JPH06275512A - Baking method and device of photosensitive resist film - Google Patents
Baking method and device of photosensitive resist filmInfo
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- JPH06275512A JPH06275512A JP6027193A JP6027193A JPH06275512A JP H06275512 A JPH06275512 A JP H06275512A JP 6027193 A JP6027193 A JP 6027193A JP 6027193 A JP6027193 A JP 6027193A JP H06275512 A JPH06275512 A JP H06275512A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、感光性レジスト膜のベ
ーキング方法およびそのためのベーキング装置の改良に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for baking a photosensitive resist film and an improvement in a baking apparatus therefor.
【０００２】近年、半導体装置の高集積化が進み、集積
回路を構成する能動素子、受動素子あるいは回路のパタ
ーン寸法の精度に対する要求が厳しくなっている。この
要求に応える諸要因の一つとして、微細で鮮明なパター
ンを形成するために、感光性レジスト膜の膜厚分布を均
一化することが必要になってきた。そして、特に、感光
性レジスト膜が化学増幅系のレジストで構成される場
合、これを露光、現像した後にベーキングを行うホット
プレートの熱分布の均一性を高める必要性が高まってい
る。In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, demands for the accuracy of pattern dimensions of active elements, passive elements or circuits constituting integrated circuits have become strict. As one of various factors that meet this demand, it has become necessary to make the film thickness distribution of the photosensitive resist film uniform in order to form a fine and clear pattern. In particular, when the photosensitive resist film is composed of a chemically amplified resist, there is an increasing need to increase the uniformity of heat distribution of the hot plate which is exposed and developed and then baked.
【０００３】[0003]
【従来の技術】図６は、従来の感光性レジスト膜用ベー
キング装置の構成説明図である。この図において、２１
はベーキングチャンバー、２２はホットプレート、２３
は基板支持台、２４は被処理基板、２５は排気カバー、
２６はパージガス供給管、２７は排気管である。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a diagram showing the construction of a conventional baking apparatus for a photosensitive resist film. In this figure, 21
Is a baking chamber, 22 is a hot plate, 23
Is a substrate support, 24 is a substrate to be processed, 25 is an exhaust cover,
26 is a purge gas supply pipe, and 27 is an exhaust pipe.
【０００４】従来の感光性レジスト膜用ベーキング装置
は、ベーキングチャンバー２１を有し、このベーキング
チャンバー２１の底面はホットプレート２２によって閉
じられ、ホットプレート２２の上面には基板支持台２３
が設けられ、この基板支持台２３の上には、露光、現像
された感光性レジスト膜を有する被処理基板２４が載置
される。The conventional baking apparatus for a photosensitive resist film has a baking chamber 21, the bottom of the baking chamber 21 is closed by a hot plate 22, and a substrate support 23 is provided on the upper surface of the hot plate 22.
The substrate to be processed 24 having the exposed and developed photosensitive resist film is placed on the substrate support 23.
【０００５】そして、被処理基板２４は上方に空間を形
成して多数の排気孔を有する排気カバー２５によって覆
われ、パージガスであるＮ2 がパージガス供給管２６か
らベーキングチャンバー２１内に供給され、排気孔を通
って排気管２７から排気されるようになっている。The substrate 24 to be processed is covered with an exhaust cover 25 which forms a space above and has a large number of exhaust holes, and N 2 which is a purge gas is supplied from the purge gas supply pipe 26 into the baking chamber 21 and exhausted. The gas is exhausted from the exhaust pipe 27 through the hole.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このベーキ
ング装置においては、図に破線で示されているように、
パージガスであるＮ2 をベーキングチャンバー２１内に
導入する際、パージガスの温度と雰囲気の温度に差があ
るため、ベーキングチャンバー２１のホットプレート２
２の上部に大きな気流の乱れを生じる。However, in this baking apparatus, as indicated by the broken line in the figure,
When introducing the purge gas N 2 into the baking chamber 21, there is a difference between the temperature of the purge gas and the temperature of the atmosphere.
A large turbulence of the air flow occurs at the upper part of 2.
【０００７】そして、導入するパージガスがホットプレ
ート２２より低温であるため、ホットプレート２２の温
度分布に影響し、さらに、ベーキングされる被処理基板
２４の温度分布に影響し、そのためにベーキング後の感
光性レジスト膜の膜厚が不均一になり、これをエッチン
グマスクとして選択的にエッチングされる微細なパター
ンの線幅が不均一になる恐れがある。Since the introduced purge gas has a temperature lower than that of the hot plate 22, the temperature distribution of the hot plate 22 is affected, and further the temperature distribution of the substrate 24 to be baked is affected, so that the photosensitive material after baking is exposed. There is a possibility that the film thickness of the conductive resist film becomes non-uniform, and the line width of a fine pattern selectively etched using this as a mask becomes non-uniform.
【０００８】そこで、従来は、ベーキングチャンバー２
１に導入するパージガスの供給量や排出量、排気カバー
２５の排気孔、整流板等の形状によってパージガスの流
れを制御して、ホットプレート２２、延いてはベーキン
グされる被処理基板２４の温度分布を均一にする方法に
頼っていたが、前記のように集積回路装置が高集積化さ
れ、あるいは、化学増幅系のレジスト膜が使用されるに
伴い、ベーキング後の感光性レジスト膜の膜厚がベーキ
ングされる被処理基板２４の温度分布に鋭敏に影響し
て、不均一になるという問題が生じている。本発明は、
ホットプレート２２の温度分布を均一にして、感光性レ
ジスト膜の膜厚を均一にする方法と装置を提供すること
を目的とする。Therefore, conventionally, the baking chamber 2 is used.
1, the flow rate of the purge gas is controlled by the supply amount and the discharge amount of the purge gas, the shape of the exhaust hole of the exhaust cover 25, the straightening plate, etc. However, as the integrated circuit device is highly integrated as described above or a chemically amplified resist film is used, the film thickness of the photosensitive resist film after baking is increased. There is a problem in that the temperature distribution of the substrate 24 to be baked is sensitively affected and becomes non-uniform. The present invention is
It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for making the temperature distribution of the hot plate 22 uniform and making the film thickness of the photosensitive resist film uniform.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる感光性レ
ジスト膜のベーキング方法においては、上記の問題を解
決するため、被処理基板上に形成された感光性レジスト
膜を露光、現像した後にベーキングする際、パージガス
をベーキングチャンバー雰囲気に近い温度まで昇温して
供給する過程を採用した。In order to solve the above-mentioned problems, in the method for baking a photosensitive resist film according to the present invention, baking is performed after exposing and developing a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed. At this time, a process of raising the temperature of the purge gas to a temperature close to the atmosphere of the baking chamber and supplying the same was adopted.
【００１０】この場合、パージガスをベーキングチャン
バーのホットプレートに熱的に接触させて供給するこ
と、あるいは、パージガスをガス温度調節手段によって
昇温することができる。In this case, the purge gas can be supplied in thermal contact with the hot plate of the baking chamber, or the temperature of the purge gas can be raised by the gas temperature adjusting means.
【００１１】また、被処理基板上に形成された感光性レ
ジスト膜を露光、現像した後に、該感光性レジスト膜を
ベーキングする際、ベーキングチャンバーの雰囲気の排
気の少なくとも一部を、パージガスと混合してベーキン
グチャンバーに還流させる過程を採用した。Further, when the photosensitive resist film formed on the substrate to be processed is exposed and developed and then the photosensitive resist film is baked, at least a part of exhaust gas in the atmosphere of the baking chamber is mixed with a purge gas. The process of refluxing to the baking chamber was adopted.
【００１２】また、本発明にかかる、被処理基板上に形
成された感光性レジスト膜を露光、現像した後にベーキ
ングする装置においては、供給するパージガスをベーキ
ングチャンバーの雰囲気に近い温度まで昇温する手段を
具備する構成を採用した。Further, in the apparatus for baking the photosensitive resist film formed on the substrate to be processed according to the present invention after exposing and developing the photosensitive resist film, the means for heating the supplied purge gas to a temperature close to the atmosphere of the baking chamber. The configuration that includes
【００１３】この場合、パージガスをベーキングチャン
バーのホットプレートに熱的に接触させる手段、あるい
は、パージガスを昇温するガス温度調節手段を設けるこ
とができる。In this case, a means for bringing the purge gas into thermal contact with the hot plate of the baking chamber or a gas temperature adjusting means for raising the temperature of the purge gas can be provided.
【００１４】また、被処理基板上に形成された感光性レ
ジスト膜を露光、現像した後にベーキングする装置にお
いて、ベーキングチャンバーの雰囲気の排気の少なくと
も一部を、パージガスに混合してベーキングチャンバー
に還流させる手段を有する構成を採用した。Further, in an apparatus for baking after exposing and developing a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed, at least a part of exhaust gas in the atmosphere of the baking chamber is mixed with a purge gas and refluxed to the baking chamber. A structure having means is adopted.
【００１５】この場合、ベーキングチャンバーの排気管
とパージガス供給管を連結するガス流路を有し、該ガス
流路に流量調節手段とフィルターを具備する構成を採用
することができる。In this case, it is possible to adopt a structure in which a gas flow passage connecting the exhaust pipe of the baking chamber and the purge gas supply pipe is provided, and the gas flow passage is provided with a flow rate adjusting means and a filter.
【００１６】またこの場合、ベーキングチャンバーの雰
囲気の排気を昇温するために、ベーキングチャンバーの
ホットプレートに熱的に接触して形成されているガス流
路、あるいは、ガス温度調節手段を設けることができ
る。Further, in this case, in order to raise the temperature of the exhaust gas of the atmosphere of the baking chamber, a gas flow path formed in thermal contact with the hot plate of the baking chamber or a gas temperature adjusting means is provided. it can.
【００１７】[0017]
【作用】本発明のように、被処理基板上に形成された感
光性レジスト膜を露光、現像した後にベーキングする
際、パージガスをベーキングチャンバー内の雰囲気の温
度に近い温度まで昇温して導入し、あるいは、ベーキン
グチャンバー内の雰囲気の排気の少なくとも一部を、パ
ージガスと混合してベーキングチャンバーに還流させる
と、ベーキングされる被処理基板の平面内温度分布の均
一性が改善され、ベーキング後の感光性レジスト膜の膜
厚を均一にすることができる。When the photosensitive resist film formed on the substrate to be processed is exposed and developed and then baked as in the present invention, the purge gas is introduced by raising the temperature to a temperature close to the temperature of the atmosphere in the baking chamber. Alternatively, if at least a part of the exhaust gas of the atmosphere in the baking chamber is mixed with a purge gas and then returned to the baking chamber, the uniformity of the in-plane temperature distribution of the substrate to be baked is improved, and the photosensitization after baking is improved. The film thickness of the photosensitive resist film can be made uniform.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （第１実施例）図１は、第１実施例の感光性レジスト膜
のベーキング方法とその装置の概略説明図である。この
図において、１はベーキングチャンバー、２はホットプ
レート、３は基板支持台、４は被処理基板、５は排気カ
バー、６はパージガス供給管、７は排気管である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic explanatory view of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to the first embodiment. In this figure, 1 is a baking chamber, 2 is a hot plate, 3 is a substrate support, 4 is a substrate to be processed, 5 is an exhaust cover, 6 is a purge gas supply pipe, and 7 is an exhaust pipe.
【００１９】この実施例の感光性レジスト膜のベーキン
グ装置においては、ベーキングチャンバー１の底面がホ
ットプレート２によって閉じられ、ホットプレート２の
上面には、露光され現像された感光性レジスト膜を有す
る被処理基板４を支持する基板支持台３が設けられてい
る。In the photosensitive resist film baking apparatus of this embodiment, the bottom surface of the baking chamber 1 is closed by the hot plate 2, and the top surface of the hot plate 2 is covered with the exposed and developed photosensitive resist film. A substrate support base 3 that supports the processing substrate 4 is provided.
【００２０】そして、被処理基板４は上方に間隔を保っ
て多数の排気孔を有する排気カバー５によって覆われ、
パージガスであるＮ2 がパージガス供給管６を通してベ
ーキングチャンバー１内に供給され、排気カバー５の多
数の排気孔を通して排気管７から排気されるようになっ
ている。Then, the substrate 4 to be processed is covered with an exhaust cover 5 having a large number of exhaust holes which are spaced upward from each other,
N 2 as a purge gas is supplied into the baking chamber 1 through the purge gas supply pipe 6 and is exhausted from the exhaust pipe 7 through a large number of exhaust holes of the exhaust cover 5.
【００２１】この場合、パージガス供給管６は、ホット
プレート２の側壁に沿って形成され、あるいはホットプ
レート２の中に形成され、熱的に接触しており、パージ
ガスはここを通過する間にホットプレート２の温度、す
なわち、ベーキングチャンバー１内の雰囲気の温度に近
い温度までに昇温するため、ベーキングチャンバー１内
に導入されたとき、比重の差による乱流が抑制され、ま
た被処理基板４の温度分布を不均一にすることがないた
め、被処理基板４の上に形成された感光性レジスト膜の
膜厚が不均一になる恐れが少なく、これをエッチングマ
スクとしてエッチングする場合、パターンの線幅を均一
化することができる。In this case, the purge gas supply pipe 6 is formed along the side wall of the hot plate 2 or in the hot plate 2 and is in thermal contact therewith, and the purge gas is hot while passing therethrough. Since the temperature of the plate 2 is raised to a temperature close to the temperature of the atmosphere in the baking chamber 1, turbulent flow due to the difference in specific gravity is suppressed when introduced into the baking chamber 1, and the substrate 4 to be processed 4 Of the photosensitive resist film formed on the substrate 4 to be processed is less likely to be non-uniform because it does not make the temperature distribution of the pattern non-uniform. The line width can be made uniform.
【００２２】（第２実施例）図２は、第２実施例の感光
性レジスト膜のベーキング方法とその装置の概略説明図
である。この図において、１はベーキングチャンバー、
２はホットプレート、３は基板支持台、４は被処理基
板、５は排気カバー、６はパージガス供給管、７は排気
管、８はガス温度調節手段である。(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic explanatory view of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to the second embodiment. In this figure, 1 is a baking chamber,
Reference numeral 2 is a hot plate, 3 is a substrate support, 4 is a substrate to be processed, 5 is an exhaust cover, 6 is a purge gas supply pipe, 7 is an exhaust pipe, and 8 is a gas temperature adjusting means.
【００２３】この実施例の感光性レジスト膜のベーキン
グ装置においては、ベーキングチャンバー１の底面がホ
ットプレート２によって閉じられ、ホットプレート２の
上面には、露光され現像された感光性レジスト膜を有す
る被処理基板４を支持する基板支持台３が設けられてい
る。そして、被処理基板４は上方に間隔を保って多数の
排気孔を有する排気カバー５によって覆われ、パージガ
スであるＮ2 が、パージガス供給管６を通してベーキン
グチャンバー１内に供給され、排気カバー５の多数の排
気孔を通して排気管７から排気されるようになってい
る。In the photosensitive resist film baking apparatus of this embodiment, the bottom of the baking chamber 1 is closed by the hot plate 2, and the upper surface of the hot plate 2 is covered with the exposed and developed photosensitive resist film. A substrate support base 3 that supports the processing substrate 4 is provided. Then, the substrate 4 to be processed is covered with an exhaust cover 5 having a large number of exhaust holes at an upper interval, and N 2 which is a purge gas is supplied into the baking chamber 1 through a purge gas supply pipe 6 to remove the exhaust gas from the exhaust cover 5. The gas is exhausted from the exhaust pipe 7 through a large number of exhaust holes.
【００２４】この場合、パージガス供給管６には、熱交
換器のようなガス温度調節手段８が設けられており、パ
ージガスはここでホットプレート２の温度、すなわち、
ベーキングチャンバー１内の雰囲気の温度に近い温度ま
でに昇温されるため、ベーキングチャンバー１内に導入
されたときに発生する比重の差による乱流が抑制され、
また被処理基板４の温度分布を不均一にする恐れが少な
いため、被処理基板４の上に形成された感光性レジスト
膜の膜厚が均一性が改善され、パターンの線幅を均一化
することができる。In this case, the purge gas supply pipe 6 is provided with a gas temperature adjusting means 8 such as a heat exchanger, and the purge gas is the temperature of the hot plate 2, that is, the purge gas.
Since the temperature is raised to a temperature close to the temperature of the atmosphere in the baking chamber 1, turbulent flow due to the difference in specific gravity that occurs when introduced into the baking chamber 1 is suppressed,
Further, since there is little possibility that the temperature distribution of the substrate 4 to be processed becomes nonuniform, the uniformity of the film thickness of the photosensitive resist film formed on the substrate 4 to be processed is improved and the line width of the pattern is made uniform. be able to.
【００２５】（第３実施例）図３は、第３実施例の感光
性レジスト膜のベーキング方法とその装置の概略説明図
である。この図において、１はベーキングチャンバー、
２はホットプレート、３は基板支持台、４は被処理基
板、５は排気カバー、６はパージガス供給管、７は排気
管、９はガス流路、１０はバルブ、１１はフィルター、
１２はポンプである。(Third Embodiment) FIG. 3 is a schematic explanatory diagram of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a third embodiment. In this figure, 1 is a baking chamber,
2 is a hot plate, 3 is a substrate support, 4 is a substrate to be processed, 5 is an exhaust cover, 6 is a purge gas supply pipe, 7 is an exhaust pipe, 9 is a gas passage, 10 is a valve, 11 is a filter,
12 is a pump.
【００２６】この実施例の感光性レジスト膜のベーキン
グ装置においては、ベーキングチャンバー１の底面がホ
ットプレート２によって閉じられ、ホットプレート２の
上面には、露光され現像された感光性レジスト膜を有す
る被処理基板４を支持する基板支持台３が設けられてい
る。そして、被処理基板４は上方に間隔を保って多数の
排気孔を有する排気カバー５によって覆われ、パージガ
スであるＮ2 がパージガス供給管６を通してベーキング
チャンバー１内に供給され、排気カバー５の多数の排気
孔を通して排気管７から排気されるようになっている。In the photosensitive resist film baking apparatus of this embodiment, the bottom surface of the baking chamber 1 is closed by the hot plate 2, and the upper surface of the hot plate 2 is covered with the exposed and developed photosensitive resist film. A substrate support base 3 that supports the processing substrate 4 is provided. Then, the substrate 4 to be processed is covered with an exhaust cover 5 having a large number of exhaust holes spaced upward, and N 2 which is a purge gas is supplied into the baking chamber 1 through a purge gas supply pipe 6, so that a large number of the exhaust covers 5 are provided. The gas is exhausted from the exhaust pipe 7 through the exhaust hole.
【００２７】この場合、排気管７からパージガス供給管
６に通じるガス流路９が形成され、このガス流路９に、
ガスの流量を調節できるバルブ１０と、ベーキングチャ
ンバー１内で発生する粒子、不純物等を除去するフィル
ター１１と、ガスをガス流路９に圧送するためのポンプ
１２が設けられている。In this case, a gas passage 9 is formed from the exhaust pipe 7 to the purge gas supply pipe 6, and this gas passage 9 is
A valve 10 that can control the flow rate of gas, a filter 11 that removes particles, impurities, and the like generated in the baking chamber 1, and a pump 12 that pumps gas to the gas passage 9 are provided.
【００２８】この実施例においては、昇温した排気管７
内の排気ガスの一部をパージガス供給管６を通して供給
されるパージガスに混入され、ベーキングチャンバー１
内に導入するガスが雰囲気の温度近くまで昇温されるた
め、ベーキングチャンバー１内に導入されたとき、比重
の差によって発生するガスの乱流が最小限に抑制され、
被処理基板４の温度分布を不均一にすることがないか
ら、被処理基板４の上に形成された感光性レジスト膜の
膜厚が均一化され、これを用いてエッチングされたパタ
ーンの線幅を均一にすることができる。In this embodiment, the temperature of the exhaust pipe 7 is raised.
Part of the exhaust gas inside is mixed with the purge gas supplied through the purge gas supply pipe 6, and the baking chamber 1
Since the gas introduced into the baking chamber 1 is heated to a temperature close to the temperature of the atmosphere, the turbulent flow of the gas generated by the difference in specific gravity when the gas is introduced into the baking chamber 1 is suppressed to a minimum,
Since the temperature distribution of the substrate 4 to be processed is not made uneven, the film thickness of the photosensitive resist film formed on the substrate 4 to be processed is made uniform, and the line width of the pattern etched using this Can be made uniform.
【００２９】先に説明した従来の感光性レジスト膜のベ
ーキング装置によってベーキングした場合と、この実施
例の感光性レジスト膜のベーキング装置によってベーキ
ングした場合のホットプレートの温度分布と感光性レジ
スト膜の膜厚を比較した結果は、ホットプレートの温度
分布については、この実施例の場合０．３℃、従来例の
場合０．６℃、感光性レジスト膜の膜厚については、こ
の実施例の場合３５Å、従来例の場合５５Åであった。The temperature distribution of the hot plate and the film of the photosensitive resist film when baked by the conventional photosensitive resist film baking device described above and when baked by the photosensitive resist film baking device of this embodiment. As a result of comparing the thicknesses, the temperature distribution of the hot plate is 0.3 ° C. in this example, the conventional example is 0.6 ° C., and the film thickness of the photosensitive resist film is 35 Å in this example. In the case of the conventional example, it was 55Å.
【００３０】（第４実施例）図４は、第４実施例の感光
性レジスト膜のベーキング方法とその装置の概略説明図
である。この図において、１はベーキングチャンバー、
２はホットプレート、３は基板支持台、４は被処理基
板、５は排気カバー、６はパージガス供給管、７は排気
管、９はガス流路、１０はバルブ、１１はフィルター、
１２はポンプである。(Fourth Embodiment) FIG. 4 is a schematic explanatory view of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a fourth embodiment. In this figure, 1 is a baking chamber,
2 is a hot plate, 3 is a substrate support, 4 is a substrate to be processed, 5 is an exhaust cover, 6 is a purge gas supply pipe, 7 is an exhaust pipe, 9 is a gas passage, 10 is a valve, 11 is a filter,
12 is a pump.
【００３１】この実施例の感光性レジスト膜のベーキン
グ装置においては、ベーキングチャンバー１の底面がホ
ットプレート２によって閉じられ、ホットプレート２の
上面には、露光され現像された感光性レジスト膜を有す
る被処理基板４を支持する基板支持台３が設けられてい
る。In the photosensitive resist film baking apparatus of this embodiment, the bottom surface of the baking chamber 1 is closed by the hot plate 2, and the upper surface of the hot plate 2 is covered with the exposed and developed photosensitive resist film. A substrate support base 3 that supports the processing substrate 4 is provided.
【００３２】そして、被処理基板４は上方に間隔を保っ
て多数の排気孔を有する排気カバー５によって覆われ、
パージガスであるＮ2 がホットプレート２の側壁あるい
は内部を通って熱的に接触するパージガス供給管６を通
してベーキングチャンバー１内に導入され、排気カバー
５の多数の排気孔を通して排気管７から排気されるよう
になっている。Then, the substrate 4 to be processed is covered with an exhaust cover 5 having a large number of exhaust holes with an interval kept above.
The purge gas N 2 is introduced into the baking chamber 1 through the purge gas supply pipe 6 which is in thermal contact with the side wall or the inside of the hot plate 2, and is exhausted from the exhaust pipe 7 through the multiple exhaust holes of the exhaust cover 5. It is like this.
【００３３】この場合、排気管７からパージガス供給管
６に通じるガス流路９が形成され、このガス流路９に、
流量を調節できるバルブ１０と、ベーキングチャンバー
１内で発生する粒子や不純物等を除去するフィルター１
１と、排気管７内のガスをガス流路９に圧送するための
ポンプ１２が設けられている。In this case, a gas passage 9 is formed from the exhaust pipe 7 to the purge gas supply pipe 6, and the gas passage 9 is formed with the gas passage 9.
A valve 10 capable of adjusting the flow rate and a filter 1 for removing particles, impurities, etc. generated in the baking chamber 1.
1 and a pump 12 for pumping the gas in the exhaust pipe 7 to the gas passage 9.
【００３４】この実施例においては、昇温した排気管７
内の排気ガスの一部をパージガス供給管６を通して供給
されるパージガスに混入し、さらに、ホットプレート２
と熱的に接触するパージガス供給管６を通る間に、ベー
キングチャンバー１内に導入されるガスが充分に昇温さ
れるため、ベーキングチャンバー１内に導入されたガス
の乱流を抑制することができ、また被処理基板４の温度
分布を不均一にすることがないため、被処理基板４の上
に形成された感光性レジスト膜の膜厚が均一化され、パ
ターンの線幅を均一化することができる。In this embodiment, the temperature of the exhaust pipe 7 is raised.
Part of the exhaust gas inside is mixed with the purge gas supplied through the purge gas supply pipe 6, and the hot plate 2
Since the temperature of the gas introduced into the baking chamber 1 is sufficiently increased while passing through the purge gas supply pipe 6 that is in thermal contact with the baking chamber 1, it is possible to suppress the turbulent flow of the gas introduced into the baking chamber 1. Moreover, since the temperature distribution of the substrate 4 to be processed is not made uneven, the film thickness of the photosensitive resist film formed on the substrate 4 to be processed is made uniform, and the line width of the pattern is made uniform. be able to.
【００３５】（第５実施例）図５は、第５実施例の感光
性レジスト膜のベーキング方法とその装置の概略説明図
である。この図において、１はベーキングチャンバー、
２はホットプレート、３は基板支持台、４は被処理基
板、５は排気カバー、６はパージガス供給管、７は排気
管、８はガス温度調節手段、９はガス流路、１０はバル
ブ、１１はフィルター、１２はポンプである。(Fifth Embodiment) FIG. 5 is a schematic illustration of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a fifth embodiment. In this figure, 1 is a baking chamber,
2 is a hot plate, 3 is a substrate support, 4 is a substrate to be processed, 5 is an exhaust cover, 6 is a purge gas supply pipe, 7 is an exhaust pipe, 8 is a gas temperature adjusting means, 9 is a gas passage, 10 is a valve, Reference numeral 11 is a filter, and 12 is a pump.
【００３６】この実施例の感光性レジスト膜のベーキン
グ装置においては、ベーキングチャンバー１の底面がホ
ットプレート２によって閉じられ、ホットプレート２の
上面には、露光され現像された感光性レジスト膜を有す
る被処理基板４を支持する基板支持台３が設けられ、被
処理基板４は上方に間隔を保って多数の排気孔を有する
排気カバー５によって覆われている。In the photosensitive resist film baking apparatus of this embodiment, the bottom surface of the baking chamber 1 is closed by the hot plate 2, and the top surface of the hot plate 2 is covered with the exposed and developed photosensitive resist film. A substrate support base 3 for supporting the processing substrate 4 is provided, and the substrate 4 to be processed is covered by an exhaust cover 5 having a large number of exhaust holes at an upper interval.
【００３７】この場合、排気管７からパージガス供給管
６に通じるガス流路９が形成され、このガス流路９に、
流量を調節できるバルブ１０と、ベーキングチャンバー
１内で発生する粒子や不純物等を除去するフィルター１
１と、排気管７内のガスをガス流路９に圧送するための
ポンプ１２が設けられ、パージガス供給管６のベーキン
グチャンバー１の近くに熱交換器のようなガス温度調節
手段８が設けられている。In this case, a gas passage 9 is formed from the exhaust pipe 7 to the purge gas supply pipe 6, and this gas passage 9 is
A valve 10 capable of adjusting the flow rate and a filter 1 for removing particles, impurities, etc. generated in the baking chamber 1.
1 and a pump 12 for pumping the gas in the exhaust pipe 7 to the gas passage 9, and a gas temperature adjusting means 8 such as a heat exchanger is provided near the baking chamber 1 of the purge gas supply pipe 6. ing.
【００３８】そして、パージガス供給管６を通して供給
されたパージガスと排気管７からガス流路９を通して循
環されるガスは、ガス温度調節手段８によって温度調節
されてベーキングチャンバー１内に導入され、排気カバ
ー５の多数の排気孔を通して排気管７から排気されるよ
うになっている。The purge gas supplied through the purge gas supply pipe 6 and the gas circulated through the gas passage 9 from the exhaust pipe 7 are temperature-controlled by the gas temperature control means 8 and are introduced into the baking chamber 1, and the exhaust cover is provided. The gas is exhausted from the exhaust pipe 7 through a large number of exhaust holes 5.
【００３９】この実施例においては、昇温した排気管７
内の排気ガスの一部がパージガス供給管６を通して供給
されるパージガスに混入され、さらに、ガス温度調節手
段８によって温度が調節されるため、ベーキングチャン
バー１内に導入されたガスが乱流を生じることが少な
く、また被処理基板４の温度分布が均一化されて、被処
理基板４の上に形成された感光性レジスト膜の膜厚が不
均一になることが最小限度に抑制され、パターンの線幅
を均一化することができる。In this embodiment, the temperature of the exhaust pipe 7 is raised.
A part of the exhaust gas inside is mixed with the purge gas supplied through the purge gas supply pipe 6, and the temperature is adjusted by the gas temperature adjusting means 8. Therefore, the gas introduced into the baking chamber 1 causes a turbulent flow. In addition, the temperature distribution of the substrate 4 to be processed is made uniform, and the unevenness of the film thickness of the photosensitive resist film formed on the substrate 4 to be processed is suppressed to a minimum. The line width can be made uniform.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
感光性レジスト膜のベーキング装置のホットプレートの
熱分布の均一化を向上することができ、それによって感
光性レジスト膜の膜厚を均一化することができるという
効果を奏し、これをレジストマスクとしてエッチングさ
れる微細なパターンの線幅の均一性を向上することがで
き、高集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。As described above, according to the present invention,
It is possible to improve the uniformity of the heat distribution of the hot plate of the baking device for the photosensitive resist film, and thereby the thickness of the photosensitive resist film can be made uniform, which is used as a resist mask for etching. It is possible to improve the uniformity of the line width of the fine pattern to be formed, and this greatly contributes to the manufacture of a highly integrated circuit device.
【図１】第１実施例の感光性レジスト膜のベーキング方
法とその装置の概略説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a first embodiment.
【図２】第２実施例の感光性レジスト膜のベーキング方
法とその装置の概略説明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory diagram of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a second embodiment.
【図３】第３実施例の感光性レジスト膜のベーキング方
法とその装置の概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory diagram of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a third embodiment.
【図４】第４実施例の感光性レジスト膜のベーキング方
法とその装置の概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a fourth embodiment.
【図５】第５実施例の感光性レジスト膜のベーキング方
法とその装置の概略説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view of a method and apparatus for baking a photosensitive resist film according to a fifth embodiment.
【図６】従来の感光性レジスト膜用ベーキング装置の構
成説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the configuration of a conventional baking device for a photosensitive resist film.
１ ベーキングチャンバー ２ ホットプレート ３ 基板支持台 ４ 被処理基板 ５ 排気カバー ６ パージガス供給管 ７ 排気管 ８ ガス温度調節手段 ９ ガス流路 １０ バルブ １１ フィルター １２ ポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Baking chamber 2 Hot plate 3 Substrate support 4 Substrate 5 Exhaust cover 6 Purge gas supply pipe 7 Exhaust pipe 8 Gas temperature adjusting means 9 Gas flow passage 10 Valve 11 Filter 12 Pump
Claims (11)
ト膜を露光、現像した後にベーキングする際、パージガ
スをベーキングチャンバー雰囲気に近い温度まで昇温し
て供給することを特徴とする感光性レジスト膜のベーキ
ング方法。1. A photosensitive resist, characterized in that, when a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed is exposed and developed and then baked, the purge gas is heated to a temperature close to that of a baking chamber and supplied. Membrane baking method.
ットプレートに熱的に接触させて供給することを特徴と
する請求項１に記載された感光性レジスト膜のベーキン
グ方法。2. The method of baking a photosensitive resist film according to claim 1, wherein the purge gas is supplied in thermal contact with a hot plate of the baking chamber.
昇温することを特徴とする請求項１に記載された感光性
レジスト膜のベーキング方法。3. The method of baking a photosensitive resist film according to claim 1, wherein the temperature of the purge gas is raised by a gas temperature adjusting means.
ト膜を露光、現像した後にベーキングする際、ベーキン
グチャンバーの雰囲気の排気の少なくとも一部を、パー
ジガスと混合してベーキングチャンバーに還流させるこ
とを特徴とする感光性レジスト膜のベーキング方法。4. When baking a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed after exposing and developing it, at least a part of exhaust gas in the atmosphere of the baking chamber is mixed with a purge gas and refluxed to the baking chamber. A method for baking a photosensitive resist film, comprising:
ト膜を露光、現像した後にベーキングする装置であっ
て、供給するパージガスをベーキングチャンバーの雰囲
気に近い温度まで昇温する手段を具備することを特徴と
する感光性レジスト膜のベーキング装置。5. A device for baking after exposing and developing a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed, comprising means for raising the temperature of purge gas to be supplied to a temperature close to the atmosphere of the baking chamber. A baking device for a photosensitive resist film.
ットプレートに熱的に接触させる手段を具備することを
特徴とする請求項５に記載された感光性レジスト膜のベ
ーキング装置。6. The baking apparatus for a photosensitive resist film according to claim 5, further comprising means for bringing the purge gas into thermal contact with the hot plate of the baking chamber.
を具備することを特徴とする請求項５に記載された感光
性レジスト膜のベーキング装置。7. The apparatus for baking a photosensitive resist film according to claim 5, further comprising gas temperature adjusting means for raising the temperature of the purge gas.
ト膜を露光、現像した後にベーキングする装置であっ
て、ベーキングチャンバーの雰囲気の排気の少なくとも
一部を、パージガスに混合してベーキングチャンバーに
還流させる手段を具備することを特徴とする感光性レジ
スト膜のベーキング装置。8. An apparatus for baking after exposing and developing a photosensitive resist film formed on a substrate to be processed, wherein at least a part of exhaust gas of the atmosphere of the baking chamber is mixed with a purge gas to be introduced into the baking chamber. A baking device for a photosensitive resist film, which is provided with a means for refluxing.
ガス供給管を連結するガス流路を有し、該ガス流路に流
量調節手段とフィルターを具備することを特徴とする請
求項８に記載された感光性レジスト膜のベーキング装
置。9. The photosensitive material according to claim 8, further comprising a gas flow path connecting an exhaust pipe of the baking chamber and a purge gas supply pipe, the gas flow path having a flow rate adjusting means and a filter. Baking device for photosensitive resist film.
ジガス供給管を連結するガス流路を有し、該ガス流路が
ベーキングチャンバーのホットプレートに熱的に接触し
て形成されていることを特徴とする請求項８に記載され
た感光性レジスト膜のベーキング装置。10. A gas flow passage connecting an exhaust pipe of the baking chamber and a purge gas supply pipe, the gas flow passage being formed in thermal contact with a hot plate of the baking chamber. The apparatus for baking a photosensitive resist film according to claim 8.
ジガス供給管を連結するガス流路を有し、該ガス流路に
ガス温度調節手段を具備することを特徴とする請求項８
に記載された感光性レジスト膜のベーキング装置。11. A gas flow passage connecting an exhaust pipe of a baking chamber and a purge gas supply pipe, and the gas flow passage is provided with a gas temperature adjusting means.
A photosensitive resist film baking apparatus described in 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027193A JPH06275512A (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Baking method and device of photosensitive resist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027193A JPH06275512A (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Baking method and device of photosensitive resist film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275512A true JPH06275512A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13137311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6027193A Withdrawn JPH06275512A (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Baking method and device of photosensitive resist film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275512A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133149A (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Drier |
| JP2009099861A (en) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | Semiconductor processing unit and semiconductor manufacturing apparatus |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP6027193A patent/JPH06275512A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133149A (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Drier |
| JP2009099861A (en) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | Semiconductor processing unit and semiconductor manufacturing apparatus |
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