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CN102386207A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN102386207A CN2011102450818A CN201110245081A CN102386207A CN 102386207 A CN102386207 A CN 102386207A CN 2011102450818 A CN2011102450818 A CN 2011102450818A CN 201110245081 A CN201110245081 A CN 201110245081A CN 102386207 A CN102386207 A CN 102386207A
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CN
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electrode
display device
emitting display
oganic light
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柳春其
崔埈厚
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
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Abstract

在有机发光显示设备及其制造方法中，有机发光显示设备包括：薄膜晶体管的有源层，形成在基板上；形成在所述有源层和第一绝缘层上的栅电极，包括第一透明导电层和第一金属层；形成在所述栅电极和第二绝缘层上的源电极和漏电极，包括通过形成在所述第二绝缘层中的接触孔连接至所述有源层的第二金属层、形成在所述第二金属层上的第三金属层以及形成在所述第三金属层上的第二透明导电层；形成在所述第一绝缘层上的像素电极，包括所述第一透明导电层、所述第三金属层和所述第二透明导电层；布置在所述像素电极上的中间层，包括有机发射层；以及对电极，通过在所述像素电极与所述对电极之间布置所述中间层而被布置为面对所述像素电极。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
优先权要求
本申请参考早先于2010年8月30日递交韩国知识产权局并被正式指派序列号No.10-2010-0084178的申请，将其合并于此，并要求其所有权益。
技术领域
本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地说，涉及具有简单制造工艺和良好显示质量的有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备是自发射显示设备，其中电压被施加给包括阳极、阴极以及布置在阳极与阴极之间的有机发射层的薄膜层，使得电子和空穴在有机发射层中复合以发光。
由于视角宽、响应速度快并且功耗低以及重量和尺寸小，有机发光显示设备被认为是下一代显示设备。
用于实现全彩色的有机发光显示设备使用光学谐振结构，光学谐振结构用于改变从不同像素(例如红色、绿色和蓝色像素)中每一个的有机发射层所发射的光的各个波长的光程。
发明内容
本发明涉及一种具有简单制造工艺和良好显示质量的有机发光显示设备及其制造方法。
根据本发明的一方面，一种有机发光显示设备包括：薄膜晶体管的有源层，形成在基板上；形成在所述有源层和第一绝缘层上的栅电极，包括第一透明导电层和第一金属层；形成在所述栅电极和第二绝缘层上的源电极和漏电极，包括通过形成在所述第二绝缘层中的接触孔连接至所述有源层的第二金属层、形成在所述第二金属层上的第三金属层以及形成在所述第三金属层上的第二透明导电层；形成在所述第一绝缘层上的像素电极，包括所述第一透明导电层、所述第三金属层和所述第二透明导电层；布置在所述像素电极上的中间层，包括有机发射层；以及对电极，通过在所述像素电极与所述对电极之间插入所述中间层而被布置为面对所述像素电极。
所述第三金属层可以包括反射材料。
所述反射材料可以包括银(Ag)。
所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的每一个可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)所组成的组中选择的至少一种。
所述第一金属层和所述第二金属层中的每一个可以包括多个金属层。
所述第一金属层和所述第二金属层可以包括相同的材料。
所述第一金属层和所述第二金属层可以包括铝(Al)。
在所述像素电极中，所述第一透明导电层可以具有与所述第三金属层和所述第二透明导电层的刻蚀端不同的刻蚀端。
所述第一金属层可以布置在所述第一透明导电层的上表面上、所述第三金属层的旁边的表面上以及所述像素电极的第二绝缘层的下表面上。
所述像素电极的第一透明导电层可以通过透过所述第一金属层和所述第二绝缘层的通孔连接至所述源电极和漏电极之一。
所述有机发光显示设备可以进一步包括电容器，所述电容器包括与所述有源层材料相同并形成在与所述有源层相同水平上的第一电极，以及包括所述第一透明导电层并形成在所述第一绝缘层上的第二电极。
所述电容器的第二电极可以进一步包括位于所述第一透明导电层上的第三金属层和第二透明导电层。
所述像素电极可以为用于部分透射并部分反射从所述有机发射层发射的光的半透半反镜。
所述对电极可以为用于反射从所述有机发射层发射的光的反射镜。
所述有机发光显示设备可以进一步包括环绕所述像素电极的边缘并覆盖所述源电极和漏电极的像素限定层。
根据本发明的另一方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括：执行第一掩膜工艺，用于在基板上形成半导体层，并且用于通过图案化所述半导体层形成薄膜晶体管的有源层；执行第二掩膜工艺，用于在所述有源层上形成第一绝缘层、第一透明导电层和第一金属层，并且用于通过图案化所述第一透明导电层和所述第一金属层形成像素电极的基底层和所述薄膜晶体管的栅电极；执行第三掩膜工艺，用于在所述基底层和所述栅电极上形成第二绝缘层，并且用于通过图案化所述第二绝缘层形成暴露所述基底层的第一透明导电层的第一开口，和暴露所述薄膜晶体管的源区和漏区的接触孔；执行第四掩膜工艺，用于在所述第一开口和所述接触孔中形成第二金属层，并且用于通过图案化所述第二金属层形成连接至所述源区和漏区的源电极和漏电极；并且执行第五掩膜工艺，用于在所述源电极和漏电极上形成第三金属层和第二透明导电层，并且用于通过图案化所述第三金属层和所述第二透明导电层来形成所述像素电极的上层以及所述源电极和漏电极的盖层。
所述方法可以在执行所述第二掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：通过将所述栅电极用作掩膜在所述源区和漏区上掺入离子杂质。
所述第三掩膜工艺可以包括用于在所述第二绝缘层中形成所述第一开口和所述接触孔的第一刻蚀工艺，以及用于去除所述像素电极基底层的由所述第一开口暴露的第一金属层的第二刻蚀工艺。
在所述第三掩膜工艺中，可以进一步形成透过第二绝缘层和所述基底层的第一金属层的通孔。
在所述第四掩膜工艺中，所述源电极和漏电极可以同时形成在所述接触孔和所述通孔中。
所述方法可以在执行所述第五掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：形成用于暴露所述像素电极的上层并覆盖所述源电极和漏电极的盖层的第四绝缘层。
所述第四绝缘层可以不利用掩膜工艺形成。
所述方法可以进一步包括以下步骤：在所述像素电极的上层上形成包括有机发射层的中间层；并且在所述中间层上形成对电极。
所述第三金属层可以包括反射材料，并且其中所述像素电极的上层可以为用于部分透射并部分反射光的半透半反镜。
在所述第一掩膜工艺中，可以通过利用与所述有源层相同的材料并在与所述有源层相同的水平上形成电容器的第一电极，并且其中在所述第二掩膜工艺中，可以通过图案化所述第一透明导电层形成所述电容器的第二电极。
所述方法可以在执行所述第三掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：在所述电容器的第一电极上掺入离子杂质。
附图说明
通过参照以下结合附图考虑时的详细描述，本发明的更完整的理解及其许多附加的优点将容易显而易见，同时变得更好理解，附图中相同的附图标记指示相同或相似的部件，其中：
图1至图17为用于描述根据本发明实施例的制造有机发光显示设备的方法的截面图；以及
图18为通过使用图1至图17所示的方法制造的有机发光显示设备的截面图。
具体实施方式
下文中，将通过参照附图说明本发明的实施例来详细地描述本发明。
图1至图17为用于描述根据本发明实施例的制造有机发光显示设备的方法的截面图，并且图18为通过使用图1至图17所示的方法制造的有机发光显示设备的截面图。
参见图1，在基板10上顺序形成缓冲层11和半导体层12。
基板10可以由主要包括SiO2的透明玻璃材料形成。包括SiO2和/或SiNx等的缓冲层11可以另外形成在基板10上，以便平坦化基板10并防止不纯的元素渗入。
缓冲层11和半导体层12可以通过使用各种沉积方法进行沉积，例如使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、常压化学气相沉积(APCVD)方法以及低压化学气相沉积(LPCVD)方法进行沉积。
半导体层12沉积在缓冲层11上。半导体层12可以由非晶硅(Si)或晶体硅(多晶硅)形成。在这种情况下，晶体硅可以通过使用各种方法使非晶硅晶体化来形成，例如使用快速热退火(RTA)方法、固相晶体化(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导晶体化(MIC)方法、金属诱导横向晶体化(MILC)方法以及连序横向固化(SLS)方法来形成。
参见图2，在半导体层12上涂覆第一光刻胶P1，并且通过使用包括挡光部分M11和透光部分M12的第一光掩膜M1来执行第一掩膜工艺。
尽管在图2中未示出，但曝光设备(未示出)对第一光掩膜M1进行曝光，然后执行诸如显影、刻蚀和去膜或灰化的一系列工艺。
参见图3，作为第一光掩膜工艺的结果，半导体层12被图案化成薄膜晶体管的有源层212，并且电容器的第一电极312通过使用与有源层212相同的材料而形成在同一水平上。
参见图4，在图3所示的结构上顺序堆叠第一绝缘层13、第一透明导电层14和第一金属层15。
第一绝缘层13可以包括SiO2、SiNx等的单层或多层，并且充当薄膜晶体管的栅绝缘层和电容器的介电层。
第一透明导电层14可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)所组成的组中选择的至少一种。
第一金属层15可以包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)所组成的组中选择的至少一种金属。在当前实施例中，第一金属层15包括Al。
此外，第一金属层15可以包括多个金属层15a、15b和15c。在当前实施例中，使用Mo层15a和15c分别形成在Al层15b之上和之下的三层结构(Mo/Al/Mo)。然而，当前实施例不限于此，并且第一金属层15可以通过使用各种材料以各种数目的层形成。
参见图5，在第一金属层15上涂覆第二光刻胶P2，并且通过使用包括挡光部分M21和透光部分M22的第二光掩膜M2来执行第二掩膜工艺。
参见图6，作为第二掩膜工艺的结果，第一透明导电层14和第一金属层15被图案化成像素电极的基底层114和115、薄膜晶体管的栅电极214和215以及电容器的第二电极314和315。
参见图7，通过使用执行第二掩膜工艺所形成的栅电极214和215作为自对准掩膜在有源层212上掺入离子杂质。结果，有源层212包括分别掺有离子杂质的源区212a和漏区212b以及分别介于源区212a与漏区212b之间的沟道区212c。也就是说，在不形成额外的光掩膜的情况下，可以通过使用栅电极214和215作为自对准掩膜来分别形成源区212a和漏区212b。
参见图8，在通过执行第二掩膜工艺所获得的结构上涂覆第二绝缘层16和第三光刻胶P3，并且通过使用包括挡光部分M31和透光部分M32的第三光掩膜M3执行第三掩膜工艺。
参见图9，作为第三掩膜工艺的结果，用于暴露像素电极的基底层114和115的第一开口116a、分别用于暴露薄膜晶体管的源区212a和漏区212b的接触孔216a和216b以及用于暴露电容器的第二电极314和315的第二开口316形成在第二绝缘层16中。
图9示出在对第二绝缘层16执行刻蚀工艺之后刻蚀并去除像素电极的由第一开口116a暴露的基底层115的大部分以及电容器的由第二开口316暴露的第二电极315的情况。
同时，基底层115的部分115a在像素电极的基底层114上在第一开口116a与接触孔216a和216b之间第二绝缘层16未被去除的位置保留。在第三掩膜工艺中，还可以形成透过第二绝缘层16和基底层115的部分115a的通孔116b。
参见图10，在图9所示的结构上形成第二金属层17。
与第一金属层15相同，第二金属层17可以包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu所组成的组中选择的至少一种金属。在当前实施例中，与第一金属层15相同，第二金属层17包括铝。
而且，第二金属层17可以包括多个金属层17a、17b和17c。在当前实施例中，与在第一金属层15中一样，使用Mo层17a和17c形成在Al层17b之上和之下的三层结构(Mo/Al/Mo)。然而，当前实施例不限于此，并且第二金属层17可以通过使用各种材料以各种数目的层形成。
参见图11，在第二金属层17上涂覆第四光刻胶P4，并且通过使用包括挡光部分M41和透光部分M42的第四光掩膜M4执行第四掩膜工艺。
参见图12，第二金属层17的位于像素电极的第一开口116a和电容器的第二开口316中的部分被去除，并且第二金属层17的位于通孔116b以及接触孔216a和216b中的部分分别电连接至像素电极的基底层114以及源区212a和漏区212b，以便分别形成源电极217a和漏电极217b。
参见图13，在电容器的第二电极314上第二电极315被去除的位置掺入离子杂质。相应地，通过图案化半导体层12而形成的电容器之第一电极312的导电率可以提高，因而电容器的电容可以增大。
参见图14，在图13所示的结构上顺序形成第三金属层18和第二透明导电层19。
第三金属层18包括反射材料。尽管在当前实施例中Ag用作反射材料，但当前实施例不限于此。也就是说，第三金属层18可以包括各种反射材料。
与第一透明导电层14相同，第二透明导电层19可以包括从ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO所组成的组中选择的至少一种。
参见图15，在第三金属层18和第二透明导电层19上涂覆第五光刻胶P5，并且通过使用包括挡光部分M51和透光部分M52的第五光掩膜M5执行第五掩膜工艺。
参见图16，作为第五掩膜工艺的结果，第三金属层18和第二透明导电层19被分别图案化成像素电极的上层118和119、用于覆盖源电极217a的盖层218a和219a以及用于覆盖漏电极217b的盖层218b和219b。
由于像素电极的上层118和119通过图案化包括反射材料的第三金属层18以及第二透明导电层19而形成，因此通过控制上层118的厚度，光可以部分被透射部分被反射。也就是说，像素电极中能够部分透射并部分反射光的上层118和119可以用作采用光学谐振结构的有机发光显示设备的半透半反镜。
在当前实施例中，像素电极的充当半透半反镜的上层118和119，分别在用于形成栅电极214和215以及像素电极的基底层114和115的第二掩膜工艺、用于部分刻蚀像素电极的基底层114和115的第三掩膜工艺以及用于形成源电极217a和漏电极217b的第四掩膜工艺之后形成。也就是说，像素电极的充当半透半反镜的上层118和119，在用于分别形成源电极217a和漏电极217b的盖层218a、219a、218b和219b的第五掩膜工艺中形成在像素电极的基底层114上。
如果像素电极的充当半透半反镜的上层118和119形成在用于形成栅电极214和215的第二掩膜工艺中形成，也就是说，如果栅电极214被形成为进一步包括第三金属层18和第二透明导电层19，则栅电极214的总厚度增加，因而栅电极214和连接至栅电极214的布线(未示出)可能不容易形成。
而且，如果以上所述的半透半反镜形成在用于形成像素电极的第一金属层15之下，则半透半反镜可能在用于去除形成在像素电极上的第一金属层15的第三掩膜工艺中受到用于去除第一金属层15的刻蚀剂的损伤。具体来说，如果像在当前实施例中那样，半透半反镜包括Ag，而第一金属层15包括Al，则半透半反镜可能受到Al刻蚀剂的严重损伤。
此外，在用于分别形成源电极217a和漏电极217b的第四掩膜工艺中，半透半反镜还可能受到去除形成在半透半反镜上的第二金属层17的刻蚀剂的损伤。具体来说，如果像在当前实施例中那样，半透半反镜包括Ag，而第二金属层17包括Al，则半透半反镜可能受到Al刻蚀剂的严重损伤。
然而，根据当前实施例，由于半透半反镜在分别形成源电极217a和漏电极217b之后形成，因此半透半反镜可能不会受到用于去除第二金属层17以分别形成电极217a和漏电极217b的刻蚀剂的损伤。相应地，用于形成半透半反镜的材料可以自由选择。
而且，根据当前实施例，由于盖层218a、219a、218b和219b分别形成在源电极217a和漏电极217b上，因此源电极217a和漏电极217b以及分别连接至源电极217a和漏电极217b的布线(未示出)，可以比盖层218a、219a、218b和219b的厚度薄。相应地，布线可以容易地进行图案化。此外，由于布线被盖层218a、219a、218b和219b保护，因此对布线的腐蚀可以降低，因而产品的寿命可以延长。
另外，根据当前实施例，由于像素电极可以充当半透半反镜，因此对电极可以形成为反射镜，因而有机发光显示设备可以容易地形成为光学谐振结构。由于根据当前实施例的光学谐振结构可以通过执行掩膜工艺总共五次来形成，因此有机发光显示设备可以通过执行小数目的掩膜工艺来制造。
同时，尽管在图16中，电容器的第二电极314仅包括第一透明导电层14，但当前实施例不限于此。也就是说，第三金属层18和第二透明导电层19可以进一步形成在包括第一透明导电层14的第一电极314上。
参见图17，在像素电极的上层118和119的边缘以及源电极217a和漏电极217b上分别形成用于形成像素限定层的第四绝缘层20。像素限定层限定发光区域，并且通过增加像素电极的上层118和119的边缘与对电极22之间的距离来防止在像素电极(基底层114以及上层118和119)与对电极22(稍后结合图18进行描述)之间的短路，从而防止电场在像素电极的上层118和119的边缘上的集聚。
第四绝缘层20可以是有机或无机绝缘层。而且，尽管第四绝缘层20可以通过使用光掩膜来图案化，但在当前实施例中，第四绝缘层20通过使用例如喷墨印刷方法或丝网印刷方法来形成，以便减少掩膜工艺的数目。
参见图18，在像素电极的上层118和119上形成对电极22以及包括有机发射层21a的中间层21。
有机发射层21a可以由低分子或高分子有机材料形成。
如果有机发射层21a由低分子有机材料形成，则中间层21可以通过在从有机发射层21a到像素电极(基底层114以及上层118和119)的方向上堆叠空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)，并通过在从有机发射层21a到对电极22的方向上堆叠发射层(EML)和电子传输层(ETL)来形成。另外，如果需要，可以堆叠各种层。在这种情况下，有机发射层21a可以由各种低分子有机材料形成，例如由铜酞菁(CuPc)、N，N’-二萘-1-基-N，N’-联苯-联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)形成。
同时，如果有机发射层21a由高分子有机材料形成，则中间层21在从有机发射层21a到像素电极(基底层114以及上层118和119)的方向上可以仅包括HTL。HTL可以由聚-(2，4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。在这种情况下，有机发射层21a可以通过使用诸如喷墨印刷方法、旋涂方法或利用激光以形成彩色图案的热传递方法之类的公知方法，由各种高分子有机材料形成，例如由聚苯乙炔(PPV)基和聚芴基的材料形成。
包括有机发射层21a的中间层21可以通过改变每个像素中有机发射层21a的厚度或包括在中间层21中的除有机发射层21a之外的另一有机层(未示出)的厚度，来实现光学谐振结构。
在中间层21上沉积对电极22作为公共电极。在根据当前实施例的有机发光显示设备中，像素电极(基底层114以及上层118和119)用作阳极，而对电极22可以用作阴极，反之亦然。
对电极22可以是包括反射材料的反射电极，以便实现光学谐振结构。在这种情况下，对电极22可以包括从Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al所组成的组中选择的至少一种。
同时，尽管在图18中未示出，但用于保护有机发射层21a免受外部湿气或氧的侵袭的密封件(未示出)和吸收剂(未示出)可以进一步形成在对电极22上。
如上所述，根据本发明实施例的有机发光显示设备及其制造方法提供以下效果。
首先，由于用于形成半透半反镜的第三金属层和第二透明导电层在形成源电极和漏电极之后形成，因此可以防止半透半反镜受到用于刻蚀源电极和漏电极的刻蚀剂的损伤。
其次，由于用于形成半透半反镜的第三金属层和第二透明导电层在形成源电极和漏电极之后形成，因此可以自由选择用于形成半透半反镜的材料。
第三，由于在源电极和漏电极上形成盖层，因此可以减小源电极和漏电极的厚度，可以防止布线的腐蚀，因此可以延长产品的寿命。
第四，包括半透半反镜的有机发光显示设备可以通过执行掩膜工艺五次制造而成。
尽管已参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员可以理解，在不背离如所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节方面做出各种改变。

Claims (26)

1.一种有机发光显示设备，包括：
薄膜晶体管的有源层，形成在基板上；
形成在所述有源层和第一绝缘层上的栅电极，包括第一透明导电层和第一金属层；
形成在所述栅电极和第二绝缘层上的源电极和漏电极，包括通过形成在所述第二绝缘层中的接触孔连接至所述有源层的第二金属层、形成在所述第二金属层上的第三金属层以及形成在所述第三金属层上的第二透明导电层；
形成在所述第一绝缘层上的像素电极，包括所述第一透明导电层、所述第三金属层和所述第二透明导电层；
布置在所述像素电极上的中间层，包括有机发射层；以及
对电极，通过在所述像素电极与所述对电极之间布置所述中间层而被布置为面对所述像素电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三金属层包括反射材料。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述反射材料包括银。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的每一个包括从氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓以及氧化铝锌所组成的组中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的每一个包括多个金属层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一金属层和所述第二金属层包括铝。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中在所述像素电极中，所述第一透明导电层具有与所述第三金属层和所述第二透明导电层的刻蚀端不同的刻蚀端。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一金属层被布置在所述第一透明导电层的上表面上、所述第三金属层的旁边的表面上以及所述像素电极的第二绝缘层的下表面上。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极的第一透明导电层通过透过所述第一金属层和所述第二绝缘层的通孔连接至所述源电极和漏电极之一。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括电容器，所述电容器包括与所述有源层的材料相同并形成在与所述有源层相同水平上的第一电极，以及包括所述第一透明导电层并形成在所述第一绝缘层上的第二电极。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述电容器的第二电极进一步包括位于所述第一透明导电层上的第三金属层和第二透明导电层。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极为用于部分透射并部分反射从所述有机发射层发射的光的半透半反镜。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述对电极为用于反射从所述有机发射层发射的光的反射镜。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括环绕所述像素电极的边缘并覆盖所述源电极和漏电极的像素限定层。
16.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
执行第一掩膜工艺，用于在基板上形成半导体层，并且用于通过图案化所述半导体层形成薄膜晶体管的有源层；
执行第二掩膜工艺，用于在所述有源层上形成第一绝缘层、第一透明导电层和第一金属层，并且用于通过图案化所述第一透明导电层和所述第一金属层形成像素电极的基底层和所述薄膜晶体管的栅电极；
执行第三掩膜工艺，用于在所述基底层和所述栅电极上形成第二绝缘层，并且用于通过图案化所述第二绝缘层形成暴露所述基底层的第一透明导电层的第一开口和暴露所述薄膜晶体管的源区和漏区的接触孔；
执行第四掩膜工艺，用于在所述第一开口和所述接触孔中形成第二金属层，并且用于通过图案化所述第二金属层形成分别连接至所述源区和漏区的源电极和漏电极；并且
执行第五掩膜工艺，用于在所述源电极和漏电极上形成第三金属层和第二透明导电层，并且用于通过图案化所述第三金属层和所述第二透明导电层来形成所述像素电极的上层以及所述源电极和漏电极的盖层。
17.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，在执行所述第二掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：通过将所述栅电极用作掩膜在所述源区和漏区上掺入离子杂质。
18.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第三掩膜工艺包括：用于在所述第二绝缘层中形成所述第一开口和所述接触孔的第一刻蚀工艺，以及用于去除所述像素电极的基底层中由所述第一开口暴露的第一金属层的第二刻蚀工艺。
19.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中在所述第三掩膜工艺中，进一步形成透过所述第二绝缘层和所述基底层的第一金属层的通孔。
20.根据权利要求19所述的制造有机发光显示设备的方法，其中在所述第四掩膜工艺中，所述源电极和漏电极同时形成在所述接触孔和所述通孔中。
21.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，在执行所述第五掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：形成暴露所述像素电极的上层并覆盖所述源电极和漏电极的盖层的第四绝缘层。
22.根据权利要求21所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四绝缘层不利用掩膜工艺形成。
23.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，进一步包括以下步骤：
在所述像素电极的上层上形成包括有机发射层的中间层；并且
在所述中间层上形成对电极。
24.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第三金属层包括反射材料，并且其中所述像素电极的上层为用于部分透射并部分反射光的半透半反镜。
25.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中在所述第一掩膜工艺中，通过利用与所述有源层相同的材料并在与所述有源层相同的水平上形成电容器的第一电极，并且其中在所述第二掩膜工艺中，通过图案化所述第一透明导电层形成所述电容器的第二电极。
26.根据权利要求25所述的制造有机发光显示设备的方法，在执行所述第三掩膜工艺之后进一步包括以下步骤：在所述电容器的第一电极上掺入离子杂质。
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