DE2358279C3 - Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper - Google Patents
Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte TrägerkörperInfo
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Description
35
Die Erfindung betrifft ein Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchsti ömenden
Reaktionsgas, bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen,
sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer
auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte
Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist.
Eine solche Vorrichtung ist Gegenstand des Hauptpatents 23 24 365. Bei dieser befindet sich das
Reaktionsgefäß im Innern eines mit inertem Druckgas, beispielsweise N2 oder Ar, angefüllten Autoklaven während des Abscheidebetriebes. Das Druck-
gas hat die Aufgabe, die Glocke gegen die Unterlage zu drücken und auf diese Weise eine gasdichte Verbindung zwischen Unterlage und Glocke
zu bewerkstelligen. Zum anderen hat es die Aufgabe, eine Explosion der Glocke, die angesichts der ω
chemischen Natur der bei der Abscheidung als Reaktionsgase verwendeten Verbindungen, insbesondere SiH4 oder SiHCl3, durchaus im Bereich des Möglichen
liegt, verhindern.
Die Unterlage kann nach dem Patent 23 24 365 aus „,
Silber bestehen. Die Erfindung betrifft nun eine vorteilhafte Ausbildung zu einem solchen Reaktionsgefäß.
einem Stahlkörper besteht, der an der dem Reaktionsraum zugewandten Oberfläche mit einer Silberlage
bedeckt ist Insbesondere ist die Silberlage auf den Stahlkörper in schmelzflüssigem Zustand aufgebracht
und nach erfolgter Abkühlung durch einen Walzprozeß verdichtet
- die Unterlage aus zwei zentrisch zueinander
angeordneten Metallteilen unter Zwischenfügung einer
— insbesondere aus Polytetrafluorethylen bestehenden
— Dichtung zusammengesetzt und der eine der beiden Metallteile — insbesondere der innere — ausschließlich
mit den Düsen für die Reaktionsversorgung, der andere
— insbesondere der äußere — ausschließlich mit den Halterungen für die Trägerkörper versehen ist, dann
werden die beiden die Unterlage bildenden Metallteile mit einer Silberiage an der dem Reaktionsraum
zugewandten Oberflächenseite versehen.
Im folgenden wird die Aufgabe der Erfindung näher
erläutert:
Bei der Abscheidung von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium oder Germanium, aus den üblichen
Reaktionsgasen, also Halogen- und/oder Wasserstoffverbindungen dieser Elemente, spielt erfahrungsgemäß
die materielle Beschaffenheit der Begrenzung des Reaktionjraumes für die Reinheit des abgeschiedenen
Halbleitermaterials eine bedeutsame Rolle. Ein günstiges Material ist hochreiner Quarz, aus dem die die obere
und seitliche Begrenzung des Reaktionsraumes bildende Glocke bevorzugt besteht. Für die Unterlage kommt
nur ein Metall in Betracht, da eine feste gasdichte Verbindung zu den Halterungen der Träger und den
Versorgungsdüsen für das Reaktionsgas erforderlich ist. Außerdem muß die Unterlage in noch höherem
Ausmaße als die Glocke mechanisch stabil sein. Außerdem empfiehlt sich eine Kühlung der Glocke
während des Abscheidebetriebes.
Im Hinblick auf die Reinhaltung des abgeschiedenen Halbleiters hat sich eine Unterlage aus Silber bewährt,
was auch in dem Patent 23 24 365 seinen Niederschlag gefunden hat. Je größer aber das
Reaktionsgefäß ist, desto weniger erfüllt eine Platte aus Massivsilber die hinsichtlich an mechanischer Stabilität
zu stellenden Forderungen. Eine solche Platte biegt sich teüs wegen der mechanischen, teils wegen der
thermischen Belastung des Abscheidebetriebs durch, so daß der gasdichte Abschluß zwischen dem Rand der
aufgesetzten Glocke und der Unterlage nicht mehr gewährleistet ist. Insbesondere gilt dies, wenn die
Glocke entsprechend der Lehre des Patents 23 24 365 nicht mit der Unterlage, z. B. durch Zwingen,
verspannt, sondern mittels eines Druckgases festgehalten ist.
Die mit der Erprobung der Erfindung gewonnenen Erfahrungen zeigten, daß eine dünne, beispielsweise
durch Galvanik oder Aufdampfen aufgebrachten Silberschicht, auch wenn sie lückenlos den Stahlkörper
der Unterlage an der Grenze zum Reaktionsraum bedeckt, in den meisten Fällen nicht ausreicht. Eine
solche Schicht weist in der Regel Poren auf, durch welche das Reaktionsgas zum Stahlkörper der Unterlage vordringen und verunreinigende Stoffe aus dieser
extrahieren kann. Dies führt dann in der Regel zum Auftreten unkontrollierter Verunreinigungen, wenn
nicht eigens Vorkehrungen getroffen wurden, um die den Stahlkörper abdeckende Silberschicht lunkerfrei
und porenfrei zu machen. Hierzu gibt es verschiedene Möglichkeiten. Eine dieser Möglichkeiten ist das
Aufbringen einer genügend dicken, d.h. mindestens 03 cm starken Schicht aus Feinsilber, die dann
mechanisch, insbesondere durch eine Walzbehandlung, •/erdichtet wird. Eine andere Möglichkeit ist, diese
Schicht zu schmieden.
Bei der Herstellung der Grundplatte bildet eine Stahlplatte, z.B. aus kohlenstoffhaltigem Stahl, den
Ausgang. Sie hat beispielsweise eine Dicke von 6 cm und ist wenigstens an der als Begrenzung des
Reaktionsraumes vorgesehenen Seite der fertigen Grundplatte eben ausgebildet
Diese Seite wird nun lückenlos mit einer Silberauflage versehen, die etwa die Hälfte der Gesamtstärke des
Stahlkörpers ausmacht Es empfiehlt sich, das Silber im geschmolzenen Zustand aufzubringen und an der
Oberfläche des Stahlkörpers erkalten zu lassen. Wenn es sich, wie im Beispielsfalle, um die Erzeugung einer um
einige cm dicken Silberlage handelt so empfiehlt es sich, diese in einige mm dicken Teillagen nacheinander
aufzubringen, und die jeweils vorher aufgebrachte Schicht vor dem Aufbringen der jeweils folgenden
Teillage zum Erstarren zu bringen.
Nach dem Erkalten der Silberschicht wird die mit dieser bedeckte Stahlunterlage einem Walz- oder
Schmiedeprozeß unterworfen. Dabei wird die Stärke des behandelten Körpers etwa auf die Hälfte reduziert.
Zu gleicher Zeit tritt aber eine Verdichtung der Silberauflage und eine Verfestigung der Haftung an der
Stahlunterlage ein. Damit sind Lunker von vornherein ausgeschlossen und Poren in der Silberschicht verschwunden.
Der auf diese Weise behandelte Verbundkörper wiH nun mit den zur Aufnahme der Halterungen für die
Trägerkörper und der Düsen für die Reaktionsgasversorgung benötigten Bohrungen versehen. Die Bohrungen
werden ebenfalls mit einer Silberschicht ausgekleidet. Die dort einzufügenden Apparateteile bestehen
zweckmäßig aus Massivsilber oder dem für die Grundplatte verwendeten Stahl, der mit einer aufgeschmiedeten
Silberschicht überzogen wurde. Sie werden, falls sie in unmittelbarer Berührung mit dem die
Unterlage bildenden Metallkörper stehen sollen, so bemessen, daß sie sich mit der Wand der betreffenden
Bohrung durch Verkeilung und/oder Verschraubung dicht verbinden lassen. Dies trifft beispielsweise für die
Zufuhrdüsen und Abfuhrdüsen für das Reaktionsgas zu.
Andernfalls ist eine abdichtende Lage aus Polytetrafluoräthylen vorgesehen, die insbesondere bei
den Halterungen für die Trägerkörper zum Zwecke der gegenseitigen elektrischen Isolation angebracht ist In
diesem Falle wird ein entsprechender Raum für die Dichtung zwischen dem in die Bohrung einzufügenden
Apparateteil und der Wandung der Bohrung in der Grundplatte vorgesehen.
Die fertige Grundplatte wird an Hand der Figur näher beschrieben. Sie zeigt einen Meridianschnitt
durch ein der Erfindung entsprechendes Reaktionsgefäß.
Die plattenförmige Unterlage 1 besteht aus einem plattenförmigen Stahlkörper 2 auf dem eine Auflage 3
aus Feinsilber in der beschriebenen Weise aufgebracht ist In der Unterlage sind Bohrungen vorgesehen, durch
welche die Zufuhrdüse 4 für das frische Reaktionsgas, die Abzugsdüse 5 für das verbrauchte Reaktionsgas,
sowie die Halterungen für die Trägerkörper geführt und gasdicht eingepaßt sind. Die Halterung 6 für die
Trägerkörper 8 sind zugleich als Elektroden für die Zufuhr eines die Trägerkörper während des Abscheideprozesses
beheizenden elektrischen Stromes vorgesehen. Sie sind demnach unter Wahrung eines gasdichten
Anschlusses unter Zwischenfügung einer Lage 7 aus Polytetrafluoräthylen von dem Verbundkörper der
eigentlichen Grundplatte 1 getrennt.
Die Trägerkörper 8 sind im Beispielsfalle aus hochreinem Silicium bestehende dünne Stäbe, die mit
ihren unteren Enden von den Elektroden 6 gehaltert und mit dem von einer nicht gezeichneten Betriebsstromquelle
gelieferten elektrischen Strom beaufschlagt sind. Während der Stromkreis über eine Brücke 9 aus mit
Silicium überzogenem Graphit geschlossen ist. Die Düse 4 steht mit einer zu einer Versorgungsvorrichtung
für das Reaktionsgas führenden Rohrleitung, die Düse 5 mit einem Abzug in Verbindung. Der Reaktionsraum
wird durch die Glocke 10 abgeschlossen. Die Elektroden 6 bzw. die Gasdüsen 4 und 5 können mittels
Silberbuchsen 11 in den Durchführungen der Grundplatte 1,2 gasdicht mittels Silberlot eingepaßt sein.
Die beschriebene Apparatur ist im Betrieb in einem mit inertem Druckgas gefüllten Autoklaven entsprechend
den Ausführungen des Patents 23 24 365 untergebracht
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper aus einem
das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas, bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr
der Reaktionsgase erforderlichen Düsen, sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen
platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder
Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes
abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist, nach Patent 23 24365, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem Stahlkörper besteht, der an der dem Reaktionsraum
zugewandten Oberfläche mit einer Silberiage bedecjktist
2. Reaktionsgefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberlage in schmelzflüssigem Zustand auf den Stahlkörper der Unterlage
aufgebracht und dort zum Erstarren gebracht worden ist
3. Reaktionsgefäß nach Anspruch 1 und 2, dadurch 2s gekennzeichnet, daß die Silberiage durch einen
Walz- und/oder Schmiedeprozeß poren- und lunkerfrei verdichtet worden ist.
4. Reaktionsgefäß nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen aus Silber
bestehen und die Halterungen für die Trägerkörper unter Zwischenfügung einer Lage aus Polytetrafluoräthylen oder Silberlot eingepaßt sind.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2358279A DE2358279C3 (de) | 1973-11-22 | 1973-11-22 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE2432383A DE2432383C2 (de) | 1973-11-22 | 1974-07-05 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2358279A DE2358279C3 (de) | 1973-11-22 | 1973-11-22 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE2432383A DE2432383C2 (de) | 1973-11-22 | 1974-07-05 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2358279A1 DE2358279A1 (de) | 1975-06-05 |
DE2358279B2 DE2358279B2 (de) | 1978-01-05 |
DE2358279C3 true DE2358279C3 (de) | 1978-09-21 |
Family
ID=32714371
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2358279A Expired DE2358279C3 (de) | 1973-11-22 | 1973-11-22 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE2432383A Expired DE2432383C2 (de) | 1973-11-22 | 1974-07-05 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2432383A Expired DE2432383C2 (de) | 1973-11-22 | 1974-07-05 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE2358279C3 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5444860B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2014-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置 |
DE102010000270A1 (de) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | G+R Technology Group AG, 93128 | Elektrode für einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium |
DE102010013043B4 (de) * | 2010-03-26 | 2013-05-29 | Centrotherm Sitec Gmbh | Elektrodenanordnung und CVD-Reaktor oder Hochtemperatur-Gasumwandler mit einer Elektrodenanordnung |
DE102011078727A1 (de) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wacker Chemie Ag | Schutzvorrichtung für Elektrodenhalterungen in CVD Reaktoren |
DE202012100839U1 (de) * | 2012-03-08 | 2012-06-22 | Silcontec Gmbh | Laborreaktor |
JP2016016999A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒製造用のシリコン芯線および多結晶シリコン棒の製造装置 |
-
1973
- 1973-11-22 DE DE2358279A patent/DE2358279C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-07-05 DE DE2432383A patent/DE2432383C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2358279B2 (de) | 1978-01-05 |
DE2432383C2 (de) | 1983-02-17 |
DE2432383A1 (de) | 1976-01-22 |
DE2358279A1 (de) | 1975-06-05 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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|
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