DE10147886B4

DE10147886B4 - Lumineszenzdiode mit vergrabenem Kontakt und Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE10147886B4
Application number: DE2001147886
Authority: DE
Inventors: Peter Heidborn
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2001-09-28
Publication date: 2006-07-13
Anticipated expiration: 2021-09-29
Also published as: DE10147886A1

Abstract

Lumineszenzdiode mit einer Dünnfilmstruktur, die eine erste Schicht (2) eines Halbleiters eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Schicht (3) eines Halbleiters eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktiven Zone (4) aufweist,
wobei die der zweiten Halbleiterschicht (3) abgewandte Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (2) eine Vorderseite (12) der Dünnfilmstruktur zur Auskopplung von in der aktiven Zone (4) erzeugten Strahlung bildet, und
die der ersten Halbleiterschicht (2) abgewandten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (3) eine Rückseite der Dünnfilmstruktur bildet, an der ein Rückseitenkontakt (11) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist,
wobei ein zweiter Kontakt (8) die erste Halbleiterschicht (2) elektrisch kontaktiert und der zweite Kontakt (8) von der zweiten Halbleiterschicht (3) durch eine erste Passivierungsschicht (6) elektrisch isoliert ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Kontakt (8) von der Rückseite der Dünnfilmstruktur her vergraben und in die erste Halbleiterschicht (2) eingegraben...

Description

Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiode mit einer Dünnfilmstruktur, die eine erste Schicht eines Halbleiters eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Schicht eines Halbleiters eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktiven Zone aufweist, wobei die der zweiten Halbleiterschicht abgewandte Oberfläche der ersten Halbleiterschicht eine Vorderseite der Dünnfilmstruktur zur Auskopplung von in der aktiven Zone erzeugten Strahlung bildet, und die der ersten Halbleiterschicht abgewandten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht eine Rückseite der Dünnfilmstruktur bildet, an der ein Rückseitenkontakt zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, wobei ein zweiter Kontakt die erste Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert und der zweite Kontakt von der zweiten Halbleiterschicht durch eine erste Passivierungsschicht elektrisch isoliert ist.
Lumineszenzdioden mit Dünnfilmstruktur bestehen üblicherweise im wesentlichen aus einem Schichtpaket, in dem die Lichterzeugung erfolgt und einem möglichst guten Spiegel, um auch das Licht aus dem Halbleiter auskoppeln zu können, das in Richtung der Montagefläche abgestrahlt wird.
Die Schichten werden dünn gehalten um eine möglichst geringe Materialabsorption zu erreichen. Dabei werden die einzelnen Schichten in der Regel nacheinander mittels MOPVE auf ein Substrat aufgewachsen. Da die Schichten nach Entfernen des Substrats nicht selbsttragend sind, werden sie in geeigneter Weise auf einen Träger aufgebracht, beispielsweise geklebt, gelötete oder gebondet. Der Träger übernimmt dabei teilweise auch die Funktion eines Spiegels. Beim Aufbringen stellen Un regelmäßigkeiten in den Oberflächen, insbesondere Aufwachsungen aus dem Reaktor auf der aktiven Schicht ein Problem dar, da die auftretenden Spannung zum Bruch des Wafers führen können.
Weiterhin ergibt sich bei Lumineszenzdioden mit Dünnfilmstruktur stets das Problem, eine homogene Stromausbreitung zu gewährleisten. In den dünnen Schichten ist die Querleitfähigkeit nicht hoch genug, so daß ein zentraler Stromanschluß in der Regel zu einer nicht ausreichend homogenen Stromverteilung in der Ebene der aktiven Schicht führt. Es müssen daher Kontaktstrukturen hergestellt werden, die ein großflächiges Anschließen der Halbleiter erlauben. In der Regel wird dies durch Kontaktgitter verschiedener Formen erreicht.
Zur Herstellung wird eine Dünnfilmstruktur epitaktisch auf einem Wachstumssubstrat aufgewachsen und ein erster Kontakt auf der Epitaxieoberfläche angebracht und strukturiert. Dann wird das Substrat mit der Dünnfilmstruktur auf einen Träger aufgebracht, das Substrat abgelöst und der zweite Kontakt auf der abstrahlenden Fläche hergestellt. Hier setzt die Erfindung an, in dem der zweite Kontakt auf besondere Weise bereitgestellt wird.

In der EP 0 798 784 A2 ist eine Lumineszensdiode mit einer optisch aktiven Schicht zwischen n- und p- dotierten Schichten beschrieben. Diese sind einerseits über eine großflächige, die emittierte Strahlung zurück reflektierenden Metallschicht oder andererseits über einen zweiten Kontakt elektrisch angeschlossen, der neben der Austrittsfläche der emittierten Strahlung angeordnet ist und damit nicht in die Halbleiterschicht eingegraben ist, die er kontaktiert. Der zweite Kontakt wird hier zwar derart bereit gestellt, dass dieser die Lichtemission nicht behindert. Allerdings trägt dieser Kontakt wenig zur Stabilität der Struktur bei. Auch ist eine homogene Stromausbreitung durch die abseitige Lage des Kontakts erschwert.

Die US 5 612 231 A offenbart Lumineszensdioden, die der der EP 0 798784 A2 sehr ähnlich sind und damit dieselben Nachteile aufweisen. Die Kontakte sind speziell Erfordernissen für LED-Arrays angepasst.

Der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, liegt die Aufgabe zugrunde, eine gattungsgemäße Lumineszenzdiode anzugeben, die die genannten Nachteile des Stands der Technik vermeidet, insbesondere die mit einer reduzierten Bruchgefahr hergestellt werden kann. Diese Aufgabe wird durch die Lumineszenzdiode nach Anspruch 1 gelöst. Die Erfindung stellt weiter ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Lumineszenzdiode nach Anspruch 11 bereit. Bevorzugte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.

Erfindungsgemäß ist bei einer Lumineszenzdiode der eingangs genannten Art der zweite Kontakt von der Rückseite der Dünnfilmstruktur her vergraben und in die erste Halbleiterschicht eingegraben.

Die Erfindung beruht also auf dem Gedanken, einen der Kontakte vergraben auszuführen, so daß sich der gesamte Herstellungsprozeß bis zum Aufbringen auf den Träger auf dem Wachstumssubstrat ausführen läßt. Das Wachstumssubstrat muß erst in einem letzten Schritt nach dem Verbinden von Dünnfilmstruktur und Träger entfernt werden. Dadurch wird der Herstellungsprozeß bruchunempfindlicher. Um den vergrabenen Kontakt von der zweiten Halbleiterschicht elektrisch zu isolieren, ist eine den Kontakt und die zweite Halbleiterschicht trennende Passivierungsschicht vorgesehen.

Neben der Reduzierung der Bruchgefahr wird durch diese Gestaltung als weiterer Vorteil erreicht, daß bei der erfindungsgemäßen Lumineszenzdiode die auf der Auskoppelseite (Vorderseite) angeordnete erste Halbleiterschicht durchgängig ist und keine Abschattung durch aufgebrachte Kontakte auf weist. Da die Halbleiterschicht bei der Dünnfilmstruktur als Wellenleiter mitfungiert, wird dadurch gegenüber herkömmlichen Gestalungen mit Kontakten auf der abstrahlenden Fläche eine höhere Auskoppeleffizienz erreicht.

Zweckmäßig ist der vergrabene Kontakt von dem Rückseitenkontakt durch eine zweite Passivierungsschicht elektrisch isoliert.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist der vergrabene Kontakt in Form paralleler Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur ausgebildet. Dadurch wird eine optimale Stromausbreitung in den durch diese Gestaltung entstehenden Miniaturemittern erreicht. Zugleich lassen sich durch eine solche Gestaltung der Kontakt leicht durch Anpassung der Größe der Kontaktmasken unterschiedlich große Emitterflächen erzeugen. Die Größe der so definierten Chips ist somit einfach skalierbar.

Die zweite Halbleiterschicht ist bevorzugt punktweise, mit parallelen Streifen oder mit einer Gitter- oder Wabenstruktur an den Rückseitenkontakt elektrisch angeschlossen. Mit Vorteil wird der Rückseitenkontakt als Spiegel für die in der aktiven Zone erzeugten Strahlung ausgebildet.

Die aktive Zone ist zweckmäßig durch einen pn-Übergang, einen Quantentrog oder einen Mehrfachquantentopf gebildet.

Bevorzugt ist die erste Halbleiterschicht der Dünnfilmstruktur aus einem n-leitenden III-V-Halbleiter und die zweite Halbleiterschicht aus einem p-leitenden III-V Halbleiter gebildet. Jedoch spielt die Reihenfolge der Schichten für die vorliegende Erfindung keine wesentliche Rolle, so daß auch eine Ausgestaltung, in der die erste Halbleiterschicht aus einem p-leitenden III-V-Halbleiter und die zweite Halbleiterschicht aus einem n-leitenden III-V Halbleiter gebildet ist, im Rahmen der Erfindung liegt.

Insbesondere sind die erste und/oder zweite Halbleiterschicht aus InGaP, InGaAlP, GaAlAs, GaN, oder anderen Gruppe III-Nitridhalbleitern gebildet.

Als Material für die Passivierungsschichten wird Si₃Ni₄ bervorzugt, jedoch kommt auch SiO₂ und, insbesondere bei GaN-basiertem Halbleitermaterial Al₂O₃ in Betracht.

Die Dicke der Dünnfilmstruktur beträgt bevorzugt bis zu etwa 50 μm, besonders bevorzugt bis zu etwa 30 μm.

Zur Herstellung einer Lumineszenzdiode mit einer Dünnfilmstruktur werden erfindungsgemäß die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt:

– Bereitstellen eines Wachstumssubstrats;
– Epitaktisches Aufwachsen eines Dünnfilmstapels aus einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktiven Zone;
– Bilden von Gräben in der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Zone zum örtlichen Freilegen der ersten Halbleiterschicht;
– Aufbringen einer ersten Passivierungsschicht und Entfernen der ersten Passivierungsschicht am Boden der Gräben zum Freilegen der ersten Halbleiterschicht;
– Einbringen eines Kontaktmaterials zum elektrischen Kontaktieren der ersten Halbleiterschicht;
– Aufbringen einer zweiten Passivierungsschicht zum Abdecken des eingebrachten Kontaktmaterials;
– Bilden von Gräben in der zweiten und ersten Passivierungsschicht zum örtlichen Freilegen der zweiten Halbleiterschicht;
– Aufbringen eines Kontaktmaterial zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht; und
– Entfernen des Wachstumssubstrats;

Zweckmäßig wird die Dünnfilmstruktur vor dem Entfernen des Wachstumssubstrats auf einen Träger aufgebracht.

Die Gräben in der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Zone werden in bevorzugten Ausgestaltungen des Verfahrens in Form paralleler Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur gebildet.

Ebenso werden die Gräben in der zweiten und ersten Passivierungsschicht mit Vorteil in Form von isolierten Punkten, parallelen Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur gebildet.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung der Ausführungsbeispiele und den Zeichnungen.

Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei sind nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt. Es zeigt
1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer LED-Dünnschichtstruktur im Querschnitt;
2 eine Aufsicht auf eine Lumineszenzdiode nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
3 eine Aufsicht auf eine Lumineszenzdiode nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;
4a-g schematische Darstellungen zur Erläuterung der Herstellung einer LED-Dünnschichtstruktur nach 1.
1 zeigt schematisch die Dünnfilmstruktur eines Ausführungsbeispiels der Erfindung im Querschnitt. Die Dünnfilmstruktur enthält eine 4,5 μm dicke n-InGaAlP-Schicht und eine darüber angeordnete, ebenfalls 4,5 μm dicke p-InGaAlP-Schicht. Zwischen der n-InGaAlP-Schicht und der p-InGaAlP-Schicht ist als aktive Zone 4 ein Mehrfachquantentopf (Multiple Quantum Well, MQW) angeordnet. Das in der aktiven Zone 4 erzeugte Licht wird im Betrieb über die Vorderseite 12 der Dünnfilmstruktur ausgekoppelt.
Zur Stromzuführung ist ein n-Kontakt 8 und eine p-Kontaktschicht 11 vorgesehen. Dabei ist die p-Kontaktschicht 11 im Ausführungsbeispiel eine Au-Schicht, die gleichzeitig als Spiegel wirkt, der das von der aktiven Zone nach hinten, also in die der Auskoppelfläche 12 entgegengesetzte Richtung emittierte Licht reflektiert und dadurch die ausgekoppelte Strahlungsleitung erhöht.
Die p-Kontaktschicht ist im Ausführungsbeispiel punktweise (Bezugszeichen 10) mit der p-InGaAlP-Schicht 3 verbunden. Dabei kann das Kontaktmaterial ebenfalls Gold sein, bevorzugt ist jedoch die Verwendung eines Materials, das einen besonders guten elektrischen Kontakt zur Halbleiterschicht ergibt, beispielsweise Au/Sn oder Au/Zn. Somit kann für den Spiegel und das Kontaktmaterial unabhängig ein geeignetes Material gewählt werden. Diese Anordnung ist auch in der Aufsicht von 2 zu erkennen.
Der n-Kontakt 8 zur n-InGaAlP-Schicht 2 ist als vergrabener Kontakt ausgeführt, der eine Mehrzahl paralleler Streifen enthält. Die Breite der n-Streifen 8 beträgt im Ausführungsbeispiel 3 μm bei einem Abstand der Streifen von 15 μm.
Allgemein hat sich ein Verhältnis Breite : Abstand von etwa 1:5 als geeignet herausgestellt, wobei die Breiten der Kontaktstreifen einige μm betragen und ihre Abstände in der Größenordung von 10 μm bis zu einigen 10 μm liegen.
Das Kontaktmaterial 8 ist durch eine Si₃N₄-Passivierungsschicht 6 von der p-Halbleiterschicht 3 und durch eine weitere Si₃N₄-Passivierungsschicht 9 von der p-Kontaktschicht 11 elektrisch isoliert. Wie aus 2 ersichtlich, sind die einzelnen n-Streifen 8 an einer Seite des Lumineszenzdiodenchips 20 elektrisch miteinander und mit einem Bodpad 13 verbunden.
In einer anderen Ausgestaltung (3) eines Lumineszenzdiodenchips 30 ist die p-Kontaktschicht 11 streifenförmig an die p-Halbleiterschicht 3 angeschlossen (Bezugszeichen 10').
Beiden Ausführungsformen ist gemein, daß die an der Auskoppelseite angeordnete Halbleiterschicht, hier die n-InGaAlP-Schicht 2 durchgängig ist und keine Abschattung durch Kontakte aufweist. Da die Schicht 2 bei der Dünnfilmstruktur als Wellenleiter mitfungiert, wird so eine höhere Auskoppeleffizienz erreicht.
Der vergrabene Kontakt 8 kann insbesondere in Gitter- oder Wabenstruktur ausgebildet werden, wodurch eine gute Stromausbreitung in den durch diese Gestaltung entstehenden Miniaturemittern erreicht wird.
Auch lassen sich durch eine derartige Gestaltung durch die Anpassung der Größe der Kontaktmasken leicht unterschiedlich große Emitterflächen erzeugen, so daß die Größe der dadurch entstehenden LED-Chips in einfacher Weise skalierbar ist.
Dazu ist der Herstellungsprozeß weniger bruchanfällig, wie nachfolgend im Zusammenhang mit einem Herstellungsverfahren für eine beschriebene Lumineszenzdiode im Einzelnen dargestellt.
Zur Herstellung einer Lumineszenzdiode wird auf ein n-GaAs Substrat 1 eine n-InGaAlF-Schicht 2 einer Dicke von 4,5 μm, ein Mehrfachquantentopf 4 in einer Dicke von 100 nm, und eine p-InGaAlP-Schicht 3 mit einer Dicke von 4,5 μm epitaktisch aufgewachsen (4a).
Dann werden durch eine geeignete Maskierung Gräben 5 erzeugt, die durch die p-Halbleiterschicht 3 und die aktive Zone 4 hindurch bis zur n-Halbleiterschicht 2 reichen (4b).
Die Struktur wird anschließend mit einer Si₃N₄-Passivierungsschicht 6 überzogen, die an den Böden 7 der Gräben 5 entfernt wird, um die n-Halbleiterschicht 2 freizulegen (4c).
Die Gräben werde mit einem für die untere Schicht geeignetem Kontaktmaterial 8 gefüllt (4d) und danach mit einer weiteren Si₃N₄-Passivierungsschicht 9 abgedeckt (4e).
Dann werden Gräben 10 in die Passivierungsschicht 9 und die Passivierungsschicht 6 eingebracht, die mit für die p-Halbleiterschicht geeignetem Kontaktmaterial gefüllt werden. Darauf wird ein spiegelnder Rückseitenkontakt 11 aus Gold oder Aluminium aufgebracht (4f).
Anschließend wird die Struktur auf einen geeigneten Träger eutektisch aufgelötet und das Wachstumssubstrat 1 entfernt. 4g zeigt die Dünnfilmstruktur nach Entfernen des Substrats, jedoch ohne Träger.
Die p-Kontaktschicht 11 wird bei dem Verfahren in einer solchen Dicke aufgebracht, daß sie Unebenheiten ausgleichen kann, wodurch die Gefahr eines Bruches beim Aufbringen der Struktur auf den Träger deutlich verringert wird.
Dazu entfällt durch den vergrabenen Kontakt die Notwendigkeit, auf die abstahlende Fläche der Dünnfilmstruktur Kontakte aufzubringen.

Claims

Lumineszenzdiode mit einer Dünnfilmstruktur, die eine erste Schicht (2) eines Halbleiters eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Schicht (3) eines Halbleiters eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktiven Zone (4) aufweist, wobei die der zweiten Halbleiterschicht (3) abgewandte Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (2) eine Vorderseite (12) der Dünnfilmstruktur zur Auskopplung von in der aktiven Zone (4) erzeugten Strahlung bildet, und die der ersten Halbleiterschicht (2) abgewandten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (3) eine Rückseite der Dünnfilmstruktur bildet, an der ein Rückseitenkontakt (11) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist, wobei ein zweiter Kontakt (8) die erste Halbleiterschicht (2) elektrisch kontaktiert und der zweite Kontakt (8) von der zweiten Halbleiterschicht (3) durch eine erste Passivierungsschicht (6) elektrisch isoliert ist, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Kontakt (8) von der Rückseite der Dünnfilmstruktur her vergraben und in die erste Halbleiterschicht (2) eingegraben ist.
Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, bei der der vergrabene Kontakt (8) von dem Rückseitenkontakt (11) durch eine zweite Passivierungsschicht (9) elektrisch isoliert ist.
Lumineszenzdiode nach Anspruch 1 oder 2, bei der vergrabene Kontakt (8) in Form paralleler Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur ausgebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der die zweite Halbleiterschicht (3) punktweise, mit parallelen Streifen oder mit einer Gitter- oder Wabenstruktur an den Rückseitenkontakt (11) elektrisch angeschlossen ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der der Rückseitenkontakt (11) als Spiegel für die in der aktiven Zone erzeugten Strahlung ausgebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der die aktive Zone (4) durch einen pn-Übergang, einen Quantentrog oder einen Mehrfachquantentopf gebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der die erste Halbleiterschicht (2) aus einem n-leitenden III-V-Halbleiter und die zweite Halbleiterschicht (3) aus einem p-leitenden III-V Halbleiter gebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die erste Halbleiterschicht (2) aus einem p-leitenden III-V-Halbleiter und die zweite Halbleiterschicht (3) aus einem n-leitenden III-V Halbleiter gebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der die erste und/oder zweite Halbleiterschicht (2, 3) aus InGaP, InGaAlP, GaAlAs oder GaN gebildet ist.
Lumineszenzdiode nach einem der vorigen Ansprüche, bei der die Dünnfilmstruktur (2, 3, 4) eine Dicke von bis zu etwa 50 μm, bevorzugt von bis zu etwa 30 μm aufweist.
Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode mit einer Dünnfilmstruktur, mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Wachstumssubstrats; – Epitaktisches Aufwachsen eines Dünnfilmstapels aus einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktiven Zone; – Bilden von Gräben in der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Zone zum örtlichen Freilegen der ersten Halbleiterschicht; – Aufbringen einer ersten Passivierungsschicht und Entfernen der ersten Passivierungsschicht am Boden der Gräben zum Freilegen der ersten Halbleiterschicht; – Einbringen eines Kontaktmaterials zum elektrischen Kontaktieren der ersten Halbleiterschicht; – Aufbringen einer zweiten Passivierungsschicht zum Abdecken des eingebrachten Kontaktmaterials; – Bilden von Gräben in der zweiten und ersten Passivierungsschicht zum örtlichen Freilegen der zweiten Halbleiterschicht; – Aufbringen eines Kontaktmaterial zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht; und – Entfernen des Wachstumssubstrats;
Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach Anspruch 11, bei dem die Dünnfilmstruktur vor dem Entfernen des Wachstumssubstrats auf einen Träger aufgebracht wird.
Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die Gräben in der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Zone in Form paralleler Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur gebildet werden.
Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die Gräben in der zweiten und ersten Passivierungsschicht in Form von isolierten Punkten, parallelen Streifen, eines Gitters oder einer Wabenstruktur gebildet werden.