JP2001133149A - Drier - Google Patents
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- JP2001133149A JP2001133149A JP31928099A JP31928099A JP2001133149A JP 2001133149 A JP2001133149 A JP 2001133149A JP 31928099 A JP31928099 A JP 31928099A JP 31928099 A JP31928099 A JP 31928099A JP 2001133149 A JP2001133149 A JP 2001133149A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上の塗布され
た溶媒に溶解分散した樹脂組成物などからなる塗布膜を
乾燥するための乾燥装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drying apparatus for drying a coating film composed of a resin composition or the like dissolved and dispersed in a solvent applied on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】基板やシートフィルムなどの基体上に塗
布された有機溶媒を含む樹脂組成物などを乾燥する場
合、乾燥によって有機溶媒が揮発するため、揮発した有
機溶媒の気体が離散しないように、乾燥を所定の容器内
で行うようにしている。上記の揮発気体が離散しないよ
うにした乾燥装置に関して説明すると、図4に示すよう
に、まず、ヒータ401aにより加熱されるホットプレ
ート401を備える。このホットプレート401上に、
乾燥対象の樹脂組成物が塗布されたガラス基板やシート
フィルムなどの基体402が載置されると、基体402
が加熱され、基体402表面の樹脂組成物が加熱されて
有機溶媒が蒸発して乾燥する。2. Description of the Related Art When a resin composition containing an organic solvent applied on a substrate such as a substrate or a sheet film is dried, the organic solvent is volatilized by drying. The drying is performed in a predetermined container. To describe the drying device in which the volatile gas is not dispersed, first, as shown in FIG. 4, a hot plate 401 heated by a heater 401a is provided. On this hot plate 401,
When a substrate 402 such as a glass substrate or a sheet film to which the resin composition to be dried is applied is placed, the substrate 402
Is heated, the resin composition on the surface of the substrate 402 is heated, and the organic solvent is evaporated and dried.
【0003】また、ホットプレート401は容器403
内に配置されている。容器403上部のガス導入口40
3aからは乾燥窒素ガスが供給され、容器403側部の
ガス排出口403bより内部のガスが排気される。ガス
排出口403aより排気されるガスは、ガス中の有機溶
媒を除去するなどの処理がなされる。基体402は、容
器403内部のホットプレート401上で加熱処理され
るので、基体402上の樹脂組成物が加熱された結果発
生した有機溶媒のガスなどは、ガス排出口403bから
排気され、外部に離散することがない。[0003] A hot plate 401 is a container 403.
Is located within. Gas inlet 40 at the top of container 403
Dry nitrogen gas is supplied from 3a, and the internal gas is exhausted from a gas outlet 403b on the side of the container 403. The gas exhausted from the gas outlet 403a is subjected to processing such as removal of the organic solvent in the gas. Since the base 402 is subjected to heat treatment on the hot plate 401 inside the container 403, the gas of the organic solvent and the like generated as a result of heating the resin composition on the base 402 is exhausted from the gas outlet 403b to the outside. There is no separation.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
乾燥装置は上述したように構成されていたので、排気口
403b付近と排気口403bより離れた領域とで、基
体402上に形成する樹脂組成物の膜厚が異なるという
問題があった。上記の乾燥装置では、容器403内部に
ガスの流れを形成し、容器401側部のガス排出口40
3bより排気しているため、図4(b)に示すように、
排気口403b付近の基体402表面には、ガスの流れ
に触れる領域410が発生する。基体402表面のガス
の流れに触れた領域410は温度が低下するため、温度
が低下しない他の領域とは樹脂組成物の乾燥状態が変化
して膜厚が変化してしまう。However, since the conventional drying apparatus is configured as described above, the resin composition formed on the base 402 in the vicinity of the exhaust port 403b and in a region apart from the exhaust port 403b. There is a problem that the film thicknesses of the films differ. In the above-described drying apparatus, a gas flow is formed inside the container 403 and the gas outlet 40 on the side of the container 401 is formed.
As shown in FIG. 4B, since the air is exhausted from 3b,
On the surface of the base 402 near the exhaust port 403b, a region 410 is generated which comes into contact with the gas flow. Since the temperature of the region 410 of the surface of the substrate 402 which is in contact with the gas flow decreases, the dry state of the resin composition changes and the film thickness changes with the other regions where the temperature does not decrease.
【0005】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、基体上に塗布された膜を
均一に乾燥して均一な膜を形成することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to form a uniform film by uniformly drying a film applied on a substrate.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明の乾燥装置は、
上面中央部に排気口を備えた密閉容器と、この密閉容器
内部にこの密閉容器の上面より所定の距離を開けてかつ
この密閉容器側面より所定の距離を開けて配置されて上
面に処理対象の基体を載置するプレートと、このプレー
トを加熱する加熱手段と、排気口より密閉容器内部のガ
スを排気する排気手段と、密閉容器のプレート上面より
低い位置でプレート配置領域より外側に設けられたガス
導入口とを備えるものである。この発明によれば、排気
手段により密閉容器上部の排気口から内部のガスを排気
すると、ガス導入口よりガスが導入され、ガス導入口よ
り導入されたガスは密閉容器の内壁に沿って上昇し、排
気口より排気される。A drying apparatus according to the present invention comprises:
A closed container having an exhaust port in the center of the upper surface, and a predetermined distance from the upper surface of the closed container and a predetermined distance from the side surface of the closed container inside the closed container, and the upper surface of the object to be treated is A plate on which the base is placed, a heating unit for heating the plate, an exhaust unit for exhausting gas inside the closed container from an exhaust port, and a position lower than the plate upper surface of the closed container and provided outside the plate arrangement region. And a gas inlet. According to the present invention, when the internal gas is exhausted from the exhaust port on the upper portion of the closed container by the exhaust means, the gas is introduced from the gas inlet, and the gas introduced from the gas inlet rises along the inner wall of the closed container. Exhausted from the exhaust port.
【0007】この発明の他の態様による乾燥装置は、プ
レート上部に所定の間隔を開けて配置されて複数の開口
部を備えた板状の排気流分散板を新たに備える。この発
明によれば、基体上部のガスの上昇気流が均一になる。
また、この発明の他の態様による乾燥装置は、基体をプ
レート上に固定する固定手段を備える。なお、基体は、
ガラス基板,シートフィルム,シリコン基板のいずれか
であればよい。[0007] A drying apparatus according to another aspect of the present invention further includes a plate-shaped exhaust flow dispersion plate having a plurality of openings disposed at a predetermined interval above the plate. According to the present invention, the rising gas flow of the gas above the base becomes uniform.
A drying apparatus according to another aspect of the present invention includes fixing means for fixing a substrate on a plate. The base is
Any one of a glass substrate, a sheet film, and a silicon substrate may be used.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 実施の形態1 はじめに、本発明の第1の実施の形態について説明す
る。本実施の形態における乾燥装置は、図1に示すよう
に、まず、密閉容器101内にプレート102が配置さ
れている。プレート102は、ヒータ102aにより所
定温度に加熱され、プレート102上部に載置される基
体103を加熱する。この基体103は、例えば、ガラ
ス基板や樹脂製のシートフィルムまたは半導体基板など
である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 First, a first embodiment of the present invention will be described. In the drying apparatus according to the present embodiment, first, a plate 102 is disposed in a closed container 101 as shown in FIG. The plate 102 is heated to a predetermined temperature by the heater 102a, and heats the base 103 placed on the plate 102. The base 103 is, for example, a glass substrate, a resin sheet film, or a semiconductor substrate.
【0009】密閉容器101の側面は、プレート102
が配置されたところより上部に向かって徐々に内側に傾
斜する形状となっている。また、密閉容器101の上面
は、中央部に近づくほどプレート102より離れるよう
に構成されている。そして、密閉容器101上面の中央
部に排気口101aが設けられ、排気口101aは排気
手段104に連通している。また、密閉容器101下部
の密閉容器101側部近くにはガス導入口101bが設
けられ、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが導
入される。なお、図1(a)は断面の状態を概略的に示
し、図1(b)は上面からみた状態を示している。The side surface of the closed container 101 is
Has a shape that is gradually inclined inward toward the upper part from where the is arranged. Further, the upper surface of the sealed container 101 is configured to be farther from the plate 102 as it approaches the center. An exhaust port 101 a is provided at the center of the upper surface of the sealed container 101, and the exhaust port 101 a communicates with the exhaust unit 104. In addition, a gas inlet 101b is provided in the lower portion of the closed vessel 101 near the side of the closed vessel 101, and an inert gas such as nitrogen gas or argon gas is introduced. Note that FIG. 1A schematically shows a cross-sectional state, and FIG. 1B shows a state viewed from above.
【0010】密閉容器101内のガスは、排気口101
aを介して排気手段104により排気される。排気手段
104では、排気するガス中より、有機溶媒などを除去
するようにしている。また、排気手段104により排気
して密閉容器101内を負圧とすることで、ガス導入口
101bより密閉容器101内に窒素ガスを導入する。
プレート102上に載置される基体103は、基体10
3周囲をリング状の固定手段105で押さえられて固定
されている。固定手段105は、数本のピン106によ
り密閉容器101上部に固定されている。なお、他の方
法により基体103を固定するようにしてもよく、例え
ば、真空吸着で基体をプレート上に固定するようにして
もよい。The gas in the closed vessel 101 is
The gas is exhausted by the exhaust means 104 through a. The evacuation unit 104 removes an organic solvent and the like from the exhaust gas. Further, by exhausting the gas by the exhaust means 104 to make the inside of the closed vessel 101 negative pressure, nitrogen gas is introduced into the closed vessel 101 from the gas inlet 101b.
The base 103 placed on the plate 102 is the base 10
3 is fixed by being pressed by ring-shaped fixing means 105. The fixing means 105 is fixed to the upper part of the closed container 101 by several pins 106. The base 103 may be fixed by another method. For example, the base may be fixed on the plate by vacuum suction.
【0011】上記構成とした乾燥装置において、ガス導
入口101bより導入された窒素ガスは、密閉容器10
1の内部側面に沿って上昇し、排気口101aより排気
される。したがって、ガス導入口101bより密閉容器
101内部に導入されて排気口101aより排出される
窒素ガスの気流は、プレート102上に載置されている
基体103表面に接触することがない。なお、導入され
た窒素ガスの中で、拡散することで基体103表面に接
触するものはあるが、これらは微量である。一方、ヒー
タ102aにより例えば100℃にされたプレート10
2上では、載置された基体103が加熱される結果、基
体103表面に塗布された樹脂組成物に含まれる有機溶
剤が揮発する。また、基体103表面の樹脂組成物が昇
華する。これら有機溶剤の気化ガスや樹脂組成物の昇華
ガスは、加熱されたホットプレート102上の上昇気流
とともに上昇し、排気口101aより排気される。In the drying apparatus having the above structure, the nitrogen gas introduced from the gas inlet 101b is supplied to the closed container 10b.
1 rises along the inner side surface and is exhausted from the exhaust port 101a. Therefore, the gas flow of the nitrogen gas introduced into the closed vessel 101 through the gas introduction port 101b and discharged through the exhaust port 101a does not come into contact with the surface of the base 103 placed on the plate 102. Some of the introduced nitrogen gas may come into contact with the surface of the base 103 by diffusing, but these are trace amounts. On the other hand, the plate 10 heated to, for example, 100 ° C. by the heater 102 a
On 2, as a result of heating the placed base 103, the organic solvent contained in the resin composition applied to the surface of the base 103 volatilizes. Further, the resin composition on the surface of the base 103 sublimates. The vaporized gas of the organic solvent and the sublimation gas of the resin composition rise with the rising airflow on the heated hot plate 102 and are exhausted from the exhaust port 101a.
【0012】以上説明したように、本実施の形態による
乾燥装置によれば、まず、密閉容器内で乾燥しているの
で、基体上に塗布された樹脂組成物を乾燥するとき、樹
脂組成物に含まれる有機溶剤の気化ガスや樹脂組成物が
昇華することで発生するガスが周囲に離散することがな
い。また、密閉容器内は、常に窒素などの不活性ガスが
導入され、また、密閉容器上部より密閉容器内部のガス
を排気しているので、密閉容器内に、上記の乾燥により
発生するガスが充満して乾燥を阻害することがない。As described above, according to the drying apparatus of the present embodiment, first, since the resin composition is dried in a closed container, the resin composition applied on the substrate is The gas generated by the sublimation of the vaporized gas of the contained organic solvent and the resin composition does not separate into the surroundings. In addition, an inert gas such as nitrogen is always introduced into the closed container, and the gas inside the closed container is exhausted from the upper portion of the closed container. It does not hinder drying.
【0013】また、密閉容器の底部より内部に導入され
た窒素ガスの気流は、密閉容器内の側壁に沿って移動
し、密閉容器上部の排出口より強制排気されるので、排
気によるガスの流れが基体表面に触れることが無く、基
体表面に温度分布が形成されることがない。このよう
に、基体表面に温度分布が形成されないので、本実施の
形態によれば、基体表面の樹脂組成物による膜が、基体
上に均一に形成できる。加えて、密閉容器内の側壁に沿
って移動するガスの流れが形成されるので、樹脂組成物
の加熱乾燥により発生したガスによる密閉容器内壁の汚
染が抑制できる。The gas flow of nitrogen gas introduced from the bottom of the closed container moves along the side wall in the closed container and is forcibly exhausted from the outlet at the top of the closed container. Does not touch the substrate surface, and no temperature distribution is formed on the substrate surface. As described above, since the temperature distribution is not formed on the substrate surface, according to the present embodiment, a film of the resin composition on the substrate surface can be uniformly formed on the substrate. In addition, since a gas flow moving along the side wall in the closed container is formed, contamination of the inner wall of the closed container by gas generated by heating and drying the resin composition can be suppressed.
【0014】実施の形態2 次に、この発明の第2の実施の形態について説明する。
本実施の形態の乾燥装置は、図2に示すように、まず、
密閉容器101内にプレート102が配置されている。
プレート102は、ヒータ102aにより所定温度に加
熱され、プレート102上部に載置される基体103を
加熱する。密閉容器101上部には排気口101aが設
けられ、排気口101aは排気手段104に連通してい
る。また、密閉容器101下部の密閉容器101側部近
くにはガス導入口101bが設けられ、窒素ガスやアル
ゴンガスなどの不活性ガスが導入される。なお、図2
(a)は断面の状態を示し、図2(b)は上面からみた
状態を示している。Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIG. 2, the drying device of the present embodiment
A plate 102 is arranged in a closed container 101.
The plate 102 is heated to a predetermined temperature by the heater 102a, and heats the base 103 placed on the plate 102. An exhaust port 101 a is provided in the upper portion of the closed container 101, and the exhaust port 101 a is in communication with the exhaust unit 104. In addition, a gas inlet 101b is provided in the lower portion of the closed vessel 101 near the side of the closed vessel 101, and an inert gas such as nitrogen gas or argon gas is introduced. Note that FIG.
2A shows the state of the cross section, and FIG. 2B shows the state viewed from the top.
【0015】密閉容器101内のガスは、排気口101
aを介して排気手段104により排気される。また、排
気手段104により排気して密閉容器101内を負圧と
することで、ガス導入口101bより密閉容器101内
に窒素ガスを導入する。以上のことは、図1に示した乾
燥装置と同様である。本実施の形態では、新たに、複数
の開口部201aを設けた排気流分散板201を、基体
103上部に配置した。また、基体103のプレート1
02に対する固定は複数のピン(固定手段)202で行
い、同時にこのピン202により排気流分散板201を
プレート101上部に所定の間隔を開けて保持するよう
にした。したがって、排気流分散板201と基体103
との間の空間は、側部において周囲に開放されている。The gas in the closed vessel 101 is
The gas is exhausted by the exhaust means 104 through a. Further, by exhausting the gas by the exhaust means 104 to make the inside of the closed vessel 101 negative pressure, nitrogen gas is introduced into the closed vessel 101 from the gas inlet 101b. The above is the same as the drying device shown in FIG. In the present embodiment, a new exhaust flow distribution plate 201 provided with a plurality of openings 201 a is disposed above the base 103. The plate 1 of the base 103
A plurality of pins (fixing means) 202 are used to fix the exhaust gas distribution plate 201 to the upper portion of the plate 101 at a predetermined interval. Therefore, the exhaust flow distribution plate 201 and the base 103
Is open to the periphery at the side.
【0016】上記構成とした乾燥装置においても、ガス
導入口101bより導入された窒素ガスは、密閉容器1
01の内部側面に沿って上昇し、排気口101aより排
気される。したがって、ガス導入口101bより密閉容
器101内部に導入さてて排気口101aより排出され
る窒素ガスの気流は、プレート102上に載置されてい
る基体103表面に接触することがない。一方、ヒータ
102aにより例えば100℃にされたプレート102
上では、載置された基体103が加熱される結果、基体
103上部には上昇気流が発生する。また、基体103
上部の空間にあるガスは、排気口101aから排気手段
104により強制排気されている。In the drying apparatus having the above structure, the nitrogen gas introduced from the gas inlet 101b is supplied to the closed vessel 1
01 rises along the inner side surface of the air outlet 01 and is exhausted from the exhaust port 101a. Therefore, the gas flow of the nitrogen gas introduced into the closed vessel 101 from the gas introduction port 101b and discharged from the exhaust port 101a does not contact the surface of the base 103 placed on the plate 102. On the other hand, the plate 102 heated to, for example, 100 ° C. by the heater 102 a
Above, as a result of heating the placed base 103, an upward airflow is generated above the base 103. Also, the base 103
The gas in the upper space is forcibly exhausted by the exhaust means 104 from the exhaust port 101a.
【0017】このように、基体103上部のガスが上方
に向かって流れていく中で、本実施の形態では排気流分
散板201を直上に配置しているので、基体103上部
のガスの上方への流れがより均一となる。また、の実施
の形態と同様に、排気口101aより排気されていく密
閉容器101内のガスの流れが、基体103表面に触れ
ることがない。したがって、本実施の形態によれば、基
体103表面の温度分布のムラを、の実施の形態に比較
してより向上させることができる。ところで、上述で
は、図2(b)の上面図にも示したように、排気流分散
板に複数の小さな円形の開口部を設けるようにしたが、
これに限るものではなく、図3(a),(b)に示すよ
うに、円弧状のスリットや放射状のスリットを開口部と
して設けるようにしてもよい。As described above, while the gas above the substrate 103 flows upward, the exhaust flow distribution plate 201 is disposed immediately above in the present embodiment. Flow becomes more uniform. Further, similarly to the embodiment, the flow of the gas in the closed vessel 101 exhausted from the exhaust port 101a does not touch the surface of the base 103. Therefore, according to the present embodiment, the unevenness of the temperature distribution on the surface of the base 103 can be further improved as compared with the embodiment. Incidentally, in the above description, as shown in the top view of FIG. 2B, a plurality of small circular openings are provided in the exhaust flow distribution plate.
The present invention is not limited to this, and an arcuate slit or a radial slit may be provided as an opening as shown in FIGS.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、上
面中央部に排気口を備えた密閉容器と、この密閉容器内
部にこの密閉容器の上面より所定の距離を開けてかつこ
の密閉容器側面より所定の距離を開けて配置されて上面
に処理対象の基体を載置するプレートと、このプレート
を加熱する加熱手段と、排気口より密閉容器内部のガス
を排気する排気手段と、密閉容器のプレート上面より低
い位置でプレート配置領域より外側に設けられたガス導
入口とを備えるようにした。この発明によれば、排気手
段により密閉容器上部の排気口から内部のガスを排気す
ると、ガス導入口よりガスが導入され、ガス導入口より
導入されたガスは密閉容器の内壁に沿って上昇し、排気
口より排気される。したがって、密閉容器内のガスの流
れが、基体表面に触れることがないので、基体表面の温
度分布が均一となり、基体上に塗布された膜を均一に乾
燥して均一な膜を形成できる。As described above, according to the present invention, a sealed container having an exhaust port at the center of the upper surface, a predetermined distance from the upper surface of the sealed container inside the sealed container and a side surface of the sealed container are provided. A plate which is disposed at a more predetermined distance and on which the substrate to be treated is placed on the upper surface, a heating means for heating the plate, an exhaust means for exhausting gas inside the closed vessel from an exhaust port, and A gas inlet provided at a position lower than the plate upper surface and outside the plate arrangement region is provided. According to the present invention, when the internal gas is exhausted from the exhaust port on the upper portion of the closed container by the exhaust means, the gas is introduced from the gas inlet, and the gas introduced from the gas inlet rises along the inner wall of the closed container. Exhausted from the exhaust port. Therefore, the flow of gas in the closed container does not touch the substrate surface, so that the temperature distribution on the substrate surface becomes uniform, and the film applied on the substrate can be dried uniformly to form a uniform film.
【図1】 この発明の乾燥装置の断面構成(a)と平面
構成(b)を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a cross-sectional configuration (a) and a planar configuration (b) of a drying apparatus of the present invention.
【図2】 この発明の乾燥装置の他の形態における断面
構成(a)と平面構成(b)を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a cross-sectional configuration (a) and a planar configuration (b) in another embodiment of the drying device of the present invention.
【図3】 排気流分散板の他の形態を示す平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the exhaust flow distribution plate.
【図4】 従来よりある乾燥装置の断面構成(a)と平
面構成(b)を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a cross-sectional configuration (a) and a planar configuration (b) of a conventional drying device.
101…密閉容器、101a…排気口、101b…ガス
導入口、102…プレート、102a…ヒータ、103
…基体、104…排気手段、105…固定手段、106
…ピン。101: airtight container, 101a: exhaust port, 101b: gas inlet port, 102: plate, 102a: heater, 103
... Base, 104 ... Exhaust means, 105 ... Fixing means, 106
…pin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久良木 億 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 井関 出 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 上山 勉 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 Fターム(参考) 3L113 AB05 AC08 AC23 AC28 AC48 AC49 AC53 AC56 AC63 AC67 BA28 BA32 BA34 CA08 CB05 CB24 CB34 DA11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kuragi Billion 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Iseki Iori Horikawa-tsuji, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto Nouchi climb 4 chome 1 Tenten Kitacho 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Tsutomu Ueyama Kyoto Prefecture Kyoto City Hyokawa-dori Teranouchi 4 chome Metenjin Kita 1 1 Dainippon Screen F term (reference) in Manufacturing Co., Ltd. 3L113 AB05 AC08 AC23 AC28 AC48 AC49 AC53 AC56 AC63 AC67 BA28 BA32 BA34 CA08 CB05 CB24 CB34 DA11
Claims (6)
と、 この密閉容器内部にこの密閉容器の上面より所定の距離
を開けてかつこの密閉容器側面より所定の距離を開けて
配置されて上面に処理対象の基体を載置するプレート
と、 このプレートを加熱する加熱手段と、 前記排気口より前記密閉容器内部のガスを排気する排気
手段と、 前記密閉容器の前記プレート上面より低い位置で前記プ
レート配置領域より外側に設けられたガス導入口とを備
えたことを特徴とする乾燥装置。An airtight container having an exhaust port in the center of the upper surface, and a predetermined distance from the upper surface of the airtight container and a predetermined distance from the side surface of the airtight container inside the airtight container. A plate on which a substrate to be processed is placed on an upper surface, a heating unit for heating the plate, an exhaust unit for exhausting gas inside the closed container from the exhaust port, and a position lower than the plate upper surface of the closed container. A drying apparatus, comprising: a gas inlet provided outside the plate arrangement region.
の開口部を備えた板状の排気流分散板を新たに備えたこ
とを特徴とする乾燥装置。2. The drying apparatus according to claim 1, further comprising: a plate-shaped exhaust flow dispersion plate having a plurality of openings disposed at a predetermined interval above the plate. Drying equipment.
いて、 前記基体を前記プレート上に固定する固定手段を備えた
ことを特徴とする乾燥装置。3. The drying device according to claim 1, further comprising fixing means for fixing the base on the plate.
乾燥装置において、 前記基体はガラス基板であることを特徴とする乾燥装
置。4. The drying device according to claim 1, wherein the substrate is a glass substrate.
乾燥装置において、 前記基体はシートフィルムであることを特徴とする乾燥
装置。5. The drying device according to claim 1, wherein the substrate is a sheet film.
乾燥装置において、 前記基体は半導体基板であることを特徴とする乾燥装
置。6. The drying apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor substrate.
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