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DE10022726A1 - Thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents

Thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen und Verfahren zum Herstellen desselben

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Publication number
DE10022726A1
DE10022726A1 DE10022726A DE10022726A DE10022726A1 DE 10022726 A1 DE10022726 A1 DE 10022726A1 DE 10022726 A DE10022726 A DE 10022726A DE 10022726 A DE10022726 A DE 10022726A DE 10022726 A1 DE10022726 A1 DE 10022726A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thermoelectric
electrodes
chip
type
thermoelectric module
Prior art date
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DE10022726A
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English (en)
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Hirokazu Yoshioka
Kazuo Kamada
Yoji Urano
Kentaro Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

Ein thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen kann durch das folgende Verfahren hergestellt werden. Ein thermoelektrischer Chip mit freiliegenden Flächen von Halbleiterelementen vom N-Typ und vom P-Typ auf seiner oberen und unteren Fläche wird vorbereitet, indem die Halbleiterelemente matrixartig derart angeordnet werden, daß jedes Halbleiterelement vom N-Typ über einen Freiraum benachbart dem Halbleiterelement vom P-Typ angeordnet wird und der freie Raum mit einem ersten Harzmaterial, das elektrisches Isolationsvermögen aufweist, ausgefüllt wird. Eine metallische Schicht wird auf jeder der freiliegenden Flächen der Halbleiterelemente auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet. Dann werden erste Elektroden auf der oberen Fläche des thermoelktrischen Chips entsprechend einem ersten Schaltungsmuster gebildet, so daß jede der ersten Elektroden elektrisch benachbarte Halbleiterelemente verbindet. In ähnlicher Weise werden zweite Elektroden auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, derart verbunden, daß jede der zweiten Elektroden benachbarter Halbleiterelemente elektrisch verbindet. Eine elektrisch isolierende Folie aus einem zweiten Harzmaterial, welches ein keramisches Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit enthält, wird auf die obere und untere Fläche des thermoelektrischen Chips gebracht, um das ...

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein thermoelektrisches Modul, welches eine Temperatur­ steuervorrichtung ist, die den Peltier-Effekt ausnutzt, und insbesondere ein thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen und ein Verfahren zum Herstellen des thermoelektrischen Moduls.
2. Offenbarung des Standes der Technik
Wie in den Fig. 10A und 10B gezeigt hat ein herkömmliches thermoelektrisches Modul 1P eine solche Struktur, daß es eine Anordnung von Halbleiterelementen 21P vom N-Typ und Halbleiterelementen 22P vom P-Typ aufweist, die matrixartig derart angeordnet sind, daß jedes der Halbleiterelemente 21P vom N-Typ über einen erforderlichen Freiraum benachbart dem Halbleiterelement 22P vom P-Typ angeordnet ist, wobei obere Elektroden 5P, die auf einer oberen Fläche der Anordnung angeordnet sind, um zwischen benachbarten Halblei­ terelementen 21P und 22P entsprechend einem ersten Schaltungsmuster zu verbinden, untere Elektroden 6P, die an einer Unterfläche der Anordnung angeordnet sind, um zwischen be­ nachbarten Halbleiterelementen 21P und 22P gemäß einem zweiten Schaltungsmuster, das vom ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, zu verbinden, und Keramikplatten 8P, bei­ spielsweise gesinterte Aluminiumoxidplatten, die mit den oberen und unteren Elektroden 5P und 6P verbunden sind, vorgesehen sind.
Wenn zum Beispiel Gleichstrom an das thermoelektrische Modul 1P angelegt wird, hat jede der oberen Elektroden 5P einen Fluß an Elektrizität vom Halbleiterelement 21P vom N-Typ zum Halbleiterelement 22P vom P-Typ, und andererseits hat jede der unteren Elektroden 6P den Fluß an Elektrizität vom Halbleiterelement 22P vom P-Typ zum Halbleiterelement 21P vom N-Typ. Zu diesem Zeitpunkt absorbieren die oberen Elektroden 5P Wärme aus der Um­ gebung durch die keramische Platte 8P, und die unteren Elektroden 6P strahlen Wärme an die Umgebung über die keramische Platte 8P ab. Somit arbeitet das thermoelektrische Modul 1P als eine Art Wärmepumpe zum Pumpen von Wärme von einer Seite zu seiner entgegenge­ setzten Seite, was üblicherweise Peltier-Effekt genannt wird. Gemäß diesem Grundsatz ist es möglich, das thermoelektrische Modul 1P als eine Temperatursteuervorrichtung für elektroni­ sche Teile oder Schaltkarten zu benutzen.
Als Materialien für die Halbleiterelemente 21P und 22P werden Bi2Te3 und Sb2Te3 weithin verwendet. Da diese Verbindungen spröde Materialien sind, treten leicht Risse oder Absplit­ tern der Halbleiterelemente während eines Herstellungsprozesses des thermoelektrischen Mo­ duls auf, so daß es das Problem gibt, daß die Ausbeute bei den Halbleiterelementmaterialien gering ist. Dies erhöht die Herstellungskosten und verringert den Grad an Zuverlässigkeit beim thermoelektrischen Modul. Zusätzlich sind die keramischen Platten 8P üblicherweise an die oberen und unteren Elektroden 5P und 6P mittels eines Lötmaterials 9P gelötet, um die strukturelle Stabilität des thermoelektrischen Moduls 1P zu halten. Da wegen eines Unter­ schiedes im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen den Halbleiterelementmateria­ lien und dem Material der keramischen Platten thermische Belastung auftritt, können durch die thermische Belastung Risse in den keramischen Platten oder den Halbleiterelementen er­ zeugt werden.
Die japanische Offenlegung [KOKAI] 10-51039 offenbart ein thermoelektrisches Modul 1R mit Flexibilität und Widerstandsvermögen gegen thermische Belastung. Bei diesem thermo­ elektrischen Modul 1R sind benachbarte Halbleiterelemente 21R und 22R mechanisch über ein Halteelement 3R verbunden, beispielsweise ein Silikonharzklebmittel mit elektrischem Isolationsvermögen und Flexibilität, anstelle der spröden keramischen Platten, wie in Fig. 11 gezeigt. Aufgrund der Flexiblität des Halteelements 3R kann das thermoelektrische Modul 1R an eine gekrümmte Fläche angepaßt und mit dieser verklebt werden. Zusätzlich werden Silikonfilme 51R mit elektrischem Isolationsvermögen auf den oberen und unteren Elektro­ den 5R und 6R des thermoelektrischen Moduls 1R gebildet.
Andererseits offenbart die japanische Offenlegung [KOKAI] 9-293909 ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Moduls 15 zum Zwecke des Vergrößerns der Ausbeute bei Halbleiterelementmaterialien. Bei diesem Verfahren, wie in Fig. 12A gezeigt, wird ein thermoelektrischer Chip 10S mit freiliegenden Flächen aus Halbleiterelementen 21S und 22S vom N-Typ und vom P-Typ auf der oberen und unteren Fläche 11S, 12S hergestellt, indem eine Matrixanordnung der Halbleiterelemente getroffen wird und die Matrixanordnung als Ganzes in ein elektrisches Isolationsharz 3S so wie Epoxyharze, eingeformt wird. Anschließend, wie in Fig. 12B gezeigt, werden metallische Filme 4S auf den freiliegenden Flächen der Halbleiterelemente 21S, 22S und des isolierenden Harzes 4S gebildet, um benachbarte Halbleiterelemente gemäß einem ersten Leitungsmuster auf der oberen Fläche und einem zweiten Leitungsmuster auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips 10S zu verbin­ den. Kupferelektroden 5S werden dann auf den metallischen Film 4S durch Elektroplattieren gebildet, wie in Fig. 12C gezeigt. Da die Halbleiterelemente 21S und 22S durch das isolie­ rende Harz 3S in den thermoelektrischen Chip 10S verstärkt werden, ist es möglich, das Auf­ treten von Rissen oder Absplittern bei den Halbleiterelementen zu verringern und die Aus­ beute bei den Halbleiterelementmaterialien zu verbessern.
Um im übrigen die Temperatur von Gegenständen, so wie elektronischen Teilen und Schalt­ karten durch Verwendung des thermoelektrischen Moduls genau zu steuern, ist es notwendig, das Wärmeübertragungsvermögen zwischen dem thermoelektrischen Modul und den Gegen­ ständen zu verbessern, während die elektrische Isolation zwischen ihnen aufrechterhalten wird. Die Silikonfilme 51R, die auf den Elektroden 5R, 6R, des thermoelektrischen Moduls 1R, in Fig. 11 gezeigt, gebildet sind, stellen die elektrische Isolation bereit. Jedoch ist das Wärmeübertragungsvermögen des Silikonfilms 51R viel geringer als das herkömmlicher ke­ ramischer Materialien. Herkömmliche organische Harze haben 1/50stel bis zu 1/200stel der thermischen Leitfähigkeit von Aluminiumoxidkeramik. Daher ist dieses thermoelektrische Modul vom Gesichtspunkt des Wärmeübertragungsvermögens her verbesserungsfähig.
Andererseits wird bei dem thermoelektrischen Modul 15 der japanischen Offenlegung [KOKAI] 9-293909 ein Fettmaterial 51S mit elektrischem Isolationsvermögen auf die obere und untere Fläche 11S, 12S des thermoelektrischen Chips 10S aufgetragen, wie in Fig. 12D gezeigt, und dann werden Wärmeübertragungsplatten 52S, die aus einem metallischen Mate­ rial mit ausgezeichneter thermischer Leitfähigkeit hergestellt sind, so wie Aluminium oder Kupfer, auf das Fettmaterial 51S gelegt, wie in Fig. 12E gezeigt. In diesem Fall gibt es Pro­ bleme, weil die thermische Leitfähigkeit des Fettmaterial 51S schlecht ist, und die strukturelle Stabilität des thermoelektrischen Moduls 1S ist gering, da die Wärmeübertragungsplatten 51S lediglich auf den thermoelektrischen Chip 10S über das Fettmaterial 51S gelegt sind. Zusätzlich, wenn die Dicke des Fettmaterial 51S teilweise gering wird, kann ein Kurzschluß zwi­ schen den Elektroden und der Wärmeübertragungsplatte hervorgerufen werden. Somit ist es erforderlich, das Fettmaterial 51S mit schlechter thermischer Leitfähigkeit auf den thermo­ elektrischen Chip 10S mit einer Dicke aufzubringen, die ausreichend ist, die elektrische Iso­ lation dazwischen aufrecht zu erhalten.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Angesichts der obigen Probleme ist es eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, ein thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen bereitzustellen. Das heißt, das thermoelektrische Modul der vorliegenden Erfindung weist auf:
einen thermoelektrischen Chip mit freiliegenden Oberflächen thermoelektrischer Elemente vom ersten Typ und vom zweiten Typ auf seiner oberen und unteren Fläche, wobei die ther­ moelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet sind, daß jedes der thermoelektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart dem thermoelektrischen Element des zweiten Typs angeordnet wird, wobei der Freiraum mit einem ersten Harzmaterial mit elektrischem Isolationsvermögen gefüllt ist;
eine metallische Schicht, die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektrischen Ele­ mente auf der oberen und unteren Fläche des themoelektrischen Chips ausgebildet ist;
erste Elektroden, die auf der oberen Fläche des thermoelektrischen Chips gemäß einem ersten Schaltungsmuster ausgebildet sind, wobei jede elektrisch zwischen benachbarten thermoelek­ trischen Elementen verbindet; und
zweite Elektroden, die auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gemäß einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, gebildet sind, wobei jede elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet;
wobei das thermoelektrische Modul dadurch gekennzeichnet ist, daß es eine der beiden Kom­ ponenten (A) und (B) enthält:
  • A) eine elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem zweiten Harzmaterial, welches ein keramisches Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit enthält, die wenigstens auf der gesamten oberen Fläche mit den ersten Elektroden oder der gesamten unteren Fläche mit den zweiten Elektroden des thermoelektrischen Chips oder auf beiden Flächen gebildet ist; oder
  • B) eine elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem dritten Harzmaterial, das wenig­ stens auf einer der gesamten oberen Fläche mit den ersten Elektroden oder der gesamten unte­ ren Fläche mit den zweiten Elektroden des thermoelektrischen Chips oder auf beiden Flächen ausgebildet ist, und einer Wärmeübertragungsschicht, welche aus einer metallischen Folie mit einem Keramik-Sprühüberzug mit hoher thermischer Leitfähigkeit zusammengesetzt ist, die auf der isolierenden Schicht derart gebildet ist, daß der Keramik-Sprühüberzug in Kontakt mit der isolierenden Schicht liegt.
Bei der Komponente (A) ist es bevorzugt, ein Epoxyharz, welches ein Aluminiumoxidpulver enthält, als das zweite Harzmaterial, welches das keramische Pulver enthält, zu verwenden. Es ist auch bevorzugt, daß ein Gehalt an keramischem Pulver bei dem zweiten Harzmaterial in­ nerhalb eines Bereiches von 5 bis 50 Vol.-% liegt. Darüberhinaus ist es bevorzugt, eine lei­ tende Schicht, beispielsweise aus Kupfer, auf der isolierenden Schicht aus dem zweiten Harzmaterial, welches das keramische Pulver enthält, zu haben. Bei der Komponente (B) ist es bevorzugt, eine Kupferfolie mit einem Aluminiumoxid-Sprühüberzug als die metallische Folie mit dem Keramik-Sprühüberzug zu haben. Es ist auch bevorzugt, daß eine Dicke des keramischen Sprühüberzuges innerhalb eines Bereiches von 10 bis 100 µm und weiter bevor­ zugt von 20 bis 60 µm liegt.
Das thermoelektrische Modul, wie es oben beschrieben ist, hat die folgenden Vorteile. Bei dem thermoelektrischen Modul mit der Komponente (A) kann, da das keramische Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit gleichmäßig in der isolierenden Schicht verteilt ist, das Wärmeübertragungsvermögen des thermoelektrischen Moduls bemerkenswert verbessert werden gegenüber dem Fall, daß einfach ein organischer Harzfilm mit elektrischer Isolation gebildet wird, so wie ein Silikonfilm, der im Stand der Technik eingeführt worden ist. Zusätzlich braucht man keine Sorge über das Problem der thermischen Belastung zu haben. Daher ist es möglich, dem thermoelektrischen Modul einen höheren Grad an Zuverlässigkeit zu verleihen. Andererseits kann bei dem thermoelektrischen Modul mit der Komponente (B), da die elektri­ sche Isolation zwischen dem thermoelektrischen Chip und der metallischen Folie durch den Keramik-Sprühüberzug sichergestellt ist, eine Dicke der Isolationsschicht des dritten Harz­ materials verringert werden, um das Wärmeübertragungsvermögen des thermoelektrischen Moduls zu verbessern. Zusätzlich, da der Keramik-Sprühüberzug dünn ist, zeigt das thermo­ elektrische Modul der vorliegenden Erfindung gute Flexibilität und Widerstandsfähigkeit ge­ genüber thermischer Belastung, anders als herkömmliche thermoelektrische Module mit gesinterten Platten, die auf Elektroden gelötet sind.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen des thermoelektrischen Moduls mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen bereitzustellen. Das heißt, das Verfahren weist die Schritte auf:
Vorbereiten eines thermoelektrischen Chips mit freiliegenden Flächen von thermoelektrischen Elementen des ersten Typs und des zweiten Typs auf seiner oberen und unteren Fläche, indem die thermoelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet werden, daß jedes der thermo­ elektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart zu dem thermoelektri­ schen Element des zweiten Typs angeordnet ist, und Auffüllen des Freiraumes mit einem er­ sten Harzmaterial mit elektrischem Isolationsvermögen;
Bilden einer metallischen Schicht, die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektri­ schen Elemente auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet wird;
Bilden erster Elektroden auf der oberen Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem ersten Schaltungsmuster derart, daß jede der ersten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen elektrisch verbindet; und
Bilden zweiter Elektroden auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, derart, daß jede der zweiten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet; und
Anbringen einer elektrisch isolierenden Folie aus einem zweiten Harzmaterial, welches ein keramisches Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit enthält, auf wenigstens die obere Flä­ che mit den ersten Elektroden oder die untere Fläche mit den zweiten Elektroden des thermo­ elektrischen Chips oder auf beide Flächen.
Zusätzlich ist es eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Her­ stellen eines thermoelektrischen Moduls mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen bereitzustellen. Das heißt, das Verfahren weist die Schritte auf:
Vorbereiten eines thermoelektrischen Chips mit freiliegenden Flächen thermoelektrischer Elemente eines ersten Typs und eines zweiten Typs auf seiner oberen und unteren Fläche, indem die thermoelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet werden, daß jedes der thermoelektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart dem thermo­ elektrischen Element zweiten Typs angeordnet ist, und Auffüllen des Freiraums mit einem ersten Harzmaterial mit elektrischem Isolationsvermögen;
Bilden einer metallischen Schicht, die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektri­ schen Elemente auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet wird;
Bilden erster Elektroden auf der oberen Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem ersten Schaltungsmuster derart, daß jede der ersten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet; und
Bilden zweiter Elektroden auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gemäß einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, derart, daß jede der zweiten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Ele­ menten verbindet;
Bringen einer elektrisch isolierenden Klebmittelschicht aus einem dritten Harzmaterial auf wenigstens die obere Fläche mit den ersten Elektroden oder die untere Fläche mit den zweiten Elektroden des thermoelektrischen Chips oder auf beide Flächen;
Bringen einer metallischen Folie mit einem Keramik-Sprühüberzug mit hoher thermischer Leitfähigkeit auf die Klebmittelschicht derart, daß der Keramik-Sprühüberzug in Kontakt mit der Klebmittelschicht liegt; und
Anbinden der metallischen Folie an den thermoelektrischen Chip mittels der Klebmittel­ schicht.
Bei den oben beschriebenen Verfahren ist es möglich, in effizienter Weise das thermoelektri­ sche Modul mit großem Wärmeübertragungsvermögen der vorliegenden Erfindung mit er­ höhter Ausbeute bei den Halbleiterelementmaterialien herzustellen.
Weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung und dadurch hervorgerufene Wirkungen wer­ den in Einzelheiten aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verstanden werden, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1A bis 1E sind schematische Schaubilder, die ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Moduls gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zei­ gen;
Fig. 2A bis 2E sind schematische Schaubilder, die einen Prozeß der Herstellens eines thermoelektrischen Chips zeigen;
Fig. 3A bis 3C sind schematische Schaubilder, die einen weiteren Prozeß des Herstellens des thermoelektrischen Chips zeigen;
Fig. 4A und 4B zeigen Muster metallischer Filme, die auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet sind;
Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines thermoelektrischen Moduls gemäß der Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 ist ein Schaubild, das eine Modifikation des in Fig. 1 gezeigten Verfahrens zeigt;
Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht eines thermoelektrischen Moduls, das gemäß der Modifi­ kation der Fig. 6 erhalten worden ist;
Fig. 8 ist eine perspektivische Ansicht eines thermoelektrischen Moduls, angeordnet auf einer metallischen Sockelanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 9A bis 9C sind Schaubilder, die jedes eine elektrische Verbindung von Drähten mit dem thermoelektrischen Modul der vorliegenden Erfindung zeigen;
Fig. 10A und 10B sind perspektivische und Querschnitts-Ansichten jeweils eines her­ kömmlichen thermoelektrischen Moduls;
Fig. 11 ist eine Teil-Querschnittsansicht eines thermoelektrischen Moduls der japanischen Offenlegung [KOKAI] 10-51039; und
Fig. 12A bis 12E sind schematische Schaubilder, die ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Moduls der japanischen Offenlegung [KOKAI] 9-293909 zeigen.
GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in Einzelheiten mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Ein thermoelektrisches Modul der vorliegenden Erfindung kann gemäß dem folgenden Ver­ fahren hergestellt werden. Zunächst wird ein thermoelektrischer Chip 10, in Fig. 1A gezeigt, vorbereitet. Bei dieser Ausführungsform werden Halbleiterelemente 21 vom N-Typ, herge­ stellt aus Bi2Te3, und Halbleiterelemente 22 vom P-Typ, hergestellt aus Sb2Te3, jeweils als thermoelektrische Elemente vom ersten Typ und vom zweiten Typ benutzt. Der thermoelek­ trische Chip 10 hat eine Struktur, daß die Halbleiterelemente 21, 22 vom N-Typ und vom P- Typ matrixartig derart angeordnet sind, daß jedes der Halbleiterelemente vom N-Typ über einen erforderlichen Freiraum jeweils in der X- und Y-Richtung benachbart dem Halblei­ terelement vom P-Typ angeordnet ist, und der Freiraum zwischen benachbarten Halblei­ terelementen wird mit einem ersten Harz 3 mit elektrischem Isolationsvermögen gefüllt. Als das erste Harz 3 ist es beispielsweise möglich, Epoxyharze, Phenolharze oder Polyimidharze zu benutzen. Vom Gesichtspunkt des Wärmewiderstands her ist es besonders bevorzugt, Epoxyharze oder Polyimidharze zu verwenden. Um das Haftvermögen zwischen dem Halb­ leiterelement und dem ersten Harz 3 zu verbessern, können die Halbleiterelemente 21, 22 vor­ ab mit einem Polyimidharz beschichtet worden sein. Der thermoelektrische Chip 10 hat frei­ liegende Flächen der Halbleiterelemente 21, 22 auf seiner oberen und unteren Fläche 11, 12.
Der thermoelektrische Chip 10 kann entsprechend dem folgenden Prozeß hergestellt werden. Wie in Fig. 2A gezeigt, werden Wafer 23, 24 der Halbleiterelementmaterialien vom N-Typ und vom P-Typ auf Platten 30, 31 gebracht. Dann, wie in Fig. 2B gezeigt, wird Formsenken durchgeführt, um Anordnungen jeweils der Halbleiterelemente 21, 22, vom N-Typ und vom P-Typ auf den Platten 30, 31 zu erhalten. Die Platte 30 wird auf die Platte 31 gelegt, so daß die Matrixanordnung der Halbleiterelemente 21, 22 des N-Typs und des P-Typs zwischen den Platten 30 und 31 gebildet wird, wie in Fig. 2C gezeigt. Ein Freiraum zwischen den Platten 30 und 31 wird mit dem ersten Harz 3 ausgefüllt, um ein Laminat zu erhalten, wie in Fig. 2D gezeigt. Indem die Platten 30, 31 vom Laminat entfernt werden, wird der thermoelektrische Chip 10 mit den freiliegenden Flächen der Halbleiterelemente 21, 22 auf seiner oberen und unteren Fläche erhalten, wie in Fig. 2E gezeigt.
Als Alternative kann der thermoelektrische Chip entsprechend dem folgenden Prozeß vorbe­ reitet werden, der in der japanischen Offenlegung [KOKAI] 9-293909 offenbart ist. Das heißt, wie in Fig. 3A gezeigt, wird ein Bündel von Halbleiterstäben 25 mittels eines Paares Hal­ teelemente 40 gehalten. Jedes der Halteelemente 40 hat eine Vielzahl Fenster 41 zum Auf­ nehmen der Enden der Halbleiterstäbe 25. Dieses Halteelement 40 kann 16 (4 × 4) Halbleiter­ stäbe 25 halten. Nachdem die Halbleiterstäbe 25, die von den Halteelementen 40 gehalten werden, in ein Gehäuse 40 gebracht werden, wird das erste Harz 3 in das Gehäuse 42 gegos­ sen, um die Halbleiterstangen 25 zu einem Stück zu gießen. Wie in Fig. 3B gezeigt, wird der gegossene Gegenstand 45 in eine Richtung senkrecht zu der Achse der Halbleiterstange 25 geschnitten, um eine Vielzahl thermoelektrischer Chips 10 zu erhalten, wie in Fig. 3C ge­ zeigt. Bei diesem Verfahren gibt es einen Vorteil, daß in effektiver Weise die thermoelektri­ schen Chips 10 mit Gleichförmigkeit in der Abmessungsgenauigkeit zur Verfügung gestellt werden. Zusätzlich, da das Schneiden durchgeführt wird, nachdem die Halbleiterstangen 25 durch das erste Harz 3 zu einem Stück formgegossen sind, ist es möglich, das Auftreten von Rissen oder Absplittern in den Halbleiterelementen während des Prozesses des Herstellens des thermoelektrischen Chips zu verhindern.
Als nächstes, wie in Fig. 1B gezeigt, werden metallische Filme 4a, 4b, auf der oberen und unteren Fläche 11, 12 des thermoelektrischen Chips 10 gebildet. Fig. 4A und 4B zeigen jeweils eine erstes und zweites Schaltungsmuster für die metallischen Filme 4a, 4b. Auf der oberen Fläche 11 des thermoelektrischen Chips 10 werden die metallischen Filme 4a auf den freiliegenden Flächen der Halbleiterelemente 21, 22 und dem ersten Harz 3, das sich zwischen benachbarten Halbleiterelementen erstreckt, gebildet, so daß jeder der metallischen Filme 4a benachbarte Halbleiterelemente gemäß dem ersten Schaltungsmuster verbindet. In ähnlicher Weise werden auf der unteren Fläche 12 des thermoelektrischen Chips 10 die metallischen Filme 4b auf den freiliegenden Flächen der Halbleiterelemente und dem ersten Harz 3, das sich zwischen benachbarten Halbleiterelementen erstreckt, gebildet, so daß jeder der metalli­ schen Filme 4b die benachbarten Halbleiterelemente gemäß dem zweiten Schaltungsmuster verbindet, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist. Es ist bevorzugt, daß je­ der der metallischen Filme 4a, 4b aus wenigstens Nickel (Ni) und Zinn (Sn) oder einem da­ von besteht. Zusätzlich ist es bevorzugt, ein Sputterverfahren einzusetzen, um die metalli­ schen Filme 4a, 4b zu bilden. Bei dieser Ausführungsform werden Ni-Filme mit 0.5 µm Dic­ ke durch Sputtern als die metallischen Filme 4a, 4b gebildet.
Dann, wie in Fig. 1C gezeigt, werden obere und untere Elektroden 5, 6 aus Kupfer mit einer Dicke von 0,5 mm auf den metallischen Film 4a, 4b gebildet. Das heißt, die oberen Elektro­ den 5 werden auf den metallischen Film 4a gemäß dem ersten Schaltungsmuster gebildet, und die unteren Elektroden 6 werden auf den metallischen Filmen 4b gemäß dem zweiten Schal­ tungsmuster gebildet. Bei der vorliegenden Erfindung, da die metallischen Filme 4a, 4b vorab auf dem thermoelektrischen Chip 10 gebildet werden, ist es möglich, die oberen und unteren Elektroden 5, 6 durch Elektroplattieren oder autokatalytisches Plattieren zu bilden. Wenn das thermoelektrische Modul mit einem relativ geringen Energieverbrauch hergestellt wird, ist es bevorzugt, die oberen und unteren Elektroden 5, 6 mit einer Dicke von 0,05 mm durch auto­ katalytisches Plattieren zu bilden.
Als Alternative können Kupferplatten mit einer erforderlichen Dicke auf die metallischen Filme 4a, 4b durch Verwendung einer Lötmittelpaste gelötet werden. In diesem Fall ist es bevorzugt, daß jeder der metallischen Filme 4a, 4b eine zweischichtige Struktur hat, die aus einer 0,5 µm dicken Ni-Schicht als einer Zwischenschicht und einer 0,5 µm dicken Sn- Schicht als einer äußeren Schicht zusammengesetzt ist. Die Lötmittelpaste kann bevorzugt auf die metallischen Filme durch Aufdrucken gebracht werden. Nachdem die Kupferplatten auf die Lötmittelpaste gelegt werden, die auf die metallischen Filme aufgedruckt ist, wird Wärme angewendet, um die Kupferplatten durch die Lötmittelpaste an die metallischen Filme zu bin­ den.
Vor dem nächsten Schritt kann, falls notwendig, eine die Oberflächen aufrauhende Behand­ lung auf der oberen Fläche 11 mit den oberen Elektroden 5 und der oberen Fläche 12 mit den unteren Elektroden 6 des thermoelektrischen Chips 10 durchgeführt werden, um das Haftver­ mögen zwischen einem Harzmaterial, das in dem nächsten Schritt verwendet wird, und dem thermoelektrischen Chip 10 zu verbessern. Zum Beispiel kann eine wässrige Lösung aus Permangansäure benutzt werden, um freiliegende Flächen des ersten Harzes 3 des thermo­ elektrischen Chips 10 aufzurauhen. Andererseits kann ein chemisches Ätzmittel "CZ-8100" (hergestellt durch MEC COMPANY LTD) benutzt werden, um die obere und untere Elektro­ de 5, 6 aus Kupfer aufzurauhen.
Als nächstes, wie in Fig. 1D gezeigt, werden Kupferfolien 52 (Dicke: etwa 18 µm), jede mit einer elektrisch isolierenden Schicht 51 auf einer ihrer Oberflächen, welche aus einem halb­ gehärteten Epoxyharz besteht, welches ein Aluminiumoxidpulver enthält (mittlere Korngröße: einige Mikrometer) auf die obere Fläche 11 mit den oberen Elektroden 5 und die untere Flä­ che 12 mit den unteren Elektroden 6 des thermoelektrischen Chips 10 derart gelegt, daß die elektrisch isolierende Schicht 51 im Kontakt mit dem thermoelektrischen Chip 10 ist. Dann wird eine Wärmebehandlung durchgeführt, um die Kupferfolien 52 durch die elektrisch iso­ lierende Schicht 51 mit dem thermoelektrischen Chip 10 zu verbinden, um somit das thermo­ elektrische Modul 1 zu erhalten, wie es in Fig. 1E gezeigt ist. Zum Beispiel ist bevorzugt, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 150 bis 200°C durchgeführt wird. Eine Querschnittsstruktur des erhaltenen thermoelektrischen Moduls 1 ist in Fig. 5 gezeigt.
Es ist bevorzugt, daß ein Gehalt an Aluminiumoxidpulver in dem Epoxyharz innerhalb eines Bereiches von 5 bis 50 Vol.-% liegt. Wenn der Gehalt geringer ist als 5 Vol.-%, dann kann es sein, daß die thermische Leitfähigkeit der elektrisch isolierenden Schicht 51 nicht ausreichend verbessert wird. Wenn der Gehalt mehr als 50 Vol.-% beträgt, kann die Bindefestigkeit der elektrisch isolierenden Schicht 51 mit dem thermoelektrischen Chip 10 und der Kupferfolie 52 verschlechtert werden. Wenn der Gehalt an Aluminiumoxidpulver innerhalb des oben de­ finierten Bereiches liegt, kann die elektrisch isolierende Schicht 51 stabil ein verbessertes Wärmeübertragungsvermögen des thermoelektrischen Moduls 1 zur Verfügung stellen, wobei eine gute Bindefestigkeit zwischen der Kupferfolie 52 und dem thermoelektrischen Chip 10 beibehalten wird.
Obwohl bei dieser Ausführungsform Aluminiumoxid(Al2O3)-Pulver benutzt wird, ist es auch bevorzugt, ein keramisches Pulver mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit von 5 W/m.K oder mehr zu verwenden, zum Beispiel Aluminiumnitrid (AlN), Bornitrid (BN), Berylli­ umoxid (BeO) oder Siliziumcarbid (SiC). Zusätzlich kann ein elektrisch isolierendes Harz, so sowie ein Polyimidharz, anstelle des Epoxyharzes benutzt werden. Falls notwendig kann, nachdem die Kupferfolien 52 mit dem thermoelektrischen Chip 10 über die elektrisch isolie­ rende Schicht 51 verbunden sind, ein Gold(Au)-Film auf jeder der Kupferfolien 52 des ther­ moelektrischen Moduls 1 durch einen Ni-Film als eine Zwischenschicht gebildet werden. Als Alternative ist es möglich, eine Kupferfolie mit der elektrisch isolierenden Schicht auf einer ihrer Flächen und den Ni- und Au-Filmen auf der entgegengesetzten Fläche zu benutzen. Als eine Dicke der Kupferfolie 52 ist es beispielsweise bevorzugt, eine Dicke innerhalb eines Be­ reiches von 15 bis 40 µm auszuwählen.
Anstelle der Kupferfolie 52 mit der elektrisch isolierenden Schicht 51 ist es bevorzugt, eine Kupferfolie 62 mit einem Aluminiumoxid-Sprühüberzug 61 auf einer ihrer Oberflächen zu verwenden. In diesem Fall, wie in Fig. 6 gezeigt, werden die Kupferfolien 62 auf die obere Fläche 11 mit den oberen Elektroden 5 und die untere Fläche 12 mit den unteren Elektroden 6 des thermoelektrischen Chips 10 durch eine Klebmittelschicht 63 aus einem Epoxyharz mit elektrischem Isolationsvermögen gelegt, so daß der Aluminiumoxid-Sprühüberzug 61 in Kontakt mit der Klebmittelschicht 63 ist. Dann wird eine Wärmebehandlung durchgeführt, um die Kupferfolien 62 über die Klebmittelschicht 63 an den thermoelektrischen Chip 10 zu binden, um somit ein thermoelektrisches Modul zu erhalten. Zum Beispiel ist es bevorzugt, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 150 bis 200°C durchgeführt wird. Eine Querschnittsstruktur des erhaltenen thermoelektrischen Moduls 1A ist in Fig. 7 gezeigt.
Es ist bevorzugt, daß eine Dicke des Aluminiumoxid-Sprühüberzugs 61 in einem Bereich von 10 bis 100 µm und weiter bevorzugt von 20 bis 60 µm liegt. Wenn die Dicke geringer ist als 10 µm, kann der Aluminiumoxid-Sprühüberzug 61 nicht gleichmäßig auf der Kupferfolie 62 gebildet werden. In einem solchen Fall sinkt die Zuverlässigkeit der elektrischen Isolation zwischen der Kupferfolie 62 und dem thermoelektrischen Chip 10. Wenn der Aluminiu­ moxid-Sprühüberzug 61 dicker ist als 100 µm, kann sich die Flexibilität des Aluminiumoxid- Sprühüberzuges nach und nach verschlechtern, und das Problem mit thermischen Belastungen kann auftreten. Wenn die Dicke des Aluminiumoxid-Sprühüberzuges innerhalb des oben de­ finierten Bereiches liegt, ist es möglich, daß thermoelektrische Modul mit guter Flexibilität zu versehen und im wesentlichen das Problem der thermischen Belastung zu vermeiden. Zusätz­ lich, da die elektrische Isolation zwischen der Kupferfolie 62 und dem thermoelektrischen Chip 10 durch Aluminiumoxid-Sprühüberzug 61 sichergestellt ist, ist es möglich, eine Dicke der Klebmittelschicht 63 zwischen dem Aluminiumoxid-Sprühüberzug 61 und dem thermo­ elektrischen Chip 10 zu verringern. Die Verringerung der Dicke der Klebmittelschicht 63 ver­ bessert das Wärmeübertragungsvermögen des thermoelektrischen Moduls 1A.
Bei der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen Sprühüberzug aus AlxTiyOz, Al2O3 + ZrO2 oder MgO + SiO2 anstelle des Al2O3-Sprühüberzugs zu verwenden, der oben er­ wähnt ist. Vom Gesichtspunkt der thermischen Leitfähigkeit her ist es besonders bevorzugt, den Al2O3- oder AlxTiyOz-Sprühüberzug zu verwenden. Zusätzlich kann ein elektrisch isolie­ rendes Harz, so wie ein Epoxyharz oder ein Polyimidharz, als ein Material für die Klebmittel­ schicht 63 verwendet werden. Falls notwendig kann, nachdem die Kupferfolien 62 durch Verwendung der Klebmittelschichten 63 an den thermoelektrischen Chip 10 angebunden sind, ein Au-Film auf jeder der Kupferfolien 62 des thermoelektrischen Moduls 1A über einen Ni- Film als eine Zwischenschicht gebildet werden. Als Alternative ist es möglich, eine Kupfer­ folie mit dem Aluminiumoxid-Sprühüberzug auf einer Oberfläche und den Ni- und Au- Filmen auf der entgegengesetzten Oberfläche zu verwenden. Als eine Dicke der Kupferfolie 62 zum Beispiel ist es bevorzugt, eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 15 bis 40 µm aus­ zuwählen.
Das thermoelektrische Modul 1, 1A der vorliegenden Erfindung kann direkt auf einen metalli­ schen Sockel 100 mit einer Scheibe 110 und hermetisch abgedichteten Stiften 120, die durch die Scheibe verlaufen, angeordnet werden. Wie in Fig. 8 gezeigt, hat das thermoelektrische Modul 1. 1A einen Anschlußabschnitt 70, durch den elektrische Energie zum thermoelektri­ schen Modul gegeben wird. Der Anschlußabschnitt 70 hat ein Paar Durchgangslöcher 71 zum Aufnehmen der Stifte 120, die von der Scheibe 110 hervorstehen. Das thermoelektrische Mo­ dul wird an die Scheibe 110 durch Verwendung eines Lötmaterials oder einer leitenden Paste gebunden. Indem die Stifte 120 in die Durchgangslöcher 71 eingesetzt werden, werden die Stifte direkt mit dem thermoelektrischen Modul durch Verwendung des Lötmittelmaterials unter der leitenden Paste ohne Verwendung von Drähten verbunden. In diesem Fall braucht man sich nicht um Fehler zu sorgen, die durch schlechte elektrische Verbindung der Drähte hervorgerufen werden. Alternativ, wie in den Fig. 9A und 9B gezeigt, können Anschluß­ abschnitte 73 des thermoelektrischen Moduls 1 mit einer Energiequelle (nicht gezeigt) durch Drähte 130 verbunden werden. Zusätzlich, wie in Fig. 9C gezeigt, können Drähte 130 direkt mit freiliegenden Flächen von erforderlichen zwei Halbleiterelementen in dem thermoelektri­ schen Modul 1 verbunden werden.
Zusammenfassend hat das thermoelektrische Modul der vorliegenden Erfindung die folgen­ den Vorteile.
  • 1. Das thermoelektrische Modul hat ein verbessertes Wärmeübertragungsvermögen. Daher kann die Temperatur von Gegenständen, so wie elektronischen Teilen und Schaltkarten, ge­ nau durch Verwendung des thermoelektrischen Moduls gesteuert werden.
  • 2. Es ist möglich, das Problem der thermischen Belastung im wesentlichen zu vermeiden. Daher nimmt der Grad der Zuverlässigkeit des thermoelektrischen Moduls zu.
  • 3. Da Halbleiterelemente in dem thermoelektrischen Modul von der Außenluft und gegen Feuchtigkeit isoliert sind, ist es möglich, das thermoelektrische Modul mit Widerstand gegen Kondensation zur Verfügung zu stellen.
  • 4. Das thermoelektrische Modul ist exzellent, was Flexibilität und strukturelle Stabilität be­ trifft.
Bei dem Verfahren zum Herstellen des thermoelektrischen Moduls der vorliegenden Erfin­ dung ist es möglich, das Auftreten von Rissen oder das Absplittern bei spröden Halblei­ terelementen während des Herstellungsverfahrens zu verringern, indem der thermoelektrische Chip zuvor vorbereitet wird, Elektroplattieren oder autokatalytisches Plattieren anstelle des Verwendens einer Lötmittelpaste verwendet wird, um die Elektroden auf dem thermoelektri­ schen Chip zu bilden, und die Anzahl der Komponenten reduziert wird, die erforderlich sind, um das thermoelektrische Modul herzustellen, indem die Schichten des elektrisch isolierenden Harzes, welches keramisches Pulver enthält, oder metallische Schichten mit Keramik- Sprühüberzug verwendet werden. Daher kann das thermoelektrische Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen der vorliegenden Erfindung in effektiver Weise mit erhöhter Ausbeute beim Halbleiterelementmaterial hergestellt werden.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbar­ ten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein.
BEZUGSZEICHENLISTE
1
thermoelektrisches Modul
1
A thermoelektrisches Modul
3
erstes Harz
4
a metallischer Film
4
metallischer Film
5
obere Elektrode
6
untere Elektrode
10
thermoelektrischer Chip
11
obere Fläche
12
untere Fläche
21
Halbleiterelement vom N-Typ
22
Halbleiterelement vom P-Typ
23
Wafer
24
Wafer
25
Halbleiterstab
30
Platte
31
Platte
40
Halteelement
41
Fenster
42
Gehäuse
45
geformter Gegenstand
51
elektrisch isolierende Schicht
52
Kupferfolie
61
Aluminiumoxid-Sprühüberzug
62
Kupferfolie
63
Klebmittelschicht
70
Anschlußabschnitt
71
Durchgangsloch
73
Anschlußabschnitt
100
metallischer Sockel
110
Scheibe
120
hermetisch abgedichteter Stift
130
Drahtleitung
1
P thermoelektrisches Modul
5
P obere Elektrode
6
P untere Elektrode
8
P keramische Platte
9
P Lötmaterial
21
P Halbleiterelement vom N-Typ
22
P Halbleiterelement vom P-Typ
1
R thermoelektrisches Modul
3
R Halteelement
5
R obere Elektrode
6
R untere Elektrode
21
R Halbleiterelement
22
R Halbleiterelement
51
R Silikonfilm
1
S thermoelektrisches Modul
3
S elektrisch isolierendes Harz
4
S metallischer Film
5
S Kupferelektrode
10
S thermoelektrischer Chip
11
S obere Fläche
12
S untere Fläche
21
S Halbleiterelement
22
S Halbleiterelement
51
S Fettmaterial
52
S Wärmeübertragungsplatte

Claims (10)

1. Thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen, mit:
einem thermoelektrischen Chip (10) mit freiliegenden Oberflächen thermoelektrischer Ele­ mente (21, 22) vom ersten Typ und vom zweiten Typ auf seiner oberen und unteren Fläche (11, 12), wobei die thermoelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet sind, daß jedes der thermoelektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart dem ther­ moelektrischen Element des zweiten Typs angeordnet wird, wobei der Freiraum mit einem ersten Harzmaterial (3) mit elektrischem Isolationsvermögen gefüllt ist;
einer metallischen Schicht (4a, 4b), die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektri­ schen Elemente (21, 22) auf der oberen und unteren Fläche (11, 12) des thermoelektrischen Chips ausgebildet ist;
ersten Elektroden (5), die auf der oberen Fläche (11) des thermoelektrischen Chips (10) ge­ mäß einem ersten Schaltungsmuster ausgebildet sind, wobei jede elektrisch zwischen benach­ barten thermoelektrischen Elementen (21, 22) verbindet; und
zweiten Elektroden (6), die auf der unteren Fläche (12) des thermoelektrischen Chips (10) gemäß einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschied­ lich ist, gebildet sind, wobei jede elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Ele­ menten (21, 22) verbindet;
wobei das thermoelektrische Modul dadurch gekennzeichnet ist, daß es eine der beiden Kom­ ponenten (A) und (B) enthält:
  • A) eine elektrisch isolierende Schicht (51), bestehend aus einem zweiten Harzmaterial, wel­ ches ein keramisches Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit enthält, die wenigstens auf der gesamten oberen Fläche (11) mit den ersten Elektroden (5) oder der gesamten unteren Fläche (12) mit den zweiten Elektroden (6) des thermoelektrischen Chips oder auf beiden Flächen gebildet ist; oder
  • B) eine elektrisch isolierende Schicht (63), bestehend aus einem dritten Harzmaterial, das wenigstens auf der gesamten oberen Fläche mit den ersten Elektroden oder der gesamten un­ teren Fläche mit den zweiten Elektroden des thermoelektrischen Chips oder auf beiden Flä­ chen ausgebildet ist, und eine Wärmeübertragungsschicht (61, 62), welche aus einer metallischen Folie (62) mit einem Keramik-Sprühüberzug (61) mit hoher thermischer Leitfähigkeit zusammengesetzt ist, die auf der isolierenden Schicht derart gebildet ist, daß der Keramik- Sprühüberzug in Kontakt mit der isolierenden Schicht (63) liegt.
2. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Harzmaterial, welches das keramische Pulver enthält, ein Epoxyharz ist, welches ein Alumi­ niumoxidpulver enthält.
3. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehalt des keramischen Pulvers in dem zweiten Harzmaterial innerhalb eines Bereiches von 5 bis 50 Vol.-% liegt.
4. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die metal­ lische Folie (62) mit dem keramischen Sprühüberzug eine Kupferfolie mit einem Aluminiu­ moxid-Sprühüberzug (61) ist.
5. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Dicke des keramischen Sprühüberzuges innerhalb eines Bereiches von 10 bis 100 µm liegt.
6. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiter­ hin eine leitende Schicht (52) auf der isolierenden Schicht (51) aus dem zweiten Harzmaterial, welches das keramische Pulver enthält, aufweist.
7. Thermoelektrisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die metal­ lische Schicht aus Nickel und Zinn oder einer Kombination der beiden besteht.
8. Struktur, erhalten durch Verbinden des thermoelektrischen Moduls nach Anspruch 1 mit einem Sockel (100), der eine Basis hat sowie Stifte (120), die durch die Basis verlaufen, wobei das thermoelektrische Modul einen Anschlußabschnitt (70) hat, durch den elektrische Leistung zugeführt wird, und der Anschlußabschnitt (70) ein Paar Durchgangslöcher (71) zum Aufnehmen der Stifte (120), die von der Basis hervorstehen, aufweist, so daß der Anschluß­ abschnitt (70) direkt mit den Stiften (120) verbunden ist, ohne daß Drahtleitungen verwendet würden.
9. Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Moduls mit verbessertem Wärme­ übertragungsvermögen, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
Vorbereiten eines thermoelektrischen Chips mit freiliegenden Flächen von thermoelektrischen Elementen des ersten Typs und des zweiten Typs auf seiner oberen und unteren Fläche, indem die thermoelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet werden, daß jedes der thermo­ elektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart zu dem thermoelektri­ schen Element des zweiten Typs angeordnet ist, und Auffüllen des Freiraumes mit einem er­ sten Harzmaterial mit elektrischem Isolationsvermögen;
Bilden einer metallischen Schicht, die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektri­ schen Elemente auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet sind;
Bilden erster Elektroden auf der oberen Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem ersten Schaltungsmuster derart, daß jede der ersten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet; und
Bilden zweiter Elektroden auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, derart, daß jede der zweiten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet; und
Anbringen einer elektrisch isolierenden Folie aus einem zweiten Harzmaterial, welches ein keramisches Pulver mit hoher thermischer Leitfähigkeit enthält, auf wenigstens die obere Fläche mit den ersten Elektroden oder die untere Fläche mit den zweiten Elektroden des thermo­ elektrischen Chips oder auf beiden Flächen.
10. Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Moduls mit verbessertem Wärme­ übertragungsvermögen, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
Vorbereiten eines thermoelektrischen Chips mit freiliegenden Flächen thermoelektrischer Elemente eines ersten Typs und eines zweiten Typs auf seiner oberen und unteren Fläche, indem die thermoelektrischen Elemente matrixartig derart angeordnet werden, daß jedes der thermoelektrischen Elemente des ersten Typs über einen Freiraum benachbart dem thermo­ elektrischen Element zweiten Typs angeordnet ist, und Auffüllen des Freiraums mit einem ersten Harzmaterial mit elektrischem Isolationsvermögen;
Bilden einer metallischen Schicht, die auf jeder der freiliegenden Flächen der thermoelektri­ schen Elemente auf der oberen und unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gebildet ist;
Bilden erster Elektroden auf der oberen Fläche des thermoelektrischen Chips entsprechend ei­ nem ersten Schaltungsmuster derart, daß jede der ersten Elektroden elektrisch zwischen be­ nachbarten thermoelektrischen Elementen verbindet; und
Bilden zweiter Elektroden auf der unteren Fläche des thermoelektrischen Chips gemäß einem zweiten Schaltungsmuster, das von dem ersten Schaltungsmuster unterschiedlich ist, derart, daß jede der zweiten Elektroden elektrisch zwischen benachbarten thermoelektrischen Ele­ menten verbindet;
Bringen einer elektrisch isolierenden Klebmittelschicht aus einem dritten Harzmaterial auf wenigstens die obere Fläche mit den ersten Elektroden oder die untere Fläche mit den zweiten Elektroden des thermoelektrischen Chips oder auf beide Flächen;
Bringen einer metallischen Folie mit einem Keramik-Sprühüberzug mit hoher thermischer Leitfähigkeit auf die Klebmittelschicht derart, daß der Keramik-Sprühüberzug in Kontakt mit der Klebmittelschicht liegt; und
Anbinden der metallischen Folie an den thermoelektrischen Chip mittels der Klebmittel­ schicht.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005057763A1 (de) * 2005-12-02 2007-06-06 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Thermoelektrisches Modul
FR2994024A1 (fr) * 2012-07-30 2014-01-31 Valeo Systemes Thermiques Ensemble comprenant un element thermo electrique et un moyen de connexion electrique dudit element thermo electrique, module thermo electrique comprenant un tel ensemble.
DE102013214988A1 (de) * 2013-07-31 2015-02-05 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrisches Modul
DE102014002246A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Stiebel Eltron Gmbh & Co. Kg Aufbau eines Peltiermoduls für Warmwasserspeicher
DE102015202968A1 (de) * 2015-02-19 2016-08-25 Mahle International Gmbh Wärmeleitende und elektrisch isolierende Verbindung für ein thermoelektrisches Modul
US10224474B2 (en) 2013-01-08 2019-03-05 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor
DE102015107240B4 (de) 2014-05-09 2022-03-03 Analog Devices, Inc. Thermoelektrischer Energiesammler im Wafermaßstab und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sammlers

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6401462B1 (en) * 2000-03-16 2002-06-11 George Bielinski Thermoelectric cooling system
WO2002029908A1 (en) 2000-10-04 2002-04-11 Leonardo Technologies, Inc. Thermoelectric generators
US6828579B2 (en) * 2001-12-12 2004-12-07 Hi-Z Technology, Inc. Thermoelectric device with Si/SiC superlattice N-legs
US20050121065A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 Otey Robert W. Thermoelectric module with directly bonded heat exchanger
CN100379045C (zh) * 2004-01-18 2008-04-02 财团法人工业技术研究院 微型热电冷却装置的结构及制造方法
JP2005277206A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 熱電変換装置
US7531739B1 (en) 2004-10-15 2009-05-12 Marlow Industries, Inc. Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules
US20060124165A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Marlow Industries, Inc. Variable watt density thermoelectrics
US8686277B2 (en) * 2004-12-27 2014-04-01 Intel Corporation Microelectronic assembly including built-in thermoelectric cooler and method of fabricating same
JP2006234362A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Komatsu Electronics Inc 熱交換器及び熱交換器の製造方法
US20070101737A1 (en) 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
TW200902846A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Man-Huang Chen Solid temperature difference power generating plate and device thereof
JP4404127B2 (ja) * 2007-09-28 2010-01-27 ヤマハ株式会社 熱電モジュール用基板およびこの基板を用いた熱電モジュール
JP5501623B2 (ja) * 2008-01-29 2014-05-28 京セラ株式会社 熱電モジュール
JP5522943B2 (ja) * 2008-01-29 2014-06-18 京セラ株式会社 熱電モジュール
DE102008038985A1 (de) * 2008-08-13 2010-02-18 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Thermoelektrische Vorrichtung
DE102009002953B4 (de) * 2009-05-08 2013-03-07 Mtu Friedrichshafen Gmbh Schwungrad, Brennkraftmaschine mit Schwungrad sowie System aus einer Brennkraftmaschine und einer anzutreibenden Maschine, Verwendung des Systems
US8193439B2 (en) * 2009-06-23 2012-06-05 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric modules and related methods
US20110016888A1 (en) * 2009-07-24 2011-01-27 Basf Se Thermoelectric module
US20110030754A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric modules and related methods
JP5609967B2 (ja) 2010-02-26 2014-10-22 富士通株式会社 発電装置、発電方法及び発電装置の製造方法
US9515245B2 (en) * 2010-07-23 2016-12-06 King Abdullah University Of Science And Technology Apparatus, system, and method for on-chip thermoelectricity generation
KR101153720B1 (ko) * 2010-09-16 2012-06-14 한국기계연구원 열전모듈 및 이의 제조방법
US9082928B2 (en) 2010-12-09 2015-07-14 Brian Isaac Ashkenazi Next generation thermoelectric device designs and methods of using same
CN102157673B (zh) * 2011-01-17 2012-10-24 天津大学 耐高温的温差热电器件的制造方法
US8649179B2 (en) 2011-02-05 2014-02-11 Laird Technologies, Inc. Circuit assemblies including thermoelectric modules
WO2012114650A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-30 Panasonic Corporation Thermoelectric conversion element and producing method thereof
DE102011005246A1 (de) * 2011-03-08 2012-09-13 Behr Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Moduls
KR20130035016A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 삼성전기주식회사 열전 모듈
RU2499374C2 (ru) * 2012-01-24 2013-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Тегас Электрик" Плата печатная
US9203010B2 (en) 2012-02-08 2015-12-01 King Abdullah University Of Science And Technology Apparatuses and systems for embedded thermoelectric generators
JP5979240B2 (ja) 2012-10-10 2016-08-24 富士通株式会社 熱電変換装置および電子装置
FR2997172A1 (fr) * 2012-10-23 2014-04-25 Airbus Operations Sas Convertisseur thermo-electrique
RU2534445C1 (ru) * 2013-06-04 2014-11-27 Открытое акционерное общество "РИФ" Термоэлектрический охлаждающий модуль
US10164164B2 (en) * 2013-06-13 2018-12-25 Brian Isaac Ashkenazi Futuristic hybrid thermoelectric devices and designs and methods of using same
CN103560203B (zh) * 2013-10-23 2016-09-07 合肥工业大学 一种简单高效的薄膜温差电池结构及其制作方法
JP6240514B2 (ja) * 2014-01-22 2017-11-29 株式会社アツミテック 熱電変換モジュール
RU2554632C1 (ru) * 2014-07-22 2015-06-27 Евгения Александровна Алисевич Варочно-отопительная печь с малоинерционным режимом изменения температуры конфорки
DE102014214285A1 (de) * 2014-07-22 2016-02-11 Mahle International Gmbh Temperiervorrichtung, insbesondere für eine Batterie eines Kraftfahrzeugs
CN105222392B (zh) * 2015-10-16 2017-08-25 西南技术物理研究所 半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法
DE102016202435A1 (de) * 2016-02-17 2017-08-17 Mahle International Gmbh Wärmeübertrager
CN108886084A (zh) * 2016-03-31 2018-11-23 株式会社村田制作所 热电转换模块以及热电转换模块的制造方法
DE102016005368A1 (de) * 2016-05-04 2017-11-09 Gentherm Gmbh Hybride Thermoelektrische Vorrichtung
WO2017222862A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 3M Innovative Properties Company Flexible thermoelectric module
KR101947237B1 (ko) * 2016-10-27 2019-05-10 현대자동차주식회사 열전 모듈 제조 장치
KR101959874B1 (ko) * 2017-05-15 2019-03-19 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 온도제어모듈의 응축방지시스템
GB2569637A (en) * 2017-12-21 2019-06-26 Sumitomo Chemical Co Electronic device
RU2680675C1 (ru) * 2018-03-21 2019-02-25 Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты)
JP7237417B2 (ja) * 2018-11-16 2023-03-13 東京特殊電線株式会社 熱電モジュール用基板及び熱電モジュール
BR122022021687B1 (pt) 2018-11-16 2023-10-10 Ats Ip, Llc Dispositivo termoelétrico
JP2020150215A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 三菱マテリアル株式会社 熱電変換モジュール
KR102314606B1 (ko) * 2020-08-10 2021-10-18 이상신 열전 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
CN113594343B (zh) * 2021-07-07 2022-10-28 西安交通大学 热电器件及其制造模具和制造方法
US12119285B2 (en) * 2021-09-03 2024-10-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor with actively cooled sensor array

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1025687A (en) * 1962-03-02 1966-04-14 Philips Electronic Associated Improvements in thermo-electric devices
DE1934173U (de) * 1964-04-30 1966-03-10 Siemens Schukkertwerke Ag Thermoelektrische anordnung.
DE1639503B1 (de) * 1965-07-02 1970-06-04 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Thermobatterie
JPS6451039A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Eiichi Saotome Salt powder for instant fish processing
US5837929A (en) * 1994-07-05 1998-11-17 Mantron, Inc. Microelectronic thermoelectric device and systems incorporating such device
US5522225A (en) * 1994-12-19 1996-06-04 Xerox Corporation Thermoelectric cooler and temperature sensor subassembly with improved temperature control
JPH08316532A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 冷却ユニット構造
JP3528471B2 (ja) * 1996-02-26 2004-05-17 松下電工株式会社 熱電モジュールの製造方法
JP2896497B2 (ja) 1996-07-31 1999-05-31 工業技術院長 フレキシブル熱電素子モジュール
WO1999004439A1 (de) * 1997-07-15 1999-01-28 Sbalzarini Ivo F Thermoelektrisches wandlerelement hohen wirkungsgrades und anwendungen desselben
JPH11159907A (ja) * 1997-11-25 1999-06-15 Matsushita Electric Works Ltd 電子加熱冷却装置
JPH11168245A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Yazaki Corp 熱電変換装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005057763A1 (de) * 2005-12-02 2007-06-06 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Thermoelektrisches Modul
FR2994024A1 (fr) * 2012-07-30 2014-01-31 Valeo Systemes Thermiques Ensemble comprenant un element thermo electrique et un moyen de connexion electrique dudit element thermo electrique, module thermo electrique comprenant un tel ensemble.
WO2014019901A1 (fr) * 2012-07-30 2014-02-06 Valeo Systemes Thermiques Ensemble comprenant un element thermo electrique et un moyen de connexion electrique dudit element thermo electrique, module thermo electrique comprenant un tel ensemble.
US10224474B2 (en) 2013-01-08 2019-03-05 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor
DE102013214988A1 (de) * 2013-07-31 2015-02-05 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrisches Modul
US9728704B2 (en) 2013-07-31 2017-08-08 Mahle International Gmbh Thermoelectric module
DE102014002246A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Stiebel Eltron Gmbh & Co. Kg Aufbau eines Peltiermoduls für Warmwasserspeicher
DE102015107240B4 (de) 2014-05-09 2022-03-03 Analog Devices, Inc. Thermoelektrischer Energiesammler im Wafermaßstab und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sammlers
DE102015107240B8 (de) 2014-05-09 2022-05-19 Analog Devices, Inc. Thermoelektrischer Energiesammler im Wafermaßstab und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sammlers
DE102015202968A1 (de) * 2015-02-19 2016-08-25 Mahle International Gmbh Wärmeleitende und elektrisch isolierende Verbindung für ein thermoelektrisches Modul

Also Published As

Publication number Publication date
DE10022726C2 (de) 2003-07-10
KR100343386B1 (ko) 2002-07-15
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RU2185042C2 (ru) 2002-07-10
US6274803B1 (en) 2001-08-14

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