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JPH0260189A - 薄銅箔張回路基板の製造法 - Google Patents

薄銅箔張回路基板の製造法

Info

Publication number
JPH0260189A
JPH0260189A JP21049088A JP21049088A JPH0260189A JP H0260189 A JPH0260189 A JP H0260189A JP 21049088 A JP21049088 A JP 21049088A JP 21049088 A JP21049088 A JP 21049088A JP H0260189 A JPH0260189 A JP H0260189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper foil
etching
thickness
circuit board
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21049088A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Ishizuka
石塚 孝一
Morio Take
杜夫 岳
Kenji Ishii
賢治 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Priority to EP89108934A priority patent/EP0342669B1/en
Priority to DE68923904T priority patent/DE68923904T2/de
Priority to US07/354,954 priority patent/US4917758A/en
Publication of JPH0260189A publication Critical patent/JPH0260189A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品を実装するプリント配線板製造用の
銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張積層板、銅張
フィルム、銅張シートなどの銅箔張回路基板や補強され
た銅箔であって、平均厚みが3μm = 12 gvn
、所望厚みに対する厚みのバラツキが±1.0μm以内
である薄い銅箔張回路基板の製造法である。
〔従来の技術およびその課題〕
銅箔張回路基板の製造法は、銅箔と絶縁体とを重ね通常
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み105/111.70戸、35μrn、
 184.12fmなどが量産され、アルミニラ12箔
等の担体上に形成された55−19Iiなどの銅箔も作
られている。又、圧延法による銅箔があるが、製造法と
の関係から薄くなるほど高価なものとなり実質的には薄
い箔は実用化されていない。
このような薄銅箔を積層成形に用いる場合、その厚みが
薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合わせる作
業が極めて困難となる。また、アルミニウム箔等の担体
上に形成された銅箔は、この点を改善したものであるが
高価であり、更に銅箔によるプリント配線を形成する前
に担体であるアルミニウム箔等の除去工程が必要という
問題があった。
プリント配線板加工工程において塩化銅や塩化鉄などの
エンチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチングして
銅箔を薄く除去した後、プリント配線板の製造工程に用
いる方法が知られていたが、予備エツチングによる銅箔
の除去計を数ミクロン以上と多くしたり、或いは500
mm X 500 +nmnm上の大面積をエツチング
する場合には、残存銅箔の厚さのバラツキが大きくなり
商品化可能な薄い銅箔張回路基板を製造することは出来
ないものと認識されていた。
例えば、特開昭62−200796号公報に平均厚さ1
8戸以上の銅箔を、機械的研磨、電気化学的研磨或いは
化学的エツチングにより、銅箔の厚さを12mn以下に
した極薄銅箔張回路基板を製造することが開示されてい
る。
しかし、この特開昭の実施例1に示された方法の場合、
340mm X 340 +tm角の銅箔の平均厚さ1
8−のものを塩化第二銅/塩酸からなるエツチング液で
全面エツチングして平均厚さ101naの薄銅箔とした
との記載があるが、本発明の比較例1に記載したように
市販のスプレー式エツチングでは、エツチング速度的0
 、5 t−/秒と高速な条件であり、1秒のエツチン
グ時間のずれが平均厚さ0.51nnの差として現れる
ものであり、しかも場所によるエツチング液の有効接触
時間の差が加算される。この結果、わずか5枚の銅張積
層板を6μmエツチングする場合、平均1qさに対する
バラツキ ±3.5−1所望厚さに対するバラツキ ±
4.8Innとエツチング量に相当する程大きいものと
なる。さらにこの傾向はエツチング量を多くする程、ま
た、多量に生産する場合程、大きくなるものであること
から、商品化可能な高精度の極薄銅箔張回路基板を製造
することはできないものであった。また、この特開昭に
記載のその他の手段である機械的研磨、電解研磨等も同
様であり、商品化できるものではなかった。更に、この
特開昭の実施例に記載のように通常のエツチング液を用
いて、銅箔全面をエツチングした薄銅張回路基板を直ち
に回路形成に使用する場合は、問題と成らないが、この
薄銅張回路基板の残存ffI箔の表面は極めて活性に富
み、空気中に放置されると短時間で錆が発生ずるもので
あった。
[課題を解決するための手段〕 本発明は、大型回路基板として使用可能な高精度の薄銅
箔張回路基板を生産性よく製造する方法について鋭意検
討した結果1.銅張回路基板として量産可能でかつ出来
るだけ薄い銅箔を使用した銅張回路基板を用い、これを
過酸化水素/硫酸系エツチング液にて、従来のエツチン
グに比較して非常に遅い速度で銅箔全面をエツチングし
て平均厚さ3〜12.で厚さのバラツキが±1.0霞以
内である厚み精度の高い薄銅張回路基板が得られること
を見出し本発明に到達したものである。
すなわら、本発明は、平均厚さ12〜16μmで平均厚
さに対する厚さのバラツキ±1.02以下の銅箔と電気
絶縁体とより製造された銅箔張回路基板を、過酸化水素
/硫酸水溶液による銅エツチング液を用い、0.01〜
0.3pm/秒の速度で銅箔全面をエツチングし、残存
銅箔の平均厚さが3〜12 p、nでエツチングを止め
て該残存銅箔の所望厚さに対するバラツキが±1.Ot
−以内とすることを特徴とする薄銅箔張回路基板の製造
法であり、該過酸化水素/硫酸水溶液による銅エツチン
グ液が助剤としてアルコールを0.1〜5w/v%配合
してなる過酸化水素濃度が1.5〜4賀/ν%、硫酸濃
度が3〜7−/ν%であること、また、銅箔全面をエツ
チングした後、直ちに水溶性防錆剤で残存銅箔面を処理
することを特徴とする薄銅箔張回路基板の製造法である
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張回路
基板は、平均厚さ12〜16戸で、平均厚さに対する厚
さのバラツキが±1.0IrTn以内の銅箔を使用した
ものであれば特に限定はなく電子、電気材料用として用
いられている種々の市販品等いずれも使用可能であり、
片面或いは両面銅張のフィルム、シート、繊維強化1[
!!緑緑樹脂層層板金属芯積層板、内層にプリント配線
網を形成した多層シールド板などである。電気絶縁体層
は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムや
シート、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス
(Eガラス、Dガラス、Sガラス、石英ガラス(クォー
ツ)その他)、セラミックス類(アルミナ、窒化硼素、
その他)、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、セミカー
ボン、フン素樹脂、その他の耐熱性エンジニアリングプ
ラス千ツクなどを一種或いは二種以上適宜併用してなる
繊維、チコ・ノブなどを用いた多孔質フィルム或いはシ
ート状の補強基材とを組み合わせてなるプリプレグを用
いて製造されるもの、又は、鉄、アルミニウム板等に絶
縁性の接着剤や接着フィルムを被覆してなるものなどで
ある。なお、通常の銅張積層板は積層成形の圧力により
、銅箔表面が補強基材の凹凸を一部反映して、例えばガ
ラス織布基材の場合約40tnuピツチで3〜41tn
程度のうねりを持ったものとなるが、このうねりを機械
的に微細な凹凸等に代えたり、取り除いたりしたものを
使用することもできる。また、12〜16μ市の薄銅箔
を使用した銅張積層板或いはシートの製造法としては、
銅箔と鏡面板との間に銅箔よりも熱膨張率の大きいアル
ミニウム濱等の40〜100−程度のシートを挿入して
積層成形する方法が好適である。
本発明の過酸化水素/硫酸水溶液による銅エツチング液
とは、過酸化水素、硫酸及び過酸化水素の安定側を必須
成分とし、銅の溶解促進剤、エツチングされた銅箔面の
状態を制御するための助剤などを配合してなる水溶液で
ある。
ここに、過酸化水素(I+20□)の濃度は通常0.7
〜14w/v%(約0.2〜4.1モル/2)、硫酸(
11□So、)の濃度は通常 1w/ν%(約0.1モ
ル/1)〜25 w/v%の範囲が条件などの制御(特
に低温を使用すること)によっては使用できるが、実用
的な範囲で高精度の全面エツチングを行うためには、過
酸化水素1.5〜4w/v%、硫酸3〜?w/v%で助
剤としてアルコールを0.1〜5w/v%配合したが例
示される。助剤としてのアルコールとしてはメタノール
、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの1価ア
ルコール;エチレングリコール、プロピレングリコール
、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの2価のアル
コール;グリセリン、ペンタエリスリトールなどの3価
以上のアルコールが例示され、又その他の添加助剤とし
てポリエチレングリコールなどのグリコールエーテル類
;アミノ安息香酸、アミノテトラゾール、フェニル尿素
などの含窒素有機環状化合物類などが例示される。
また、エツチングにより銅が工・ンチングン夜中に溶解
してくるが、この銅の濃度は5〜60g/ ffiの範
囲で調整するのが好ましい。
上記の過酸化水素/硫酸水溶液を使用してエツチングを
行うが、通常のパターン形成において行われるハードエ
ツチングに比較して本発明ではエツチング速度を低下さ
せ、0.O1〜0.3trm/秒の範囲、より好ましく
は0.03〜0.20/−/秒の範囲のエツチング速度
を使用する。エツチング速度が0.3霞/秒より速いと
エツチング液件の制御可能な条件範囲以下のわずかなエ
ツチング処理時間、温度、成分濃度、溶解してくる銅濃
度などの差によるエツチングの量の差が大きくなり、こ
れは−枚の銅張板の場所によるバラツキ、多数枚処理し
た場合の平均厚みのバラツキとして現、れ、所望の銅箔
厚みに対する厚みの範囲を±1.Otnn以内としてな
る高精度の薄銅張回路基板の製造が困難となり、品質管
理などの余分の負荷が増大し不良品も多くなるので好ま
しくない。また、エツチング速度が0.01μ糟/秒よ
り遅いとエツチングに時間がかかり実用的ではない。
上記において、エツチング速度を遅くする方法としては
、濃度、温度又は銅箔面上のエツチング液の接触量(ス
プレー法の場合にはスプレー圧力或いはスプレーノズル
数)を低(するものであるが、温度を低くすること、エ
ツチング液の薬剤濃度を低くすること又はこれらを組み
合わせることが好適であり、上記した好適なエツチング
液組成の場合温度 25〜50°Cが好ましい。
本発明の製造法におけるエツチング方法としては通常ス
プレーエツチングを行うのが適当であり、水平或いは垂
直にして行う。エツチングにより所定厚みの銅箔とする
ためには、エツチング液によって、所定のエツチング条
件下におけるエツチング速度を測定して、エツチング時
間を設定する方法を使用する。例えば、両面に同一厚み
の銅箔を張った両面銅張板を用い、これを水平において
両面を同時に同一の厚みにするには、上下両面のエツチ
ング速度が同一となるようにスプレー圧等をコントロー
ルしてエツチング速度を揃え、所定時間エツチングする
方法による。又、従来のエツチングマシンは、通常、数
メートル7分以下の一定速度で移動する積層板の銅箔面
に対してノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とする方法
が取られているが、本発明の場合には銅張板の銅箔表面
に均一にスプレーされればよく、スプレーノズルの噴射
角度を30°〜50°程度傾けて使用することもできる
ものである。
上記した過酸化水素/硫酸水溶液系のエツチング剤で処
理した積層板の銅箔面は清浄化した後、適宜乾燥し、銅
箔面の保護のために防錆剤の塗布を行う。
ここに清浄化とは、中和、酸洗浄、水洗、湯洗などの公
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素/硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、水洗或いは湯洗後、炭酸ソーダ1
〜5 wt%の水溶液で20〜50°Cで中和処理した
後、防錆剤としては公知の銅の防錆剤、例えば、ベンゾ
トリアゾールなどのアゾール化合物を0.01=l i
vt%を含有し、適宜界面活性剤などを併用した水溶液
に20〜50″Cで浸漬処理することが好適である。
又、防錆処理後に、剥離可能な樹脂、例えばポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エチレンープ[1ピレン樹脂、エ
チレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアクリ
レート共重合体、1.2−ポリブタジェン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、その他の熱可ts 性樹脂製のフィルム類
やフォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポリ
エチレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなど
の汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液など
を圧着などして銅箔面を被覆することも好ましい。
〔実施例〕
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、うず電流方式で
測定した。
実施例1 700 X 1020mmで板厚1.6胴、片面ロープ
ロファイル処理した平均厚さ15−の銅箔を両面に張っ
たガラス布基材エポキシ樹脂積層板100枚を用いて平
均銅箔厚さ9−の薄銅張回路基板を製造した。
用いた両面銅張板の銅箔厚さ範囲は、平均15゜0p’
s最大15.5 trm、最小14.5卿、バラツキ上
0.5戸であり、表面凹凸度肝による銅箔の表面凹凸は
3.6〜4.3.Imであった。
水平エツチングマシンを用い、下記の条件でエツチング
した。
ついで、Na2CO35%水溶液に室温で30秒間浸漬
した後、濃度0.3%のベンゾトリアゾール水溶液に4
0°Cで30秒間浸漬し、100°Cの熱風で30秒間
乾燥した。
得られた薄銅張板100枚すべてについて、銅箔の厚さ
をそれぞれ縦横3等分して得られる一枚当たり18個の
長方形内の任意の点に銅箔厚さを測定したところ平均8
.9−1最大9.5−1最小8.6μmで平均厚さに対
するバラツキは±0.6 tnn、所望の厚さに対する
バラツキは±0.5 timであり、測定点の95%が
8.6〜9.4pmの範囲にあった。
また、表面凹凸は2.0〜3.0−であった。
さらに、得られた薄銅張板を25°C160%RHで3
0時間保持したが、錆の発生は見られなかった。
比較例1 下記した通常の塩化第二銅エツチング液、を用いて、実
施例1と同じ銅張積層板をエツチングして9戸薄銅張回
路基板を試みた。
まず、このエツチング液を用い、70−銅箔張板を用い
下記の条件でエツチング速度を測定した。
この結果、エツチング速度は0.5μWl/秒であるこ
とを確認した。15−の銅箔張板を用い、6 、 OF
−エンチングして平均厚さ9.0−にするために必要な
エツチング時間は12秒である。
従って、実施例1に使用したエツチングマシンでは、コ
ンベヤー速度を10m/分とすることが必要であるが、
このエツチングマシンではこの速度は出せないものであ
ったので、このエツチングマシンで可能な方法として、
有効エツチングチャンバ長さ2.0mのうち1.5m分
のスプレーノズルを封鎖し、コンベヤー速度を2.5m
/分に設定して、実施例1と同じ両面銅張積層板5枚を
用いて試験した。
得られた薄銅張板5枚について、銅箔の厚さを実施例1
と同様に測定したところ平均8.7−1最大 10.6
Irla、最小5.2−で平均厚さに対するバラツキは
±3.5霞、所望の厚さに対するバラツキは±4.8−
であり、測定点の48%が銅箔の厚さ8.5〜9.5μ
mの範囲にあった。
また、表面凹凸は3.8〜4.5μmであった。
更に、得られたa銅張板を25°C160%R11で保
持したところ、3時間後に斑点状の錆が発生した。
実施例2 実施例1において、エツチング条件を下記として平均厚
さ12−の両面銅張板を製造した。
得られた薄銅張板の銅箔の厚さを測定したところ平均1
2.1霞、最大12.6 g−1最小11.6−で平均
厚さに対するバラツキは±0.5 lfm、所望の厚さ
に対するバラツキは±0.6−であった。
また、表面凹凸は3.1〜3.6μ市であった。
実施例3 実施例1において、両面銅張積層板として、片面ロープ
ロファイル処理した平均厚さ12霞銅箔を両面に張った
ものを用い、エツチングマシンのコンベヤー速度を1.
5m/分とした他は全く同様にして所望厚み5戸の薄銅
張板の製造を行った。
用いた両面銅張板の銅箔厚さ範囲は、平均12゜Opv
a、最大12.41na、最小11.6uw、バラツキ
±0 、411vaであり、銅箔の表面凹凸は4.2〜
5.1戸であった。
得られた薄銅張板の銅箔の厚さを測定したところ平均4
.7−1最大5 、4 trm、最小4 、0 pmで
平均厚さに対するバラツキは±0.7戸、所望の厚さに
対するバラツキは±1.Otnaであった。
また、表面凹凸は2.3〜3.3 fmであった。
〔発明の作用および効果〕
以上、発明の詳細な説明および実施例、比較例から明瞭
な如く、従来のアルカリエツチング法等では、エツチン
グ量に対比しうる程大きな銅箔厚さのバラツキが生じる
ものであるのに対して、本発明の方法では、極めて高い
厚み精度を有し従来の極薄銅箔に対比しうる″FI!M
張板が容易に製造できるものであることが理解される。
この結果、従来は高価なアルミニウム箔等の担体上に形
成された5戸、9−などの銅箔を使用する方法、無電解
メツキ或いは蒸着等によってしか製造出来なかった薄銅
偏積層板を精度よく安価に容易に製造することが可能と
なるものであり、その産業上の意義は極めて大きいもの
である。
特許出願人  三菱瓦斯化学株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 平均厚さ12〜16μmで平均厚さに対する厚みの
    バラツキ±1.0μm以下の銅箔と電気絶縁体とより製
    造された銅箔張回路基板を、過酸化水素/硫酸水溶液に
    よる銅エッチング液を用い、0.01〜0.3μm/秒
    の速度で銅箔全面をエッチングし、残存銅箔の平均厚さ
    が3〜12−でエッチングを止めて該残存銅箔の所望厚
    さに対するバラツキが±1.0μm以内とすることを特
    徴とする薄銅箔張回路基板の製造法。 2 該過酸化水素/硫酸水溶液による銅エッチング液が
    、助剤としてアルコールを0.1〜5w/v%配合して
    なる過酸化水素濃度が1.5〜4w/v%、硫酸濃度が
    3〜7w/v%である請求項1記載の薄銅箔張回路基板
    の製造法。 3 該銅箔全面をエッチングした後、直ちに水溶性防錆
    剤で残存銅箔面を処理する請求項1記載の薄銅箔張回路
    基板の製造法。
JP21049088A 1988-05-20 1988-08-26 薄銅箔張回路基板の製造法 Pending JPH0260189A (ja)

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JP21049088A JPH0260189A (ja) 1988-08-26 1988-08-26 薄銅箔張回路基板の製造法
EP89108934A EP0342669B1 (en) 1988-05-20 1989-05-18 Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards
DE68923904T DE68923904T2 (de) 1988-05-20 1989-05-18 Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten.
US07/354,954 US4917758A (en) 1988-05-20 1989-05-19 Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120127432A (ko) * 2010-01-28 2012-11-21 샤프 가부시키가이샤 구리/티타늄계 다층 박막용 에칭액
JP2017125237A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社Jcu 銅フィリングされた銅めっき層のエッチング方法
WO2018180988A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 三菱瓦斯化学株式会社 圧延銅箔の表面処理液及び表面処理方法並びに圧延銅箔の製造方法

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