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WO2019017034A1 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDF

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WO2019017034A1
WO2019017034A1 PCT/JP2018/016590 JP2018016590W WO2019017034A1 WO 2019017034 A1 WO2019017034 A1 WO 2019017034A1 JP 2018016590 W JP2018016590 W JP 2018016590W WO 2019017034 A1 WO2019017034 A1 WO 2019017034A1
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WO
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semiconductor substrate
semiconductor device
field stop
semiconductor
stop layer
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Application number
PCT/JP2018/016590
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English (en)
French (fr)
Inventor
明 清井
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Priority to DE112018003666.9T priority patent/DE112018003666T5/de
Priority to CN201880037604.XA priority patent/CN110892514B/zh
Priority to US16/607,421 priority patent/US11676996B2/en
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    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device, in particular, a method of manufacturing a semiconductor device provided with a field stop layer, and the semiconductor device.
  • a field stop layer (Field Stop layer) is provided as an improvement measure for the loss reduction requirement. Structure.
  • the field stop layer is provided inside the drift layer located far from the withstand voltage main junction of the drift layer as a layer having a lower resistance than the drift layer and the same conductivity type (usually n-type).
  • the field stop layer is formed after manufacturing a semiconductor functional layer such as a semiconductor element on the surface side of the silicon wafer. Therefore, as a limitation in forming the field stop layer, the field stop layer needs to be formed under conditions that do not adversely affect the semiconductor functional layer formed on the surface side of the silicon wafer.
  • Patent Document 1 irradiation defects generated by irradiating a single crystal silicon wafer with protons (hydrogen atoms) are recovered by heat treatment, and the irradiation defects and hydrogen atoms are reacted near the position of the average range of protons.
  • An approach has been proposed to form a high concentration field stop layer by forming compound defects (hydrogen related donors).
  • Patent Document 2 proposes a method of forming an n-type field stop layer by repeatedly performing proton irradiation a plurality of times from the back surface of the n-type semiconductor substrate.
  • the protons are irradiated a plurality of times, the next proton irradiation is performed with the position of the irradiation defect left by the previous proton irradiation as a target.
  • hydrogen atoms are supplied to the region having many irradiation defects formed by the previous proton irradiation, and the dangling bonds are terminated, whereby the irradiation defects are donorized.
  • an n-type field stop layer having a high concentration of hydrogen related donor layers can be formed while suppressing an increase in leakage current due to the residual irradiation defects.
  • the present invention was made to solve such problems, and one object is to provide a method of manufacturing a semiconductor device in which residual irradiation defects are reduced, and another object is to remain It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which irradiation defects are reduced.
  • a method of manufacturing a semiconductor device includes the following steps.
  • the process of forming the semiconductor element includes the following processes. Acceptor ions are implanted from the second main surface of the semiconductor substrate.
  • a wet process of accumulating hydrogen atoms in the region of the semiconductor substrate into which the acceptor ions are implanted is performed from the second main surface of the semiconductor substrate.
  • Protons are irradiated from the second main surface of the semiconductor substrate.
  • the semiconductor substrate is annealed to form a field stop layer of the first conductivity type having a second carrier concentration higher than the first carrier concentration of the semiconductor substrate. Do.
  • a semiconductor device is a semiconductor device including a semiconductor element that conducts current between a first main surface and a second main surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type, and includes an impurity region and a first And a conductive field stop layer.
  • the impurity region is formed from the second main surface of the semiconductor substrate having the first carrier concentration to the first depth.
  • the field stop layer is formed from the position of the first depth in the semiconductor substrate to a second depth deeper than the first depth, and has a second carrier concentration higher than the first carrier concentration of the semiconductor substrate. In the field stop layer, there is a maximum value of the second carrier concentration between the first depth and the second depth.
  • the second carrier concentration exhibits a decreasing distribution from the portion where the maximum value of the second carrier concentration is located to the second major surface.
  • the concentration of irradiation defects remaining in the field stop layer is lower than the first carrier concentration of the semiconductor substrate. Hydrogen atoms are accumulated in the impurity region.
  • the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention by performing the wet processing and the proton irradiation, it is possible to manufacture a semiconductor device in which irradiation defects remaining in the field stop layer are reduced.
  • the irradiation defects remaining in the field stop layer can be reduced.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device provided with an IGBT according to a first embodiment.
  • it is a flowchart which shows the manufacturing process of a semiconductor device.
  • it is a flowchart which shows the formation process of the diffused layer of the back surface side of a semiconductor substrate.
  • FIG. 7 is a view showing a distribution of boron and a distribution of hydrogen atoms in the semiconductor substrate after the implantation of acceptor ions and the wet processing in the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram including the distribution of hydrogen atoms and the distribution of irradiation defects in the semiconductor substrate after proton irradiation in the embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram including the distribution of hydrogen atoms introduced by proton irradiation and the distribution of hydrogen atoms introduced by wet treatment in the semiconductor substrate after annealing in the same embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram including the distribution of carrier concentration of the field stop layer on design according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram including the distribution of the carrier concentration of the field stop layer in the completed semiconductor device in the same embodiment.
  • 10 is a flowchart showing a process of forming a diffusion layer on the back surface side of a semiconductor substrate in a semiconductor device according to a second embodiment.
  • FIG. 8 is a view showing a distribution of hydrogen atoms and a distribution of irradiation defects in the semiconductor substrate after being irradiated with helium ions in the same embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram including the distribution of hydrogen atoms introduced by the wet process after the annealing process in the same embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram including the distribution of carrier concentration of the field stop layer on design according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram including the distribution of the carrier concentration of the field stop layer in the completed semiconductor device in the same embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a semiconductor device provided with a diode according to a third embodiment.
  • FIG. 16 is a flowchart showing steps of forming a diffusion layer on the back surface side of the semiconductor substrate in the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • Embodiment 1 a semiconductor device provided with an IGBT will be described as an example of the semiconductor device.
  • n electrons are the majority carrier.
  • p hole is a majority carrier.
  • n or p is attached with "+” or "-”. “+” Indicates that the carrier concentration is relatively high.
  • - Indicates that the carrier concentration is relatively low.
  • the p-type base layer 9 is formed from the first main surface of the semiconductor substrate 3 over a predetermined depth (depth A).
  • An n + -type emitter layer 11 and a p + -type contact layer 7 are formed in the p-type base layer 9.
  • the n + -type emitter layer 11 is formed over a depth (depth B) shallower than the depth A from the surface of the p-type base layer 9.
  • the p + -type contact layer 7 is formed to be shallower than the depth A and deeper than the depth B from the surface of the p-type base layer 9.
  • a gate electrode 15 is formed in the trench 3a reaching a position deeper than the depth A from the first main surface of the semiconductor substrate 3 with the gate insulating film 13 interposed (MOS gate structure).
  • An interlayer insulating film 17 is formed to cover the gate electrode 15.
  • Emitter electrode 19 is formed to cover interlayer insulating film 17. Emitter electrode 19 is in contact with n + -type emitter layer 11 and p + -type contact layer 7.
  • a p + -type collector layer 23 is formed over a predetermined depth (depth C) from the second main surface of the semiconductor substrate 3.
  • the n-type field stop layer 21 is formed from the depth C to a position deeper than the depth C.
  • Collector electrode 25 is formed to be in contact with p + -type collector layer 23.
  • the n ⁇ -type drift layer 5 (the region of the semiconductor substrate 3) is located.
  • a termination structure (not shown) for holding the withstand voltage is formed in the outer peripheral portion.
  • the carrier concentration profile of the n-type field stop layer 21 and the manufacturing method are the same as the carrier concentration of the n-type field stop layer of the semiconductor device provided with the conventional IGBT. Profile and manufacturing methods are different.
  • irradiation defects such as interstitial silicon pair remain in the n-type field stop layer.
  • the n-type field stop layer is formed using only proton irradiation, a large amount of irradiation defects can not be avoided, and there is a problem that the leakage current of the IGBT is large due to the influence. Also, in the case of forming an n-type field stop layer using only proton irradiation, the activation rate of the donor is low. For this reason, in order to form an n type field stop layer, the irradiation amount of a proton increases and the subject which a process cost becomes high occurs.
  • wet processing is performed using charged particles (proton or helium ion) in the back surface process.
  • charged particles proton or helium ion
  • step S1 various diffusion layers are formed on the surface side (first main surface side) of the semiconductor substrate.
  • the p + -type contact layer 7, the p-type base layer 9, and the n + -type emitter layer are formed on the first main surface side of the semiconductor substrate 3 by photolithography, ion implantation and annealing.
  • a ton-trench MOS gate structure including the gate insulating film 13 and the gate electrode 15 is formed (see FIG. 1).
  • an electrode is formed on the surface side of the semiconductor substrate.
  • a metal film is formed to cover p + -type contact layer 7 and n + -type emitter layer 11 by vacuum sputtering or the like.
  • the emitter electrode 19 is formed by patterning the metal film by the photolithography process and the etching process. Emitter electrode 19 is in ohmic contact with p + -type contact layer 7 and n + -type emitter layer 11 (see FIG. 1).
  • a surface protective film covering the first main surface of the semiconductor substrate is formed.
  • a silicon nitride film or the like is formed as the surface protective film.
  • the protective film may be formed by spin coating.
  • a sheet-like protective film may be used.
  • step S4 the thickness of the semiconductor substrate is reduced. The semiconductor substrate is thinned by grinding the back surface (second main surface) of the semiconductor substrate. The thickness of the semiconductor substrate is determined in relation to the withstand voltage.
  • step S5 a diffusion layer is formed on the back surface side (second main surface side) of the semiconductor substrate. Ions of the Group 13 element are implanted from the back surface of the semiconductor substrate.
  • the “group 13 element” is described as a “group III element” in the short period periodic table.
  • the protective film is formed on the front surface side (second main surface side) of the semiconductor substrate.
  • the wet treatment with a chemical solution and the proton irradiation are performed.
  • annealing is performed to form the n-type field stop layer 21 and the p + -type collector layer 23 (see FIG. 1). This step is a characteristic part of the present invention, and the details will be described later.
  • step S6 an electrode is formed on the back surface side of the semiconductor substrate.
  • a collector electrode 25 is formed by forming a metal film so as to cover the p + -type collector layer 23 by vacuum sputtering or the like.
  • the collector electrode 25 is in ohmic contact with the p + -type collector layer 23.
  • step S5 by providing step S5, irradiation defects in the n-type field stop layer are reduced, and an n-type field stop layer having a high activation rate of hydrogen related donors is formed.
  • step S5 irradiation defects in the n-type field stop layer are reduced, and an n-type field stop layer having a high activation rate of hydrogen related donors is formed.
  • activation means that the irradiation defect and the hydrogen atom which were formed in the semiconductor substrate by proton irradiation react. Specifically, a covalent bond is formed by bonding a negatively charged hydrogen atom to a dangling bond of silicon of the irradiation defect, and one surplus electron is released from the dangling bond or the hydrogen atom, It is speculated that a donor will be formed. Further, the activation rate refers to the ratio of the amount (molecule) of newly generated donor to the amount (denominator) of protons irradiated.
  • Leakage current is a current that flows when a reverse bias is applied to the semiconductor chip (semiconductor device), and a current flows when electrons and holes are generated from the irradiation defect.
  • acceptor ion implantation is performed from the back surface of the semiconductor substrate.
  • acceptor ion there exists boron ion, for example, and if it is an ion of 13 group element, it will not be restricted to a boron ion.
  • the implanted acceptor ions are activated by performing a local heat treatment that does not affect the surface side of the semiconductor substrate by laser annealing.
  • step T2 a wet process of immersing the semiconductor substrate in a chemical solution is performed.
  • a protective film is attached to the surface of the semiconductor substrate.
  • a protective film used to protect the surface of the semiconductor substrate may be used in the step of reducing the thickness of the semiconductor substrate.
  • a wet treatment is performed to diffuse hydrogen atoms from the back surface of the semiconductor substrate to the inside of the semiconductor substrate.
  • the chemical solution used for the wet treatment is preferably, for example, a chemical solution containing an acid such as hydrofluoric acid. This wet treatment may be carried out at room temperature, but in order to increase the diffusion amount of hydrogen atoms, it is preferable to carry out in a state where the temperature of the chemical solution is heated to about 50 to 90.degree.
  • the acid hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid may be used in addition to hydrofluoric acid.
  • step T3 protons are irradiated on the back surface of the semiconductor substrate. Since proton irradiation is performed only once in a series of steps of the semiconductor device, the average range of protons is at the depth position of the n-type field stop layer most distant from the back surface of the semiconductor substrate. For this reason, the energy of proton irradiation needs to determine the depth in consideration of the withstand voltage required for the IGBT. In the calculation using simulation software by the inventor, for example, it is estimated that when the incident energy of protons is 1 MeV, the distance from the back surface of the semiconductor substrate to the end (depth) of the n-type field stop layer is about 16 ⁇ m. It was lost.
  • the irradiation amount increases, the irradiation defect and the process cost also increase.
  • the irradiation amount of protons is small, the irradiation defects decrease and it becomes impossible to set the carrier concentration of the n-type field stop layer to a desired concentration. Therefore, the inventor set the proton dose to 5 ⁇ 10 11 / cm 2 to 1 ⁇ 10 15 / cm 2 .
  • step T4 in order to diffuse the hydrogen atoms accumulated in the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is annealed.
  • the annealing process is performed, for example, using a diffusion furnace.
  • the semiconductor substrate is subjected to annealing for 0.5 hours to 5 hours at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. in an inert gas atmosphere.
  • the temperature of the annealing treatment is more preferably 350 ° C. to 450 ° C.
  • the inventor efficiently forms hydrogen related donors when the temperature is lower than 300 ° C. and higher than 500 ° C., and the time is shorter than 0.5 hours and longer than 5 hours. I confirmed that I could not do it.
  • irradiation defects are formed in the region (region R) from the back surface of the semiconductor substrate to the position of the average range of protons by irradiation with protons.
  • the hydrogen atoms supplied and diffused by proton irradiation the hydrogen atoms diffused from the position of the average range toward the back surface of the semiconductor substrate and the wet process are supplied, and the back surface of the semiconductor substrate The hydrogen atoms that diffuse from the inside to the inside of the semiconductor substrate are captured by the irradiation defects formed in the region R.
  • the hydrogen atoms are captured by the irradiation defect, thereby terminating the dangling bonds of the irradiation defect silicon.
  • the irradiation defects whose mobility has been reduced can be made electrically inactive and irradiation defects can be reduced.
  • the manufacturing cost can also be reduced as compared to the case where the proton irradiation is performed a plurality of times.
  • FIG. 4 shows distributions of the concentration of impurities (boron) and the concentration of hydrogen atoms in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate after implanting acceptor ions and performing wet processing.
  • boron acceptor ions
  • FIG. 4 it can be seen that boron (acceptor ions) is distributed in a relatively shallow region up to about 1 ⁇ m from the back surface of the semiconductor substrate (see BP and HWP). Boron captures hydrogen atoms to form B—H bonds. Therefore, hydrogen atoms have a distribution in the depth direction similar to the distribution in the depth direction of boron.
  • FIG. 5 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of impurities (boron) and the concentration of hydrogen atoms after proton irradiation.
  • impurities boron
  • FIG. 5 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of impurities (boron) and the concentration of hydrogen atoms after proton irradiation.
  • hydrogen atoms are accumulated and an irradiation defect is formed inside the semiconductor substrate.
  • the state in which hydrogen atoms are accumulated is not a state in which a very small amount of hydrogen is present which is mixed in the semiconductor manufacturing process, but 1 ⁇ 10 16 to 1 ⁇ 10 of the same concentration as the implanted acceptor ion. It refers to the state in the range of 21 atoms / cm 3 . As shown in FIG.
  • hydrogen atoms are intensively distributed at a position of an average range of about 16 ⁇ m from the back surface of the semiconductor substrate (see HPP).
  • the irradiation defects are concentrated in the vicinity of the position of the average range, and are distributed in a mode of decreasing toward the back surface of the semiconductor substrate from the vicinity of the position of the average range (see DP).
  • FIG. 6 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of hydrogen atoms by proton irradiation and the concentration of hydrogen atoms by wet treatment after annealing treatment. As shown in FIG. 6, it can be seen that the distribution of the concentration of hydrogen atoms by proton irradiation and the concentration of hydrogen atoms by wet treatment spreads in the depth direction of the semiconductor substrate.
  • a hydrogen-related donor is generated in the vicinity of the position of the average range from the back surface of the semiconductor substrate by the reaction between the irradiation defect and the hydrogen atom.
  • hydrogen atoms introduced by wet processing and diffused from the back surface of the semiconductor substrate toward the inside react with part of the irradiation defects formed between the back surface of the semiconductor substrate and the vicinity of the average range position.
  • the irradiation defects whose mobility has been reduced are electrically inactivated to reduce the irradiation defects.
  • FIG. 7 shows a designed carrier concentration profile of each region in the semiconductor device
  • FIG. 8 shows a carrier concentration profile of each region in the actually manufactured semiconductor device.
  • the profile of carrier concentration can be obtained by a general SR (Spreading Resistance Profiling) method.
  • the peak of the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 is at the position of the average range of protons.
  • the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 gradually and gradually decreases from the position of the average range toward the back surface of the semiconductor substrate.
  • hydrogen atoms terminate dangling bonds of silicon of the irradiation defect, and the irradiation defect causing the reduction of the carrier mobility is eliminated.
  • Second Embodiment In the second embodiment, another example of the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment will be described. Here, a manufacturing method using helium ions as charged particles will be described.
  • FIG. 9 shows a flowchart of a process of forming a diffusion layer on the back surface side of the semiconductor substrate.
  • step V1 implantation of acceptor ions is performed.
  • step V2 wet processing is performed.
  • step V3 helium ions are irradiated.
  • step V4 annealing is performed.
  • step V3 is substantially the same as step T1
  • step V2 is substantially the same as step T2
  • step V4 is substantially the same as step T4. Is the same. Therefore, here, step V3 will be described, and steps V1, V2 and V4 will not be repeated unless necessary.
  • step V3 helium ions are irradiated on the back surface of the semiconductor substrate.
  • the energy of helium ions needs to be determined in consideration of the breakdown voltage required for the IGBT.
  • the semiconductor substrate The distance from the back surface to the end (depth) of the n-type field stop layer was estimated to be about 16 ⁇ m.
  • the irradiation defects and the process cost also increase. Become.
  • the inventor set the irradiation amount of helium ions to 5 ⁇ 10 10 / cm 2 to 1 ⁇ 10 14 / cm 2 .
  • the reason why the irradiation amount of helium ions is smaller than the irradiation amount of protons is that more defects are formed in helium ions than in protons.
  • step V4 the semiconductor substrate is annealed in order to diffuse the hydrogen atoms stored in the semiconductor substrate.
  • the annealing process is performed, for example, using a diffusion furnace.
  • the semiconductor substrate is subjected to annealing for 0.5 hours to 5 hours at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. in an inert gas atmosphere.
  • the temperature of the annealing treatment is more preferably 350 ° C. to 450 ° C.
  • irradiation defects are formed in the region (region R) from the back surface of the semiconductor substrate to the position of the average range of helium ions by irradiation with helium ions.
  • the annealing process hydrogen atoms supplied by wet process and diffused from the back surface of the semiconductor substrate toward the inside of the semiconductor substrate are captured by the irradiation defects formed in the region R.
  • helium ion irradiation there are no hydrogen atoms diffused from the position of the average range of helium ions toward the back surface of the semiconductor substrate.
  • the hydrogen atoms are captured by the irradiation defect, thereby terminating the dangling bonds of the irradiation defect silicon.
  • the irradiation defects whose mobility has been reduced can be made electrically inactive and irradiation defects can be reduced.
  • the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the proton irradiation is performed a plurality of times.
  • Steps V1 to V4 described above correspond to step S5 shown in FIG.
  • the step S5 will be described supplementarily by showing a concentration profile.
  • the concentration of the impurity (boron) and the concentration of hydrogen atoms are each in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate It shows the distribution.
  • boron acceptor ions
  • Boron captures hydrogen atoms to form B—H bonds. Therefore, hydrogen atoms have a distribution in the depth direction similar to the distribution in the depth direction of boron.
  • FIG. 10 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of impurities (boron) and the concentration of hydrogen atoms after helium ion irradiation.
  • impurities boron
  • FIG. 10 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of impurities (boron) and the concentration of hydrogen atoms after helium ion irradiation.
  • FIG. 11 shows the distribution in the depth direction from the back surface of the semiconductor substrate of the concentration of hydrogen atoms by the wet processing after the annealing processing. As shown in FIG. 11, it can be seen that the distribution of the concentration of hydrogen atoms by the wet processing spreads in the depth direction of the semiconductor substrate after the annealing processing.
  • the annealing process introduces hydrogen atoms introduced by wet processing near the position of the average range from the back surface of the semiconductor substrate and diffusing from the back surface of the semiconductor substrate to the inside, and the vicinity of the position of the back surface of the semiconductor substrate and the average range
  • the irradiation defects that had reduced the mobility are made electrically inactive and the irradiation defects are reduced. Be done.
  • FIG. 12 shows a profile of the designed carrier concentration of each region in the semiconductor device
  • FIG. 13 shows a profile of the carrier concentration of each region in the semiconductor device actually manufactured.
  • the peak of the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 is at the position of the average range of protons.
  • the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 gradually and gradually decreases from the position of the average range toward the back surface of the semiconductor substrate.
  • hydrogen atoms terminate dangling bonds of silicon of the irradiation defect, and the irradiation defect causing the reduction of the carrier mobility is eliminated.
  • a semiconductor device provided with a diode will be described as an example of the semiconductor device. Moreover, the case where proton is irradiated as charged particle
  • the semiconductor device 1 including the diode 2 b the p + -type anode layer 31 is formed over a predetermined depth from the first main surface of the semiconductor substrate 3.
  • An anode electrode 33 is formed in contact with the p + -type anode layer 31.
  • n + -type cathode layer 35 is formed over a predetermined depth (depth D) from the second main surface of the semiconductor substrate 3.
  • An n-type field stop layer 21 is formed from a depth D to a position deeper than the depth D.
  • a cathode electrode 37 is formed to be in contact with the n + -type cathode layer 35.
  • An n ⁇ -type drift layer 5 is located between the n-type field stop layer 21 and the p + -type anode layer 31.
  • a termination structure (not shown) for holding the withstand voltage is formed in the outer peripheral portion.
  • the semiconductor device provided with the diode is manufactured by substantially the same manufacturing method as that of the semiconductor device provided with the IGBT described above (see FIG. 2) except for the back surface diffusion step. The difference in the back surface diffusion process will be described later.
  • a diffusion layer is formed on the front surface side (first main surface side) of the semiconductor substrate 3.
  • the p + -type anode layer 31 is formed on the first main surface side of the semiconductor substrate 3 by the photolithography process, the ion implantation process, the reactive ion etching process, etc. (FIG. Step S1, see FIG. 14).
  • an electrode is formed on the surface side of the semiconductor substrate 3.
  • a metal film is formed by vacuum sputtering or the like so as to cover p + -type anode layer 31 and the like.
  • the anode electrode 33 is formed by patterning the metal film by the photolithography process and the etching process.
  • the anode electrode 33 is in ohmic contact with the p + -type anode layer 31 (see step S2 in FIG. 2, see FIG. 14).
  • a surface protection film covering the first main surface of semiconductor substrate 3 is formed.
  • a polyimide film is formed as the surface protective film (see step S3 in FIG. 2 and FIG. 14).
  • the thickness of the semiconductor substrate 3 is reduced. By grinding the back surface (second main surface) of the semiconductor substrate 3, thinning of the semiconductor substrate 3 is performed. The thickness of the semiconductor substrate 3 is determined in relation to the withstand voltage (see step S4 in FIG. 2).
  • an n-type field stop layer 21 and an n + -type cathode layer 35 are formed as diffusion layers on the back surface side (second main surface side) of the semiconductor substrate 3 (see step S5 in FIG. 2).
  • the process of forming the n-type field stop layer 21 will be described later.
  • a cathode electrode 37 is formed by forming a metal film so as to cover the n + -type cathode layer 35 by vacuum sputtering or the like.
  • the cathode electrode 37 is in ohmic contact with the n + -type cathode layer 35.
  • step U1 for example, boron ions are implanted as acceptor ions from the back surface of the semiconductor substrate.
  • donor ions to be the n + -type cathode layer are implanted.
  • a donor ion there exists phosphorus ion, for example.
  • the implanted donor ions are activated by performing a local heat treatment that does not affect the surface side of the semiconductor substrate by laser annealing.
  • the concentration of donor ions located in the region where the n + -type cathode layer is formed is the concentration of acceptor ions located in that region
  • the implantation conditions (implantation energy, dose amount) are set in advance so as to be 100 times higher than the above.
  • the conductivity type of the n + -type cathode layer while maintaining the n-type, the wet treatment subsequently carried out, forming an n + -type cathode layer capable of storing hydrogen atom can do. That is, an n + -type cathode layer capable of performing B—H bonding can be formed.
  • the implantation conditions are set so that the acceptor ion remains in the region where the n + -type cathode layer is formed, but the acceptor ion is formed in the region where the n + -type cathode layer is formed from the back surface of the semiconductor substrate. It can even be distributed to more distant areas.
  • the concentration of acceptor ions in a region further separated from the region where the n + -type cathode layer is formed is 100 times or less the carrier concentration of the n ⁇ -type drift layer. Is desirable. Thereby, it is possible to avoid that the carrier compensation or defect in the n ⁇ -type drift layer caused by introducing the acceptor ion significantly affects the characteristics of the semiconductor device.
  • step U3 a wet process of immersing the semiconductor substrate in a chemical solution is performed.
  • a protective film is attached to the surface of the semiconductor substrate.
  • step U4 protons are irradiated to the back surface of the semiconductor substrate.
  • step U5 the semiconductor substrate is annealed in order to diffuse the hydrogen atoms stored in the semiconductor substrate.
  • the semiconductor substrate is annealed at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. for 0.5 hours to 5 hours in an inert gas atmosphere. Is done.
  • the distribution of the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 is the same as the distribution of the carrier concentration of the n-type field stop layer in the semiconductor device having the IGBT described above.
  • FIG. 16 shows a flowchart of a process of forming a diffusion layer on the back surface side of the semiconductor substrate.
  • step W1 implantation of acceptor ions is performed.
  • step W2 donor ion implantation is performed.
  • step W3 wet processing is performed.
  • step W4 helium ions are irradiated.
  • step W5 annealing is performed.
  • step W1 is substantially the same as step U1
  • step W2 is substantially the same as step U2
  • step W3 is substantially the same as step U3.
  • Step W5 is substantially the same as step U5. Therefore, step W4 will be described here, and steps W1 to W3 and step W5 will not be repeated unless necessary.
  • step W4 helium ions are irradiated on the back surface of the semiconductor substrate. At this time, it is desirable to set the irradiation amount of helium ions to 5 ⁇ 10 10 / cm 2 to 1 ⁇ 10 14 / cm 2 , as described in step V3 (see FIG. 9).
  • step W5 the semiconductor substrate is annealed in order to diffuse the hydrogen atoms stored in the semiconductor substrate.
  • the semiconductor substrate is exposed to an inert gas atmosphere at a temperature of 300.degree. C. to 500.degree. Annealing is performed.
  • the distribution of the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 is the distribution of the carrier concentration of the n-type field stop layer 21 in the semiconductor device having the IGBT described above. Have the same distribution. Therefore, hydrogen atoms terminate dangling bonds of the irradiation defects inside the n-type field stop layer 21, and the irradiation defects causing the decrease in carrier mobility are eliminated.
  • the present invention is effectively utilized in a semiconductor device provided with a field stop layer.

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Abstract

ステップ（Ｔ１）では、半導体基板の裏面からアクセプタイオンの注入が行われる。ステップ（Ｔ２）では、半導体基板を、フッ酸を含む薬液に浸漬するウェット処理を行うことによって、半導体基板に水素原子が導入される。ステップ（Ｔ３）では、半導体基板の裏面にプロトンを照射することによって、半導体基板に水素原子が導入されるとともに、照射欠陥が形成される。ステップ（Ｔ４）では、半導体基板にアニール処理を行うことによって、水素原子と照射欠陥とが反応して水素関連ドナーが形成されるとともに、照射欠陥が低減される。

Description

半導体装置の製造方法および半導体装置
　本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置、特に、フィールドストップ層を備えた半導体装置の製造方法と、半導体装置とに関するものである。
　電力用半導体素子として、たとえば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated　Gate　Bipolar　Transistor：ＩＧＢＴ）またはダイオード等を備えた半導体装置では、低損失化要求に対する改善策として、フィールドストップ層（Field　Stop層）を備えた構造がある。
　フィールドストップ層は、ドリフト層の耐圧主接合から遠い側に位置するドリフト層の内部に、ドリフト層よりも抵抗が低く、かつ、同じ導電型（通常ｎ型）の層として設けられている。フィールドストップ層は、シリコンウェハの表面側において半導体素子等の半導体機能層を製造した後に形成される。このため、フィールドストップ層を形成する際の制約として、シリコンウェハの表面側に形成された半導体機能層に悪影響を及ぼさない条件によって形成する必要がある。
　フィールドストップ層を形成する際には、不純物を導入した後に熱処理が行われる。近年では、パワーデバイスの省エネルギー化のために、シリコンウェハ（半導体基板）の厚さを薄くすることが行われている。シリコンウェハが薄くなると、熱処理によってシリコンウェハが割れてしまうおそれがある。このため、フィールドストップ層を形成する際の熱処理によって、シリコンウェハが割れてしまうのを抑制するために、熱処理の温度が低い手法が提案されている。すなわち、プロトン照射によるドナー化によって、フィールドストップ層を形成する手法が提案されている（特許文献１および特許文献２）。
　特許文献１では、単結晶シリコンウェハにプロトン（水素原子）を照射して生成された照射欠陥を熱処理により回復させるとともに、プロトンの平均飛程の位置近傍において、照射欠陥と水素原子を反応させて複合欠陥（水素関連ドナー）を形成することによって、高濃度のフィールドストップ層を形成する手法が提案されている。
　特許文献２では、ｎ型半導体基板の裏面からプロトン照射を複数回繰り返して行うことによって、ｎ型のフィールドストップ層を形成する手法が提案されている。プロトンを複数回それぞれ照射する際に、１回前のプロトン照射によって残された照射欠陥の位置を目標にして、次のプロトン照射が行われる。これにより、１回前のプロトン照射によって形成された照射欠陥が多い領域に水素原子が供給されて、ダングリングボンドが終端することで、照射欠陥がドナー化される。その結果、残留した照射欠陥による漏れ電流の増加を抑えながら、高濃度の水素関連度ドナー層を有するｎ型のフィールドストップ層を形成することができるとされている。
特開２００１－１６０５５９号公報 特開２０１５－１３０５２３号公報
　プロトン照射によってフィールドストップ層を形成する手法では、シリコンウェハにプロトンを照射することに伴ってシリコンウェハに生じた照射欠陥が、アニール処理を行った後においても残留することが問題とされている。
　本発明は、そのような問題を解決するためになされたものであり、一つの目的は残留する照射欠陥が低減される半導体装置の製造方法を提供することであり、他の目的は、残留する照射欠陥の低減が図られた半導体装置を提供することである。
　本発明に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。第１主面および第２主面を有し、第１キャリア濃度を有する第１導電型の半導体基板に対して、第１主面と第２主面との間において電流の導通を行う半導体素子を形成する。半導体素子を形成する工程は、以下の工程を備えている。半導体基板の第２主面から、アクセプタイオンを注入する。アクセプタイオンが注入された半導体基板の領域内に水素原子を蓄積させるウェット処理を、半導体基板の第２主面から行う。半導体基板の第２主面から、プロトンを照射する。ウェット処理を行う工程およびプロトンを照射する工程の後に、半導体基板にアニール処理を行うことにより、半導体基板の第１キャリア濃度よりも高い第２キャリア濃度を有する第１導電型のフィールドストップ層を形成する。
　本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体基板における第１主面と第２主面との間において電流の導通を行う半導体素子を備えた半導体装置であって、不純物領域と第１導電型のフィールドストップ層とを備えている。不純物領域は、第１キャリア濃度を有する半導体基板の第２主面から第１深さにわたり形成されている。フィールドストップ層は、半導体基板における第１深さの位置から第１深さよりも深い第２深さにわたり形成され、半導体基板の第１キャリア濃度よりも高い第２キャリア濃度を有する。フィールドストップ層では、第１深さと第２深さとの間に前記第２キャリア濃度の最大値がある。第２キャリア濃度の最大値が位置する部分から第２主面へ向かって、第２キャリア濃度は低下する分布を示す。フィールドストップ層に残留する照射欠陥の濃度は、半導体基板の第１キャリア濃度よりも低い。不純物領域内に水素原子が蓄積されている。
　本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェット処理とプロトン照射とを行うことによって、フィールドストップ層内に残留する照射欠陥が低減された半導体装置を製造することができる。
　本発明に係る半導体装置によれば、フィールドストップ層内に残留する照射欠陥を低減することができる。
実施の形態１に係る、ＩＧＢＴを備えた半導体装置の断面図である。 同実施の形態において、半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。 同実施の形態において、半導体基板の裏面側の拡散層の形成工程を示すフローチャートである。 同実施の形態において、アクセプタイオンの注入とウェット処理を行った後の、半導体基板内におけるボロンの分布と水素原子の分布とを示す図である。 同実施の形態において、プロトンを照射した後の、半導体基板内における水素原子の分布と照射欠陥の分布とを含む図である。 同実施の形態において、アニール処理を行った後の、半導体基板内におけるプロトン照射によって導入された水素原子の分布とウェット処理によって導入された水素原子の分布とを含む図である。 同実施の形態において、設計上の、フィールドストップ層のキャリア濃度の分布を含む図である。 同実施の形態において、完成した半導体装置におけるフィールドストップ層のキャリア濃度の分布を含む図である。 実施の形態２に係る、半導体装置における半導体基板の裏面側の拡散層の形成工程を示すフローチャートである。 同実施の形態において、ヘリウムイオンを照射した後の、半導体基板内における水素原子の分布と照射欠陥の分布とを示す図である。 同実施の形態において、アニール処理を行った後の、ウェット処理によって導入された水素原子の分布を含む図である。 同実施の形態において、設計上の、フィールドストップ層のキャリア濃度の分布を含む図である。 同実施の形態において、完成した半導体装置におけるフィールドストップ層のキャリア濃度の分布を含む図である。 実施の形態３に係る、ダイオードを備えた半導体装置の断面図である。 同実施の形態において、半導体基板の裏面側の拡散層の形成工程を示すフローチャートである。 実施の形態４に係る半導体装置における半導体基板の裏面側の拡散層の形成工程を示すフローチャートである。
　実施の形態１．
　ここでは、半導体装置として、ＩＧＢＴを備えた半導体装置を例に挙げて説明する。まず、本明細書および図面において、「ｎ」が記載された領域では、電子が多数キャリアであることを意味する。「ｐ」が記載された領域では、ホールが多数キャリアであることを意味する。また、「ｎ」または「ｐ」に、「＋」または「－」が付されている。「＋」は、キャリア濃度が比較的高い場合を表す。「－」は、キャリア濃度が比較的低い場合を表す。
　図１に示すように、ＩＧＢＴ２ａを備えた半導体装置１では、半導体基板３の第１主面から一定の深さ（深さＡ）にわたり、ｐ型ベース層９が形成されている。そのｐ型ベース層９に、ｎ＋型エミッタ層１１およびｐ＋型コンタクト層７が形成されている。ｎ＋型エミッタ層１１は、ｐ型ベース層９の表面から深さＡよりも浅い深さ（深さＢ）にわたり形成されている。ｐ＋型コンタクト層７は、ｐ型ベース層９の表面から深さＡよりも浅く、深さＢよりも深い位置にわたり形成されている。
　半導体基板３の第１主面から深さＡよりも深い位置に達するトレンチ３ａ内に、ゲート絶縁膜１３を介在させてゲート電極１５が形成されている（ＭＯＳゲート構造）。ゲート電極１５を覆うように、層間絶縁膜１７が形成されている。その層間絶縁膜１７を覆うように、エミッタ電極１９が形成されている。エミッタ電極１９は、ｎ＋型エミッタ層１１とｐ＋型コンタクト層７とに接触している。
　半導体基板３の第２主面から一定の深さ（深さＣ）にわたり、ｐ＋型コレクタ層２３が形成されている。深さＣから深さＣよりも深い位置にわたり、ｎ型フィールドストップ層２１が形成されている。ｐ＋型コレクタ層２３に接触するようにコレクタ電極２５が形成されている。ｎ型フィールドストップ層２１とｐ型ベース層９との間に、ｎ－型ドリフト層５（半導体基板３の領域）が位置する。なお、ＩＧＢＴを備えた半導体装置では、ＩＧＢＴが形成されているセル領域に加えて、外周部分には、耐圧保持のための終端構造（図示せず）が形成されている。
　上述したＩＧＢＴ２ａを備えた半導体装置１では、後述するように、ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度のプロファイルと製造方法とが、従来のＩＧＢＴを備えた半導体装置のｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度のプロファイルと製造方法とは異なる。
　ｎ型フィールドストップ層をプロトン照射による水素関連ドナーを利用して形成する従来の手法では、プロトン照射に伴って発生する照射欠陥を、プロトン照射後のアニール処理によって完全には回復させずに残す必要がある。したがって、従来の手法では、ｎ型フィールドストップ層内に照射欠陥を残留させてしまう。
　たとえば、プロトン照射によって形成したｎ型フィールドストップ層をフォトルミネセンス法によって調べると、格子間シリコン対等の照射欠陥が、ｎ型フィールドストップ層に残存していることが確認できる。また、照射欠陥を回復させるために、アニール時間の長時間化またはアニール温度の高温化を検討してみたが、照射欠陥は回復するものの、ドナーの活性化率が低下してしまうことがわかった。
　このため、プロトン照射のみを使ってｎ型フィールドストップ層を形成する場合には、多量の照射欠陥の残留が避けられず、その影響によってＩＧＢＴの漏れ電流が大きい課題がある。また、プロトン照射のみを使ってｎ型フィールドストップ層を形成する場合には、ドナーの活性化率が低い。このため、ｎ型フィールドストップ層を形成するためには、プロトンの照射量が多くなり、工程コストが高くなる課題がある。
　このような課題を解決するために、上述した半導体装置の特徴としては、ｎ型フィールドストップ層３内に残留する照射欠陥を減らすために、裏面工程において、ウェット処理を荷電粒子（プロトンまたはヘリウムイオン）の照射と併用することにある。
　そこで、次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。ここでは、荷電粒子として、プロトンを照射する場合について説明する。なお、以下では、たとえば、ＭＯＳゲート構造等のＩＧＢＴとして機能する部分を製造する工程については、公知の製造方法を用いて製造することができるため、簡単に説明する。
　まず、半導体装置の製造方法のフローチャートについて、図２に基づいて説明する。まず、ステップＳ１では、半導体基板の表面側（第１主面側）に、種々の拡散層が形成される。半導体基板が投入された後、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程およびアニール工程等によって、半導体基板３の第１主面側に、ｐ＋型コンタクト層７、ｐ型ベース層９、ｎ＋型エミッタ層１１、ゲート絶縁膜１３およびゲート電極１５を含むトンレンチＭＯＳゲート構造等が形成される（図１参照）。
　次に、ステップＳ２では、半導体基板の表面側に電極が形成される。たとえば、真空スパッタ法等により、ｐ＋型コンタクト層７およびｎ＋型エミッタ層１１等を覆うように、金属膜が形成される。フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によって、金属膜をパターニングすることで、エミッタ電極１９が形成される。エミッタ電極１９は、ｐ＋型コンタクト層７とｎ＋型エミッタ層１１とにオーミック接触する（図１参照）。
　次に、ステップＳ３では、半導体基板の第１主面を覆う表面保護膜が形成される。表面保護膜として、たとえば、窒化珪素膜等が形成される。また、たとえば、スピンコート法によって保護膜を形成するようにしてもよい。さらに、シート状の保護フィルムを使用してもよい。次に、ステップＳ４では、半導体基板の厚さが薄くされる。半導体基板の裏面（第２主面）を研削することによって、半導体基板の薄板化が行われる。半導体基板の厚さは、耐圧との関係で決定される。
　次に、ステップＳ５では、半導体基板の裏面側（第２主面側）に、拡散層が形成される。半導体基板の裏面から第１３族元素のイオンが注入される。なお、「第１３族元素」は、短周期型周期表では、「ＩＩＩ族元素」と表記される。半導体基板の表面側（第２主面側）に保護膜が形成された後、薬液によるウェット処理とプロトン照射とが行われる。その後、アニール処理を行うことで、ｎ型フィールドストップ層２１およびｐ＋型コレクタ層２３が形成される（図１参照）。この工程は、この発明の特徴的な部分であり、詳細については後述する。
　次に、ステップＳ６では、半導体基板の裏面側に電極が形成される。真空スパッタ法等により、ｐ＋型コレクタ層２３を覆うように金属膜を形成することによって、コレクタ電極２５が形成される。コレクタ電極２５は、ｐ＋型コレクタ層２３にオーミック接触する。これにより、ｎ型フィールドストップ層２１を有する、ＩＧＢＴを備えた半導体装置が完成する（図１参照）。
　この手法では、ステップＳ５を備えていることで、ｎ型フィールドストップ層内の照射欠陥が低減され、さらに、水素関連ドナーの活性化率の高いｎ型フィールドストップ層が形成される。次に、その半導体基板の裏面側に拡散層を形成する工程について、詳しく説明する。
　プロトン照射を用いて水素関連ドナーを形成する工程では、半導体基板に導入される照射欠陥の濃度と水素原子の濃度とのバランスが、水素関連ドナーの活性化率に影響する。ここで、活性化とは、プロトン照射によって半導体基板に形成された照射欠陥と水素原子とが反応することをいう。具体的には、照射欠陥のシリコンのダングリングボンドに、負に帯電した水素原子が結合することによって共有結合が形成されて、ダングリングボンドまたは水素原子から余った電子が１個放出されて、ドナーが形成されると推測される。また、活性化率とは、照射されるプロトンの量（分母）に対する、新たに発生したドナーの量（分子）の割合をいう。
　プロトン照射では、水素原子の分布は、プロトン照射の平均飛程付近に集中する。このため、その平均飛程よりも半導体基板の裏面側に近い領域では、水素原子が不足してしまう。つまり、その領域では、照射欠陥だけが形成されることになる。その結果、水素関連ドナーの活性化率が低くなってしまう。
　また、ダングリングボンドが水素原子によって終端されなかった照射欠陥は、半導体のエネルギーバンドの禁制帯内において不純物準位となってしまい、半導体装置の移動度低下または漏れ電流の増加に影響する。なお、漏れ電流とは、半導体チップ（半導体装置）に逆バイアスが印加された際に流れる電流のことをいい、照射欠陥から電子とホールとが発生することで電流が流れることになる。
　そのため、ダングリングボンドが終端されずに残留する照射欠陥を減らし、かつ活性化率の高いｎ型フィールドストップ層を形成するためには、半導体基板内に拡散する水素原子が多い方がよいことが、発明者の研究によって明らかになった。発明者は、この発見に基づき、ステップＳ５において、プロトン照射に加えて、ウェット処理を用いて、半導体基板の内部に水素原子を供給するという手法を見出した。
　図３に示すように、まず、ステップＴ１では、半導体基板の裏面からアクセプタイオンの注入が行われる。アクセプタイオンとしては、たとえば、ボロンイオンがあり、第１３族元素のイオンであれば、ボロンイオンに限られない。次に、レーザーアニールにより、半導体基板の表面側に影響しない局所的な熱処理を行うことによって、注入したアクセプタイオンを活性化させる。
　次に、ステップＴ２では、半導体基板を薬液に浸漬するウェット処理が行われる。このステップＴ２では、半導体基板の表面側に形成されたＩＧＢＴのエミッタ電極１９（図１参照）を薬液から保護するために、半導体基板の表面に保護フィルムが張り付けられる。この保護フィルムとしては、半導体基板の厚さを薄くする工程において、半導体基板の表面を保護するために用いられる保護フィルムを使用してよい。
　次に、半導体基板の表面に保護フィルムが張り付けられた状態で、半導体基板の裏面から半導体基板の内部に、水素原子を拡散させるウェット処理を行う。このウェット処理に使用する薬液は、たとえば、フッ酸等の酸を含む薬液が好ましい。このウェット処理は、室温のもとで行ってもよいが、水素原子の拡散量を増やすために、薬液の温度を５０～９０℃程度に加熱した状態で行うのが好ましい。なお、酸としては、フッ酸の他に、塩酸、硫酸または硝酸を用いてもよい。
　このウェット処理によって、半導体基板の内部に水素原子が導入される。水素原子は、プロトンイオンの注入において導入されたボロン原子と化学結合して、Ｂ－Ｈ結合を形成することがわかっている。Ｂ－Ｈ結合は、室温のもとで安定とされている。このため、ウェット処理を行った後に半導体基板を室温のもとで保持しても、水素原子が半導体基板の内部から蒸発してしまうことがない。こうして、ウェット処理を行うことによって、アクセプタイオンが注入されている半導体基板の領域に、水素原子が蓄積されることになる。
　次に、ステップＴ３では、半導体基板の裏面にプロトンが照射される。半導体装置の一連の工程では、プロトン照射はこの１回だけ行われるため、プロトンの平均飛程は、半導体基板の裏面から最も距離を隔てられたｎ型フィールドストップ層の深さの位置になる。このため、プロトン照射のエネルギーは、ＩＧＢＴに要求される耐圧を考慮して深さを決める必要がある。発明者によるシミュレーションソフトを用いた計算では、たとえば、プロトンの入射エネルギーが１ＭｅＶの場合、半導体基板の裏面からｎ型フィールドストップ層の端部（深さ）までの距離は約１６μｍになることが見積もられた。
　また、プロトンの照射量は多い方が、ｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度が高くなって望ましいが、照射量が増えるにしたがい、照射欠陥および工程コストも増加することになる。一方、プロトンの照射量が少ない場合には、照射欠陥が少なくなってしまい、ｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度を所望の濃度に設定することができなくなる。このため、発明者は、プロトン照射量を５×１０１１／ｃｍ２～１×１０１５／ｃｍ２に設定した。
　こうして、ウェット処理とプロトン照射とを行うことによって、半導体基板の裏面側の領域には、照射欠陥が形成され、水素原子が蓄積される。なお、上述した手法では、ウェット処理を行った後にプロトン照射を行う場合について説明したが、プロトン照射を行った後に、ウェット処理を行ってもよい。
　次に、ステップＴ４では、半導体基板に蓄積された水素原子を拡散させるために、半導体基板にアニール処理が行われる。アニール処理は、たとえば、拡散炉を使用して行われる。半導体基板には、不活性ガス雰囲気中において、３００℃～５００℃の温度のもとで、０．５時間～５時間のアニール処理が行われる。水素関連ドナーを効率よく活性化させるために、アニール処理の温度としては、３５０℃～４５０℃がより好ましい。一方、発明者は、温度が３００℃よりも低い場合と５００℃よりも高い場合、時間が０．５時間よりも短い場合と５時間よりも長い場合には、水素関連ドナーを効率的に形成することができないことを確認した。
　このアニール処理によって、プロトン照射により供給された水素原子は、半導体基板の内部から裏面に向かって拡散するとともに、半導体基板の内部から裏面とは反対側に向かって拡散する。また、ウェット処理により供給された水素原子は、半導体基板の裏面から半導体基板の内部に向かって拡散する。
　上述したように、半導体基板の裏面からプロトンの平均飛程の位置に至る領域（領域Ｒ）には、プロトンが照射されることによって、照射欠陥が形成されている。アニール処理の際には、プロトン照射により供給されて拡散する水素原子のうち、平均飛程の位置から半導体基板の裏面に向かって拡散する水素原子と、ウェット処理で供給されて、半導体基板の裏面から半導体基板の内部に向かって拡散する水素原子とが、その領域Ｒに形成された照射欠陥に捕獲されることになる。
　照射欠陥に水素原子が捕獲されることで、照射欠陥のシリコンのダングリングボンドが終端される。これにより、一部の照射欠陥が水素関連ドナーに変化されるのに加えて、移動度を低下させていた照射欠陥が電気的に不活性にされて、照射欠陥を低減することができる。また、プロトン照射が１回であることで、プロトン照射を複数回行う場合と比べて、製造コストの削減も図ることができる。
　次に、上述したステップＳ５について、濃度プロファイルを示して補足説明する。まず、図４に、アクセプタイオンを注入し、ウェット処理を行った後の、不純物（ボロン）の濃度および水素原子の濃度のそれぞれの、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。図４に示すように、ボロン（アクセプタイオン）は、半導体基板の裏面から、約１μｍ程度までの比較的浅い領域に分布していることがわかる（ＢＰ、ＨＷＰ参照）。ボロンは、水素原子を捕獲してＢ－Ｈ結合を形成する。そのため、水素原子は、ボロンの深さ方向の分布と相似した深さ方向の分布を有する。
　次に、図５に、プロトン照射後の、不純物（ボロン）の濃度および水素原子の濃度のそれぞれの、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。プロトン照射を行うと、半導体基板の内部には、水素原子が蓄積されるとともに照射欠陥が形成される。なお、水素原子が蓄積されている状態とは、半導体製造工程において混入するような微量な水素が存在する状態ではなく、注入されたアクセプタイオンと同程度の濃度の１×１０１６～１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある状態のことをさす。図５に示すように、水素原子は、半導体基板の裏面から約１６μｍ程度の平均飛程の位置に集中的に分布する（ＨＰＰ参照）。照射欠陥は、平均飛程の位置付近に集中的に分布するとともに、その平均飛程の位置付近から半導体基板の裏面に向かって減少する態様で分布する（ＤＰ参照）。
　次に、図６に、アニール処理後の、プロトン照射による水素原子の濃度およびウェット処理による水素原子の濃度のそれぞれの、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。図６に示すように、プロトン照射による水素原子の濃度およびウェット処理による水素原子の濃度のそれぞれは、半導体基板の深さ方向に分布が広がることがわかる。
　アニール処理によって、半導体基板の裏面から平均飛程の位置付近では、照射欠陥と水素原子とが反応することによって水素関連ドナーが発生する。また、ウェット処理によって導入され、半導体基板の裏面から内部へ向かって拡散する水素原子と、半導体基板の裏面と平均飛程の位置付近との間に形成された照射欠陥の一部とが反応し、水素関連ドナーが発生するのに加えて、移動度を低下させていた照射欠陥が電気的に不活性にされて、照射欠陥が低減される。
　上述した半導体装置の製造方法では、特許文献１および特許文献２において提案されている手法と比較して、ウェット処理によって、半導体基板の裏面から多量の水素原子が供給される。これにより、アニール処理後では、水素原子と照射欠陥とが反応して所望量の水素関連ドナーを発生させることができるとともに、照射欠陥を効果的に終端させて、半導体装置の移動度の低下および漏れ電流を抑制することができる。
　次に、上述した製造方法によって製造される半導体装置における各キャリア濃度について説明する。図７に、半導体装置における各領域の設計上のキャリア濃度のプロファイルを示し、図８に、実際に製造された半導体装置における各領域のキャリア濃度のプロファイルを示す。キャリア濃度のプロファイルは、一般的なＳＲ（Spreading　Resistance　Profiling）法によって取得できる。
　図７および図８に示すように、ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度のピークは、プロトンの平均飛程の位置にある。ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度は、その平均飛程の位置から半導体基板の裏面に向かって連続的に徐々に低下する。そのｎ型フィールドストップ層２１の内部では、水素原子が照射欠陥のシリコンのダングリングボンドを終端させており、キャリア移動度の低下の原因となる照射欠陥はなくなっている。
　実施の形態２．
　実施の形態２では、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の他の例について説明する。ここでは、荷電粒子としてヘリウムイオンを用いた製造方法について説明する。
　図９に、半導体基板の裏面側に拡散層を形成する工程のフローチャートを示す。図９に示すように、ステップＶ１では、アクセプタイオンの注入が行われる。ステップＶ２では、ウェット処理が行われる。ステップＶ３では、ヘリウムイオンが照射される。ステップＶ４では、アニール処理が行われる。これら一連のステップＶ１～Ｖ４のうち、ステップＶ３を除いて、ステップＶ１はステップＴ１と実質的に同じであり、ステップＶ２はステップＴ２と実質的に同じであり、ステップＶ４はステップＴ４と実質的に同じである。このため、ここでは、ステップＶ３について説明し、ステップＶ１、ステップＶ２およびステップＶ４については、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
　ステップＶ３では、半導体基板の裏面にヘリウムイオンが照射される。ヘリウムイオンのエネルギーは、ＩＧＢＴに要求される耐圧を考慮して深さを決める必要がある。発明者によるシミュレーションソフトを用いた計算では、たとえば、ヘリウムイオンの一例として、同位体の中でも存在量が多いとされるＨｅ４の場合では、Ｈｅ４の入射エネルギーが３．７５ＭｅＶの場合に、半導体基板の裏面からｎ型フィールドストップ層の端部（深さ）までの距離は約１６μｍになることが見積もられた。
　また、ヘリウムイオンの場合も、ヘリウムイオンの照射量は多い方が、ｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度が高くなって望ましいが、照射量が増えるにしたがい、照射欠陥および工程コストも増加することになる。一方、ヘリウムイオンの照射量が少ない場合には、照射欠陥が少なくなってしまい、ｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度を所望の濃度に設定することができなくなる。このため、発明者は、ヘリウムイオンの照射量を５×１０１０／ｃｍ２～１×１０１４／ｃｍ２に設定した。ここで、ヘリウムイオンの照射量を、プロトンの照射量よりも少なくした理由は、ヘリウムイオンのほうが、プロトンよりも多くの欠陥が形成されるためである。
　こうして、ウェット処理とヘリウムイオン照射とを行うことによって、半導体基板の裏面側の領域には、照射欠陥が形成され、水素原子が蓄積される。なお、上述した手法では、ウェット処理を行った後にヘリウムイオン照射を行う場合について説明したが、ヘリウムイオン照射を行った後に、ウェット処理を行ってもよい。
　次に、ステップＶ４では、半導体基板に蓄積された水素原子を拡散させるために、半導体基板にアニール処理が行われる。アニール処理は、たとえば、拡散炉を使用して行われる。半導体基板には、不活性ガス雰囲気中において、３００℃～５００℃の温度のもとで、０．５時間～５時間のアニール処理が行われる。水素関連ドナーを効率よく活性化させるために、アニール処理の温度としては、３５０℃～４５０℃がより好ましい。
　このアニール処理によって、ウェット処理により供給された水素原子は、半導体基板の裏面から半導体基板の内部に向かって拡散する。一方、プロトンを照射した場合と異なり、ヘリウムイオンを照射した場合は基板内に水素は入らない。
　上述したように、半導体基板の裏面からヘリウムイオンの平均飛程の位置に至る領域（領域Ｒ）には、ヘリウムイオンが照射されることによって、照射欠陥が形成されている。アニール処理の際には、ウェット処理で供給されて、半導体基板の裏面から半導体基板の内部に向かって拡散する水素原子が、その領域Ｒに形成された照射欠陥に捕獲されることになる。ヘリウムイオン照射では、ヘリウムイオンの平均飛程の位置から半導体基板の裏面へ向かって拡散する水素原子はない。
　照射欠陥に水素原子が捕獲されることで、照射欠陥のシリコンのダングリングボンドが終端される。これにより、一部の照射欠陥が水素関連ドナーに変化されるのに加えて、移動度を低下させていた照射欠陥が電気的に不活性にされて、照射欠陥を低減することができる。また、ヘリウムイオン照射が１回であることで、プロトン照射を複数回行う場合と比べて、製造コストの削減も図ることができる。
　上述したステップＶ１～Ｖ４は、図２に示すステップＳ５に対応する。次に、そのステップＳ５について、濃度プロファイルを示して補足説明する。前述したように、まず、図４に、アクセプタイオンを注入し、ウェット処理を行った後の、不純物（ボロン）の濃度および水素原子の濃度のそれぞれの、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。図４に示すように、ボロン（アクセプタイオン）は、半導体基板の裏面から、約１μｍ程度までの比較的浅い領域に分布していることがわかる（ＢＰ、ＨＷＰ参照）。ボロンは、水素原子を捕獲してＢ－Ｈ結合を形成する。そのため、水素原子は、ボロンの深さ方向の分布と相似した深さ方向の分布を有する。
　次に、図１０に、ヘリウムイオン照射後の、不純物（ボロン）の濃度および水素原子の濃度のそれぞれの、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。ヘリウムイオン照射を行うと、半導体基板の内部には、照射欠陥が形成される。照射欠陥は、平均飛程の位置付近に集中的に分布するとともに、その平均飛程の位置付近から半導体基板の裏面に向かって減少する態様で分布する（ＤＰ参照）。
　次に、図１１に、アニール処理後のウェット処理による水素原子の濃度の、半導体基板の裏面からの深さ方向の分布を示す。図１１に示すように、アニール処理後に、ウェット処理による水素原子の濃度は、半導体基板の深さ方向に分布が広がることがわかる。
　アニール処理によって、半導体基板の裏面から平均飛程の位置付近では、ウェット処理によって導入され、半導体基板の裏面から内部へ向かって拡散する水素原子と、半導体基板の裏面と平均飛程の位置付近との間に形成された照射欠陥の一部とが反応し、水素関連ドナーが発生するのに加えて、移動度を低下させていた照射欠陥が電気的に不活性にされて、照射欠陥が低減される。
　上述した半導体装置の製造方法では、特許文献１および特許文献２において提案されている手法と比較して、ウェット処理によって、半導体基板の裏面から多量の水素原子が供給される。これにより、アニール処理後では、水素原子と照射欠陥とが反応して所望量の水素関連ドナーを発生させることができるとともに、照射欠陥を効果的に終端させて、半導体装置の移動度の低下および漏れ電流を抑制することができる。
　次に、上述した製造方法によって製造される半導体装置における各キャリア濃度について説明する。図１２に、半導体装置における各領域の設計上のキャリア濃度のプロファイルを示し、図１３に、実際に製造された半導体装置における各領域のキャリア濃度のプロファイルを示す。
　図１２および図１３に示すように、ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度のピークは、プロトンの平均飛程の位置にある。ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度は、その平均飛程の位置から半導体基板の裏面に向かって連続的に徐々に低下する。そのｎ型フィールドストップ層２１の内部では、水素原子が照射欠陥のシリコンのダングリングボンドを終端させており、キャリア移動度の低下の原因となる照射欠陥はなくなっている。
　実施の形態３．
　ここでは、半導体装置として、ダイオードを備えた半導体装置を例に挙げて説明する。また、その製造方法として、荷電粒子としてプロトンを照射する場合について説明する。図１４に示すように、ダイオード２ｂを備えた半導体装置１では、半導体基板３の第１主面から一定の深さにわたり、ｐ＋型アノード層３１が形成されている。ｐ＋型アノード層３１に接するように、アノード電極３３が形成されている。
　半導体基板３の第２主面から一定の深さ（深さＤ）にわたり、ｎ＋型カソード層３５が形成されている。深さＤから深さＤよりも深い位置にわたり、ｎ型フィールドストップ層２１が形成されている。ｎ＋型カソード層３５に接触するように、カソード電極３７が形成されている。ｎ型フィールドストップ層２１とｐ＋型アノード層３１との間に、ｎ－型ドリフト層５が位置する。なお、ダイオードを備えた半導体装置では、ダイオードが形成されているセル領域に加えて、外周部分には、耐圧保持のための終端構造（図示せず）が形成されている。
　次に、上述した半導体装置の製造方法について説明する。ダイオードを備えた半導体装置は、前述したＩＧＢＴを備えた半導体装置の製造方法（図２参照）のうち、裏面拡散工程を除いて、実質的に同じ製造方法によって製造される。なお、裏面拡散工程の違いについては、後述する。
　まず、半導体基板３の表面側（第１主面側）に、拡散層が形成される。半導体基板３が投入された後、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程および反応性イオンエッチング工程等によって、半導体基板３の第１主面側に、ｐ＋型アノード層３１が形成される（図２のステップＳ１、図１４参照）。
　次に、半導体基板３の表面側に電極が形成される。たとえば、真空スパッタ法等により、ｐ＋型アノード層３１等を覆うように、金属膜が形成される。フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によって、金属膜をパターニングすることで、アノード電極３３が形成される。アノード電極３３は、ｐ＋型アノード層３１にオーミック接触する（図２のステップＳ２、図１４参照）。
　次に、半導体基板３の第１主面を覆う表面保護膜が形成される。表面保護膜として、たとえば、ポリイミド膜が形成される（図２のステップＳ３、図１４参照）。次に、半導体基板３の厚さが薄くされる。半導体基板３の裏面（第２主面）を研削することによって、半導体基板３の薄板化が行われる。半導体基板３の厚さは、耐圧との関係で決定される（図２のステップＳ４参照）。
　次に、半導体基板３の裏面側（第２主面側）に、拡散層として、ｎ型フィールドストップ層２１とｎ＋型カソード層３５とが形成される（図２のステップＳ５参照）。ｎ型フィールドストップ層２１を形成する工程については、後述する。
　次に、半導体基板３の裏面側に電極が形成される。真空スパッタ法等により、ｎ＋型カソード層３５を覆うように金属膜を形成することによって、カソード電極３７が形成される。カソード電極３７は、ｎ＋型カソード層３５にオーミック接触する。これにより、図１４に示すｎ型フィールドストップ層２１を有する、ダイオードを備えた半導体装置が完成する（図２のステップＳ６、図１４参照）。
　次に、半導体基板の裏面側に拡散層を形成する工程について、詳しく説明する。一般的に、ダイオードを備えた半導体装置では、ＩＧＢＴを備えた半導体装置とは異なり、半導体基板の裏面側にアクセプタイオンを注入する工程がない。そのため、ダイオードを備えた半導体装置では、半導体基板の裏面にアクセプタイオンを注入する工程を追加することになる。
　そこで、図１５に示すように、まず、ステップＵ１では、半導体基板の裏面からアクセプタイオンとして、たとえば、ボロンイオンが注入される。
　次に、ステップＵ２では、ｎ＋型カソード層となるドナーイオンが注入される。ドナーイオンとして、たとえば、リンイオンがある。次に、レーザーアニールにより、半導体基板の表面側に影響しない局所的な熱処理を行うことによって、注入したドナーイオンを活性化させる。このとき、アクセプタイオンの分布とドナーイオンの分布とを重ね合わせたときに、ｎ＋型カソード層が形成される領域内に位置するドナーイオンの濃度が、その領域内に位置するアクセプタイオンの濃度よりも１００倍以上高くなるように、あらかじめ注入条件（注入エネルギ、ドーズ量）を設定する。
　このような濃度関係にすることで、ｎ＋型カソード層の導電型をｎ型に維持した状態で、次に行われるウェット処理によって、水素原子を蓄積させることができるｎ＋型カソード層を形成することができる。つまり、Ｂ－Ｈ結合を行うことができるｎ＋型カソード層を形成することができる。
　なお、ここでは、アクセプタイオンがｎ＋型カソード層が形成される領域内に留まるように注入条件を設定したが、アクセプタイオンを、半導体基板の裏面から、ｎ＋型カソード層が形成される領域よりもさらに距離を隔てられた領域にまで分布させることもできる。この場合には、ｎ＋型カソード層が形成される領域よりもさらに距離を隔てられた領域におけるアクセプタイオンの濃度を、ｎ－型ドリフト層のキャリア濃度よりも１００分の１以下の濃度にすることが望ましい。これにより、アクセプタイオンを導入することで生じるｎ－型ドリフト層内のキャリア補償または欠陥が、半導体装置の特性に有意な影響を与えることを避けることができる。
　次に、ステップＵ３では、半導体基板を薬液に浸漬するウェット処理が行われる。このとき、半導体基板の表面側に形成されたダイオードのアノード電極３３（図１４参照）を薬液から保護するために、半導体基板の表面に保護フィルムが張り付けられる。
　次に、ステップＵ４では、半導体基板の裏面にプロトンが照射される。このとき、ステップＴ３（図３参照）について説明したように、プロトン照射量を５×１０１１／ｃｍ２～１×１０１５／ｃｍ２に設定することが望ましい。
　次に、ステップＵ５では、半導体基板に蓄積された水素原子を拡散させるために、半導体基板にアニール処理が行われる。このとき、ステップＴ４（図３参照）について説明したように、半導体基板には、不活性ガス雰囲気中において、３００℃～５００℃の温度のもとで、０．５時間～５時間のアニール処理が行われる。
　以上の工程によって製造された、ダイオードを備えた半導体装置では、ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度の分布は、前述したＩＧＢＴを備えた半導体装置におけるｎ型フィールドストップ層のキャリア濃度の分布と同じ分布を有する。したがって、ｎ型フィールドストップ層の内部では、水素原子が照射欠陥のダングリングボンドを終端させており、キャリア移動度の低下の原因となる照射欠陥はなくなっている。
　実施の形態４．
　実施の形態４では、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法の他の例について説明する。ここでは、荷電粒子としてヘリウムイオンを用いた製造方法について説明する。
　図１６に、半導体基板の裏面側に拡散層を形成する工程のフローチャートを示す。図１６に示すように、ステップＷ１では、アクセプタイオンの注入が行われる。ステップＷ２では、ドナーイオンの注入が行われる。ステップＷ３では、ウェット処理が行われる。ステップＷ４では、ヘリウムイオンが照射される。ステップＷ５では、アニール処理が行われる。これら一連のステップＷ１～Ｗ５のうち、ステップＷ４を除いて、ステップＷ１はステップＵ１と実質的に同じであり、ステップＷ２はステップＵ２と実質的に同じであり、ステップＷ３はステップＵ３と実質的に同じであり、ステップＷ５はステップＵ５と実質的に同じである。このため、ここでは、ステップＷ４について説明し、ステップＷ１～ステップＷ３およびステップＷ５については、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
　ステップＷ４では、半導体基板の裏面にヘリウムイオンが照射される。このとき、ステップＶ３（図９参照）について説明したのと同様に、ヘリウムイオンの照射量を５×１０１０／ｃｍ２～１×１０１４／ｃｍ２に設定することが望ましい。
　次に、ステップＷ５では、半導体基板に蓄積された水素原子を拡散させるために、半導体基板にアニール処理が行われる。このとき、ステップＶ４（図９参照）について説明したのと同様に、半導体基板には、不活性ガス雰囲気中において、３００℃～５００℃の温度のもとで、０．５時間～５時間のアニール処理が行われる。
　以上の工程によって製造された、ダイオードを備えた半導体装置では、ｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度の分布は、前述したＩＧＢＴを備えた半導体装置におけるｎ型フィールドストップ層２１のキャリア濃度の分布と同じ分布を有する。したがって、ｎ型フィールドストップ層２１の内部では、水素原子が照射欠陥のダングリングボンドを終端させており、キャリア移動度の低下の原因となる照射欠陥はなくなっている。
　なお、各実施の形態において説明した半導体装置については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。
　今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明は、フィールドストップ層を備えた半導体装置に有効に利用される。
　１　半導体装置、２ａ　ＩＧＢＴ、２ｂ　ダイオード、３　半導体基板、３ａ　トレンチ、５　ｎ－型ドリフト層、７　ｐ＋型コンタクト層、９　ｐ型ベース層、１１　ｎ＋型エミッタ層、１３　ゲート絶縁膜、１５　ゲート電極、１７　層間絶縁膜、１９　エミッタ電極、２１　ｎ型フィールドストップ層、２３　ｐ＋型コレクタ層、２５　コレクタ電極、３１　ｐ＋型アノード層、３３　アノード電極、３５　ｎ＋型カソード層、３７　カソード電極。

Claims (13)

  1. 　第１主面および第２主面を有し、第１キャリア濃度を有する第１導電型の半導体基板に対して、前記第１主面と前記第２主面との間において電流の導通を行う半導体素子を形成する工程を有し、
    　前記半導体素子を形成する工程は、
    　前記半導体基板の前記第２主面から、アクセプタイオンを注入する工程と、
    　前記アクセプタイオンが注入された前記半導体基板の領域内に水素原子を蓄積させるウェット処理を、前記半導体基板の前記第２主面から行う工程と、
    　前記半導体基板の前記第２主面から、荷電粒子を照射する工程と、
    　前記ウェット処理を行う工程および前記荷電粒子を照射する工程の後に、前記半導体基板にアニール処理を行うことにより、前記半導体基板の前記第１キャリア濃度よりも高い第２キャリア濃度を有する第１導電型のフィールドストップ層を形成する工程と
    を備えた、半導体装置の製造方法。
  2. 　前記アクセプタイオンを注入する工程では、前記アクセプタイオンとして第１３族元素のイオンが注入される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記ウェット処理を行う工程では、フッ酸を含む薬液が使用される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記荷電粒子を照射する工程では、ドーズ量が５×１０１１／ｃｍ２～１×１０１５／ｃｍ２の条件のもとで、前記荷電粒子としてプロトンが照射される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記荷電粒子を照射する工程では、ドーズ量が５×１０１０／ｃｍ２～１×１０１４／ｃｍ２の条件のもとで、前記荷電粒子としてヘリウムイオンが照射される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記アニール処理を行う工程では、不活性ガス雰囲気中において、アニール温度が３００℃～５００℃、アニール時間が０．５時間～５時間の条件のもとで行われる、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記半導体素子を形成する工程は、前記半導体基板の前記第２主面から前記フィールドストップ層までの領域に第２導電型のコレクタ層を形成する工程を含む、ＩＧＢＴを形成する工程を有する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記半導体素子を形成する工程は、前記半導体基板の前記第２主面からドナーイオンを注入することにより、前記半導体基板の前記第２主面から前記フィールドストップ層までの領域に第１導電型のカソード層を形成する工程を含む、ダイオードを形成する工程を有する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　第１導電型の半導体基板における第１主面と第２主面との間において電流の導通を行う半導体素子を備えた半導体装置であって、
    　第１キャリア濃度を有する前記半導体基板の前記第２主面から第１深さにわたり形成された不純物領域と、
    　前記半導体基板における前記第１深さの位置から前記第１深さよりも深い第２深さにわたり形成され、前記半導体基板の前記第１キャリア濃度よりも高い第２キャリア濃度を有する第１導電型のフィールドストップ層と
    を備え、
    　前記フィールドストップ層では、
    　前記第１深さと前記第２深さとの間に前記第２キャリア濃度の最大値があり、
    　前記第２キャリア濃度の前記最大値が位置する部分から前記第２主面へ向かって、前記第２キャリア濃度は低下する分布を示し、
    　前記フィールドストップ層に残留する照射欠陥の濃度は、前記半導体基板の前記第１キャリア濃度よりも低く、
    　前記不純物領域内に水素原子が蓄積された、半導体装置。
  10. 　前記フィールドストップ層に残留する前記照射欠陥の濃度は、前記半導体基板の前記第１キャリア濃度の１／１００以下である、請求項９記載の半導体装置。
  11. 　前記水素原子は、前記水素原子の濃度が、前記不純物領域の表面から前記不純物領域と前記フィールドストップ層との境界に向かって連続的に低下する分布を有する、請求項９記載の半導体装置。
  12. 　前記半導体素子は、ＩＧＢＴを含み、
    　前記不純物領域は、第２導電型のコレクタ層である、請求項９記載の半導体装置。
  13. 　前記半導体素子は、ダイオードを含み、
    　前記不純物領域は、第１導電型のカソード層である、請求項９記載の半導体装置。
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