[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN107393939B - 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置 - Google Patents

像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107393939B
CN107393939B CN201710761649.9A CN201710761649A CN107393939B CN 107393939 B CN107393939 B CN 107393939B CN 201710761649 A CN201710761649 A CN 201710761649A CN 107393939 B CN107393939 B CN 107393939B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
defining
pattern
pixel defining
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710761649.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107393939A (zh
Inventor
张玉欣
程鸿飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710761649.9A priority Critical patent/CN107393939B/zh
Publication of CN107393939A publication Critical patent/CN107393939A/zh
Priority to US16/329,401 priority patent/US10886343B2/en
Priority to PCT/CN2018/084051 priority patent/WO2019041836A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107393939B publication Critical patent/CN107393939B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置,属于显示技术领域。包括:设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,第二子界定图案嵌套设置在第一子界定图案内,且第二子界定图案的外边缘与第一子界定图案的内边缘连接;其中,第一子界定图案的厚度大于第二子界定图案的厚度,第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。本发明解决了相关技术中发光层的发光区域厚度不均一,导致显示面板的显示亮度的均一性较差的问题。本发明用于像素界定层及显示面板的制造。

Description

像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置。
背景技术
自发光的显示面板通常包括阳极、发光层和阴极等,例如自发光的显示面板可以包括量子点发光二极管(英文:Quantum Dot Light Emitting Diodes;简称:QLED)显示面板和有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板等。其中,发光层通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层等,发光层通常可以采用溶液法制备,例如采用喷墨打印(英文:Ink-Jet Printing;简称:IJP)技术制造发光层。
在制备发光层的过程中,通常需要先在衬底基板上形成像素界定层,然后将溶解有发光层的材料的墨水喷淋到像素界定层所围成的区域内,待墨水溶剂蒸发后形成发光层。
但是,由于墨水会在像素界定层上攀爬,使得像素界定层限定的发光区域中的边缘区域(靠近像素界定层)的厚度大于中间区域的厚度,待墨水溶剂蒸发形成发光层后,会出现咖啡环(英文:coffee ring)现象,导致发光层的发光区域厚度不均一,从而会导致显示面板的显示亮度的均一性较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置,可以解决相关技术中发光层的发光区域厚度不均一,导致显示面板的显示亮度的均一性较差的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种像素界定层,包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接;
其中,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
可选的,所述第二子界定图案为环状衬底,所述环状衬底嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述环状衬底的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接。
可选的,所述像素界定图案还包括设置在所述第二子界定图案上的凸起结构,所述凸起结构的厚度与所述第二子界定图案的厚度之和小于所述第一子界定图案的厚度。
可选的,所述凸起结构为一体结构,或者,所述凸起结构包括沿所述第二子界定图案的延伸方向阵列排布的多个条形结构。
第二方面,提供了一种像素界定层的制造方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
可选的,所述像素界定图案由感光树脂材料制成,所述在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,包括:
在所述衬底基板上形成像素界定薄膜层;
从所述像素界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述像素界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述像素界定图案。
可选的,所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域,所述第二透光区域为环状区域,所述第一透光区域为所述第二透光区域围成的区域,且所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述遮光区域为所述第二透光区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域,以及与所述第二透光区域对应的第二曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,x>0。
可选的,所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域、第三透光区域和遮光区域,
所述第二透光区域和所述第三透光区域组成一环状区域,所述第一透光区域为所述环状区域围成的区域,所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述第二透光区域的透光度大于所述第三透光区域的透光度,所述遮光区域为所述环状区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域、与所述第二透光区域对应的第二曝光区域以及与所述第三透光区域对应的第三曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,所述第三曝光区域在显影后的厚度为y,y>x>0。
第三方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的如第一方面任一所述的像素界定层。
可选的,所述显示面板还包括:设置在所述衬底基板和所述像素限定层之间的第一电极,以及层叠设置在所述第一电极远离所述衬底基板一侧的发光层和第二电极,
其中,所述发光层的厚度小于所述第一子界定图案的厚度,且所述发光层的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第一电极与所述第二电极的极性不同。
可选的,所述发光层为有机发光层或无机发光层。
第四方面,提供了一种显示面板的制造方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一电极;
在形成有所述第一电极的所述衬底基板上形成像素界定层,其中,所述像素界定层包括矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度;
在形成有所述像素界定层的衬底基板上喷淋溶解有发光材料的墨水,使所述墨水没过所述第二子界定图案,且低于所述第一子界定图案,以形成发光层,所述发光层的发光区域为所述第二子界定图案所围成的区域;
在形成有所述发光层的所述衬底基板上形成第二电极,所述第一电极与所述第二电极的极性不同。
第五方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第三方面任一所述的显示面板。
可选的,所述显示装置还包括薄膜晶体管TFT,所述TFT为顶栅结构或底栅结构。
可选的,所述显示装置为顶发射型结构、底发射型结构或倒置型结构。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明实施例提供的像素界定层、显示面板及其制造方法、显示装置,该显示面板包括由多个像素界定图案组成的像素界定层,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,可以控制墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
附图说明
图1是相关技术中的一种自发光的显示装置的结构示意图;
图2-1是本发明实施例提供的一种像素界定层的结构示意图;
图2-2是图2-1所示的像素界定层中的一个像素界定图案的截面图;
图2-3是本发明实施例提供的另一种像素界定图案的结构示意图;
图2-4是图2-3所示的像素界定图案的一种俯视图;
图2-5是图2-3所示的像素界定图案的另一种俯视图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图5-1是本发明实施例提供的一种形成像素界定图案的方法流程图;
图5-2是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成像素界定薄膜层后的结构示意图;
图5-3是本发明实施例提供的一种采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的示意图;
图5-4是本发明实施例提供的另一种采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的示意图;
图6是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
自发光的显示器(例如QLED显示器和OLED显示器)相对于液晶显示器具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳和轻薄等优点,制造电致发光器件中的膜层的方法主要有真空蒸镀和溶液制程两种。真空蒸镀适用于有机小分子材料的成膜,具有成膜均匀性好和技术相对成熟的优点,已应用于量产中。溶液制程包括旋涂、喷墨打印和喷嘴涂覆法等方法,其中,喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸QLED和OLED实现量产的重要方式。喷墨打印技术需要预先在形成有第一电极的衬底基板上形成像素界定层,以限定喷墨打印的溶液能够精确地流入指定的R/G/B亚像素区。
相关技术中,自发光的显示装置的结构示意图可以如图1所示,像素界定层11在厚度方向上的截面呈“正置”的梯形,由于喷墨打印的溶液与像素界定层11的接触处存在表面能差异、以及像素界定层11的侧面具有一定的倾斜角度,溶液在像素界定层11上会有一定程度的攀爬,导致溶剂干燥后形成的发光层12出现边缘厚中间薄的现象,也即是咖啡环效应,导致发光层的厚度不均一,从而导致显示面板的显示亮度的均一性较差。
本发明实施例提供了一种像素界定层,可以解决相关技术中存在的上述问题,如图2-1所示,该像素界定层20包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案21,每个像素界定图案21包括第一子界定图案211和第二子界定图案212,该第二子界定图案212嵌套设置在第一子界定图案211内,且第二子界定图案212的外边缘与第一子界定图案211的内边缘连接。
可选的,像素界定图案可以为环状结构,则第一子界定图案和第二子界定图案均为环状结构。示例的,如图2-1所示,像素界定图案21可以为方形环状结构,实际应用中,像素界定图案也可以为圆形或椭圆形环状结构,本发明实施例对此不做限定。
图2-2为图2-1所示的像素界定层中的一个像素界定图案的截面图,如图2-2所示,第一子界定图案211的厚度z大于第二子界定图案212的厚度x。
需要说明的是,在形成有如图2-1或图2-2所示的像素界定层的衬底基板上形成发光层时,发光层的厚度大于第二子界定图案的厚度x,且发光层的厚度小于第一子界定图案的厚度z,也即是,发光层高于第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,其中,第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层,包括多个像素界定图案,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,可以控制墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
可选的,如图2-1所示,该第二子界定图案212为环状衬底,该环状衬底嵌套设置在第一子界定图案211内,且环状衬底的外边缘与第一子界定图案211的内边缘连接。
在本发明实施例中,第一子界定图案与第二子界定图案的宽度之和可以与相关技术中像素界定层的宽度相同(例如相关技术中像素界定层的宽度可以为40~60微米),也即是,由第二子界定图案围成的发光层的发光区域与相关技术中发光层所在的区域的面积相同,因此能够在尽量不改变显示面板其他膜层(例如第一电极和第二电极等)的结构的前提下,解决相关技术中显示面板的显示亮度的均一性较差的问题。
进一步的,如图2-3所示,像素界定图案21还可以包括设置在第二子界定图案上212的凸起结构213,该凸起结构213的厚度与第二子界定图案的厚度x之和小于y第一子界定图案的厚度z。
可选的,图2-4和图2-5分别为如图2-3所示的像素界定图案的俯视图,如图2-4所示,该凸起结构213可以为一体结构,例如凸起结构可以为与第二子界定图案212共中心的封闭环状结构;或者,如图2-5所示,该凸起结构213可以包括沿第二子界定图案212的延伸方向阵列排布的多个条形结构a,该多个条形结构a可以组成非封闭的环状结构。
其中,该凸起结构可以用于在形成发光层的过程中,标识喷墨打印时所喷淋的墨水的深度,例如可以设置凸起结构的厚度与第二子界定图案的厚度之和为发光层的厚度,则当墨水没过该凸起结构时,可以停止喷淋墨水。
可选的,像素界定图案可以由感光树脂材料制成。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层,包括多个像素界定图案,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,可以控制墨水没过第二子界定图案且低于第一子界定图案,使得最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,由于中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板可以包括:衬底基板和设置在衬底基板上的像素界定层,该像素界定层可以为如图2-1至图2-5任一所示的像素界定层。
示例的,如图3所示,显示面板包括衬底基板30和设置在衬底基板30上的如图2-2所示的像素界定层。
进一步的,该显示面板还可以包括:设置在衬底基板30和像素限定层20之间的第一电极40,以及层叠设置在第一电极40远离衬底基板30一侧的发光层50和第二电极60,其中,如图3所示,发光层50的厚度小于第一子界定图案211的厚度,且发光层50的厚度大于第二子界定图案212的厚度,发光层50的发光区域为第二子界定图案212围成的区域。
需要说明的是,第一电极与第二电极的极性不同,当第一电极为阳极时,第二电极为阴极;当第一电极为阴极时,第二电极为阳极。
可选的,第一电极可以包括多个阵列间隔排布的子电极,第二电极可以为一体结构,或者,第一电极可以为一体结构,第二电极包括多个阵列间隔排布的子电极,或者,第一电极和第二电极均包括多个阵列间隔排布的子电极,本发明实施例对此不做限定。
可选的,发光层可以为有机发光层或无机发光层。发光层(也即是电致发光(英文:Electroluminescence;简称:EL)层)可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。当该发光层为有机发光层时,发光材料层为有机发光材料层;当该发光层为无机发光层时,发光材料层为无机发光材料层。例如,该无机发光材料层可以为掺杂有量子点(英文:Quantum Dot;简称:QD)材料的膜层,一方面,QD材料在入射光的激发下可以散射式发光,可以使显示面板的显示亮度较为均匀;另一方面,QD材料可以发射不同颜色的荧光,无需贴附彩色滤光片,简化了制造工艺。
示例的,本发明实施例提供的显示面板可以为OLED显示面板或QLED显示面板。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板,包括由多个像素界定图案组成的像素界定层,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
本发明实施例提供了一种显示装置,该显示装置可以包括如图3所示的显示面板。
进一步的,如图4所示,该显示装置还可以包括薄膜晶体管(英文:Thin FilmTransistor;简称:TFT)70,该TFT70为顶栅结构,在本发明实施例中TFT也可以为底栅结构,本发明实施例对此不做限定。其中,TFT用于为第一电极加载电压。
可选的,本发明实施例提供的显示装置可以为顶发射型结构、底发射型结构或倒置型结构。该显示装置可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。示例地,该显示面板可以为OLED显示装置或QLED显示装置。
综上所述,本发明实施例提供的显示装置,包括由多个像素界定图案组成的像素界定层,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
本发明实施例提供了一种像素界定层的制造方法,该方法可以包括:
提供一衬底基板;在衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;其中,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,第二子界定图案嵌套设置在第一子界定图案内,且第二子界定图案的外边缘与第一子界定图案的内边缘连接,第一子界定图案的厚度大于第二子界定图案的厚度,第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
可选的,像素界定图案可以由感光树脂材料制成,采用感光树脂材料一方面使制成的像素界定图案可以起到绝缘的作用,另一方面在像素界定图案的制造过程中只需曝光显影,简化了制造工艺。
相应的,在衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案的具体过程,如图5-1所示,可以包括:
步骤501、在衬底基板上形成像素界定薄膜层。
可选的,可以在形成衬底基板上涂覆一层具有一定厚度的感光树脂材料,得到像素界定薄膜层。
示例的,参见图5-2,其示出了本发明实施例提供的一种在衬底基板30上形成像素界定薄膜层A后的结构示意图。
需要说明的是,参见图5-2至图5-4,在形成像素界定图案之前,衬底基板30上形成有第一电极40。
步骤502、从像素界定薄膜层远离衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光。
可选的,像素界定图案可以有多种结构,本发明实施例以如图2-2和图2-3所示的像素界定图案为例进行说明,相应的,形成如图2-2所示的像素界定图案所采用的半色调掩膜版的结构和形成如图2-3所示的像素界定图案所采用的半色调掩膜版的结构不同。
示例的,在本发明实施例中,以形成像素界定薄膜层的感光树脂材料为正性光刻胶为例进行说明。
一方面,采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的示意图(对应如图2-2所示的像素界定图案)可以如图5-3所示,半色调掩膜版Y1可以包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域,该第二透光区域为环状区域,第一透光区域为第二透光区域围成的区域,其中,半色调掩膜版灰度的深浅表示透光度的大小,且灰度越深表明透光度越大,也即是,半色调掩膜版灰度的深浅对应其在像素界定薄膜层上正投影所覆盖的像素界定薄膜层部分需要被曝光的强弱程度,其灰度越深表明子界定薄膜层部分需要被曝光的程度越强,参见图5-3,第一透光区域的透光度大于第二透光区域的透光度,遮光区域为第二透光区域外围的区域。
相应的,采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的过程可以包括:
通过半色调掩膜版的透光区域对像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与第一透光区域对应的第一曝光区域,以及与第二透光区域对应的第二曝光区域。其中,所述第一曝光区域(对应用于形成发光层的发光区域的区域)在显影后的厚度为0,第二曝光区域(对应第二子界定图案)在显影后的厚度为x,x>0,另外,遮光区域对应第一子界定图案。
另一方面,采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的示意图(对应如图2-3所示的像素界定图案)可以如图5-4所示,半色调掩膜版Y2包括第一透光区域、第二透光区域、第三透光区域和遮光区域,第二透光区域和第三透光区域组成一环状区域,第一透光区域为环状区域围成的区域,其中,半色调掩膜版灰度的深浅表示透光度的大小,且灰度越深表明透光度越大,也即是,半色调掩膜版灰度的深浅对应其在像素界定薄膜层上正投影所覆盖的像素界定薄膜层部分需要被曝光的强弱程度,其灰度越深表明子界定薄膜层部分需要被曝光的程度越强,参见图5-4,第一透光区域的透光度大于第二透光区域的透光度,第二透光区域的透光度大于第三透光区域的透光度,遮光区域为环状区域外围的区域。
相应的,采用半色调掩膜版对像素界定薄膜层进行曝光的过程可以包括:
通过半色调掩膜版的透光区域对像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与第一透光区域对应的第一曝光区域、与第二透光区域对应的第二曝光区域以及与第三透光区域对应的第三曝光区域。其中,第一曝光区域(对应用于形成发光层的发光区域的区域)在显影后的厚度为0,第二曝光区域(对应第二子界定图案)在显影后的厚度为x,第三曝光区域(对应凸起结构)在显影后的厚度为y,y>x>0,另外,遮光区域对应第一子界定图案。
步骤503、对曝光后的像素界定薄膜层进行显影。
对包括有多个不同曝光程度的区域的像素界定薄膜层进行显影,能够去除第一曝光区域的感光树脂材料,保留部分曝光区域(第二曝光区域,或,第二曝光区域和第三曝光区域)和遮光区域的感光树脂材料,经过显影处理后能够得到具有预设形状的像素界定图案,例如采用半色调掩膜版Y1曝光后的像素界定薄膜层经过显影处理后能够得到图2-2所示的像素界定图案,采用半色调掩膜版Y2曝光后的像素界定薄膜层经过显影处理后能够得到图2-3所示的像素界定图案。
步骤504、对显影后的像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到像素界定图案。
需要说明的是,本发明实施例提供的像素界定层的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整,步骤也可以根据情况进行相应增减,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化的方法,都应涵盖在本发明的保护范围之内,因此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层的制造方法,制造的像素界定层包括多个像素界定图案,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,可以控制墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法,如图6所示,该方法可以包括:
步骤601、提供一衬底基板。
衬底基本可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。
步骤602、在衬底基板上形成第一电极。
步骤603、在形成有第一电极的衬底基板上形成像素界定层。
其中,该像素界定层包括矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,第二子界定图案嵌套设置在第一子界定图案内,且第二子界定图案的外边缘与第一子界定图案的内边缘连接,第一子界定图案的厚度大于第二子界定图案的厚度。
步骤604、在形成有像素界定层的衬底基板上喷淋溶解有发光材料的墨水,使墨水没过第二子界定图案,且低于第一子界定图案,以形成发光层。
其中,发光层的发光区域为第二子界定图案所围成的区域。
步骤605、在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极。
第一电极与第二电极的极性不同,当第一电极为阳极时,第二电极为阴极;当第一电极为阴极时,第二电极为阳极。
可选的,第一电极可以包括多个阵列间隔排布的子电极,第二电极可以为一体结构,或者,第一电极可以为一体结构,第二电极包括多个阵列间隔排布的子电极,或者,第一电极和第二电极均包括多个阵列间隔排布的子电极,本发明实施例对此不做限定。
示例的,采用该显示面板的制造方法制造的显示面板的结构可以如图3所示。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板的制造方法,该显示面板包括由多个像素界定图案组成的像素界定层,每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,且第二子界定图案的厚度小于第一子界定图案的厚度,在进行喷墨打印时,墨水没过第二子界定图案的最高点且低于第一子界定图案的最高点,使得爬坡现象出现在第一子界定图案的侧壁上,此时第二子像素界定图案围成的中间区域的液面会相对保持齐平,由于最终形成的发光层的发光区域为第二子界定图案围成的中间区域,且中间区域的厚度均一性较高,因此,发光层的发光区域的厚度的均一性较高,从而可以保证显示面板的显示亮度的均一性。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述方法实施例中的过程,可以参考前述装置实施例中各个结构的具体工作过程,在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种像素界定层的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域;
所述像素界定图案由感光树脂材料制成,在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,包括:
在所述衬底基板上形成像素界定薄膜层;
从所述像素界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述像素界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述像素界定图案;
所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域,所述第二透光区域为环状区域,所述第一透光区域为所述第二透光区域围成的区域,且所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述遮光区域为所述第二透光区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域,以及与所述第二透光区域对应的第二曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,x>0。
2.一种像素界定层的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域;
所述像素界定图案由感光树脂材料制成,在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,包括:
在所述衬底基板上形成像素界定薄膜层;
从所述像素界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述像素界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述像素界定图案;
所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域、第三透光区域和遮光区域,
所述第二透光区域和所述第三透光区域组成一环状区域,所述第一透光区域为所述环状区域围成的区域,所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述第二透光区域的透光度大于所述第三透光区域的透光度,所述遮光区域为所述环状区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域、与所述第二透光区域对应的第二曝光区域以及与所述第三透光区域对应的第三曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,所述第三曝光区域在显影后的厚度为y,y>x>0。
3.一种像素界定层,其特征在于,所述像素界定层由权利要求1所述的像素界定层的制造方法制造而成,所述像素界定层包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接;
其中,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
4.根据权利要求3所述的像素界定层,其特征在于,所述第二子界定图案为环状结构,所述环状结构嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述环状结构的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接。
5.一种像素界定层,其特征在于,所述像素界定层由权利要求2所述的像素界定层的制造方法制造而成,所述像素界定层包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接;
其中,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域;
所述像素界定图案还包括设置在所述第二子界定图案上的凸起结构,所述凸起结构的厚度与所述第二子界定图案的厚度之和小于所述第一子界定图案的厚度。
6.根据权利要求5所述的像素界定层,其特征在于,
所述凸起结构为一体结构,或者,所述凸起结构包括沿所述第二子界定图案的延伸方向阵列排布的多个条形结构。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的如权利要求3至6任一所述的像素界定层。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:设置在所述衬底基板和所述像素限定层之间的第一电极,以及层叠设置在所述第一电极远离所述衬底基板一侧的发光层和第二电极,
其中,所述发光层的厚度小于所述第一子界定图案的厚度,且所述发光层的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第一电极与所述第二电极的极性不同。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述发光层为有机发光层或无机发光层。
10.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一电极;
在形成有所述第一电极的所述衬底基板上形成像素界定层,其中,所述像素界定层是由权利要求1或2所述的像素界定层的制造方法制造而成;
在形成有所述像素界定层的衬底基板上喷淋溶解有发光材料的墨水,使所述墨水没过所述第二子界定图案,且低于所述第一子界定图案,以形成发光层,所述发光层的发光区域为所述第二子界定图案所围成的区域;
在形成有所述发光层的所述衬底基板上形成第二电极,所述第一电极与所述第二电极的极性不同。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:权利要求7至9任一所述的显示面板。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括薄膜晶体管TFT,所述TFT为顶栅结构或底栅结构。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为顶发射型结构、底发射型结构或倒置型结构。
CN201710761649.9A 2017-08-30 2017-08-30 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置 Active CN107393939B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710761649.9A CN107393939B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
US16/329,401 US10886343B2 (en) 2017-08-30 2018-04-23 Pixel defining layer and method for manufacturing the same, display panel and method for manufacturing the same, and display device
PCT/CN2018/084051 WO2019041836A1 (zh) 2017-08-30 2018-04-23 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710761649.9A CN107393939B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107393939A CN107393939A (zh) 2017-11-24
CN107393939B true CN107393939B (zh) 2020-04-17

Family

ID=60348013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710761649.9A Active CN107393939B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10886343B2 (zh)
CN (1) CN107393939B (zh)
WO (1) WO2019041836A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
CN108305891A (zh) * 2018-02-12 2018-07-20 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN110265428B (zh) 2018-03-12 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN108400153B (zh) * 2018-04-03 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及其制备方法、显示装置
CN109065574B (zh) * 2018-07-24 2021-01-26 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN108922912B (zh) * 2018-08-01 2021-04-23 京东方科技集团股份有限公司 用于有机发光显示装置的基板、显示面板、显示装置
CN109148533B (zh) * 2018-08-21 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
CN109136834B (zh) * 2018-09-07 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版、oled显示基板及其制备方法
CN109860243A (zh) * 2019-01-09 2019-06-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及具有其的显示装置
CN109708912B (zh) * 2019-02-19 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种墨滴落点测试装置及其制备方法
CN109950296B (zh) * 2019-04-10 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN110335889A (zh) * 2019-07-01 2019-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110459696B (zh) * 2019-08-21 2022-04-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN110459690B (zh) * 2019-08-21 2022-06-10 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置、喷墨打印的方法
KR20210052729A (ko) * 2019-10-30 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110993646B (zh) * 2019-11-08 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制备方法及oled背板
CN111554723B (zh) * 2020-05-18 2023-05-26 京东方科技集团股份有限公司 像素结构和显示面板
CN112420942A (zh) * 2020-11-06 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜板、有机显示器件及其制备方法
CN115528063A (zh) * 2021-06-24 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113745292B (zh) * 2021-08-27 2023-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板、其制造方法、以及量子点显示装置
CN113937142A (zh) * 2021-10-14 2022-01-14 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023206205A1 (zh) * 2022-04-28 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222776A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置製造用基板、並びに電子機器
CN104409647A (zh) * 2014-11-14 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置
CN105118845A (zh) * 2015-07-23 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及制备方法、显示面板、显示装置
CN107046048A (zh) * 2016-09-30 2017-08-15 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层及其制备方法和应用
CN207116433U (zh) * 2017-08-30 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示面板及显示装置

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4066661B2 (ja) * 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置
JP3966283B2 (ja) * 2003-01-28 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4876415B2 (ja) * 2005-03-29 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、デバイスの製造方法
JP4483757B2 (ja) * 2005-09-30 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び光学装置
JP4251329B2 (ja) * 2005-12-20 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4251331B2 (ja) * 2005-12-27 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
US7868542B2 (en) * 2007-02-09 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus having periodic structure and sandwiched optical waveguide
JP2008300612A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corp 表示装置及びその製造方法
KR100833772B1 (ko) * 2007-06-20 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN101689559B (zh) * 2008-06-06 2011-12-28 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示屏及其制造方法
KR100964229B1 (ko) * 2008-08-19 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100971751B1 (ko) 2008-10-23 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
WO2010092796A1 (ja) * 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法
JP5595274B2 (ja) * 2009-11-11 2014-09-24 パナソニック株式会社 有機el素子、およびその製造方法
KR101084193B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101871227B1 (ko) * 2011-08-12 2018-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101997122B1 (ko) * 2012-07-27 2019-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101955621B1 (ko) * 2012-09-21 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
US9614191B2 (en) * 2013-01-17 2017-04-04 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods
KR102084400B1 (ko) * 2013-08-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광장치 및 그 제조방법
KR102131963B1 (ko) * 2013-10-15 2020-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150141338A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6405560B2 (ja) * 2014-06-12 2018-10-17 株式会社Joled 表示パネルの製造方法
KR102365911B1 (ko) * 2014-10-17 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102646658B1 (ko) * 2015-06-30 2024-03-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그 제조방법
KR102430575B1 (ko) * 2015-08-26 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6514999B2 (ja) * 2015-09-15 2019-05-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017091802A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Joled 有機el表示パネル、および、有機el表示パネルの製造方法
KR102516054B1 (ko) * 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
KR102628849B1 (ko) * 2016-03-24 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102702122B1 (ko) * 2016-07-29 2024-09-02 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102603867B1 (ko) * 2016-08-01 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102722245B1 (ko) * 2016-10-14 2024-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108074950B (zh) * 2016-11-11 2021-11-23 乐金显示有限公司 电致发光显示设备及其制造方法
KR102648132B1 (ko) * 2016-12-26 2024-03-15 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN108539035B (zh) * 2017-03-01 2020-05-05 群创光电股份有限公司 显示设备
CN108807670B (zh) * 2017-05-03 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜的制备方法、阵列基板的制备方法及显示面板
JP2019008962A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 株式会社Joled 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
CN108054184B (zh) * 2017-12-11 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制备方法、显示装置
US20190206963A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
KR102650273B1 (ko) * 2018-07-31 2024-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102664769B1 (ko) * 2018-08-20 2024-05-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102704562B1 (ko) * 2018-12-13 2024-09-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20200075607A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102613734B1 (ko) * 2018-12-24 2023-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222776A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置製造用基板、並びに電子機器
CN104409647A (zh) * 2014-11-14 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置
CN105118845A (zh) * 2015-07-23 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及制备方法、显示面板、显示装置
CN107046048A (zh) * 2016-09-30 2017-08-15 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层及其制备方法和应用
CN207116433U (zh) * 2017-08-30 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107393939A (zh) 2017-11-24
US20200161391A1 (en) 2020-05-21
WO2019041836A1 (zh) 2019-03-07
US10886343B2 (en) 2021-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107393939B (zh) 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
US11114514B2 (en) Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device
US10957751B2 (en) Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display substrate, display panel
KR100508002B1 (ko) 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법
CN107591432B (zh) 像素界定层、显示基板及制造方法、显示装置
CN107887423B (zh) 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN109616500B (zh) 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
CN108538886B (zh) 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置
KR101325577B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US10497764B2 (en) Substrate, method of preparing the same, and display device
WO2016019643A1 (zh) 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107623022B (zh) 像素界定层及其制备方法、显示基板及其制备方法、显示装置
CN107819017B (zh) 像素界定结构、显示基板及其制作方法和显示装置
US11127798B2 (en) Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate, and display panel
CN109509782B (zh) 像素界定层及其制造方法、自发光显示面板、显示装置
CN108565352B (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
JP2019515411A (ja) 表示基板および表示基板の製造方法
CN111785760B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
WO2020224010A1 (zh) Oled 显示面板及其制备方法
CN109119437A (zh) 像素界定层及制造方法、显示基板及制造方法、显示面板
CN111584601A (zh) 显示用基板及其制备方法、显示装置
CN111863908A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN108400153B (zh) 一种oled基板及其制备方法、显示装置
CN110993646A (zh) Oled背板的制备方法及oled背板
CN207116433U (zh) 像素界定层、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant