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DE69120160T2 - Integrierte Schaltung mit einer Eingabe-Pufferschaltung - Google Patents

Integrierte Schaltung mit einer Eingabe-Pufferschaltung

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Publication number
DE69120160T2
DE69120160T2 DE69120160T DE69120160T DE69120160T2 DE 69120160 T2 DE69120160 T2 DE 69120160T2 DE 69120160 T DE69120160 T DE 69120160T DE 69120160 T DE69120160 T DE 69120160T DE 69120160 T2 DE69120160 T2 DE 69120160T2
Authority
DE
Germany
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signal
input
gate
input buffer
circuit
Prior art date
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DE69120160T
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Inventor
Cormac Michael O'connel
Peter Hermann Voss
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/06Address interface arrangements, e.g. address buffers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einer Eingabepufferschaltung zum Generieren eines invertierten und eines nichtinvertierten Logik-Ausgangssignals in Abhängigkeit von einem Eingangssignal, das zwischen einer ersten und einer zweiten Spannung schaltet, mit einem ersten und einem zweiten Eingabegatter, von denen jedes einen Eingang zum Empfangen des Eingangssignals und einen Eingang zum Empfangen eines aus einem Chip-Auswahl-Signal abgeleiteten Signals hat, und jedes einen Ausgang zum Liefern eines ersten und eines zweiten Zwischensignals hat, mit weiterhin einer ersten und einer zweiten Verstärkerschaltung zum Umsetzen der Zwischensignale in die Logik-Ausgangssignale.
  • Solch eine integrierte Schaltung wird in dem US-Patent 4.807.198 offengelegt, das eine integrierte Schaltung beschreibt, in der das Eingangssignal und das Chip-Auswahl-Signal zwei Eingabe-NOR-Gattern zugeführt werden, deren Ausgänge jeweils über eine Hystereseschaltung mit kreuzweise gekoppelten NAND-Gattern verbunden sind, die ein Latch bilden. Die beiden so gebildeten Datenpfade haben unterschiedliche Schaltpunkte, die bei einer Zunahme oder Abnahme des Eingangssignals bewirken, daß das vorhandene Ausgangssignal entselektiert wird, bevor das neue Ausgangssignal selektiert wird. Die unterschiedlichen Schaltpunkte der Datenpfade werden durch eine geeignete Dimensionierung der relevanten Transistoren der Eingabegatter und Hystereseschaltungen realisiert. Die unvermeidliche, bei der Fertigung auftretende Prozeßstreuung führt zu unerwünschten Ungenauigkeiten.
  • Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Schaltung einschließlich einer einfacheren Eingabepufferschaltung zu verschaffen, in der die verschiedenen Schaltpunkte der Datenpfade einfacher realisiert werden können und in der das Chip-Auswahl-Signal schneller ist. Hierzu ist eine erfindungsgemäße integrierte Schaltung dadurch gekennzeichnet, daß das erste Eingabegatter ein NAND-Gatter und das zweite Eingabegatter ein NOR-Gatter ist, wobei die Eingabepufferschaltung weiterhin Mittel umfaßt, um das Chip-Auswahl-Signal in invertierter Form dem NOR- Gatter zuzuführen und um das Chip-Auswahl-Signal in nichtinvertierter Form dem NAND-Gatter zuzuführen.
  • Im wesentlichen beruht die Erfindung unter anderem auf der Erkenntnis, daß bei einer nahezu gleichen Dimensionierung der Transistoren in CMOS ein NAND- Gatter einen höheren Schaltpunkt hat als ein NOR-Gatter. Dies wird durch die Tatsache bewirkt, daß die in Reihe geschalteten n-Kanal-Transistoren eines NAND-Gatters einen "Pull-down" verschaffen, der schwächer ist als der "Pull-up" von den nicht in Reihe geschalteten p-Kanal-Transistoren. Für ein NOR-Gatter gilt das Umgekehrte: der "Pull- down" ist starker, so daß der Schaltpunkt niedriger ist. Somit wird in einfacher Weise die Notwendigkeit einer geeigneten Dimensionierung einer großen Anzahl Transistoren vermieden.
  • In einer Ausführungsform ist eine erfindungsgemäße integrierte Schaltung dadurch gekennzeichnet, daß sie eine weitere Eingabepufferschaltung enthält, deren Eingangssignal ein externes Chip-Auswahl-Signal ist und deren Chip-Auswahl-Signal eine externe Versorgungsspannung ist, wobei die Ausgabe der weiteren Eingabepufferschaltung der Eingabepufferschaltung als Chip-Auswahl-Signal zugeführt wird. Auf diese Weise wird das externe Chip-Auswahl-Signal in ein internes Chip-Auswahl-Signal umgesetzt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist eine erfindungsgemäße integrierte Schaltung dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Speicherschaltung enthält und eine Vielzahl Eingabepufferschaltungen aufweist, wobei die betreffenden Eingangssignale Adreßsignale sind. In einem Speicher-IC ist es vorteilhaft, daß durch Verwendung des Inverters vor dem NOR-Gatter die kapazitive Lest des Chip-Auswahl-Signals verringert wird, wodurch dieses Signal schneller wird.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Figur 1 eine erfindungsgemäße Eingabepufferschaltung und
  • Figur 2 eine integrierte Schaltung mit einer erfindungsgemäßen Eingabepufferschaltung.
  • In Figur 1 ist ein Eingangssignal AI mit einem Voll-CMOS-NAND-Gatter 1 und einem Voll-CMOS-NOR-Gatter 2 verbunden. Das Eingangssignal AI ist beispielsweise ein TTL-Daten- oder Adreßsignal, das zwischen beispielsweise 0,4 V (niedrig) und 2,4 V (hoch) schaltet und das in ein CMOS-Daten- oder Adreßsignal umgesetzt werden soll, mit einem hohen Pegel von 5 V und einem niedrigen Pegel von 0 V. Ein Chip-Auswahl-Signal CS wird mit Hilfe eines Standard-CMOS-Inverters 3 im nichtinvertierten Zustand mit dem NAND-Gatter 1 und im invertierten Zustand mit dem NOR- Gatter 2 verbunden. Das Chip-Auswahl-Signal CS ist ein CMOS-Signal, das den Stromverbrauch herabsetzt, wenn derjenige Teil der integrierten Schaltung, an den das Signal angelegt wird, in diesem Fall die Eingabepufferschaltung, nicht verwendet wird. Der Ausgang des NAND-Gatters 1 ist mit dem Inverter 5 verbunden, dessen Ausgang ein invertiertes Adreßübergangsdetektionssignal ATDB liefert und auch mit dem Inverter 7 verbunden ist, dessen Ausgang das Ausgangssignal AO liefert. Der Ausgang des NOR-Gatters 2 ist mit dem Inverter 6 verbunden, dessen Ausgang ein Adreßübergangsdetektionssignal ATD liefert und auch mit dem Inverter 8 verbunden ist, dessen Ausgang das invertierte Ausgangssignal AOB liefert. Die Inverter 4, 5 und 7 bilden zusammen eine erste Verstärkerschaltung, die das von dem NAND-Gatter gelieferte Zwischensignal zu dem nichtinvertierten Ausgangssignal AO verstärkt, während die Inverter 6 und 8 zusammen eine zweite Verstärkerschaltung bilden, die das vom NOR-Gatter 2 gelieferte Zwischensignal zu dem invertierten Ausgangssignal AOB verstärkt.
  • Wenn das Chip-Auswahl-Signal CS hoch ist und das Eingangssignal AI hoch ist, dann ist das Ausgangssignal AO hoch, das invertierte Ausgangssignal AOB niedrig, Signal ATD hoch und Signal ATDB niedrig. Wenn das Chip-Auswahl-Signal CS hoch ist und das Eingangssignal AI ist niedrig, dann ist das Ausgangssignal AO niedrig, das invertierte Ausgangssignal AOB hoch, Signal ATD niedrig und Signal ATDB hoch. Wenn das Chip-Auswahl-Signal CS niedrig ist, dann ist das Ausgangssignal AO niedrig, das invertierte Ausgangssignal AOB niedrig, Signal ATD hoch und Signal ATDB hoch.
  • Das NAND-Gatter 1 hat einen "Pull-up", wegen seiner nicht in Reihe geschalteten p-Kanal-Transistoren, der größer ist als der "Pull-down" infolge seiner in Reihe geschalteten n-Kanal-Transistoren. Das NOR-Gatter 2 hat einen "Pull-down" wegen seiner nicht in Reihe geschalteten n-Kanal-Transistoren, der größer ist als der von seinen in Reihe geschalteten p-Kanal-Transistoren bewirkte "Pull-up". Daher hat das NAND-Gatter 1 einen höheren Schaltpunkt als das NOR-Gatter 2. Bei einem hohen Chip-Auswahl-Signal CS führt ein Ubergang des Eingangssignals AI von hoch nach niedrig dazu, daß erst das vorhandene Ausgangssignal AO entselektiert wird (das NAND-Gatter 1 schaltet zuerst). Das nichtinvertierte Ausgangssignal AO und das invertierte Ausgangssignal AOB befinden sich dann beide vorübergehend im niedrigen Zustand. Daraufhin wird das neue Ausgangssignal selektiert (das NOR-Gatter 2 schaltet um): AOB wird hoch.Bei einem Übergang des Eingangssignals AI von niedrig nach hoch tritt wieder zuerst Entselektion auf: AOB wird niedrig. Daraufhin wird das neue Ausgangssignal selektiert: AO wird hoch. Auch in diesem Fall sind AO und AOB vorübergehend beide niedrig. Indem diese frühe Entselektion in der Eingabepufferschaltung realisiert wird, braucht diese Entselektion beim Entwurf der übrigen integrierten Schaltung nicht berücksichtigt zu werden. Folglich kann ein Chip-Designer beispielsweise bei einem Entwurf eines Vorcodierers die Selektionsrate optimieren.
  • Die Geschwindigkeit des Chip-Auswahl-Signals CS ist wichtig für einen schnellen Zugriff des hierdurch angesteuerten Teils der integrierten Schaltung. Mit der Eingabepufferschaltung nach dem Stand der Technik werden beide Eingabegatter von dem Signal CS angesteuert, so daß das Signal CS zweimal kapazitiv belastet wird. In der erfindungsgemäßen Eingabepufferschaltung geht jedoch der Inverter 3 dem NOR- Gatter 2 voran, welcher Inverter das Signal 5- bis 10mal weniger kapazitiv belastet als die von den Gattern bewirkte Last, die in dem NOR-Gatter 2 von dem Signal CS angesteuert werden sollten. Das Signal CS wird kapazitiv in viel geringerem Maße belastet und wird daher schneller. Infolge der Wahl der Anzahl Inverter in den Verstärkerschaltungen sind bei dem Signal CS die beiden Pfade durch die Eingabepufferschaltung gleich lang. Wie vorstehend beschrieben, sind die Ausgangssignale AO und AOB in Reaktion auf eine Änderung des Eingangssignals AI beide niedrig und auch, wenn das Chip-Auswahl-Signal CS niedrig ist. Diese Tatsache kann bei der übrigen integrierten Schaltung ausgenutzt werden, da in einer integrierten Schaltung bei einer Änderung des Eingangssignals und bei der Entselektion eines Teils der Schaltung (indem CS in den niedrigen Zustand gebracht wird) häufig die gleichen Handlungen ausgeführt werden.
  • Die Hystereseschaltungen in der Eingabepufferschaltung nach dem Stand der Technik verlangsamen die Schaltung und verbrauchen Strom. Zudem müssen die die Schaltung bildenden Transistoren in Kombination mit den Transistoren der Eingabe- NOR-Gatter geeignet dimensioniert werden, um für die richtigen Schaltpunkte zu sorgen. In einer erfindungsgemäßen Eingabepufferschaltung sind infolge der Verwendung verschiedener Schaltpunkte der Eingabegatter Hystereseschaltungen überflüssig.
  • Wenn die Eingabepufferschaltung ATD- und ATDB-Signale für eine Adreßübergangsdetektionsschaltung liefert, können diese Signale bereits eher geliefert werden (insbesondere nach den Invertern 5 und 6) als die Ausgangssignale (nach den Invertern 7 und 8), da sie in geringerem Maße verstärkt werden müssen. Bei einer Änderung des Eingangssignals AI, ATD und ATDB werden beide vorübergehend hoch. Auch wenn das Chip-Auswahl-Signal CS niedrig ist, werden ATD und ATDB beide vorübergehend in den hohen Zustand geschaltet. Auch diese Tatsache kann in der übrigen integrierten Schaltung genutzt werden, aus den gleichen Gründen wie oben dargelegt.
  • Figur 2 zeigt eine integrierte Schaltung mit einer erfindungsgemäßen Eingabepufferschaltung. Vdd und Vss sind die externen Stromversorgungsanschlüsse. Die Schaltung enthält eine Speicherschaltung MC und umfaßt mehrere Eingabepufferschaltungen, von denen der Deutlichkeit halber nur eine abgebildet ist: IPB. Die Eingangssignale der verschiedenen Eingabepufferschaltungen sind Adreßsignale. AI ist ein externes Adreßsignal, das in der Eingabepufferschaltung IPB in ein internes Adreßsignal umgesetzt wird, das in der Speicherschaltung MC weiterverarbeitet wird. Eventuell gibt es ein externes Ausgangssignal AE. Die Umsetzung erfolgt unter der Steuerung des internen Chip-Auswahl-Signals CS, das beispielsweise aus dem externen Chip-Auswahl- Signal CSE durch eine weitere Eingabepufferschaltung CSB, vom gleichen Typ wie IPB, generiert wird, die Eingangssignale CSE statt AI (bei IPB) und Vdd statt CS (bei IPB) hat.

Claims (3)

1. Integrierte Schaltung mit einer Eingabepufferschaltung zum Generieren eines invertierten (AOB) und eines nichtinvertierten (AO) Logik-Ausgangssignals in Abhängigkeit von einem Eingangssignal (AI), das zwischen einer ersten und einer zweiten Spannung schaltet, mit einem ersten (1) und einem zweiten (2) Eingabegatter, von denen jedes einen Eingang zum Empfangen des Eingangssignals (AI) und einen Eingang zum Empfangen eines aus einem Chip-Auswahl-Signal (CS) abgeleiteten Signals hat, und jedes einen Ausgang zum Liefern eines ersten und eines zweiten Zwischensignals hat, mit weiterhin einer ersten (4, 5, 7) und einer zweiten (6, 8) Verstärkerschaltung zum Umsetzen der Zwischensignale in die Logik-Ausgangssignale (AOB, AO), dadurch gekennzeichnet, daß das erste Eingabegatter (1) ein NAND-Gatter und das zweite Eingabegatter (2) ein NOR-Gatter ist, wobei die Eingabepufferschaltung weiterhin Mittel (3) umfaßt, um das Chip-Auswahl-Signal (CS) in invertierter Form dem NOR-Gatter (2) zuzuführen und um das Chip-Auswahl-Signal (CS) in nichtinvertierter Form dem NAND-Gatter (1) zuzuführen.
2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine weitere Eingabepufferschaltung (CSB) enthält, deren Eingangssignal ein externes Chip-Auswahl-Signal (CSE) ist und deren Chip-Auswahl-Signal (CS) eine externe Versorgungsspannung (Vdd) ist, wobei die Ausgabe der weiteren Eingabepufferschaltung der Eingabepufferschaltung als Chip-Auswahl-Signal (CS) zugeführt wird.
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Speicherschaltung (MC) enthält und eine Vielzahl Eingabepufferschaltungen (IPB) aufweist, wobei die betreffenden Eingangssignale Adreßsignale (AI) sind.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930008838A (ko) * 1991-10-31 1993-05-22 김광호 어드레스 입력 버퍼
US5903174A (en) * 1995-12-20 1999-05-11 Cypress Semiconductor Corp. Method and apparatus for reducing skew among input signals within an integrated circuit
US5835970A (en) * 1995-12-21 1998-11-10 Cypress Semiconductor Corp. Burst address generator having two modes of operation employing a linear/nonlinear counter using decoded addresses
US6043684A (en) * 1995-12-20 2000-03-28 Cypress Semiconductor Corp. Method and apparatus for reducing skew between input signals and clock signals within an integrated circuit
US6411140B1 (en) 1995-12-20 2002-06-25 Cypress Semiconductor Corporation Method and apparatus for reducing skew between input signals and clock signals within an integrated circuit
US5889416A (en) * 1997-10-27 1999-03-30 Cypress Semiconductor Corporation Symmetrical nand gates
US6097222A (en) * 1997-10-27 2000-08-01 Cypress Semiconductor Corp. Symmetrical NOR gates
US6278295B1 (en) 1998-02-10 2001-08-21 Cypress Semiconductor Corp. Buffer with stable trip point
US6523614B2 (en) * 2001-04-19 2003-02-25 Halliburton Energy Services, Inc. Subsurface safety valve lock out and communication tool and method for use of the same
EP1594694A4 (de) 2002-12-30 2010-01-20 Univ California Verfahren und vorrichtung zum nachweis und zur analyse von krankheitserregern
US20050176532A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-11 Thorington Andrew K. Multiple performance game ball
US7799553B2 (en) 2004-06-01 2010-09-21 The Regents Of The University Of California Microfabricated integrated DNA analysis system
US7766033B2 (en) * 2006-03-22 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Multiplexed latching valves for microfluidic devices and processors
US8841116B2 (en) 2006-10-25 2014-09-23 The Regents Of The University Of California Inline-injection microdevice and microfabricated integrated DNA analysis system using same
WO2009015296A1 (en) 2007-07-24 2009-01-29 The Regents Of The University Of California Microfabricated dropley generator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4630239A (en) * 1985-07-01 1986-12-16 Motorola, Inc. Chip select speed-up circuit for a memory
JPH0644393B2 (ja) * 1986-04-08 1994-06-08 日本電気株式会社 半導体メモリ
DE3714813A1 (de) * 1987-05-04 1988-11-17 Siemens Ag Cmos-ram speicher auf einer gate array-anordnung
JPH0697560B2 (ja) * 1987-11-19 1994-11-30 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH01140494A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の出力バッファ回路
US4807198A (en) * 1987-12-28 1989-02-21 Motorola, Inc. Memory input buffer with hysteresis and dc margin

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Publication number Publication date
KR920003656A (ko) 1992-02-29
NL9001500A (nl) 1992-02-03
EP0469653B1 (de) 1996-06-12
JP3169987B2 (ja) 2001-05-28
DE69120160D1 (de) 1996-07-18
KR100215165B1 (ko) 1999-08-16
EP0469653A1 (de) 1992-02-05
JPH04229492A (ja) 1992-08-18
US5157284A (en) 1992-10-20

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