[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN110462103A - 压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法 - Google Patents

压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110462103A
CN110462103A CN201880021257.1A CN201880021257A CN110462103A CN 110462103 A CN110462103 A CN 110462103A CN 201880021257 A CN201880021257 A CN 201880021257A CN 110462103 A CN110462103 A CN 110462103A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper foil
rolled copper
brightness
surface treatment
hydrogen peroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880021257.1A
Other languages
English (en)
Inventor
曽根昌弥
松永裕嗣
玉井聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Publication of CN110462103A publication Critical patent/CN110462103A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)

Abstract

本发明涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明中，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式，可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。

Description

压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造 方法
技术领域
本发明涉及压延铜箔的表面处理液和使用了其的压延铜箔的表面处理方法、进而压延铜箔的制造方法。
背景技术
压延铜箔面向柔性印刷布线板(FPC)使用，近年，为了对应于高频区域中的传输损失的降低、高密度化、薄型化、进而微细化·细距化，优选平滑地处理压延铜箔。
为了进行铜板、铜箔的表面的平滑化处理，已知使用唑类、卤素离子和银离子的方法(专利文献1)。但是，若将该方法用于压延铜箔则蚀刻沿着晶界进行，产生环形山(crater)状的蚀刻、产生坑(pit)等，难以平滑化。
压延铜箔已知弯曲性优异，为了改善弯曲性，控制晶体取向以使再结晶退火后的立方体集合组织发达。但是，在这种均匀的晶体组织之中局部地存在具有不同的晶粒取向的晶粒，该部分的蚀刻速度与周围的蚀刻速度不同，由此认为蚀刻后、在压延铜箔的表面形成环形山状的蚀刻、坑(例如参照专利文献2、3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-270365号公报
专利文献2：国际公开第2012/128098号
专利文献3：国际公开第2012/132857号
非专利文献
非专利文献1：印刷电路学会志(プリント回路学会誌)“Circuit technology(サーキットテクノロジ)”9[2]119～124(1994)
发明内容
发明要解决的问题
这种状況下，要求提供可以将压延铜箔平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑的表面处理液及表面处理方法、进而平滑性优异的压延铜箔的制造方法。
然而已知，铜箔有压延铜箔和电解铜箔，电解铜箔是通过使晶粒的尺寸减小、大致均匀地一致而无规取向来抑制蚀刻偏差(非专利文献1)。如此已知对于压延铜箔和电解铜箔而言，由于铜的晶体组织不同，因此蚀刻特性也不同。本发明涉及适于这些铜箔中的压延铜箔的表面处理的表面处理液及表面处理方法、进而压延铜箔的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等进行深入研究，结果发现，通过以特定的摩尔比配混过氧化氢和硫酸、加入有醇系添加剂的特定组成的表面处理液，可以解决上述问题。即，本发明如以下所述。
[1]一种压延铜箔用表面处理液，其含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内，硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内，醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内。
[2]根据[1]所述的压延铜箔用表面处理液，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
[3]一种压延铜箔的表面处理方法，其使用[1]或[2]所述的压延铜箔用表面处理液、以蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面。
另外，本发明如下所述。
[1a]一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。
[2a]根据[1a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率(E/R)处于0.4～4.0μm/分钟的范围内：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
[3a]根据[1a]或[2a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
[4a]根据[1a]或[2a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。
[5a]根据[1a]～[4a]中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
[6a]根据[1a]～[5a]中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
[7a]一种压延铜箔的表面处理方法，其包括：使用含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的压延铜箔用表面处理液，将压延铜箔表面溶解。
[8a]根据[7a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其包括：以35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
[9a]根据[7a]或[8a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
[10a]根据[7a]或[8a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。
[11a]根据[7a]～[10a]中任一项所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
[12a]根据[7a]～[11a]中任一项所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
[13a]一种压延铜箔用表面处理液，其含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内，硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内，醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内。
[14a]根据[13a]所述的压延铜箔用表面处理液，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
[15a]根据[13a]或[14a]所述的压延铜箔用表面处理液，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
发明的效果
根据本发明的优选方式，通过使用本发明的压延铜箔用处理液，可以得到具有优异的平滑性的压延铜箔。通过使用本发明中得到的压延铜箔，可以制造能够对应于高频区域中的传输损失的降低、高密度化、薄型化、进而微细化·细距化的柔性印刷电路薄膜。
附图说明
图1为未处理的压延铜箔的利用扫描电子显微镜(以下SEM)(倍率1000倍)得到的表面观察图像。
图2为实施例1～9的利用SEM(倍率1000倍)得到的表面观察图像。
图3为实施例10～14的利用SEM(倍率1000倍)得到的表面观察图像。
图4为比较例1～6的利用SEM(倍率1000倍)得到的表面观察图像。
具体实施方式
[压延铜箔的制造方法]
本发明的压延铜箔的制造方法的特征在于，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。
根据本发明的优选方式，通过使具有上述组成的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此不易产生沿着晶界的蚀刻，可以得到表面的平滑性优异的压延铜箔。
[压延铜箔用表面处理液]
本发明中使用的压延铜箔用表面处理液含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)。以下对于它们进行详细说明。
[过氧化氢(A)]
本发明中的过氧化氢(A)是作为铜的氧化剂发挥功能的成分。
对于本发明中使用的过氧化氢(A)没有限制，可以使用市售的过氧化氢水溶液，例如可以合适地使用三菱瓦斯化学株式会社制的60％工业用·电子工业用等级品。
表面处理液中的过氧化氢(A)的浓度优选为0.5～3.0质量％、进一步优选0.6～2.5质量％、特别优选0.8～2.0质量％。过氧化氢的浓度处于上述范围内时，能得到良好的铜的表面状态和合适的铜的溶解速度。
另外，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比为0.3～3.0、优选0.4～3.0、进一步优选0.5～3.0。过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比特别优选为0.5～0.9。通过将摩尔比控制于该范围内，能得到良好的铜的表面状态和合适的铜的溶解速度。另外，可以使压延铜箔表面的平滑性更优异。
[硫酸(B)]
本发明中的硫酸(B)是作为被过氧化氢氧化了的铜的蚀刻剂发挥功能的成分。
对于本发明中使用的硫酸(B)没有限制，例如可以合适地使用和光纯药工业株式会社制的95％的特级试剂。
表面处理液中的硫酸(B)的浓度为0.5～15.0质量％、优选0.6～15.0质量％、进一步优选1.0～5.0质量％。通过处于这种范围内，能得到良好的铜的表面状态和合适的铜的溶解速度。
[醇(C)]
本发明中的醇(C)包含全部通常的醇，是改善压延铜箔表面的平滑性的成分。
作为醇(C)的具体例，可列举出甲醇、乙醇、丙醇等一元醇、乙二醇、丙二醇等二元醇、三元以上的醇、和聚乙二醇等二元醇醚。也可以组合使用它们中的2种以上。
表面处理液中的醇(C)的浓度为0.1～5.0质量％、优选0.5～5.0质量％。通过处于这种范围内，可以得到压延铜箔的平滑的表面状态。
[苯基脲(D)]
本发明中的苯基脲(D)是改善过氧化氢的稳定性的成分。
对于本发明中使用的苯基脲(D)没有限制，例如可以合适地使用和光纯药工业株式会社制的苯基脲。
表面处理液中的苯基脲(D)的浓度优选为0.005～0.3质量％、更优选0.005～0.15质量％、进一步优选0.005～0.1质量％。通过处于这种范围内，可以抑制过氧化氢的分解。另外，通过适当调整苯基脲(D)的量比，可以使压延铜箔表面的平滑性更优异。
[其它成分]
本发明的表面处理液中，在不会阻碍本发明效果的范围内可以还含有水、以及通常可使用的各种添加剂。
例如可以根据需要添加碱、有机羧酸类、有机胺化合物类等公知的蚀刻速度调整剂、用于使蚀刻速率稳定化的铜离子供给源。
另外，作为水，优选为通过蒸馏、离子交换处理、过滤器处理、各种吸附处理等而去除了金属离子、有机杂质、颗粒等的水，更优选纯水、特别优选超纯水。
[压延铜箔用表面处理液的制造]
压延铜箔用表面处理液通过将过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)、苯基脲(D)和根据需要的其它成分均匀搅拌来制造。
[压延铜箔的表面处理方法]
本发明中，通过使前述表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式，通过使用前述表面处理液处理压延铜箔表面，可以使压延铜箔表面的平滑性优异。对于使表面处理液与压延铜箔表面接触的方法没有特别限制，可以采用浸渍、喷雾等公知的方法。
如上所述，本发明的压延铜箔用表面处理液可以用于利用浸渍、喷雾等的公知的压延铜箔的表面处理方法。本发明中使用的压延铜箔为通常已知的压延铜箔，为对于铜或铜合金的锭利用压延辊反复塑性加工和热处理而制造的具有弯曲性、高的晶体取向性的铜箔。
对于前述表面处理液的使用温度没有限制，但是通常为20～50℃、优选25～40℃、进一步优选25～35℃。前述表面处理液的使用温度越高则铜的溶解速度越快，但是若超过50℃则过氧化氢的分解变得急剧，因此不优选。
对于利用前述表面处理液的压延铜箔表面的处理时间也没有限制，但是通常为1～600秒、优选5～300秒、进一步优选10～180秒、特别优选15～120秒。
对于利用前述表面处理液的压延铜箔的溶解速度也没有限制，但是若蚀刻速率(E/R)例如在35℃的处理条件下通常为0.4～4.0μm/分钟、优选1.0～3.5μm/分钟、1.5～3.0μm/分钟则可以缩短蚀刻时间，因此特别优选。
根据本发明的优选方式，使用前述表面处理液进行了表面处理的本发明的压延铜箔，由于表面的平滑性优异，因此可以合适地用于柔性印刷布线板等。
根据本发明的优选方式，对于所得到的压延铜箔而言，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度可以满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
平滑性优异。上述式所示的数值(％)更优选为-5％以下、进一步优选-10％以下。
实施例
以下通过实施例对于本发明进行具体说明，但是只要发挥本发明效果则可以适当变更实施方式。
[评价方法]
<SEM观察>
使用扫描电子显微镜(SEM：Hitachi High-Technologies Corporation制S-3400N)，在加速电压5kV、倍率1000倍的条件下测定压延铜箔的表面状态。
由SEM图像，没有被晶界蚀刻的情况作为被平滑化。
表面状态的评价如下所述进行。
没有产生晶界蚀刻的情况：“优异”
产生晶界蚀刻的情况：“不及格”
<铜表面的亮度测定>
对于SEM图像使用解析软件WinROOF2013(三谷商事株式会社制)进行解析。对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，利用标准偏差求出亮度。
亮度越低则平滑性越高，亮度越高则平滑性越低。以未处理铜箔的亮度28.4作为基准，基于下式判断处理后的铜箔的平滑性。
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＝{(处理后的铜箔的亮度)-28.4}/28.4×100％
-10％以下：“优异”
不足-10％～-5％以下：“良好”
不足-5％～不足0％：“及格”
0％以上：“不及格”。
<蚀刻速率(E/R)测定方法>
进行1分钟浸渍搅拌处理，基于以下的式子利用质量法算出。
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×<铜的比重>8.92[g/cm3])
[实施例1]
称取过氧化氢(A)2.00g(三菱瓦斯化学株式会社制60％过氧化氢)、硫酸(B)8.42g(和光纯药工业株式会社制95％的特级试剂)、醇(C)1.00g(和光纯药工业株式会社制聚乙二醇600(PEG600)(和光一级))、苯基脲(D)0.06g(和光纯药工业株式会社制)、和硫酸铜五水合物23.60g(和光纯药工业株式会社制)，进而加入超纯水以使总质量为200g，搅拌直至均匀，制造压延铜箔用表面处理液。
对于裁断为30mm见方的压延铜箔HA-V2箔，使用上述表面处理液，搅拌速度设定于200rpm、液温设定于30度，利用浸渍搅拌处理进行3μm蚀刻处理。
结果如表1及图2所示。可知亮度的测定结果小于未处理基板的28.4，另外由图2可知，表面没有被蚀刻为环形山状，因此为良好的平滑性。
[实施例2～9]
变更为表1所示的组成，除此之外与实施例1同样地进行操作。结果如表1及图2所示。可知亮度的测定结果小于未处理基板的28.4，另外由图2可知，表面没有被蚀刻为环形山状，因此为良好的平滑性。
[实施例10～14]
变更为表1所示的组成，除此之外与实施例1同样地进行操作。结果如表1及图3所示。可知亮度的测定结果小于未处理基板的28.4，另外由图3可知，表面没有被蚀刻为环形山状，因此为良好的平滑性。
[比较例1～5]
变更为表2所示的组成，除此之外与实施例1同样地进行实验。结果如表2及图4所示。可知亮度的测定结果大于未处理基板的28.4，另外由图4可知，存在表面被蚀刻为环形山状的情况，因此不能得到良好的平滑性。
[比较例6]
变更为表3所示的组成(专利文献1的实施例)，除此之外与实施例1同样地进行实验。结果如表3及图4所示。由图4可知，虽然表面没有被蚀刻为环形山状，但是亮度的测定结果大于未处理基板的28.4，因此不能得到良好的平滑性。
[表1]
[表2]
[表3]
产业上的可利用性
通过本发明的制造方法得到的压延铜箔由于表面的平滑性优异，因此可以合适地用于柔性印刷布线板(FPC)等。

Claims (15)

1.一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。
2.根据权利要求1所述的压延铜箔的制造方法，其中，35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率(E/R)处于0.4～4.0μm/分钟的范围内：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
3.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
4.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，所述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
7.一种压延铜箔的表面处理方法，其包括：使用含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的压延铜箔用表面处理液，将压延铜箔表面溶解。
8.根据权利要求7所述的压延铜箔的表面处理方法，其包括：以35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
9.根据权利要求7或8所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
10.根据权利要求7或8所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，所述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
12.根据权利要求7～11中任一项所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
13.一种压延铜箔用表面处理液，其含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内，硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内，醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内。
14.根据权利要求13所述的压延铜箔用表面处理液，其中，所述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
15.根据权利要求13或14所述的压延铜箔用表面处理液，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
CN201880021257.1A 2017-03-31 2018-03-23 压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法 Pending CN110462103A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-069910 2017-03-31
JP2017069910 2017-03-31
PCT/JP2018/011707 WO2018180988A1 (ja) 2017-03-31 2018-03-23 圧延銅箔の表面処理液及び表面処理方法並びに圧延銅箔の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110462103A true CN110462103A (zh) 2019-11-15

Family

ID=63677685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880021257.1A Pending CN110462103A (zh) 2017-03-31 2018-03-23 压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7074127B2 (zh)
KR (1) KR102568740B1 (zh)
CN (1) CN110462103A (zh)
TW (1) TWI808075B (zh)
WO (1) WO2018180988A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113981447A (zh) * 2021-11-10 2022-01-28 纳然电子技术(苏州)有限公司 一种蚀刻液
CN115928071B (zh) * 2022-12-02 2024-09-17 江西荣晖电子有限公司 一种pcb用铜箔的前处理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01292890A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄銅張回路基板の製造法
CN1520469A (zh) * 2001-06-25 2004-08-11 ������ѧ��ʽ���� 铜和铜合金用表面处理剂
CN104651840A (zh) * 2013-11-22 2015-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻用组合物以及使用了其的印刷电路板的制造方法
CN105578776A (zh) * 2008-12-26 2016-05-11 吉坤日矿日石金属株式会社 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法
CN105849319A (zh) * 2014-01-17 2016-08-10 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法
CN105887089A (zh) * 2015-02-13 2016-08-24 关东鑫林科技股份有限公司 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0260189A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄銅箔張回路基板の製造法
JP2797488B2 (ja) * 1989-07-28 1998-09-17 三菱瓦斯化学株式会社 薄銅箔張回路基板の製造法
JP5499517B2 (ja) 2009-05-21 2014-05-21 三菱瓦斯化学株式会社 金属表面処理方法
JP5778460B2 (ja) 2011-03-24 2015-09-16 Jx日鉱日石金属株式会社 圧延銅箔及びその製造方法、並びに銅張積層板
JP5127082B2 (ja) 2011-03-29 2013-01-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 圧延銅箔
JP2012229460A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 銅または銅合金表面用処理剤
US9365770B2 (en) * 2011-07-26 2016-06-14 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etching solution for copper/molybdenum-based multilayer thin film

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01292890A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄銅張回路基板の製造法
CN1520469A (zh) * 2001-06-25 2004-08-11 ������ѧ��ʽ���� 铜和铜合金用表面处理剂
CN105578776A (zh) * 2008-12-26 2016-05-11 吉坤日矿日石金属株式会社 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法
CN104651840A (zh) * 2013-11-22 2015-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻用组合物以及使用了其的印刷电路板的制造方法
CN105849319A (zh) * 2014-01-17 2016-08-10 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法
CN105887089A (zh) * 2015-02-13 2016-08-24 关东鑫林科技股份有限公司 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190133164A (ko) 2019-12-02
WO2018180988A1 (ja) 2018-10-04
TW201843349A (zh) 2018-12-16
JP7074127B2 (ja) 2022-05-24
KR102568740B1 (ko) 2023-08-21
JPWO2018180988A1 (ja) 2020-02-06
TWI808075B (zh) 2023-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102834547B (zh) 铜／钛系多层薄膜用蚀刻液
CN104651840B (zh) 蚀刻用组合物以及使用了其的印刷电路板的制造方法
CN103814432B (zh) 增大蚀刻液蚀刻用量的铜/钼合金膜的蚀刻方法
JP2010265524A (ja) 銅含有積層膜用エッチング液
TW200949016A (en) Etching solution, etching pre-treating solution and etching process for copper or copper alloy
CN102822391A (zh) 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN102834548A (zh) 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
CN110462103A (zh) 压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法
JP6485587B1 (ja) エッチング液
KR20070097070A (ko) 미세 가공 처리제 및 이를 사용한 미세 가공 처리 방법
CN116497355A (zh) 一种酸性铜蚀刻液及其应用
JP4431860B2 (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
CN109844910A (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
CN112921321A (zh) 一种环保低成本含钛金属蚀刻液组合物及其使用方法
JP6458913B1 (ja) エッチング液
WO2023090306A1 (ja) 圧延銅箔の粗化液、粗化銅箔の製造方法
WO2021117478A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
WO2020080178A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JPWO2020080178A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2006294797A (ja) エッチング方法
CN115261859B (zh) 铜蚀刻液组合物及其制备方法
JPH07302789A (ja) ポリシリコン用エッチング剤、該エッチング剤の製造方法及びポリシリコンのエッチング方法
JP4838578B2 (ja) 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法
TW202417687A (zh) 銅蝕刻液組合物及蝕刻方法
JP6600564B2 (ja) 銅フィリングされた銅めっき層のエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination