[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN113506848B - 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源 - Google Patents

自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源 Download PDF

Info

Publication number
CN113506848B
CN113506848B CN202110780025.8A CN202110780025A CN113506848B CN 113506848 B CN113506848 B CN 113506848B CN 202110780025 A CN202110780025 A CN 202110780025A CN 113506848 B CN113506848 B CN 113506848B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sealing material
material sheet
layer
resin
self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110780025.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113506848A (zh
Inventor
续木淳朗
在原庆太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to CN202110780025.8A priority Critical patent/CN113506848B/zh
Publication of CN113506848A publication Critical patent/CN113506848A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113506848B publication Critical patent/CN113506848B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133608—Direct backlight including particular frames or supporting means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/085—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/327—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising polyolefins obtained by a metallocene or single-site catalyst
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C09J7/243—Ethylene or propylene polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/306—Resistant to heat
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/402—Coloured
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/536—Hardness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/72—Density
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2323/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2423/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2423/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2423/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2423/06—Polyethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2451/00—Characterised by the use of graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers
    • C08J2451/06—Characterised by the use of graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers grafted on to homopolymers or copolymers of aliphatic hydrocarbons containing only one carbon-to-carbon double bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/318—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for the production of liquid crystal displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2451/00—Presence of graft polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源。提供一种作为自发光型显示体等中的发光元件的密封用合适的密封材料片。一种自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其是以聚烯烃为基础树脂的树脂片，在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec‑1下的熔融粘度为5.0×103泊以上1.0×105泊以下。

Description

自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光 型显示体、直下型背光源
本申请是分案申请，其原申请的中国国家申请号为201980032940.X，申请日为2019年5月24日，发明名称为“自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源”。
技术领域
本发明涉及自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、以及直下型背光源。
背景技术
作为代替各种液晶式显示装置的下一代显示装置，正在进行以Micro LED电视为代表的自发光型显示体的开发(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-14481号公报
专利文献2：日本特开2017-9725号公报
专利文献3：日本特开2014-148584号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种作为自发光型显示体等中的发光元件的密封用合适的密封材料片。
用于解决课题的手段
本发明的一个实施方式为一种自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其是以聚烯烃为基础树脂的树脂片，在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度为5.0×103泊以上1.0×105泊以下。
本发明的另一实施方式为一种自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，该密封材料片为包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，上述密合层含有聚烯烃和硅烷成分，上述硅烷成分相对于上述密合层的树脂成分的含量为0.02质量％以上0.15质量％以下。
本发明的另一实施方式为一种自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其一个表面为密合面，另一个表面为剥离面，通过下述说明的特定密合性试验测定的上述密合面的密合强度为5.0N/15mm以上50.0N/15mm以下，上述剥离面的上述密合强度为0.1N/15mm以上3.0N/15mm以下
发明的效果
根据本发明，提供作为自发光型显示体等的发光元件的密封用合适的密封材料片和使用了该密封材料片的自发光型显示体等。
附图说明
图1是使用了在发光模块层积有第1实施方式的密封材料片的自发光型显示体用的LED模块的自发光型显示体的图像显示面的俯视图及其局部放大俯视图。
图2是示出图1的A-A部分的截面的截面图。
图3是构成图1的自发光型显示体用的LED模块的LED元件的立体图。
图4是示意性地示出第3实施方式的密封材料片的层结构的一例的截面图。
图5是供说明使用了第3实施方式的密封材料片的自发光型显示体用的LED模块的制造方法的图。
图6是图5的局部放大图，是供说明密封材料片对于层压机的加热板的载置方式的图。
图7是示意性地示出使用了第4实施方式的直下型LED背光源的LED显示装置的构成的一例的立体图。
图8是使用了第4实施方式的直下型LED背光源的LED显示装置中的一个LED元件的安装区域周边的局部放大截面图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式(下文中称为“本实施方式”)进行说明。需要说明的是，本实施方式中，“聚烯烃”与“烯烃系树脂”、“烯烃树脂”含义相同，“聚乙烯”与“聚乙烯系树脂”、“聚乙烯树脂”含义相同。
<本实施方式中包含的第1实施方式>
具体而言，第1实施方式提供以下方案。
(1)一种自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其是以聚烯烃为基础树脂的树脂片，在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度为5.0×103泊以上1.0×105泊以下。
(1)的方案为对电子器件进行密封的密封材料片，其中，重视热压加工时的基础树脂的粘性，将温度120℃下的熔融粘度优化为规定的范围内。由此，能够以高水平兼顾密封材料片的热压加工时的模塑性与抑制过度流动所引起的树脂溢出。并且，进而还能良好地保持热压加工后的密封材料片的膜厚的均匀性。如此，根据(1)的方案，能够获得作为MicroLED电视等自发光型显示体用的适应性优异的密封材料片。
(2)如(1)所述的密封材料片，其中，在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度为5.0×104泊以上1.0×105泊以下。
根据(2)的方案，与(1)的方案相比，能够以更高的水平保持在Micro LED电视等自发光型显示体中影响屏幕图像等的显示品质的热压加工后的膜厚的均匀性。
(3)如(1)或(2)所述的密封材料片，其维氏软化点超过60℃且为100℃以下。
(3)的方案是对于(1)或(2)所述的密封材料片将维氏软化点设定为与太阳能电池模块用等现有产品不同的高温度范围。由此，能够更可靠地抑制使用了密封材料片的自发光型显示体的制造过程中的粘连发生，能够有助于自发光型显示体的生产率的提高。另一方面，通过使该温度范围为100℃以下，能够充分维持对自发光型显示体用的密封材料片所要求的程度的模塑性。
(4)如(1)至(3)中任一项所述的密封材料片，其中，上述密封材料片是黑色、白色、或其他颜色的树脂片。
(4)的方案是使(1)至(3)中任一项所述的自发光型显示体用的密封材料片为有色的密封材料片。例如，通过使这些自发光型显示体用的密封材料片为赋予了光学上所期望的颜色的有色树脂片，则能与密封材料片本来的发光元件的保护功能结合，作为还兼具自发光型显示体中所要求的光学特性的光学功能层来配置密封材料片。更具体而言，例如，通过使(1)至(3)中任一项所述的密封材料片为黑色的树脂片，能够形成兼具密封材料与遮光层的功能的层，因此能够在享有(1)至(3)中任一项所述的密封材料片所具有的上述各效果的同时，显著提高自发光型显示体的生产率。
(5)如(1)至(4)中任一项所述的密封材料片，其为包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，上述密合层含有聚烯烃和硅烷成分，上述硅烷成分相对于上述密合层的树脂成分的含量为0.02质量％以上0.15质量％以下。
(5)的方案是在(1)至(4)的密封材料片中使基础树脂为热塑性的聚烯烃，并且在大部分硅烷成分被接枝聚合到该聚烯烃上的状态下，以特定范围的含量包含硅烷成分。由此，能够获得均衡地兼具作为成品的自发光型显示体在使用时与电路基板的密合耐久性、和制造阶段过程中的再加工性的密封材料片。需要说明的是，(5)至(7)的方案的详细情况在第2实施方式中进行说明。
(6)如(5)所述的密封材料片，其中，在上述硅烷成分中，70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到上述聚烯烃上的接枝硅烷成分。
根据(6)的方案，在从通常的Micro LED电视的制造时至使用时的产品生命周期中，能够更可靠地享有(5)的方案可起到的上述效果。特别是，能够显著提高从密封材料片的制造完成至组装到最终产品中的期间的密封材料片的产品品质的稳定性。
(7)如(5)或(6)所述的密封材料片，其是在以聚乙烯为基础树脂的基材层上层积有上述密合层的多层的树脂片。
根据(7)的方案，使(5)或(6)所述的密封材料片为除了密合层以外进一步具备基材层的多层结构的树脂片。通过使基材层由耐热性更优异的树脂构成，能够形成在密合层中可确保(5)或(6)的方案可起到的各效果、同时进一步在耐热性等其他各物性方面也优异的密封材料片。
(8)如(1)至(7)中任一项所述的密封材料片，其一个表面为密合面，另一个表面为剥离面，通过下述密合性试验测定的上述密合面的密合强度为5.0N/15mm以上50.0N/15mm以下，上述剥离面的上述密合强度为0.1N/15mm以上3.0N/15mm以下。
密合性试验：在青板玻璃板(75mm×50mm×3mm)上密合切割成15mm宽的密封材料片试样中作为测定对象的一侧的表面，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在该青板玻璃板上的密封材料片试样，利用剥离试验机进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定各表面的密合强度。
在(8)的方案中，使自发光型显示体用的密封材料为在一个面(密合面)与另一个面(剥离面)具有密合强度不同的非对称的层结构的树脂膜。由此，能够获得兼具与具有微细凹凸的电路基板表面的密合性、与从热层压加工时所载置的加热板的起模性的密封材料片，即便不使用剥离膜，也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。需要说明的是，(8)至(10)的方案的详细情况在第3实施方式中进行说明。
(9)如(8)所述的密封材料片，其是具有露出到上述密合面侧的表面的密合层、与露出到上述剥离面侧的表面的非密合层的多层的树脂片，上述密合层相对于树脂成分以0.02质量％以上0.19质量％以下的比例含有硅烷成分，上述非密合层不含有上述硅烷成分，或者即便在含有的情况下，相对于树脂成分的含量也小于0.02质量％。
根据(9)的方案，使形成密合面的密合层含有适量的硅烷成分，使形成剥离面的非密合层不含有硅烷成分，或者即便含有也限制为小于极微量。由此，将各面的密合强度控制为合适的范围，能够更可靠地享有(8)的方案可起到的上述效果。
(10)如(8)或(9)所述的密封材料片，其是在以聚乙烯为基础树脂的基材层的一个面上层积有上述密合层、在上述基材层的另一个面上层积有上述非密合层的多层的树脂片。
根据(10)的方案，使(8)或(9)所述的密封材料片为在基材层的两面分别层积有密合层和非密合层而成的3层结构的树脂片。由此，通过密合成分的含量分别不同的树脂组合物的共挤出能够容易地制造各层的密合强度得到适当控制的密封材料片，能够形成在确保(8)或(9)的方案可起到的各效果的同时、进而生产性也优异的密封材料片。
(11)一种自发光型显示体，其具备：(1)至(10)中任一项所述的密封材料片；显示面面板；和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片被覆上述发光元件和上述配线基板并层积于上述发光模块，上述显示面面板层积于上述密封材料片。
根据(11)的方案，可享有(1)至(10)中的任一密封材料片可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的自发光型显示体。
(12)如(11)所述的自发光型显示体，其中，上述发光元件为LED元件。
(12)的方案是将第1实施方式应用于以作为下一代显示器的主流受到期待的Micro LED电视为代表的各种自发光型的LED显示装置中。由此，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的自发光型的LED显示装置。
(13)如(12)所述的自发光型显示体，其中，上述LED元件具有LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩，该LED元件的宽度和纵深均为300μm以下，高度为200μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.03mm以上100mm以下。
(13)的方案是将(12)的自发光型显示体应用于以将大量LED芯片直接安装到基板上的板上芯片(chip on board)方式密集地安装有LED元件的高清晰度的点阵显示装置等中。由此，能够获得生产率、耐久性、光学特性优异的高清晰度的LED显示装置。
(14)如(13)所述的自发光型显示体，其中，上述LED元件的宽度和纵深均为50μm以下，高度为10μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.05mm以上5mm以下。
(14)的方案是将(13)的自发光型显示体应用于近年来正在进行开发、作为下一代屏幕图像显示装置受到期待的“Micro LED电视”中。由此，能够获得生产率、耐久性、光学特性优异的超高清晰度的LED显示装置。
(15)如(11)至(14)中任一项所述的自发光型显示体，其中，2个以上上述发光模块具有在同一平面上接合而成的发光面，在该发光面上层积有上述密封材料片。
(15)的方案是将使用(11)至(14)中任一项所述的密封材料片构成的自发光型显示体用的LED模块多个接合，进行包括Micro LED电视的各种自发光型显示体中的画面尺寸的大型化。(11)至(14)中任一项所述的密封材料片由于利用热层压进行接合后的表面平滑性优异，因此不会降低与上述模块的接合相伴的画面品质，能够以高设计自由度进行自发光型显示体的大屏幕化。
根据第1实施方式，可以提供对于Micro LED电视等各种自发光型显示体用途优选的密封材料片。
在自发光型显示体中，在配线基板上安装LED元件等发光元件而构成的LED模块的发光面侧的表面，层积有用于保护发光元件的密封材料片(专利文献2)。
专利文献2中公开的电子器件用的密封材料片被广泛假定应用于包括太阳能电池等在内的多种电子器件中，关于其维氏软化点，要求为60℃以下、特别优选为30～50℃以下这样的低温度范围。如该文献中记载的那样，其旨在“通过短时间的热压接来发挥出高粘接性”。另外，以前认为，从确保密封材料片在各种表面形状的电子器件的表面凹凸中的充分埋入性(模塑性)的方面出发，也优选维氏软化点在上述的低温度范围。
但是，在自发光型显示体中，要求层积于LED元件的发光面侧的密封材料片具有特别的“膜厚均匀性”。这是因为，若该密封材料片的中央部的膜厚与端部的膜厚略有不同，则密封材料片成为透镜状的状态，会对Micro LED显示装置的显示品质产生无意识的光学上的不良影响。
在上述Micro LED电视的开发过程中产生了以下疑问：例如，如构成Micro LED电视的上述LED模块的发光面这样，被密封材料片被覆的对象电子器件的表面仅存在微小的凹凸，并且为了保持屏幕图像品质，与太阳能电池模块等情况相比以格外高的水平要求热压加工后的密封材料片的膜厚均匀性的情况下，维氏软化点在上述低温度范围的密封材料片或许未必是最佳的。
在自发光型显示体的制造中，不需要如现有的一般电子器件用的密封材料片那样将维氏软化点限定为上述的低温度范围(60℃以下)。另外，上述自发光型显示体特有的不良情况的发生是起因于热压加工时形成密封材料片的树脂的过度流动。由此，为了更可靠地避免这些不良情况的发生，确保必要的模塑性、并且可靠地抑制形成密封材料片的树脂的过度流动很重要。
着眼于热压加工时的流动性来选择树脂的情况下，以往广泛采用了MFR的值作为其指标。其中，在依照JIS K6922进行测定的情况下，MFR的值在190℃下进行测定，但该温度与实际上自发光型显示体用的密封材料片在热压加工时发生熔融时的温度背离，因此即便将MFR的值优化，也未必能将热压加工时的树脂的行为优化，本发明人将此视为问题。
在这种状况下，希望开发出在作为下一代显示装置被高度期待的Micro LED电视等各种自发光型显示体用途中作为优选物质被特化的密封材料片。
第1实施方式是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供作为Micro LED电视等自发光型显示体用的适应性优异的密封材料片。
本发明人进行了反复深入的研究，结果发现，特别着眼于温度120℃下的熔融粘度，并将其维持为特定的熔融粘度，从而能够作为优选物质用于自发光型显示体用途，由此完成了第1实施方式。以下，更具体地说明第1实施方式。
[自发光型显示体]
“自发光型显示体”是指以上述示例的Micro LED电视为代表的显示装置，是文字、图像、动画等视觉信息的显示装置。该显示装置为下述显示装置：将微小且多个发光元件以矩阵状安装在配线基板上，使各发光元件通过与其连接的发光控制单元选择性地发光，由此能够将上述视觉信息通过各发光元件的闪烁而直接显示在显示画面上。
自发光型显示体用的密封材料片(以下也简称为“密封材料片”)能够优选用于“自发光型显示体”中使用LED元件作为发光元件的LED显示装置。另外，此时的LED元件更优选为“微小尺寸的LED元件”。在第1实施方式中，“微小尺寸的LED元件”具体是指，关于包含LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩的发光元件整体的尺寸，宽度(W)和纵深(D)均为300μm以下、高度(H)为200μm以下的LED元件(参照图3)。
关于该“微小尺寸的LED元件”的尺寸，更优选宽度和纵深均为50μm以下、高度为10μm以下。需要说明的是，该尺寸范围是近年来进行开发、被期待成为下一代电视机主流的Micro LED电视中安装的LED元件的标准尺寸范围。以下，在第1实施方式中，将宽度和纵深均为50μm以下、高度为10μm以下的微小尺寸的LED元件以几微米～几十微米左右的间距、以几千×几千左右以上的个数以矩阵状配置成的自发光型显示体称为“Micro LED显示装置”。
另外，以下，将“自发光型显示体”为“Micro LED显示装置”时的实施方式作为各种实施方式中的一个优选的具体示例举出，进行详细的说明。其中，本实施方式的技术范围不限于仅应用于“Micro LED显示装置”。是能够应用于基于上述定义的全部“自发光型显示体”的技术。
[Micro LED显示装置]
图1是作为自发光型显示体的一个实施方式的Micro LED显示装置100的正视图及其局部放大图(100A)。另外，图2是示出图1的A-A部分的截面的截面图，是供说明图1所示的Micro LED显示装置100的层结构的图。该Micro LED显示装置100为自发光型显示装置，其具备“LED模块30”，该“LED模块30”是作为“发光元件”的多个微小尺寸的“LED元件10”安装在配线基板20上而成的自发光型显示体用的“发光模块”。各个LED元件10通过另外接合的IC芯片基板等发光控制单元(未图示)分别个别地对其发光进行控制。
本实施方式中，将发光元件安装在配线基板上而成的模块统称为发光模块，在Micro LED显示装置100中，多个LED元件10安装在配线基板20上而成的LED模块30对应于该发光模块。
另外，在Micro LED显示装置100中，在LED模块30中的安装有LED元件10的一侧的面上，以被覆LED元件10和配线基板20的方式层积有第2实施方式的自发光型显示体用的密封材料片1。另外，进而在密封材料片1的外表面侧(Micro LED显示装置100中的显示面侧)层积有各种光学膜、透明保护玻璃等显示面面板2。
将2个以上自发光型显示体用的LED模块30在同一平面上以矩阵状接合，在接合的LED模块上与上述同样地层积密封材料片1，由此能够构成大型的自发光型显示体用的LED模块、进而大型的Micro LED显示装置。
[Micro LED显示装置的制造方法]
Micro LED显示装置100可以如下制造：将在配线基板20安装LED元件10而成的自发光型显示体用的LED模块30、密封材料片1、显示面面板2、以及根据需要配置的其他光学部件进行层积而形成层积体，通过热压加工使该层积体一体化，由此可以制造Micro LED显示装置100。需要说明的是，根据需要，一部分的层积部件优选在上述热压加工前预先利用粘接剂进行接合。第1实施方式的密封材料片1在用于作为该最终产品的一体化的热压加工时可发挥出充分的模塑性，另外，该热压加工后的膜厚的均匀性优异。
[LED模块]
如图2所示，作为自发光型显示体用的发光模块的LED模块30通过在配线基板20上安装LED元件10而构成，该配线基板20在支撑基板21上形成有配线部22而成。
如图2所示，配线基板20是在支撑基板21的表面以能够与LED元件10导通的形态形成有例如由铜等金属或其他导电性部件形成的配线部22而成的电路基板。支撑基板21可以是作为电子电路的基板而现有公知的玻璃环氧系基板或玻璃基板等硬质的基板，或者，也可以制成聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯等具有挠性的树脂制的基板。
在LED模块30中，如图2所示，LED元件10藉由焊料层23以能够导电的方式安装在配线部22上。
对LED模块30的尺寸没有特别限定，通常，从性价比的方面出发，优选对角线的长度为50英寸～200英寸左右的尺寸。另外，如上所述，可以将2个以上自发光型显示体用的LED模块30在同一平面上以矩阵状接合，构成大型的Micro LED显示装置100等自发光型显示体的发光面。例如，将对角线的长度为6英寸的LED模块30横竖接合100×100个，也能够构成具备对角线长度为600英寸的大屏幕的Micro LED电视。
[LED元件]
安装在配线基板20上而构成自发光型显示体用的LED模块30的LED元件10是利用了在P型半导体与N型半导体被接合的PN结部的发光的发光元件。提出了在元件上表面、下表面设有P型电极、N型电极的结构；和在元件单面设有P型、N型电极两者的结构。任何结构的LED元件10均能用于第1实施方式的LED显示装置100，但优选可以使用在日本特开2006-339551号公报中作为“芯片状电子部件”所公开的LED元件之类的微小尺寸的LED元件。该文献中公开的LED元件的宽度×纵深×高度的尺寸大致为25μm×15μm×2.5μm。
LED元件10优选包含LED发光芯片11和被覆该LED发光芯片11的树脂罩12而成。另外，作为该树脂罩12，使用环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂等有机绝缘材料，其中优选使用环氧树脂。这是因为，由环氧树脂形成的树脂罩12不仅保护LED发光芯片11免受物理冲击，而且还起到下述作用：抑制因构成LED发光芯片11的半导体与空气的折射率之差所引起的光向半导体内的全反射，提高LED元件10的发光效率。密封材料片1由与环氧树脂的密合性也优异的聚烯烃形成，从这方面出发，作为搭载于Micro LED显示装置100的密封材料是优选的。
在自发光型显示体中，优选可以使用下述LED元件，其为包含LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩而成的LED元件，该LED元件具有宽度与纵深均为300μm以下、高度为200μm以下的尺寸。这种情况下，该LED元件的配置间隔优选为0.03mm以上100mm以下。
在自发光型显示体中，更优选可以使用下述LED元件，其为包含LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩而成的LED元件，该LED元件具有宽度与纵深均为50μm以下、高度为10μm以下的尺寸的极微小尺寸。这种情况下，该LED元件的配置间隔优选为0.03mm以上100mm以下。这种LED元件的安装方式具体也可以为Micro LED电视中的LED元件的标准安装方式。
[密封材料片]
第1实施方式的密封材料片是优选可以作为在“自发光型显示体”中被覆微小且大量的发光元件并层积于配线基板上的树脂片来使用的树脂片。另外，该密封材料片是将以聚烯烃为基础树脂的密封材料组合物成膜并形成片状的部件而得到的。需要说明的是，第1实施方式的密封材料片可以为单层膜，也可以为由芯层和配置在芯层的两面的外皮层构成的多层膜。需要说明的是，第1实施方式中的多层膜是指由下述结构构成的膜或片，其具有成型于至少任一最外层、优选两最外层的外皮层和作为外皮层以外的层的芯层。
该密封材料片的厚度为50μm以上1000μm以下即可，优选为50μm以上500μm以下、更优选为50μm以上300μm以下。另外，在进行被覆的对象LED元件是高度为10μm以下的极微小尺寸的LED元件时，密封材料片的厚度优选为25μm以上100μm以下。若密封材料片的厚度为50μm以上，则能够充分保护LED元件免受来自外部的冲击。另一方面，若密封材料片的厚度为1000μm以下，则能够发挥出充分的模塑性。具体而言，在被覆了LED元件的状态下热压加工时，构成密封材料片的树脂充分地包裹在LED模块表面的凹凸的周围，能够无间隙地进行良好的层压。在一体化后的自发光型显示体中，还能充分确保由密封材料片构成的密封层的透光率。
另外，第1实施方式的密封材料片“在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度”为5.0×103泊以上1.0×105泊以下，该熔融粘度优选为7.0×103泊以上9.0×104泊以下、更优选为8.0×104泊以上9.0×104泊以下。需要说明的是，第1实施方式中的上述熔融粘度是指通过依照JIS K7199的方法测定的熔融粘度。
通过使上述“熔融粘度”为5.0×103泊以上，能够充分地抑制因密封材料片的热压加工时的过度流动所引起的树脂溢出、以及来自侧方的应力对LED元件所引起的发光不良的发生，并且还能良好地保持上述热压加工后的密封材料片的膜厚均匀性。在Micro LED显示装置100等自发光型显示体中，对于在LED元件的发光面侧层积的密封材料片要求具有特别的膜厚均匀性。这是因为，若该密封材料片的中央部的膜厚与端部的膜厚略有不同，则密封材料片成为透镜状的状态，会对Micro LED显示装置的显示品质产生无意识的不优选的影响。
另一方面，通过使上述“熔融粘度”为1.0×105泊以下，能够良好地保持密封材料片的热压加工时的模塑性。
关于在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度，例如，通过选择作为树脂片的基础树脂的聚烯烃或密封材料组合物中含有的基础树脂以外的材料而可获得所期望的值。作为选择聚烯烃时的观点，可以举出例如聚烯烃的分子结构、分子量、密度。作为聚烯烃的分子结构，可以通过例如烯烃的种类或聚合数、直链部分的长度、分支部分的数量或长度、侧链部分的种类、数量或长度来调节上述“熔融粘度”的值。具体而言，若增加直链部分的长度则“熔融粘度”的值具有减小的倾向，若缩短直链部分的长度则“熔融粘度”的值具有增大的倾向。若增加分支部分的数量则“熔融粘度”的值具有减小的倾向，若减少分支部分的数量则“熔融粘度”的值具有增大的倾向。若在侧链部分导入极性基团则“熔融粘度”的值具有增大的倾向。若增大聚烯烃的分子量则“熔融粘度”的值具有增大的倾向，若减小聚烯烃的分子量则“熔融粘度”的值具有减小的倾向。若增大聚烯烃的密度则“熔融粘度”的值具有增大的倾向，若减小聚烯烃的密度则“熔融粘度”的值具有减小的倾向。作为利用密封材料组合物中含有的基础树脂以外的材料进行的调整，例如，可以举出添加“熔融粘度”与基础树脂不同的树脂的方法、或添加填料之类的无机成分的方法。
以往，关于作为密封材料片的流动性的指标而广泛采用的MFR的值，在依照JISK6922进行测定的情况下，在190℃下进行测定。但是，该温度与实际上自发光型显示体用的密封材料片在热压加工时发生熔融时的温度背离。如后述实施例中所示，即便MFR的值在适当值的范围，若上述“熔融粘度”超过规定的值，有时也无法确保所需的模塑性。推测其理由是因为，MFR是基于静载荷的流动性的评价，是假定了粘性低的液体的指标。通过MFR的测定，认为无法对具有一定粘性的状态即温度120℃附近的聚烯烃进行适当的测定，另外也无法对粘性进行适当的评价。作为用于控制热压加工时的树脂的流动性的指标，代替MFR，如上所述将温度120℃下的剪切模量、即在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度作为自发光型显示体用的密封材料片的物性优化的指标，由此能够根据密封材料片的实际使用状态获得有效性高的与精密的树脂选择有关的指标。
熔融粘度是测定熔融时的粘性。自发光型显示体用的密封材料片若在大幅超过120℃的高温下进行热压加工，则有可能对LED模块造成损伤，因此在120℃附近的温度下使用。聚烯烃在120℃附近的温度下具有一定的粘性。自发光型显示体用的密封材料片要求填充小的LED元件彼此的间隙，因此可以说着眼于密封材料片的粘性很重要。
第1实施方式的密封材料片的维氏软化点优选超过60℃且为100℃以下、更优选为70℃以上90℃以下。通过使密封材料片的维氏软化点超过60℃，能够更可靠地抑制使用了密封材料片的自发光型显示体的制造过程中的粘连的发生，能够有助于自发光型显示体的生产率的提高。另一方面，通过使维氏软化点为100℃以下，能够充分维持对自发光型显示体用的密封材料片所要求的程度的模塑性。
关于第1实施方式的密封材料片的上述维氏软化点，更详细而言，优选根据该密封材料片的熔点更严密地进行优化。具体而言，密封材料片的熔点在50℃以上且小于70℃的比较低的范围时，为了抑制热压加工时的过度流动，优选使维氏软化点为60℃以上且小于70℃的范围。另外，该熔点在70℃以上的比较高的范围时，为了良好地保持热压加工时的模塑性，优选使维氏软化点为70℃以上100℃以下的范围。需要说明的是，第1实施方式中的密封材料片的“维氏软化点”是指如下测定的值：将包含树脂成分和其他添加剂而成的密封材料组合物通过挤出熔融成型等成型法制成片，基于ASTM D1525测定所制成的密封材料片的制片完成后的阶段的维氏软化点。
从其他方面出发，第1实施方式的密封材料片的硬度计A硬度优选为60以上且小于95。若密封材料片的硬度计A硬度小于60，则聚烯烃的结晶速度变慢，由挤出机挤出的片发粘，由此，难以利用冷却辊剥离，难以获得密封材料片。另外，由于密封材料片发粘，因此产生粘连，片的送出变得困难。另一方面，若硬度计A硬度超过95，则模塑性降低，LED元件对凹凸的追随性变得不充分。
形成密封材料片的密封材料组合物的基础树脂只要“在温度120℃下测定的剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度”在上述范围，就可以广泛地选择热塑性的聚烯烃。其中，优选可以使用低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、或者茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)等聚乙烯。需要说明的是，第1实施方式中“基础树脂”是指，对于含有该基础树脂而成的树脂组合物而言，在该树脂组合物的树脂成分中含量比最大的树脂。
作为密封材料组合物的基础树脂使用的上述聚乙烯的密度只要为0.870g/cm3以上0.910g/cm3以下即可，优选为0.895g/cm3以上0.905g/cm3以下。通过使密封材料组合物的基础树脂的密度为0.910g/cm3以下，能够将密封材料片与配线基板等的密合性保持为优选的范围。另外，通过使该密度为0.890g/cm3以上，能够不经交联处理而使密封材料片具备所需充分的耐热性。
在密封材料组合物中，根据需要更优选使各密封材料组合物中含有一定量的将乙烯和烯键式不饱和硅烷化合物作为共聚单体进行共聚而成的硅烷共聚物(下文中也称为“硅烷改性聚乙烯”)。硅烷改性聚乙烯例如是通过将烯键式不饱和硅烷化合物作为侧链接枝聚合到作为主链的线性低密度聚乙烯(LLDPE)等上而成的。这种接枝共聚物由于有助于粘接力的硅烷醇基的自由度高，因此能够提高密封材料片1与Micro LED显示装置100等自发光型显示体中的其他部件的粘接性。关于该硅烷改性聚乙烯在密封材料组合物中的含量，例如，在由外皮层-芯层-外皮层的结构形成的多层密封材料片中的情况下，优选在芯层用的密封材料组合物中为2质量％以上20质量％以下，在外皮层用的密封材料组合物中为5质量％以上40质量％以下。更优选在外皮层用的密封材料组合物中含有10％以上的硅烷改性聚乙烯。需要说明的是，上述硅烷改性聚乙烯中的硅烷改性量优选为1.0质量％以上3.0质量％以下左右。关于上述密封材料组合物中的优选的硅烷改性聚乙烯的含量范围，以上述硅烷改性量在该范围内为前提，优选根据该改性量的变动适当进行微调。
通过使用硅烷改性聚乙烯作为自发光型显示体用的密封材料组合物的成分，强度、耐久性等优异，并且耐候性、耐热性、耐水性、耐光性、耐风压性、耐冰雹性、其他各种特性优异，进而不受制造自发光型显示体的加热压接等制造条件的影响而具有优异的热粘性，能够稳定地以低成本制造适于各种用途的自发光型显示体。
<本实施方式中包含的第2实施方式>
具体而言，第2实施方式提供以下方案。
(16)一种密封材料片，其为自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其是包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，上述密合层含有聚烯烃和硅烷成分，不含有交联剂，上述硅烷成分相对于上述密合层的树脂成分的含量为0.02质量％以上0.15质量％以下。
(16)的方案为对具有微细凹凸的电子器件进行密封的密封材料片，其中，使基础树脂为热塑性的聚烯烃，并且在大部分硅烷成分被接枝聚合到该聚烯烃上的状态下，以特定范围的含量包含硅烷成分。由此，能够获得均衡地兼具作为成品的Micro LED电视等在使用时与电路基板的密合耐久性、和制造阶段过程中的再加工性的密封材料片。
(17)如(16)所述的密封材料片，其中，上述聚烯烃是密度为0.870g/cm3以上0.910g/cm3以下的聚乙烯。
根据(17)的方案，能够制成密合性和耐热性良好的密封材料片。
(18)如(16)或(17)所述的密封材料片，其中，在上述硅烷成分中，70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到上述聚烯烃上的接枝硅烷成分。
根据(18)的方案，在从通常的Micro LED电视的制造时至使用时的产品生命周期中，能够更可靠地享有(16)或(17)的方案可起到的上述效果。特别是，能够显著提高从密封材料片的制造完成至组装到最终产品中的期间的密封材料片的产品品质的稳定性。
(19)如(16)至(18)中任一项所述的密封材料片，其是在以聚乙烯为基础树脂的基材层上层积有上述密合层的多层的树脂片。
根据(19)的方案，使(16)至(18)中任一项所述的密封材料片为除了密合层以外进一步具备基材层的多层结构的树脂片。通过使基材层由耐热性更优异的树脂构成，能够形成在密合层中可确保(16)至(18)中任一方案可起到的各效果、同时进一步在耐热性等其他各物性方面也优异的密封材料片。
(20)一种自发光型显示体用的密封材料片的制造方法，其为自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片的制造方法，其中，上述密封材料片是包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，该制造方法包括通过熔融形成密合层用密封材料组合物而对上述密合层进行制膜的密合层制膜工序，上述密合层用密封材料组合物含有聚烯烃和硅烷成分，不含有交联剂，在上述硅烷成分中，70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到上述聚烯烃上的接枝硅烷成分，调整上述硅烷成分相对于上述聚烯烃的含量，以使上述密合层的通过下述第1密合性试验测定的第1密合强度为3.0N/15mm以上8.0N/15mm以下，并且上述密合层的通过下述第2密合性试验测定的第2密合强度为10.0N/15mm以上20.0N/15mm以下。
第1密合性试验：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第1密合强度。
第2密合性试验：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，进而，之后在150℃利用真空加热层压机进行15分钟固化处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第2密合强度。
(20)的方案将(16)的方案的技术思想规定为制造方法。该制造方法为下述方法：在对电子器件进行密封的密封材料片中，利用使基础树脂为热塑性的聚烯烃、并且大部分硅烷成分被接枝聚合到聚烯烃上的物质，并且将硅烷成分的含量优化为特定范围，以使制造阶段的多个阶段中的密合性能够优化。由此，能够获得均衡地兼具作为成品的Micro LED电视等在使用时与电路基板的密合耐久性、和制造阶段过程中的再加工性的密封材料片。
(21)一种自发光型显示体，其具备：(16)至(19)中任一项所述的密封材料片；显示面面板；和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片被覆上述发光元件和上述配线基板并层积于上述发光模块，上述显示面面板层积于上述密封材料片。
(21)的方案是将第2实施方式应用于以作为下一代显示器的主流受到期待的Micro LED电视为代表的各种LED显示装置中。由此，能够获得生产率和耐久性优异的LED显示装置。
(22)如(21)所述的自发光型显示体，其中，上述发光元件为LED元件，该LED元件具有LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩，该LED元件的宽度和纵深均为300μm以下，高度为200μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.03mm以上100mm以下。
(22)的方案是将(21)的自发光型显示体应用于以将大量LED芯片直接安装到基板上的板上芯片方式密集地安装有LED元件的高清晰度的点阵显示装置等中。由此，能够获得生产率和耐久性优异的高清晰度的LED显示装置。
(23)如(22)所述的自发光型显示体，其中，上述LED元件的宽度和纵深均为50μm以下，高度为10μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.05mm以上5mm以下。
(23)的方案是将(22)的自发光型显示体应用于近年来正在进行开发、作为下一代屏幕图像显示装置受到期待的“Micro LED电视”中。由此，能够获得生产率和耐久性优异的超高清晰度的LED显示装置。
(24)一种自发光型显示体的再加工方法，其为(21)至(23)中任一项所述的自发光型显示体的再加工方法，其中，将热层压工序分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行，该热层压工序将包括发光模块和被覆构成该发光模块的发光元件而进行层积的密封材料片的层积体进行一体化，在上述初期层压处理终止后且上述最终固化处理开始前，进行伴有将上述密封材料片的一部分切割出并从上述发光模块剥离的操作的再加工工序。
(24)的方案中，例如，对于使用(16)所述的密封材料片等构成的自发光型显示体用的LED模块，能够以优选的水平兼顾作为Micro LED电视等自发光型显示体长期使用时的密合耐久性与制造阶段过程中的再加工性。
根据第2实施方式，可以提供一种自发光型显示体用的密封材料片，其兼具作为Micro LED电视等自发光型显示体长期使用时的密合耐久性与制造阶段中的再加工性。
在自发光型显示体中，在配线基板上安装LED元件等发光元件而构成的LED模块(发光模块)的发光面侧的表面，层积有用于保护发光元件的密封材料片(参照专利文献2、3)。专利文献2中公开了包含聚乙烯而成的密封材料；专利文献3中公开了包含玻璃密合性更优异的酸改性聚乙烯而成的密封材料。
对于自发光型显示体用的密封材料片，要求在其使用时、例如作为上述Micro LED电视等一体化后与由玻璃环氧树脂或玻璃板等构成的电路基板具有长期密合耐久性。但是，另一方面，例如在上述Micro LED电视中，每1台安装有几万～几十万个LED元件，事实上几乎不可能在安装的初期阶段完全防止所有这些LED元件的发光不良。由此，对于自发光型显示体用的密封材料片，还要求层积一体化于安装有LED元件的电路基板上的状态下的“再加工性”。
需要说明的是，第2实施方式中的“再加工”是指下述操作：在不对正常的LED元件造成损害的情况下切割密封材料片的一部分，并从电路基板剥离揭下，仅对安装于电路基板的LED元件中的一部分不良元件进行更换。另外，“再加工性”是指密封材料片在上述“再加工”操作中的适应性、即该操作时的适度的剥离容易性。
第2实施方式是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供兼具作为Micro LED电视等自发光型显示体长期使用时的密合耐久性与制造阶段中的再加工性的自发光型显示体用的密封材料片。
本发明人进行了反复深入的研究，结果发现，关于电子器件用的密封材料片，通过为以热塑性的聚烯烃为基础树脂的树脂片，并优化接枝聚合到聚烯烃的硅烷成分的含量，能够解决上述课题，由此完成了第2实施方式。以下，更具体地说明第2实施方式。
需要说明的是，由于与第1实施方式通用，因此省略对自发光型显示体、Micro LED显示装置、LED模块、以及LED元件的说明。
[密封材料片]
第2实施方式的密封材料片是优选可以作为在Micro LED电视等安装有微小且大量的发光元件的“自发光型显示体”等中被覆发光元件并层积于配线基板上的树脂片而使用的树脂片，并且是再加工性也优异的树脂片。
第2实施方式的密封材料片将以聚烯烃为基础树脂的密封材料组合物成膜而形成片状的部件。并且，在该片状的状态下，是包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片。即，第2实施方式的密封材料片可以为仅由以下详细说明的密合层构成的单层片。或者，第2实施方式的密封材料片也可以为树脂密度或组成与密合层不同的其他树脂层与密合层层积而成的多层片。需要说明的是，第2实施方式中的多层膜是指由下述结构构成的膜或片，其具有成型于至少任一最外层、优选两最外层的密合层和作为密合层以外的层的基材层。
在第2实施方式的密封材料片为多层片的情况下，例如，可以举出在由聚烯烃构成的基材层的至少单面、优选两面层积由聚烯烃形成且包含硅烷成分的密合层而成的多层片作为优选的层结构的示例。这种情况下，作为构成基材层的聚烯烃，优选选择与构成密合层的聚烯烃相比耐热性优异的树脂。
无论如何，对于第2实施方式的密封材料片来说，除了上述示例的层结构以外，在为任意层结构的情况下，至少露出到树脂片的一个表面的最表面的层为上述密合层是必要条件。
在第2实施方式的密封材料片为仅由密合层构成的单层树脂片的情况下，其总厚度为50μm以上1000μm以下即可，优选为50μm以上500μm以下、更优选为50μm以上300μm以下。另外，在密封材料片1为由基材层和层积于其两面的密合层构成的两种3层的多层树脂片的情况下，其总厚度优选为70μm以上500μm以下，此时的密合层的厚度优选为10μm以上100μm以下，基材层的厚度优选为50μm以上300μm以下。
其中，在进行被覆的对象LED元件是高度为10μm以下的极微小尺寸的LED元件时，无论在为任何层结构的情况下，密封材料片的总厚度均优选为25μm以上100μm以下，在为两种3层的多层片的情况下，上述总厚度范围内的密合层的厚度优选为5μm以上30μm以下。
根据被覆对象的LED元件的尺寸，通过使密封材料片的总厚度分别为50μm以上或5μm以上，能够充分保护LED元件免受来自外部的冲击。另一方面，若密封材料片的厚度为1000μm以下，则容易发挥出热层压工序中的热压加工时的模塑性。具体而言，在被覆了LED元件的状态下热压加工时，构成密封材料片的树脂充分地包裹在LED模块表面的凹凸的周围，容易无间隙地进行良好的层压。另外，在被覆对象的LED元件是高度为10μm以下的极微小尺寸的LED元件时，若密封材料片的厚度为100μm以下，在一体化后的自发光型显示体中，容易将由密封材料片构成的密封层的透光率维持在优选的水平。
在第2实施方式中，作为形成单层的密封材料片或多层的密封材料片的密合层的密合层用密封材料组合物的基础树脂的聚烯烃优选为聚乙烯，可以使用密度为0.870g/cm3以上0.910g/cm3以下的聚乙烯。另外，更优选可以使用密度为0.895g/cm3以上0.905g/cm3以下的低密度聚乙烯。通过使密合层的基础树脂的密度为0.910g/cm3以下，能够将密封材料片与配线基板等的密合性保持为优选的范围。另外，通过使该密度为0.870g/cm3以上，能够不经交联处理而使密封材料片具备所需的耐热性。需要说明的是，在第2实施方式中，“基础树脂”是指，对于含有该基础树脂而成的树脂组合物而言，在该树脂组合物的树脂成分中含量比最大的树脂。
关于作为密合层用密封材料组合物的基础树脂的上述聚乙烯，更详细而言，优选可以使用低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、或者茂金属系线性低密度的聚乙烯(M-LLDPE)。其中，使用作为单中心催化剂的茂金属催化剂所合成的M-LLDPE由于侧链的分支少、共聚单体的分布均匀，因此分子量分布窄、容易为超低密度，由此在Micro LED显示装置100等自发光型显示体中能够使密封材料片1对于由玻璃环氧树脂板或玻璃板等构成的配线基板20的密合性更优异。
另外，对于构成密封材料片的密合层而言，在作为基础树脂的聚烯烃中，优选上述聚乙烯中在特定的含量范围内含有硅烷成分。密合层的树脂成分中的“硅烷成分”的含量为0.02质量％以上0.15质量％以下即可，优选为0.03质量％以上0.10质量％以下。若密合层的树脂成分中的硅烷成分的量为0.02质量％，在作为自发光型显示体的一体化的制造过程中初期密合性容易变得不充分。另一方面，在该量超过0.15质量％以下的情况下，该制造过程中的再加工性变得不充分。另外，该情况下，还具有保存中的硅烷成分容易发生变质、并且密封材料片的拉伸伸长率和热粘性降低的倾向。
第2实施方式的密封材料片优选的是，密合层中包含的该“硅烷成分”的大部分、具体而言该硅烷成分中70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到作为基础树脂的聚烯烃上的“接枝硅烷成分”，另外，该硅烷成分中未接枝聚合到该基础树脂上的“未反应硅烷成分”的比例为30质量％以下。通过使硅烷成分中的“接枝硅烷成分”的比例为70质量％以上、即“未反应硅烷成分”的上述比例为30质量％以下，能够延长自发光型显示体用的密封材料片的使用期限(保存期限)。具体而言，在该“未反应硅烷成分”的上述比例超过30质量％的情况下，在23℃50％环境下保存时的使用期限(保存期限)、即刚制膜后的密封材料片与玻璃环氧基板的密合性维持率为80％以上的期间为3～6个月左右，与此相对，通过将该比例抑制为小于30质量％，能够使该期间为12～18个月。
此处，第2实施方式中的“硅烷成分”是指“接枝到基础树脂的主链的烷氧基硅烷和未接枝的烷氧基硅烷”。另外，第2实施方式中的“接枝硅烷成分”是指“接枝聚合到基础树脂上的烷氧基硅烷成分”，作为其他硅烷成分的“未反应硅烷成分”是指“未接枝到基础树脂上而游离的烷氧基硅烷成分”。
需要说明的是，关于密封材料片的“接枝硅烷成分”的含量(质量％)，利用ICP发射光谱分析法或EPMA对Si元素量进行定量，同时利用气相色谱对接枝的烷氧基硅烷种类进行定性，由此可以测定其含量。需要说明的是，“未反应硅烷成分”、即在基础树脂中游离的烷氧基硅烷成分例如可以通过浸渍在甲苯等溶剂中来进行提取，在提取后，可以通过ICP发射光谱分析法等上述各分析方法同样地进行定量。
作为密合层中的“接枝硅烷成分”的材料，可以使用硅烷改性聚烯烃，优选使用硅烷改性聚乙烯。该硅烷改性聚乙烯例如是通过将烯键式不饱和硅烷化合物作为侧链接枝聚合到作为主链的线性低密度聚乙烯(LLDPE)等上而成的。这种接枝共聚物中，有助于粘接力的硅烷醇基的自由度高。由此，能够提高密封材料片1与玻璃环氧基板等配线基板20的密合性和密合耐久性。硅烷改性聚乙烯例如可以通过日本特开2003-46105号公报中记载的方法来制造。
在使用该硅烷改性聚乙烯作为形成密合层的树脂材料的情况下，对于该硅烷改性聚乙烯的烯键式不饱和硅烷化合物的接枝量和该硅烷改性聚乙烯相对于密合层的全部树脂成分的添加量，按照密合层的树脂成分中的硅烷成分的量为上述的0.02质量％以上0.15质量％以下的范围的方式适当调整上述接枝量和添加量即可。
关于该接枝量和添加量的调整，更详细而言，如下所述。例如，在使作为烯键式不饱和硅烷化合物的乙烯基三甲氧基硅烷接枝聚合到线性低密度聚乙烯(LLDPE)等基础树脂上而得到硅烷改性聚乙烯的情况下，乙烯基三甲氧基硅烷的分子量为148.2，而Si的分子量为28.1，因此乙烯基三甲氧基硅烷中的Si的比例为19.0％左右，由此，例如，乙烯基三甲氧基硅烷5.0质量份中的硅烷成分量为0.95质量份左右。另外，由于在密封材料片的制造过程中许多硅烷成分挥发到大气中，因此在添加了乙烯基三甲氧基硅烷5.0质量份的情况下，最终残留在密封材料片的树脂成分中的硅烷成分通常为0.4质量份左右。需要说明的是，不另外添加硅烷偶联剂等，通过使用硅烷改性聚乙烯，能够使树脂中的全部硅烷成分中的80％～99％左右为接枝硅烷成分。关于上述硅烷改性聚乙烯制造时的硅烷成分的接枝量和聚合后的树脂的添加量，优选将上述事项作为一般性的基准，并根据各制造现场的各种条件对最终的配比进行优化。
作为密合层的基础树脂的聚烯烃的MFR优选为5g/10分钟以上35g/10分钟以下。通过使MFR为5g/10分钟以上35g/10分钟以下的范围内，能够均衡地提高初期的密合性和密合耐久性。需要说明的是，关于第2实施方式中的熔体质量流动速率(MFR)，只要没有特别说明，如上所述是指根据JIS K6922-2测定的190℃、载荷2.16kg下的熔体质量流动速率(MFR)的值。
例如，如图4所示的密封材料片1那样，在第2实施方式中密封材料片为多层片的情况下，基材层的基础树脂也与密合层同样地优选使用聚烯烃，优选选择耐热性比构成密合层的聚烯烃更优异的树脂。具体而言，优选使用密度为0.890g/cm3以上0.925g/cm3以下的聚乙烯，更优选使用密度为0.895g/cm3以上0.920g/cm3以下的聚乙烯。通过使基材层的基础树脂的密度为0.920g/cm3以下，能够将密封材料片与配线基板等的密合性保持为优选的范围。另外，通过使该密度为0.895g/cm3以上，能够不经交联处理而使密封材料片1具备所需的耐热性。
在作为多层片的密封材料片1中，作为基材层，更优选使用具有80℃以上125℃以下左右的熔点、并且与形成密合层的硅烷改性聚烯烃相比熔点更高的聚乙烯或其他聚烯烃。这种情况下，作为形成密合层的硅烷改性聚烯烃，组合具有60～100℃左右的熔点的低熔点硅烷改性聚乙烯系的树脂来构成多层片，由此可以制成耐热性与密合性、密合耐久性的平衡优异的密封材料片。
在作为多层片的密封材料片1中，在基材层中含有硅烷成分不是必须的。其中，在基材层的树脂成分中，可以以0.06质量％以下的比例包含。另外，该情况下，也优选全部硅烷成分中的70％以上的硅烷成分为上述的“接枝硅烷成分”。
以上说明的第2实施方式的密封材料片是以上述聚烯烃为基础树脂且不含有交联剂的热塑系的树脂片。另外，该密封材料片的凝胶分数为0％。需要说明的是，第2实施方式中的“凝胶分数(％)”是指，将1.0g密封材料片放入树脂网中，在110℃利用二甲苯提取12小时后，连同树脂网一起取出，干燥处理后进行称量，对提取前后的质量进行比较，测定残留不溶组分的质量％，以此作为凝胶分数。需要说明的是，凝胶分数0％是指上述残留不溶组分实质上为0，是指密封材料组合物或密封材料片的交联反应实质上未开始的状态。更具体而言，“凝胶分数0％”是指完全不存在上述残留不溶组分的情况、以及利用精密天平测定的上述残留不溶组分的质量％小于0.05质量％的情况。需要说明的是，上述残留不溶组分中不包含树脂成分以外的颜料成分等。这些树脂成分以外的混杂物因上述试验而混杂于残留不溶组分中的情况下，例如，预先另行测定这些混杂物在树脂成分中的含量，由此对于除去这些混杂物外的树脂成分来源的残留不溶组分，能够计算出原本应得到的凝胶分数。
[密封材料片的制造方法]
第2实施方式的密封材料片可以经过下述制膜工序来制造：将其组成的详细情况如上所述的密封材料组合物熔融形成为片状，该密封材料组合物用于形成至少包含密合层的各层。该熔融成型可以通过在通常的热塑性树脂中通常所用的成型法、即注射成型、挤出成型、中空成型、压缩成型、旋转成型等各种成型法来进行。关于作为多层片的成型方法，作为一例，可以举出基于利用2种以上熔融混炼挤出机进行的共挤出的成型方法、或将各层分别制膜后通过干式层压进行接合的方法。
需要说明的是，第2实施方式的密封材料片多在密封材料组合物中不包含交联剂。因此，在通常的低密度聚烯烃的成型温度、例如120℃左右的加热条件下，未出现凝胶分数的变化，制膜中的密封材料组合物的凝胶分数被维持为0％。由此，在制膜时能够降低施加到挤出机等的负荷，提高密封材料片的生产率。
特别是，在使用密合层用密封材料组合物将密合层制膜的密合层制膜工序中，可知作为密合层用密封材料组合物的基础树脂的聚烯烃中的硅烷成分的含量优选为0.02质量％以上0.15质量％以下的范围，更优选按照该密合层的通过下述第1密合性试验测定的第1密合强度为3.0N/15mm以上8.0N/15mm以下、并且上述密合层的通常下述第2密合性试验测定的第2密合强度为10.0N/15mm以上20.0N/15mm以下的方式，获得确定硅烷成分相对于聚烯烃的最佳含量的最佳值的试验制膜工序。例如，将该试验制膜工序中得到的样品密封材料片的上述各密合强度的测定结果反馈到密合层中的硅烷成分量的调整中，之后，利用相同组成的密封材料组合物继续制造，由此能够良好地保持密封材料片的再加工性。
(第1密合性试验)
：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成75×50mm尺寸的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，以15mm宽度、以贯通至玻璃环氧树脂板表面上方的方式切出成为剥离起始部位的起点的切口，然后利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第1密合强度。
(第2密合性试验)
：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成75×50mm尺寸的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，进而，之后在150℃利用真空加热层压机进行15分钟固化处理，对于在玻璃环氧树脂板上密合的密封材料片试样，以15mm宽度、以贯通至玻璃环氧树脂板表面上方的方式切出成为剥离起始部位的起点的切口，然后利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第2密合强度。
[Micro LED显示装置的制造方法]
Micro LED显示装置100可以如下获得：将在配线基板20上安装LED元件10而成的自发光型显示体用的LED模块30、密封材料片1、以及根据需要配置的其他光学部件进行层积而形成层积体，经过利用热压加工将该层积体一体化的工序，之后，进一步通过粘着贴合等将显示面面板2层积一体化到该层积体上，由此可以得到Micro LED显示装置100。
上述热层压工序优选分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行。这是因为，通过将热层压工序分成使密封材料片不产生气泡地追随LED的凹凸而密合的初期层压处理、与在密合后进一步增加密合力并制成使密合力稳定的物体的最终固化处理来进行，能够在高品质稳定性下制造密合力更强的Micro LED的密封材料。
根据需要，一部分层积部件可以在上述热层压工序前预先利用粘接剂进行接合。第2实施方式的密封材料片1的特征在于，在用于作为该最终产品的一体化的热层压工序中的热压加工时可发挥出充分的模塑性，还具备有助于生产率提高的再加工性，另外，该热层压工序后的密合耐久性也优异。
[Micro LED显示装置的再加工方法]
在进行上述Micro LED显示装置的制造方法时，从易于进行良好的操作的方面出发，可以在上述初期层压处理终止后且最终固化处理开始前进行下述再加工工序：将密封材料片1的一部分切割出并从LED模块剥离，对产生了发光不良的LED元件进行更换。这是因为，如上所述，密封材料片1在初期层压处理完成后表现出以上述第1密合强度为基准的能够再加工的程度的密合性，并且在最终固化处理完成后表现出以上述第2密合强度为基准的良好的密合耐久性。
<本实施方式中包含的第3实施方式>
具体而言，第3实施方式提供以下方案。
(25)一种密封材料片，其为自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其中，一个表面为密合面，另一个表面为剥离面，通过下述密合性试验测定的上述密合面的密合强度为5.0N/15mm以上50.0N/15mm以下，上述剥离面的上述密合强度为0.1N/15mm以上3.0N/15mm以下。
密合性试验：在青板玻璃板(75mm×50mm×3mm)上密合切割成15mm宽的密封材料片试样中作为测定对象的一侧的表面，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在该青板玻璃板上的密封材料片试样，利用剥离试验机进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定各表面的密合强度。
在(25)的方案中，使自发光型显示体用的密封材料为在一个面(密合面)与另一个面(剥离面)具有密合强度不同的非对称的层结构的树脂膜。由此，能够获得兼具与具有微细凹凸的电路基板表面的密合性、与从热层压加工时所载置的加热板的起模性的密封材料片，即便不使用剥离膜，也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。
(26)如(25)所述的密封材料片，其以密度0.870g/cm3以上0.930g/cm3以下的聚乙烯为基础树脂。
根据(26)的方案，能够优化密封材料片的密合性与起模性的平衡。
(27)如(25)或(26)所述的密封材料片，其是具有露出到上述密合面侧的表面的密合层、与露出到上述剥离面侧的表面的非密合层的多层的树脂片，上述密合层相对于树脂成分以0.02质量％以上0.19质量％以下的比例含有硅烷成分，上述非密合层不含有上述硅烷成分，或者即便在含有的情况下，相对于树脂成分的含量也小于0.02质量％。
根据(27)的方案，使形成密合面的密合层含有适量的硅烷成分，使形成剥离面的非密合层不含有硅烷成分，或者即便含有也限制为小于极微量。由此，将各面的密合强度控制为合适的范围，能够更可靠地享有(25)或(26)的方案可起到的上述效果。
(28)如(25)至(27)中任一项所述的密封材料片，其是在以上述聚乙烯为基础树脂的基材层的一个面层积有上述密合层、在另一个面层积有上述非密合层的多层的树脂片。
根据(28)的方案，使(25)至(27)中任一项所述的密封材料片为在基材层的两面分别层积有密合层和非密合层而成的3层结构的树脂片。由此，通过密合成分的含量分别不同的树脂组合物的共挤出能够容易地制造各层的密合强度得到适当控制的密封材料片，能够形成在确保(25)至(27)中的任一方案可起到的各效果的同时、进而生产性也优异的密封材料片。
(29)一种自发光型显示体用的LED模块，其具备：(25)至(28)中任一项所述的密封材料片；和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片以使上述密合面面对上述发光元件和上述配线基板的方式层积于上述发光模块。
(29)的方案应用于“LED模块”，该“LED模块”优选可以用于构成近年来正在进行开发、作为下一代屏幕图像显示装置受到期待的“Micro LED电视”等自发光型显示体等。由此，能够使利用了该LED模块的自发光型显示体等的生产率和耐久性优异。
(30)一种自发光型显示体，其包括(29)所述的自发光型显示体用的LED模块和显示面面板而成，上述显示面面板层积于构成上述LED模块的上述密封材料片的上述剥离面。
(30)的方案在近年来正在进行开发、作为下一代屏幕图像显示装置受到期待的“Micro LED电视”等自发光型显示体中应用了(29)的LED模块。由此，能够得到生产率与耐久性优异的LED显示装置。
(31)一种LED模块的制造方法，其为(29)所述的自发光型显示体用的LED模块的制造方法，该制造方法包括热层压工序：将上述发光模块与上述密封材料片层积而成的层积体以载置于包含金属和/或玻璃的加热板上的状态进行加热压接，由此进行一体化，不隔着剥离膜而将构成上述层积体的密封材料片的上述密合面直接载置于上述加热板上，进行上述加热压接。
(31)的方案将(25)的方案的技术思想规定为制造方法。该制造方法通过使用兼具与具有微细凹凸的电路基板表面的密合性、与从热层压加工时所载置的加热板的起模性的密封材料片，由此，即便不使用剥离膜也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。
根据第3实施方式，可以提供一种自发光型显示体用的密封材料片，其即便不使用剥离膜也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。
自发光型显示体为下述结构：在配线基板上安装LED元件等发光元件而成的发光模块的发光面侧的表面，层积用于保护发光元件的密封材料片，在由此形成的自发光型显示体用的LED模块上进一步层积有各种光学膜或透明保护玻璃等显示面面板(参照专利文献2、3)。
对于用于构成上述自发光型显示体用的LED模块的密封材料片，例如，要求与构成上述LED模块的基板的玻璃环氧树脂和玻璃板等的密合性优异。作为这种密合性优异的密封材料片的示例，专利文献2中公开了包含聚乙烯而成的密封材料；专利文献3中公开了包含玻璃密合性更优异的酸改性聚乙烯而成的密封材料。
顺便提及，自发光型显示体用的LED模块通过将发光模块与密封材料片层积而成的层积体以载置于加热板上的状态进行加热压接而一体化的热层压工序来制造。该工序中，为了确保具有优异的密合性的密封材料片与上述加热板之间在上述工序终止后具有所需充分的剥离性，在进行上述加热压接时，需要使密封材料片与加热板之间夹入有由聚酯系树脂等构成的各种剥离膜。
但是，若夹入剥离膜进行上述热层压工序，不仅剥离膜的消耗成本升高，而且由于剥离膜的表面的微细凹凸或与加热相伴的变形等，有时会使密封材料片表面的平滑性受损。密封材料片表面的平滑性受损会导致自发光型显示体的光学特性或长期耐久性降低。在自发光型显示体用的LED模块的生产现场，要求开发出能够避免与剥离膜使用相伴的品质降低与生产率劣化的技术手段。
第3实施方式是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供一种自发光型显示体用的密封材料片，该密封材料片即便不使用剥离膜也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。
本发明人进行了反复深入的研究，结果发现，关于自发光型显示体用的密封材料片，通过在片两面具有非对称的密合性的密封材料片能够解决上述课题，由此完成了第3实施方式。以下，更具体地说明第3实施方式。
需要说明的是，由于与第1实施方式通用，因此省略对自发光型显示体、Micro LED显示装置、LED模块、以及LED元件的说明。
[密封材料片]
第3实施方式的密封材料片是优选可以作为在Micro LED电视等安装有微小且大量的发光元件的“自发光型显示体”等中被覆发光元件并层积于配线基板上的树脂片而使用的树脂片，并且是再加工性也优异的树脂片。
可以优选用作自发光显示体用的第3实施方式的密封材料片是下述树脂片：在安装有微小且大量的发光元件的LED模块中，通过在一个表面具有良好的模塑性，能够优选作为被覆发光元件并层积于配线基板上的树脂片而使用的树脂片。并且，该密封材料片是下述树脂片：通过在另一个表面具有良好的起模性，以同等或更高的程度维持LED模块品质的同时，在热层压加工时无需使用剥离膜，由此能够有助于LED模块和使用了该LED模块的自发光显示体的生产率的提高。
第3实施方式的密封材料片例如将以密度0.870g/cm3以上0.930g/cm3以下的聚乙烯为基础树脂的密封材料组合物成膜并形成了片状的部件。并且，该树脂片的主要特征在于，在该片状的状态下，在一个面(密合面)和另一个面(剥离面)将密合强度调整为不同的范围。需要说明的是，在第3实施方式中，“基础树脂”是指，对于含有该基础树脂而成的树脂组合物而言，在该树脂组合物的树脂成分中含量比最大的树脂。
这样，只要是在与片表面正交的方向上密合性如以下详细说明那样的具有非对称结构的树脂片，其层结构就不限定于特定的结构。密封材料片实质上为单层结构的树脂片，密合成分偏在于密合面侧，或者可以仅对一个面实施了使密合性或起模性提高的表面处理。或者，也可以为在具有起模性的基材层的单侧层积了具有密合性的密合层的2层结构；或者如图4所示的密封材料片(密封材料片1)那样为在基材层的一个面层积有密合层、并且在另一个面另外形成有非密合层的3层结构。
第3实施方式的密封材料片无论在上述任一层结构的情况下，密封材料片的各面的密合强度均是通过下一段落中记载的“密合性试验”测定的各强度分别在规定范围内即可。具体而言，密合面的密合强度只要为5.0N/15mm以上50.0N/15mm以下即可，更优选为5.0N/15mm以上12.0N/15mm以下。另外，剥离面的密合强度优选为0.1N/15mm以上3.0N/15mm以下、更优选为0.3N/15mm以上2.0N/15mm以下。
(密合性试验)
：密合性试验：在青板玻璃板(75mm×50mm×3mm)上密合切割成15mm宽的密封材料片试样中作为测定对象的一侧的表面，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在该青板玻璃板上的密封材料片试样，利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定各表面的密合强度。
在上述规定的密封材料片1中，若密合面124的密合强度小于5.0N/15mm，则在作为LED模块的一体化的制造过程中初期密合性容易变得不充分。另一方面，在该密合强度超过50.0N/15mm的情况下，具有密封材料片的拉伸伸长率和热粘性降低的倾向。另外，通过将密合面124的密合强度止于12.0N/15mm以下，能够确保密封材料片1的再加工性。此处，第3实施方式中的“再加工”是指下述操作：在不对正常的LED元件造成损害的情况下从LED模块切割密封材料片的一部分，并从电路基板剥离揭下，仅对安装于电路基板的LED元件中的一部分不良元件进行更换。另外，“再加工性”是指密封材料片在上述“再加工”操作中的适应性、即该操作时的适度的剥离容易性。
如上所述，第3实施方式的密封材料片优选为图4所示的3层结构的树脂片(密封材料片1)。图4的密封材料片1是在以聚乙烯为基础树脂的基材层111的一个面层积有密合层122、并在另一个面层积有非密合层121的3层结构的树脂片。该3层结构的密封材料片1中，作为一个最外层的非密合层121的表面构成从层压机的加热板(41、42)的起模性优异的剥离面，作为另一最外层的密合层122的表面构成模塑性与密合性优异的密合面124。
在密封材料片1为由基材层111和层积在其两面的密合层122与非密合层121构成的3层结构的多层树脂片的情况下，其总厚度优选为70μm以上500μm以下，此时的基材层111的厚度优选为50μm以上300μm以下，为了表现出良好的模塑性，密合层122的厚度优选为10μm以上100μm以下。非密合层121的厚度为5μm以上30μm以下左右即可，优选为与密合层122相同程度的厚度。这是因为，在使密封材料片为上述3层结构的多层树脂片的情况下，层积在其两面的密合层122和非密合层121由熔点及密度相互大幅不同的树脂形成时，在制造过程中容易发生卷曲变形，密封材料片的操作容易性有可能降低。
但是，在进行被覆的对象LED元件是高度为10μm以下的极微小尺寸的LED元件的情况下，关于第3实施方式的密封材料片的总厚度，无论在为任何层结构的情况下，总厚度均优选为25μm以上100μm以下，如图4所示的密封材料片1那样为3层的多层片时，上述总厚度范围内的密合层122的厚度优选为5μm以上30μm以下。另外，非密合层121的厚度为5μm以上30μm以下左右即可，基于与上述同样的理由，优选为与密合层122相同程度的厚度。
在第3实施方式中，根据被覆对象的LED元件的尺寸，通过使密封材料片的总厚度分别为50μm以上或5μm以上，能够充分保护LED元件免受来自外部的冲击。另一方面，若密封材料片的厚度为1000μm以下，则容易发挥出热层压工序中的模塑性。具体而言，在被覆了LED元件的状态下热压加工时，构成密封材料片的树脂充分地包裹在安装有LED元件的配线基板的表面的凹凸的周围，容易无间隙地进行良好的层压。另外，在被覆对象的LED元件是高度为10μm以下的极微小尺寸的LED元件时，若密封材料片的厚度为100μm以下，在一体化后的自发光型显示体中，容易将由密封材料片构成的密封层的透光率维持在优选的水平。
作为形成第3实施方式的密封材料片的树脂组合物的基础树脂，例如可以使用聚烯烃，优选使用密度0.870g/cm3以上0.930g/cm3以下的聚乙烯。需要说明的是，在密封材料片由密度不同的2个以上树脂层形成的情况下，只要密度最小的树脂层的密度为0.870g/cm3以上、并且密度最大的树脂层的密度为0.930g/cm3以下即可。
在作为3层结构的多层片的密封材料片1中，优选使基材层111的基础树脂为耐热性比密合层122的基础树脂更优异的树脂。具体而言，作为基材层111的基础树脂，优选使用密度0.890g/cm3以上0.925g/cm3以下的聚乙烯，更优选使用密度0.895g/cm3以上0.920g/cm3以下的聚乙烯。通过使基材层111的基础树脂的密度为0.925g/cm3以下，能够将密封材料片与配线基板等的密合性保持为优选的范围。另外，通过使该密度为0.890g/cm3以上，能够不经交联处理而使密封材料片1具备所需的耐热性。
在作为3层结构的多层片的密封材料片1中，密合层122的基础树脂优选使用密度0.870g/cm3以上0.920g/cm3以下的聚乙烯，更优选使用密度0.895g/cm3以上0.915g/cm3以下的聚乙烯。该情况下，通过使密合层122的基础树脂的密度为0.920g/cm3以下，能够将密封材料片1与配线基板等的密合性保持为优选的范围。另外，通过使该密度为0.870g/cm3以上，能够不经交联处理而使密封材料片1具备所需的耐热性。
在作为3层结构的多层片的密封材料片1中，非密合层121的基础树脂优选使用密度0.890g/cm3以上0.930g/cm3以下的聚乙烯，更优选使用密度0.900g/cm3以上0.925g/cm3以下的聚乙烯。该情况下，通过使非密合层121的基础树脂的密度为0.930g/cm3以下，能够对密封材料片1赋予不阻碍所需起模性的范围内的最小限度的密合性。另外，通过使该密度为0.890g/cm3以上，能够将密封材料片1的起模性维持为优选的水平。
作为形成第3实施方式的密封材料片的各层用的密封材料组合物的基础树脂，更详细而言，优选可以使用低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、或者茂金属系线性低密度的聚乙烯(M-LLDPE)。其中，使用作为单中心催化剂的茂金属催化剂所合成的M-LLDPE由于侧链的分支少、共聚单体的分布均匀，因此分子量分布窄、容易为超低密度，由此在LED模块30、以及Micro LED显示装置100等自发光型显示体中能够使密封材料片对于由玻璃环氧树脂板或玻璃板等构成的配线基板20的密合性更优异。
在构成第3实施方式的密封材料片的各层中，密合层122中优选在特定的含量范围内含有硅烷成分。密合层122的树脂成分中的“硅烷成分”的含量优选为0.02质量％以上0.19质量％以下、更优选为0.02质量％以上0.15质量％以下。若密合层的树脂成分中的硅烷成分的含量小于0.02质量％，在作为LED模块的一体化的制造过程中初期密合性容易变得不充分。另一方面，在硅烷成分的含量超过0.19质量％的情况下，随着硅烷成分的增加，密合强度难以进一步增加，材料成本负担变明显的倾向增强。另外，该情况下，还具有保存中的硅烷成分容易发生变质、并且密封材料片的拉伸伸长率和热粘性降低的倾向。另外，通过将密合层的树脂成分中的硅烷成分的含量止于0.15质量％以下，能够确保密封材料片的再加工性。
另一方面，在构成第3实施方式的密封材料片的各层中，对于非密合层121来说，为了使剥离面保持适当的起模性，优选不含有硅烷成分。另外，即便包含硅烷成分，其含量在非密合层121的树脂成分中也优选小于0.02质量％。
在作为3层结构的多层片的密封材料片1中，基材层111中的硅烷成分的含有是任意的，可以以0.06质量％以下的比例含有在基材层111的树脂成分中。但是，例如如上述2层结构的树脂片的情况那样，基材层111的一个面作为最外层露出到密封材料片1的最表面并由该面形成剥离面的情况下，在基材层111中优选不含有硅烷成分，即便包含硅烷成分，其含量也优选小于0.02质量％。
需要说明的是，第3实施方式的密封材料片优选的是，密合层中包含的该“硅烷成分”的大部分、具体而言该硅烷成分中70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到作为基础树脂的聚烯烃上的“接枝硅烷成分”，该硅烷成分中未接枝聚合到该基础树脂上的“未反应硅烷成分”的比例为30质量％以下。通过使硅烷成分中的“接枝硅烷成分”的比例为70质量％以上、即“未反应硅烷成分”的上述比例为30质量％以下，能够延长自发光型显示体用的密封材料片的使用期限(保存期限)。具体而言，在该“未反应硅烷成分”的上述比例超过30质量％的情况下，在23℃50％环境下保存时的(保存期限)、即刚制膜后的密封材料片与玻璃环氧基板的密合性维持率为80％以上的期间为3～6个月左右，与此相对，通过将该比例抑制为小于30质量％，能够使该期间(保存期限)为12～18个月。
需要说明的是，第3实施方式中的“硅烷成分”、“接枝硅烷成分”、以及“未反应硅烷成分”说明与第2实施方式中的“硅烷成分”的说明通用，因此进行省略。
[密封材料片的制造方法]
第3实施方式的密封材料片可以经过下述制膜工序来制造：将其组成的详细情况如上所述的用于形成各层的密封材料组合物熔融形成为片状。该熔融成型可以通过在通常的热塑性树脂中通常所用的成型法、即注射成型、挤出成型、中空成型、压缩成型、旋转成型等各种成型法来进行。关于作为多层片的成型方法，作为一例，可以举出基于利用2种以上熔融混炼挤出机进行的共挤出的成型方法、或将各层分别制膜后通过干式层压进行接合的方法。
例如，已知作为密合层用密封材料组合物的基础树脂的聚烯烃中的硅烷成分的含量优选为0.02质量％以上0.19质量％以下的范围，通过预先进行试验性的制膜，从由此得到的样品密封材料片的各层的密合强度的测定结果来决定密封材料组合物中的硅烷成分的含量的最佳值并进行最终调整，之后使用相同组成的密封材料组合物继续制造，由此能够稳定地享有第3实施方式的效果。
[自发光型显示体用的LED模块的制造方法]
构成Micro LED显示装置100的自发光型显示体用的LED模块30可以经过下述热层压工序而获得：将安装有LED元件10的配线基板20与密封材料片1层积而形成层积体，在将该层积体载置于加热板上的状态下进行加热压接而一体化。
如图5所示，该热层压工序通过下述方式进行：对于上述层积体，直接或藉由辅助加热板42将密封材料片1的一侧载置于层压机40的加热板41上，在该状态下通过抽真空将层积体按压板43压接至层积体，由此可以进行该热层压工序。需要说明的是，辅助加热板42是为了弥补由铁板等形成的加热板41的表面平滑性不足而配置的辅助部件，通常使用具有导热性和表面平滑性的青板玻璃等玻璃板。第3实施方式中的“加热板”不限于仅由加热板41构成。在加热板41上层积有辅助加热板42的情况下，将它们两者构成的层积体视为“加热板”。
以往，在以使密封材料片面对面的方式将构成自发光型显示体用的LED模块30的层积体载置于加热板41(42)上的情况下，为了在加热后维持密封材料片表面的平滑性的状态下使其剥离，需要在密封材料片与加热板41(42)之间夹入剥离膜。与此相对，通过使密封材料片为层结构与现有产品不同的第3实施方式的密封材料片1，在上述层积体的加热压接时能够不隔着剥离膜而将该层积体直接载置于层压机40的加热板41(42)上而进行一体化。
关于上述层积体在该加热板41(42)上的载置，详细而言，不隔着剥离膜而将密封材料片的剥离面123直接载置于加热板41(42)上来进行。若为由密合层122、基材层111、非密合层121构成的3层结构的密封材料片1，预先制成构成自发光型显示体用的LED模块30的层积体，以使在密封材料片1中成为剥离面123的非密合层121的表面露出到最表面。然后，如图6所示，在将该非密合层121的表面直接载置于加热板41(42)上的状态下进行加热压接。需要说明的是，此时，在由密封材料片1的密合层122形成的密合面124中，形成密封材料片的树脂发挥出充分的模塑性，以良好的密合强度与安装有LED元件10的配线基板20密合。
需要说明的是，通常，现有常规的剥离膜假定了粘着材料作为被粘体，因此该膜的表面的平滑性在许多情况下对于对自发光型显示体用的密封材料片的表面所要求的平滑性来说是不足的。通过使用第3实施方式的密封材料片，能够除去现有常规的剥离膜而进行热层压工序，因此，例如通过使用表面平滑性优异的玻璃制的辅助加热板42作为辅助加热板42，能够避免该问题，将密封材料片的表面平滑性稳定地保持为高水平。
需要说明的是，上述热层压工序优选分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行。通过将热层压工序分成使密封材料片不产生气泡地追随安装有LED元件的配线基板的凹凸而密合的初期层压处理、与在密合后进一步增加密合力并制成使密合力稳定的物体的最终固化处理来进行，能够在更高的品质稳定性下制造自发光型显示体用的LED模块30。
[自发光型显示体的制造方法]
进一步通过粘着贴合等将显示面面板2层积一体化到可通过上述制造方法得到的LED模块30上，由此将显示面面板2层积一体化，从而可以制造图2所示的Micro LED显示装置100、或者由相同的层结构构成的各种自发光型显示体。
此处，例如，在Micro LED显示装置100中，通常配置黑色的遮光层作为构成显示面面板2的光学部件。该黑色的遮光层例如也可以通过使接合密封材料片1与显示面面板的粘着层为黑色的层来构成。通过使用第3实施方式的密封材料片1作为密封材料片，能够实现该粘着层部分的再加工(重新粘贴)，从这方面出发，密封材料片1也能有助于Micro LED显示装置100等自发光型显示体的总生产率的提高。
<本实施方式中包含的第4实施方式>
具体而言，第4实施方式提供以下方案。
(32)一种直下型背光源，其具备(1)～(10)中任一项所述的密封材料片、和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片被覆上述发光元件和上述配线基板并层积于上述发光模块。
根据(32)的方案，能够享有(1)至(10)中任一项所述的密封材料片可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的直下型背光源。
(33)如(32)所述的直下型背光源，其中，上述发光元件为LED元件。
(34)如(33)所述的直下型背光源，其中，上述LED元件具有LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩，该LED元件的宽度和纵深均为300μm以下，高度为200μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.03mm以上100mm以下。
(35)如(34)所述的直下型背光源，其中，上述LED元件的宽度和纵深均为50μm以下，高度为10μm以下，各个该LED元件的配置间隔为0.05mm以上5mm以下。
(33)至(35)中的任一方案均能够获得在与各种LED元件的尺寸及配置对应的同时光学特性、耐久性、生产率优异的直下型背光源方式的LED显示装置。
(36)如(32)至(35)中任一项所述的直下型背光源，其中，2个以上上述发光模块具有在同一平面上接合而成的发光面，在该发光面上层积有上述密封材料片。
(36)的方案是将使用本发明的上述密封材料片构成的直下型背光源多个接合，进行各种LED显示装置中的画面尺寸的大型化。本发明的上述密封材料片由于利用热层压进行接合后的表面平滑性优异，因此不会降低与上述直下型背光源模块的接合相伴的画面品质，能够以高设计自由度进行LED显示装置的大屏幕化。
(37)一种LED显示装置，其包含(32)至(36)中任一项所述的直下型背光源、漫射板和显示面面板而成，上述漫射板层积于构成上述直下型背光源的上述密封材料片的上述剥离面。
根据(37)的方案，能够使直下型背光源方式的LED显示装置的生产率和耐久性优异。
(38)一种直下型背光源，其具备(16)至(19)中任一项所述的密封材料片、和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片被覆上述发光元件和上述配线基板并层积于上述发光模块。
根据(38)的方案，能够享有(16)至(19)中任一项所述的密封材料片可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的直下型背光源。
(39)一种LED显示装置，其包含(38)所述的直下型背光源、漫射板和显示面面板而成，上述漫射板层积于构成上述直下型背光源的上述密封材料片的上述剥离面。
根据(39)的方案，能够享有(38)的直下型背光源可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的LED显示装置。
(40)一种直下型背光源的再加工方法，其为(38)所述的直下型背光源的再加工方法，其中，将热层压工序分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行，该热层压工序将包括发光模块和被覆构成该发光模块的发光元件而进行层积的密封材料片的层积体进行一体化，在上述初期层压处理终止后且上述最终固化处理开始前，进行伴有将上述密封材料片的一部分切割出并从上述发光模块剥离的操作的再加工工序。
(40)的方案中，例如，对于使用(16)所述的密封材料片等构成的直下型背光源，能够以优选的水平兼顾作为LED显示装置长期使用时的密合耐久性与制造阶段过程中的再加工性。
(41)一种直下型背光源，其具备(25)至(28)中任一项所述的密封材料片、和在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，上述密封材料片被覆上述发光元件和上述配线基板并层积于上述发光模块。
根据(41)的方案，能够享有(25)至(28)中任一项所述的密封材料片可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的直下型背光源。
(42)一种液晶显示体，其包含(41)所述的直下型背光源、漫射板和显示面面板而成，上述漫射板层积于构成上述直下型背光源的上述密封材料片的上述剥离面。
根据(42)的方案，能够享有(41)的直下型背光源可发挥出的上述各效果，能够获得光学特性、耐久性、生产率优异的液晶显示体。
(43)一种直下型背光源的制造方法，其为(41)所述的直下型背光源的制造方法，该制造方法包括热层压工序：将上述发光模块与上述密封材料片层积而成的层积体以载置于包含金属和/或玻璃的加热板上的状态进行加热压接，由此进行一体化，不隔着剥离膜而将构成上述层积体的密封材料片的上述剥离面直接载置于上述加热板上，进行上述加热压接。
(43)的方案将(25)的方案的技术思想规定为直下型背光源的制造方法。该制造方法通过使用兼具与具有微细凹凸的电路基板表面的密合性、与从热层压加工时所载置的加热板的起模性的密封材料片，由此，即便不使用剥离膜也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造直下型背光源。
以下更具体地说明第4实施方式。需要说明的是，由于与第1、第2或第3实施方式通用，因此省略对密封材料片的说明。
[直下型背光源]
液晶显示体通常具备液晶显示面板等显示屏幕和从背面侧对该显示屏幕进行照明的背光源。例如，在由图7所示的基本结构构成的液晶显示体中，采用了直下型背光源方式。
作为本发明的第4实施方式的直下型背光源例如为作为上述直下型背光源方式的液晶显示体的光源使用的光源单元，作为用于对光源中所用的LED元件等发光器件进行密封的密封材料片，使用上述说明的本发明的第1至第3实施方式的密封材料片而构成。
作为第4实施方式的直下型背光源的优选一例可以举出具有图8所示的层结构的直下型LED背光源200。直下型LED背光源200是在配线基板20上安装有2个以上LED元件10而成的发光模块，其结构为本发明的第1至第3实施方式的密封材料片1以被覆LED元件10和配线基板20的方式进行了层积。如图8所示，在直下型LED背光源200中，隔着密封材料片1在LED元件10上层积有漫射板5等光学部件。
如图8所示，在构成直下型LED背光源200的配线基板20中，通常，隔着粘接剂层24在支撑基板21上形成有配线部22。在支撑基板21和配线部22上形成有绝缘性保护膜25，进而在绝缘性保护膜25上层积有由白色树脂等构成的反射层26。另外，由LED发光芯片11和光漫射型透镜13构成的LED元件10藉由焊料层23以能够导电的方式安装在配线部22上。
通过使用在确保所需模塑性的同时、还抑制了加热加工时材料树脂的过度流动的本发明的密封材料片，与上述自发光显示体同样地能够提高直下型背光源和使用了该直下型背光源的液晶显示体的光学特性、耐久性、生产率。
<本实施方式中包含的其他实施方式>
本发明不限定于以上说明的第1至第4实施方式。例如，能够与上述同样地优选构成小型的LED显示装置、显示装置以外的各种照明装置中的光源单元。
实施例
下面通过实施例来更具体地说明本实施方式，但本实施方式不限定于以下的实施例。
<1.第1实施例>
[密封材料片的制造]
使用挤出机、具有200mm宽的T模的膜成型机，将针对各实施例、比较例所调合的下述密封材料组合物以挤出温度210℃、引出速度1.1m/min、膜厚400μm制成片，制造出各实施例和比较例的密封材料片。需要说明的是，关于T模直下的冷却辊和橡胶辊，冷却辊使用表面粗糙度Rz1.5μm的镀铬抛光的冷却辊，橡胶辊使用硬度70度的硅酮橡胶辊。制膜后的各实施例和比较例的密封材料片的密度如表1中记载的那样。
(实施例1-1(1-1-1～1-1-2)的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂1，将下述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以20质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例1-1(1-1-1～1-1-2)的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂1：密度0.901g/cm3、熔点93℃、190℃下的MFR为2.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
添加树脂1(耐候剂母料)：相对于密度0.919g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的低密度聚乙烯100质量份，KEMISTAB62(HALS)：0.6质量份。KEMISORB12(UV吸收剂)：3.5质量份。KEMISORB79(UV吸收剂)：0.6质量份。
添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)：相对于密度0.900g/cm3、MFR为2.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯100质量份，将乙烯基三甲氧基硅烷2质量份和作为自由基引发剂(反应催化剂)的二枯基过氧化物0.15质量份混合，在200℃熔融、混炼而得到的硅烷改性聚乙烯。该添加树脂2的密度为0.901g/cm3，MFR为1.0g/10分钟。
(实施例1-2(1-2-1～1-2-2)的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂2，将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以20质量份的比例混合，制成用于成型实施例1-2(1-2-1～1-2-2)的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂2：密度0.898g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
(实施例1-3(1-3-1～1-3-2)的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂3，将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以20质量份的比例混合，制成用于成型实施例1-3(1-3-1～1-3-2)的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂3：密度0.905g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
(实施例1-4(1-4-1～1-4-2)的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂4，将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以20质量份的比例混合，制成用于成型实施例1-4(1-4-1～1-4-2)的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂4：密度0.919g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
(比较例1-1的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂5，将上述添加树脂1(耐候剂母料)以3质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以10质量份的比例混合，制成用于成型比较例1-1的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂5：密度0.870g/cm3、190℃下的MFR为1.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
(比较例1-2的密封材料片)
相对于100质量份的下述基础树脂6，将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以20质量份的比例混合，制成用于成型比较例1-2的密封材料片的密封材料组合物。
基础树脂6：密度0.880g/cm3、190℃下的MFR为30.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
[密封材料片的评价]
(密封材料片的熔融粘度)
依照JIS K7199，使用东洋精机制作所制造的Capillograph 1-B，利用设定温度：120℃、D＝1mm、L/D＝10的毛细管测定实施例、比较例的各密封材料片的“剪切速度2.43×10sec-1下的熔融粘度(η)”。结果作为“熔融粘度”示于表1中。
(密封材料片的维氏软化点)
基于ASTM D1525测定实施例、比较例的各密封材料片的维氏软化点。结果作为“维氏软化点”示于表1中。
(密封材料片的MFR)
依照JIS K7210，在190℃、2.16kg载荷的条件下测定实施例、比较例的各密封材料片的MFR。结果作为“MFR”示于表1中。
(密封材料片的硬度计A硬度测定)
对于实施例、比较例的各密封材料片，将多片密封材料层积并进行真空层压，由此制作厚度3mm的硬度测定用的试验片，依照JIS K7215测定硬度计A硬度。将结果作为“硬度”示于表1中。
(评价例1：模塑性)
对于实施例、比较例的各密封材料片，通过下述试验方法评价对于各种凹凸面的模塑性。
模塑性试验用模块制作
试样1(在表1的模块凹凸的栏中记为“微小”)
：按照与宽度25μm×纵深15μm×高度2.5μm的微小尺寸的LED元件具有相同外形的方式将热固化型的环氧树脂成型而形成模拟LED元件，在200×300mm尺寸的玻璃环氧基板的表面以2mm间隔形成共计15251个该模拟LED元件，在该玻璃环氧基板的上述模拟LED元件配置面上层积厚度300μm的各实施例和比较例中的任一种密封材料片，进而在该密封材料片上层积作为表面保护膜的经单面电晕处理的50μm乙烯四氟乙烯(ETFE)膜，利用太阳能电池模块制造用的真空层压机以温度150℃、抽真空时间5分钟、压制保持时间10分钟、上部腔室压力70KPa的条件进行真空层压处理，制作出模塑性试验用模块(试样1)。
试样2(在表1的模块凹凸的栏中记为“小”)
：使模拟LED元件的尺寸为宽度100μm×纵深200μm×高度100μm，并且使其配置间距为10mm，形成共计336个，除此以外通过与试样1相同的材料和方法制作出模塑性试验用模块(试样2)。
模塑性试验：对上述各试验用模块进行目视观察，根据下述评价基准评价模塑特性。
评价基准
A：密封材料片完全追随面对面的LED元件配置面的凹凸。未观察到空隙的形成。
B：观察到3个以内2mm2以内的气泡。
C：密封材料片的一部分未完全追随面对面的LED元件配置面的凹凸，在模拟LED元件的附近形成了一部分层压不良部分(空隙)。
评价结果作为“模塑性”记于表1中。
(评价例2：膜厚均匀性)
关于在上述模塑试验中对实施例、比较例的各密封材料片进行了真空层压后的膜厚均匀性，利用上述各试验用模块，通过下述试验方法测定并评价了膜厚均匀性。
膜厚均匀性试验：在切割成30×30cm的实施例、比较例的各密封材料片的表里层积50μm的未处理ETFE作为剥离膜，之后进一步在表里层积30×30cm厚度3mm的玻璃而制成层积体，在与评价例1相同的条件下对该层积体进行真空层压处理。冷却后将玻璃和ETFE剥离，关于密封材料片的厚度，在中心部分和从角部朝向中央2cm的部位利用数字膜厚计测定上述2点的膜厚，根据下述评价基准对膜厚均匀性进行了评价。
评价基准
A：中央部与距离角部2cm的部位的膜厚差小于12μm(3％)。
B：中央部与距离角部2cm的部位的膜厚差为12μm(3％)以上且小于32μm(8％)。
C：中央部与距离角部2cm的部位的膜厚差为32μm(8％)以上。
将评价结果作为“膜厚均匀性”记于表1中。
【表1】
比较例1-1的密封材料片尽管MFR在所期望的范围内，但模塑性不充分。另一方面，比较例1-2的密封材料片尽管密度、维氏软化点在所期望的范围内，但膜厚均匀性作为自发光型显示体用并不充分。结合这些结果，由表1可知，第1实施例的密封材料片对于微细的凹凸面具有充分的模塑性，膜厚均匀性优异，适合于Micro LED电视等各种自发光型显示体用途。
<2.第2实施例>
[密封材料片的制造]
使用挤出机、具有200mm宽的T模的膜成型机，将针对各实施例、比较例所调合的密封材料组合物以挤出温度210℃、引出速度1.1m/min、膜厚400μm制成片，制造出各实施例和比较例的密封材料片。需要说明的是，关于T模直下的冷却辊和橡胶辊，冷却辊使用表面粗糙度Rz1.5μm的镀铬抛光的冷却辊，橡胶辊使用硬度70度的硅酮橡胶辊。制膜后的各实施例和比较例的密封材料片的密度如表2中记载的那样。
(实施例2-1的密封材料片)
相对于85质量份的下述基础树脂，将下述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以10质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例2-1的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.037质量％。
基础树脂：密度0.901g/cm3、熔点93℃、190℃下的MFR为2.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
添加树脂1(耐候剂母料)：相对于密度0.919g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的低密度聚乙烯100质量份，KEMISTAB62(HALS)：0.6质量份。KEMISORB12(UV吸收剂)：3.5质量份。KEMISORB79(UV吸收剂)：0.6质量份。
添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)：相对于密度0.898g/cm3、MFR为3.5g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯95质量份，混合乙烯基三甲氧基硅烷5质量份和作为自由基引发剂(反应催化剂)的二枯基过氧化物0.15质量份，在200℃熔融、混炼而得到的硅烷改性聚乙烯。该添加树脂2的密度为0.901g/cm3、MFR为1.0g/10分钟。另外，利用上述ICP发射光谱分析法测定了该硅烷改性聚乙烯中的“接枝硅烷成分”的含量(质量％)，结果添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)中的接枝硅烷成分量为0.37质量％，未反应硅烷成分为0.05质量％，全部这些硅烷成分中的88.1质量％为接枝硅烷成分。
(实施例2-2的密封材料片)
相对于上述基础树脂87.5质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以7.5质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例2-2的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.025质量％。
(实施例2-3的密封材料片)
相对于上述基础树脂82.5质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以12.5质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例2-3的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.047质量％。
(实施例2-4的密封材料片)
相对于上述基础树脂80质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以15质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例2-4的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.056质量％。
(实施例2-5的密封材料片)
相对于上述基础树脂70质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以25质量份的比例进行混合，制成用于成型实施例2-5的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.093质量％。
(实施例2-6的密封材料片)
对于下述密封材料组合物，设定成第1层(密合层)：挤出机、第2层(基材层)：挤出机、第3层(密合层)：挤出机，按照层比1：3：1的构成将密合层-基材层-密合层这3层的熔融树脂用具有300mm宽的T模的膜成型机以挤出温度210℃、引出速度1.1m/min、膜厚150μm制成片，制造出实施例2-6的密封材料片。需要说明的是，关于T模直下的冷却辊和橡胶辊，冷却辊使用表面粗糙度Rz1.5μm的镀铬抛光的冷却辊，橡胶辊使用硬度70度的硅酮橡胶辊。
密合层(第1层和第3层)用的密封材料组合物
：使用与上述实施例2-1的密封材料片相同的材料、相同的组成构成的组合物。
基材层(第2层)用的密封材料组合物
：相对于上述“基础树脂1”94质量份将上述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以1质量份的比例混合而成的组合物。
该密封材料片的“密合层”的树脂成分中的硅烷成分量与实施例2-1的密封材料片同样地为0.037质量％(关于实施例2-6，表2中记载的硅烷成分量为该密合层中的含量)。
(比较例2-1的密封材料片)
相对于上述基础树脂90质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以5质量份的比例进行混合，制成用于成型比较例2-1的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.019质量％。
(比较例2-2的密封材料片)
相对于上述基础树脂45质量份将上述添加树脂1(耐候剂母料)以5质量份、上述添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)以50质量份的比例进行混合，制成用于成型比较例2-2的密封材料片的密封材料组合物。该密封材料片的树脂成分中的硅烷成分量为0.190质量％。
[密封材料片的评价]
(密封材料片的凝胶分数)
关于实施例、比较例的各密封材料片，将0.1g的各密封材料片放入树脂网中，用60℃甲苯提取4小时后，连同树脂网一起取出，干燥处理后进行称量，对提取前后的质量进行比较，测定残留不溶组分的质量％，由此测定凝胶分数。所有密封材料的凝胶分数均为0％。
(密封材料片的第1密合强度和第2密合强度)
对实施例、比较例的各密封材料片进行下述第1密合性试验和第2密合性试验，对各密封材料片测定第1密合强度和第2密合强度。结果如表2中记载的那样。
第1密合性试验：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成75×50mm尺寸的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于在玻璃环氧树脂板上密合的密封材料片试样，以15mm宽度、以贯通至玻璃环氧树脂板表面上方的方式切出成为剥离起始部位的起点的切口，然后利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第1密合强度。
第2密合性试验：在玻璃环氧树脂板(75mm×50mm×0.05mm)上密合切割成75×50mm尺寸的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，进而，之后在150℃利用真空加热层压机进行15分钟固化处理，对于在玻璃环氧树脂板上密合的密封材料片试样，以15mm宽度、以贯通至玻璃环氧树脂板表面上方的方式切出成为剥离起始部位的起点的切口，然后利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定第2密合强度。
(密合强度耐久试验)
对于实施例、比较例的各密封材料片，在与上述第2密合性试验相同的条件下进行2阶段的热加工处理(层压处理和固化处理)后，进一步利用对流循环方式的耐湿热试验机在85℃85％的条件下进行500小时耐久试验，经过500小时后，在与上述第1和第2密合性试验相同的条件下利用剥离试验机进行密合强度的测定。结果作为“500h密合强度”如表2中记载的那样。
(评价例1：再加工性)
对于实施例、比较例的各密封材料片，通过下述试验方法实施了再加工性评价。按照与宽度100μm×纵深100μm×高度100μm的尺寸的LED元件具有相同外形的方式将热固化型的环氧树脂成型而形成模拟LED元件，在200×300mm尺寸的玻璃环氧基板的表面以2mm间隔形成上述模拟LED元件，在该玻璃环氧基板的上述模拟LED元件配置面上层积厚度150μm的各实施例和比较例中的任一种密封材料片，进而在该密封材料片上层积作为表面保护膜的经单面电晕处理的50μm乙烯四氟乙烯(ETFE)膜，利用太阳能电池模块制造用的真空层压机以温度140℃、抽真空时间3分钟、压制保持时间7分钟、上部腔室压力70KPa的条件进行真空层压处理，实施了初期层压处理。之后，将密封材料片的一部分且包含1个模拟LED元件的尺寸2×2mm的范围的部分假定为再加工部分，用尖端锋利的手术刀将其剥离，确认该剥离范围(再加工部分)的周边部的密封材料片有无凝集剥离，之后，将真空层压前的状态的相同密封材料片切割成2×2mm的尺寸，将所得到的密封材料片置于剥离的部位，再次利用与上述相同的方法、但是在温度150℃、时间15分钟的条件下再次实施层压处理(最终固化处理)，观察之后的上述再加工部分的外观，对再加工性进行了评价。需要说明的是，关于比较例2-1，由于初期密合性(第1密合强度)不足，因此未进行该评价。
评价基准
A：密封材料片的剥离范围的周边部的密封材料片没有凝集剥离，也没有模拟LED元件的破损等，在最终固化处理后，包括再加工部分在内，密封材料片完全追随LED元件配置面的凹凸，外观状态也良好。
B：观察到密封材料片的剥离范围的周边部的密封材料片的凝集剥离，没有模拟LED元件的破损，在最终固化处理后，包括再加工部分在内，密封材料片完全追随LED元件配置面的凹凸。但是，来自上述凝集剥离的微小异物残存在密封材料片中，外观状态恶化。
C：观察到密封材料片的剥离范围的周边部的密封材料片的凝集剥离，在再加工部分的剥离时模拟LED元件发生破损。
(评价例2：长期耐久性)”
基于上述密合强度耐久试验的结果，对实施例、比较例的各密封材料片的长期耐久性进行了评价。
评价基准
A：“500h密合强度”为10N/15mm以上
B：“500h密合强度”为6N/15mm以上且小于10N/15mm
C：“500h密合强度”小于6N/15mm
将评价结果作为“长期耐久性”记于表2中。
【表2】
由表2可知，第2实施例的自发光型显示体用的密封材料片是兼具作为Micro LED电视等自发光型显示体的长期使用时的密合耐久性与制造阶段中的再加工性的密封材料片。
<3.第3实施例>
[密封材料片的制造]
为了制成多层的密封材料片，使用具有300mm宽的T模的膜成型机(挤出机)，将针对第1层、第2层、第3层的各层用所调合的密封材料组合物以挤出温度210℃、引出速度1.1m/min通过设为第1层-第2层-第3层的层积顺序的共挤出制成片，制造出各实施例和比较例的密封材料片。需要说明的是，关于T模直下的冷却辊和橡胶辊，冷却辊使用表面粗糙度Rz1.5μm的镀铬抛光的冷却辊，橡胶辊使用硬度70度的硅酮橡胶辊。
(实施例3-1的密封材料片)
第1层(密合层)用的密封材料组合物
：相对于80质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以15质量份的比例进行混合。由上述配比构成的实施例3-1的密封材料片的第1层(密合层)的密度为0.901g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0.056质量％。
第2层(基材层)用的密封材料组合物
：相对于94质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以1质量份的比例进行混合。由上述配比构成的实施例3-1的密封材料片的第2层(基材层)的密度为0.902g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0.004质量％。
第3层(非密合层)用的密封材料组合物
：相对于95质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以0质量份的比例进行混合。由上述配比构成的实施例3-1的密封材料片的第3层(非密合层)的密度为0.902g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0质量％。
将上述第1层-第2层-第3层以各层的厚度比1：8：1、全部层的总厚度150μm进行共挤出，制成实施例3-1的密封材料片。
(实施例3-2的密封材料片)
使用与实施例3-1中使用的各层用的组合物相同的材料，但是将上述第1层-第2层-第3层以各层的厚度比1：6：1、全部层的总厚度600μm进行共挤出，制成实施例3-2的密封材料片。
(实施例3-3的密封材料片)
使用与实施例3-1中使用的各层用的组合物相同的材料，但是将上述第1层-第2层-第3层以各层的厚度比1：5：1、全部层的总厚度70μm进行共挤出，制成实施例3-3的密封材料片。
(比较例3-1的密封材料片)”
第1层(密合层)用的密封材料组合物
：相对于80质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以15质量份的比例进行混合。由上述配比构成的比较例3-1的密封材料片的第1层(密合层)的密度为0.901g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0.056质量％。
第2层(基材层)用的密封材料组合物
：相对于94质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以1质量份的比例进行混合。由上述配比构成的比较例3-1的密封材料片的第2层(基材层)的密度为0.902g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0.004质量％。
第3层用的密封材料组合物
：使用与第1层相同的组合物。
将上述第1层-第2层-第3层以各层的厚度比1：8：1、全部层的总厚度150μm进行共挤出，制成比较例3-1的密封材料片。
(比较例3-2的密封材料片)
第1层(非密合层)用的密封材料组合物
：相对于95质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以0质量份的比例进行混合。由上述配比构成的比较例3-2的密封材料片的第1层(非密合层)的密度为0.902g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0质量％。
第2层(基材层)用的密封材料组合物
：相对于94质量份的下述“基础树脂1”将下述“添加树脂1(耐候剂母料)”以5质量份、“添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)”以1质量份的比例进行混合。由上述配比构成的比较例3-2的密封材料片的第2层(基材层)的密度为0.902g/cm3，该层的树脂成分中的硅烷成分量为0.004质量％。
第3层用的密封材料组合物
：使用与第1层相同的组合物。
将上述第1层-第2层-第3层以各层的厚度比1：8：1、全部层的总厚度150μm进行共挤出，制成比较例3-2的密封材料片。
第3实施例中的上述各密封材料片的制造使用了下述树脂材料。
基础树脂1
：密度0.901g/cm3、熔点93℃、190℃下的MFR为2.0g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯(M-LLDPE)。
添加树脂1(耐候剂母料)
：相对于密度0.919g/cm3、190℃下的MFR为3.5g/10分钟的低密度聚乙烯100质量份，KEMISTAB62(HALS)：0.6质量份。KEMISORB12(UV吸收剂)：3.5质量份。KEMISORB79(UV吸收剂)：0.6质量份。
添加树脂2(硅烷改性聚乙烯)
：相对于密度0.898g/cm3、MFR为3.5g/10分钟的茂金属系线性低密度聚乙烯100质量份，将乙烯基三甲氧基硅烷5质量份和作为自由基引发剂(反应催化剂)的二枯基过氧化物0.15质量份混合，在200℃熔融、混炼而得到的硅烷改性聚乙烯。该添加树脂2的密度为0.901g/cm3，MFR为1.0g/10分钟。
[密封材料片的评价]
(评价例1：密合强度(密合面和剥离面))
对于实施例、比较例的各密封材料片，为了测定各面的密合强度，进行了下述密合性试验。结果如表3中记载的那样。
密合性试验：在青板玻璃(75mm×50mm×3mm)上密合切割成75×50mm尺寸的上述各密封材料片试样的第1层，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于在青板玻璃上密合的密封材料片试样，以15mm宽度、以贯通至青板玻璃板表面上方的方式切出成为剥离起始部位的起点的切口，然后利用剥离试验机(Tensilon万能试验机RTF-1150-H)进行垂直剥离(50mm/min)试验，测定密合面的密合强度。
另外，关于实施例，在青板玻璃(75mm×50mm×3mm)上密合上述各密封材料片试样的第3层并进行相同的试验，测定剥离面的密合强度。将评价结果作为“密合强度”记于表3中。
(评价例2：热层压后的剥离性)
对于实施例、比较例的各密封材料片，在与上述密合性试验相同的条件下使第3层密合在青板玻璃(75mm×50mm×3mm)上，之后，在密封材料片/青板玻璃的界面通过手工操作进行将密封材料片从玻璃板剥离的操作，通过目视观察剥离后的界面的状态，基于下述评价基准对热层压后的剥离性进行了评价。将评价结果作为“剥离性”记于表3中。
评价基准
A：通过手工操作能够容易地进行密封材料片的剥离。另外，未观察到密封材料片的剥离范围的周边部的密封材料片的凝集剥离。
C：通过手工操作稍难进行密封材料片的剥离，观察到密封材料片的剥离范围的周边部的密封材料片的凝集剥离。
(参考试验)
需要说明的是，作为参考试验，将比较例3-1的密封材料片隔着由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的剥离膜(厚度38μm)层积到上述青板玻璃上，进行相同条件的试验和评价，结果确认到，关于该参考试验的情况下的比较例的密封材料片的“热层压后的剥离性”，基于下述评价基准的评价为“A”，即，即便是比较例3-1的密封材料片，若使用剥离膜，也能没有问题地剥离。
(评价例3：模塑性)
对于实施例、比较例的各密封材料片，通过下述试验方法评价了对于凹凸面的模塑性。
模塑性试验用模块制作
：按照与宽度25μm×纵深15μm×高度2.5μm的微小尺寸的LED元件具有相同外形的方式将热固化型的环氧树脂成型而形成模拟LED元件，在200×300mm尺寸的玻璃环氧配线基板的表面以2mm间隔配置上述模拟LED元件而准备了模拟LED模块，在该模块的模拟LED元件配置面使各实施例和比较例中的任一种密封材料片的第1层面对面地进行层积，进而在该密封材料片上层积作为表面保护膜的经单面电晕处理的50μm乙烯四氟乙烯(ETFE)膜，利用太阳能电池模块制造用的真空层压机以温度150℃、抽真空时间5分钟、压制保持时间10分钟、上部腔室压力70KPa的条件进行真空层压处理，制作出模塑性试验用模块。
模塑性试验
：对上述各试验用模块进行目视观察，基于下述评价基准对模塑性进行了评价。将评价结果作为“模塑性”记于表3中。
评价基准
A：密封材料片完全追随面对面的LED元件配置面的凹凸。未观察到空隙的形成。
B：观察到3个以内2mm2以内的气泡。
C：密封材料片的一部分未完全追随面对面的LED元件配置面的凹凸，在LED元件的附近形成了一部分层压不良部分(空隙)。
(评价例4：耐热性)
对于实施例、比较例的各密封材料片，通过下述试验方法对在上述模塑试验中进行的真空层压后的耐热性进行了评价。
耐热性试验：对于30×30cm、厚度3mm的玻璃，将50×75mm、厚度3mm的玻璃夹入实施例、比较例中制成的密封材料片间，利用太阳能电池模块制造用的真空层压机以温度150℃、抽真空时间5分钟、压制保持时间10分钟、上部腔室压力70KPa的条件进行真空层压处理，之后冷却至室温，制作出耐热性试验片。之后，将冷却后的试验片垂直地设置于85℃的滞留循环方式的烘箱中，对1000小时后的50×75mm、厚度3mm的玻璃在投入烘箱前与取出后的偏离量进行测定。关于测定结果，基于下述评价基准评价了耐热性。将评价结果作为“耐热性”记于表3中。
评价基准
A：偏离量小于1mm
B：偏离量为1mm以上且小于10mm
C：偏离量为10mm以上
【表3】
由表3可知，第3实施例的自发光型显示体用的密封材料片为下述密封材料片，其即便不使用剥离膜也能在保持与以往同等或更高的品质的同时以更高的生产率制造自发光型显示体用的LED模块。
符号说明
1 密封材料片
111 基材层
121 非密合层
122 密合层
123 剥离面
124 密合面
10 LED元件
11 LED发光芯片
12 树脂罩
13 光漫射型透镜
20 配线基板
21 支撑基板
22 配线部
23 焊料层
24 粘接剂层
25 绝缘性保护膜
26 反射层
30 LED模块
40 层压机
41 加热板
42 加热板(辅助加热板)
43 层积体按压板
2 显示面面板
5 漫射板
100、100A、100B Micro LED显示装置(自发光型显示体)
200 直下型LED背光源
300 液晶显示体(直下型背光源方式)

Claims (11)

1.一种密封材料片，其为自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片，其是包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，
所述密合层含有密度为0.870g/cm3以上0.910g/cm3以下的聚烯烃、和硅烷成分，
所述硅烷成分相对于所述密合层的树脂成分的含量为0.03质量％以上且小于0.10质量％，
在所述硅烷成分中，70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到所述聚烯烃上的接枝硅烷成分。
2.如权利要求1所述的密封材料片，其中，所述密合层的通过下述第1密合性试验测定的第1密合强度为3.0N/15mm以上8.0N/15mm以下，并且所述密合层的通过下述第2密合性试验测定的第2密合强度为10.0N/15mm以上20.0N/15mm以下，
第1密合性试验：在75mm×50mm×0.05mm的玻璃环氧树脂板上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机以50mm/min进行垂直剥离试验，测定第1密合强度；
第2密合性试验：在75mm×50mm×0.05mm的玻璃环氧树脂板上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，进而，之后在150℃利用真空加热层压机进行15分钟固化处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机以50mm/min进行垂直剥离试验，测定第2密合强度。
3.如权利要求1或2所述的密封材料片，其是在以聚乙烯为基础树脂的基材层上层积有所述密合层的多层的树脂片。
4.一种自发光型显示体，其具备：
权利要求1或2所述的密封材料片；
显示面面板；和
在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，
所述密封材料片被覆所述发光元件和所述配线基板并层积于所述发光模块，
所述显示面面板层积于所述密封材料片。
5.如权利要求4所述的自发光型显示体，其中，所述发光元件为LED元件，
该LED元件具有LED发光芯片和被覆该LED发光芯片的树脂罩，
该LED元件的宽度和纵深均为300μm以下，高度为200μm以下，
各个该LED元件的配置间隔为0.03mm以上100mm以下。
6.如权利要求5所述的自发光型显示体，其中，所述LED元件的宽度和纵深均为50μm以下，高度为10μm以下，
各个该LED元件的配置间隔为0.05mm以上5mm以下。
7.一种直下型背光源，其具备：
权利要求1或2所述的密封材料片；和
在配线基板安装有2个以上发光元件的发光模块，
所述密封材料片被覆所述发光元件和所述配线基板并层积于所述发光模块。
8.一种液晶显示体，其包含权利要求7所述的直下型背光源、漫射板和显示面面板而成，
所述漫射板层积于构成所述直下型背光源的所述密封材料片。
9.一种自发光型显示体用的密封材料片的制造方法，其为自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片的制造方法，其中，
所述密封材料片是包含露出到最表面的密合层而构成的单层或多层的树脂片，
该制造方法包括通过熔融形成密合层用密封材料组合物而对所述密合层进行制膜的密合层制膜工序，
所述密合层用密封材料组合物含有聚烯烃和硅烷成分，不含有交联剂，
在所述硅烷成分中，70质量％以上100质量％以下的硅烷成分是接枝聚合到所述聚烯烃上的接枝硅烷成分，
调整所述硅烷成分相对于所述聚烯烃的含量，以使所述密合层的通过下述第1密合性试验测定的第1密合强度为3.0N/15mm以上8.0N/15mm以下，并且所述密合层的通过下述第2密合性试验测定的第2密合强度为10.0N/15mm以上20.0N/15mm以下；
第1密合性试验：在75mm×50mm×0.05mm的玻璃环氧树脂板上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机以50mm/min进行垂直剥离试验，测定第1密合强度；
第2密合性试验：在75mm×50mm×0.05mm的玻璃环氧树脂板上密合切割成15mm宽的密封材料片试样，在140℃利用真空加热层压机进行10分钟层压处理，进而，之后在150℃利用真空加热层压机进行15分钟固化处理，对于密合在玻璃环氧树脂板上的密封材料片试样，利用剥离试验机以50mm/min进行垂直剥离试验，测定第2密合强度。
10.一种自发光型显示体的再加工方法，其为权利要求4所述的自发光型显示体的再加工方法，其中，
将热层压工序分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行，该热层压工序将包括发光模块和被覆构成该发光模块的发光元件而进行层积的密封材料片的层积体进行一体化，
在所述初期层压处理终止后且所述最终固化处理开始前，进行伴有将所述密封材料片的一部分切割出并从所述发光模块剥离的操作的再加工工序。
11.一种直下型背光源的再加工方法，其为权利要求7所述的直下型背光源的再加工方法，其中，
将热层压工序分成初期层压处理和最终固化处理这两个阶段的处理并依次进行，该热层压工序将包括发光模块和被覆构成该发光模块的发光元件而进行层积的密封材料片的层积体进行一体化，
在所述初期层压处理终止后且所述最终固化处理开始前，进行伴有将所述密封材料片的一部分切割出并从所述发光模块剥离的操作的再加工工序。
CN202110780025.8A 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源 Active CN113506848B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110780025.8A CN113506848B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-099952 2018-05-24
JP2018099952 2018-05-24
JP2018-110790 2018-06-11
JP2018110790 2018-06-11
JP2018140518 2018-07-26
JP2018-140518 2018-07-26
CN202110780025.8A CN113506848B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源
PCT/JP2019/020779 WO2019225761A1 (ja) 2018-05-24 2019-05-24 自発光型表示体用または直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、直下型バックライト
CN201980032940.XA CN112119509B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980032940.XA Division CN112119509B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113506848A CN113506848A (zh) 2021-10-15
CN113506848B true CN113506848B (zh) 2024-07-12

Family

ID=68616349

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110780025.8A Active CN113506848B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源
CN202110780051.0A Active CN113540327B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源
CN201980032940.XA Active CN112119509B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110780051.0A Active CN113540327B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源
CN201980032940.XA Active CN112119509B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11550186B2 (zh)
JP (5) JP6760542B2 (zh)
KR (1) KR20210015776A (zh)
CN (3) CN113506848B (zh)
WO (1) WO2019225761A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6760542B2 (ja) * 2018-05-24 2020-09-23 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用または直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、直下型バックライト
USD966207S1 (en) * 2019-09-23 2022-10-11 Star Co Scientific Technologies Advanced Research Co, Llc Light-emitting diode array
CN215813649U (zh) 2020-04-13 2022-02-11 日亚化学工业株式会社 面状光源
KR20230086682A (ko) * 2020-10-20 2023-06-15 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 면 발광 장치, 표시 장치, 면 발광 장치용 밀봉 부재 시트 및 면 발광 장치의 제조 방법
JP7572264B2 (ja) 2021-02-25 2024-10-23 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シートおよび光半導体装置の製造方法
JP2023022676A (ja) 2021-08-03 2023-02-15 日東電工株式会社 光学積層体
JP2023022675A (ja) 2021-08-03 2023-02-15 日東電工株式会社 光学積層体
JPWO2023063285A1 (zh) * 2021-10-11 2023-04-20
TWI801122B (zh) * 2022-01-28 2023-05-01 友達光電股份有限公司 封裝結構及其製造方法
WO2024128102A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 シチズン電子株式会社 発光装置
CN117511426B (zh) * 2024-01-05 2024-04-12 深圳市长松科技有限公司 用于封装阻隔水气的薄膜、半导体薄膜封装方法及构造
JP7518987B1 (ja) 2024-02-21 2024-07-18 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用又は直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、及び、直下型バックライト
JP7521714B1 (ja) 2024-02-21 2024-07-24 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用又は直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、及び、直下型バックライト

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018047868A1 (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 リンテック株式会社 接着剤組成物、封止シート、及び封止体
JP6311832B1 (ja) * 2017-09-20 2018-04-18 大日本印刷株式会社 封止材組成物及びそれを用いた太陽電池モジュール用の封止材シート

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55100549A (en) 1979-01-24 1980-07-31 Nec Corp Image region signal generating method
JPS5634142A (en) 1979-08-25 1981-04-06 Hitachi Maxell Ltd Magnetic recording medium
JPH02305838A (ja) 1989-05-19 1990-12-19 Du Pont Mitsui Polychem Co Ltd 難燃性重合体組成物
JP2007204526A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Sumitomo Chemical Co Ltd ポリオレフィン系樹脂組成物、該樹脂組成物からなる粘着フィルムまたは粘着シート、該粘着フィルムまたは粘着シートの製造方法および該粘着フィルムまたは粘着シートからなる粘着製品
JP4663664B2 (ja) 2006-03-30 2011-04-06 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
EP2270077A1 (en) * 2008-04-09 2011-01-05 Asahi Kasei E-materials Corporation Sealing resin sheet
JP5365140B2 (ja) 2008-10-31 2013-12-11 凸版印刷株式会社 太陽電池バックシート
JP2011151388A (ja) 2009-12-24 2011-08-04 Mitsubishi Plastics Inc 太陽電池封止材及びそれを用いて作製された太陽電池モジュール
CN102947949A (zh) * 2010-04-22 2013-02-27 株式会社大赛璐 光半导体保护材料及其前体以及光半导体保护材料的制造方法
JP5732402B2 (ja) * 2010-09-29 2015-06-10 東レフィルム加工株式会社 太陽電池裏面保護シート用ポリオレフィン系樹脂多層フィルム
JP5652252B2 (ja) 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
ES2572903T3 (es) * 2011-04-12 2016-06-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material compuesto a base de resina de poliamida y método para producirlo
US20130062633A1 (en) 2011-04-18 2013-03-14 Randolph Cary Demuynck LED Array Having Embedded LED and Method Therefor
JP6111525B2 (ja) 2012-03-14 2017-04-12 東洋紡株式会社 太陽電池裏面封止シートおよび太陽電池モジュール
JP5895661B2 (ja) 2012-03-30 2016-03-30 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用裏面保護シート及び太陽電池モジュール
JP5966536B2 (ja) * 2012-04-06 2016-08-10 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止シート
KR101718185B1 (ko) * 2012-12-24 2017-04-04 주식회사 엘지화학 봉지재, 봉지재용 수지 조성물 및 광전자 장치
JP6061706B2 (ja) 2013-01-31 2017-01-18 リンテック株式会社 電子デバイス用フィルム状封止材、電子デバイス用封止シートおよび電子デバイス
JP6061707B2 (ja) * 2013-01-31 2017-01-18 リンテック株式会社 電子デバイス用フィルム状封止材、電子デバイス用封止シートおよび電子デバイス
WO2014119543A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 リンテック株式会社 電子デバイス用フィルム状封止材、電子デバイス用封止シートおよび電子デバイス
KR20150111939A (ko) * 2013-01-31 2015-10-06 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자선 경화성 수지 조성물, 리플렉터용 수지 프레임, 리플렉터, 반도체 발광 장치, 및 성형체의 제조 방법
JP6127594B2 (ja) * 2013-03-11 2017-05-17 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材組成物及び封止材
KR101837259B1 (ko) * 2013-03-29 2018-03-09 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 유기 전자 디바이스용 소자 밀봉용 수지 조성물, 유기 전자 디바이스용 소자 밀봉용 수지 시트, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 및 화상 표시 장치
JP2014216345A (ja) * 2013-04-22 2014-11-17 旭化成株式会社 太陽電池用樹脂封止シート
JP6066856B2 (ja) * 2013-08-01 2017-01-25 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート
JP6423365B2 (ja) * 2013-12-20 2018-11-14 三井化学株式会社 半芳香族ポリアミド樹脂組成物およびその成型品
JP6248669B2 (ja) * 2014-02-07 2017-12-20 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材シート
JP2015195338A (ja) 2014-03-18 2015-11-05 東レフィルム加工株式会社 太陽電池モジュールのリワーク方法
JP2015191944A (ja) 2014-03-27 2015-11-02 大日本印刷株式会社 裏面保護シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP5800054B2 (ja) 2014-04-28 2015-10-28 日本ポリエチレン株式会社 太陽電池封止材用樹脂組成物、及びそれを用いた太陽電池封止材、太陽電池モジュール
JP2015232651A (ja) 2014-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 画像表示装置
WO2015199029A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 三井化学東セロ株式会社 太陽電池封止材用樹脂組成物、太陽電池封止材および太陽電池モジュール
TWI653143B (zh) * 2014-07-24 2019-03-11 日商凸版印刷股份有限公司 積層薄膜及積層體、以及波長轉換薄片、背光單元及電致發光發光單元
JP6405848B2 (ja) * 2014-09-30 2018-10-17 大日本印刷株式会社 ガラス密着シート
JP2016078260A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 リンテック株式会社 フィルム状封止材、封止シートおよび電子デバイス
JP2016117268A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 ニスカ株式会社 製本装置及びこれを備えた画像形成装置
JP2016127138A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板
JP2016136567A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 日東電工株式会社 封止用シート
JP6707369B2 (ja) 2015-03-30 2020-06-10 ダウ・東レ株式会社 シリコーン材料、硬化性シリコーン組成物、および光デバイス
JP6686291B2 (ja) 2015-03-31 2020-04-22 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用封止材シート及びそれを用いてなる封止材一体型裏面保護シート
JP2017009725A (ja) 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
KR102617466B1 (ko) 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
JP6760542B2 (ja) * 2018-05-24 2020-09-23 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用または直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、直下型バックライト

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018047868A1 (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 リンテック株式会社 接着剤組成物、封止シート、及び封止体
JP6311832B1 (ja) * 2017-09-20 2018-04-18 大日本印刷株式会社 封止材組成物及びそれを用いた太陽電池モジュール用の封止材シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN112119509A (zh) 2020-12-22
US11829034B2 (en) 2023-11-28
JP2020174047A (ja) 2020-10-22
JP2023016045A (ja) 2023-02-01
JP7156339B2 (ja) 2022-10-19
KR20210015776A (ko) 2021-02-10
JPWO2019225761A1 (ja) 2020-07-09
US20230185131A1 (en) 2023-06-15
JP6760542B2 (ja) 2020-09-23
US20210223629A1 (en) 2021-07-22
US11822185B2 (en) 2023-11-21
CN113540327A (zh) 2021-10-22
JP7156338B2 (ja) 2022-10-19
JP2020174048A (ja) 2020-10-22
CN113506848A (zh) 2021-10-15
US20230105691A1 (en) 2023-04-06
US11550186B2 (en) 2023-01-10
JP7435688B2 (ja) 2024-02-21
WO2019225761A1 (ja) 2019-11-28
JP2022183210A (ja) 2022-12-08
CN112119509B (zh) 2021-08-24
CN113540327B (zh) 2024-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113506848B (zh) 自发光型显示体用或直下型背光源用的密封材料片、自发光型显示体、直下型背光源
JP7067269B6 (ja) 自発光型表示体
JP7363996B2 (ja) 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP2021009937A (ja) 封止部材付き発光ダイオード基板、表示装置、タイリング表示装置、および発光ダイオード基板用封止材シート
JP2024019355A (ja) 自発光型表示体用の離型フィルム一体型封止材
JP7243897B2 (ja) 自発光型表示体
JP7485189B2 (ja) バックライトモジュール、および表示装置
JP7582422B2 (ja) 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP7444309B2 (ja) 自発光型表示体
JP7582415B2 (ja) 封止部材付き発光ダイオード基板、表示装置、タイリング表示装置、および発光ダイオード基板用封止材シート
JP7521714B1 (ja) 自発光型表示体用又は直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、及び、直下型バックライト
JP7518987B1 (ja) 自発光型表示体用又は直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、及び、直下型バックライト

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant