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CN107958916A - 显示装置 - Google Patents

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CN107958916A CN201710957891.3A CN201710957891A CN107958916A CN 107958916 A CN107958916 A CN 107958916A CN 201710957891 A CN201710957891 A CN 201710957891A CN 107958916 A CN107958916 A CN 107958916A
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Abstract

提供了一种显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：基底，包括像素区和与像素区相邻的透射区；晶体管，在像素区中位于基底上；平坦化层，在像素区中位于晶体管上；壁，位于像素区与透射区之间的基底上；以及像素电极，位于平坦化层上并且在平坦化层与壁之间的沟槽中延伸。

Description

显示装置
本申请要求于2016年10月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0133560号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，对于诸如有机发光二极管显示器的显示装置，已经进行了对具有改善的透光率的透明显示器的研究。显示装置通常包括多个层，在这种情况下，显示装置的透光率可以根据这些层的布置和形成材料而改变。例如，透明显示器可以包括去除使透射率劣化的层的透射区。然而，由于透射区的移除的层，会产生问题。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对发明的背景技术的理解，因此，它可以包含不形成对本领域的普通技术人员而言在本国中已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种用于防止像素电极的腐蚀和突起并且使光致抗蚀剂的使用最小化的显示装置及其制造方法。
根据示例性实施例的显示装置包括：基底，包括像素区和与像素区相邻的透射区；晶体管，在像素区中位于基底上；平坦化层，在像素区中位于晶体管上；壁，位于像素区与透射区之间的基底上；以及像素电极，位于平坦化层上并且在平坦化层与壁之间的沟槽中延伸。
壁和平坦化层可以由相同的材料形成。
像素电极的边缘可以位于沟槽中。
显示装置还可以包括位于像素电极上的像素限定层，像素限定层可以覆盖像素电极的位于沟槽中的边缘。
壁可以与平坦化层分离。
显示装置还可以包括位于晶体管的半导体与栅电极之间的栅极绝缘层，壁可以直接位于栅极绝缘层上。
像素电极可以在沟槽中与栅极绝缘层接触。
显示装置还可以包括位于像素电极上的发光构件和位于发光构件上的共电极，共电极可以与壁的一个侧面接触。
共电极可以在透射区中与栅极绝缘层接触。
壁可以连接到平坦化层。
显示装置还可以包括位于晶体管的栅电极与源电极和漏电极之间的层间绝缘层，壁可以直接位于层间绝缘层上。
发光构件可以在透射区中位于栅极绝缘层与共电极之间。
显示装置可以是透明显示器。
根据示例性实施例的显示装置的制造方法包括：在包括像素区和与像素区相邻的透射区的基底上的像素区中形成晶体管；在像素区和透射区中沉积并蚀刻绝缘材料，以在像素区中形成平坦化层并且在像素区与透射区之间形成壁；以及沉积并蚀刻导电材料，以形成位于平坦化层上并且在壁与平坦化层之间的沟槽中延伸的像素电极。
像素电极可以形成为位于沟槽中的边缘。
该方法还可以包括在像素电极上沉积并蚀刻绝缘材料，以形成覆盖沟槽中的像素电极的像素限定层。
形成晶体管的步骤可以包括在栅极绝缘层上沉积并蚀刻导电材料，以形成栅电极。
像素电极可以形成为在沟槽中与栅极绝缘层接触。
当形成栅电极时，可以在透射区形成防蚀刻层。
该方法还可以包括在像素电极上形成发光构件并且在发光构件上形成共电极，其中，共电极可形成为与壁的一个侧面接触。
共电极可以形成为在透射区中与栅极绝缘层接触。
根据示例性实施例，可以防止像素电极的腐蚀和突起，并且可以减少光致抗蚀剂的消耗量。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的图。
图2是示意性地示出图1中示出的显示装置的单元区的布局图。
图3是沿图2的线III-III'截取的示意性剖视图。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
图13是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
图14是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
图15是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了发明的示例性实施例。然而，如本领域的技术人员将了解的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。
为了解释本发明的目的，省略了不与本发明直接相关的部分，贯穿整个说明书，相同的附图标记被赋予相同或相似的构成元件。
此外，为了更好地理解和易于描述，任意示出了在图中示出的每个构件的尺寸和厚度，但是本发明不限于此。在图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。还将理解的是，被称为“在”参照部分“上方”或者“上”意为位于所述参照部分上方或下方。
此外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包括”或“包含”的变型将被理解为暗指包括所述元件但不排除任何其它元件。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”意为当从上方观察目标部分时，短语“在剖面中”意为当从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时。
接下来，将参照附图描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。虽然有机发光二极管显示器被作为示例描述，但是根据本发明的显示装置不限于此。
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的图，图2是示意性地示出图1中示出的显示装置的单元区的布局图。
参照图1，显示装置10可以具有透明性质，并且允许位于显示装置10后面的物体或背景通过例如窗口在那里是可见的。该显示装置10被称为透明显示器。透明显示器可以用作例如展示柜、汽车的玻璃和用于传送将被使用的产品的细节信息和功能的建筑物的窗口以提供各种信息。透明显示器可以应用于各种物体，并且可以与和物体交互的内容组合。例如，透明显示器可以与增强现实技术组合。
参照图2，显示装置10包括透射区TA和像素区PA。例如，透射区TA和像素区PA可以交替地设置在水平方向上。在水平方向上位于透射区TA与像素区PA之间的区域可以被称为边界区。
基本透射外部光的透射窗口TW位于透射区TA中，作为显示图像的最小单元的像素PX位于像素区PA中。在显示装置10中，例如包括一个像素PX和一个透射窗口TW的单元区UA可以以矩阵形式设置。由于透射区TA的透射窗口TW，显示装置10可以基本或完全被识别为透明的。
像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以显示不同的颜色。例如，第一像素PX1可以显示红色，第二像素PX2可以显示绿色，第三像素PX3可以显示蓝色。像素PX可以通过第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的组合来展示各种颜色和对比度。像素PX不但包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3还可以包括显示另一种颜色(例如，白色)的像素。构成像素PX的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以被称为子像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以具有不同的尺寸。在图2中，第三像素PX3被示出为是最大的，但是不限于此，可以对第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸进行各种改变。此外，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的至少两个像素的尺寸可以基本相同。
像素PX1、PX2和PX3中的每个包括例如用于控制或导通/截止针对像素的电流的晶体管TR。虽然示出了一个晶体管TR，但是每个像素PX可以包括两个或更多个晶体管TR。虽然未示出，但是像素PX1、PX2和PX3中的每个可以包括至少一个电容器。
透射窗口TW使透射率的损失最小化，并且透射外部光。透射窗口TW可以具有四边形的平面形状，但是不限于此。在图2中，一个透射窗口TW与像素PX相邻，以与一个像素PX对应。可选择地，分成三个的透射窗口TW可以设置为与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3相邻，以与像素PX1、PX2和PX3对应，一个透射窗口TW可以设置为与四个或更多个像素PX相邻，以与这些像素PX对应。用于传输施加到像素PX的信号的布线(未示出)(例如，传输扫描信号的扫描线)可以位于在竖直方向上相邻的透射窗口TW之间。
壁W位于透射窗口TW与像素PX之间，沟槽T位于壁W与像素PX之间。可以通过壁W和沟槽T作为边界来划分透射区TA和像素区PA。因此，壁W可以限定透射窗口TW的与像素区PA相邻的边。壁W和沟槽T可以减少稍后将描述的像素电极的形成工艺中的光致抗蚀剂的使用，并且可以防止像素电极的故障。
接下来，将在聚焦于透射窗口TW、像素PX、壁W和沟槽T的同时参照图3详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图3是沿图2的线III-III'截取的示意性剖视图。
参照图3，显示装置10包括：透射窗口TW，位于基底110的透射区TA中；像素PX，位于基底110的像素区PA中；以及壁W和沟槽T，位于透射窗口TW与像素PX之间。
基底110可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的透明绝缘基底。
晶体管TR的半导体154位于基底110上。半导体154包括沟道区152以及位于沟道区152的各侧处并且被掺杂的源区153和漏区155。半导体154可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
虽然未示出，但是遮光电极可以位于基底110与半导体154之间。遮光电极防止外部光到达半导体154，从而可以阻止半导体154的特性劣化并且可以使晶体管TR的漏电流最小化。可以在基底110与半导体154之间设置用于防止导致半导体特性的劣化的杂质扩散和湿气渗透的阻挡层(未示出)。
第一栅极绝缘层141位于半导体154上。第一栅极绝缘层141可以位于基底110的整个表面上，因此，它可以位于透射区TA中。根据与图3中示出的示例性实施例不同的实施例，第一栅极绝缘层141可以不位于透射区TA中。第一栅极绝缘层141可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等的无机绝缘材料。
包括晶体管TR的栅电极124、电容器C的第一电极126和扫描线(未示出)等的第一栅极导体位于第一栅极绝缘层141上。栅电极124可以与半导体154的沟道区152叠置。
包括无机绝缘材料的第二栅极绝缘层142位于第一栅极导体上。包括电容器C的第二电极156和存储线(未示出)等的第二栅极导体位于第二栅极绝缘层142上。第二电极156与第一电极126叠置并且第二栅极绝缘层142置于第二电极156与第一电极126之间，它们可以形成可以作为像素PX的存储电容器的电容器C。第一栅极导体和第二栅极导体可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)等的金属或它们的金属合金，并且可以由单层或者多层形成。根据与图3中示出的示例性实施例不同的实施例，显示装置可以不包括第二栅极绝缘层142和第二栅极导体。
包括无机绝缘材料的层间绝缘层160位于第二栅极导体上。第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160位于像素区PA中，但是它们可以不位于透射区TA的透射窗口TW中，这改善了透射率。在像素区PA中，第二栅极绝缘层142的边缘和层间绝缘层160的边缘可以基本匹配。
包括晶体管TR的源电极173和漏电极175、数据线(未示出)和驱动电压线(未示出)等的数据导体位于层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175可以通过形成在层间绝缘层160和第二栅极绝缘层142中的接触孔63和65分别连接到半导体154的源区153和漏区155。数据导体可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)和钽(Ta)等的金属或它们的金属合金，并且可以由单层或多层(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo和Mo/Cu/Mo等)形成。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起形成晶体管TR。示出的晶体管TR可以是有机发光二极管显示器的像素的驱动晶体管。因为栅电极124位于半导体154上，所以示出的晶体管TR可以被称为顶栅晶体管。晶体管TR的结构不限于此，并且可以进行各种改变；例如，它可以是栅电极位于半导体下方的底栅晶体管。
平坦化层180位于层间绝缘层160和数据导体上。为了增大将在平坦化层180上形成的有机发光元件的发射效率，平坦化层180用于去除台阶并且使台阶平坦化。平坦化层180可以设置为覆盖位于像素区PA中的第二栅极绝缘层142、层间绝缘层160和数据导体。因此，平坦化层180可以覆盖晶体管TR。
平坦化层180不位于透射区TA的透射窗口TW中，这导致透射率改善。壁W位于透射区TA与像素区PA之间的第一栅极绝缘层141上。在一个示例性实施例中，壁W可以直接位于第一栅极绝缘层141上。壁W与平坦化层180例如在水平方向上分离预定的间隔，因此，沟槽T形成在壁W与平坦化层180之间。沟槽T由壁W和平坦化层180的面对的面限定。参照图2，沟槽T可以形成为与竖直方向平行，例如形成为沿像素PX的边缘。沟槽T允许当通过蚀刻形成像素电极191时形成厚的光敏膜，从而可以防止像素电极191被腐蚀。稍后给出关于其制造方法的详细描述。
平坦化层180和沟槽T可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、不饱和聚酯、环氧树脂和酚醛树脂等，但是不限于此。平坦化层180和壁W可以由同一材料形成。
像素电极191位于平坦化层180上。像素电极191通过平坦化层180的接触孔81连接到晶体管TR的漏电极175。像素电极191沿平坦化层180的侧面在沟槽T中延伸。像素电极191可以在沟槽T中与第一栅极绝缘层141接触。在沟槽T中，如所示，像素电极191的边缘可以位于壁W的侧面处。可选择地，像素电极191的边缘可以位于第一栅极绝缘层141上，或者可以位于平坦化层180的侧面处。像素电极191可以由反射导电材料或半透射导电材料形成，或者可以由透明导电材料形成。例如，像素电极191可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料或诸如锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)的金属。
像素限定层360位于平坦化层180和像素电极191上。像素限定层360具有与像素电极191的一部分叠置的开口91。像素限定层360的开口91可以限定与像素PX对应的区域。像素限定层360可以设置为围绕位于像素区PA中的像素PX，但是它不位于透射窗口TW中，以防止透射率劣化。像素限定层360可以包括诸如聚酰亚胺、聚丙烯酸酯和聚酰胺的有机绝缘材料。
像素限定层360设置为填充沟槽T。平坦化层180不位于沟槽T中，如此，像素限定层360厚厚地形成在沟槽T中。因此，像素电极191的位于沟槽T中的边缘被厚的像素限定层360覆盖。像素电极191的边缘会通过化学反应随时间而膨胀。当像素限定层360薄薄地形成在像素电极191的边缘上时，像素电极191会穿透像素限定层360并且与稍后将描述的共电极270接触。如果发生这种情况，那么像素电极191和共电极270变得短路，并且相应的像素不再用作像素，而是表现为暗点。根据本发明的示例性实施例的像素电极191被厚的像素限定层360覆盖，使得即使像素电极191膨胀，像素限定层360也难以破裂。
发光构件370位于像素电极191上。发光构件370可以包括顺序地层叠的第一有机公共层、发射层和第二有机公共层。第一有机公共层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。发光层可以由唯一地发射诸如红色、绿色和蓝色的原色中的一种的光的有机材料制成，并且可以具有层叠有发射不同颜色的光的多个有机材料层的结构。第二有机公共层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一个。在图3中示出的示例性实施例中，发光构件370不位于透射区TA中，但是它可以位于透射区TA中。
传输共电压的共电极270位于发光构件370上。共电极270可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。共电极270由透明导电材料制成，或者可以通过薄薄地层叠诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)和银(Ag)的金属形成，以具有透光性。共电极270可以位于透射区TA以及像素区PA中。共电极270可以与壁W的一个侧面接触。虽然未示出，但是至少一个保护层或至少一个功能层可以位于共电极270上。
每个像素PX的像素电极191、发光构件370和共电极270形成有机发光二极管的发光元件。这里，像素电极191可以是作为空穴注入电极的阳极，共电极270可以是作为电子注入电极的阴极。在其它实施例中，像素电极191可以是阴极，共电极270可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入到发光构件370中，并且通过使注入的空穴和电子结合而产生的激子从激发态落到基态，以发射光。
在图3中示出的示例性实施例中，在位于像素区PA中的几个层之中，第一栅极绝缘层141和共电极270位于透射区TA的透射窗口TW中；然而，半导体154、第一栅极导体、第二栅极绝缘层142、第二栅极导体、层间绝缘层160、数据导体、平坦化层180和像素电极191不位于透射区TA的透射窗口TW中。不透明的层或厚且具有透明度的层不位于像素区PA中，如此，透射窗口TW可以以高透射率透射外部光。根据与图3中示出的示例性实施例不同的实施例，在透射窗口TW中，第一栅极绝缘层141和共电极270中的一个或两个可以不位于其中，或者位于或不位于像素区PA中的至少一个层可以位于其中。
接下来，将参照图4至图12描述制造图3中示出的显示装置的方法的示例性实施例。
图4至图12是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的过程剖视图。
参照图4，在基底110上沉积半导体材料，并且蚀刻半导体材料以形成晶体管TR的半导体154。蚀刻可以使用光刻工艺。在具有半导体154的基底110上沉积无机绝缘材料以形成第一栅极绝缘层141，在第一栅极绝缘层141上沉积诸如金属的导电材料并蚀刻导电材料以形成包括晶体管TR的栅电极124、电容器C的第一电极126和防蚀刻层129的第一栅极导体。通过杂质掺杂形成半导体154的源区153和漏区155。
形成防蚀刻层129，以防止位于透射区TA中的第一栅极绝缘层141在下面的工艺中被蚀刻。可以使防蚀刻层129形成为延伸穿过透射区TA的两侧(例如，延伸到透射区TA与像素区PA之间的边界区)。当将第一栅极绝缘层141设计为不位于透射区TA中时，可以不形成防蚀刻层129。
参照图5，在包括第一栅极导体的第一栅极绝缘层141上沉积无机绝缘材料，以形成第二栅极绝缘层142。接下来，沉积并蚀刻诸如金属的导电材料，以形成包括电容器C的第二电极156的第二栅极导体。在具有第二栅极导体的第二栅极绝缘层142上沉积无机绝缘材料，以形成层间绝缘层160。
参照图6，在层间绝缘层160和第二栅极绝缘层142中形成与半导体154的源区153和漏区155叠置的接触孔63和65。当形成接触孔63和65时，去除防蚀刻层129上的层间绝缘层160和第二栅极绝缘层142。因此，第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160不位于透射区TA中。然而，当去除层间绝缘层160和第二栅极绝缘层142时，因为金属材料与无机绝缘材料之间的蚀刻选择性，所以不蚀刻防蚀刻层129，并且也保留下面的第一栅极绝缘层141。
参照图7，在层间绝缘层160和防蚀刻层129上沉积诸如金属的导电材料，并蚀刻导电材料以形成包括源电极173和漏电极175的数据导体。在这种情况下，可以与导电材料一起去除位于第一栅极绝缘层141上的防蚀刻层129。源电极173和漏电极175通过接触孔63和65来连接到半导体154的源区153和漏区155。
参照图8，在暴露的第一栅极绝缘层141上沉积有机绝缘材料，并蚀刻有机绝缘材料以在像素区PA中形成具有与漏电极175叠置的接触孔81的平坦化层180并在透射区TA与像素区PA之间形成壁W。因此，壁W与平坦化层180在同一工艺中由同一材料形成。在层间绝缘层160上形成平坦化层180，在第一栅极绝缘层141上形成壁W，使得壁W可以比层间绝缘层160厚地形成。
在透射区TA中，去除沉积的有机绝缘材料，从而暴露第一栅极绝缘层141。可以由壁W限定透射区TA的与像素区PA相邻的侧面。使壁W形成为与平坦化层180分离预定间隔。因此，在壁W的侧面与平坦化层180的侧面之间形成由壁W的侧面和平坦化层180的侧面限定的沟槽T。沟槽T的底部可以是第一栅极绝缘层141的上表面。
参照图9，在平坦化层180、壁W、沟槽T和暴露的第一栅极绝缘层141上沉积导电材料，以形成用于像素电极191的导电层191P。接下来，在导电层191P上涂覆光致抗蚀剂，以形成光敏膜50。参照图10，通过使用掩模的曝光工艺来由光敏膜50形成与像素电极191对应的光敏膜图案51。接下来，参照图11，通过使用光敏膜图案51作为掩模来蚀刻导电层191P以形成像素电极191，沉积有机绝缘材料以形成用于形成像素限定层360的绝缘层360P。参照图12，蚀刻绝缘层360P以形成具有与像素电极191叠置的开口91并且覆盖像素电极191的边缘的像素限定层360。在这种情况下，在透射区TA中，去除绝缘层360P并且仅保留第一栅极绝缘层141。接下来，在像素电极191上顺序地沉积发光构件370和共电极270，以制造图3中示出的显示装置。
可以厚厚地形成平坦化层180，因为平坦化层180不位于透射区TA中从而改进透射率，所以透射区TA与像素区PA之间的台阶大。因此，当通过在导电层191P上涂覆光致抗蚀剂来形成光敏膜50时，涂覆的光致抗蚀剂的大部分填充透射区TA，使得在平坦化层180上薄薄地形成光敏膜50。例如，平坦化层180上的光敏膜50的厚度可以小于涂覆的有机绝缘材料的厚度的1/5。为了补偿这一点，涂覆更多的光致抗蚀剂，平坦化层180上的光敏膜50不会因为涂覆量而变得较厚。因此，为了在平坦化层180上形成期望厚度的光敏膜50，通常使用大量的光致抗蚀剂。
如果薄薄地形成光敏膜50，那么在使用光敏膜图案51的蚀刻工艺(例如，湿蚀刻)中，光敏膜图案51的边缘会被剥离，蚀刻剂会渗透到光敏膜图案51下方，从而会发生像素电极191的腐蚀。然而，根据本发明的示例性实施例，虽然光敏膜50由于透射区TA而薄薄地形成在平坦化层180上，但是因为如图10中所示形成在平坦化层180与壁W之间的沟槽T，所以光敏膜图案51的边缘厚厚地形成。因此，因为光敏膜图案51的边缘不会被剥离，所以可以防止像素电极191的非预期的腐蚀。此外，不需要在平坦化层180上厚厚地形成光敏膜图案51，如此，可以减少光致抗蚀剂的消耗量。
再次参照图11，当形成用于形成像素限定层360的绝缘层360P时，因为有机绝缘材料通过透射区TA与像素区PA之间的台阶填充透射区TA，所以绝缘层360P厚厚地形成在透射区TA中，但是绝缘层360P被薄薄地形成在平坦化层180和像素电极191上。然而，因为绝缘层360P也填充沟槽T，所以如图12中所示，可以在位于沟槽T中的像素电极191的边缘上形成足够厚的像素限定层360。因此，即使像素电极191的边缘膨胀，边缘仍然可以被像素限定层360覆盖。
在下文中，将聚焦于上述示例性实施例与图13、图14和图15的差异来描述根据本发明的另一示例性实施例的显示装置，省略或者简化对相同构造的描述。
图13、图14和图15分别是根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。
首先，参照图13，壁W不与平坦化层180分离，而是连接到平坦化层180。因此，形成在壁W与平坦化层180之间的沟槽T比图3的示例性实施例中的沟槽T浅。当在形成有数据导体的层间绝缘层160上沉积并蚀刻有机绝缘材料时，可以通过不完全去除(例如，使用半色调掩模或狭缝掩模)与沟槽T对应的区域中的有机绝缘层来形成壁W和沟槽T。透射区TA与像素区PA之间的边界区会由于壁W和沟槽T而增大，从而减小透射区TA的尺寸。如果沟槽T是浅的，那么因为可以减小沟槽T的宽度，所以可以使透射区TA的尺寸的减小最小化以形成沟槽T。
参照图14，与其中壁W位于第一栅极绝缘层141上的图3的示例性实施例不同，在本示例性实施例中，壁W位于层间绝缘层160上。形成在壁W与平坦化层180之间的沟槽T比在图3的示例性实施例中的沟槽T浅，层间绝缘层160的上表面形成沟槽T的底部。如果沟槽T是浅的，那么因为可以减小沟槽T的宽度，因此与图13的示例性实施例相似，可以使透射区TA的尺寸的减小最小化。
参照图15，与其中发光构件370仅位于像素区PA中的图3的示例性实施例不同，发光构件370还通过像素限定层360和壁W设置在透射区TA中。因此，发光构件370可以例如在没有精细金属掩模的情况下在横向方向上连续地形成。即使在透射区TA中设置发光构件370，发光构件370也是透明薄层，如此，基本不会使透射窗口TW的透射率劣化。
虽然已经结合目前认为是实际的示例性实施例描述了该发明，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素区和与所述像素区相邻的透射区；
晶体管，在所述像素区中位于所述基底上；
平坦化层，在所述像素区中位于所述晶体管上；
壁，位于所述像素区与所述透射区之间的所述基底上；以及
像素电极，位于所述平坦化层上并且在所述平坦化层与所述壁之间的沟槽中延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述壁和所述平坦化层由相同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述像素电极的边缘位于所述沟槽中。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，位于所述像素电极上，
其中，所述像素限定层覆盖所述像素电极的位于所述沟槽中的所述边缘。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述壁与所述平坦化层分离。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
栅极绝缘层，位于所述晶体管的半导体与栅电极之间，并且
所述壁直接位于所述栅极绝缘层上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述像素电极在所述沟槽中与所述栅极绝缘层接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发光构件，位于所述像素电极上；以及共电极，位于所述发光构件上，其中，所述共电极与所述壁的一个侧面接触。
9.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发光构件，位于所述像素电极上；以及共电极，位于所述发光构件上，其中，所述共电极在所述透射区中与所述栅极绝缘层接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示装置是透明显示器。
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