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DE3115323C2 - - Google Patents

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Publication number
DE3115323C2
DE3115323C2 DE3115323A DE3115323A DE3115323C2 DE 3115323 C2 DE3115323 C2 DE 3115323C2 DE 3115323 A DE3115323 A DE 3115323A DE 3115323 A DE3115323 A DE 3115323A DE 3115323 C2 DE3115323 C2 DE 3115323C2
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DE
Germany
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polyacrylamide
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aqueous solution
tin
copper
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DE3115323A
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Moenes Lewis Canfield Ohio Us Elias
Narendra Kangi Youngstown Ohio Us Shah
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Element Solutions Inc
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Dart Industries Inc
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067Etchants

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

Verschiedene Präparate einschließlich Säuren sind zur Ent­ fernung von Lötmittel von einem Kupfersubstrat verwendet worden. Bei Verwendung dieser bisher bekannten Präparate mußte das Werkstück dem Präparat relativ lange ausgesetzt sein, um das Lötmittel wirksam zu entfernen, wobei das Kupfersubstrat innerhalb dieser verhältnismäßig langen Dauer durch das Präparat angegriffen wurde. Daher mußte das Kupfersubstrat weiterbehandelt werden, um es zur Aufnahme einer weiteren Plattierung in den geeigneten Zustand zu bringen.
Bei einem Versuch zur Überwindung der angegebenen Nachteile beschreibt die US-PS 3 841 905 ein Ammoniumbifluorid und Wasserstoffperoxid umfassendes Präparat. Die US-PS 3 926 699 beschreibt verbesserte Präparate der US-PS 3 841 905, wobei ein Wasserstoffperoxidstabilisator und/oder ein löslicher Metallkomplexbildner in den Grundpräparaten mitverwendet werden.
Ferner sind der US-PS 3 898 037 Polymere und Copolymere zu ent­ nehmen, von denen berichtet wird, daß sie besonders geeignet für die Dispersion von wasserunlöslichen Verbindungen von Eisen, Calcium, Magnesium und Aluminium bzw. daraus bestehen­ den Teilchen in wäßrigen Systemen sind.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die aus dere US-PS 3 926 699 bekannten wäßrigen Abstreiflösungen da­ hingehend zu verbessern, daß eine vorteilhaft verlängerte Lebensdauer des Bades erzielt wird, ohne daß dabei der An­ griff der Abstreiflösung auf das auf dem Kupfersubstrat plat­ tierte Zinn oder Zinn/Blei beeinträchtigt wird.
Diese Aufgabe wird durch eine wäßrige Abstreiflösung gemäß An­ spruch 1 gelöst.
Das besondere, der Reinigung zu unterziehende Material auf Kupferbasis wird in üblicher Weise behandelt, d. h. es wird der Einwirkung der Abstreiflösung ausgesetzt, zur Entfernung der abgelösten Materialien plus Abstreiflösung gespült, und anschließend wird das Kupfersubstrat nach Wunsch weiter­ behandelt; so kann es z. B. in üblicher Weise mit einem anderen Metall plattiert werden.
Ein besonderes Verwendungsgebiet der erfindungsgemäßen Prä­ parate ist die Herstellung von gedruckten Schaltplatten, in welcher die entgültigen Anschlüsse der Platte vor der Plattierung mit einem edleren Metall von Zinn oder Lötmittel befreit werden.
Die erfindungsgemäßen Lösungen zeigen die gewünschte Abstreifaktivität für Zinn oder Lötmittel und sind weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß sie keine nachteilige Wirkung auf das Kupfersubstrat des behandelten Materials auf Kupfer­ basis zeigen und dem Bad eine verlängerte Lebensdauer ver­ leihen.
Die erfindungsgemäßen Lösungen beruhen auf der Feststel­ lung, daß die Mitverwendung eines Polyacrylamids in einer Wasserstoffperoxid und Fluorwasserstoffsäure oder ein Salz derselben enthaltenden Abstreiflösung den Angriff der Ab­ streiflösung auf das anwesende Kupfer auf einem Minimum halten kann.
Ammoniumbifluorid ist ein bevorzugtes Salz der Fluor­ wasserstoffsäure. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses spezifische Salz beschränkt, da jedes reaktionsfähige Präparat aus Ammoniak und Fluorwasserstoff­ säure oder deren Salzen verwendet werden kann. So ist z. B. auch eine Mischung aus Ammoniumhalogeniden mit Fluorwasserstoff­ säure geeignet.
Obgleich Polyacrylamid selbst als Beispiel verwendet wurde, können auch substituierte Polyacrylamide eingesetzt werden. Erfindungsgemäß hat die Polyacrylamidkomponente zweckmäßig ein Molekulargewicht von etwa 2000 bis etwa 5 000 000.
In den erfindungsgemäßen Präparaten können andere übliche Komponenten von Abstreifpräparaten anwesend sein. So kommt die Verwendung von Peroxidstabilisatoren in Betracht, und andere bekannte Abstreifmittel können anwesend sein. So kann z. B. Trichloressigsäure mitverwendet werden und ist im folgenden Beispiel für eine Abstreiflösung anwesend.
Beispiel
Es wurden 300 ml einer Abstreiflösung hergestellt, indem man Ammoniumbifluorid, Trichloressigsäure und 50% Wasserstoff­ peroxid zu Wasser zugab, wobei die Komponenten in Mengen eingesetzt wurden, die die folgenden Konzentrationen ergaben:
Ammoniumbifluorid|234 g/l
Trichloressigsäure 15 g/l
50% Wasserstoffperoxid 14,6 Vol.-%
Wasser Rest
Die erhaltene Lösung wurde in zwei Anteile von je 150 ml unterteilt. Der erste Anteil, Lösung A, besteht aus der unbehandelten ursprünglichen Lösung. Lösung B enthält zu­ sätzlich Polyacrylamid mit einem Molekulargewicht von 660 000 in einer Menge von 0,3 g/l.
Dann wurden in Lösung A und B sieben 2,5×2,5 cm Proben eines kupferverkleideten Laminates eingetaucht, wobei sich die folgenden Ergebnisse zeigten:
Tabelle I
Tabelle II
Wie aus Tabelle I ersichtlich, inhibiert die Anwesenheit von Polyacrylamid in Lösung B den Angriff der Abstreif­ lösung auf die Kupferkomponente des Laminates.
Tabelle II zeigt, daß die Mitverwendung von Polyacrylamid in Lösung B die Badlebensdauer der Abstreiflösung wesentlich verlängert.

Claims (8)

1. Wäßrige Abstreiflösung für Blei-Zinn-Lötmittel und Zinn von einer Kupferschicht, die 0,5 bis 35% Wasserstoffperoxid und etwa 5 bis 50% eines reaktionsfähigen Präparates aus Ammoniak und Fluorwasserstoffsäure oder eines Salzes derselben aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß sie zusätzlich 0,01 bis 10% eines Polyacrylamids enthält.
2. Wäßrige Lösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie 2 bis 10% Wasserstoffperoxid, 10 bis 30% Ammoniumbifluorid und 0,05 bis 1,0% eines Polyacrylamids enthält.
3. Wäßrige Lösung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Polyacrylamid ein Molekulargewicht von etwa 2000 bis etwa 5 000 000 hat.
4. Wäßrige Lösung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß noch Trichloressigsäure anwesend ist.
5. Wäßrige Lösung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß die Trichloressigsäure in einer Menge von 0,01 bis 10% anwesend ist.
6. Wäßrige Lösung nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Polyacrylamid Polyacrylamid ist.
7. Wäßrige Lösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß sie 21% Ammoniumbifluorid, 1% Trichloressigsäure, 7% Wasserstoffperoxid und 0,2% Polyacrylamid enthält.
8. Verfahren zum schnellen Entfernen einer Metallschicht aus der Gruppe von Blei-Zinn-Lötmitteln und Zinn von einer Kupfer­ schicht bei Minimierung der Beeinträchtigung des Kupfers, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lötmittel einer Abstreiflösung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 für eine zur Entfernung des Lötmittels ausreichende Zeitspanne ausgesetzt und die Abstreiflösung dann vom Kupfer abgespült wird.
DE19813115323 1980-04-17 1981-04-15 Waessrige metallabstripploesung und seine verwendung Granted DE3115323A1 (de)

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