CN102017153A - 光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统 - Google Patents

Abstract

在其成像区域中包含电荷存储部分的光电转换装置中，用于电荷存储部分的隔离区域包含分别具有PN结的第一隔离部分和分别具有绝缘体的第二隔离部分。第二隔离部分被布置在电荷存储部分和多个晶体管的至少一部分之间。

Description

光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统

技术领域

本发明涉及包含电荷存储部分的光电转换装置中的元件隔离配置。

背景技术

近年来，许多的数字照相机和数字便携式摄像机使用CCD型或MOS型光电转换装置。对于MOS型光电转换装置，开发了用于提供全局式快门(global shuttering)的元件结构，该全局式快门提供对于光电转换部分的均匀的蓄积时间。这种结构是分别包含用于光电转换部分的电荷存储部分的部件。日本专利申请公开No.2007-053217公开了这样的配置：分别包含电荷存储部分的部件分别包含具有LOCOS结构的隔离区域。并且，日本专利申请公开No.2007-157912公开了这样的配置：在包含电荷存储部分的部件中为了减少入射到电荷存储部分上的光的量，设置间隙以包围各电荷存储部分。

发明内容

根据本发明的一个方面的光电转换装置包括像素单元，该像素单元包含：至少包含第一光电转换元件的光电转换部分；至少包含第一电荷存储元件并保持在光电转换部分中产生的电荷的电荷存储部分；用于输出基于由电荷存储部分保持的电荷的信号的多个晶体管；和用于使电荷存储部分电气隔离的隔离区域，其中，隔离区域包含：具有PN结的第一隔离部分；和具有绝缘体并被布置在第一电荷存储元件和所述多个晶体管的至少一部分之间的第二隔离部分。

并且，根据本发明的另一方面的图像拾取系统包括：以上成像装置；用于在成像装置中的成像面上形成图像的光学系统；和用于处理从成像装置输出的信号以产生图像数据的信号处理单元。

结合附图考虑以下的描述，本发明的其它特征和优点将显而易见，在这些附图中，类似的附图标记在所有图中表示相同或类似的部分。

附图说明

图1示出光电转换装置中的像素电路的例子。

图2是用于描述第一示例性实施例的光电转换装置的示意性平面视图。

图3A是沿图2中的线3A-3A截取的示意性截面视图。

图3B是沿图2中的线3B-3B截取的示意性截面视图。

图4是用于描述第二示例性实施例的光电转换装置的示意性平面视图。

图5A是沿图4中的线5A-5A截取的示意性截面视图。

图5B是沿图4中的线5B-5B截取的示意性截面视图。

图6A是用于描述第一示例性实施例的光电转换装置的示意性平面视图。

图6B是用于描述第一示例性实施例的光电转换装置的示意性截面视图。

图7示出光电转换装置中的像素电路的另一例子。

图8是用于描述成像系统的框图。

被包含于说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

具体实施方式

本发明的发明人发现，在日本专利申请公开No.2007-053217中公开的结构中，当光入射到隔离区域时，在隔离区域中出现光的漫反射，从而导致光入射到电荷存储部分。日本专利申请公开No.2007-157912讨论了布线层周围的光的入射，但没有讨论当光入射到隔离区域时对于电荷存储部分施加的影响。但是，对于隔离区域，不仅必须考虑光的影响，而且必须考虑诸如耐压性和寄生MOS的电气特性。因此，本发明的目的是提供减少电荷从隔离区域向电荷存储部分中的侵入的光电转换装置。

本发明涉及在成像区域中包含电荷存储部分的光电转换装置。在这种光电转换装置中，用于电荷存储部分的隔离区域包含具有PN结的第一隔离部分和具有绝缘体的第二隔离部分。第二隔离部分被布置在电荷存储部分和多个晶体管的至少一部分之间。第一隔离部分减少在具有氧化物膜的隔离区域中出现的漫反射的影响，并且，电荷存储部分和晶体管之间的第二隔离部分的布置使得能够维持读出电路和电荷存储部分的耐压性。

以下，将参照附图描述示例性实施例。将考虑以信号电荷作为电子来提供描述。

(第一示例性实施例)

首先，将参照图1描述包含电荷存储部分的光电转换装置中的像素电路的例子。图1示出以两个行和两个列布置分别包含电荷存储部分的像素13的配置。各像素13包含光电转换部分2、电荷存储部分3、浮动扩散区域4、电源部分5、像素输出部分7、第一传送栅极电极8、第二栅极电极9、复位晶体管的栅极电极10、选择晶体管的栅极电极11、放大晶体管的栅极电极12和用作排出部分的溢漏(overflow drain，以下称为“OFD”)的栅极电极23。作为用于供给预定电压的布线的电源线与电源部分5连接。这里，电源部分5与复位晶体管的漏极、选择晶体管的漏极和OFD的漏极共享同一节点。控制线RES、TX1、TX2、SEL和OFD向各栅极电极供给脉冲。控制线RES向复位晶体管的栅极电极10供给脉冲，控制线TX1向第一传送栅极电极8供给脉冲，控制线TX2向第二栅极电极9供给脉冲，控制线SEL向选择晶体管的栅极电极11供给脉冲，并且，控制线OFD向溢漏的栅极电极23供给脉冲。还设置信号线OUT。数目n和m是正整数：示出行n以及它们的各个相邻行n+1，和列m及其相邻的列m+1。这里，作为包含一个光电转换部分2的部件的像素13是光电转换装置的配置中的最小重复单位。布置多个像素13的区域被称为成像区域。

上述的像素13中的全局式快门按如下动作。在经过一定蓄积时间之后，在光电转换部分2中产生的电荷借助于第一栅极电极8被传送到电荷存储部分3。在对于该一定蓄积时间的信号电荷被保持在电荷存储部分3中期间，光电转换部分2重新开始信号电荷蓄积。电荷存储部分3中的信号电荷借助于第二栅极电极9被传送到浮动扩散区域4，并且作为信号从放大晶体管的像素输出部分7被输出。并且，为了防止在信号电荷被保持在电荷存储部分3中期间在光电转换部分2中产生的电荷向电荷存储部分3中的侵入，光电转换部分2中的电荷可通过OFD 23被排出。各复位晶体管在从电荷存储部分3传送信号电荷之前将其浮动扩散区域4设为具有预定电势(复位动作)。此时的浮动扩散区域4的电势作为噪声信号从像素输出部分7被输出，以将该噪声信号与基于后来输出的信号电荷的信号区分开，从而使得能够去除该噪声信号。

并且，各像素13可在其第一栅极电极8下面具有埋入的沟道。换句话说，光电转换部分2和电荷存储部分3被电连接。具有这种配置的全局式快门按如下动作。在光电转换部分2中产生的信号电荷被保持在光电转换部分2和电荷存储部分3中。在经过一定的蓄积时间之后，信号电荷借助于第二栅极电极9被传送到浮动扩散区域4。在信号电荷传送到浮动扩散区域4之后，光电转换部分2和电荷存储部分3重新开始信号电荷蓄积。在该配置中，同样，为了防止在信号电荷被保持在浮动扩散区域4中期间在光电转换部分2中产生的电荷向浮动扩散区域4中的侵入，光电转换部分2中的电荷可通过OFD 23被排出。并且，复位晶体管的动作与上述的情况类似。即使不在第一栅极电极8下面设置埋入的沟道，也可借助于驱动第一栅极电极8执行该动作。将以这种设置有埋入的沟道的配置为例描述本示例性实施例。

图2是具有图1所示的像素配置的光电转换装置的示意性平面视图。以两个行和两个列布置像素13。像素13包含第一像素13a、第二像素13b、第三像素13c和第四像素13d。具有与图1中的功能类似的功能的部件具有相同的附图标记，并且，其描述将被省略。附图标记中的字母“a”、“b”、“c”和“d”分别表示相关部件是第一像素、第二像素、第三像素和第四像素的相关部件。并且，为了便于描述，没有示出触点以及栅极电极以外的布线的布置。共享图1中的同一节点的部分可以包含在同一半导体区域中，或者，可通过布线被连接。

图1示出隔离区域1和14。各隔离区域14是在半导体区域中具有PN结的第一隔离部分，并且，各隔离区域1是具有绝缘体的第二隔离部分。第二隔离部分1以外的部分是形成元件的活性区域。

将着眼于第一像素13a提供描述。第一栅极电极8a延伸到电荷存储部分3a之上的区域。作为第一栅极电极8a延伸到电荷存储部分3a之上的区域的结果，入射到电荷存储部分3a上的光的量可减少，并且，可通过控制向第一栅极电极8a施加的电压来减少电荷存储部分3a中的暗电流的量。这里，电荷存储部分3a包含第一隔离部分14和第二隔离部分1。第一隔离部分14被布置在电荷存储部分3a和相邻的光电转换部分2(未示出)之间。换句话说，例如，第一隔离部分14被配置在第二像素13c的电荷存储部分3b和第一像素13a的电荷存储部分3a之间。将参照图3A和图3B中的示意性截面视图详细描述这种隔离区域的配置。以下，将以“n型”作为“第一导电类型”来提供描述。

图3A是沿图2中的线3A-3A截取的示意性截面视图，图3B是沿图2中的线3B-3B截取的示意性截面视图。图3A和图3B分别示出阱21。阱21可以是n型或p型中的任一种，并且，也可以是设置在半导体基板上的部件或半导体基板。第二导电类型的第一半导体区域16和第一导电类型的第二半导体区域17构成光电转换部分2。第一导电类型的第三半导体区域18构成电荷存储部分3。第二导电类型的第四半导体区域19可用作用于减少电子向电荷存储部分3中的侵入的势垒。遮光膜20减少入射到电荷存储部分3上的光的量。在图2中，遮光膜20被省略。第二导电类型的半导体区域22构成用于通过使用PN结提供与周围的半导体区域的电气隔离的第一隔离部分14。与周围的半导体区域相比，第二导电类型的半导体区域14具有更高的第二导电类型杂质浓度，即，具有对于信号载流子的高电势。并且，绝缘体23构成第二隔离部分1。第二隔离部分1被形成为LOCOS(局部硅氧化)结构或STI(浅沟槽隔离)结构。第二导电类型的第五半导体区域15可用作沟道停止或对于电子的势垒。并且，第五半导体区域15可具有防止作为设置绝缘体23的结果产生的暗电流的功能。这里，在本示例性实施例中，第一导电类型的第六半导体区域(未示出)被设置在第二半导体区域17和第三半导体区域18之间。通过第六半导体区域在第一栅极电极8下面形成埋入的沟道。

这里，将参照图6A和图6B关于本发明的目的提供详细的描述。图6A是与图2对应的示意性平面视图，并且，关于图2，与图1中的像素电路对应。图6B是沿图6A中的线X-Y截取的示意性截面视图。与图1～3B中的部件类似的部件具有相同的附图标记，并且，其描述将被省略。这里，在图6A中，作为用于电荷存储部分3的隔离区域，只设置分别具有绝缘体的第二隔离部分1。在这种情况下的沿线X-Y的截面中，出现图6B中所示的现象。由于光电转换部分2a不包含遮光膜20，因此，光容易地入射到光电转换部分2a，从而导致光还入射到光电转换部分2a和电荷存储部分3b之间。这里，本发明的发明人发现，当光入射到第二隔离部分1时，反射在绝缘体和半导体基板21之间的界面上重复，从而导致产生沿各种方向行进的散射光。由该散射光产生的电子会侵入保持在电荷存储部分3b中的信号电荷，从而导致伪信号(alias)(错误信号)。在这种情况下，如果通过绝缘体延伸到半导体基板的深的部分的STI结构来形成隔离区域，那么，更容易出现反射，并由此容易产生散射光。并且，即使当电荷存储部分3b被设置为邻近隔离区域时，光也不仅可通过光电转换部分2a的周边，而且可通过遮光膜20的切口入射到隔离区域。

同时，在图3A中，第一隔离部分14被设置在第二像素13b的电荷存储部分3b和第一像素13a的光电转换部分2a之间。如图3A所示，光容易入射到没有设置遮光膜20的光电转换部分2a。作为在具有大的入射光量的该部分中设置第一隔离部分14的结果，光穿透到阱21的深的部分，从而减少散射。并且，第一隔离部分14使得能够减少由光产生的电子向构成电荷存储部分3b的第三半导体区域18b中的侵入。并且，第四半导体区域19b的存在使得能够进一步减少电子向第三半导体区域18b中的侵入。

并且，在图3B中，第二隔离部分1被布置在多个晶体管的至少一部分(这里，为复位晶体管)和电荷存储部分3a之间。可通过第二隔离部分1提供充分的电气隔离。应当注意，晶体管不限于复位晶体管：只需要电荷存储部分不应与晶体管的源极区域或漏极区域共享同一节点；并且，晶体管可以是放大晶体管或选择晶体管。由于会向这些晶体管栅极电极供给高脉冲并且会向晶体管的源极区域或漏极区域供给高电压，因此，需要电气隔离和耐压性。并且，第二隔离部分可被布置在电荷存储部分和对于用于固定电势的阱触点的半导体区域阱之间。这意图在于提供电荷存储部分与对于阱触点的半导体区域的充分的电气隔离，因为在复位操作期间，对电荷存储部分施加高的电势。

这里，在许多情况下，与构成光电转换部分的第二半导体区域17的杂质浓度相比，构成晶体管的源极区域或漏极区域的半导体区域具有更高的杂质浓度。如果通过第一隔离部分提供这种具有高杂质浓度的半导体区域的隔离，那么将向PN结界面施加大的电场。因此，希望借助于第二隔离部分1在保持耐压性的同时提供电气隔离。并且，多个晶体管可阻隔光，这与光电转换部分2不同，因此，入射到第二隔离部分1上的光的量可减少，从而使得能够减少散射光的产生。

但是，具有绝缘体的第二隔离部分1可导致源自绝缘体和半导体之间的界面上的晶格中的缺陷的暗电流。因此，如本示例性实施例中那样，第一隔离部分14被布置在保持信号电荷的电荷存储部分3或光电转换部分2附近，从而使得与图6所示的配置相比能够减少噪声。

上述配置使得能够提供在具有耐压性的同时减少来自隔离区域的电荷向电荷存储部分中的侵入的成像装置。

在如本示例性实施例中那样在光电转换部分2和电荷存储部分3之间设置埋入的沟道的配置中，在电荷存储部分3中保持信号电荷的时间变长，由此，该配置对于减少由入射光产生的电子的侵入以及对于暗电流的减少是有效的。但是，本发明中的配置不限于在光电转换部分2和电荷存储部分3之间设置埋入的沟道的配置。并且，可以不设置用作势垒的第四半导体区域19和第五半导体区域15。

(第二示例性实施例)

根据本示例性实施例的光电转换装置与第一示例性实施例的光电转换装置的不同在于像素的平面布局，并具有关于线对称地布置像素的配置。并且，光电转换装置与第一示例性实施例的不同在于电荷存储部分和光电转换部分周围的隔离区域的布置。将参照图4提供描述。

图4是光电转换装置的示意性平面视图。在图4中，与图2中的部件相同的部件具有相同的附图标记，并且，其描述将被省略。为了便于描述，触头、栅极电极以外的布线以及遮光膜不被示出。虽然图4示出沿两个行和四个列布置的八个像素13，但是对于整个光电转换装置二维地重复布置图4中的八个像素。将使用这些像素中的四个像素13a、13b、13c和13d来提供描述。在图4中，第一像素13a的光电转换部分2和第三像素13c的光电转换部分2被布置为相互面对，这与图2不同。换句话说，关于线对称地布置第一像素13a和第二像素13b的列以及第三像素13c和第四像素13d的列。这里，如在第一示例性实施例中那样，第一隔离部分14被布置在第一像素13a的电荷存储部分3a和相邻像素的光电转换部分(未示出)之间。第二隔离部分1被布置在第一像素13a中的晶体管和电荷存储部分3a之间。但是，第一隔离部分14也被布置在第一像素13a的电荷存储部分3a和第三像素13c的电荷存储部分3c之间。与第一示例性实施例相比，这种配置使得能够进一步减少电荷向电荷存储部分3a中的侵入。并且，该配置使得能够减少侵入电荷存储部分3a中的暗电流。并且，第一隔离部分14被设置在光电转换部分2a和第三像素13c的光电转换部分2c之间。这种配置使得能够减少侵入光电转换部分2a和光电转换部分2c中的暗电流。并且，第二隔离部分1被布置在晶体管和电荷存储部分3a或光电转换部分2a之间，从而使得能够抑制耐压性的降低和寄生MOS晶体管的出现。将参照图5中的示意性截面视图提供其描述。

图5A是沿图4中的线5A-5A截取的示意性截面视图，图5B是沿图4中的线5B-5B截取的示意性截面视图。在图5A和图5B中，与图3A和图3B中的部件相同的部件具有相同的附图标记，并且，进一步的描述将被省略。图5A中所示的配置的描述将被省略，由于该配置与图3A中的配置几乎相同。在图5B中，第一像素13a的电荷存储部分3a和第三像素13c的电荷存储部分3c相互邻近，并且通过同一遮光膜20被阻隔光。借助于该遮光膜20，光不入射到电荷存储部分3a和电荷存储部分3c之间。但是，作为容易产生暗电流的第二隔离部分1的绝缘体23的替代，布置第一隔离部分14，即第二导电类型的半导体区域22。这种配置使得能够减少侵入到电荷存储部分3a和电荷存储部分3c中的暗电流。

如上所述，第一隔离部分被布置在像素的电荷存储部分和相邻像素的电荷存储部分之间，从而使得能够减少由于在布置第二隔离部分时出现的光散射导致的伪信号(错误信号)。并且，可以减少暗电流向电荷存储部分中的侵入。并且，可以通过类似的布置对光电转换部分周围的区域提供类似的优点。除以上之外，第二隔离部分被设置在电荷存储部分和晶体管之间，从而使得还能够增强耐压性并减少寄生MOS晶体管的出现。应当注意，根据本示例性实施例的隔离区域布置也可被应用于不同的平面布局。

(第三示例性实施例)

对于本示例性实施例，将参照图7描述与图1所示的像素电路不同的像素电路。图7示出包含像素单元22的配置。与图1中的部件相同的部件具有相同的附图标记，并且，其描述将被省略。

图7示出第一光电转换元件2a、第二光电转换元件2b、第一电荷存储元件3a和第二电荷存储元件3b。对于第一光电转换元件设置第一栅极电极8a和第二栅极电极9a，并且，对于第二光电转换元件设置第一栅极电极8b和第二栅极电极9b。对于第一光电转换元件设置排出部分23a，并且，对于第二光电转换元件设置排出部分23b。第一光电转换元件2a和第二光电转换元件2b共享浮动扩散区域4、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管。

换句话说，图7中的像素电路具有图1中的第n行第m列中的像素的浮动扩散区域4和第n+1行第m列中的像素的浮动扩散区域4相互连接的配置。复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管被共享。并且，图1中的配置可被视为像素单元22包含一个光电转换部分2的情况。

根据上述的配置，与图1中的配置相比，元件的数量可减少，从而使得能够增加电荷存储部分和光电转换部分的面积。

对于这种情况下的隔离区域的布置，如第二示例性实施例中所示，希望在电荷存储部分和晶体管之间布置第二隔离部分，并在以下的区域中布置第一隔离部分：首先，电荷存储部分之间的区域，例如，第一电荷存储元件3a和第二电荷存储元件3b之间的区域以及第一电荷存储元件3a和相邻的像素单元的电荷存储部分之间的区域；并且，电荷存储部分和光电转换部分之间的区域，例如，第一电荷存储元件3a和第二光电转换元件2b之间的区域以及第一电荷存储元件3a和相邻的像素单元的光电转换部分之间的区域。如上所述，作为如第二示例性实施例所示那样布置第一隔离部分和第二隔离部分的结果，可以在保持耐压性的同时减少电荷向电荷存储部分中的侵入。

(对于成像系统的应用)

将参照图8，关于根据第一示例性实施例和第三示例性实施例的光电转换装置被应用于成像系统的情况描述本示例性实施例。成像系统可以是数字静物照相机、数字视频照相机或用于移动电话的数字照相机。

图8是示出数字静物照相机的配置的示图。通过包含透镜802的光学系统在光电转换装置804中的成像面上形成对象的光学图像。在透镜802外面，可以设置提供对于透镜802的保护功能并且还用作主开关的阻挡体801。可对于透镜802设置用于调整从透镜802发射的光的量的光阑803。通过多个信道从光电转换装置804输出的成像信号借助于成像信号处理电路805经受诸如各种校正和箝位(clamping)的处理。借助于A/D转换器806执行通过多个信道从成像信号处理电路805输出的成像信号的模数转换。从A/D转换器806输出的图像数据借助于信号处理单元(图像处理单元)807经受各种校正、数据压缩等。光电转换装置804、成像信号处理电路805、A/D转换器806和信号处理单元807根据由定时产生器808产生的定时信号而动作。各块由总体控制和算术运算单元809控制。数字静物照相机还包括用于暂时存储图像数据的存储器单元810和用于向/从记录介质记录/读取图像的记录介质控制I/F单元811。包含例如半导体存储器的记录介质812可以被附接/拆卸。数字静物照相机还可包括用于与外部计算机等通信的外部接口(I/F)单元813。这里，可以在形成光电转换装置804的同一块芯片上形成成像信号处理电路805、A/D转换器806和信号处理单元807以及定时产生器808。

以下将描述图8中的动作。响应于挡板801被打开，主电源、用于控制系统的电源和用于诸如A/D转换器806的成像系统电路的电源被依次接通。随后，为了控制曝光量，总体控制和算术运算单元809使得光阑803打开。从光电转换装置804输出的信号穿过成像信号处理电路805并被提供给A/D转换器806。A/D转换器806执行信号的A/D转换并将信号输出到信号处理单元807。信号处理单元807处理数据并将数据提供给总体控制和算术运算单元809，并且，总体控制和算术运算单元809执行算术运算以确定曝光量。总体控制和算术运算单元809基于确定的曝光量控制光阑。

然后，总体控制和算术运算单元809从由光电转换装置804输出并然后被信号处理单元807处理的信号中提取高频成分，并且执行算术运算以基于高频成分确定到对象的距离。随后，透镜802被驱动，并且，确定照相机是否对焦。如果确定照相机没有对焦，那么驱动透镜802并且重新执行用于确定距离的算术运算。

在确认照相机对焦之后，曝光开始。在曝光结束之后，从光电转换装置804输出的成像信号在成像信号处理电路805中经受例如校正，在A/D转换器806中经受A/D转换，并且在信号处理单元807中被处理。在信号处理单元807中被处理的图像数据借助于总体控制和算术运算单元809被蓄积于存储器单元810中。随后，借助于总体控制和算术运算单元809的控制，蓄积于存储器单元810中的图像数据通过记录介质控制I/F单元被记录于记录介质812中。图像数据还通过外部I/F单元813被提供给例如计算机，并被处理。

如上所述，根据本发明的光电转换装置被应用于成像系统。作为使用根据本发明的光电转换装置的结果，可以减少作为使用全局式快门的结果而在图像信号上叠加的噪声，从而使得能够提供较高质量的图像。并且，可以有利于例如信号处理电路中的噪声去除。

以上描述了本发明的几个示例性实施例。但是，本发明不限于示例性实施例，并且，适当的修改是可能的。例如，像素电路配置不限于图1中的配置。该配置可以是沿半导体基板的垂直方向而不是从图1所示的排出部分排出电荷的配置。并且，第一栅极电极8的配置不限于对于示例性实施例描述的配置，并且，第一栅极电极8可以不延伸到电荷存储部分3之上的区域。可以适当地改变电荷的极性、半导体区域和晶体管。并且，示例性实施例的任意适当的组合是可能的。

虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。

本申请要求在2008年5月9日提交的日本专利申请No.2008-123440的益处，在此通过引用并入其全部内容。

Claims (9)

1.一种包含像素单元的光电转换装置，该像素单元包含：

至少包含第一光电转换元件的光电转换部分；

至少包含第一电荷存储元件并保持在光电转换部分中产生的电荷的电荷存储部分；

用于输出基于由电荷存储部分保持的电荷的信号的多个晶体管；和

用于使电荷存储部分电气隔离的隔离区域，其中，

隔离区域包含：

具有PN结的第一隔离部分；和

具有绝缘体并被布置在第一电荷存储元件和所述多个晶体管的至少一部分之间的第二隔离部分。

2.根据权利要求1的光电转换装置，其中，

多个像素单元被布置，并且，

一个像素单元中的第一隔离部分被布置在所述一个像素单元中的第一电荷存储元件和与所述一个像素单元相邻的另一像素单元中的第一光电转换元件之间。

3.根据权利要求1或2的光电转换装置，其中，

多个像素单元被布置，并且，

一个像素单元中的第一隔离部分被布置在所述一个像素单元中的第一电荷存储元件和与所述一个像素单元相邻的另一像素单元中的第一电荷存储元件之间。

4.根据权利要求1～3中的任一项的光电转换装置，其中，

栅极电极被设置在第一光电转换元件和第一电荷存储元件之间，使得栅极电极、第一光电转换元件和第一电荷存储元件形成具有埋入的沟道的晶体管。

5.根据权利要求1～4中的任一项的光电转换装置，其中，

第一光电转换元件具有第一导电类型的第一半导体区域，

所述多个晶体管中的至少一个具有第一导电类型的源极区域和漏极区域，

源极区域或漏极区域具有比第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度。

6.根据权利要求1～5中的任一项的光电转换装置，其中，

光电转换部分还包含第二光电转换元件，

电荷存储部分还包含第二电荷存储元件，并且，

第一隔离部分被布置在第一电荷存储元件和第二光电转换元件之间。

7.根据权利要求6的光电转换装置，其中，

第一隔离部分被布置在第一电荷存储元件和第二电荷存储元件之间。

8.根据权利要求1～7中的任一项的光电转换装置，其中，

第二隔离部分被形成为STI结构。

9.一种成像系统，包括：

根据权利要求1～8中的任一项的光电转换装置；和

用于处理从光电转换装置输出的信号的信号处理电路。

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