供給口
３Ａからパージガスあるいは処理ガスＡを導入した場
合、処理容器１中に残留している処理ガスＢはパージガ
スあるいは処理ガスＡの流れに乗って排気口４Ａより速
やかに排出され、前記処理容器１内における処理ガスＢ
の残留濃度は急激に低下する。

【００２１】特に本発明の装置では、処理ガスＢを導入
する導入口３Ｂの周辺において処理ガスＢの濃度が数％
程度あっても、排気を排気口４Ｂから排気口４Ａに切り
替えて行っているので、被処理基板２が配置されている
領域では、処理ガスＢの濃度は十分に低くなり、処理ガ
スＡによる処理が影響されることはない。

【００２２】これに対し、処理ガス導入口３Ｂおよびこ
れに対応する排気口４Ｂを省略した構成の基板処理装置
では、処理ガス導入口３Ａから導入される処理ガスＡを
パージガスあるいは処理ガスＢに切替えても処理ガスＡ
が前記処理容器１中に残留しやすく、残留処理ガスＡの
濃度が処理ガスＢによる処理に十分な程度まで減少する
のに長い時間を要する。

【００２３】本発明では、処理ガスＡの処理工程と処理
ガスＢの処理工程との間において、被処理基板の両端側
から排気する工程を設けることも可能であり、従来の片
側からだけ排気する装置よりも、処理ガスを被処理基板
表面から容易に排気することが可能になる。

【００２４】このように、図１（Ａ），（Ｂ）に示す本
発明の基板処理装置は、被処理基板を処理ガスＡおよび
Ｂで交互に処理する場合にサイクル時間を短縮すること
が可能な利点を有する。

【００２５】

【発明の実施の形態】［第１実施例］図２は、本発明の
第１実施例による基板処理装置１０の構成を示す。

【００２６】図２を参照するに、前記基板処理装置１０
は被処理基板１２を隔てて互いに対向する処理ガス導入
口１３Ａおよび１３Ｂと、前記被処理基板１２を隔てて
前記処理ガス導入口１３Ａおよび１３Ｂにそれぞれ対向
する排気口１４Ａ，１４Ｂとを備えた処理容器１１を含
み、前記排気口１４Ａおよび１４Ｂはそれぞれコンダク
タンスバルブ１５Ａおよび１５Ｂを介してトラップ１０
０に接続され、前記処理容器１１は前記トラップ１００
を介して排気される。

【００２７】さらに、前記処理容器１１には、前記処理
ガス導入口１３Ａに隣接して、別の処理ガス導入口１３
Ｃが、前記排気口１４Ａに対向するように形成されてい
る。

【００２８】前記処理ガス導入口１３Ａは切替バルブ１
６Ａの第１の出口に接続され、前記切替バルブ１６Ａは
バルブ１７Ａ，質量流量コントローラ１８Ａ，および別
のバルブ１９Ａを含む第１の原料供給ライン１６ａを介
してＺｒＣｌ₂を保持する原料容器２０Ａに接続され
る。さらに、前記第１の原料供給ライン１６ａに隣接し
て、バルブ２１Ａ，２２Ａを含み、Ａｒ等の不活性ガス
を供給するパージライン２１ａが設けられる。

【００２９】さらに、前記切替バルブ１６Ａには、Ａｒ
等の不活性ガス源に接続され、質量流量コントローラ２
３Ａおよび２４Ａを含むバルブパージライン２３ａが接
続され、前記切替バルブ１６Ａの第２の出口はパージラ
イン１００ａを介して前記トラップ１００に接続され
る。

【００３０】同様に、前記処理ガス導入口１３Ｂは切替
バルブ１６Ｂの第１の出口に接続され、前記切替バルブ
１６Ｂはバルブ１７Ｂ，質量流量コントローラ１８Ｂ，
および別のバルブ１９Ｂを含む第１の原料供給ライン１
６ｂを介してＨ₂Ｏを保持する原料容器２０Ｂに接続さ
れる。さらに、前記第１の原料供給ライン１６ｂに隣接
して、バルブ２１Ｂ，２２Ｂを含み、Ａｒ等の不活性ガ
スを供給するパージライン２１ｂが設けられる。

【００３１】さらに、前記切替バルブ１６Ｂには、Ａｒ
等の不活性ガス源に接続され、質量流量コントローラ２
３Ｂおよび２４Ｂを含むバルブパージライン２３ｂが接
続され、前記切替バルブ１６Ｂの第２の出口はパージラ
イン１００ｂを介して前記トラップ１００に接続され
る。

【００３２】さらに前記処理ガス導入口１３Ｃは切替バ
ルブ１６Ｃの第１の出口に接続され、前記切替バルブ１
６Ｃはバルブ１７Ｃ，質量流量コントローラ１８Ｃ，お
よび別のバルブ１９Ｃを含む第１の原料供給ライン１６
ｃを介してＳｉＣｌ₄を保持する原料容器２０Ｃに接続
される。さらに、前記第１の原料供給ライン１６ｃに隣
接して、バルブ２１Ｃ，２２Ｃを含み、Ａｒ等の不活性
ガスを供給するパージライン２１ｃが設けられる。

【００３３】さらに、前記切替バルブ１６Ｃには、Ａｒ
等の不活性ガス源に接続され、質量流量コントローラ２
３Ｃおよび２４Ｃを含むバルブパージライン２３ｃが接
続され、前記切替バルブ１６Ｃの第２の出口はパージラ
イン１００ｃを介して前記トラップ１００に接続され
る。

【００３４】また、図２の基板処理装置１０には成膜プ
ロセスを制御する制御装置１０Ａが設けられ、前記制御
装置１０Ａは後ほど図４〜図７で説明するように、前記
切替バルブ１６Ａ〜１６Ｃおよびコンダクタンスバルブ
１５Ａおよび１５Ｂを制御する。

【００３５】図３は、図２の処理室１１を含む部分の詳
細を示す。

【００３６】図３を参照するに、前記処理室１１中には
石英反応容器１１０が保持され、前記被処理基板１２は
前記石英反応容器１１０中に保持される。前記処理室１
１中には前記石英反応容器１１０に隣接してヒータ１１
１Ａ〜１１１Ｆが設けられ、基板温度を所定の処理温度
に保持する。

【００３７】また前記処理ガス導入口１３Ａ、１３Ｂは
前記被処理基板１２の表面に沿って処理ガスを流すよう
に平坦な形状に形成され、またその位置も前記被処理基
板１２表面のやや上方に設定される。また、これに伴っ
て前記反応容器１１０も平坦な形状に形成され、その結
果平坦な形状の処理ガス導入口１３Ａから導入されたＺ
ｒＣｌ₄などの第１の処理ガスは前記石英反応容器１１
０中を前記被処理基板１２の表面に沿って層流となって
流れ、前記排気口１４Ａより排出される。その際に、前
記第1の処理ガスは前記被処理基板表面に吸着され、前
記被処理基板表面は１分子層程度の処理ガス分子により
覆われる。一方、前記処理ガス導入口１３Ｂから導入さ
れたＨ₂Ｏ等の第２の処理ガスは前記石英反応容器１１
０中を前記被処理基板１２の表面に沿って層流となって
流れ、前記排気口１４Ａより排出されるが、その際に先
に前記被処理基板１２の表面を覆っていた第１の処理ガ
ス分子と反応し、その結果前記被処理基板１２の表面に
は１分子層程度の非常に薄いＺｒＯ₂膜が形成される。

【００３８】そこで、このような吸着工程と反応工程と
を、間にパージ工程を挟みながら繰り返すことにより、
前記被処理基板１２の表面に非常に薄いＺｒＯ₂等の高
誘電体膜を形成することが可能になる。また、前記Ｚｒ
Ｏ₂分子層を形成した後、前記処理ガス導入口１３Ｃよ
りＳｉＣｌ₄等の第３の処理ガスを導入することによ
り、前記ＺｒＯ₂分子層上にＳｉＯ₂分子層を形成するこ
とが可能で、このような工程を、間にパージを挟みなが
ら繰り返すことにより、ＺｒＳｉＯ₄組成の高誘電体膜
を形成することができる。

【００３９】前記被処理基板１２上のＺｒＳｉＯ₄膜を
形成する際の一例では、前記被処理基板１２は２００〜
４５０°Ｃの温度に保持され、前記ＺｒＣｌ₄ガスおよ
びＳｉＣｌ₄ガスは、反応容器１１０内圧を０．１３〜
１３．３ｋＰａ（１〜１００Ｔｏｒｒ）に設定した状態
で、それぞれ１〜１０００ＳＬＭおよび０．１〜１００
０ＳＬＭの流量で、不活性ガスをキャリアガスとして使
いながら供給する。不活性キャリアガスの流量を増加さ
せることは、均一な層流を形成するのに有効である。前
記不活性ガスの流量は、原料ガスの流量の１倍から１０
０倍の範囲で選ばれる。

【００４０】なお、図３の構成には、図示はされていな
いが、前記処理ガス導入口１３Ａに並んで、前記ＳｉＣ
ｌ₄を導入する処理ガス導入口１３Ｃが設けられる。

【００４１】本実施例において、前記原料容器２０Ａに
格納される原料はＺｒＣｌ₄に限定されるものではな
く、ＨｆＣｌ₄あるいはＴａＣｌ₅等の原料であってもよ
い。これらの原料は室温では固体であり、気化させるた
めには、前記原料容器２０Ａ中においてＡｒ等のキャリ
アガスを供給しながら２００°Ｃ以上の温度に加熱す
る。

【００４２】図４（Ａ），（Ｂ）は、被処理基板を搬送
する際に、搬送アームにより被処理基板を処理容器１１
内に搬送する場合に、被処理基板の上下搬送に連動させ
て石英反応容器１１０の上部１１０Ａを上下させること
により、図４（Ｂ）に示すプロセス時において、前記石
英反応容器１１０の前記上部１１０Ａと下部１１０Ｂと
の距離を、図４（Ａ）に示す搬送時よりも小さくするこ
とを特徴とする本発明第１実施例の一変形例による反応
容器１１０の構成を示す。すなわち、本実施例では、前
記石英反応容器１１０は上部１１０Ａと下部１１０Ｂと
より構成されている。

【００４３】図４（Ａ），（Ｂ）を参照するに、このよ
うにプロセス時において前記石英反応容器１１０の上部
１１０Ａと下部１１０Ｂとの間の距離を短くすることに
より、原料ガスを被処理基板表面に沿って均一に流すこ
とが可能になる。なお、図４（Ａ），（Ｂ）の構成で
は、被処理基板の上下移動に連動して石英反応容器上部
１１０Ａの位置を上下させたが、必ずしも連動させなく
ても、搬送時に搬送スペースが広がるような構成におい
て、プロセス時に被処理基板と前記石英反応容器上部１
１０Ａとの間の距離が短縮されるような構成であれば上
記所望の効果が得られる。 [第２実施例]図５は、図２，３の基板処理装置１０にお
いて被処理基板１２上にＺｒＯ₂膜を１分子層ずつ形成
する際に、前記制御装置１０Ａの制御の下に実行される
本発明の第２実施例による処理シーケンスを示すフロー
チャートである。

【００４４】図５を参照するに、最初の工程１におい
て、前記コンダクタンスバルブ１５Ａ，１５Ｂは開放さ
れ、前記切替バルブ１６Ａおよび１６Ｂは、いずれも処
理ガス供給ライン１６ａ，１６ｂ中の処理ガスをそれぞ
れパージライン１００ａおよび１００ｂを介してトラッ
プ１００に供給するように第１の状態、すなわちパージ
状態に制御される。その結果前記反応容器１１０中には
前記パージライン２３ａ中のＡｒガスが、また前記パー
ジライン２３ｂ中のＡｒガスが、それぞれ処理ガス導入
口１３Ａおよび１３Ｂを介して供給される。このように
して供給されたＡｒパージガスは、それぞれ前記排出口
１４Ａおよび１４Ｂからトラップ１００に排出される。

【００４５】次に工程２において、前記コンダクタンバ
ルブ１５Ａの開度が増大され、コンダクタンスバルブ１
５Ｂの開度が減少される。その結果、前記反応容器１１
０中には前記ガス導入口１３Ａから排出口１４Ａへのガ
スの流れが生じる。前記排気口１４Ａ，１４Ｂにおける
排気を前記コンダクタンスバルブ１５Ａ，１５Ｂのコン
ダクタンスの調整により制御することにより、高温の排
気を遮断弁によりオンオフする場合よりも信頼性の高い
排気制御を行うことができる。また連続的に排気が切り
替えられるため、前記反応容器１１０中における気流が
乱れることが少ない。

【００４６】次に工程３において前記切替バルブ１６Ａ
が前記第１の状態から第２の状態に切り替えられ、前記
処理ガス供給ライン１６ａ中のＺｒＣｌ₄ガスが前記第
１の処理ガス導入口１３Ａから前記反応容器１１０中に
導入される。このようにして導入されたＺｒＣｌ₄ガス
は先に説明したように、層流となって前記被処理基板１
２の表面を流れ、前記排出口１４Ａより排出される。か
かる工程により、前記被処理基板１２の表面にはＺｒＣ
ｌ₄が１分子層程度吸着される。前記工程３において
は、前記第２の切替バルブ１６Ｂは前記第1の状態にあ
り、ライン２３ａ中のＡｒパージガスが前記第２の処理
ガス導入口１３Ｂから前記反応容器１１０中に導入され
る。その結果、前記第１の処理ガス導入口１３Ａから導
入されたＺｒＣｌ₄処理ガスが前記第２の処理ガス導入
口１３Ｂに侵入し、析出物を生じる問題が回避される。

【００４７】次に工程４において前記切替バルブ１６Ａ
が元の第１の状態に戻され、前記反応容器１１０中がＡ
ｒガスによりパージされる。

【００４８】この際、前記コンダクタンスバルブ１５
Ａ，１５Ｂを共に最大開度として、被処理基板の両端よ
り排気することも有効である。あるいは、処理時間を短
縮する目的から、この工程を設けずに次の工程ヘ進むこ
とも可能である。この場合の処理シーケンスは、図６の
フローチャートのようになる。

【００４９】次に工程５において前記コンダクタンスバ
ルブ１５Ｂの開弁度を増大させ、コンダクタンスバルブ
１５Ａの開弁度を減少させ、前記反応容器１１０中に前
記反応容器１１０中に前記ガス導入口１３Ｂから排出口
１４Ｂへのガスの流れを形成する。

【００５０】さらに工程６において前記切替バルブ１６
Ｂが第２の状態、すなわち開放状態に切り替えられ、前
記処理ガス供給ライン１６ｂ中のＨ₂Ｏが前記処理ガス
供給口１３Ｂを介して前記前記反応容器１１０中に導入
される。このようにして導入されたＨ₂Ｏガスは先に説
明したように、層流となって前記被処理基板１２の表面
を流れ、前記排出口１４Ｂより排出される。かかる工程
により、前記被処理基板１２の表面において、先に吸着
していたＺｒＣｌ₄分子層とＨ₂Ｏとが反応し、１分子層
程度のＺｒＯ₂膜が形成される。前記工程６において
は、前記第１の切替バルブ１６Ａは前記第１の状態にあ
り、ライン２３ａ中のＡｒパージガスが前記第１の処理
ガス導入口１３Ａから前記反応容器１１０中に導入され
る。その結果、前記第２の処理ガス導入口１３Ｂから導
入されたＨ₂Ｏが前記第１の処理ガス導入口１３Ａに侵
入し、析出物を生じる問題が回避される。

【００５１】前記工程６の後、処理プロセスは前記工程
１に戻り、さらに工程１〜工程６を繰り返すことによ
り、前記ＺｒＯ₂分子層上に次のＺｒＯ₂分子層を形成す
る。このように、前記工程１〜工程６を繰り返し実行す
ることにより、前記被処理基板１２上に任意の厚さのＺ
ｒＯ₂膜を一分子層ずつ積層することにより形成するこ
とができる。

【００５２】なお、以上の工程１〜工程６において、前
記処理ガス導入口１３Ｃは第１のパージ状態に固定され
ている。

【００５３】前記原料容器２０Ａ中に格納される原料を
ＺｒＣｌ₄の代わりにＨｆＣｌ₄あるいはＴａＣｌ₅に置
き換えることにより、本実施例によりＨｆＯ₂膜あるい
はＴａ ₂Ｏ₅膜を、１分子層毎の積層により形成すること
ができる。

【００５４】なお、前記原料容器２０Ａ中に格納される
原料は上記の特定の原料に限定されるものではなく、Ｚ
ｒＣｌ₄と、ＺｒＢｒ₄と、Ｚｒ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、
Ｚｒ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、
Ｚｒ（ＡｃＡｃ）₄と、Ｚｒ（ＤＰＭ）₄と、Ｚｒ（Ｏ−
ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｚｒ（ＨＦＡ）₄と、Ｚｒ（Ｂ
Ｈ₄）₄と、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₄と、Ｚｒ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ
₅）₂）₄とよりなる群より、あるいは（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＮ
₃と、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＢｒと、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＣｌ
と、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＩと、（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）ＡｌＨと、
（ＣＨ₃）₂ＡｌＮＨ₂と、（ＣＨ₃）₂ＡｌＣｌと、（Ｃ
Ｈ₃）₂ＡｌＨと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＨ：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂
Ｈ₅と、ＡｌＨ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、Ａｌ（Ｃ
₂Ｈ₅）Ｃｌ₂と、Ａｌ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂と、Ａｌ（Ｃ
₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）Ａｌと、Ａｌ（Ｉ−Ｏ
Ｃ₄Ｈ₉）₃と、ＡｌＣｌ₃と、Ａｌ（ＣＨ₃）₃と、ＡｌＨ
₃：Ｎ（ＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ＡｃＡｃ）₃と、Ａｌ（ＤＰ
Ｍ）₃と、Ａｌ（ＨＦＡ）₃と、Ａｌ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、
Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、Ａ
ｌ（ＯＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ
（ｎ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ₄Ｈ_９）
₃と、Ａｌ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、ＡｌＢｒ₃とよりなる
群より、あるいはＹ（ＡｃＡｃ）₃と、Ｙ（ＤＰＭ）
₃と、Ｙ（Ｏ−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₂と、Ｙ（ＨＦＡ）₃
と、Ｃｐ₃Ｙとよりなる群から選ばれるか、もしくはＨ
ｆＣｌ ₄と、ＨｆＢｒ₄と、Ｈｆ（ＡｃＡｃ）₄とＨｆ
［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄とＨｆ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄と、Ｈｆ
（ＤＰＭ）₄と、Ｈｆ（Ｏ−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｈ
ｆ（ＨＦＡ）₄とよりなる群より、あるいはＴｉＣｌ
₄と、ＴｉＢｒ₄と、ＴｉＩ₄と、Ｔｉ（Ｉ−ＯＣＨ₃）₄
と、Ｔｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄と、Ｔｉ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、
Ｔｉ（ｎ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、Ｔｉ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、
Ｔｉ（ＡｃＡｃ）₄と、Ｔｉ（ＡｃＡｃ）₂Ｃｌ₂と、Ｔ
ｉ（ＤＰＭ）₄と、Ｔｉ（ＤＰＭ）₂Ｃｌ₂と、Ｔｉ（Ｏ
−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｔｉ（ＨＦＡ）₂Ｃｌ₂とよ
りなる群より、あるいはＬａＢｒ₃と、ＬａＩ₃と、Ｌａ
（ＯＣＨ₃）₃と、Ｌａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ｌａ（Ｉ−Ｏ
Ｃ₃Ｈ₇）₂と、Ｃｐ₃Ｌａと、ＭｅＣｐ₃Ｌａと、Ｌａ
（ＤＭＰ）₃と、Ｌａ（ＨＦＡ）₃と、Ｌａ（ＡｃＡｃ）
₃と、Ｃｐ（Ｃ₈Ｈ₈）Ｔｉと、Ｃｐ₂Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
Ｈ₃）₂］₂と、Ｃｐ₂ＴｉＣｌ₂と、（Ｃ₂Ｈ₅）Ｔｉ
（Ｎ₃）₂と、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄と、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ
Ｈ₃）₂］₄とよりなる群より選ぶことが可能である。ま
た、前記ライン１６ｂを介して供給される第２の処理ガ
スは、酸素ラジカル原子と、酸素ラジカル分子と、Ｏ₃
とＯ₂、Ｎ₂ＯとＮＯとＮＯ₂、Ｈ₂Ｏ₂と、Ｈ₂ＯとＤ₂Ｏ
とよりなる群から選ぶことができる。特に原料として
は、Ａｌ（ＣＨ₃）₃，ＡｌＣｌ₃，Ｚｒ［Ｎ（Ｃ
₂Ｈ₅）₂］₄，Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄，Ｈｆ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ
₅）₂］₄，ＺｒＣｌ₄，ＨｆＣｌ₄，ＴｉＣｌ₄，Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄，Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄などが原子層
成長に有効である。 ［第３実施例］図７〜９は、図２，３の基板処理装置１
０においてＺｒＳｉＯ₄膜を１分子層ずつ形成する際
に、前記制御装置１０Ａの制御の下に実行される本発明
の第３実施例による処理シーケンスを示すフローチャー
トである。

【００５５】最初に図７を参照するに、工程１１におい
て、前記コンダクタンスバルブ１５Ａ，１５Ｂは開放さ
れ、前記切替バルブ１６Ａ〜１６Ｃは、いずれも処理ガ
ス供給ライン１６ａ〜１６ｃ中の処理ガスをそれぞれパ
ージライン１００ａおよび１００ｂを介してトラップ１
００に供給するように第１の状態、すなわちパージ状態
に制御される。その結果前記反応容器１１０中には前記
パージライン２３ａ〜２３ｃ中のＡｒガスが、それぞれ
処理ガス導入口１３Ａ〜１３Ｃを介して供給される。こ
のようにして供給されたＡｒパージガスは、それぞれ前
記排出口１４Ａおよび１４Ｂからトラップ１００に排出
される。

【００５６】次に工程１２において、前記コンダクタン
バルブ１５Ａの開度が増大され、コンダクタンスバルブ
１５Ｂの開度が減少される。その結果、前記反応容器１
１０中には前記ガス導入口１３Ａおよび１３Ｃから排出
口１４Ａへのガスの流れが生じる。

【００５７】次に工程１３において前記切替バルブ１６
Ａが前記第１の状態から第２の状態に切り替えられ、前
記処理ガス供給ライン１６ａ中のＺｒＣｌ₄ガスが前記
第１の処理ガス導入口１３Ａから前記反応容器１１０中
に導入される。このようにして導入されたＺｒＣｌ₄ガ
スは先に説明したように、層流となって前記被処理基板
１２の表面を流れ、前記排出口１４Ａより排出される。
かかる工程により、前記被処理基板１２の表面にはＺｒ
Ｃｌ₄が１分子層程度吸着される。前記工程３において
は、前記第２および第３の切替バルブ１６Ｂ，１６Ｃは
前記第１の状態にあり、ライン２３ｂおよび２３ｃ中の
Ａｒパージガスが処理ガス導入口１３Ｂおよび１３Ｃか
ら前記反応容器１１０中に導入される。その結果、前記
第１の処理ガス導入口１３Ａから導入されたＺｒＣｌ₄
処理ガスが前記第２の処理ガス導入口１３Ｂに侵入し、
析出物を生じる問題が回避される。

【００５８】次に工程１４において前記切替バルブ１６
Ａが元の第１の状態に戻され、前記反応容器１１０中が
Ａｒガスによりパージされる。

【００５９】次に工程１５において前記コンダクタンス
バルブ１５Ｂの開弁度を増大させ、コンダクタンスバル
ブ１５Ａの開弁度を減少させ、前記反応容器１１０中に
前記反応容器１１０中に前記ガス導入口１３Ｂから排出
口１４Ｂへのガスの流れを形成する。

【００６０】さらに工程１６において前記切替バルブ１
６Ｂが第２の状態、すなわち開放状態に切り替えられ、
前記処理ガス供給ライン１６ｂ中のＨ₂Ｏが前記処理ガ
ス供給口１３Ｂを介して前記前記反応容器１１０中に導
入される。このようにして導入されたＨ₂Ｏガスは先に
説明したように、層流となって前記被処理基板１２の表
面を流れ、前記排出口１４Ｂより排出される。かかる工
程により、前記被処理基板１２の表面において、先に吸
着していたＺｒＣｌ₄分子層とＨ₂Ｏとが反応し、１分子
層程度のＺｒＯ₂膜が形成される。前記工程１６におい
ては、前記切替バルブ１６Ａ，１６Ｃは前記第１の状態
にあり、ライン２３ａおよび２３ｃ中のＡｒパージガス
が前記処理ガス導入口１３Ａおよび１３Ｃから前記反応
容器１１０中に導入される。その結果、前記第２の処理
ガス導入口１３Ｂから導入されたＨ₂Ｏが前記処理ガス
導入口１３Ａあるいは１３Ｃに侵入し、析出物を生じる
問題が回避される。

【００６１】前記工程１６の後、工程１７において、前
記コンダクタンスバルブ１５Ａ，１５Ｂは開放され、前
記切替バルブ１６Ａ〜１６Ｃは第１の状態に制御され
る。その結果前記反応容器１１０中には前記パージライ
ン２３ａ〜２３ｃ中のＡｒガスが、それぞれ処理ガス導
入口１３Ａ〜１３Ｃを介して供給される。このようにし
て供給されたＡｒパージガスは、それぞれ前記排出口１
４Ａおよび１４Ｂからトラップ１００に排出される。

【００６２】次に工程１８において、前記コンダクタン
バルブ１５Ａの開度が増大され、コンダクタンスバルブ
１５Ｂの開度が減少される。その結果、前記反応容器１
１０中には前記ガス導入口１３Ａおよび１３Ｃから排出
口１４Ａへのガスの流れが生じる。

【００６３】次に工程１９において前記切替バルブ１６
Ｃが前記第１の状態から第２の状態に切り替えられ、前
記処理ガス供給ライン１６ｃ中のＳｉＣｌ₄ガスが前記
第３の処理ガス導入口１３Ｃから前記反応容器１１０中
に導入される。このようにして導入されたＳｉＣｌ₄ガ
スは先に説明したように、層流となって前記被処理基板
１２の表面を流れ、前記排出口１４Ａより排出される。
かかる工程により、前記被処理基板１２の表面には、先
に形成されたＺｒＯ₂分子層上に、ＳｉＣｌ₄が１分子層
程度吸着される。前記工程１９においては、前記第２お
よび第３の切替バルブ１６Ａ，１６Ｂは前記第１の状態
にあり、ライン２３ａおよび２３ｂ中のＡｒパージガス
が処理ガス導入口１３Ａおよび１３Ｂから前記反応容器
１１０中に導入される。その結果、前記第３の処理ガス
導入口１３Ｃから導入されたＳｉＣｌ₄処理ガスが前記
第２の処理ガス導入口１３Ｂに侵入し、析出物を生じる
問題が回避される。

【００６４】次に工程２０において前記切替バルブ１６
Ａが元の第１の状態に戻され、前記反応容器１１０中が
Ａｒガスによりパージされる。

【００６５】次に工程２１において前記コンダクタンス
バルブ１５Ｂの開弁度を増大させ、コンダクタンスバル
ブ１５Ａの開弁度を減少させ、前記反応容器１１０中に
前記反応容器１１０中に前記ガス導入口１３Ｂから排出
口１４Ｂへのガスの流れを形成する。

【００６６】さらに工程２２において前記切替バルブ１
６Ｂが第２の状態、すなわち開放状態に切り替えられ、
前記処理ガス供給ライン１６ｂ中のＨ₂Ｏが前記処理ガ
ス供給口１３Ｂを介して前記前記反応容器１１０中に導
入される。このようにして導入されたＨ₂Ｏガスは先に
説明したように、層流となって前記被処理基板１２の表
面を流れ、前記排出口１４Ｂより排出される。かかる工
程により、前記被処理基板１２の表面において、先に吸
着していたＳｉＣｌ₄分子層とＨ₂Ｏとが反応し、１分子
層程度のＳｉＯ₂膜が、その下のＺｒＯ₂分子層上に形成
される。前記工程２２においては、前記切替バルブ１６
Ａ，１６Ｃは前記第1の状態にあり、ライン２３ａおよ
び２３ｃ中のＡｒパージガスが前記処理ガス導入口１３
Ａおよび１３Ｃから前記反応容器１１０中に導入され
る。その結果、前記第２の処理ガス導入口１３Ｂから導
入されたＨ₂Ｏが前記処理ガス導入口１３Ａあるいは１
３Ｃに侵入し、析出物を生じる問題が回避される。

【００６７】さらに、前記工程１１〜２２を繰り返すこ
とにより、前記被処理基板１２上に全体としてＺｒＳｉ
Ｏ₄で表される組成の高誘電体膜が、ＺｒＯ₂分子層とＳ
ｉＯ ₂分子層の交互の積層により形成される。

【００６８】また前記ＺｒＯ₂分子層とＳｉＯ₂分子層の
積層の際の比率を変化させることにより、前記高誘電体
膜の組成を膜厚方向に変化させることも可能である。例
えば前記高誘電体膜の下層部ではＳｉＯ₂組成が優勢
に、また上層部ではＺｒＯ₂組成が優勢になるように組
成を制御することが可能である。ただし、工程１４，１
７，２０において、コンダクタンスバルブ１５Ａ，１５
Ｂの開度を最大としてもよい。この場合には、処理基板
の両端より排気がなされ、より有効に処理ガスをパージ
することができる。この場合の処理シーケンスに対応す
るフローチャートを図１０〜１２に示す。

【００６９】なお 前記原料容器２０Ｃ中に格納される
原料は上記の特定の原料に限定されるものではなく、Ｈ
₂Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₂と、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＳｉＨ₂と、
（ＣＨ ₃）₂ＳｉＣｌ₂と、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂
と、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂と、（ＣＨ₃）₂ＳｉＨ
₂と、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＳｉ
（ＣＨ₃）₃と、ＨＮ［Ｓｉ（ＣＨ₃）₃］₂と、（ＣＨ₃）
（Ｃ₆Ｈ₅）ＳｉＣｌ₂と、ＣＨ₃ＳｉＨ₃と、ＣＨ₃ＳｉＣ
ｌ₃と、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣＨ
₃）₃と、Ｃ₆Ｈ₅Ｓｉ（Ｃｌ）（ＯＣ₂Ｈ₅）₂と、Ｃ₆Ｈ₅
Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ ₅）₃と、（Ｃ₂Ｈ₅）₄Ｓｉと、Ｓｉ［Ｎ
（ＣＨ₃）₂］₄と、Ｓｉ（ＣＨ₃）₄と、Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₃
Ｈと、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＮ₃と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌと、
（ＣＨ₃） ₃ＳｉＯＣ₂Ｈ₅と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣＨ
₃と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＨと、（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ₃と、（Ｃ
Ｈ₃）₃（Ｃ₂Ｈ₃）Ｓｉと、ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］
₃と、ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₃と、Ｓｉ（ＣＨ₃ＣＯ
Ｏ）₄と、Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄と、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄と、
Ｓｉ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、Ｓｉ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、
Ｓｉ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃Ｆと、Ｈ
Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ｓｉ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃Ｆと、Ｓ
ｉ（ＯＣＨ₃）₃Ｆと、ＨＳｉ（ＯＣＨ₃）₃と、Ｈ₂Ｓｉ
Ｃｌ₂と、Ｓｉ₂Ｃｌ₆と、Ｓｉ₂Ｆ₆と、ＳｉＦ₄と、Ｓｉ
Ｃｌ₄と、ＳｉＢｒ₄と、ＨＳｉＣｌ₃と、ＳｉＣｌ₃Ｆ
と、Ｓｉ₃Ｈ₈と、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂と、Ｓｉ
（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｃｌ₂とよりなる群から選ばれるか、もしく
は（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＮ₃と、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＢｒと、
（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＣｌと、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＩと、（Ｉ−
Ｃ₄Ｈ₉）ＡｌＨと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＮＨ₂と、（ＣＨ₃）
₂ＡｌＣｌと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＨと、（ＣＨ₃）₂Ａｌ
Ｈ：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、ＡｌＨ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂
Ｈ₅と、Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃｌ₂と、Ａｌ（ＣＨ₃）Ｃｌ
₂と、Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）Ａｌと、
Ａｌ（Ｉ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃ＡｌＣｌ₃と、Ａｌ（ＣＨ₃）
₃と、ＡｌＨ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ＡｃＡｃ）
₃と、Ａｌ（ＤＰＭ）₃と、Ａｌ（ＨＦＡ）₃と、Ａｌ
（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（Ｉ−
ＯＣ₃Ｈ₇）₈と、Ａｌ（ＯＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ｎ−ＯＣ₄
Ｈ₉）₃と、Ａｌ（ｎ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、Ａｌ（ｓｅｃ−
ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、ＡｌＢｒ₃
とよりなる群から選ぶことができる。 ［第４実施例］ところで、図２，３の基板処理装置１０
では、ＺｒＣｌ_４ガスを前記原料容器２０Ａから原料供
給ライン１６ａおよび切替バルブ１６Ａを介して供給し
ているが、ＺｒＣｌ₄は常温では固体であり、気化には
２００°Ｃ程度の温度が必要である。このことは、前記
切替バルブ１６Ａを含む原料供給ライン１６ａの全体を
２００°Ｃ以上の温度に保持する必要があり、また前記
切替バルブ１６Ａもこのような２００°Ｃ以上、実際上
は２５０°Ｃ以上の温度に耐える必要があることを意味
している。また先の図５〜９の説明でもわかるように、
図２，３の基板処理装置１０では前記切替バルブ１６Ａ
〜１６Ｃは一分子層の堆積毎に頻繁に駆動されるため、
切替バルブの消耗の問題が顕著に現れる。

【００７０】これに対し、図１３（Ａ），（Ｂ）は、図
２，３の基板処理装置１０において切替バルブ１６Ａと
して使われる、本発明の第４実施例による切替バルブ１
６０の構成を示す。図１３（Ａ），（Ｂ）の切替バルブ
は、図２，３の基板処理装置１０において、切替バルブ
１６Ｂ，１６Ｃとしても使うことが可能である。

【００７１】図１３（Ａ）を参照するに、前記切替バル
ブ１６０は金属製の駆動軸１６１Ａを囲むように形成さ
れた円筒形状のセラミック弁体１６１Ｂと、前記セラミ
ック弁体１６１Ｂを回動自在に保持する容器１６２と、
前記前記容器１６２と協働して前記駆動軸１６１Ａを密
封するキャップ部材１６３とよりなり、前記キャップ部
材１６３には冷却水入り口１６３ａと冷却水出口１６３
ｂとを備えた水冷ジャケット１６３Ａが設けられてい
る。前記セラミック弁体１６１Ｂは前記駆動軸１６１Ａ
上にシールリング１６１ａ，１６１ｂを介して固定され
ており、前記キャップ部材１６３で覆われた前記駆動軸
１６１Ａの先端部には耐熱性のサマリウムコバルト系の
マグネット１６１Ｍが設けられている。前記マグネット
１６１Ｍは外部の電磁駆動機構に磁気的に結合してお
り、前記電磁駆動機構により回動操作される。

【００７２】一方、前記容器１６２には、前記処理ガス
供給ライン１６ａに対応した第１のガス入り口１６２Ａ
と前記パージガスライン２３ａに対応した第２のガス入
り口１６２Ｂとが設けられており、さらに前記処理ガス
供給口１６Ａに接続された第１のガス出口１６２Ｃ、お
よびいずれも前記パージライン１００ａに接続された第
２および第３のガス出口１６２Ｄ，１６２Ｅを有する。

【００７３】図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の弁体１６１
Ｂを詳細に示す。

【００７４】図１３（Ｂ）を参照するに、前記弁体１６
１Ｂ上にはその外周上に第１および第２の溝１６１Ｂａ
および１６１Ｂｂが形成されており、前記弁体１６１Ｂ
が回動することにより、前記溝１６１Ｂａ，１６１Ｂｂ
を介して前記ガス入り口１６２Ａ，１６２Ｂがガス出口
１６２Ｃ〜１６２Ｅに選択的に接続される。

【００７５】例えば前記切替バルブ１６Ａが前記第１の
状態にある場合、前記パージライン２３ａに接続された
ガス入り口１６２Ｂが前記溝１６１Ｂｂを介して前記ガ
ス出口１６２Ｃに接続され、前記パージライン２３ａ中
のＡｒガスが前記処理ガス供給口１３Ａを介して前記反
応容器１１０中に供給される。この状態では、同時に前
記処理ガス供給ライン１６ａに接続されガス入り口１６
２Ａが前記溝１６１Ｂａを介して前記ガス出口１６２Ｄ
に接続され、前記ライン１６ａ中の処理ガスが前記ガス
出口１６２Ｄを介してこれに接続された前記パージライ
ン１００ａに捨てられる。

【００７６】同様に、前記切替バルブ１６Ｂが前記第２
の状態にある場合、前記弁体１６１Ｂは回動され、その
結果前記ガス入り口１６２Ｂは前記溝１６１Ｂｂを介し
て前記ガス出口１６２Ｅに接続され、その閣下前記パー
ジライン２３ａ中のＡｒガスが前記ガス出口１６２Ｅか
らこれに接続された前記パージライン１００ａに捨てら
れる。一方、前記ガス入り口１６２Ａは前記溝１６１Ｂ
ａを介して前記ガス出口１６２Ｃに接続され、前記ガス
出口１６２Ｃから前記処理ガス供給口１３Ａを通って前
記反応容器１１０中に導入される。

【００７７】このような構成の切替バルブ１６０は、２
５０°Ｃの温度で繰り返し行われる切替動作に問題なく
耐えることができる。また、前記切替バルブ１６０で
は、処理ガスの反応容器１１０中への供給が遮断されて
いる場合でも、処理ガスの流れがパージライン１００ａ
へと切り替えられただけなので、原料容器２０Ａからの
ＺｒＣｌ₄ガス等の原料ガスの圧力や流量が大きく変動
することがない。

【００７８】先にも説明したように、前記切替バルブ１
６０は図２の切替バルブ１６Ａのみならず、他の切替バ
ルブ１６Ｂ，１６Ｃにも適用可能である。 ［第５実施例］図１４は本発明の第５実施例による基板
処理装置１０₁の構成を示す。ただし図１４中、先に説
明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。また先に図２，３で説明した部分のうち、本実施例
に関係ない部分の図示は、簡単のため省略する。

【００７９】図１４を参照するに、本実施例では前記処
理ガス供給ライン１６ａ，１６ｃの適当な個所に容積を
局所的に増大させた処理ガス蓄積部２６０ａ，２６０ｃ
をそれぞれ形成し、かかる処理ガス蓄積部にいったん処
理ガスを蓄積する。かかる処理ガス蓄積部２６０ａ，２
６０ｂを設けることにより、先に図５〜９で説明した頻
繁な処理ガスの切替、およびこれに伴う前記処理ガス供
給ライン１６ａ，１６ｃ中におけるコンダクタンスの変
動が生じても、処理ガスの供給を安定して行うことが可
能になる。

【００８０】特に図１４の構成では、前記処理ガス供給
ライン１６ａにおいて、原料供給ライン１６ａに設けら
れた質量流量コントローラ１８Ａを前記制御装置１０Ａ
により、前記切替バルブ１６Ａ〜１６Ｃの切替制御に同
期して制御しているが、かかる構成により、前記処理ガ
ス供給ライン１６ａ中の処理ガス流量の変動が補償さ
れ、前記ライン１６ａを介した処理ガスの供給を安定化
させることが可能である。

【００８１】さらに図１４の構成では、前記処理ガス供
給ライン１６ｃにおいて前記処理ガス蓄積部２６０ｃに
圧力計２６１ｃを設け、前記処理ガス蓄積部２６０ｃの
圧力を一定に維持している。かかる構成によっても、前
記処理ガス供給ライン１６ｃ中において生じたコンダク
タンスの変動が効果的に補償される。

【００８２】図１４の構成において、前記処理ガス供給
ライン１６ｃに設けられた質量流量コントローラ１８Ｃ
の制御を、ライン１６ａの質量流量コントローラ１６ａ
と同様に、制御装置１０Ａを使って行ってもよい。ま
た、前記処理ガス供給ライン１６ａにおいて、前記処理
ガス蓄積部２６０ａに圧力計を設けてもよい。さらに、
同様な構成を処理ガス供給ライン１６ｂに設けることも
できる。 ［第６実施例］図１５は、本発明の第６実施例による基
板処理装置１０₂の構成を示す。ただし図１５中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。また先に図２，３で説明した部分のうち、本実施例
に関係ない部分の図示は、簡単のため省略する。

【００８３】図１５を参照するに、本実施例では前記原
料容器２０Ａ，２０Ｃにキャリアガスを供給するライン
に質量流量コントローラ２０ａ，２０ｃがそれぞれ設け
られ、さらに前記質量流量コントローラ２０ａ，２０ｃ
が前記制御装置１０Ａにより、切替バルブ１６Ａ〜１６
Ｃおよびコンダクタンスバルブ１５Ａ，１５Ｂの制御に
同期して制御される。

【００８４】より具体的には、前記質量流量コントロー
ラ２０ａは、前記切替バルブ１６Ａが前記ライン１６ａ
中の処理ガスを前記処理ガス供給口１３Ａに供給する場
合のみ流量を増加させるように制御される。同様に前記
質量流量コントローラ２０ｃも前記切替バルブ１６Ｃが
前記ライン１６ｃ中の処理ガスを前記処理ガス供給口１
３Ｃに供給する場合のみ流量を増加させるように制御さ
れる。かかる切替バルブ１６Ａ，１６Ｃの制御と同期し
た質量流量コントローラ２０ａ，２０ｃの制御により、
前記反応容器１１０中に供給されない場合に無駄になる
処理ガスを節約することが可能になる。これに伴い、ト
ラップ１００に接続される徐害装置の負荷が軽減され
る。

【００８５】この際、図１４に示す質量流量コントロー
ラ１８Ｃ，１８Ａの代わりに図１５に示す音波センサ１
８Ｃ’，１８Ａ’を設置することにより、Ａｒキャリア
中の原料濃度を測定し、質量流量コントローラ２０ａ，
２０ｃにフィードバック制御することが有効である。 ［第７実施例］図１６は、本発明の第７実施例による基
板処理装置１０₂の構成を示す。ただし図１６中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。また先に図２，３で説明した部分のうち、本実施例
に関係ない部分の図示は、簡単のため省略する。

【００８６】図１６を参照するに、本実施例では、先の
実施例と異なり前記原料容器２０Ａ中にＺｒＣｌ₂の代
わりに図１６に示すように金属Ｚｒを格納し、これにＣ
ｌ₂ガスをキャリアガスとして供給することによりＺｒ
Ｃｌ₂ガスを発生させる。その際、前記Ｃｌ₂キャリアガ
スの流量を、先の実施例と同様に前記制御装置１０Ａに
より、前記処理ガス供給ライン１６ａ中のＺｒＣｌ₂ガ
スが前記処理容器１１中に導入される場合にのみ増加す
るように制御する。

【００８７】本実施例によっても、前記処理容器１１中
の反応容器１１０中に、前記処理ガス導入口１３Ａを介
してＺｒＣｌ₂等の塩化物処理ガスを供給することが可
能である。 ［第８実施例］図１７は、本発明の第８実施例による処
理容器１１Ａの構成を示す。ただし図１７中、先に説明
した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

【００８８】図１７を参照するに、本実施例では図３の
実施例の処理容器１１において、前記被処理基板１２に
対向する位置のヒータ１１１Ｂを撤去し、その代わりに
石英窓１１Ｗを設ける。さらに前記石英窓１１Ｗに沿っ
て移動可能に紫外光源ＵＶを設ける。

【００８９】かかる構成では、前記石英窓１１Ｗを介し
て前記紫外光源ＵＶから紫外線を前記被処理基板１２の
表面に照射することにより、前記被処理基板１２表面で
の成膜を促進することができる。その際、前記紫外光源
ＵＶを前記石英窓１１Ｗに沿って移動させることによ
り、前記被処理基板１２表面における露光量を一様に制
御することができる。また、この光源として紫外光源の
他に赤外線ランプを設けることにより、処理基板を均一
に加熱することが可能になる。かかる構成は、特に形成
した膜を６００〜１０００℃の温度で短時間アニールす
る場合や、紫外光照射を行いながら膜形成後の熱処理を
行う場合に有効である。このような工程は、被処理基板
表面からハイドロカーボンやハロゲン等の不純物を除去
するのに有効である。 ［第９実施例］図１８（Ａ）〜（Ｄ）は、図２の基板処
理装置１０で使われる処理容器１１の様々な変形例を示
す平面図である。

【００９０】このうち図１８（Ａ）は先に図１（Ａ），
（１）で説明した構成に対応し、処理容器１１中におい
て平坦な処理ガス供給口１３Ａ，１３Ｂが被処理基板１
２を挟んで対向するように設けられている。また、前記
処理ガス供給口１３Ａの近傍に、前記処理ガス供給口１
３Ｂに対応する排気口１４Ｂが、スリット状に、前記排
気口１４Ｂの長手方向が前記処理ガス供給口１３Ｂから
前記排気口１４Ｂへの処理ガスの流れる方向に略直角に
なるように形成されている。同様に、前記処理ガス供給
口１３Ａに対応する排気口１４Ａが、スリット状に、前
記排気口１４Ａの長手方向が前記処理ガス供給口１３Ａ
から前記排気口１４Ａへの処理ガスの流れる方向に略直
角になるように形成されている。

【００９１】図１８（Ｂ）の構成は先の図２，３の構成
に対応し、図１８（Ａ）の構成に、第３の処理ガス供給
口１３Ｃを、前記第１の処理ガス供給口１３Ａに重ねて
形成している。

【００９２】図１８（Ｃ）は、他の基板処理装置と共に
クラスタ型処理システムを構成するための基板処理室で
あり、互いに対向する処理ガス供給口１３Ａ，１３Ｂお
よび排気口１４Ａ，１４Ｂに直交するように、互いに対
向する処理ガス供給口１３Ｃ，１３Ｄおよび対応する排
気口１４Ｃ，１４Ｄが形成されており、さらに前記基板
処理室の一部には被処理基板を出し入れするためのロー
ドロック室１１Ｌ／Ｄが形成されている。

【００９３】図１８（Ｃ）の基板処理装置では、処理ガ
スを４種類使って、多成分系の高誘電体膜を、１分子層
ずつの積層により形成することが可能である。

【００９４】図１８（Ｄ）は、図１８（Ａ）の構成の処
理室１１において、互いに対向する処理ガス供給口１３
Ａ，１３Ｂおよび対応する排気口１４Ａ，１４Ｂに直交
するように、別の処理ガス供給口１３Ｃおよびこれに対
向する排気口１４Ｃを設けた構成を示す。

【００９５】かかる構成によっても、前記被処理基板１
２上にＺｒＳｉＯ₄等の高誘電体膜を、１分子層ずつ積
層することにより、形成することが可能である。 ［第１０実施例］図１９は、本発明の第１０実施例によ
る基板処理装置２００の構成を示す。

【００９６】図１９を参照するに、前記基板処理装置２
００はＡｌよりなる外側処理容器２０１と石英ガラスよ
りなる内側処理容器２０２とを有し、前記内側処理容器
２０２は、前記外側処理容器２０１中に画成され、前記
外側処理容器２０１の一部を構成するカバープレート２
０１Ａにより覆われる凹部中に収められる。

【００９７】前記内側容器２０２は、前記凹部内におい
て前記外側処理容器２０１の底面を覆う石英底板２０２
Ａと、前記凹部内において前記石英底板２０２Ａを覆う
石英カバー２０２Ｂとよりなり、さらに前記外側処理容
器の底部には、被処理基板Ｗを保持したディスク状の基
板保持台２０３が収められる円形の開口部２０１Ｄが形
成されている。前記基板保持台２０３中には、図示を省
略する加熱機構が設けられている。

【００９８】前記基板保持台２０３は前記外側処理容器
２０１の下部に設けられた基板搬送部２０４により回動
自在に、また同時に上下動自在に保持されている。前記
基板保持台２０３は最上位のプロセス位置と最下位の基
板出入位置との間を上下動可能に保持されており、前記
プロセス位置は、前記保持台２０３上の被処理基板Ｗの
表面が前記石英底板２０２Ａの表面と略一致するように
決定されている。

【００９９】一方、前記基板出入位置は、前記基板搬送
部２０４の側壁面に形成された基板搬入出開口部２０４
Ａに対応して設定されており、前記基板保持台２０３が
前記基板出入位置まで下降した場合、前記基板搬入出口
２０４Ａから搬送アーム２０４Ｂが挿入され、リフタピ
ン（図示せず）により基板保持台２０３表面から持ち上
げられた被処理基板Ｗを保持して取り出し、次の工程に
送る。また、前記搬送アーム２０４Ｂは、新たな被処理
基板Ｗを、前記基板搬入出開口部２０４Ａを介して前記
基板搬送部２０４中に導入し、これを前記基板保持台２
０３上に載置する。

【０１００】前記新たな被処理基板Ｗを保持した基板保
持台２０３は、軸受部２０５中に磁気シール２０５Ａに
より保持された回動軸２０５Ｂにより回動自在に、また
上下動自在に保持されており、前記回動軸２０５Ｂが上
下動する空間は、ベローズ２０６等の隔壁により密閉さ
れている。その際、前記空間は図示を省略した排気口を
介して前記内側容器２０２内部よりも高真空状態に排気
され、前記内側容器２０２内で行われる基板処理プロセ
スへの汚染が回避される。

【０１０１】かかる差動排気を確実に行うため、前記基
板保持台２０３には被処理基板Ｗを囲むように石英ガラ
スよりなるガードリング２０３Ａが設けられている。か
かるガードリング２０３Ａは、前記基板保持台２０３と
前記外側処理容器２０１中に前記基板保持台を収容する
ように形成された前記開口部２０１Ｄの側壁面との間の
コンダクタンスを抑制し、これにより前記ベローズ２０
６で画成された空間内を高真空に排気した場合に前記内
側処理容器２０２との間に差圧が確実に形成される。

【０１０２】前記外側処理容器２０１の底部に形成され
た前記開口部２０１Ｄは、側壁面が石英ライナー２０１
ｄにより覆われており、前記石英ライナー２０１ｄはさ
らに下方に延在して前記基板搬送部２０４の内壁を覆
う。

【０１０３】前記外側処理容器２０１の底部には、前記
開口部２０１Ｄの両側にそれぞれ排気装置に接続された
排気溝部２０１ａおよび２０１ｂが形成されており、前
記排気溝部２０１ａは導管２０７ａおよびコンダクタン
スバルブ２０７Ａを介して、また前記排気溝部２０１ｂ
は導管２０７ｂおよびコンダクタンスバルブ２０７Ｂを
介して排気される。図１９の状態では、前記コンダクタ
ンスバルブ２０７Ａが開状態に、また前記コンダクタン
スバルブ２０７Ｂが略閉状態に設定されている。先の実
施例と同様に、前記コンダクタンスバルブ２０７Ａ，２
０７Ｂは、信頼性の高い開閉状態を実現するために、閉
状態といえども完全に閉鎖するのではなく３％程度の弁
開度を残しておくのが好ましい。

【０１０４】前記排気溝部２０１ａおよび２０１ｂは石
英ガラスよりなるライナー２０８により覆われており、
前記排気溝部２０１ａ，２０１ｂに対応してスリット状
の開口部２０９Ａ，２０９Ｂが前記石英底板２０２Ａに
形成される。図１9の実施例では、かかるスリット状の
開口部２０９Ａ，２０９Ｂに、後で説明する整流板２０
９が、前記内側処理容器２０２内部の排気を促進する目
的で形成されている。

【０１０５】さらに前記内側処理容器２０２内には、後
で詳細に説明する石英ガスノズル２１０Ａおよび２１０
Ｂが、それぞれ前記排気溝部２０１ａおよび２０１ｂ
に、前記開口部２０１Ａを隔てて対向するように設けら
れている。そこで前記ガスノズル２１０Ａから導入され
た第１の処理ガスは、前記内側処理容器２０２内を前記
被処理基板Ｗの表面に沿って流れ、対向する排気溝部２
０１ａから前記コンダクタンスバルブ２０７Ａを介して
排気される。同様に前記ガスノズル２１０Ｂから導入さ
れた第２の処理ガスは、前記内側処理容器２０２内を前
記被処理基板Ｗの表面に沿って流れ、対抗する排気溝部
２１０ｂから前記コンダクタンスバルブ２０７Ｂを介し
て排気される。このように第１および第２の処理ガスを
交互に前記ガスノズル２１０Ａから排気溝部２０１ａへ
と、あるいは前記ガスノズル２１０Ｂから排気溝部２０
１ｂへと流すことにより、先に説明した原子層を基本単
位とする膜形成が可能になる。

【０１０６】図２０は、前記内側処理容器２０２を構成
する石英底板２０２Ａの構成を詳細に示す。

【０１０７】図２０を参照するに、前記石英底板２０２
Ａには前記被処理基板Ｗに対応した円形の開口部２０２
ａが形成されており、前記開口部２０２ａの両側には、
前記排気溝部２０１ａ，２０１ｂに対応した開口部２０
９Ａおよび２０９Ｂが形成されている。さらに図２０の
例では、前記開口部２０９Ａ，２０９Ｂに対応してスリ
ットを有する整流板２０９が設けられている。また前記
石英底板２０２Aには、前記ガスノズル２１０Ａに対応
して開口部２１０ａが、また前記ガスノズル２１０Ｂに
対応して開口部２１０ｂが形成されている。前記石英底
板２０２Ａに前記開口部２１０ａあるいは２１０ｂを複
数個形成することにより、前記内側処理容器２０２内に
前記ガスノズル２１０Ａあるいは２１０Ｂを複数個設け
ることが可能になる。

【０１０８】図２１（Ａ）〜（Ｄ）は、前記整流板２０
９の様々な例２０９₁〜２０９₄を示す。

【０１０９】図２１（Ａ）を参照するに、整流板２０９
₁には幅が一様なスリットが形成されており、前記コン
ダクタンスバルブ２０７Ａに接続された導管２０７ａが
前記排気溝部２０１ａあるいは２０１ｂにおいて前記ス
リットの両端部に接続されている。

【０１１０】図２１（Ｂ）の整流板２０９₂では、図２
１（Ａ）の整流板２０９₁においてスリットの中央部の
幅が増大するように変形されており、スリットの全長に
わたり一様な排気が実現される。

【０１１１】これに対し、図２１（Ｃ）の整流板２０９
₃では図２１Ａあるいは１７Ｂのスリットの代わりに整
流板２０９に開口部列が形成されており、前記開口部列
の全長にわたり一様な排気が実現するように、開口部列
中央部の開口部において径が増大されている。また図２
１（Ｄ）の整流板２０９₄では整流板中に同一径の開口
部よりなる開口部列が形成されており、開口部列中央部
において開口部の数が増大されている。かかる構成によ
っても、前記開口部列の全長にわたり、一様な排気が実
現する。

【０１１２】図２２は、図１９の基板処理装置２００に
おけるガスノズル２１０Ｂおよび対応する排気溝部２０
１ｂの構成、および前記前記ガスノズル２１０Ｂから前
記排気溝部２０１ｂへと流れる処理ガスＡの流れを示
す。同様な構成および状況は、ガスノズル２１０Ａおよ
びこれに対応する排気溝部２１０ａとの間にも成立す
る。

【０１１３】図２２を参照するに、前記ガスノズル２１
０Ｂは図２０の開口部２１０ｂに挿入される石英管２１
０Ｂ₁と、前記石英管２１０Ｂ_１の先端に形成された石
英管リング２１０Ｂ₂とよりなり、前記石英管リング２
１０Ｂ₂の前記排気溝部２０１ｂに面する側には多数の
ノズル開口部が形成されている。

【０１１４】そこで、前記開口部２１０ｂから前記石英
管２１０Ｂ₁に導入された処理ガスは前記石英管リング
２１０Ｂ₂中を流れ、前記ノズル開口部からシート状の
ガス流Ｂとなって吐出される。

【０１１５】図１９のコンダクタンスバルブ２０７Ｂが
開かれている場合、ガス流Ａは前記石英底板２０２Ａと
ほぼ同一面を形成する被処理基板Ｗの表面を流れ、前記
整流板２０９および排気溝部２０１ｂ、さらに導管２０
７ｂを介して排気される。

【０１１６】図２３（Ａ）〜（Ｃ）は、前記石英管リン
グ２１０Ｂ₂に設けられ前記シート状のガス流Ｂを形成
するノズル開口部の例を示す。

【０１１７】図２３（Ａ）を参照するに前記ノズル開口
部は径が同一の複数の開口部よりなる開口部列よりな
り、前記開口部列の中央部と両端部とで開口部のピッチ
を変化させることにより、所望のシート状のガス流を形
成している。これに対し、図２３（Ｂ）の構成では前記
ノズル開口部を構成する開口部列中の開口部の径を開口
部列中央部と両端部とで変化させている。また図２３
（Ｃ）の構成では、前記ノズル開口部をスリット状の開
口部により構成し、スリット幅を中央部と周辺部とで変
化させている。

【０１１８】また、前記ガスノズル２１０Ｂとしては図
２４に示すように、石英管２１０Ｂ ₁の先端部に両端が
閉じた別の石英管２１０Ｂ₃を設け、前記別の石英管２
１０Ｂ ₃の内部を拡散板２１０Ｂ₄により、ガス導入室２
１０Ｂ₅とガス吐出室２１０Ｂ _６とに仕切り、ガス吐出
室２１０Ｂ₆にノズル開口部２１０ｂ_６を設けた構成を
使うことも可能である。

【０１１９】図１９の基板処理装置２００では、前記基
板保持台２０３が上下に移動可能であるため前記内側処
理容器２０２中において前記被処理基板Ｗ表面の位置を
最適化することにより、前記内側処理容器２０２中に前
記石英底板２０２Ａに沿った処理ガスのラミナフローを
形成することが可能である。

【０１２０】図２５（Ａ），２５（Ｂ）および図２６
は、基板処理装置２００の排気系の構成例を示す。

【０１２１】図２５（Ａ）の例では、前記排気溝部２０
１ａの両端部に結合された導管２０７ａの各々にコンダ
クタンスバルブ２０７Ａが設けられ、同様に排気溝部２
０１ｂの両端部に結合された導管２０７ｂの各々にはコ
ンダクタンスバルブ２０７Ｂが設けられている。前記一
対のコンダクタンスバルブ２０７Ａは同時に同一の弁開
度で駆動され、同様に前記一対のコンダクタンスバルブ
２０７Ｂも同時に同一の弁開度で駆動される。

【０１２２】図２５（Ａ）の構成では、コンダクタンス
バルブ２０７Ａおよび２０７Ｂを排気溝部２０１ａある
いは２０１ｂの直近に設けることが可能であり、基板処
理装置２００におけるガス切替動作の際の応答性が向上
する。

【０１２３】これに対し、図２５（Ｂ）の構成では、前
記排気溝部２０１ａの両端部に結合される導管２０７ａ
を単一のコンダクタンスバルブ２０７Ａに共通接続して
いる。同様に、図２５（Ｂ）の構成では排気溝部２０１
ｂにおいても排気溝部２０１ａの両端部に結合される一
対の導管２０７ｂを単一のコンダクタンスバルブ２０７
Ｂに共通接続している。かかる構成では、コンダクタン
スバルブと排気溝部との距離が長くなるため、ガス切替
動作の際の応答性はやや低下するが、コンダクタンスバ
ルブの数を減らすことが可能で、基板処理装置２００の
構成が簡素化される。

【０１２４】図２６の構成では、前記排気溝部２０１ｂ
の排気構成は図２５（Ｂ）と同様であるが、排気溝部２
０１ａが中央部において単一の導管２０７ａおよび単一
のコンダクタンスバルブ２０７Ａを介して排気されてい
る。かかる構成によれば、二つのコンダクタンスバルブ
を使って内側処理容器２０２内部のガス切替を迅速に行
うことが可能である。

【０１２５】図２７は、前記基板処理装置２００の基板
搬送部２０４の構成を示す。

【０１２６】図２７を参照するに、前記外側容器２０１
の底部から前記基板搬送部２０４へと延在する石英スリ
ーブ２０１ｄの一部には、基板搬送路を囲んで基板搬入
出開口部２０４Ａへと延在する延在部２０１ｅが形成さ
れており、前記被処理基板Ｗは前記延在部２０１ｅ中を
通って搬入され、また搬出される。さらにこのために前
記延在部２０１ｅ中には先に図１９で説明した搬送アー
ム２０４Ｂが挿入される。前記アーム２０４Ｂにより搬
入された被処理基板Ｗは保持台２０３ごと上方に持ち上
げられ、前記被処理基板Ｗは先に説明した、石英底板２
０２Ａの表面と被処理基板Ｗの表面が略一致する処理位
置に移動される。この処理位置は、必要に応じて上下に
変化させることが可能である。

【０１２７】図１９の基板処理装置２００では、前記延
在部２０１ｅは図２７に示すように一対の導管２０７ｂ
の間に形成されている。

【０１２８】図１９の基板処理装置２００では、基板処
理工程の間、前記被処理基板Wは前記保持台２０３と共
に回転される。かかる回転機構を設けることにより、前
記被処理基板表面に、非常に均一な膜厚あるいは組成の
膜を形成することが可能になる。

【０１２９】図２８は前記基板処理装置２００を使って
Ｓｉ基板上にＨｆＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃系の高誘電体膜を形成
した場合の、膜中のＨｆおよびＡｌ濃度分布を示す。た
だし図２８の実験では、図２の基板処理装置１０と同様
にガスノズル２１０Ｂに隣接して別のガスノズル２１０
Ｃを設け、図２の場合と同様なガス供給系を使い、図７
〜９のフローチャートに従ってＨｆＣｌ₄ガス、Ｈ₂Ｏガ
ス、Ａｌ（ＣＨ₃）₃ガスとＨ₂Ｏガスとを繰り返し供給
している。

【０１３０】図２８を参照するに、図１９の基板処理装
置２００において被処理基板Ｗを回転させなかった場合
には基板中央に向ってＨｆ濃度が増大するのに対し、被
処理基板Ｗを回転させた場合にはかかる組成の不均一が
効果的に平均化され、ほぼ均一な組成プロファイルが得
られることがわかる。同様な効果は、図２の基板処理装
置１０においても得られる。

【０１３１】図１９の基板処理装置２００では、図２に
示したのと同様なガス供給系が使われるが、特に図１５
のバルブ１６Ａあるいは１６Ｃに対応して供給されるガ
スの音速を測定する音波センサ１８Ｃ’，１８Ａ’を設
けることにより、供給される処理ガスの実際の分圧を検
出することが可能である。このような実際のガス濃度を
積分することにより、処理容器中に供給された処理ガス
のモル数を算出することが可能で、このため図５あるい
は図７〜９の処理シーケンスを、処理ガスの供給時間で
はなくて供給モル数に応じて正確に、時間の無駄なく制
御することが可能になる。

【０１３２】先にも説明したように、基板処理装置１０
あるいは基板処理装置２００を含む、図１（Ａ），
（Ｂ）に基本原理を示す本発明の基板処理装置では、図
１（Ａ）の工程において処理容器１中に処理ガス供給口
３Ａから処理ガスＡを導入した後、図１（Ｂ）の工程に
おいて処理ガス供給口３Ｂからパージガスあるいは処理
ガスＢを導入した場合、処理容器１中に残留している処
理ガスＡはパージガスあるいは処理ガスＢの流れに乗っ
て排気口４Ｂより速やかに排出され、前記処理容器１内
における処理ガスＡの残留濃度は急激に低下する。同様
に、図１（Ｂ）の工程において処理容器１中に処理ガス
供給口３Ｂから処理ガスＢを導入した後、図１（Ａ）の
工程に戻って処理ガス供給口３Ａからパージガスあるい
は処理ガスＡを導入した場合、処理容器１中に残留して
いる処理ガスＢはパージガスあるいは処理ガスＡの流れ
に乗って排気口４Ａより速やかに排出され、前記処理容
器１内における処理ガスＢの残留濃度は急激に低下す
る。

【０１３３】これに対し、処理ガス導入口３Ｂおよびこ
れに対応する排気口４Ｂを省略した構成の基板処理装置
では、処理ガス導入口３Ａから導入される処理ガスＡを
パージガスあるいは処理ガスＢに切替えても処理ガスＡ
が前記処理容器１中に残留しやすく、残留処理ガスＡの
濃度が処理ガスＢによる処理に十分な程度まで減少する
のに長い時間を要する。

【０１３４】図２９は、図１９の基板処理装置２００に
おいて、ガスノズル２１０Ａおよび２１０Ｂから間のパ
ージ工程を挟みながら交互にＴＭＡガスとＨ₂Ｏガスと
を供給することによりＡｌ₂Ｏ₃膜の原子層成長を行った
場合に得られる１サイクル当りの膜厚とパージ時間との
関係を示す。図２９中には、同時に図１９の基板ン処理
装置２００においてガスノズル２１０Ａおよび対応する
排気溝部２０１ａのみを使って同様なＡｌ₂Ｏ₃膜の原子
層成長を行った場合の１サイクル当りの膜厚とパージ時
間との関係を示す。

【０１３５】図２９よりわかるように、ガスノズル２１
０Ａおよび２１０Ｂを交互に使ってＡｌ₂Ｏ₃膜を成長さ
せた場合には、パージ時間を０．１秒程度まで減少させ
ても１サイクル当り形成される膜厚はほとんど変化して
おらず、先のサイクルで使われた処理ガスが次のサイク
ルまでに処理容器２０２内から実質的に完全にパージさ
れていることを示している。

【０１３６】これに対し、ガスノズル２１０Ａと排気溝
部２１０ａとのみを使った場合には、パージ時間を０．
１秒程度まで短縮すると１サイクル当り形成される膜厚
は２倍に増大しており、処理容器２０２内に先の工程の
処理ガスが残留していることを示している。

【０１３７】図２９の結果は、場合によっては、図５あ
るいは図７〜図９の制御シーケンスにおいてパージ工程
を省略することも可能であることを示唆している。

【０１３８】このように、本発明の基板処理装置は、被
処理基板を処理ガスＡおよびＢで交互に処理する場合に
サイクル時間を短縮することが可能な利点を有する。 ［第１１実施例］図３０は、本発明の第１１実施例によ
る基板処理装置３００の構成を示す。ただし図３０中、
先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省
略する。

【０１３９】図３０を参照するに、基板処理装置３００
は先の基板処理装置２００と同様な構成を有するが、ガ
スノズル２１０Ｂが撤去され、代わりにリモートプラズ
マ源３１０が前記外側処理容器２０１の側壁面上に、前
記排気溝部２０１ｂに前記被処理基板Ｗを隔てて対向す
るように設けられている。

【０１４０】前記リモートプラズマ源３１０はライン３
１２ＡからＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅなどの不活性
ガスが供給され、電極３１１に供給されたマイクロ波に
より前記不活性ガス中にプラズマを形成する。さらに前
記リモートプラズマ源３１０にはＯ₂やＮ₂などの処理ガ
スが供給され、供給された処理ガスをプラズマ活性化す
ることによりラジカルを形成する。このようにして形成
されたラジカルは、不活性ガスのガス流に乗って前記被
処理基板Ｗの表面を前記排気溝部２０１ｂへと流れ、前
記被処理基板Ｗの表面に吸着していた処理ガス分子を窒
化あるいは酸化、あるいは酸窒化処理する。

【０１４１】このように、本実施例の基板処理装置によ
れば、酸化膜のみならず、窒化膜あるいは酸窒化膜を原
子層成長により形成することが可能になる。

【０１４２】本実施例において、プラズマ源はリモート
プラズマ発生装置に限定されるものではなく、ＩＣＰプ
ラズマ源あるいはＥＣＲプラズマ源など、他の公知のプ
ラズマ源を使うことも可能である。

【０１４３】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内におい
て、様々な変形・変更が可能である。

【０１４４】

【発明の効果】本発明によれば、処理容器中に被処理基
板を挟んで対向するように第１および第２の処理ガス導
入口を設け、さらに前記被処理基板を挟んで前記第１お
よび第２の処理ガス導入口に対向するように、第１およ
び第２の排出口を設け、前記第１の処理ガス導入口より
第１の処理ガスを前記処理容器中に導入し、前記被処理
基板表面に沿って流した後、前記第１の排出口より排出
し、次に前記第２の処理ガス導入口あるいはプラズマ源
より第２の処理ガスあるいはラジカルを導入し、前記被
処理基板表面に沿って流して先に前記被処理基板表面に
吸着されていた前記第１の処理ガス分子と反応させた
後、前記第２の排出口より排出する工程により、前記被
処理基板上に、高誘電体膜を１分子層ずつ積層しながら
形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の原理を説明する図
である。

【図２】本発明の第１実施例による基板処理装置の構成
を示す図である。

【図３】図２の基板処理装置の一部を詳細に示す図であ
る。

【図４】（Ａ），（Ｂ）は、図３の基板処理装置の一変
形例を示す図である。

【図５】図５は、本発明の第２実施例による基板処理方
法を示すフローチャートである。

【図６】本発明の第２実施例の一変形例による基板処理
方法を示すフローチャートである。

【図７】本発明の第３実施例による基板処理方法を示す
フローチャート（その１）である。

【図８】本発明の第３実施例による基板処理方法を示す
フローチャート（その２）である。

【図９】本発明の第３実施例による基板処理方法を示す
フローチャート（その３）である。

【図１０】本発明の第３実施例による基板処理方法の別
の例を示すフローチャート（その１）である。

【図１１】本発明の第３実施例による基板処理方法の別
の例を示すフローチャート（その２）である。

【図１２】本発明の第３実施例による基板処理方法の別
の例を示すフローチャート（その３）である。

【図１３】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第４実施例によ
る切替バルブの構成を示す図である。

【図１４】本発明の第５実施例による基板処理装置の構
成を示す図である。

【図１５】本発明の第６実施例による基板処理装置の構
成を示す図である。

【図１６】本発明の第７実施例による基板処理装置の構
成を示す図である。

【図１７】本発明の第８実施例による基板処理装置の構
成を示す図である。

【図１８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第９実施例によ
る様々な基板処理装置の構成を示す図である。

【図１９】本発明の第１０実施例による基板処理装置の
構成を示す図である。

【図２０】図１９の基板処理装置の一部を詳細に示す図
である

【図２１】図２０の一部を詳細に示す図である。

【図２２】図１９の基板処理装置の一部を詳細に示す図
である。

【図２３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図２２の一部を詳細に示
す図である。

【図２４】図２２の一部を詳細に示す図；である。

【図２５】（Ａ），（Ｂ）は、図１９の基板処理装置の
排気系の構成例を示す図である。

【図２６】図１９の基板処理装置の排気系の別の構成例
を示す図である。

【図２７】図１９の基板処理装置の基板搬入出部の構成
を示す図である。

【図２８】図１９の基板処理装置において被処理基板を
回転させた場合の効果を示す図である。

【図２９】図１９の基板処理装置において、処理ガスを
交互に供給した場合のパージ時間短縮効果を示す図であ
る。

【図３０】本発明の第１１実施例による基板処理装置の
構成を示す図である。

【符号の説明】

１，１０，１０₁，１０₂，２００，３００ 基板処理装
置 ２，１２ 被処理基板 ３Ａ，３Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ 処理ガ
ス導入口 ４Ａ，４Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ 排気口 ５Ａ，５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ 切替バルブ ６Ａ，６Ｂ，１５Ａ，１５Ｂ コンダクタンスバルブ １０Ａ 制御装置 １１ 処理容器 １１Ｗ 石英窓 １６ａ 第１の処理ガス供給ライン １６ｂ 第２の処理ガス供給ライン １６ｃ 第３の処理ガス供給ライン １７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，２１Ａ，２２Ａ，２１Ｂ，２
２Ｂ，２１Ｃ，２２Ｃバルブ １８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，２０ａ，２０ｃ 質量流量コ
ントローラ １８Ａ‘，１８Ｃ’ 音波センサ ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，１
００ａ，１００ｂ パージライン ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ 原料容器 １００ トラップ １１０ 石英処理容器 １１０Ａ 石英処理容器上部 １１０Ｂ 石英処理容器下部 １１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｅ，
１１１Ｆ ヒータ １６０ 切替バルブ １６１Ａ 金属棒 １６１ａ シールリング １６１Ｂ セラミック弁体 １６１Ｂａ，１６１Ｂｂ 溝 １６１Ｍ マグネット １６２ 容器 １６２Ａ 第１のガス入り口 １６２Ｂ 第２のガス入り口 １６２Ｃ 第１のガス出口 １６２Ｄ，１６２Ｅ 第２のガス出口 １６３ キャップ １６３Ａ 水冷ジャケット １６３ａ 冷却水入り口 １６３ｂ 冷却水出口 ２０１ 外側容器 ２０１Ａ カバープレート ２０１Ｄ 開口部 ２０１ａ，２０１ｂ 排気溝部 ２０１ｄ 石英ライナー ２０２ 内側容器 ２０２Ａ 石英底板 ２０２Ｂ 石英カバー ２０３ 保持台 ２０３Ａ ガードリング ２０４ 基板搬送部 ２０４Ａ 基板搬送口 ２０４Ｂ 搬送アーム ２０５ 軸受部 ２０５Ａ 磁気シール ２０５Ｂ 回動軸 ２０６ ベローズ ２０７Ａ，２０７Ｂ コンダクタンスバルブ ２０７ａ，２０７ｂ 導管 ２０９₁〜２０９₄ 整流板 ２０９Ａ、２０９Ｂ 開口部 ２６０ａ，２６０ｃ 処理ガス蓄積室 ２６１ｃ 圧力計 ３１０ リモートプラズマ源 ３１１ 電極 ３１２Ａ、３１２Ｂ ガス供給ライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本間 孝治 東京都東大和市立野２丁目703番地 株式 会社ケミトロニクス内 Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA06 AA11 AA14 BA42 BA44 CA04 CA12 EA06 GA06 JA05 KA02 KA10 KA11 KA12 KA24 KA46 5F045 AA03 AB31 AC01 AC05 AC07 AC08 AC09 AC11 AD06 AD07 AD08 AE21 AE23 AE25 AF03 BB16 CA05 DC63 DP04 EB02 EB03 EF13 EK07 EM10 5F058 BA01 BC03 BD01 BD04 BD05 BF04 BF23 BF24 BF27 BF29 BJ01

Claims (65)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器と、 前記処理容器中に、前記被処理基板を保持可能に設けら
   れた基板保持台と、 前記処理容器中、前記基板保持台の第１の側に形成さ
   れ、前記基板保持台上の前記被処理基板表面に第１の処
   理ガスを、前記第１の処理ガスが前記被処理基板表面に
   沿って、前記第１の側から前記第１の側に対向する第２
   の側に向かって流れるように供給する第１の処理ガス供
   給部と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２の側に形成
   された第１の排気口と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２の側に形成
   され、前記基板保持台上の前記被処理基板表面に第２の
   処理ガスを、前記第２の処理ガスが前記被処理基板表面
   に沿って、前記第２の側から前記第１の側に向かって流
   れるように供給する第２の処理ガス供給部と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第１の側に形成
   された第２排気口を備えた基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記処理容器は、外側容器と、前記外側
   容器内部に設けられた内側容器とよりなり、前記基板保
   持台は、前記内側容器内に設けられている請求項１記載
   の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記基板保持台は上下動自在に設けられ
   ており、前記内側容器は前記基板保持台に上下動経路に
   沿って、前記上下動経路を囲むように延在する延在部を
   含む請求項２記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記基板保持台の最高位置において前記
   被処理基板の表面が前記内側処理容器の底面と実質的に
   一致する請求項３記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記保持台の周囲には、前記被処理基板
   の外周縁を囲むようにガードリング部材が設けられ、前
   記ガードリング部材は前記内側容器延在部の内周に対応
   した外周を有し、前記内周と前記外周との間に実質的に
   一定の幅の隙間が形成される請求項３記載の基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 さらに前記外側処理容器と前記内側処理
   容器との間の空間が、前記内側処理容器とは独立に排気
   される請求項２記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記内側容器は石英よりなる請求項２記
   載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記内側容器は平坦な石英プレートより
   なる底部と、前記底部上に、前記底部を覆うように設け
   られた石英カバーとよりなり、前記保持台上の被処理基
   板は前記石英プレート中に形成された開口部において露
   出され、前記露出された被処理基板表面は、前記石英プ
   レート表面と実質的に一致する平面を形成する請求項２
   記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記内側容器と前記外側容器との間の空
   間には、加熱機構が設けられている請求項２記載の基板
   処理装置。
10. 【請求項１０】 前記基板保持台は加熱機構を備えた請
    求項１記載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 さらに前記基板保持台を回動させる回
    動機構を備えた請求項１記載の基板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記回動機構は、前記基板保持台を保
    持するシャフトと、前記シャフトを回動自在に保持する
    磁気シールとよりなり、前記磁気シールは前記シャフト
    をベローズにより囲まれた空間内を上下自在に保持し、
    前記空間は、前記内側容器内部よりも高真空状態に減圧
    される請求項１１記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記第１の排気口は、前記第１の処理
    ガスの流れ方向に略直交する方向に延在する第１のスリ
    ットよりなり、前記第２の排気口は、前記第２の処理ガ
    スの流れ方向に略直交する方向に延在する第２のスリッ
    トよりなる請求項１記載の基板処理装置。
14. 【請求項１４】 前記第１の排気口は、前記第１の処理
    ガスの流れ方向に略直交する方向に延在する第１のスリ
    ットよりなり、前記第２の排気口は、前記第２の処理ガ
    スの流れ方向に略直交する方向に延在しる第２のスリッ
    トよりなり、前記処理容器の排気は、前記第１および第
    ２の処理ガスの流れ方向および前記第１および第２のス
    リットの延在方向に略直交する方向になされることを特
    徴とする請求項１記載の基板処理装置。
15. 【請求項１５】 前記第１および第２のスリットは、実
    質的に一定のスリット幅を有する請求項１３記載の基板
    処理装置。
16. 【請求項１６】 前記第１および第２のスリットの各々
    は、スリット幅が中央部と両端部とで変化する請求項１
    ３記載の基板処理装置。
17. 【請求項１７】 前記第１および第２のスリットの各々
    はカバープレートで覆われ、前記カバープレート中に
    は、前記スリットの延在方向に沿って複数の開口部が形
    成されている請求項１３記載の基板処理装置。
18. 【請求項１８】 前記複数の開口部は、前記スリットの
    中央部と両端部で大きさが変化する請求項１７記載の基
    板処理装置。
19. 【請求項１９】 前記カバープレート中において、前記
    複数の開口部の密度が、前記スリットの中央部と両端部
    で変化する請求項１７記載の基板処理装置。
20. 【請求項２０】 前記第１の処理ガス供給部は、前記第
    １の処理ガスを滞留させる第１の滞留部と、前記第１の
    滞留部上に前記第１の処理ガスの流れ方向に略直交する
    方向に延在するように形成された偏平なスリットよりな
    る第１の吐出口を有し、前記第２の処理ガス供給部は、
    前記第２の処理ガスを滞留させる第２の滞留部と、前記
    第２の滞留部上に前記第２の処理ガスの流れ方向に略直
    交する方向に延在するように形成された偏平なスリット
    よりなる第２の吐出口を有する請求項１記載の基板処理
    装置。
21. 【請求項２１】 前記第１および第２の吐出口は、中央
    部と両端部とで異なるスリット幅を有する請求項２０記
    載の基板処理装置。
22. 【請求項２２】 前記第１および第２の吐出口の各々に
    は複数の開口部を有する拡散板が設けられ、前記複数の
    開口部は前記拡散板の中央部と両端部とで大きさが異な
    る請求項２記載の基板処理装置。
23. 【請求項２３】 前記第１および第２の吐出口の各々に
    は複数の開口部を有する拡散板が設けられ、前記複数の
    開口部の密度が前記拡散板の中央部と両端部とで異なる
    請求項２０記載の基板処理装置。
24. 【請求項２４】 前記外部容器と前記内部容器との間の
    空間は、前記内部容器内部よりもより高真空に減圧され
    る請求項２記載の基板処理装置。
25. 【請求項２５】 前記第１の処理ガス供給部は前記第１
    の処理ガスを第１の原料容器から第１の原料切替弁を介
    して供給され、前記第２の処理ガス供給部は前記第２の
    処理ガスを第２の原料容器から第２の原料切替弁を介し
    て供給され、前記第１の排気口および前記第２の排気口
    はそれぞれ第１および第２の排気量調整弁機構を介して
    排気装置に接続される請求項１記載の基板処理装置。
26. 【請求項２６】 前記第１の排気口は前記第１の処理ガ
    スの流れ方向に略直交する方向に延在する第１のスリッ
    トよりなり、前記第２の排気口は前記第２の処理ガスの
    流れ方向に略直交する方向に延在する第２のスリットよ
    りなり、前記第１の排気量調整弁機構は、前記第１のス
    リットの両端部に結合され、同時に実質的に同一の開度
    に駆動される一対の排気量調整弁よりなり、前記第２の
    排気量調整弁機構は、前記第２のスリットの両端部に結
    合され、同時に実質的に同一の開度に駆動される一対の
    排気量調整弁よりなる請求項２５記載の基板処理装置。
27. 【請求項２７】 前記第１の排気口は前記第１の処理ガ
    スの流れ方向に略直交する方向に延在する第１のスリッ
    トよりなり、前記第２の排気口は前記第２の処理ガスの
    流れ方向に略直交する方向に延在する第２のスリットよ
    りなり、前記第１の排気量調整弁機構は、前記第１のス
    リットの両端部に、ダクトを介して共通接続される請求
    項２５記載の基板処理装置。
28. 【請求項２８】 前記第２の排気量調整弁機構は、前記
    第２のスリットの両端部に、ダクトを介して共通接続さ
    れる請求項２７記載の基板処理装置。
29. 【請求項２９】 前記保持台は、最上位の処理位置と最
    下位の基板出入位置との間を上下自在に設けられてお
    り、前記被処理基板は、前記第１の排気量調整弁機構を
    構成する前記一対の排気量調整弁の間の空間を通る基板
    搬送路を通って、前記処理容器に対して出し入れされる
    請求項２６記載の基板処理装置。
30. 【請求項３０】 さらに前記基板処理装置は、前記第
    １，第２の原料切替弁を制御する制御装置を備え、前記
    制御装置は前記第１，第２の原料切替弁を、前記第１の
    処理ガス供給部が前記第１の処理ガスを前記処理容器中
    に導入する場合に前記第２の処理ガス供給部による前記
    第２の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮断される
    ように、また前記第２の処理ガス供給部が前記第２の処
    理ガスを前記処理容器中に導入する場合に前記第１の処
    理ガス供給部による前記第１の処理ガスの前記処理容器
    中への導入が遮断されるように制御する請求項２５記載
    の基板処理装置。
31. 【請求項３１】 前記制御装置は、前記第１の処理ガス
    供給部が前記第１の処理ガスを前記処理容器中に導入す
    る場合に前記第１の排気量調整弁機構の開弁度を前記第
    ２の排気量調整弁機構の開弁度よりも増大させ、前記第
    ２の処理ガス供給部が前記第２の処理ガスを前記処理容
    器中に導入する場合に前記第２の排気量調整弁機構の開
    弁度を前記第１の排気量調整弁機構の開弁度よりも増大
    させる請求項３０記載の基板処理装置。
32. 【請求項３２】 前記第１の処理ガスを前記処理容器中
    に導入する場合、前記第２の排気量調整弁機構の開弁度
    は３％あるいはそれ以下に設定され、前記第２の処理ガ
    スを前記処理容器中に導入する場合、前記第１の排気量
    調整弁機構の開弁度は３％あるいはそれ以下に設定され
    る請求項３１記載の基板処理装置。
33. 【請求項３３】 前記第１の処理ガスを前記処理容器中
    に導入する場合、前記第２の排気量調整弁機構が閉鎖さ
    れ、前記第２の処理ガスを前記処理容器中に導入する場
    合、前記第１の排気量調整弁機構が閉鎖される請求項３
    １記載の基板処理装置。
34. 【請求項３４】 前記第１の処理ガスの前記処理容器中
    への導入が遮断され、かつ前記第２の処理ガスが前記処
    理容器中に導入される以前であり、しかも前記第２の処
    理ガスの前記処理容器中への導入が遮断されている状態
    において、前記第１の排気量調整弁機構および前記第２
    の排気量調整弁機構を、それぞれ最大の開度あるいは十
    分な排気量が得られる開度に設定する工程を設けたこと
    を特徴とする請求項３１記載の基板処理装置。
35. 【請求項３５】 前記第１の処理ガス供給部は、前記第
    １の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮断された状
    態で、前記処理容器中に不活性ガスを導入し、前記第２
    の処理ガス供給部は、前記第２の処理ガスの前記処理容
    器中への導入が遮断された状態で、前記処理容器中に不
    活性ガスを導入する請求項１記載の基板処理装置。
36. 【請求項３６】 前記第１の原料切替弁は第１の不活性
    ガスラインと第１の排気ラインに接続されており、前記
    第２の原料切替弁は第２の不活性ガスラインと第２の排
    気ラインに接続されており、前記第１の原料切替弁は、
    前記第１の処理ガスを前記処理容器中に導入している状
    態で前記第１の不活性ガスライン中の不活性ガスを前記
    第１の排気ラインに流し、前記第１の処理ガスの前記処
    理容器中への導入が遮断されている状態で、前記第１の
    処理ガスを前記第１の排気ラインに流し、前記第１の不
    活性ガスライン中の不活性ガスを前記処理容器中に導入
    し、前記第２の原料切替弁は、前記第２の処理ガスを前
    記処理容器中に導入している状態で前記第２の不活性ガ
    スライン中の不活性ガスを前記第２の排気ラインに流
    し、前記第２の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮
    断されている状態で、前記第２の処理ガスを前記第２の
    排気ラインに流し、前記第２の不活性ガスライン中の不
    活性ガスを前記処理容器中に導入する請求項２５記載の
    基板処理装置。
37. 【請求項３７】 前記第１の原料切替弁により前記第１
    の不活性ガスを前記処理容器中に導入しており、かつ前
    記第２の原料切替弁により前記第２の不活性ガスを前記
    処理容器中に導入している状態において、前記第１およ
    び第２の排気量調整弁機構を最大の開度、もしくは十分
    に高い排気が達成できるか開度に設定する工程を設ける
    ことを特徴とする請求項２５記載の基板処理装置。
38. 【請求項３８】 前記第１の原料容器は、反応ガスを供
    給されることにより前記第１の処理ガスを発生させる請
    求項３０記載の基板処理装置。
39. 【請求項３９】 前記第１の原料容器と前記第１の切替
    弁との間には、前記第１の処理ガスが前記処理容器中に
    供給されている状態で、前記第１の処理ガスの前記処理
    容器中への導入が遮断されている状態よりも前記第１の
    処理ガスの流量を増大させる流量制御部が設けられた請
    求項３０記載の基板処理装置。
40. 【請求項４０】 前記第１の原料容器と前記第１の切替
    弁との間には、前記第１の処理ガスを一時的に蓄積する
    空間が設けられた請求項２５記載の基板処理装置。
41. 【請求項４１】 前記空間には圧力計が設けられ、前記
    空間中には前記第１の処理ガスが所定の圧力で蓄積され
    る請求項４０記載の基板処理装置。
42. 【請求項４２】 前記第１の原料容器と前記空間との間
    には質量流量コントローラが設けられ、前記空間中には
    前記第１の処理ガスが、前記質量流量コントローラで検
    出した流量に基づいて、所定の積算流量に対応する量で
    蓄積される請求項４０記載の基板処理装置。
43. 【請求項４３】 前記処理容器は平坦な形状を有し、前
    記第１および第２の処理ガス供給部は、それぞれ前記第
    １および第２の処理ガスを、前記被処理基板の主面に平
    行なシート状の流れとして供給する請求項１記載の基板
    処理装置。
44. 【請求項４４】 前記処理容器は平坦な形状を有し、か
    つ、前記被処理基板の主面に平行なシート状のガスの流
    れる上面と底面との距離が可変である請求項１記載の基
    板処理装置。
45. 【請求項４５】 前記処理容器は平坦な形状を有し、か
    つ、前記被処理基板の主面に平行なシート状のガスの流
    れる上面と底面との距離は、前記被処理基板が搬送され
    た後、短く設定される請求項１記載の基板処理装置。
46. 【請求項４６】 前記第１および第２の排気口は、それ
    ぞれ前記第１および第２の処理ガスの流れ方向に略直交
    する方向に延在するスリット状の開口部よりなる請求項
    １記載の基板処理装置。
47. 【請求項４７】 前記第１および第２の処理ガスは、不
    活性ガスとの混合ガスである請求項１記載の基板処理装
    置。
48. 【請求項４８】 さらに前記処理容器中、前記基板保持
    台の第1の側に形成され、前記基板保持台上の前記被処
    理基板表面に第３の処理ガスを、前記第３の処理ガスが
    前記被処理基板表面に沿って、前記第２の側に向かって
    流れるように供給する第３の処理ガス供給部を設けた請
    求項１記載の基板処理装置。
49. 【請求項４９】 前記第３の処理ガス供給部は前記第３
    の処理ガスを第３の原料容器から第３の原料切替弁を介
    して供給され、前記制御装置は、前記第１，第２および
    第３の原料切替弁を、前記第１の処理ガス供給部が前記
    第１の処理ガスを前記処理容器中に導入する場合に前記
    第２の処理ガス供給部による前記第２の処理ガスの前記
    処理容器中への導入および前記第３の処理ガス供給部に
    よる前記第３の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮
    断されるように、また前記第２の処理ガス供給部が前記
    第２の処理ガスを前記処理容器中に導入する場合に前記
    第１の処理ガス供給部による前記第１の処理ガスの前記
    処理容器中への導入および前記第３の処理ガス供給部に
    よる前記第３の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮
    断されるように、さらに前記第３の処理ガス供給部が前
    記第３の処理ガスを前記処理容器中に導入する場合に前
    記第１の処理ガス供給部による前記第１の処理ガスの前
    記処理容器中への導入および前記第２の処理ガス供給部
    による前記第２の処理ガスの前記処理容器中への導入が
    遮断されるように制御する請求項４８記載の基板処理装
    置。
50. 【請求項５０】 前記制御装置は、前記第３の処理ガス
    供給部が前記第１の処理ガスを前記処理容器中に導入す
    る場合に前記第１の排気量調整弁の開弁度を前記第２の
    排気量調整弁の開弁度よりも増大させる請求項４８記載
    の基板処理装置。
51. 【請求項５１】 前記第３の処理ガス供給部は、前記第
    ３の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮断された状
    態で、前記処理容器中に不活性ガスを導入する請求項４
    ８記載の基板処理装置。
52. 【請求項５２】 前記第３の処理ガス供給部は、前記第
    ３の処理ガスを、前記第１の側から前記第２の側に、前
    記被処理基板主面に平行なシート状の流れとして供給す
    る請求項４８記載の基板処理装置。
53. 【請求項５３】 前記第３の原料切替弁は第３の不活性
    ガスラインと第３の排気ラインに接続されており、前記
    第３の原料切替弁は、前記第３の処理ガスを前記処理容
    器中に導入している状態で前記第３の不活性ガスライン
    中の不活性ガスを前記第３の排気ラインに流し、前記第
    ３の処理ガスの前記処理容器中への導入が遮断されてい
    る状態で、前記第３の処理ガスを前記第３の排気ライン
    に流し、前記第３の不活性ガスライン中の不活性ガスを
    前記処理容器中に導入する請求項４８記載の基板処理装
    置。
54. 【請求項５４】 前記第３の処理ガスは、不活性ガスと
    の混合ガスである請求項４８記載の基板処理装置。
55. 【請求項５５】 さらに 前記処理容器中、前記基板保
    持台の第３の側に形成され、前記基板保持台上の前記被
    処理基板表面に第３の処理ガスを、前記第３の処理ガス
    が前記被処理基板表面に沿って、前記第３の側から反対
    側の第４の側に向かって流れるように供給する第３の処
    理ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板保持台の前
    記第４の側に形成された第４の排気口とを形成した請求
    項１記載の基板処理装置。
56. 【請求項５６】 さらに前記処理容器中、前記基板保持
    台の前記第４の側に形成され、前記基板保持台上の前記
    被処理基板表面に第４の処理ガスを、前記第４の処理ガ
    スが前記被処理基板表面に沿って、前記第４の側から前
    記第３の側に向かって流れるように供給する第４の処理
    ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記
    第３の側に形成された第４の排気口を備えた請求項５５
    記載の基板処理装置。
57. 【請求項５７】 前記第１の処理ガスは成膜ガスであ
    り、前記第２の処理ガスは酸化処理ガスである請求項１
    記載の基板処理装置。
58. 【請求項５８】 前記第１の処理ガスは、ＺｒＣｌ
    ₄と、ＺｒＢｒ₄と、Ｚｒ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、Ｚｒ
    （ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｚｒ
    （ＡｃＡｃ）₄と、Ｚｒ（ＤＰＭ）₄と、Ｚｒ（Ｏ−ｉＰ
    ｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｚｒ（ＨＦＡ）₄と、Ｚｒ（Ｂ
    Ｈ₄）₄と、Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₄と、Ｚｒ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ
    ₅）₂）₄とよりなる群より選ばれるか、もしくは（Ｃ₂Ｈ
    ₅）₂ＡｌＮ₃と、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＢｒと、（Ｃ₂Ｈ₅）₂
    ＡｌＣｌと、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＩと、（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）Ａ
    ｌＨと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＮＨ₂と、（ＣＨ₃）₂ＡｌＣｌ
    と、（ＣＨ₃）₂ＡｌＨと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＨ：Ｎ（ＣＨ
    ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、ＡｌＨ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、Ａｌ
    （Ｃ₂Ｈ₅）Ｃｌ₂と、Ａｌ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂と、Ａｌ（Ｃ₂
    Ｈ₅） ₃と、Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）Ａｌと、Ａｌ（Ｉ−ＯＣ
    ₄Ｈ₉）₃ＡｌＣｌ₃と、Ａｌ（ＣＨ₃）₃と、ＡｌＨ₃：Ｎ
    （ＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ＡｃＡｃ）₃と、Ａｌ（ＤＰＭ） ₃
    と、Ａｌ（ＨＦＡ）₃と、Ａｌ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ
    （Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、Ａｌ
    （ＯＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（ｎ
    −ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ₄Ｈ_９）₃と、Ａ
    ｌ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、ＡｌＢｒ₃とよりなる群から選
    ばれるか、もしくはＹ（ＡｃＡｃ）₃と、Ｙ（ＤＰＭ）₃
    と、Ｙ（Ｏ−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₂と、Ｙ（ＨＦＡ）
    ₃と、Ｃｐ₃Ｙとよりなる群から選ばれるか、もしくはＨ
    ｆＣｌ₄と、ＨｆＢｒ₄と、Ｈｆ（ＡｃＡｃ） ₄と、Ｈｆ
    （ＤＰＭ）₄と、Ｈｆ（Ｏ−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｈ
    ｆ（ＨＦＡ）₄と、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄と、Ｈｆ
    ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄とよりなる群から選ばれるか、Ｔｉ
    Ｃｌ₄と、ＴｉＢｒ₄と、ＴｉＩ₄と、Ｔｉ（Ｉ−ＯＣ
    Ｈ₃）₄と、Ｔｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄と、Ｔｉ（Ｉ−ＯＣ
    ₃Ｈ₇）₄と、Ｔｉ（ｎ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、Ｔｉ（ｎ−ＯＣ
    ₄Ｈ₉）₄と、Ｔｉ（ＡｃＡｃ）₄と、Ｔｉ（ＡｃＡｃ）₂
    Ｃｌ₂と、Ｔｉ（ＤＰＭ）₄と、Ｔｉ（ＤＰＭ）₂Ｃｌ
    ₂と、Ｔｉ（Ｏ−ｉＰｒ）（ＤＰＭ）₃と、Ｔｉ（ＨＦ
    Ａ）₂Ｃｌ₂とよりなる群から選ばれるか、もしくはＬａ
    Ｂｒ₃と、ＬａＩ₃と、Ｌａ（ＯＣＨ₃）₃と、Ｌａ（ＯＣ
    ₂Ｈ₅）₃と、Ｌａ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇） ₂と、Ｃｐ₃Ｌａと、
    ＭｅＣｐ₃Ｌａと、Ｌａ（ＤＭＰ）₃と、Ｌａ（ＨＦＡ）
    ₃と、Ｌａ（ＡｃＡｃ）₃と、Ｃｐ（Ｃ₈Ｈ₈）Ｔｉと、Ｃ
    ｐ₂Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₂と、Ｃｐ₂ＴｉＣｌ₂と、（Ｃ
    ₂Ｈ₅）Ｔｉ（Ｎ₃）₂と、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄と、Ｔ
    ｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄とよりなる群から選ばれ、前記第
    ２の処理ガスは、酸素ラジカル原子と、酸素ラジカル分
    子と、Ｏ₃と、Ｎ₂Ｏと、Ｈ₂Ｏ₂と、Ｈ₂ＯとＤ₂Ｏとより
    なる群から選ばれる請求項１記載の基板処理装置。
59. 【請求項５９】 前記第３の処理ガスは成膜ガスである
    請求項４８記載の基板処理装置。
60. 【請求項６０】 前記第３の処理ガスは前記第１の処理
    ガスと異なり、Ｈ₂Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₂と、（Ｃ
    ₂Ｈ₅）₂ＳｉＨ₂と、（ＣＨ₃）₂ＳｉＣｌ₂と、（ＣＨ₃）
    ₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂と、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）
    ₂と、（ＣＨ₃）₂ＳｉＨ₂と、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃
    と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＳｉ（ＣＨ₃）₃と、ＨＮ［Ｓｉ（Ｃ
    Ｈ₃）₃］₂と、（ＣＨ₃）（Ｃ₆Ｈ₅）ＳｉＣｌ₂と、ＣＨ₃
    ＳｉＨ₃と、ＣＨ₃ＳｉＣｌ₃と、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）
    ₃と、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃と、Ｃ₆Ｈ₅Ｓｉ（Ｃｌ）
    （ＯＣ₂Ｈ₅）₂と、Ｃ₆Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、（Ｃ₂
    Ｈ₅）₄Ｓｉと、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄と、Ｓｉ（Ｃ
    Ｈ₃）₄と、Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｈと、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＮ₃
    と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌと、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ₂Ｈ
    ₅と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣＨ₃と、（ＣＨ₃）₃ＳｉＨと、
    （ＣＨ₃）₃ＳｉＮ₃と、（ＣＨ₃）₃（Ｃ₂Ｈ₃）Ｓｉと、
    ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₃と、ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₃
    と、Ｓｉ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₄と、Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄と、Ｓ
    ｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄と、Ｓｉ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ₇）₄と、Ｓｉ
    （ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｓｉ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄と、Ｓｉ
    （ＯＣ₂Ｈ₅）₃Ｆと、ＨＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ｓｉ（Ｉ
    −ＯＣ₃Ｈ₇）₃Ｆと、Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃Ｆと、ＨＳｉ
    （ＯＣＨ₃）₃と、Ｈ₂ＳｉＣｌ₂と、Ｓｉ₂Ｃｌ₆と、Ｓｉ
    ₂Ｆ₆と、ＳｉＦ₄と、ＳｉＣｌ₄と、ＳｉＢｒ₄と、ＨＳ
    ｉＣｌ₃と、ＳｉＣｌ₃Ｆと、Ｓｉ₃Ｈ₈と、ＳｉＨ₂Ｃ
    ｌ₂、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂と、Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｃｌ₂とよりな
    る群から選ばれるか、もしくは（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＮ₃と、
    （Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＢｒと、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＣｌと、（Ｃ
    ₂Ｈ₅）₂ＡｌＩと、（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）ＡｌＨと、（ＣＨ₃）
    ₂ＡｌＮＨ₂と、（ＣＨ₃）₂ＡｌＣｌと、（ＣＨ₃）₂Ａｌ
    Ｈと、（ＣＨ₃）₂ＡｌＨ：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、Ａｌ
    Ｈ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₂Ｃ₂Ｈ₅と、Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃｌ₂と、
    Ａｌ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂と、Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ（Ｉ
    −Ｃ₄Ｈ₉）Ａｌと、Ａｌ（Ｉ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃ＡｌＣｌ
    ₃と、Ａｌ（ＣＨ₃）₃と、ＡｌＨ₃：Ｎ（ＣＨ₃）₃と、Ａ
    ｌ（ＡｃＡｃ）₃と、Ａｌ（ＤＰＭ）₃と、Ａｌ（ＨＦ
    Ａ）₃と、Ａｌ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃と、Ａｌ（Ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₃
    と、Ａｌ（Ｉ−ＯＣ₃Ｈ ₇）₈と、Ａｌ（ＯＣＨ₃）₃と、
    Ａｌ（ｎ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（ｎ−ＯＣ₃Ｈ₇）₃と、
    Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃と、Ａｌ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₃
    と、ＡｌＢｒ₃とよりなる群から選ばれる請求項４８記
    載の基板処理装置。
61. 【請求項６１】 少なくとも前記第１の切替弁は切替弁
    容器と、前記切替弁容器中に回動自在に設けられたセラ
    ミック弁体と、切替弁容器中において前記セラミック弁
    体に一体的に結合された磁性体と、前記切替弁容器の外
    側に設けられ、前記磁性体と磁気的に結合した電磁駆動
    部とよりなり、前記セラミック弁体中には溝が形成され
    ている請求項１記載の基板処理装置。
62. 【請求項６２】 処理容器と、前記処理容器中に、前記
    被処理基板を保持可能に設けられた基板保持台と、前記
    処理容器中、前記基板保持台の第1の側に形成された第
    １の処理ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板保持
    台の第２の、前記第１の側に対向する側に形成された第
    １の排気口と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記
    第２の側に形成された第２の処理ガス供給部と、前記処
    理容器中、前記基板保持台の前記第１の側に形成された
    第２排気口を備えた基板処理装置を使った基板処理方法
    であって、 前記第１の処理ガス供給部から第１の処理ガスを、前記
    被処理基板表面に沿って前記第１の側から前記第２の側
    に流し、前記被処理基板表面に第１の処理を行う工程
    と、 前記第２の処理ガス供給部から第２の処理ガスを、前記
    被処理基板表面に沿って前記第２の側から前記第１の側
    に流し、前記被処理基板表面に第２の処理を行う工程を
    よりなり、 前記第１の処理を行う工程では、前記第２の排気口の排
    気量を前記第１の排気口の排気量よりも減少させ、 前記第２の処理を行う工程では、前記第１の排気口の排
    気量を前記第２の排気口の排気量よりも減少させる基板
    処理方法。
63. 【請求項６３】 前記第１の処理を行う工程では、前記
    第２の処理ガス供給部から前記処理容器中に不活性ガス
    を供給し、前記第２の処理を行う工程では、前記第１の
    処理ガス供給部から前記処理容器中に不活性ガスを供給
    する請求項６２記載の基板処理方法。
64. 【請求項６４】 処理容器と、 前記処理容器中に、前記被処理基板を保持可能に設けら
    れた基板保持台と、 前記処理容器中、前記基板保持台の第１の側に形成さ
    れ、前記基板保持台上の前記被処理基板表面に処理ガス
    を、前記処理ガスが前記被処理基板表面に沿って、前記
    第１の側から前記第１の側に対向する第２の側に向かっ
    て流れるように供給する処理ガス供給部と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２の側に形成
    された第１の排気口と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第２の側に形成
    され、前記基板保持台上の前記被処理基板表面にラジカ
    ルを、前記ラジカルが前記被処理基板表面に沿って、前
    記第２の側から前記第１の側に向かって流れるように供
    給するラジカル源と、 前記処理容器中、前記基板保持台の前記第１の側に形成
    された第２排気口を備えた基板処理装置。
65. 【請求項６５】 前記ラジカル源は、前記処理容器の側
    壁部に設けられたプラズマ源よりなる請求項６４記載の
    基板処理装置。