DE2432383C2 - Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper - Google Patents
Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte TrägerkörperInfo
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Description
Gegenstand des Hauptpatens ist ein Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte
Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas, bestehend aus einer mit den für
die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen, sowie den Halterungen für die Trägerkörper
versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarzoder
Glasglocke, wobei die Unterlage auf die aufgesetzte Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet
sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist, wobei die
Unterlage aus einem Stahlkörper besteht, der an der dem Reaktionsraum zugewandten Oberfläche mit einer
Silberlage bedeckt ist.
Die Silberschicht ist durch einen Walz- bzw. Schmiedeprozeß poren- und lunkerfrei gemacht und
wird bevorzugt in schmelzflüssigem Zustand auf die Stahlplatte aufgetragen, die vorher mit den entsprechenden
Druckbohrungen für die Aufnahme der mit Polytetrafluoräthylen abzudichtenden Elektroden und
Düsen für das Reaktionsgas versehen wurde. Die Silberschicht besteht aus hochreinem Silber (Feinsilber).
Hinsichtlich der Beschaffenheit der Elektroden bzw. den Halterungen sind in dem Hauptpatent 23 58 279 keine
näheren Ausführungen gemacht.
Ferner ist in dem deutschen Patent 23 58 053 ein Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial,
insbesondere von Silicium, auf erhitzte Trägerkörper aus einem entsprechenden, das Reaktionsgefäß
durchströmenden Reaktionsgas beschrieben, welches aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr des
Reaktionsgases erforderlichen Düsen sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen plattenförmigen
Unterlage aus Metall, insbesondere Silber, und einer auf die Unterlage gasdicht aufgesetzten, insbesondere
aus Quarz bestehenden Glocke besteht und welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Unterlage aus zwei
zentrisch zueinander angeordneten Metallte'len, insbesondere
Silberteilen, unter Zwischenfügung einer insbesondere aus Polyfluoräthylen bestehenden Dichtung
zusammengesetzt und daß der eine der beiden Metallteile ausschließlich mit den Halterungen für die
Trägerkörper, der andere ausschließlich mit den Düsen für die Zu- und Abfuhr des Reaktionsgases versehen ist.
Dabei ist der zentrale Teil der Grundplatte zumeist der Träger der Zufuhr- und Abfuhrdüsen für das Reaktionsgas, der äußere Teil hingegen Halterung der zugleich als
Elektroden für die elektrische Beheizung der Trägerstäbe dienenden Halterungen, die gegeneinander isoliert
und gasdicht durch den sie tragenden Teil der metallischen Grundplatte hindurchgeführt und eingepaßt
sind. In der Beschreibung zu dieser Anmeldung ist dargelegt, daß die einzelnen Elektroden aus Feinsilber
mit je einem Einsatz aus hochreinem Graphit bestehen können.
Die vorliegende Zusatzanmeldung hat nun die
Aufgabe, zusätzliche Maßnahmen anzugeben, welche die Herstellung einer Vorrichtung nach diesen Patenten
erleichtern und für einen besseren gasdichten Abschluß der Anordnung -iowie auch für eine weitere Verringerung
der durch die Abscheidungstemperatur bedingten Verunreinigungen des abgeschiedenen Siliciums bzw.
sonstigen Halbleitermaterials sorgen.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, daß der an den Reaktionsraum angrenzende Teil jeder Halterung aus
Feinsilber, der andere Teil aus einem elektrisch gutleitenden, minderwertigerem Metall besteht.
Für den Körper aus minderwertigerem Metall kommt vor allem Kupfer oder ein nicht <u dem gleichen Maß
wie Feinsilber gereinigtes Silber oder eine gut leitende Kupferlegierung in Betracht. Das abdichtende Material
besteht wieder bevorzugt aus Polytetrafluoräthylen, das sich bekanntlich durch seine günstigen mechanischen,
elektrischen und thermischen Eigenschaften auszeichnet Die beiden Bestandteile der einzelnen Elektroden
können entweder mit einem Silberlot oder lediglich durch Anpressen aneinander unter Entstehung guter
elektrischer Kontakte zusammengefügt sein. Bevorzugt
So ist die Anordnung so ausgestaltet, daß die einzelnen Elektroden — wenigstens der aus Feinsilber bestehende
Teil — leicht ausgewechselt werden kann. Schließlich ist es vorgesehen, daß das Innere beider, die einzelne
Elektrode aufbauenden massiven Körper als Strömungskanal für ein Kühlmittel, insbesondere Kühlwasser,
ausgestaltet ist.
Die Erfindung wird anhand der Figuren näher beschrieben. Sie stellt einen eine Elektrode aufweisenden
Teil einer metallischen Grundplatte dar, die entsprechend den Ausführungen der deutschen Patente
23 58 279 und 23 58 053 zu einem vollständigen mit stab- oder rohrförmigen Trägerkörpern zu beschickenden
Reaktionsgefäß zu ergänzen ist. Die Quarz- oder Glasglocke sowie Einzelheiten der Ausgestaltung der
Trägerkörper und Versorgung mit dem Reaktionsgas und dem elektrischen Heizstrom sind in der vorliegenden
Zusatzanmeldung nicht behandelt und auch in der Figur nicht dargestellt.
Per in der Figur dargestellte Ausschnitt einer metallischen Grundplatte eines Reaktionsgefäßes gemäß
der Erfindung stellt — wie bereits bemerkt — lediglich die Umgebung einer einzigen Elektrode dar, so
daß mindestens eine zweite Elektrode in gleicher Weise vorzusehen ist, um zwei stab- oder rohrförmige Träger
gleicher Lange, die an ihren anderen Enden durch eine Brücke aus leitendem Material verbunden sind, haltern
zu können.
Entsprechet den Ausführungen des Hauptpatents 23 58 279 besteht die Grundplatte aus gewalztem Stahl,
auf welcher eine dicke Schicht aus verdichtetem Feinsilber aufgebracht ist. Der Stahlkern 1 der
Grundplatte ist eine mit den entsprechenden Durchbohrungen für die Aufnahme der Elektroden versehene
Kreisscheibe oder — entsprechend den Ausführungen des Patents 23 58 053 eine kreisringförmige Stahlplatte.
Der Kern 1 der Grundplatte ist, wie soeben bemerkt mit
der dicken Silberschicht 2 an der dem Reaktionsraum zugewandten Oberseite und an den Ausnehmungen
bedeckt.
Entsprechend der Lehre der Erfindung besteht die einzelne Elektrode aus einem oberen Teil 3 aus
verdichtetem Feinsilber und einem unteren Teil 4 aus Kupfer. Beide Teile sind hohl, und im Einsatz mit einem
flüssigen oder gasförmigen Kühlmittel 5 gefüllt, insbesondere durchströmt. Der aus Kupfer bestehende
untere Teil 4 der Elektrode ist rohrförmig und erweitert sich oben zu einem Teller 6 mit ebener Auflagefläche,
auf welcher der ebenfalls tellerförmig erweiterte untere Rand 7 des oberen Elektrodenteils in der aus der Figur
ersichtlichen Weise aufgesetzt ist.
Der obere Elektrodenteil 3 ist aus einem Klotz aus verdichtetem Feinsilber gedreht und ebenfalls einschließlich
seines konischen Aufsatzes 8 hohl. Der konische Aufsatz 8 dient zur Halterung eines Zwischenstückes
9 aus hochreinem Graphit, das seinerseits mit einer Vertiefung zur Aufnahme des unteren Endes eines
aus hochreinem Silicium bestehenden stabförmigen Trägerkörpers oder eines rohrförmigen Trägerkörpers
versehen ist Der Trägerkörper ist mit 10 bezeichnet.
Der obere Elektrodenteil 3 und der untere Elektrodenteil 4 sind an ihren endständigen tellerförmigen
Erweiterungen 7 und 6 so dicht miteinander verbunden, daß das im Inneren zirkulierende Kühlmittel 5, z. B.
Wasser oder ein von einer Kältemaschine gelieferten Kühlgas, nicht austreten kann.
Beispielsweise können die beiden Elektrodenteile 3 und 4 aneinandergelötet sein, Falls die Auflagefläche?)
der beiden Teller 6 und 7 genügend plangeschliffen sind, genügt ein Aneinanderpressen, um den erforderlichen
dichten Verschluß — gegebenenfalls unter Zwischenfügung eines dünnen Flachringes aus elastischem Abdichtungsmaterial
— zu erreichen. Dies ist im Beispiel gemäß der Figur nicht dargestellt. Zu diesem Zweck ist
der Stahlkern 1 der metallischen Grundplatte des Reaktionsgefäßes mit einem zylindrischen Hohlstutzen
12 versehen, der nach unten ragt und konzentrisch zu den beiden koaxial zueinander angeordneten Elektrodenteilen
3 und 4 angeordnet ist, und der gleichzeitig über ein aus Polytetrafluorethylen bestehendes Distanzier-
und Abdichtungsstück 18 die Lage der Elektrode in der metallischen Grundplatte 1, 2 fixiert Wie aus der
Figur ersichtlich ist der zylindrische Metallstutzen 12 an seiner Außenseite mit einem Schraubgewinde versehen,
auf dem eine Schraubmutter 13 aufgeschraubt ist Der untere Rand der Schraubmutter 13 greift unterhalb des
Stutzens Il radial nach innen und drückt den unteren Elektroden-Teil 4 am Teller 6 — :,jrzugsweise unter
Zwischenfügung eines Dichtungsstücke'- 14 aus elastischem Material — gegen den Teller 6 des oberen
Elektrodenteils 3.
Der untere Elektrodenteil 4 ist an geeigneter Stelle
mit einr;m Anschlußstück 15 für das Stromversorgungskabel
17 versehen. Beispielsweise wird das Ende des Kabels 17 in das buchsenartig ausgespaltete und seinem
Querschnitt angepaßte Anschlußstück 15 eingefügt und dessen Ende elastisch, z. B. mittels eintr Mutter 16, an
die Peripherie des Leiters 17 des Kabels gedruckt.
Eine zweite in der Weise ausgestaltete und kontaktierte Elektrode (nicht dargestellt) ist ebenfalls in der
gleichen Grundplatte 1 verankert und hält einen zweiten stabförmigen Träger 10, der an seinem anderen
Ende über eine leitende Brücke mit dem ersten Träger 10 verbunden ist Auf diese Weise wird der Stromkreis
geschlossen (nicht dargestellt).
Die beschriebene Ausgestaltung läßt sich abwandeln. So können vor allem andere Mittel zur Halterung der
Elektroden und deren Teile vorgesehen sein. So kann z. B. der Teil 13 — anstatt selbst als Schraubenmutter
ausgestaltet zu sein — mittels Halteschrauben an den Kern 1 der metallischen Grundplatte angeschraubt sein.
Auch die Dichtungen können anders ausgestaltet sein, desgleichen der Anschluß der Elektrode an ein
Versorgungskabel.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Reaktipnsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial
auf erhitzte Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas,
bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen, sowie den
Halterungen für die Trägerkörper versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer auf
der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte
Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes
abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist, wobei die Unterlage aus einem Stahlkörper besteht,
der an der dem Reaktionsraum zugewandten Oberfläche mit einer Silberlage bedeckt ist, nach
Patent2358279, dadurch gekennzeichnet,
daß der an den Reaktionsraum angrenzende Teil jeder Halterung aus Feinsilber, der andere Teil aus
einem elektrisch gutlettenden, minderwertigeren
Metall besteht
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Teile der Halterung einen durchgehenden Strömungskanal für ein flüssiges
oder gasförmiges Kühlmittel bilden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile der Halterung
aneinandergelötet oder angeschweißt sind.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile der
Halterung, gegebenenfalls unter Zwischenfügung eines Ringes aus elastische, j Material, aneinandergepreßt
sind.
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DE2432383A DE2432383C2 (de) | 1973-11-22 | 1974-07-05 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
BE154492A BE826870A (fr) | 1974-07-05 | 1975-03-19 | Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes |
IT2485675A IT1039434B (it) | 1974-07-05 | 1975-06-27 | Recipiente di reazione per depositare un materiale semiconduttore su supporti riscaldati |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
DE102010000270A1 (de) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | G+R Technology Group AG, 93128 | Elektrode für einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium |
Families Citing this family (5)
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DE102010013043B4 (de) * | 2010-03-26 | 2013-05-29 | Centrotherm Sitec Gmbh | Elektrodenanordnung und CVD-Reaktor oder Hochtemperatur-Gasumwandler mit einer Elektrodenanordnung |
DE102011078727A1 (de) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wacker Chemie Ag | Schutzvorrichtung für Elektrodenhalterungen in CVD Reaktoren |
DE202012100839U1 (de) * | 2012-03-08 | 2012-06-22 | Silcontec Gmbh | Laborreaktor |
JP2016016999A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒製造用のシリコン芯線および多結晶シリコン棒の製造装置 |
-
1973
- 1973-11-22 DE DE2358279A patent/DE2358279C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-07-05 DE DE2432383A patent/DE2432383C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010000270A1 (de) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | G+R Technology Group AG, 93128 | Elektrode für einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium |
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DE2358279B2 (de) | 1978-01-05 |
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