[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2020144045A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur Download PDF

Info

Publication number
WO2020144045A1
WO2020144045A1 PCT/EP2019/086449 EP2019086449W WO2020144045A1 WO 2020144045 A1 WO2020144045 A1 WO 2020144045A1 EP 2019086449 W EP2019086449 W EP 2019086449W WO 2020144045 A1 WO2020144045 A1 WO 2020144045A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
semiconductor
conductive material
optoelectronic semiconductor
semiconductor component
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/086449
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jens Ebbecke
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US17/421,735 priority Critical patent/US20220093821A1/en
Priority to DE112019006623.4T priority patent/DE112019006623A5/de
Publication of WO2020144045A1 publication Critical patent/WO2020144045A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • a light emitting diode is a light-emitting device that is based on semiconductor materials.
  • An LED usually comprises differently doped semiconductor layers and an active zone. When electrons and holes recombine with each other in the area of the active zone, for example because a corresponding voltage is applied, electromagnetic radiation is generated.
  • the present invention has for its object to provide an improved optoelectronic semiconductor component.
  • An optoelectronic semiconductor component is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body and a reflective grating structure which is connected to a first main surface. surface of the semiconductor body adjoins.
  • the reflective grating structure is made up of periodically arranged layer regions in the horizontal direction. The first main surface is different from an exit surface of the electromagnetic radiation.
  • the lattice structure is realized by a conductive layer in direct contact with the first main surface of the semiconductor body.
  • the conductive layer is periodically structured in the horizontal direction.
  • the conductive layer comprises a first partial layer made of a first conductive material and a second partial layer made of a second conductive material.
  • the first conductive material has a different refractive index than the second conductive material.
  • the first conductive material is periodically structured, and the second conductive material is arranged in spaces between regions of the first conductive material.
  • the second conductive material can in particular be filled into the spaces between the structured areas of the first conductive material.
  • the second conductive material has a smaller refractive index than the first.
  • a difference in the refractive index of the first conductive material and the second conductive material may, for example, be greater than 1.0.
  • the first conductive material can be a transparent metal oxide.
  • the second conductive material can be silver.
  • the first main surface of the semiconductor body can be structured periodically.
  • the Conductive layer is arranged between structured semiconductor areas of the semiconductor body.
  • the semiconductor body can have a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type and an active zone.
  • the active zone can be arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and the first semiconductor layer, the active zone and the second semiconductor layer form a layer stack.
  • a first main surface of the first semiconductor layer is the first main surface of the semiconductor body.
  • the first semiconductor layer can be p-conductive.
  • the lattice structure is linear in the horizontal direction. According to further embodiments, the lattice structure can be circular and concentric in the horizontal direction. According to further embodiments, the lattice structure can be rectangular and concentric in the horizontal direction.
  • FIG. 1A shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • FIG. 1B shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • FIGS. 2A to 2C each show examples of views of a first main surface of the optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • Wafer or “semiconductor substrate” used in the following description may include any semiconductor-based structure that has a semiconductor surface. Wafers and structures are to be understood to include doped and undoped semiconductors, epitaxial semiconductor layers, optionally supported by a base, and other semiconductor structures. For example, a layer of a first semiconductor material can be grown on a growth substrate made of a second semiconductor material or of an insulating material, for example on a sapphire substrate. Other examples of materials for growth substrates include glass, silicon dioxide, quartz or a ceramic.
  • the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • suitable semiconductor materials include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultra violet, blue or longer-wave light can be generated, such as, for example, GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, Al-GalnBN, phosphide semiconductor compounds , for example, green or long-wave light can be generated, such as GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, as well as other semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga 2Ü3 , diamond, hexagonal BN and combinations of the materials mentioned.
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • Other examples of semiconductor materials can include silicon, silicon germanium and germanium. In the context of the present Description includes the term "
  • substrate generally encompasses insulating, conductive or semiconductor substrates.
  • lateral and horizontal are intended to describe an orientation or alignment that is essentially parallel to a first surface of a substrate or semiconductor body. This can be the surface of a wafer or a chip (die), for example.
  • the horizontal direction can lie, for example, in a plane perpendicular to a growth direction when layers are grown.
  • vertical is intended to describe an orientation which is essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, correspond to a growth direction when layers are grown.
  • the terms “have”, “contain”, “comprise”, “have” and the like are open terms which indicate the presence of the said elements or features, the presence of further elements or features but do not rule it out. Unidentified articles and certain articles include both the plural and the singular, unless the context clearly indicates otherwise.
  • the term “electrically connected” means a low-resistance electrical connection between the connected elements. The electrically connected elements do not necessarily have to be connected directly to one another. Further elements can be arranged between electrically connected elements.
  • electrically connected also includes tunnel contacts between the connected elements.
  • FIG. 1A shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 has a semiconductor body 108.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 also has a reflective grating structure 112 adjacent to a first main surface 109 of the semiconductor body 108.
  • the reflective grating structure 122 is constructed from layer regions arranged periodically in the horizontal direction.
  • the first main surface 109 of the semiconductor body 108 is different from an exit surface 121 of the electromagnetic radiation 15.
  • emitted electromagnetic radiation 15 can be emitted via an underside of the optoelectronic semiconductor component 10 and also via side surfaces.
  • One of the exit surfaces of the electromagnetic radiation is, for example, the second main surface 121 of the semiconductor body 108. Accordingly, the first main surface 109 is different from an exit surface of the electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor component furthermore has a conductive layer 123 in direct contact with the semiconductor body 108.
  • the conductive Layer 123 can be reflective or absorbent.
  • the conductive layer 123 is periodically structured in the horizontal direction.
  • a plurality of regions 122 of the conductive layer 123 are arranged in accordance with an arrangement pattern that extends, for example, perpendicular to the first main surface 109 of the semiconductor body 108.
  • the regions 122 of the conductive layer 123 are arranged in accordance with a constant lattice period. That is, a lateral expansion of the areas
  • the optoelectronic semiconductor component can represent, for example, a light-emitting diode (LED).
  • the electromagnetic radiation can be emitted by spontaneous emission.
  • a period d i.e. correspond to a grid width of the periodic structure in the range of an order of magnitude of half a wavelength of the emitted electromagnetic radiation in the corresponding medium.
  • order of magnitude denotes the following relationship: 0.1 ⁇ l / 2h ⁇ d ⁇ 10 ⁇ l / 2h.
  • d gives the sum of the distance and the lateral width of the regions 122 of the conductive layer
  • the period of the reflective grating structure can be less than 500 nm.
  • the period of the reflecting grating structure can also be less than 250 nm or less than 100 nm.
  • the periodic structure can have more than 100 individual structures.
  • the reflective grating structure can, for example, represent a lateral DBR mirror ("distributed bragg reflector").
  • the DBR mirror can be formed by a horizontally arranged sequence of regions with different refractive indices in each case.
  • the layers can alternately have a high refractive index ( n> 1.7) and a low refractive index (n ⁇ 1.7) and be designed as a Bragg reflector.
  • the period of the grating of the conductive layer 123 is dimensioned as described above, it is possible to provide the optoelectronic semiconductor component with a particularly distinct resonator mode. As a result, the non-radiative recombination can be reduced, for example.
  • spontaneous emission can be viewed as an emission that is stimulated by quantum mechanical vacuum fluctuations. Due to the Heisenberg 'see uncertainty principle, magnetic and electric fields cannot be determined arbitrarily precisely at one location. This leads to fluctuation of the electromagnetic field (also in a vacuum). In a free space, this fluctuation can have any direction and energy. It therefore takes a few nanoseconds before an optical mode generated in this way is stimulated with the excited electron and hole state in the resonance device and the emission of a photon is stimulated in this mode. This is also known as spontaneous emission. However, if there is an optical resonator in the room, the vacuum fluctuations mainly produce optical modes that are resonant with the resonator. That is why the spontaneous lifespan in lasers is also significantly reduced.
  • the semiconductor body 108 can contain a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, for example p-type.
  • the semiconductor body can furthermore have a second semiconductor layer 120 of a second conductivity type, for example n-type.
  • An active zone 115 can be arranged between the first and second semiconductor layers 110, 120.
  • a layer thickness of the first semiconductor layer 110 can be dimensioned such that an optical mode is formed in a simple manner between the first main surface of the semiconductor body and the active zone.
  • the optical mode can be resonant with the optical resonator in the vertical direction.
  • the layer thickness of the first semiconductor layer can correspond to an integer multiple of half the wavelength in the first semiconductor layer.
  • the active zone can have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single-quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multi-tach quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • Quantum well structure has no significance with regard to the dimensionality of quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots as well as any combination of these layers.
  • the first semiconductor layer 110, the active zone 115 and the second semiconductor layer 120 form, for example, a semiconductor layer stack.
  • a first main surface of the first semiconductor layer 110 is the first main surface 109 of the semiconductor body 108.
  • the semiconductor body 108 can be structured to form a mesa.
  • an angle of the mesa side faces can be set such that a desired radiation characteristic of the optoelectronic semiconductor component results.
  • the first and second semiconductor layers 110, 120 can be based on the (In) GaN material system.
  • the conductive layer 123 comprises a first partial layer 124 made of a first conductive material and a second partial layer 125 made of a second conductive material.
  • the first conductive material can have a different refractive index than the second conductive material.
  • a refractive index of the material of the first conductive sublayer 124 can be greater than the refractive index of the material of the second conductive sublayer 125.
  • the first conductive material can be periodically structured over a planar first main surface 109 of the semiconductor body 108.
  • the first Conductive material is a transparent metal oxide, for example ITO (indium tin oxide).
  • a layer thickness of the first conductive sublayer 124 can be, for example, 50 to 150 nm.
  • a layer thickness of the first conductive sub-layer 124 can be approximately half the layer thickness of the second conductive sub-layer 125.
  • the second conductive sub-layer 125 can have a high reflectivity.
  • the material of the second conductive sub-layer 125 can be silver or another highly reflective material. The presence of the first conductive sublayer 124 can improve the electrical contact with the second conductive sublayer 125.
  • the first conductive sublayer 124 can be structured with a period of 1/2 h, where n is the refractive index of the material of the first conductive sublayer 124.
  • the first order period of this structure can be of the order of 100 nm.
  • the first conductive sublayer 124 can be structured, for example, using a lithography method such as, for example, electron beam lithography, nanoimprint method or laser interference exposure.
  • higher order grids can also be processed. I.e. the period corresponds to an integer multiple of half the wavelength in the corresponding medium. As a result, the spontaneous emission rate of the LED can be significantly increased, which increases the overall efficiency.
  • the second conductive sub-layer 125 is designed such that it fills interstices 127 between adjacent regions of the first conductive sub-layer 124.
  • the conductive layer 123 also provides a first contact element 105 for electrically contacting the first semiconductor layer 110
  • a second contact element 107 for contacting the two th conductive semiconductor layer 120 can be arranged, for example, adjacent to a second main surface 121 of the semiconductor body 108.
  • the optoelectronic semiconductor component can be operated by applying a forward voltage between the first and the second contact element 105, 107.
  • the semiconductor body 108 can be formed, for example, over a transparent substrate 100. Examples of a material of the substrate 100 include, for example, sapphire. However, other materials can of course also be used.
  • FIG. 1B shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 shown in FIG. 1B has a structure similar to that shown in FIG. 1A. In a departure from this, however, a first main surface 109 of the semiconductor body 108 is periodically structured. More specifically, a plurality of protruding semiconductor regions 106 are formed in a periodic arrangement.
  • the conductive layer 123 is designed such that it fills gaps between adjacent protruding regions 106.
  • a lattice constant of the periodic pattern of the structured first main surface 109 of the semiconductor body 108 can be selected in a manner similar to that described with reference to FIG. 1A.
  • the conductive layer 123 according to FIG. 1B can be a silver layer.
  • a layer thickness of the silver layer can be approximately 300 nm.
  • the lateral periodic structure can be realized in that thin layers with different refractive indices are formed laterally adjacent.
  • these layers can be, for example, sections of conductive sub-layers, the conductive sub-layers forming the conductive layer 123 or the first contact element 105.
  • the layers can be sections of semiconductor material 110 and a conductive layer 123. Further modifications can be made.
  • an insulating material over the first semiconductor layer 110 can also be periodically structured laterally, and the spaces between the insulating material are filled with conductive material.
  • FIG. 2A shows a plan view of a first main surface 11 of the optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • the periodic structures or the lattice structure 112 can be linear. More precisely, for example, the first partial layer 124 or the first main surface 109 of the semiconductor body 108 is structured to form a large number of parallel webs. The material of the conductive layer 123 or the second sub-layer 125 is arranged between parallel webs. With such an arrangement of the lattice structure, the light can be emitted predominantly in two directions.
  • FIGS. 2B and 2C illustrate embodiments in which the lattice structure 112 each form a concentric structure around the center of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 as shown in FIG. 2B, be square.
  • the lattice structure 112 is in the form of rectangles which are arranged concentrically around the center of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component can be circular, for example.
  • the lattice structure 112 can be designed in the form of concentric circles. If the grating structure 112 is arranged as shown in FIGS. 2B and 2C, for example electromagnetic radiation can be emitted in all directions parallel to the surface.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(10)ist geeignet, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) weist einen Halbleiterkörper (108) und eine reflektierende Gitterstruktur (112), die an eine erste Hauptoberfläche (109) des Halbleiterkörpers (108) angrenzt, auf. Die reflektierende Gitterstruktur (112) ist aus in horizontaler Richtung periodisch angeordneten Schichtbereichen (122, 124, 106) aufgebaut. Die erste Hauptoberfläche (109) ist von einer Austrittsfläche der elektromagnetischen Strahlung (15) verschieden.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLE I TERBAUELEMENT MI T REFLEKTIERENDER
GI TTERSTRUKTUR
BESCHREIBUNG
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 100 548.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine Leuchtdiode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Üblicherweise umfasst eine LED unterschiedlich dotierte Halbleiterschichten sowie eine aktive Zone. Wenn Elektronen und Löcher miteinander im Bereich der aktiven Zone rekombinieren, beispielsweise, weil eine entsprechende Spannung angelegt wird, wird elektromagne tische Strahlung erzeugt.
Generell wird nach Konzepten gesucht, mit denen man die Effi zienz von Leuchtdioden erhöhen kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes optoelektronisches Halbleiterbauelement zur Ver fügung zu stellen.
Gemäß Ausführungsformen wird die Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiter entwicklungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
Zusammenfassung
Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement ist geeignet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Das optoelektroni sche Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper und ei ne reflektierende Gitterstruktur, die an eine erste Hauptober- fläche des Halbleiterkörpers angrenzt, auf. Die reflektierende Gitterstruktur ist aus in horizontaler Richtung periodisch an geordneten Schichtbereichen aufgebaut. Die erste Hauptoberflä che ist von einer Austrittsfläche der elektromagnetischen Strahlung verschieden.
Beispielsweise ist die Gitterstruktur durch eine leitfähige Schicht in direktem Kontakt mit der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers realisiert. Dabei ist die leitfähige Schicht in horizontaler Richtung periodisch strukturiert.
Gemäß Ausführungsformen umfasst die leitfähige Schicht eine erste Teilschicht aus einem ersten leitfähigen Material und eine zweite Teilschicht aus einem zweiten leitfähigen Materi al. Dabei hat das erste leitfähige Material einen anderen Bre chungsindex als das zweite leitfähige Material.
Beispielsweise ist das erste leitfähige Material periodisch strukturiert ausgebildet, und das zweite leitfähige Material ist in Zwischenräumen zwischen Bereichen des ersten leitfähi gen Materials angeordnet. Das zweite leitfähige Material kann insbesondere in die Zwischenräume zwischen den strukturierten Bereichen des ersten leitfähigen Materials eingefüllt sein. Beispielsweise hat das zweite leitfähige Material einen klei neren Brechungsindex als das erste.
Ein Unterschied des Brechungsindex des ersten leitfähigen Ma terials und des zweiten leitfähigen Materials kann beispiels weise größer als 1,0 sein. Das erste leitfähige Material kann ein transparentes Metalloxid sein. Das zweite leitfähige Mate rial kann Silber sein.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die erste Hauptoberflä che des Halbleiterkörpers periodisch strukturiert sein. Die leitfähige Schicht ist zwischen strukturierten Halbleiterbe reichen des Halbleiterkörpers angeordnet.
Beispielsweise kann der Halbleiterkörper eine erste Halb leiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sowie eine aktive Zone aufweisen. Dabei kann die aktive Zone zwi schen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiter schicht angeordnet sein, und die erste Halbleiterschicht, die aktive Zone und die zweite Halbleiterschicht bilden einen Schichtstapel .
Beispielsweise ist eine erste Hauptoberfläche der ersten Halb leiterschicht die erste Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers. Die erste Halbleiterschicht kann p-leitend sein.
Gemäß Ausführungsformen verläuft die Gitterstruktur in hori zontaler Richtung linear. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Gitterstruktur in horizontaler Richtung kreisförmig und konzentrisch verlaufen. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Gitterstruktur in horizontaler Richtung rechteckför mig und konzentrisch verlaufen.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau lichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen de Elemente und Strukturen.
Figur 1A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsfor men .
Figur 1B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Aus führungsformen .
Figuren 2A bis 2C zeigen jeweils Beispiele auf Ansichten einer ersten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbau elements gemäß Ausführungsformen .
Detailbeschreibung
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die Begriffe "Wafer" oder "Halbleitersubstrat", die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können jegliche auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halb leiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Halbleiterschichten, gegebenenfalls getragen durch eine Basis unterlage, und weitere Halbleiterstrukturen einschließen. Bei spielsweise kann eine Schicht aus einem ersten Halbleitermate rial auf einem Wachstumssubstrat aus einem zweiten Halbleiter material oder aus einem isolierenden Material, beispielsweise auf einem Saphirsubstrat, gewachsen sein. Weitere Beispiele für Materialien von Wachstumssubstraten umfassen Glas, Silizi umdioxid, Quarz oder eine Keramik.
Je nach Verwendungszweck kann der Halbleiter auf einem direk ten oder einem indirekten Halbleitermaterial basieren. Bei spiele für zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung beson ders geeignete Halbleitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultra violettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, Al- GalnBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispiels weise grünes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halbleitermaterialien wie GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga2Ü3, Diamant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materialien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalbleitermaterialien kann variieren. Weitere Bei spiele für Halbleitermaterialien können Silizium, Silizium- Germanium und Germanium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleitermaterialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate.
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei nes Chips (Die) sein.
Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten liegen.
Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt. Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff „elektrisch verbunden" eine niederohmige elektrische Verbin dung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch ver bundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt mitei nander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein.
Der Begriff „elektrisch verbunden" umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen.
Figur 1A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsfor men. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 weist einen Halbleiterkörper 108 auf. Das optoelektronische Halbleiterbau element 10 weist ferner eine reflektierende Gitterstruktur 112 angrenzend an eine erste Hauptoberfläche 109 des Halbleiter körpers 108 auf. Die reflektierende Gitterstruktur 122 ist aus in horizontaler Richtung periodisch angeordneten Schichtberei chen aufgebaut. Die erste Hauptoberfläche 109 des Halbleiter körpers 108 ist von einer Austritts fläche 121 der elektromag netischen Strahlung 15 verschieden.
Wie in Figur 1A dargestellt ist, kann emittierte elektromagne tische Strahlung 15 über eine Unterseite des optoelektroni schen Halbleiterbauelements 10 und auch über Seitenflächen emittiert werden. Eine der Austrittsflächen der elektromagne tischen Strahlung ist beispielsweise die zweite Hauptoberflä che 121 des Halbleiterkörpers 108. Entsprechend ist die erste Hauptoberfläche 109 von einer Austrittfläche der elektromagne tischen Strahlung verschieden.
Gemäß Ausführungsformen weist das optoelektronische Halblei terbauelement ferner eine leitfähige Schicht 123 in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper 108 auf. Die leitfähige Schicht 123 kann reflektierend oder absorbierend sein. Bei spielsweise ist die leitfähige Schicht 123 in horizontaler Richtung periodisch strukturiert. Gemäß Ausführungsformen ist eine Vielzahl von Bereichen 122 der leitfähigen Schicht 123 entsprechend einem Anordnungsmuster, das sich beispielsweise senkrecht zur ersten Hauptoberfläche 109 des Halbleiterkörpers 108 erstreckt, angeordnet. Die Bereiche 122 der leitfähigen Schicht 123 sind entsprechend einer konstanten Gitterperiode angeordnet. Das heißt, eine laterale Ausdehnung der Bereiche
122 kann jeweils identisch sein. Weiterhin kann ein Abstand zwischen benachbarten Bereichen 122 jeweils identisch sein. Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann beispielsweise eine Leuchtdiode (LED) darstellen. Insbesondere kann die elektromagnetische Strahlung durch spontane Emission emittiert werden .
Beispielsweise kann eine Periode d, d.h. eine Rasterbreite der periodischen Struktur im Bereich einer Größenordnung einer halben Wellenlänge der emittierten elektromagnetischen Strah lung im entsprechenden Medium entsprechen. Der Begriff "Grö ßenordnung" bezeichnet dabei folgende Beziehung: 0,1 · l/2h < d < 10 · l/2h. Hier gibt d beispielweise die Summe aus Abstand und lateraler Breite der Bereiche 122 der leitfähigen Schicht
123 an.
Beispielsweise kann gemäß sämtlichen Ausführungsformen die Pe riode der reflektierenden Gitterstruktur kleiner als 500 nm sein. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Periode der reflektierenden Gitterstruktur auch kleiner als 250 nm oder kleiner als 100 nm sein.
Beispielsweise kann gemäß allen Ausführungsformen die periodi sche Struktur mehr als 100 Einzelstrukturen aufweisen. Die reflektierende Gitterstruktur kann beispielsweise einen lateralen DBR-Spiegel („distributed Bragg reflector") darstel len. Beispielsweise kann der DBR-Spiegel durch eine horizontal angeordnete Abfolge von Bereichen mit jeweils unterschiedli chen Brechungsindizes ausgebildet sein. Beispielsweise können die Schichten abwechselnd einen hohen Brechungsindex (n>l,7) und einen niedrigen Brechungsindex (n<l,7) haben und als Bragg-Reflektor ausgebildet sein.
Bei einer wie vorstehend angegebenen Bemessung der Periode des Gitters der leitfähigen Schicht 123 ist es möglich, dem opto elektronischen Halbleiterbauelement eine besonders deutlich ausgeprägte Resonatormode zur Verfügung zu stellen. Als Ergeb nis kann beispielsweise die nicht strahlende Rekombination re duziert werden.
Generell kann die spontane Emission als Emission betrachtet werden, die durch quantenmechanische Vakuumfluktuationen sti muliert wird. Aufgrund der Heisenberg ' sehen Unschärferelation können auch magnetisches und elektrisches Feld nicht beliebig genau an einem Ort bestimmbar sein. Dies führt zur Fluktuation des elektromagnetischen Feldes (auch im Vakuum) . In einem freien Raum kann diese Fluktuation beliebige Richtungen und Energien haben. Daher dauert es wenige Nanosekunden, bis zu fällig eine derart erzeugte optische Mode mit dem angeregten Elektron und Lochzustand im Resonanzgerät und die Emission ei nes Photons in dieser Mode stimuliert wird. Dies ist auch als spontane Emission bekannt. Befindet sich allerdings im Raum ein optischer Resonator, so erzeugen die Vakuumfluktuationen überwiegend optische Moden, die resonant mit dem Resonator sind. Deswegen ist die spontane Lebensdauer in Lasern auch deutlich abgesenkt. Dadurch, dass eine besonders deutlich ausgeprägte Resonatormo de zur Verfügung gestellt wird, wird die strahlende Lebensdau er in der LED deutlich gesenkt. Als Folge steigt die interne Quanteneffizienz und damit auch die gesamte Effizienz des optoelektronischen Halbleiterbauelements. Diese Verstärkung der spontanen Emission wird auch Purcell-Effekt genannt. Es kommt zu einer sehr ausgeprägten Ausbildung einer optischen Mode in Resonanz mit der reflektierenden Gitterstruktur, und die strahlende Rate wird durch die Vakuumfluktuationen deut lich erhöht. Weiterhin kann durch die Anwesenheit der reflek tierenden Gitterstruktur eine Abstrahlcharakteristik der LED deutlich geändert werden. Beispielsweise kann die spontane Emission überwiegend parallel zum optischen Resonator, das heißt in einer horizontalen Richtung verlaufen.
Beispielsweise kann der Halbleiterkörper 108 eine erste Halb leiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, bei spielsweise p-leitend, enthalten. Der Halbleiterkörper kann weiterhin eine zweite Halbleiterschicht 120 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise n-leitend, aufweisen. Eine aktive Zone 115 kann zwischen der ersten und zweiten Halb leiterschicht 110, 120 angeordnet sein. Gemäß einer Ausgestal tung kann eine Schichtdicke der ersten Halbleiterschicht 110 derart bemessen sein, dass sich zwischen der ersten Hauptober fläche des Halbleiterkörpers und der aktiven Zone eine opti sche Mode in einfacher Weise ausbildet. Beispielsweise kann die optische Mode in der vertikalen Richtung resonant mit dem optischen Resonator sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der ersten Halbleiterschicht einem ganzzahligen Vielfachen der halben Wellenlänge in der ersten Halbleiterschicht entspre chen. In diesem Fall kann aufgrund des Purcells-Effekt die strahlende Rekominationsrate zusätzlich erhöht werden, so dass die Effizienz des optoelektronischen Halbleiterbauelements weiter steigt. Die aktive Zone kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Eintach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrtach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeichnung „Quantentopf-Struktur" entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Schichten.
Die erste Halbleiterschicht 110, die aktive Zone 115 und die zweite Halbleiterschicht 120 bilden beispielsweise einen Halb leiterschichtstapel. Beispielsweise ist eine erste Hauptober fläche der ersten Halbleiterschicht 110 die erste Hauptober fläche 109 des Halbleiterkörpers 108. Gemäß Ausführungsformen kann der Halbleiterkörper 108 zu einer Mesa strukturiert sein. Beispielsweise kann ein Winkel der Mesa-Seitenflächen derart eingestellt werden, dass sich eine gewünschte Abstrahlcharak teristik des optoelektronischen Halbleiterbauelements ergibt. Beispielsweise können die erste und die zweite Halbleiter schicht 110, 120 auf dem ( In) GaN-Materialsystem basieren.
Gemäß Ausführungsformen, die in Figur 1A dargestellt sind, um fasst die leitfähige Schicht 123 eine erste Teilschicht 124 aus einem ersten leitfähigen Material und eine zweite Teil schicht 125 aus einem zweiten leitfähigen Material. Dabei kann das erste leitfähige Material einen anderen Brechungsindex als das zweite leitfähige Material haben. Insbesondere kann ein Brechungsindex des Materials der ersten leitfähigen Teil schicht 124 größer als der Brechungsindex des Materials der zweiten leitfähigen Teilschicht 125 sein. Beispielsweise kann das erste leitfähige Material über einer planaren ersten Hauptoberfläche 109 des Halbleiterkörpers 108 periodisch strukturiert ausgebildet sein. Beispielsweise kann das erste leitfähige Material ein transparentes Metalloxid, beispiels weise ITO (Indiumzinnoxid) sein. Eine Schichtdicke der ersten leitfähigen Teilschicht 124 kann beispielweise 50 bis 150 nm betragen. Beispielweise kann eine Schichtdicke der ersten leitfähigen Teilschicht 124 ungefähr die Hälfte der Schichtdi cke der zweiten leitfähigen Teilschicht 125 betragen. Die zweite leitfähige Teilschicht 125 kann ein hohes Reflexions vermögen aufweisen. Beispielsweise kann das Material der zwei ten leitfähigen Teilschicht 125 Silber oder ein anderes hoch- reflektives Material sein. Durch die Anwesenheit der ersten leitfähigen Teilschicht 124 kann der elektrische Kontakt zu der zweiten leitfähigen Teilschicht 125 verbessert werden.
Beispielsweise kann die erste leitfähige Teilschicht 124 mit einer Periode von l/2h strukturiert sein, wobei n der Bre chungsindex des Materials der ersten leitfähigen Teilschicht 124 ist. Bei einer Emissionswellenlänge von GaN-LEDs von etwa 450 nm kann beispielsweise die Periode erster Ordnung dieser Struktur in einer Größenordnung von 100 nm liegen. Die erste leitfähige Teilschicht 124 kann beispielsweise mit einem Li thografieverfahren wie beispielsweise Elektronenstrahllitho grafie, Nanoimprintverfahren oder Laserinterferenzbelichtung strukturiert werden. Gemäß weiteren Ausführungsformen können auch Gitter höherer Ordnung prozessiert werden. D.h. die Peri ode entspricht einem ganzzahligen Vielfachen der halben Wel lenlänge in dem entsprechenden Medium. Als Ergebnis kann die spontane Emissionsrate der LED deutlich erhöht werden, wodurch insgesamt die Effizienz gesteigert wird.
Die zweite leitfähige Teilschicht 125 ist derart ausgebildet, dass sie Zwischenräume 127 zwischen benachbarten Bereichen der ersten leitfähigen Teilschicht 124 ausfüllt. Die leitfähige Schicht 123 stellt auch ein erstes Kontaktelement 105 zum elektrischen Kontaktieren der ersten Halbleiterschicht 110 dar. Ein zweites Kontaktelement 107 zum Kontaktieren der zwei ten leitfähigen Halbleiterschicht 120 kann beispielsweise an grenzend an eine zweite Hauptoberfläche 121 des Halbleiterkör pers 108 angeordnet sein. Durch Anlegen einer Vorwärtsspannung zwischen dem ersten und dem zweiten Kontaktelement 105, 107 kann das optoelektronische Halbleiterbauelement betrieben wer den. Der Halbleiterkörper 108 kann beispielsweise über einem transparenten Substrat 100 ausgebildet sein. Beispiele für ein Material des Substrats 100 umfassen beispielsweise Saphir. Selbstverständlich können jedoch auch andere Materialien ver wendet werden.
Figur 1B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Aus führungsformen. Das in Figur 1B dargestellte optoelektronische Halbleiterbauelement 10 ist ähnlich wie das in Figur 1A darge stellte aufgebaut. Abweichend hiervon ist jedoch eine erste Hauptoberfläche 109 des Halbleiterkörpers 108 periodisch strukturiert. Genauer gesagt ist eine Vielzahl hervorstehender Halbleiterbereiche 106 in einer periodischen Anordnung ausge bildet. Die leitfähige Schicht 123 ist derart ausgebildet, dass sie Zwischenräume zwischen benachbarten hervorstehenden Bereichen 106 ausfüllt.
Gemäß Figur 1B kann eine Gitterkonstante des periodischen Mus ters der strukturierten ersten Hauptoberfläche 109 des Halb leiterkörpers 108 ähnlich wie unter Bezugnahme auf Figur 1A beschrieben ausgewählt sein.
Beispielsweise kann die leitfähige Schicht 123 gemäß Figur 1B eine Silberschicht sein. Eine Schichtdicke der Silberschicht kann etwa 300 nm betragen. Auf diese Weise wird eine periodi sche Änderung des Brechungsindex erzielt, wodurch eine latera le optische Mode erzeugbar wird. Generell kann gemäß Ausführungsformen die laterale periodische Struktur dadurch realisiert werden, dass dünne Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes lateral benachbart ausge bildet werden. Gemäß den hier beschriebenen Ausführungsformen können diese Schichten beispielsweise Abschnitte leitfähiger Teilschichten sein, wobei die leitfähigen Teilschichten die leitfähige Schicht 123 oder das erste Kontaktelement 105 aus bilden. Gemäß weiteren Ausführungsformen können die Schichten Abschnitte aus Halbleitermaterial 110 und einer leitfähigen Schicht 123 sein. Weitere Modifikationen können vorgenommen werden. Beispielsweise kann auch ein isolierendes Material über der ersten Halbleiterschicht 110 lateral periodisch strukturiert werden, und die Zwischenräume zwischen dem iso lierenden Material werden mit leitfähigem Material gefüllt.
Figur 2A zeigt eine Draufsicht auf eine erste Hauptoberfläche 11 des optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausfüh rungsformen. Gemäß Ausführungsformen können, wie in Figur 2A dargestellt ist, die periodischen Strukturen oder die Git terstruktur 112 linienförmig ausgeführt sein. Genauer gesagt ist beispielsweise die erste Teilschicht 124 oder die erste Hauptoberfläche 109 des Halbleiterkörpers 108 zu einer Viel zahl von parallelen Stegen strukturiert. Zwischen parallel verlaufenden Stegen ist jeweils das Material der leitfähigen Schicht 123 bzw. der zweiten Teilschicht 125 angeordnet. Bei einer derartigen Anordnung der Gitterstruktur kann das Licht überwiegend in zwei Richtungen abgestrahlt werden.
Die Figuren 2B und 2C veranschaulichen Ausführungsformen, bei denen die Gitterstruktur 112 jeweils eine konzentrische Struk tur um den Mittelpunkt des optoelektronischen Halbleiterbau elements auszubilden. Beispielsweise kann das optoelektroni sche Halbleiterbauelement 10, wie in Figur 2B gezeigt ist, viereckig ausgebildet sein. In diesem Fall ist die Git terstruktur 112 jeweils in Form von Rechtecken ausgebildet, die konzentrisch um den Mittelpunkt des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet sind.
Bei der in Figur 2C dargestellten Ausführungsform kann das optoelektronische Halbleiterbauelement beispielsweise kreis förmig ausgebildet sein. Hier kann die Gitterstruktur 112 in Form von konzentrischen Kreisen ausgebildet sein. Bei einer Anordnung der Gitterstruktur 112 wie in den Figuren 2B und 2C dargestellt, kann beispielsweise elektromagnetische Strahlung in alle Richtungen parallel zur Oberfläche abgestrahlt werden.
Obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpas- sungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt.
Bezugszeichenliste
10 Optoelektronisches Halbleiterbauelement
11 erste Hauptoberfläche des optoelektronischen Halblei terbauelements
15 emittierte elektromagnetische Strahlung
100 Substrat
105 erstes Kontaktelement
106 hervorstehender Halbleiterbereich
107 zweites Kontaktelement
108 Halbleiterkörper
109 erste Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers
110 erste Halbleiterschicht
112 Gitterstruktur
115 aktive Zone
120 zweite Halbleiterschicht
121 zweite Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers
122 Bereich der leitfähigen Schicht
123 leitfähige Schicht
124 erste Teilschicht
125 zweite Teilschicht
127 Zwischenraum

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10), welches geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren und
einen Halbleiterkörper (108) und
eine reflektierende Gitterstruktur (112) aus in hori zontaler Richtung periodisch angeordneten Schichtbereichen (122, 124, 106) angrenzend an eine erste Hauptoberfläche (109) des Halbleiterkörpers (108) aufweist, wobei die erste Haupt oberfläche (109) von einer Austrittsfläche der elektromagneti schen Strahlung (15) verschieden ist.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1, bei dem eine Periode der reflektierenden Git terstruktur (112) kleiner als 500 nm ist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1 oder 2, bei dem die Gitterstruktur (112) durch eine leitfähige Schicht (124, 123) in direktem Kontakt mit der ers ten Hauptoberfläche (109) des Halbleiterkörpers (108) ausge führt ist, wobei die leitfähige Schicht (124, 123) in horizon taler Richtung periodisch strukturiert ist.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 3, bei dem die leitfähige Schicht (123) eine erste Teilschicht (124) aus einem ersten leitfähigen Material und eine zweite Teilschicht (125) aus einem zweiten leitfähigen Material aufweist, wobei das erste leitfähige Material einen anderen Brechungsindex als das zweite leitfähige Material hat.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 4, bei dem das erste leitfähige Material periodisch strukturiert ausgebildet ist und das zweite leitfähige Materi al in Zwischenräume (127) zwischen Bereichen des ersten leit fähigen Materials gefüllt ist.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 5, bei dem das zweite leitfähige Material einen kleine ren Brechungsindex als das erste hat.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 5 oder 6, bei dem ein Unterschied des Brechungsindex des ersten leitfähigen Materials und des zweiten leitfähigen Materials größer als 1,0 ist.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 6 oder 7, bei dem das erste leitfähige Material ein transparentes Metalloxid und das zweite leitfähige Material Silber ist.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Hauptoberflä che (109) des Halbleiterkörpers (108) periodisch strukturiert ist und die leitfähige Schicht (123) zwischen strukturierten Halbleiterbereichen (106) des Halbleiterkörpers (108) angeord net ist.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterkörper (108) eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (120) von ei nem zweiten Leitfähigkeitstyp sowie eine aktive Zone (115) aufweist, wobei die aktive Zone (115) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der zweiten Halbleiterschicht (120) angeordnet ist, und die erste Halbleiterschicht (110), die aktive Zone (115) und die zweite Halbleiterschicht (120) einen Schichtstapel bilden.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An- spruch 10, bei dem eine erste Hauptoberfläche der ersten Halb leiterschicht (110) die erste Hauptoberfläche (109) des Halb leiterkörpers (108) ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An- spruch 10 oder 11, bei dem die erste Halbleiterschicht (110) p-leitend ist.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Gitterstruktur (112) in horizontaler Richtung linear verläuft.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Gitterstruktur (112) in hori zontaler Richtung kreisförmig und konzentrisch verläuft.
15. Optoelektronisches Halbleiterbaeulement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Gitterstruktur (112) in hori zontaler Richtung rechteckförmig und konzentrisch verläuft.
PCT/EP2019/086449 2019-01-10 2019-12-19 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur WO2020144045A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/421,735 US20220093821A1 (en) 2019-01-10 2019-12-19 Optoelectronic semiconductor device having a reflective lattice structure
DE112019006623.4T DE112019006623A5 (de) 2019-01-10 2019-12-19 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019100548.5 2019-01-10
DE102019100548.5A DE102019100548A1 (de) 2019-01-10 2019-01-10 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020144045A1 true WO2020144045A1 (de) 2020-07-16

Family

ID=69104426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/086449 WO2020144045A1 (de) 2019-01-10 2019-12-19 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220093821A1 (de)
DE (2) DE102019100548A1 (de)
WO (1) WO2020144045A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2311413A (en) * 1996-03-22 1997-09-24 Hewlett Packard Co Light emitting devices
WO2006010133A2 (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Ion Optics, Inc. Tunable photonic crystal
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102008003182A1 (de) * 2008-01-04 2009-07-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20170054060A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device having surface structure for limiting directional angle of light

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006082687A1 (ja) * 2005-02-07 2008-06-26 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置
TWI331816B (en) * 2007-04-03 2010-10-11 Advanced Optoelectronic Tech Semiconductor light-emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2311413A (en) * 1996-03-22 1997-09-24 Hewlett Packard Co Light emitting devices
WO2006010133A2 (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Ion Optics, Inc. Tunable photonic crystal
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102008003182A1 (de) * 2008-01-04 2009-07-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20170054060A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device having surface structure for limiting directional angle of light

Also Published As

Publication number Publication date
DE102019100548A1 (de) 2020-07-16
US20220093821A1 (en) 2022-03-24
DE112019006623A5 (de) 2021-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009054564A1 (de) Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
DE102017108949A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE19727233A1 (de) Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
WO2020144045A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit reflektierender gitterstruktur
WO2022074140A1 (de) Oberflächenemittierender halbleiterlaser
DE102018124040A1 (de) Optoelektronische halbleitervorrichtung mit ersten und zweiten optoelektronischen elementen
DE112020000795B4 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019002362B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und einer zweiten Stromverteilungsstruktur
WO2020239749A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019003567B4 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer silberhaltigen stromaufweitungsstruktur und optoelektronische vorrichtung
WO2020144048A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit mehrfach-quantentopfstruktur und optoelektronische halbleitervorrichtung
WO2020144047A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischen schichten und dessen herstellungsverfahren
DE102019103632B4 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit ersten und zweiten bereichen einer ersten halbleiterschicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020109530A1 (de) Optoelektronisches halbleiter-bauelement mit stromverteilungsschicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiter-bauelements
WO2020200881A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102022130568A1 (de) Laservorrichtung und elektronische vorrichtung
WO2020109534A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer brechungsindexmodulationsschicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2024170258A1 (de) Laservorrichtung, photonische schaltung und photonische anordnung
DE102022129759A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102020118824A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements und lidar-system
DE102022133587A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer geordneten photonischen struktur
DE112021000569T5 (de) Optoelektronische halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen halbleitervorrichtung
WO2023110203A1 (de) Oberflächenemittierender photonischer-kristall-laser, optoelektronisches system und verfahren zur herstellung eines oberflächenemittierenden photonischer-kristall-lasers
DE102022106173A1 (de) Licht emittierende diode
DE102021126160A1 (de) Optoelektronisches konverterelement, optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19831713

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112019006623

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19831713

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1