DE19902499C2 - Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine VakuumschaltröhreInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer
Kontaktanordnung, umfassend einen Kontaktträger und ein mit
diesem verbundenes Kontaktstück als Hubleiter oder Festleiter
für eine Vakuumschaltröhre, wobei der Kontaktträger aus
Kupfer und das Kontaktstück aus einem abbrandfesten
elektrisch leitfähigen Material, enthaltend Kupfer und
mindestens eine Metallkomponente mit einem Schmelzpunkt
oberhalb 1400°C besteht und für das Kontaktstück ein Rohling
aus einer gesinterten Metallmatrix, deren Schmelzpunkt
oberhalb 1400°C liegt, verwendet wird und der Rohling in
eine Gießform eingebracht wird.
Kontaktanordnungen in Gestalt von Hubleitern und Festleitern
für eine Vakuumschaltröhre mit einem Kontaktträger aus
elektrisch gut leitendem Material, wie Kupfer, und einem
Kontaktstück aus abbrandfestem Material, das elektrisch etwas
weniger gut leitend ist als der Kontaktträger, wobei eine
Metallkomponente Kupfer und mindestens eine Metallkomponente
mit einem Schmelzpunkt oberhalb 1400°C vorhanden ist,
beispielsweise Kupfer-Chrom, sind bekannt, wozu
beispielsweise auf die DE 195 34 398 A1, DE 44 47 391 C1 und
DE 196 32 573 A1 verwiesen wird.
Bei einer bekannten Herstellungsweise werden der
Kontaktträger und das Kontaktstück separat gefertigt und
nachfolgend
vereinigt, beispielsweise durch Verlöten unter Zwischenlage
einer Lötscheibe oder Lötfolie. Die hierbei entstehenden
Verbindungsstellen bewirken eine zusätzliche Strom- bzw.
Wärmeübergangsstelle, des weiteren kann es zu
Benetzungsfehlstellen im Verbindungsbereich kommen, die
ebenfalls zu einem erhöhten Übergangswiderstand führen. Das
Auftragen der Lötscheibe oder Lötfolie und richtige Plazieren
derselben für den Lötvorgang, um ein Verrutschen der
miteinander zu verbindenden Teile zu vermeiden, ist mit
erhöhtem Aufwand insbesondere bei hängender Position des
Kontaktstückes während des Lötvorganges verbunden.
Eine bekannte Herstellungsweise der Kontaktstücke wird
beispielsweise wie in der DE 44 47 391 beschrieben, wobei für
den Kontaktwerkstoff des Kontaktstückes eine gesinterte
Metallmatrix hergestellt wird, deren Hauptkomponente aus
Wolfram, Molybdän, Chrom, Nickel oder Eisen besteht, und die
dann anschließend mit einer Tränksubstanz aus einem gut
elektrisch leitenden Material, wie Kupfer, Silber oder deren
Legierungen, getränkt wird, wobei das Tränken in einem
Hochvakuumofen stattfindet. Die so gefertigten Kontaktstücke
oder Kontaktwerkstoffe werden dann anschließend durch
Verbinden mit einem Kontaktträger zu der jeweils gewünschten
Kontaktanordnung weiterverarbeitet. Hierfür ist meistens eine
Bearbeitung des Kontaktstückes bzw. Kontaktträgers für die
gegenseitige formschlüssige Aufnahme erforderlich, des
weiteren ist es in vielen Fällen erforderlich, daß der das
Kontaktstück aufnehmende Kontaktträger aus einem gasarmen
Kupfer oder Kupferlegierung, wie OFHC-Kupfer, gefertigt werden
muß.
Des weiteren ist die Herstellung von Kontaktwerkstoffen für
Kontaktstücke für Kontaktanordnungen von Vakuumschaltern,
enthaltend eine gesinterte Metallmatrix, die anschließend mit
einer Tränksubstanz aus Kupfer, Silber oder deren Legierungen
getränkt wird, beispielsweise in der DE-OS 22 54 623,
DE-OS 22 40 493 und DE 23 57 333 A1 beschrieben.
Aus der DE 196 32 573 A1 ist bereits ein Verfahren zum
Herstellen einer Kontaktanordnung, umfassend einen
Kontaktträger und ein Kontaktstück in einstückiger Weise,
beschrieben, wobei zuerst ein Kontaktträger aus elektrisch
gut leitendem Material, wie zum Beispiel Kupfer, hergestellt
wird, und der Kontaktträger anschließend unter Vakuum in dem
Bereich, in dem das Kontaktstück anschließen soll, mittels
einer Wärmequelle aufgeschmolzen wird und in diese
Kupferschmelze ein Pulver aus einem elektrisch weniger gut
leitendem Material, zum Beispiel aus Chrom, eingegeben wird
und danach die so hergestellte Kontaktanordnung abgekühlt
wird. Bei dieser Art der Herstellung des
Kontaktstückbereiches an dem Kontaktträger ist die
Herstellung einer gleichmäßigen homogenen Durchdringung des
das Kontaktstück bildenden Materials mit dem aufgeschmolzenen
Kupfer des Kontaktträgers problematisch. Auch das Herstellen
gleichmäßiger Schichten ist schwierig.
Aus der US 5697 150 A ist ein Verfahren zum Vereinigen eines
Kontaktstückes mit einem Kontaktträger zu einer
Kontaktanordnung bekannt geworden, bei dem ein poröser
Sinterkörper aus hochschmelzenden Metallen für das
Kontaktstück und ein Kontaktträger aus elektrisch gut
leitfähigem Metall in eine Gießform eingebracht werden und
die Gießform bis zum Schmelzen des elektrisch gut leitfähigen
Metalls erhitzt wird, so daß das geschmolzene Metall in den
porösen Sinterkörper infiltrieren kann und der Kontaktträger
und das Kontaktstück sich verbinden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein preiswertes und
wirtschaftliches Verfahren zum Herstellen einer
Kontaktanordnung aus einem Kontaktträger aus Kupfer,
insbesondere auch aus preiswertem Elektrolytkupfer und einem
abbrandfesten Kontaktstück zu schaffen, bei dem nur noch eine
geringfügige Nachbearbeitung erforderlich ist und definierte
Verhältnisse bezüglich der Schichtdicke und Gleichmäßigkeit
des Kontaktstückes und dessen Form möglich sind und ein
homogener gleichmäßiger Übergang und Verbindung vom
Kontaktstück zum Kontaktträger erzeugt wird.
Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe bei einem
gattungsgemäßen Verfahren gemäß Patentanspruch 1 dadurch, daß
der Rohling für das Kontaktstück in eine der Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück und Kontaktträger, wie einem Hubleiter oder Festleiter, entsprechende Gießform eingebracht wird,
dann die Gießform mit Kupferpulver aufgefüllt wird und
im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters oder Festleiters, ausbildet,
und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters oder Festleiters nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.
der Rohling für das Kontaktstück in eine der Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück und Kontaktträger, wie einem Hubleiter oder Festleiter, entsprechende Gießform eingebracht wird,
dann die Gießform mit Kupferpulver aufgefüllt wird und
im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters oder Festleiters, ausbildet,
und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters oder Festleiters nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.
Die Erfindung ermöglicht die Herstellung der Kontaktanordnung
in zwei Hauptschritten, wobei in einem ersten Schritt die
Herstellung eines Rohlings nur für das Kontaktstück in
Gestalt einer gesinterten Metallmatrix erfolgt. Der Rohling
ist porös. In dem zweiten erfindungsgemäßen Verfahrensschritt
wird die Herstellung des Kontaktträgers und seiner Form
zugleich mit der Tränkung der gesinterten Metallmatrix des
Kontaktstückes in einem Verfahrensschritt durchgeführt, so
daß eine einstückige integrierte Kontaktanordnung aus
Kontaktträger und Kontaktstück entsteht. Zugleich mit der
Herstellung des Kontaktträgers wird der Rohling zu dem
Kontaktstück komplettiert und des weiteren zugleich der
Verbund von Kontaktstück und Kontaktträger erzeugt und die
einstückige Kontaktanordnung erhalten. Diese integrierte
Kontaktanordnung, die die Form eines Hubleiters oder eines
Festleiters bzw. jede gewünschte Form eines Leiters aufweisen
kann, kann ohne umfangreiche Nacharbeit zum Beispiel in eine
Vakuumschaltröhre eingebaut werden. Die Nacharbeit beschränkt
sich im wesentlichen auf eine Nacharbeit und Paßarbeit im
Bereich der Oberflächen der Kontaktstücke.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß ein
Lotmaterial und auch der Vorgang des Verbindens von separat
hergestelltem Kontaktstück mit einem separat hergerstellten
Kontaktträger entfällt. Darüber hinaus ist die Herstellung des
Kontaktträgers als fertiger Gießling wesentlich preiswerter
als die Herstellung aus einem Rohgießling, der nachträglich
bearbeitet werden muß, wie durch Drehen und zusätzlich
aufwendige Reinigung. Das erfindungsgemäße Verfahren
ermöglicht eine absolut vollflächige Verbindung des
Kontaktträgers mit dem Kontaktstück über die einheitliche
Kupferschmelze. Darüber hinaus kann das erfindungsgemäße
Verfahren mit preiswertem Elektrolytkupfer für die Herstellung
der Kontaktanordnung durchgeführt werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
sind den kennzeichnenden Merkmalen der Unteransprüche
entnehmbar. Für das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt
ein Rohling eingesetzt, der das spätere Kontaktstück an der
Kontaktanordnung bildet, der aus einem Metallpulver oder -
pulvermischung, enthaltend Chrom, Eisen, Kobalt, Wolfram,
Wolframcarbid, Molybdän, Nickel, Zirkon und/oder Titan,
hergestellt wird, wobei das Metallpulver zuerst zu einem
Formkörper kalt verpreßt wird und danach der Formkörper durch
Zufuhr von Wärme zu dem Rohling gesintert wird, d. h. die
Metallmatrix hergestellt wird.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung
beispielhaft erläutert. Es zeigen
Fig. 1a einen Hubleiter für eine Vakuumschaltröhre
schematisch im Längsschnitt
Fig. 1b einen Festleiter für eine Vakuumschaltröhre
schematisch im Längsschnitt
Fig. 2 einen Rohling für das Kontaktstück nach Fig. 1a,
1b
Fig. 3 einen schematischen Schnitt durch eine Gießform
für einen Festleiter gemäß Fig. 1b.
Die in der Fig. 1a und 1b dargestellten Kontaktanordnungen
sind in Gestalt des Hubleiters 1 bzw. des Festleiters 2 für
den Einsatz in einer Vakuumschaltröhre ausgebildet und sind
mit ihrem Kontaktstücken 11, 21 einander zugewandt
dargestellt, wie sie auch in einer Vakuumschaltröhre einander
zugeordnet sind. Jede Kontaktanordnung weist einen
Kontaktträger 10 bzw. 20 für die die Kontaktfläche bildenden
Kontaktstücke 11 bzw. 21 auf. Die Kontaktträger 10 bzw. 20 der
Kontaktanordnungen 1 bzw. 2 sind entsprechend ihrer Funktion
und Anordnung in einer Vakuumschaltröhre gestaltet. Die
Kontakträger 10, 20 der Kontaktanordnung 1, 2 sind aus einem
gut leitenden elektrischen Material, vorzugsweise Kupfer,
bevorzugt Elektrolytkupfer, hergestellt.
Die Kontaktstücke 11, 21 sind weniger gut elektrisch leitend
als die Kontaktträgerbereiche 10, 20 ausgebildet, da sie als
schaltende Oberflächenschicht entsprechende Anforderungen nach
hohem Stromschaltvermögen, guter dielektrischer Festigkeit,
hoher Lebensdauer und niedrigem Abbrand sowie ausreichend
geringen Schweißkräften erfüllen müssen. Die Kontaktstücke
umfassen daher eine gesinterte Metallmatrix beispielsweise auf
Chrombasis, die integral mit dem Material der
Kontaktträgerbereiche 10, 20 durchtränkt ist. Auf diese Weise
entstehen einstückige Kontaktanordnungen 1, 2 mit einem
integrierten Kontaktstückbereich 11, 21.
Die Herstellung der integrierten einstückigen Kontaktanordnung
erfolgt in der Weise, daß zuerst ein Rohling 21a, siehe Fig.
2, aus einer gesinterten Metallmatrix, beispielsweise auf
Basis Chrom oder Eisen, Kobalt, Wolfram, Wolframcarbid oder
Molybdän oder Kombinationen solcher Metalle, in bekannter
Weise hergestellt wird. Hierbei wird ein poröser Körper aus
hochschmelzenden Metallen erhalten. Ein solcher Rohling 21a
aus einer gesinterten Metallmatrix, beispielsweise Chrom, wird
dann, siehe Fig. 3, in die mehrteilige Gießform 3, die die
äußere Kontur einer Kontaktanordnung, hier der
Kontaktanordnung 2 gemäß Fig. 1b, aufweist, eingelegt. Dann
wird die Gießform, d. h. der verbleibende Hohlraum mit
Kupferpulver 4 aufgefüllt. Danach wird die Gießform in einem
Hochvakuumofen auf Schmelztemperatur des Kupferpulvers
erhitzt, wobei das geschmolzene Kupferpulver zum einen in das
Metallgerüst des Rohlings 21a infiltriert und im übrigen den
Gießhohlraum ausfüllt. Nach dem Erstarren der Kupferschmelze
kann die so hergestellte nunmehr einstückige Kontaktanordnung
mit Kontaktträgerbereich 20 und Kontaktstückbereich 21, siehe
Fig. 1b, aus der Gießform entnommen werden. Es sind nur noch
geringe Nacharbeiten vorzugsweise im Bereich der Oberfläche
des Kontaktstückes 21 erforderlich.
Es ist auch möglich, daß nach dem Einsetzen des Rohlings 21a
für die Tränkung des Kontaktstückbereiches von
Kontaktstückbereich und Kontaktträger unterschiedlich
zusammengesetzte elektrisch leitende Metallpulver aufgestreut
werden, zum Beispiel eine Kupfersilber-Pulverschicht
aufgestreut wird, die ausreicht, um nach dem Anschmelzen den
Rohling 21a zu infiltrieren und erst hierauf für die
Ausbildung des übrigen Bereiches des Kontaktträgers die
Gießform mit Kupferpulver aufgefüllt wird.
Claims (2)
1. Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung,
umfassend einen Kontaktträger (10, 20) und ein mit diesem
verbundenes Kontaktstück (11, 21), als Hubleiter (1) oder
Festleiter (2) für eine Vakuumschaltröhre, wobei der
Kontaktträger aus Kupfer und das Kontaktstück aus einem
abbrandfesten elektrisch leitfähigen Material, enthaltend
Kupfer und mindestens eine Metallkomponente mit einem
Schmelzpunkt oberhalb 1400°C, besteht,
und für das Kontaktstück (11, 21) ein Rohling (21a) aus einer gesinterten Metallmatrix, deren Schmelzpunkt oberhalb 1400°C liegt, verwendet wird, und der Rohling in eine Gießform eingebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß dieser Rohling (21a)in eine der Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück (11, 21) und Kontaktträger (10, 20), wie einem Hubleiter (1) oder Festleiter (2) entsprechende Gießform (3) eingebracht wird, und
dann die Gießform (3) mit Kupferpulver (4) aufgefüllt wird und
im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger (10, 20) der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters (1) oder Festleiters (2) ausbildet,
und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung 10, 11 bzw. 20, 21) beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters (1) oder Festleiters (2)nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.
und für das Kontaktstück (11, 21) ein Rohling (21a) aus einer gesinterten Metallmatrix, deren Schmelzpunkt oberhalb 1400°C liegt, verwendet wird, und der Rohling in eine Gießform eingebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß dieser Rohling (21a)in eine der Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück (11, 21) und Kontaktträger (10, 20), wie einem Hubleiter (1) oder Festleiter (2) entsprechende Gießform (3) eingebracht wird, und
dann die Gießform (3) mit Kupferpulver (4) aufgefüllt wird und
im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger (10, 20) der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters (1) oder Festleiters (2) ausbildet,
und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung 10, 11 bzw. 20, 21) beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters (1) oder Festleiters (2)nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Rohling (21a) aus einem
Metallpulver oder Metallpulvermischung enthaltend Chrom,
Eisen, Kobalt, Wolfram, Wolframcarbid, Molybdän, Nickel,
Zirkon und/oder Titan hergestellt wird, die zuerst zu
einem Formkörper kalt verpreßt wird und danach der
Formkörper durch Zufuhr von Wärme zu dem Rohling
gesintert wird.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |