DE10221858A1

DE10221858A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE10221858A1
Application number: DE10221858A
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Schmid
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2002-02-25
Filing date: 2002-05-16
Publication date: 2003-09-11

Abstract

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat (24, 25), einem Halbleiterkörper (14) mit einer Oberseite (26) und einer Unterseite (16), der mit seiner Unterseite (16) mit dem Substrat (24, 25) verbunden ist und der eine Photonen emittierende aktive Zone enthält, einem mit der Oberseite (26) des Halbleiterkörpers (14) elektrisch verbundenen Vorderseitenkontakt (30, 32) und einem mit der Unterseite (16) des Halbleiterkörpers elektrisch verbundenen Rückseitenkontakt (20, 22) zur Stromeinprägung in die aktive Zone. Dabei ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Substrat durch ein mit einem Waferbondprozeß mit dem Halbleiterkörper (14) verbundenes Quasisubstrat (24, 25) gebildet ist, daß der Rückseitenkontakt (20, 22) zwischen dem Quasisubstrat (24, 25) und dem Halbleiterkörper (14) angeordnet und reflektierend ausgebildet ist und daß sich der Halbleiterkörper (14) von seiner Unterseite (16) zur Oberseite (26) hin verjüngt.

Description

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat, einem Halbleiterkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite, der mit seiner Unterseite mit dem Substrat verbunden ist und der eine Photonen emittierende aktive Zone enthält, einem mit der Oberseite des Halbleiterkörpers elektrisch verbundenen Vorderseitenkontakt und mit einem mit der Unterseite des Halbleiterkörpers elektrisch verbundenen Rückseitenkontakt zur Stromeinprägung in die aktive Zone.

Bei herkömmlichen Lumineszenzdioden (LED, light emitting diode) führen insbesondere zwei Effekte zu einer Begrenzung des Wirkungsgrads. Zum einen wird die erzeugte Strahlung typischerweise nur mit erheblichen Verlusten aus der LED ausgekoppelt. Da das Halbleitermaterial einen wesentlich größeren Brechungsindex (n ≍ 3,5) aufweist als das umgebende Material (z. B. Luft mit n ≍ 1 oder ein Harz mit einem Brechungsindex von n ≍ 1,5), wird die Strahlung bei Auftreffen auf die Grenzfläche von Halbleiter und Umgebungsmaterial in nicht ausreichend steilem Winkel totalreflektiert. Die Strahlung wird dann im Inneren des Halbleitermaterials mehrfach reflektiert und verläßt den Halbleiterkörper schließlich mit erheblich verminderter Strahlungsleistung.

Zum anderen ist bei vielen der typischerweise für die Halbleiterkörper der LEDs eingesetzten Materialsysteme das zum epitaktischen Aufwachsen verwendete Substratmaterial für die erzeugte Strahlung hoch absorbierend. Bei üblichen Geometrien gelangt ein nennenswerter Anteil der erzeugten Strahlung in das Substrat, wird dort absorbiert und steht somit zur Auskopplung nicht mehr zur Verfügung.

Hier setzt die Erfindung an. Der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, liegt die Aufgabe zugrunde, den Wirkungsgrad von gattungsgemäßen Lumineszenzdioden zu verbessern.

Diese Aufgabe wird durch das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor. Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements bereit.

Erfindungsgemäß ist bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art vorgesehen, daß das Substrat durch ein mit einem Waferbondprozeß mit dem Halbleiterkörper verbundenes Quasisubstrat gebildet ist, daß der Rückseitenkontakt zwischen dem Quasisubstrat und dem Halbleiterkörper angeordnet und reflektierend ausgebildet ist, und daß sich der Halbleiterkörper von seiner Unterseite zur Oberseite hin verjüngt.

Die Erfindung beruht also auf dem Gedanken, den Halbleiterkörper in Gestalt einer sich verjüngenden "Auskoppeltaper"- Struktur auszubilden, welche die Verluste durch Totalreflexion verringert oder vermeidet. Zugleich wird das in der Regel absorbierende Aufwachssubstrat durch ein Quasisubstrat ersetzt. Um die zum Quasisubstrat hin emittierte Strahlung nutzen zu können, ist das Quasisubstrat über einen reflektierenden Rückseitenkontakt mit dem Halbleiterkörper verbunden. Die genannten Maßnahmen sind zu einem fertigbaren Chipprozeß kombiniert und führen in Summe zu einer signifikanten Erhöhung des Wirkungsgrads des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements.

In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist vorgesehen, daß der Halbleiterkörper eine parallel zum Quasisubstrat liegende Unterseite und eine parallel zum Quasisubstrat liegende Oberseite mit einer kleineren Fläche als die Unterseite aufweist, wobei schräge Flanken von der Oberseite zur Unterseite verlaufen. Je nach Gestalt der Ober- und Unterseite können die Flanken sowohl flach als auch gekrümmt sein. Hat beispielsweise der Halbleiterkörper die Gestalt eines Kegelstumpfes, bildet der Kegelmantel eine einzige zusammenhängende gekrümmte Flanke.

Insbesondere können die Flanken mit dem Quasisubstrat einen Winkel von etwa 1° bis etwa 45°, bevorzugt von etwa 10° bis etwa 30° einschließen.

In diesem Zusammenhang ist bei einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement mit Vorteil vorgesehen, daß die Oberseite und die Unterseite kreisförmig ausgebildet sind, so daß der Halbleiterkörper einen Kegelstumpf bildet.

Alternativ kann ebenfalls mit Vorteil vorgesehen werden, daß die Oberseite und die Unterseite des Halbleiterkörpers beide durch ein regelmäßiges Polygon gebildet sind, so daß der Halbleiterkörper einen Pyramidenstumpf bildet. Dabei kann das regelmäßige Polygon beispielsweise ein gleichseitiges Dreieck, ein Quadrat oder ein regelmäßiges Fünf- oder Sechseck sein. Der Halbleiterkörper als Ganzes bildet dann einen 3-, 4-, 5- oder 6-seitigen Pyramidenstumpf.

Der Vollständigkeit halber sei erwähnt, dass der Halbleiterkörper alternativ in Form eines elliptischen Kegelstumpfes oder eines ungleichseitigen Pyramidenstumpfes oder in einer zu diesen ähnlichen Form ausgebildet sein kann, ohne dadurch den Bereich der Erfindung zu verlassen.

In einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung kann der reflektierende Rückseitenkontakt durch eine Metallschicht, insbesondere durch eine bei der Wellenlänge der in der aktiven Zone erzeugten Strahlung hochreflektierende Metallschicht gebildet sein.

Die aktive Zone ist in bevorzugten Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in einem zentralen Bereich des Halbleiterkörpers angeordnet, während ein die aktive Zone umgebender äußerer Bereich passiviert ist.

Insbesondere kann bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement vorgesehen sein, daß der Vorderseitenkontakt und der Rückseitenkontakt einen zentralen Bereich des Halbleiterkörpers kontaktieren und daß ein äußerer Bereich des Halbleiterkörpers auf seiner Ober- und Unterseite mit einer Passivierungsschicht bedeckt ist.

In besonders bevorzugten Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist der Halbleiterkörper auf Basis von InGaAlP gebildet.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfaßt die Verfahrensschritte:

- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats zum epitaktischen Aufwachsen eines Halbleiterkörpers;
- Aufwachsen eines epitaktischen Halbleiterkörpers mit einer Photonen emittierenden aktiven Zone, wobei die Oberfläche des aufgewachsenen Halbleiterkörpers eine erste Oberfläche bildet;
- Aufbringen eines Rückseitenkontakts auf die erste Oberfläche des Halbleiterkörpers;
- Bereitstellen eines Quasisubstrats und Verbinden des Halbleiterkörpers mit seiner ersten Oberfläche und dem darauf aufgebrachten Rückseitenkontakt mit einer Oberfläche des Quasisubstrats;
- Ablösen des Wachstumssubstrats, um eine zweite Oberfläche des Halbleiterkörpers freizulegen;
- Strukturieren des Halbleiterkörpers derart, daß er sich von der ersten zur zweiten Oberfläche hin verjüngt; und
- Aufbringen eines Vorderseitenkontakts auf die zweite Oberfläche des Halbleiterkörpers.

In einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens umfaßt der Schritt des Strukturierens des Halbleiterkörpers ein Aufbringen eines Photolacks, ein Strukturieren des aufgebrachten Photolacks, eine Verrundung des strukturierten Photolacks zu Lackkalotten mit einem Lackfließprozeß und ein Übertragen der Kalottenstruktur in den Halbleiterkörper mit einem Ätzprozeß. Eine solche Vorgehensweise gestattet eine besonders einfache und effektive Strukturierung des Halbleiterkörpers zu einer Auskoppeltaper-Struktur.

Insbesondere kann der Halbleiterkörper beim dem Schritt des Strukturierens mit Flanken ausgebildet werden, die sich von der zweiten Oberfläche zur ersten Oberfläche erstrecken und die mit dem Quasisubstrat einen Winkel von etwa 1° bis etwa 45°, bevorzugt von etwa 10° bis etwa 30° einschließen.

In einer bevorzugten Ausgestaltung wird der Halbleiterkörper bei dem Schritt des Strukturierens in Form eines Kegelstumpfes geätzt.

In einer anderen bevorzugten Ausgestaltung wird der Halbleiterkörper bei dem Schritt des Strukturierens in Form eines nseitigen Pyramidenstumpfes, mit n ≥ 3 geätzt.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung der Ausführungsbeispiele und den Zeichnungen.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Es sind jeweils nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt. Dabei zeigt
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 in (a) und (b) eine schematische Aufsicht auf strukturierte Halbleiterkörper nach zwei verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung; und
Fig. 3 in (a) bis (c) in schematischer Schnittansicht drei Schritte bei der Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements von Fig. 1.
Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht einer allgemein mit 10 bezeichneten Lumineszenzdiode nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Lumineszenzdiode 10 enthält einen Halbleiterkörper 14 aus InGaAlP, bei dem die Strahlungserzeugung im Betrieb in einem zentralen runden Bereich stattfindet.
Strom wird dem Halbleiterkörper 14 durch einen metallischen Vorderseitenkontakt 30 und einen metallischen Rückseitenkontakt 20 eingeprägt. Die Kontakte 20, 30 sind für den externen elektrischen Zugang zur Lumineszenzdiode 10 mit nicht gezeigten, seitlich des Halbleiterkörpers 14 angebrachten Kontaktierflächen verbunden. Die Kontakte 20 und 30 weisen beide runde, zueinander ausgerichtete Kontaktbereiche 22 und 32 auf, in denen sie das Halbleitermaterial kontaktieren. Zwischen den Bereichen 22 und 32 bildet sich im Betrieb der Lumineszenzdiode 10 die aktive lichterzeugende Zone aus. Außerhalb der Kontaktbereiche 22 und 32 ist der Halbleiterkörper 14 von den Metallschichten 20 und 30 durch eine erste und zweite isolierende SiN-Schicht 18 bzw. 28 getrennt.
Wie in Zusammenhang mit Fig. 3 genauer erläutert wird, ist der Halbleiterkörper 14 mit seinem großflächigen Rückseitenkontakt 20 mit einem als Träger dienenden Quasisubstrat 24 verbunden, dessen Oberfläche ebenfalls mit einer Metallschicht 25 versehen ist. Das Kontaktmetall für den Rückseitenkontakt 20 ist so gewählt, daß es für die Wellenlänge der erzeugten Strahlung hochreflektierend ist, so daß die von der aktiven Zone in Richtung auf das Quasisubstrat 24 emittierte Strahlung größtenteils nach vorne reflektiert wird und zur gesamten ausgekoppelten Strahlungsleistung beiträgt.
Zur Vermeidung von Verlusten durch Totalreflexion ist der Halbleiterkörper 14 in Form eines "Auskoppeltapers" strukturiert. Dabei weist die Oberseite 26 des Halbleiterkörpers 14 eine kleinere Fläche als die Unterseite 16 des Halbleiterkörpers 14 auf. Oberseite 26 und Unterseite 16 sind parallel zueinander und zur Oberfläche des Quasisubstrats ausgebildet.
Von der Oberseite 26 zur Unterseite 16 erstrecken sich geneigte Flanken 34, die mit der Oberfläche des Quasisubstrats einen geeigneten Winkel einschließen, um die im Halbleiterkörper 14 erzeugte und geführte Strahlung möglichst vollständig auszukoppeln.
Verschiedene Gestaltungen einer Auskoppeltaper-Struktur sind in Fig. 2 dargestellt. Dabei ist eine Aufsicht auf Halbleiterkörper 14 gezeigt, ohne den Vorderseitenkontakt 20 und die Passivierungsschichten 28. Fig. 2(a) zeigt eine Gestaltung des Halbleiterkörpers 14, bei der die Oberseite 26 und die Unterseite 16 kreisförmig gestaltet sind, so daß der Halbleiterkörper 14 die Form eines Kegelstumpfes annimmt. Die einzige Flanke 34 bildet den Mantel des Kegelstumpfes. Ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Auskoppeltapers ist in Zusammenhang mit der Beschreibung der Fig. 3 offenbart.
Fig. 2(b) zeigt eine andere Gestaltung des Halbleiterkörpers 14. Hier haben die Oberseite 26 und die Unterseite 16 die Form eines regelmäßigen Sechsecks, so daß der Halbleiterkörper 14 die Form eines 6-seitigen Pyramidenstumpfes annimmt. Die sechs Flanken 34 bilden dabei die ebenen Seitenflächen des Pyramidenstumpfes.
Nun wird mit Bezug auf Fig. 3 ein Verfahren zur Herstellung der Lumineszenzdiode von Fig. 1 mit einem Auskoppeltaper, wie in Fig. 2(a) gezeigt, beschrieben.
Zunächst wird auf einem GaAs-Substrat 12 ein epitaktischer Halbleiterkörper 14 auf InGaAlP-Basis aufgewachsen (Fig. 3(a)). Der Halbleiterkörper 14 kann dabei beispielsweise einen p-n-Übergang mit einem Quantentrog oder einem Mehrfachquantentrog enthalten. Die genaue Struktur und Zusammensetzung der lichterzeugenden Schichten ist für die vorliegende Erfindung nicht wesentlich und wird daher nicht näher beschrieben.
Auf der Oberfläche 16 des Halbleiterkörpers 14 wird eine SiN- Passivierungsschicht 18 aufgebracht, in die in bekannter Weise durch Photolithographie und einen Ätzschritt im zentralen Bereich eine runde Ausnehmung eingebracht wird. Nun wird ganzflächig ein hochreflektierendes Kontaktmetall 20 aufgebracht, das in der Ausnehmung der Passivierungsschicht 18 einen Kontaktbereich 22 bildet (Fig. 3(a)).
Anschließend wird die Struktur mit dem Rückseitenkontakt 20 in einem Waferbondprozeß auf eine weitere Scheibe 24 gebondet, die als Quasisubstrat fungiert. Die Oberfläche der Scheibe 24 ist ebenfalls mit einer Metallschicht 25 versehen. Dann wird das Wachstumssubstrat 12 abgelöst und dadurch eine zweite Oberfläche 26 des Halbleiterkörpers 14 freigelegt. Die Situation nach diesem Verfahrensschritt ist in Fig. 3(b) dargestellt.
Dann wird ein Photolack auf die zweite Oberfläche 26 des Halbleiterkörpers 14 aufgebracht, geeignet strukturiert und in einem Lackfließprozeß zu Kalotten überformt. Die Kalottenstruktur wird mit einem Trockenätzprozeß in den Halbleiterkörper 14 übertragen, so daß eine Taperstruktur entsteht, wie sie in Fig. 1 in Schnittansicht und in Fig. 2(a) in Aufsicht gezeigt ist.
Mit Bezug auf Fig. 3(c) wird zuletzt eine weitere SiN-Passivierungsschicht 28 aufgebracht, die analog zur ersten Passivierungsschicht 18 in einem Strukturierungsschritt mit einer runden vorderseitigen Ausnehmung versehen wird, die zentrisch zum rückseitigen Kontaktbereich 22 angeordnet ist. Dann wird ein Vorderseitenkontaktmetall 30 aufgebracht, das in der Ausnehmung einen Kontaktbereich 32 bildet und das auf der Oberseite der Passivierungsschicht 28 in einem leitfähigen Pfad eine Verbindung zu einer nicht gezeigten Anschlußfläche für die Lumineszenzdiode herstellt.
Es versteht sich, daß die in der Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung sowohl einzeln als auch in jeder möglichen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein können.

Claims

1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit
einem Substrat (24, 25);
einem Halbleiterkörper (14) mit einer Oberseite (26) und einer Unterseite (16), der mit seiner Unterseite (16) mit dem Substrat (24, 25) verbunden ist und der eine Photonen emittierende aktive Zone enthält;
einem mit der Oberseite (26) des Halbleiterkörpers (14) elektrisch verbundenen Vorderseitenkontakt (30, 32) und einem mit der Unterseite (16) des Halbleiterkörpers elektrisch verbundenen Rückseitenkontakt (20, 22) zur Stromeinprägung in die aktive Zone,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat durch ein mit einem Waferbondprozeß mit dem Halbleiterkörper (14) verbundenes Quasisubstrat (24, 25) gebildet ist, daß der Rückseitenkontakt (20, 22) zwischen dem Quasisubstrat (24, 25) und dem Halbleiterkörper (14) angeordnet und reflektierend ausgebildet ist, und daß sich der Halbleiterkörper (14) von seiner Unterseite (16) zur Oberseite (26) hin verjüngt.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (14) eine parallel zum Quasisubstrat (24, 25) liegende Unterseite (16), eine parallel zum Quasisubstrat liegende Oberseite (26) mit einer kleineren Fläche und schräge, von der Oberseite (26) zur Unterseite (16) verlaufende Flanken (34) aufweist.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Flanken (34) mit dem Quasisubstrat (24, 25) einen Winkel von etwa 1° bis etwa 45°, bevorzugt von etwa 10° bis etwa 30° einschließen.

4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberseite (26) und/oder die Unterseite (16) ellipsenartig, insbesondere kreisförmig ausgebildet sind, so daß der Halbleiterkörper (14) eine kegelstumpfartige Form aufweist.

5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberseite (26) und die Unterseite (16) beide durch ein Polygon, insbesondere ein regelmäßiges Polygon gebildet sind, so daß der Halbleiterkörper (14) eine pyramidenstumpfartige Form aufweist.

6. Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der reflektierende Rückseitenkontakt durch eine Metallschicht (20, 22), insbesondere durch eine bei der Wellenlänge der in der aktiven Zone erzeugten Strahlung hochreflektierende Metallschicht gebildet ist.

7. Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Zone in einem zentralen Bereich des Halbleiterkörpers (14) angeordnet ist, während ein die aktive Zone umgebender äußerer Bereich passiviert ist.

8. Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorderseitenkontakt (30, 32) und der Rückseitenkontakt (20, 22) einen zentralen Bereich des Halbleiterkörpers (14) kontaktieren und daß ein äußerer Bereich des Halbleiterkörpers (14) auf seiner Ober- und Unterseite mit einer Passivierungsschicht (18, 28) bedeckt ist.

9. Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (14) auf Basis von InGaAlP gebildet ist.

10. Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit den Verfahrensschritten:

- Bereitstellen eines Wachstumssubstrat zum epitaktischen Aufwachsen eines Halbleiterkörpers;

- Aufwachsen eines epitaktischen Halbleiterkörpers mit einer Photonen emittierenden, aktiven Zone, wobei die Oberfläche des aufgewachsenen Halbleiterkörpers eine erste Oberfläche bildet;

- Bereitstellen eines Quasisubstrats und Verbinden des Halbleiterkörpers mit seiner ersten Oberfläche und dem darauf aufgebrachten Rückseitenkontakt mit einer Oberfläche des Quasisubstrats;

- Ablösen des Wachstumssubstrat um eine zweite Oberfläche des Halbleiterkörpers freizulegen;

- Strukturieren des Halbleiterkörpers derart, daß er sich von der ersten zur zweiten Oberfläche hin verjüngt; und

- Aufbringen eines Vorderseitenkontakts auf die zweite Oberfläche des Halbleiterkörpers.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Strukturierens des Halbleiterkörpers ein Aufbringen eines Photolacks, ein Strukturieren des aufgebrachten Photolacks, eine Verrundung des strukturierten Photolacks zu Lackkalotten mit einem Lackfließprozeß und ein Übertragen der Kalottenstruktur in den Halbleiterkörper mit einem Ätzprozeß umfaßt.

12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß beim dem Schritt des Strukturierens der Halbleiterkörper mit Flanken ausgebildet wird, die sich von der zweiten Oberfläche zur ersten Oberfläche erstrecken, und die mit dem Quasisubstrat einen Winkel von etwa 1° bis etwa 45°, bevorzugt von etwa 10° bis etwa 30° einschließen.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper bei dem Schritt des Strukturierens in Form eines Kegelstumpfes ätzt wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper bei dem Schritt des Strukturierens in Form eines n-seitigen Pyramidenstumpfes, mit n ≥ 3 ätzt wird.