CN1276482C - 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 - Google Patents
低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1276482C CN1276482C CN200410044831.5A CN200410044831A CN1276482C CN 1276482 C CN1276482 C CN 1276482C CN 200410044831 A CN200410044831 A CN 200410044831A CN 1276482 C CN1276482 C CN 1276482C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric constant
- silicon oxide
- film
- low dielectric
- constant insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 69
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 arylalkoxy silane Chemical compound 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005055 alkyl alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007171 acid catalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005815 base catalysis Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明公开了一种一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，该薄膜由具有通式为SiOXRy的材料制成；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，退火温度为200-600℃，升温速率为5-20℃每分钟。本发明的优点是：介电常数低，纳米微孔分布均匀，微孔大小尺寸可调，薄膜的刚性、柔性可调控，薄膜电学性质稳定，与硅片的粘附性好，结合紧密，残余应力小。
Description
一、技术领域
本发明是一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法，该薄膜用于集成电路制造。
二、背景技术
随着大规模集成电路的迅速发展，当集成电路的特征尺寸减小至180nm或更小时，互连寄生的电阻、电容引起的延迟、串扰和能耗已成为发展高速、高密度、低功耗和多功能集成电路需解决的瓶颈问题。在大规模集成电路中，层间及线间介质用低介电常数绝缘介质薄膜代替二氧化硅，可以有效减少互连寄生电容，从而减少电容引起的延迟、串扰和能耗。因此，很多科研人员一直在探索一些低介电常数绝缘介质薄膜。
目前，国内外研究较多的低介电常数绝缘介质薄膜有含氟氧化硅薄膜(SiOF)、聚酰亚胺薄膜(PI)、倍半氧化硅薄膜(SSQ)等，但这些产品存在着生产工艺复杂、耐温性能差、对电路有腐蚀、与硅片粘附性能差等缺点。现有的多纳米孔氧化硅薄膜因致孔模板单一，不能参与交联，从而造成薄膜孔径难以控制，微孔分布不均，力学强度不可调节，且退火时薄膜力学性能严重下降。
三、发明内容
本发明的目的是提供一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法，该薄膜可用于大规模集成电路，具有电学性质好、与硅片粘附性优良、纳米微孔孔径可调节、微孔分布均一、力学性质可调。
本发明所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于该薄膜由具有下列通式的材料制成：
SiOxRy
其中：1≤x＜2，0＜y≤2，2x+y＝4；R为甲基、乙基或苯基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜含有纳米微孔。薄膜厚为50-400nm；薄膜中Si原子含量(重量)17-47％，C原子含量(重量)0-33％，氢原子含量(重量)0-9％，O原子含量(重量)21-55％；薄膜中纳米微孔的孔径为5-100nm。
本发明所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
1、用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶；
2、将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；
3、将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，退火温度为200-600℃，升温速率为5-20℃每分钟。
其中(1)中所用致孔模板可为单端基倍半硅氧烷聚合物，特别是单端基倍半硅氧烷聚醚，如单端基倍半硅氧烷聚乙二醇醚，单端基倍半硅氧烷聚丙二醇醚，单端基倍半硅氧烷聚四氢呋喃醚等，并以分子量为500-4000的聚醚为最佳，单端基倍半硅氧烷聚醚可以通过一定方法合成，如硅氢加成反应等。
所用有机溶液为四氢呋喃或甲基甲酰胺溶液。
所用硅氧烷为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、烷基烷氧基硅烷、芳基烷氧基硅烷中的至少一种，且采用不同的比例，可得到不同力学性能的材料。
所制备的溶胶浓度为0.1-1％。
采用不同分子量的致孔模板可以得到不同孔径的纳米微孔，采用不同的致孔模板与硅氧烷比例，可以得到不同孔积比率的材料。
所述涂布方法为印刷、喷涂，特别是旋转涂抹方法，且旋转速度为1000-7000rpm。
由于氧化硅本身介电常数为2.8-4.0，适当加入有机致孔模板，就能得到介电常数低于2.0的超低介电常数绝缘介质薄膜。由于薄膜主体结构为Si-O键，所以薄膜耐温性好，与硅片粘附性能好。
本发明与现有技术相比，其显著优点是：1、介电常数低，可以降低到2.2左右。2、薄膜中的纳米微孔分布均匀，致孔模板一端参与交联体系，既阻止了凝胶涂抹时的有机相微观相分离，又有效避免了因致孔模板多处参与交联体系而导致的退火时薄膜内部交联受到网络破坏。3、薄膜中的微孔大小尺寸可调，通过控制致孔模板的分子量，从而可以调控有机链段自缠绕成球的尺寸，退火后可以得到所需尺寸的纳米微孔。4、薄膜的刚性、柔性可调控，通过调节多组分硅氧烷中正硅酸烷酯和烷基烷氧基硅烷的比例，可以调节薄膜中氧化硅的交联密度，从而可以控制薄膜的机械强度和柔韧性。5、薄膜电学性质稳定，热分解温度在500℃以上，在空气中基本不吸收水分。6、与硅片的粘附性好，结合紧密，残余应力小。
随着超大规模集成电路的发展，微电子电路的尺寸日益缩小，互连延迟和寄生电容的增大，本发明特别适用于超大规模集成电路、CPU生产中替代传统SiO2以及其他现有低介电薄膜，可以十分有效地减少发热和延迟。
四、具体实施方式
下面通过实施例对本发明作进一步详述。
实施例1：本发明所制备的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，由具有下列通式的材料制成：
SiOxRy
其中：x＝1.1，y＝1.8；R为甲基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜中含有纳米微孔，孔径为50纳米，微孔与薄膜的体积比为20％；薄膜的厚度为200纳米；薄膜中Si原子含量(重量)37％，C原子含量(重量)33％，氢原子含量(重量)7％，O原子含量(重量)23％。
上述薄膜的制备方法是：
1、将烯丙基聚乙二醇醚(分子量900)与三甲氧基硅氢在氯铂酸催化下硅氢加成，得到分子量为1000的单端基倍半硅氧烷聚乙二醇醚，作为致孔模板。
2、以上述致孔模板与二甲基二甲氧基硅烷、正硅酸甲酯为原料，其中二甲基二甲氧基硅烷与正硅酸甲酯的比例为9∶1，在四氢呋喃中用稀酸催化下水解，制得0.2％浓度溶胶，在室温和5000rpm转速下旋转涂膜，450℃温度和氮气条件保护下退火，升温速率为5℃每分钟。
实施例2：本发明所制备的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，由具有下列通式的材料制成：
SiOxRy
其中：x＝1.5，y＝1；R为乙基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜中含有纳米微孔，孔径为20纳米，微孔与薄膜的体积比为50％；薄膜的厚度为300纳米；薄膜中Si原子含量(重量)35％，C原子含量(重量)30％，氢原子含量(重量)5％，O原子含量(重量)30％。
上述薄膜的制备方法是：以分子量为650的单端基倍半硅氧烷聚环氧丙烷醚、二乙基二乙氧基基硅烷、正硅酸乙酯为原料。其中二乙基二乙氧基硅烷与正硅酸乙酯的比例为1∶1，在二甲基甲酰胺中弱碱催化下水解，制得O.1％浓度溶胶，在4000rpm转速下旋转涂膜，500℃氩气条件下退火，升温速率10℃每分钟。
实施例3：
本发明所制备的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，由具有下列通式的材料制成：
SiOxRy
其中：x＝1.9，y＝0.2；R为苯基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜中含有纳米微孔，孔径为80纳米，微孔与薄膜的体积比为80％；薄膜的厚度为400纳米；薄膜中Si原子含量(重量)38％，C原子含量(重量)20％，氢原子含量(重量)1％，O原子含量(重量)41％。
上述薄膜的制备方法是：以分子量为650的单端基倍半硅氧烷聚四氢呋喃醚、二苯基二甲氧基基硅烷、正硅酸甲酯为原料。其中二苯基二甲氧基硅烷与正硅酸甲酯的比例为1∶9，在二甲基甲酰胺中酸催化下水解，制得0.5％浓度溶胶，在2000rpm转速下旋转涂膜，600℃氩气条件下退火，升温速率20℃每分钟。
Claims (10)
1、一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于该薄膜由具有下列通式的材料制成：
SiOxRy
其中：1≤x＜2，0＜y≤2，2x+y＝4；R为甲基、乙基或苯基；薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键；薄膜含有纳米微孔。
2、根据权利要求1所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于薄膜厚为50-400nm。
3、根据权利要求1所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于薄膜中Si原子含量为重量17-47％，C原子含量为重量0-33％，H原子含量为重量0-9％，O原子含量为重量21-55％。
4、根据权利要求1所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，其特征在于薄膜中纳米微孔的孔径为5-100nm。
5、一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶；
(2)将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；
(3)将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，退火温度为200-600℃，升温速率为5-20℃每分钟。
6、根据权利要求5所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于(1)中所用致孔模板为单端基倍半硅氧烷聚合物。
7、根据权利要求6所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于致孔模板为单端基倍半硅氧烷聚醚，分子量为500-4000。
8、根据权利要求5所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于(1)中的有机溶液为四氢呋喃或甲基甲酰胺。
9、根据权利要求5所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于(2)中涂布方法为印刷、喷涂或旋转涂抹。
10、根据权利要求5所述的低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于(1)中所用硅氧烷为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、烷基烷氧基硅烷、芳基烷氧基硅烷中的至少一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200410044831.5A CN1276482C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200410044831.5A CN1276482C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1585101A CN1585101A (zh) | 2005-02-23 |
| CN1276482C true CN1276482C (zh) | 2006-09-20 |
Family
ID=34601770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200410044831.5A Expired - Fee Related CN1276482C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1276482C (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103121856B (zh) * | 2011-07-25 | 2014-08-13 | 重庆文理学院 | 一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法 |
| CN102408251B (zh) * | 2011-07-25 | 2013-03-27 | 重庆文理学院 | 一种低介电常数介孔氧化硅薄膜材料的制备方法 |
| CN115746380A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-07 | 慧迈材料科技(广东)有限公司 | 一种聚酰亚胺多孔复合薄膜制备方法 |
-
2004
- 2004-06-02 CN CN200410044831.5A patent/CN1276482C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1585101A (zh) | 2005-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8476368B2 (en) | Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization | |
| KR100498834B1 (ko) | 절연 박막 제조용 코팅 조성물 | |
| RU2180671C2 (ru) | Композиция алкоксисилан/органический полимер для использования в получении изолирующей тонкой пленки и ее применение | |
| CN1160767C (zh) | 纳米多孔二氧化硅的蒸气沉积工艺 | |
| EP1537183B1 (en) | Coating composition for insulating film production, preparation method of insulation film by using the same, insulation film for semi-conductor device prepared therefrom, and semi-conductor device comprising the same | |
| JP2003508895A (ja) | Ｕｌｓｉ用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ | |
| CN1304550A (zh) | 多孔性绝缘材料及其制备方法 | |
| KR100671850B1 (ko) | 다공질 필름의 개질 방법 및 개질된 다공질 필름 및 그 용도 | |
| WO2004044074A1 (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 | |
| TW200415217A (en) | Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device | |
| Li et al. | High-performance ultra-low-k fluorine-doped nanoporous organosilica films for inter-layer dielectric | |
| JP4049775B2 (ja) | 有機シリケート重合体およびこれを含む絶縁膜 | |
| CN1325542A (zh) | 使纳米级微孔二氧化硅机械强度最优化的方法 | |
| JP4555836B2 (ja) | 気孔形成用テンプレートとしてのシクロデキストリン誘導体及びそれを用いて調整された低誘電体材料 | |
| CN1276482C (zh) | 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 | |
| CN101789418B (zh) | 一种多孔超低介电常数材料薄膜及其制备方法 | |
| KR100373210B1 (ko) | 유기 스페이서를 이용한 저유전 절연재료의 제조방법 | |
| JPH10150033A (ja) | 層間絶縁膜形成用材料及び層間絶縁膜 | |
| KR100373215B1 (ko) | 반도체 소자용 저 유전 절연재료의 제조방법 | |
| KR100383103B1 (ko) | 저유전 절연재료의 제조방법 | |
| JP2002201415A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2004307693A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| KR100545125B1 (ko) | 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막 및 그제조방법 | |
| CN100379801C (zh) | 笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法 | |
| KR100508903B1 (ko) | 저유전 절연막 형성용 조성물 및 절연막 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060920 Termination date: 20140602 |