JP2002009198A - 電源配線を統合したボールグリッドアレイパッケージ半導体装置 - Google Patents
電源配線を統合したボールグリッドアレイパッケージ半導体装置Info
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Abstract
ッケージ半導体装置を提供すること。 【解決手段】 半導体チップ、基板、接着手段及び多数
のボールを具備する。半導体チップは中央部にパッドを
有する。基板は中央部に所定サイズのスロットがあり、
一面に信号配線パターン及び多数のボール装着部が形成
される信号配線面を備え、他の一面に半導体チップがマ
ウントされる。接着手段は半導体チップを基板上に固定
するための手段であって、半導体チップと基板との間に
挿入される。多数のボールはボール装着部に各々装着さ
れて外部回路に連結される。信号配線面は第1及び第2
信号配線面を含む少なくとも二つの信号配線面に区分さ
れる。そして前記第1電源のための配線は第1信号配線
面にのみ形成され、互いに結合されて電気的に単一ノー
ドを構成する。
Description
特に外部とのインターフェースのためにボール状の接触
部を有するボールグリッドアレイ(BGA、Ball Grid Arra
y)パッケージ半導体装置に関する。
て、電子機器を構成する半導体装置のサイズも段々小型
軽薄化される勢いである。したがって半導体パッケージ
の発展方向も既存のDIP(Dual In line Package)、SOJ(S
mall Outline with J-lead)、QFP(Quad Flat Package)
形からBGA、CSP(Chip Scale Package)に変化している。
このように進歩したBGA、CSPパッケージではなるべく半
導体パッケージのサイズを小型化させるために、既存に
使用したリードの代わりにボールを使用してパッケージ
のサイズをチップ程度のサイズまで縮少するために研究
開発を続けている。
AパッケージはラムバスDRAMなど使用範囲が急速に広が
っている。BGAパッケージは基板上に形成された所定の
信号回路パターンを通じて半導体のパッドとボールとの
間を連結する。信号回路パターンは既存のSOJパッケー
ジで使われるボンディングワイヤとは違って、多数の信
号線あるいは電源線が結合できる長所がある。
一種が韓国登録特許番号第10-0248792及び米
国特許番号第5,920,118に開示されている。図1
は、前記の特許に記述されているBGAパッケージ半導体
装置を概略的に示す図面であって、図1は平面図であ
り、図2は断面図である。これを参照すれば、従来の技
術に係るボールグリッドアレイパッケージ半導体装置
は、単一層基板110、中心にパッド122を有する半
導体チップ120、半導体チップと基板との間の接着手
段140、及び外部回路との連結のためのボール150
を具備する。基板110の一面にはボール150が装着
されるボール装着部116があり、ボール装着部116
は所定の信号回路パターン114及びワイヤ130によ
り半導体チップ120のパッド122に連結される。と
ころで、2つ以上の外部電源を供給される既存のBGAパ
ッケージ半導体装置では、外部電源の連結時に最小2つ
以上の電源を分離して連結するので、同一電源線間の結
合に限界がある。したがって、図1で示したように、そ
れぞれの分離された電源線が発生する。分離された電源
線は幅が狭いので電源線のインダクタンスが増加する。
るために図3を参照する。図3は、従来の技術に係るボ
ールグリッドアレイパッケージ半導体装置の基板110
の一面を具体的に示すパターン図である。これを参照す
れば、多数のパッド122が基板110の中に一列に整
列されており、パッド122は太さの多様な配線を通じ
てボール装着部(図2で円で表示された部分)に電気的に
連結される。ボール装着部中でVDDで表示されたボール
装着部は電源ボール装着部であり、VSSで表示されたボ
ール装着部はグラウンドボール装着部であり、その他の
ボール装着部は信号ボール装着部である。ところで、電
源ボール装着部、グラウンドボール装着部及び信号ボー
ル装着部がスロットを中心として両側に皆混在している
ので、他の配線と間違って連結されないように電源ボー
ル装着部(VDD)及びグラウンドボール装着部(VSS)を各々
統合するのに限界がある。これは特に、単一層基板上に
多くの他種のボール装着部-電源ボール装着部(VDD)、グ
ラウンドボール装着部(VSS)及び信号ボール装着部-とそ
れらの配線が存在せねばならないからである。
結される電源ラインとグラウンドボール装着部に連結さ
れるグラウンドラインとが二つの信号ボール装着部間を
通過するように配線される場合が存在する。参照番号1
70で表示された部分がその例である。この場合には配
線ラインが細くならざるをえない。したがって、電源線
のインダクタンスが増加し、信頼性問題が生じてくる。
また他の問題点は、電源ボール装着部及びグラウンドボ
ール装着部をパッドと連結する配線中で孤立された配線
が存在するということである。参照番号172で表示さ
れた部分がその例である。このように、同じ他のボール
装着部と連結されずに、一つのボール装着部からパッド
に連結される孤立された電源配線によりスイッチング雑
音が大きくなる。前述したように従来の技術によってBG
Aパッケージ半導体装置の単一層基板上に配線する場合
に、スイッチング雑音が大きくなり、供給される電源の
信頼性に問題が生じることがある。供給される電源が安
定化されなければ、半導体装置の誤動作が誘発されるこ
とがある。
する技術的課題は、パッケージ上で相異なる電源の配線
を分離させ、同一電源線は最大限結合させることによっ
て、インダクタンスを縮少して安定した電源を供給する
ボールグリッドアレイパッケージ半導体装置を提供する
ことである。本発明が解決しようとする他の技術的課題
は、多数の電源ボールとグラウンドボールとを有するボ
ールグリッドアレイパッケージ半導体装置で、統合され
た電源ボール装着部と統合されたグラウンドボール装着
部とを有する単一層基板のボールグリッドアレイパッケ
ージ半導体装置を提供することである。
るための本発明の一面は、第1電源及び第2電源を含
み、少なくとも二つの外部電源を供給されるボールグリ
ッドアレイパッケージ半導体装置に関する。本発明の望
ましい実施例に係るボールグリッドアレイパッケージ半
導体装置は、中央部にパッドを有する半導体チップと、
中央部に所定サイズのスロットがあり、一面に信号配線
パターン及び多数のボール装着部が形成される信号配線
面を備え、他の一面に前記半導体チップがマウントされ
る基板と、前記半導体チップを前記基板上に固定するた
めに前記半導体チップと前記基板との間に挿入される接
着手段と、前記多数のボール装着部に各々装着されて外
部回路に連結される多数のボールとを具備する。前記信
号配線面は第1及び第2信号配線面を含んだ少なくとも
二つの信号配線面に区分される。そして前記第1電源の
ための配線は前記第1信号配線面にのみ形成され、前記
第2電源のための配線は前記第2信号配線面にのみ形成
される。
前記第1信号配線面で互いに結合されて、電気的に単一
ノードを構成する一面を形成する。そして前記第2電源
のための配線は前記第2信号配線面で互いに結合され
て、電気的に単一ノードを構成する他の一面を形成す
る。
他の一面は、少なくとも二つの外部電源を供給されるボ
ールグリッドアレイパッケージ半導体装置に関する。本
発明の望ましい実施例に係るボールグリッドアレイパッ
ケージ半導体装置は、中央部にパッドを有する半導体チ
ップと、中央部に所定大きさのスロットがあり、一面に
信号配線パターン及び多数のボール装着部が形成される
信号配線面を備え、他の一面に前記半導体チップがマウ
ントされる基板と、前記半導体チップを前記基板上に固
定するために前記半導体チップと前記基板との間に挿入
される接着手段と、前記多数のボール装着部に各々装着
されて外部回路に連結される多数のボールとを具備す
る。前記信号配線面は複数の信号配線面に区分される。
そして前記外部電源中で選択された少なくともいずれか
一つの外部電源のための配線は対応する信号配線面にの
み形成される。
少なくともいずれか一つの外部電源のための配線は前記
対応する信号配線面で互いに結合されて、電気的に単一
ノードを構成するそれぞれの面を形成する。
明は、多数の電源ボールと多数のグラウンドボールとを
含んで多数のボールを有するボールグリッドアレイパッ
ケージ半導体装置に関する。本発明のボールグリッドア
レイパッケージ半導体装置は、多数の電源パッド及び多
数のグラウンドパッドを含んで多数のパッドを有する半
導体チップと、単一層基板とを具備する。前記単一層基
板の一面には、中央部に位置する所定サイズのスロット
と、前記スロットの一面上に位置する多数の電源ボール
装着部を有し、前記電源ボールと前記電源パッドとによ
り共有される電源面と、前記スロットの他面上に位置す
る多数のグラウンドボール装着部を有し、前記グラウン
ドボールと前記グラウンドパッドにより共有されるグラ
ウンド面と、信号ボール装着部とが備わり、前記単一層
基板の他の一面には、前記パッドが前記電源ボール装着
部、前記グラウンドボール装着部及び前記信号ボール装
着部と電気的に連結されるように前記半導体チップがマ
ウントされることを特徴とする。
半導体装置によって、半導体装置のパッケージ上の電源
配線で発生するインダクタンスを大きく縮少できる。し
たがって、半導体装置の電源特性及び信頼性が向上す
る。本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施に
よって達成される目的を十分に理解するためには本発明
の望ましい実施例を例示する添付図面及び添付図面に記
載された内容を参照せねばならない。
発明の望ましい実施例を説明することによって、本発明
を詳細に説明する。本明細書では、説明の便宜上、各図
面を通じて同じ役割を行う信号と構成要素は同じ参照符
号及び参照番号で示す。図4及び図5は、本発明の一実
施例に係るBGAパッケージ半導体装置を概略的に示す図
面であって、図4は平面図であり、図5は断面図であ
る。これを参照すれば、望ましい実施例に係るBGAパッ
ケージ半導体装置は半導体チップ220、基板210、
接着手段230及び多数のボール250を具備する。そ
して、本実施例のBGAパッケージ半導体装置は相異なる
電圧を有する二つ以上の外部電源を供給される。
2を有する。半導体チップ220はパッド222を通じ
て半導体チップ220の外部とインターフェースする。
基板210は半導体チップ220を支持する役割をす
る。すなわち、基板210上に半導体チップ220がマ
ウントされる。したがって、半導体チップ220を基板
210に固定させるための接着手段230が基板210
と半導体チップ220との間に入る。そして、基板21
0は所定の信号配線パターン214及びボール250を
通じて半導体チップ220を半導体装置の外部と連結さ
せる役割をする。このために、接着手段230と接触し
ない基板210の他面には信号配線面が形成される。す
なわち、基板210の上面には半導体チップ220がマ
ウントされ、基板210の下面には信号配線面が形成さ
れる。信号配線面には多数のボール装着部216及び信
号配線パターン214が形成される。ボール装着部21
6にはボール250が各々装着されて外部回路と連結さ
れる。
ト212を有する。スロット212は所定サイズのあけ
られた空間である。スロット212を通じて信号配線パ
ターン214が半導体チップ220のパッド222と連
結される。
22、信号配線パターン214及びボール250を通じ
て外部とインターフェースする。信号配線面は2つ以上
の信号配線面に区分される。基板210の中央に直列の
スロット212があるので、スロット212を中心とし
て両側に信号配線面を区分することが望ましい。本実施
例では2つの信号配線面を有することとする。そして、
説明の便宜上それぞれの信号配線面を第1及び第2信号
配線面217、218と指称する。
で、第1及び第2信号配線面217、218に区分され
た基板210の信号配線面を示す図面である。外部電源
中で選択された一つの電源(以下第1電源という)は第1
信号配線面217を通じてのみ連結される。すなわち、
第1電源は第1信号配線面217に形成される信号配線
パターンを通じてのみ供給される。したがって、第1電
源のための配線が第1信号配線面217で容易に結合で
きる。したがって、図4で示したように、第1電源の配
線が結合されて第1電源面262を形成する。第1電源
面262は電気的に単一ノードを構成する。外部電源中
で選択された他の一つの電源(以下第2電源という)は第
2信号配線面218に形成される信号配線パターンを通
じてのみ供給される。したがって、第2電源のための配
線は第2信号配線面218で容易に結合できる。従っ
て、第2電源の配線が結合されて第2電源面264を形
成する。第2電源面264は電気的に単一ノードを構成
する。
相異なる電圧を有する第1及び第2電源の供給は分離さ
れる。したがって、第1及び第2電源線を配線する場合
において、各々を分離せねばならない負担を大きく減ら
すことができる。そして、分離された第1及び第2電源
の配線が各々結合されることによって配線幅が広くなる
ので、インダクタンスが大きく減少する。結果的に、既
存の混在された電源配線により発生するインダクタンス
の増加及び電源特性の不良を改善できる。望ましくは、
第1電源は正電圧を有する電源(VDD)であり、第2電源
はグラウンド(GND)である。
1及び第2信号配線面217、218に各々2列のボー
ル装着部216が配列された構造を示す。第1信号配線
面217で外側のボール装着部216に装着されるボー
ルは皆第1電源(VDD)に連結される。そして、第2信号
配線面218の外側のボール装着部216に装着される
ボールは皆グラウンド(GND)に連結される。残りのボー
ル装着部216に装着されるボールを通じては電源以外
の他の信号が入出力される。また第1及び第2電源(VD
D、GND)以外の他の電源が連結される場合もある。
リッドアレイパッケージ半導体装置の基板の一面を具体
的に示すパターン図である。これを参照すれば、多数の
パッド322が単一層基板310の中で一列に整列され
ている。ボール装着部(円で表示された部分)中でVDDで
表示されたボール装着部は電源ボール装着部であり、VS
Sで表示されたボール装着部はグラウンドボール装着部
であり、その他のボール装着部は信号ボール装着部であ
る。電源ボール装着部は電源面362にのみ、グラウン
ドボール装着部はグラウンド面364にのみ形成され、
残りの信号ボール装着部はいずれの面にも形成させられ
る。信号ボール装着部は前記の電源(VDD)やグラウンド
(VSS)以外の他の電源に連結される場合もある。
の電源ボール装着部を電気的に統合する面である。した
がって、電源パッドは特定の電源ボール装着部に連結さ
れるのではなく電源面362に連結され、信号パッドは
配線ラインを通じて信号ボール装着部に連結される。電
源面362の境界は電源面362に位置する信号ボール
装着部及びその信号ボール装着部の配線ラインを包む。
で多数のグラウンドボール装着部を電気的に統合する面
である。したがって、グラウンドパッドは特定のグラウ
ンドボール装着部に連結されるのではなくグラウンド面
364に連結される。グラウンド面364の境界はグラ
ウンド面364に位置する信号ボール装着部及びその信
号ボール装着部の配線ラインを包む。
板では電源ボール装着部に連結される電源ラインとグラ
ウンドボール装着部に連結されるグラウンドラインとが
二つの信号ボール装着部の間を通過するように配線され
る場合や、同じ他のボール装着部と連結されずに一つの
ボール装着部からパッドに連結される孤立された電源配
線は発生しない。したがって、電源線のインダクタンス
が減少し、電源供給の信頼性が向上する。
(DLL)や位相同期ループ(PLL)に安定した電源あるいはグ
ラウンドを供給するために、電源面及びグラウンド面3
62、364から分離された電源あるいはグラウンドラ
インが必要な場合には、その分離された電源あるいはグ
ラウンドラインに連結される電源あるいはグラウンドボ
ール装着部は電源面及びグラウンド面362、364に
統合されない。分離された電源あるいはグラウンドボー
ル装着部及びそれらの配線は信号ボール装着部及びそれ
らの配線のように処理される。
体装置の半導体チップがP型基板を有するトリプルウェ
ル構造またはツインウェル構造を含む時、前述した第1
電源(VDD)はNウェルに印加される。そして、第2電源(G
ND)はBGAパッケージ半導体装置の半導体チップがP型基
板を有するトリプルウェル構造またはツインウェル構造
を含む時、P型基板またはポケットPウェルに印加され
る。
ツインウェル構造とトリプルウェル構造との一例を示す
断面図である。図9のツインウェル構造はP型基板にn型
不純物を注入してNウェルを形成し、Nウェル領域にドレ
イン及びソースが形成される構造である。図10のトリ
プルウェル構造はP型基板に四角形ドーナツ状のNウェル
が形成され、所定の深度にNウェル層が形成されること
によって、四角形ドーナツ状のNウェルと下方のNウェル
層とによりポケットPウェルが形成される構造である。
上の電源中で2つを選択してスロットを中心として分離
する。しかし、多様な変形ができる。すなわち、信号配
線面を複数の信号配線面に区分し、2つ以上の外部電源
中で少なくともいずれか一つの外部電源のための配線
は、対応する信号配線面にのみ形成される。対応する信
号配線面とは、外部電源以外の信号のための配線と選択
されたいずれか一つの外部電源のための配線のみが形成
される信号配線面をいう。選択された外部電源に各々対
応する信号配線面以外の残りの信号配線面には選択され
ていない残りの外部電源のための配線が混在できる。
パッケージ半導体装置を示す平面図である。本実施例で
は、外部電源中で一つだけを選択して、一側の信号配線
面に分離し、他の信号配線面には残りの外部電源が混在
する場合を示す。図8のBGAパッケージ半導体装置の構
成は図4のBGAパッケージ半導体装置の構成と同一であ
る。したがって、ここでは各構成要素についての説明は
省略する。図8の実施例では、外部電源中で一つの電源
だけ選択される。選択された一つの電源を第1電源とす
れば、図4の実施例のように、第1電源は第1信号配線
面217を通じてのみ連結される。そして、第2信号配
線面218では第1電源を除いた残りの外部電源が皆配
線されて供給される。第1電源は正電圧を有する電源(V
DD)でもよく、グラウンド(GND)でもよい。
において、インダクタンス及び信頼度において一番問題
になる一つの外部電源を選択し、該当外部電源を残りの
外部電源と分離して供給することによって、電源供給の
信頼性を向上させられる。第1電源が正電圧を有する電
源(VDD)であれば、BGAパッケージ半導体装置の半導体チ
ップがP型基板を有するトリプルウェル構造またはツイ
ンウェル構造を含む時、Nウェルに印加される。第1電
源がグラウンド(GND)であれば、BGAパッケージ半導体装
置の半導体チップがP型基板を有するトリプルウェル構
造またはツインウェル構造を含む時、P型基板またはポ
ケットPウェルに印加される。
パッケージのサイズを縮少するために、チップサイズの
パッケージ(CSP)で製作されることが望ましい。チップ
サイズのパッケージとは、パッケージのサイズが半導体
チップのサイズとほとんど同一であるか、最大20%を
超過しない半導体パッケージをいう。
明したが、これは例示的なことに過ぎなく、本技術分野
の通常の知識を有する者であればこれより多様な変形及
び均等な他の実施例が可能である点を理解するはずであ
る。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は添付し
た特許請求の範囲の技術的思想により決まらなければな
らない。
ジ半導体装置によって、半導体装置のパッケージ上の電
源配線で発生するインダクタンスを大きく縮少できる。
また、電源配線が容易である。したがって、半導体装置
の電源特性及び信頼性が大きく向上する。
ージ半導体装置を概略的に示す図面(平面図)。
ージ半導体装置を概略的に示す図面(断面図)
ージ半導体装置の基板の一面を具体的に示すパターン
図。
パッケージ半導体装置を概略的に示す図面(平面図)。
パッケージ半導体装置を概略的に示す図面(断面図)。
第2信号配線面よりなされた信号配線面を示す図面。
パッケージ半導体装置の基板の一面を具体的に示すパタ
ーン図。
レイパッケージ半導体装置を概略的に示す図面(平面
図)。
す図面(断面図)。
を示す図面(断面図)。
Claims (14)
- 【請求項1】 第1電源及び第2電源を含み、少なくと
も二つの外部電源を供給されるボールグリッドアレイパ
ッケージ半導体装置において、 中央部にパッドを有する半導体チップと、 中央部に所定サイズのスロットがあり、一面に信号配線
パターン及び多数のボール装着部が形成される信号配線
面を備え、他の一面に前記半導体チップがマウントされ
る基板と、 前記半導体チップを前記基板上に固定するために前記半
導体チップと前記基板との間に挿入される接着手段と、 前記多数のボール装着部に各々装着されて外部回路に連
結される多数のボールとを具備し、 前記信号配線面は第1及び第2信号配線面を含む少なく
とも二つの信号配線面に区分され、 前記第1電源のための配線は前記第1信号配線面にのみ
形成され、前記第2電源のための配線は前記第2信号配
線面にのみ形成されることを特徴とするボールグリッド
アレイパッケージ半導体装置。 - 【請求項2】 前記第1電源のための配線は前記第1信
号配線面で互いに結合されて、電気的に単一ノードを構
成する一面を形成し、 前記第2電源のための配線は前記第2信号配線面で互い
に結合されて、電気的に単一ノードを構成する他の一面
を形成することを特徴とする請求項1に記載のボールグ
リッドアレイパッケージ半導体装置。 - 【請求項3】 前記ボールグリッドアレイパッケージ半
導体装置は、 チップサイズのパッケージ半導体装置であることを特徴
とする請求項1に記載のボールグリッドアレイパッケー
ジ半導体装置。 - 【請求項4】 前記第1電源は正電圧であり、 前記第2電源はグラウンドであることを特徴とする請求
項1に記載のボールグリッドアレイパッケージ半導体装
置。 - 【請求項5】 前記半導体チップはP型基板を有するト
リプルウェル構造を含み、 前記第1電源は前記半導体チップのNウェルに印加さ
れ、 前記第2電源は前記半導体チップのP型基板及びポケッ
トPウェルに印加されることを特徴とする請求項4に記
載のボールグリッドアレイパッケージ半導体装置。 - 【請求項6】 前記半導体チップはP型基板を有するト
リプルウェル構造を含み、 前記第1電源は前記半導体チップのNウェルに印加さ
れ、 前記第2電源は前記半導体チップのP型基板及びポケッ
トPウェル中のいずれか一つに印加されることを特徴と
する請求項4に記載のボールグリッドアレイパッケージ
半導体装置。 - 【請求項7】 前記半導体チップはツインウェル構造を
含み、 前記第1電源は前記半導体チップのNウェルに印加さ
れ、 前記第2電源は前記半導体チップのP型基板に印加され
ることを特徴とする請求項4に記載のボールグリッドア
レイパッケージ半導体装置。 - 【請求項8】 少なくとも二つの外部電源を供給される
ボールグリッドアレイパッケージ半導体装置において、 中央部にパッドを有する半導体チップと、 中央部に所定大きさのスロットがあり、一面に信号配線
パターン及び多数のボール装着部が形成される信号配線
面を備え、他の一面に前記半導体チップがマウントされ
る基板と、 前記半導体チップを前記基板上に固定するために前記半
導体チップと前記基板との間に挿入される接着手段と、 前記多数のボール装着部に各々装着されて外部回路に連
結される多数のボールとを具備し、 前記信号配線面は複数の信号配線面に区分され、 前記外部電源中で選択された少なくともいずれか一つの
外部電源のための配線は対応する信号配線面にのみ形成
されることを特徴とするボールグリッドアレイパッケー
ジ半導体装置。 - 【請求項9】 前記外部電源中で選択された少なくとも
いずれか一つの外部電源のための配線は前記対応する信
号配線面で互いに結合されて、電気的に単一ノードを構
成するそれぞれの面を形成することを特徴とする請求項
8に記載のボールグリッドアレイパッケージ半導体装
置。 - 【請求項10】 前記ボールグリッドアレイパッケージ
半導体装置は、 チップサイズのパッケージ半導体装置であることを特徴
とする請求項8に記載のボールグリッドアレイパッケー
ジ半導体装置。 - 【請求項11】 多数の電源ボールと多数のグラウンド
ボールとを含んで多数のボールを有するボールグリッド
アレイパッケージ半導体装置において、 多数の電源パッド及び多数のグラウンドパッドを含んで
多数のパッドを有する半導体チップと、 単一層基板とを具備し、 前記単一層基板の一面には、 中央部に位置する所定サイズのスロットと、 前記スロットの一面上に位置する多数の電源ボール装着
部を有し、前記電源ボールと前記電源パッドとにより共
有される電源面と、 前記スロットの他面上に位置する多数のグラウンドボー
ル装着部を有し、前記グラウンドボールと前記グラウン
ドパッドとにより共有されるグラウンド面と、 信号ボール装着部とが備わり、 前記単一層基板の他の一面には、 前記パッドが前記電源ボール装着部、前記グラウンドボ
ール装着部及び前記信号ボール装着部と電気的に連結さ
れるように前記半導体チップがマウントされることを特
徴とするボールグリッドアレイパッケージ半導体装置。 - 【請求項12】 前記電源面の境界は、 前記電源面に位置する信号ボール装着部及びその信号ボ
ール装着部の配線ラインを包むことを特徴とする請求項
11に記載のボールグリッドアレイパッケージ半導体装
置。 - 【請求項13】 前記グラウンド面の境界は、 前記グラウンド面に位置する信号ボール装着部及びその
信号ボール装着部の配線ラインを包むことを特徴とする
請求項11に記載のボールグリッドアレイパッケージ半
導体装置。 - 【請求項14】 前記半導体チップの位相同期ループま
たは遅延同期ループのための前記電源ボール装着部及び
前記グラウンドボール装着部は、 前記電源面及び前記グラウンド面から各々分離されるこ
とを特徴とする請求項11に記載のボールグリッドアレ
イパッケージ半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5895967A (en) * | 1997-07-07 | 1999-04-20 | Texas Instruments Incorporated | Ball grid array package having a deformable metal layer and method |
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Cited By (1)
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