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WO2019053869A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2019053869A1
WO2019053869A1 PCT/JP2017/033414 JP2017033414W WO2019053869A1 WO 2019053869 A1 WO2019053869 A1 WO 2019053869A1 JP 2017033414 W JP2017033414 W JP 2017033414W WO 2019053869 A1 WO2019053869 A1 WO 2019053869A1
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WO
WIPO (PCT)
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unit
control unit
power
processing
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/033414
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
朋之 山田
紺谷　忠司
重倫 手塚
Original Assignee
株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ filed Critical 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority to PCT/JP2017/033414 priority Critical patent/WO2019053869A1/ja
Priority to JP2019541589A priority patent/JPWO2019053869A1/ja
Priority to KR1020207004972A priority patent/KR20200033912A/ko
Publication of WO2019053869A1 publication Critical patent/WO2019053869A1/ja
Priority to US16/797,783 priority patent/US11289351B2/en

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Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus.
  • the transfer robot unit for transferring the substrate transfers the substrate into the processing chamber
  • the processing gas supply unit supplies the processing gas
  • the heating unit is heated to a predetermined temperature.
  • a substrate configured to perform a predetermined process such as a film formation process on a substrate in the process chamber (see, for example, Patent Document 1).
  • the present disclosure provides a technology capable of prolonging the life of the power supply necessary to control the operation of the substrate processing apparatus.
  • a processing chamber for processing substrates A processing gas supply unit for supplying a processing gas to the substrate; A heating unit for heating the substrate; A transfer robot unit that transfers the substrate; A first power supply unit connected to at least one of the processing gas supply unit, the heating unit, and each unit of the transfer robot unit; A first control unit provided between at least one of the units and the first power supply unit; A second power supply unit having two or more power supplies for driving the first control unit; The first control unit is provided between the first control unit and the second power supply unit, and the power ratio from each of the two or more power supplies in the second power supply unit is set to a predetermined value.
  • a second control unit for supplying power to the Technology is provided.
  • the life of the power supplies can be extended as compared to the case where only one power supply is used.
  • the substrate processing apparatus 1 shown here as an example is used in one step of the manufacturing process of a semiconductor device (semiconductor device), and CVD is performed on a substrate 2 such as a silicon wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). It performs predetermined processing such as processing.
  • An I / O stage (substrate storage container transfer unit) 5 on which a substrate storage container (hereinafter referred to as a "cassette") 3 called FOUP is mounted is provided on the front surface of the housing 4 of the substrate processing apparatus 1
  • the loading of the cassette 3 into the housing 4 and the unloading of the cassette 3 from inside the housing 4 are performed via the I / O stage.
  • a cassette shelf (storage means) 6 for storing the loaded cassette 3 is provided in the housing 4, and a loading area of a boat (substrate holder) 7 described later, which is a transfer area of the wafer 2.
  • An airtight chamber 8 is provided as an unloading space.
  • the interior of the hermetic chamber 8 is filled with an inert gas such as N 2 gas in order to prevent the native oxide film of the wafer 2.
  • a plurality of sets (two sets in the drawing) of cassette mounting stages (substrate storage container mounting means) 9 and 11 are provided on the front side of the airtight chamber 8, and the cassette mounting stages 9 and 11 of the airtight chamber 8
  • the cassette openers 12 and 13 (opening and closing means) are provided in the facing portion of the cassette.
  • the cassette openers 12 and 13 open and close a lid (not shown) for closing an opening provided on one side of the cassette 3, and the cassette openers 12 and 13 individually separate the cassettes 3 placed on the cassette placing stages 9 and 11. It can be opened and closed.
  • the transfer of the cassette 3 between the cassette mounting stages 9 and 11, the cassette shelf 6 and the I / O stage 5 is performed by the cassette transfer unit 14.
  • Air cleaned by a clean unit (not shown) provided in the housing 4 is sent to the transfer space 15 of the cassette 3 by the cassette transfer unit 14.
  • a boat 7 as a substrate holder on which a plurality of wafers 2 are loaded horizontally in multiple stages is provided inside the hermetic chamber 8, and the notch (or orientation flat) of the wafer 2 is set at an arbitrary position.
  • a substrate alignment device 16 for aligning, and further, a wafer transfer machine for transferring the wafer 2 between the cassette 3 on the cassette mounting stages 9 and 11, the substrate alignment device 16 and the boat 7 (substrate transfer Part) 17 is provided.
  • a processing furnace 18 for processing the wafer 2 is provided at the upper part of the hermetic chamber 8, and a furnace port which is a lower end opening of the processing furnace 18 is opened and closed by a furnace port gate valve 19.
  • a boat elevator (lifting and lowering unit) 21 is provided below the processing furnace 18 for loading the boat 7 into the processing furnace 18 or unloading the processing furnace 18 with the furnace port gate valve 19 open.
  • the cassette transfer unit 14, the wafer transfer unit 17 and the boat elevator 21 function as a “transfer robot unit” which transfers the wafer 2 in the housing 4 of the substrate processing apparatus 1.
  • the processing furnace 18 has an outer tube made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ), for example.
  • the outer tube has a hollow cylindrical shape, and an inner tube whose upper and lower ends are open is concentrically disposed in the outer tube.
  • a boat 7 on which a plurality of wafers 2 are horizontally stacked in multiple stages is carried (boat loading) into the inner tube of the processing furnace 18 by the boat elevator 21.
  • the seal cap airtightly closes (seals) the lower end of the outer tube through the O-ring.
  • the boat 7 carried into the processing furnace 18 is rotated by the rotation mechanism 20. In this state, predetermined processing such as CVD processing is performed on the wafers 2 held by the boat 7 as described later. That is, the processing furnace 18 functions as a “processing chamber” for processing the wafer 2.
  • a heater 33 as a heating means is concentrically disposed on the outer periphery of the outer tube in the processing furnace 18.
  • the heater 33 is for heating the wafer 2 in the processing furnace 18 to a predetermined temperature.
  • the degree of energization of the heater 33 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor (not shown) so that the processing furnace 18 has a predetermined temperature distribution. That is, the heater 33 functions as a “heating unit” that heats the wafer 2.
  • processing gas supply unit for supplying gas into the processing furnace 18 and an exhaust system for exhausting the inside of the processing furnace 18 are connected to the processing furnace 18 (all are not shown). Details of these will be described later.
  • the predetermined processing is performed on the wafer 200 in one process of the manufacturing process of the semiconductor device (semiconductor device) as described above.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a processing container 202.
  • the processing container 202 is formed of, for example, a metal material such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS) or quartz, and is formed as a flat sealed container having a circular cross section.
  • the processing container 202 includes an upper container 202a and a lower container 202b, and a partition part 204 is provided between them.
  • a space surrounded by the upper container 202 a above the partition portion 204 functions as a processing space (hereinafter also referred to as “processing chamber”) 201 for processing the wafer 200. That is, the substrate processing apparatus 100 has a function as the processing chamber 201 for processing the wafer 2.
  • a space surrounded by the lower container 202 b in a space below the partition portion 204 functions as a transfer space (also referred to as a transfer chamber) 203 for transferring the wafer 200.
  • a transfer space also referred to as a transfer chamber
  • a substrate loading / unloading port 1480 adjacent to the gate valve 1490 is provided on the side surface of the lower container 202b, and a transfer chamber (not shown) with the wafer 200 via the substrate loading / unloading port 1480. It is supposed to move between.
  • a plurality of lift pins 207 are provided at the bottom of the lower container 202b. Furthermore, the lower container 202b is grounded.
  • a substrate support unit (susceptor) 210 for supporting the wafer 200 is provided.
  • the susceptor 210 includes a substrate mounting table 212 having a mounting surface 211 on which the wafer 200 is mounted.
  • the substrate mounting table 212 incorporates a temperature control unit 213 that adjusts the temperature of the wafer 200 on the mounting surface 211.
  • the temperature adjustment unit 213 is configured to maintain the wafer 200 at a predetermined temperature by heating or cooling the wafer 200 on the mounting surface 211. That is, the temperature adjustment unit 213 functions at least as a “heating unit” that heats the wafer 200.
  • a temperature control unit 400 that controls the temperature to be adjusted is connected to the temperature adjustment unit 213.
  • the substrate mounting table 212 incorporates a bias electrode 256 for applying a bias voltage in the processing chamber 201.
  • An impedance adjustment unit 257 for adjusting a bias voltage to be applied is connected to the bias electrode 256.
  • through holes 214 through which the lift pins 207 pass are provided at positions corresponding to the lift pins 207, respectively.
  • the substrate mounting table 212 is supported by a shaft 217.
  • the shaft 217 penetrates the bottom of the processing container 202, and is further connected to the elevating mechanism 218 outside the processing container 202.
  • the substrate mounting table 212 can be moved up and down by operating the lifting mechanism 218. That is, the elevating mechanism 218 functions as a “transfer robot unit” which transfers the wafer 200 on the substrate mounting table 212.
  • the periphery of the lower end portion of the shaft 217 is covered by a bellows 219, and the inside of the processing chamber 201 is kept airtight.
  • the substrate mounting table 212 is lowered such that the substrate mounting surface 211 is at the substrate loading / unloading port 1480 (wafer transfer position) when the wafer 200 is transferred, and the wafer 200 is in the processing chamber 201 when the wafer 200 is processed. Ascend to the processing position (wafer processing position). Specifically, when the substrate mounting table 212 is lowered to the wafer transfer position, the upper end portion of the lift pin 207 protrudes from the upper surface of the substrate mounting surface 211, and the lift pin 207 supports the wafer 200 from below. There is.
  • the lift pins 207 are buried from the upper surface of the substrate mounting surface 211, and the substrate mounting surface 211 supports the wafer 200 from below.
  • the lift pins 207 are in direct contact with the wafer 200, it is desirable that the lift pins 207 be formed of, for example, a material such as quartz or alumina.
  • a gas inlet 241 for supplying various gases into the processing chamber 201 is provided in the upper part of the processing chamber 201, and a common gas supply pipe 242 is connected to the gas inlet 241.
  • the configuration of the processing gas supply unit connected to the gas inlet 241 via the common gas supply pipe 242 will be described in detail later.
  • a shower head 231 having a dispersion plate 234 is disposed in the upper portion of the processing chamber 201 in order to disperse the path 232 of the gas supplied from the gas inlet 241 and diffuse the path 232 evenly into the processing chamber 201. ing. At least the matching unit 251 and the high frequency power supply 252 are connected to the support member 244 of the dispersion plate 234 so that electromagnetic waves (high frequency power and microwaves) can be supplied. Thus, the gas supplied into the processing chamber 201 can be excited into plasma through the dispersion plate 234.
  • An exhaust port 221 as a first exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing chamber 201 is provided on the upper surface of the inner wall of the processing chamber 201 (upper container 202a).
  • An exhaust pipe 224a as a first exhaust pipe is connected to the exhaust port 221, and a pressure regulator 227 such as an APC (Auto Pressure Controller) that controls the inside of the processing chamber 201 to a predetermined pressure is connected to the exhaust pipe 224a.
  • the vacuum pumps 223 are connected in series in order.
  • the exhaust port 221, the exhaust pipe 224, and the pressure regulator 227 mainly constitute a first exhaust unit (exhaust line) which is one of the exhaust systems.
  • the vacuum pump 223 may be configured to be included in the first exhaust unit.
  • a transfer chamber exhaust port 1481 as a second exhaust unit for exhausting the atmosphere of the transfer chamber 203 is provided.
  • An exhaust pipe 1482 as a second exhaust pipe is connected to the transfer chamber exhaust port 1481, and a pressure regulator 228 such as APC for controlling the inside of the transfer chamber 203 to a predetermined pressure is connected to the exhaust pipe 1482.
  • Vacuum pumps (but not shown) are connected in series in order.
  • the transfer chamber exhaust port 1481, the exhaust pipe 1482, and the pressure regulator 228 mainly constitute a second exhaust unit (exhaust line) which is another exhaust system.
  • a vacuum pump (not shown) may be included in the second exhaust unit.
  • the same configuration is provided to the vertical substrate processing apparatus 1 described above, so that exhaust from the inside of the processing furnace 18 is performed. It shall be done.
  • Processing gas supply unit First, a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the wafer 200 will be described with reference to FIG.
  • the processing gas supply unit in the single-wafer type substrate processing apparatus 100 will be described as an example, but the same configuration can be applied to the vertical substrate processing apparatus 1 as well.
  • a first gas supply pipe 113a, a second gas supply pipe 123a, and a third gas supply pipe 133a are connected to a common gas supply pipe 242 communicating with the processing chamber 201 via the gas inlet 241.
  • the first gas supply pipe 113a is provided with a first gas supply source 113, a mass flow controller (MFC) 115 which is a flow rate controller (flow rate control unit), and a valve 116 which is an on-off valve in this order from the upstream direction. There is. Then, the gas containing the first element (the first processing gas) from the first gas supply source 113 is transferred to the processing chamber 201 via the MFC 115, the valve 116, the first gas supply pipe 113a, and the common gas supply pipe 242. Supplied.
  • the first processing gas for example, a silicon-containing gas such as TEOS (Tetraethoxysilane) gas is used. However, the present invention is not limited to this, and other types of gas may be used.
  • the second gas supply source 123, the MFC 125, and the valve 126 are provided in the second gas supply pipe 123a sequentially from the upstream direction. Then, from the second gas supply source 123, a gas (second processing gas) containing a second element different from the first element contained in the first processing gas is the MFC 125, the valve 126, the second gas supply pipe 123a, The gas is supplied to the processing chamber 201 via the common gas supply pipe 242.
  • the second process gas for example, an oxygen-containing gas such as an O 3 gas is used.
  • the present invention is not limited to this, and other types of gas may be used.
  • the third gas supply source 133, the MFC 135, and the valve 136 are provided in the third gas supply pipe 133a sequentially from the upstream direction. Then, an inert gas is supplied from the third gas supply source 133 to the processing chamber 201 via the MFC 135, the valve 136, the third gas supply pipe 133a, and the common gas supply pipe 242.
  • the inert gas is, for example, N 2 gas.
  • a rare gas such as He gas, Ne gas, Ar gas or the like can be used as the inert gas.
  • the processing gas supply unit having such a configuration, the first processing gas, the second processing gas, or the inert gas is supplied to the wafer 200 in the processing chamber 201 as necessary.
  • the lifting mechanism 218 functioning as a transfer robot unit transfers the wafer 200 into the processing chamber 201, and functions as a heating unit for the wafer 200 in the processing chamber 201.
  • the temperature adjustment unit 213 performs heating and the like, and the processing gas supply unit supplies the processing gas, thereby performing predetermined processing on the wafer 200 in the processing chamber 201.
  • the vertical substrate processing apparatus 1 the boat elevator 21 transports the wafer 2 to the processing furnace 18 as a processing chamber, and the heater 33 functioning as a heating unit heats the wafer 2 in the processing furnace 18.
  • the processing gas supply unit supplies the processing gas, thereby performing predetermined processing on the wafer 2 in the processing furnace 18.
  • Such operations such as wafer transfer, heating, processing gas supply and the like can also affect the human body of the apparatus operator.
  • the substrate processing apparatus 1, 100 incorporates a safety interlock unit for ensuring safe use of the apparatus operator.
  • the safety interlock unit supplies the electron microscope when any abnormality (for example, a time-out error of a predetermined operation) is detected in at least one of the transfer robot unit performing the operation described above, the heating unit, and the processing gas supply unit. Shut off to stop the operation.
  • any abnormality for example, a time-out error of a predetermined operation
  • a driving motor 301 of the lifting mechanism 218 and its driving motor 301 Between the first power supply unit 302 connected to the first power supply unit 302 that supplies power to the drive motor 301, a first control unit 303 including an electric and electronic circuit that performs switching operation is provided.
  • the first control unit 303 can detect the presence or absence of an abnormality in accordance with a predetermined determination criterion regarding the operation of the lifting mechanism 218, and supply power from the first power supply unit 302 to the drive motor 301 when the occurrence of the abnormality is detected.
  • the first control unit 303 is connected to a second power supply unit 304 that supplies power necessary for the operation of the first control unit 303.
  • the second power supply unit 304 is configured to have two power supplies 304 a and 304 b for driving the first control unit 303.
  • the case where the two power supplies 304a and 304b are provided is taken as an example, but three or more power supplies may be provided. That is, the second power supply unit 304 may have two or more power supplies.
  • a second control unit 305 including a protection circuit or the like for controlling power supply from the second power supply unit 304 to the first control unit 303 is provided between the first control unit 303 and the second power supply unit 304.
  • the second control unit 305 supplies the power ratio from each of the two or more power supplies 304a and 304b in the second power supply unit 304 when supplying power from the second power supply unit 304 to the first control unit 303, as described later. It is configured to be adjustable.
  • the second control unit 305 can set the power ratio from each of the two or more power supplies 304a and 304b to a predetermined value (for example, 50%: 50%), and in that state Power can be supplied to the first control unit 303.
  • the same configuration example is also used to control the operation of the heating unit, the processing gas supply unit, etc. Apply.
  • the drive motor 301 may be configured as a safety interlock unit that controls the operations of the cassette transfer device 14, the wafer transfer device 17, the boat elevator 21, the rotation mechanism 20, and the like.
  • the same configuration example may be applied to control the operation of the heating unit, the processing gas supply unit, and the like.
  • controller Next, with reference to FIG. 6, the controller 260 that controls the operation of the above-described units will be described.
  • the controller 260 in the single-wafer type substrate processing apparatus 100 will be described as an example, but the same configuration can be applied to the vertical substrate processing apparatus 1.
  • the controller 260 is for controlling the overall operation of the substrate processing apparatus 100, and in addition to the transfer robot unit, the heating unit and the processing gas supply unit described above, the first control unit 303 and the second control unit of the safety interlock unit. It is also connected to the control unit 305, and functions as a "third control unit" by being connected to each of these.
  • the controller 260 is configured as a computer including a central processing unit (CPU) 260 a, a random access memory (RAM) 260 b, a storage device 260 c, and an I / O port 260 d.
  • the RAM 260b, the storage device 260c, and the I / O port 260d are configured to be able to exchange data with the CPU 260a via the internal bus 260e.
  • the controller 260 is configured to be connectable to an input / output device 261 configured as, for example, a touch panel or the like, and an external storage device 262.
  • the input / output device 261 can input information to the controller 260, and the input / output device 261 functions as a “display unit” that outputs and displays information in accordance with the control of the controller 260. Furthermore, the controller 260 is configured to be connectable to the network 263 through the reception unit 285. This means that the controller 260 can also be connected to a host device 290 such as a host computer existing on the network 263.
  • the storage device 260 c is configured by, for example, a flash memory, a hard disk drive (HDD), or the like.
  • a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100, a process recipe in which the procedure and conditions of the substrate processing described later are described, and a process recipe used for processing the wafer 200 are set. Arithmetic data and processing data generated in the process are stored readably.
  • the process recipe is a combination of processes so as to cause the controller 260 to execute each procedure in the substrate processing process described later and obtain a predetermined result, and functions as a program.
  • the process recipe, the control program and the like are collectively referred to simply as a program.
  • the RAM 260 b is configured as a memory area (work area) in which a program read by the CPU 260 a, operation data, processing data, and the like are temporarily stored.
  • the I / O port 260d includes a gate valve 1490, an elevation mechanism 218, pressure regulators 227 and 228, a vacuum pump 223, MFCs 115, 125 and 135, valves 116, 126 and 136, a temperature control unit 400, an impedance adjustment unit 257, The high frequency power supply 252, the first control unit 303, the second control unit 305, and the like are connected.
  • the CPU 260a as an arithmetic unit reads out and executes a control program from the storage device 260c, and reads out a process recipe from the storage device 260c in response to an input of an operation command from the input / output device 261 or the like.
  • calculation data can be calculated by comparing and calculating the set value input from the reception unit 285 and the process recipe and control data stored in the storage device 260c.
  • it is comprised so that execution processing etc. of decision processing of corresponding processing data (process recipe) etc. are possible from operation data.
  • the CPU 260a performs the opening / closing operation of the gate valve 1490, the elevation operation of the elevation mechanism 218, the voltage adjustment of the impedance adjustment unit 257, the matching operation of the power of the matching unit 251, the high frequency according to the contents of the read process recipe.
  • the control unit 305 and the like are configured to perform operation control and the like.
  • the controller 260 is not limited to being configured as a dedicated computer, and may be configured as a general-purpose computer.
  • an external storage device storing the above program for example, a magnetic disk, a magnetic disk such as a flexible disk or hard disk, an optical disk such as a CD or DVD, a magnetooptical disk such as MO, a semiconductor memory such as a USB memory or memory card
  • the controller 260 according to the present embodiment can be configured by preparing the program 262 and installing a program in a general-purpose computer using the external storage device 262.
  • the means for supplying the program to the computer is not limited to the case of supplying via the external storage device 262.
  • the program may be supplied using communication means such as the network 263 (the Internet or a dedicated line) without using the external storage device 262.
  • the storage device 260 c and the external storage device 262 are configured as computer readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium.
  • recording medium when the term "recording medium" is used, when only the storage device 260c alone is included, only the external storage device 262 alone may be included, or both of them may be included.
  • wafer when the word “wafer” is used, it means “wafer itself”, “a wafer and a predetermined layer or film formed on the surface thereof, and a laminate thereof "Body" (that is, when a predetermined layer or film formed on the surface is referred to as a wafer).
  • surface of wafer when the term “surface of wafer” is used in this specification, it means “surface (exposed surface) of wafer itself” or “surface of a predetermined layer or film or the like formed on the wafer” That is, it may mean “the outermost surface of the wafer as a laminate”.
  • the description “supplying a predetermined gas to a wafer” means “supplying a predetermined gas directly to the surface (exposed surface) of the wafer itself” or This may mean that "a predetermined gas is supplied to a layer, a film, or the like formed on the wafer, that is, the outermost surface of the wafer as a laminate”.
  • a predetermined gas is supplied to a layer, a film, or the like formed on the wafer, that is, the outermost surface of the wafer as a laminate.
  • a film forming process for forming a film on the wafer surface by CVD process or the like In the processing operation performed by the substrate processing apparatus 100 in the substrate processing step, a film forming process for forming a film on the wafer surface by CVD process or the like, and the processing operation is stopped when any abnormality is detected during the processing operation.
  • Safety interlock processing and monitoring control processing for optimizing the safety interlock processing.
  • the wafer 200 to be processed is loaded into the processing chamber 201. Specifically, after the wafer 200 is mounted on the lift pins 207, the substrate mounting table 212 is lifted by the lifting mechanism 218 to mount the wafer 200 on the substrate mounting surface 211, and the wafer 200 is mounted. It is positioned at the processing position (wafer processing position) in the processing chamber 201.
  • the pressure in the processing chamber 201 is set to a predetermined pressure (vacuum degree), and the wafer 200 on the mounting surface 211 is specified based on the temperature value detected by the temperature sensor (not shown).
  • the heating amount by the temperature adjustment unit 213 built in the substrate mounting table 212 is feedback controlled so as to be the temperature.
  • the first processing gas such as TEOS gas is supplied to the processing chamber 201 at a predetermined flow rate through the first gas supply pipe 113a etc., and the second gas supply pipe 123a etc.
  • a second process gas such as O 3 gas is supplied to the process chamber 201 at a predetermined flow rate through the same.
  • a predetermined film such as a silicon oxide film (SiO film) is formed on the surface of the wafer 200 by the CVD process.
  • plasma of the processing gas is generated in the processing chamber 201.
  • the processed wafer is subjected to a purge process in the process chamber 201 by the supply of the inert gas through the third gas supply pipe 133 a and the like, a temperature reduction process in the process chamber 201 using the temperature adjustment unit 213, etc.
  • An unloading process from the inside of the processing chamber 201 is performed to complete a series of processing operations for the wafer 200.
  • the safety interlock unit monitors the safety of the operation. Specifically, in the process of performing the above-described film formation process, the safety interlock unit monitors the presence or absence of any abnormality occurrence, and when the occurrence of the abnormality is detected, the processing operation is stopped by cutting off the power supply. It has become. For example, with regard to the elevation mechanism 218 functioning as a transfer robot unit, the wafer 200 is transferred by the power supply from the first power supply unit 302, but the power supply is controlled by the first control unit 303.
  • the operation of the drive motor 301 of the lifting and lowering mechanism 218 is stopped by interrupting the power supply from the first power supply unit 302.
  • the power supply is controlled in the same manner for the temperature adjustment unit 213 for heating the wafer 200 and the like, the processing gas supply unit for supplying the processing gas to the wafer 200, and the like.
  • the safety interlock unit performing such control processing, for example, power is supplied from the second power supply unit 304 also to the first control unit 303 which controls the control processing. That is, the first control unit 303 needs the power supply from the second power supply unit 304 in order to control the power supply from the first power supply unit 302. If the power supply from the second power supply unit 304 is interrupted, the first control unit 303 controls the object to be controlled regardless of the detection of occurrence of abnormality in order to eliminate the possibility of not functioning as a safety interlock unit. In the state in which the operation which becomes is stopped, that is, the function stop state (shutdown state) is made.
  • the function stop state shutdown state
  • the power supply to the first control unit 303 is preferably performed by a long-life power supply, and a power supply having excellent resistance to failure and the like.
  • the power supply to the first control unit 303 is preferably performed by a long-life power supply, and a power supply having excellent resistance to failure and the like.
  • the second power supply unit 304 that supplies power to the first control unit 303 has two or more power supplies 304a and 304b, and also performs the first control.
  • a second control unit 305 is provided between the unit 303 and the second power supply unit 304. Then, each of two or more power supplies 304a and 304b supplies power to the first control unit 303, and the second control unit 305 adjusts the power ratio from each of the power supplies 304a and 304b.
  • the power ratio is controlled by the second control unit 305 so as to be a predetermined value such as 50%: 50%, for example, when the second power supply unit 304 has two power supplies 304a and 304b. .
  • the power ratio may be determined in advance, and is not limited to a specific value. After performing such adjustment of the power ratio, power supply to the first control unit 303 in the adjusted state is performed.
  • the second power supply unit 304 uses only one power supply if the power ratio from the two or more power supplies 304a and 304b is adjusted to a predetermined value when supplying power to the first control unit 303. As compared with the case where it does, the power supply quantity per one of each power source 304a, 304b is restrained, as a result, the life of each power source 304a, 304b can be lengthened. That is, by adjusting the power ratio from the two or more power supplies 304a and 304b and performing power supply in parallel, the lifespan of each of the power supplies 304a and 304b can be extended.
  • any one of the respective power supplies 304a and 304b may be temporarily provided. Even if a failure occurs or the battery reaches its end of life (hereinafter simply referred to as “a failure etc.”), the power supply from the one where no failure or the like has occurred is continued. It can be avoided that the power supply to the control unit 303 is completely cut off.
  • the second power supply unit 304 has two or more power supplies 304a and 304b, and the second control unit 305 sets the power ratio from each of the power supplies 304a and 304b to a predetermined value. Power supply to the first control unit 303. Therefore, the life of the second power supply unit 304 that supplies the power can be extended, and a failure in the second power supply unit 304 can be achieved. Resistance to the like can be made excellent.
  • any one of the power supplies 304a and 304b may be temporarily output. Even if a failure or the like occurs in the case, the power supply to the first control unit 303 is not completely cut off. However, it is not preferable that the balance of the power ratio between the power supplies 304a and 304b is broken by this, and the influence thereof affects the film forming process and the like, and as a result, the film forming quality is deteriorated. From this, in the present embodiment, the following monitoring control processing is performed in order to make the safety interlock processing appropriate.
  • the second control unit 305 when supplying power to the first control unit 303, the second control unit 305 sets the power ratio from the power supplies 304a and 304b of the second power supply unit 304 to a predetermined value (for example, 50%: 50). Adjust to%).
  • the second control unit 305 measures the power value from each of the power supplies 304a and 304b at a preset timing (for example, each time a predetermined time passes) (step 101). The following steps are abbreviated as "S”. Then, the second control unit 305 obtains the power ratio (that is, the balance of the power values) between the power supplies 304a and 304b from the measured power value, and the power ratio falls within the range of the first predetermined value.
  • the first predetermined value may be, for example, 70% at the upper limit and 30% at the lower limit.
  • the second control unit 305 determines whether or not the power values of the respective power supplies 304a and 304b fall within the range of the upper limit 70% to the lower limit 30% when converted as the power ratio between them. It will be done.
  • the first predetermined value is not limited to the upper limit 70% to the lower limit 30%, and may be appropriately set.
  • the second control unit 305 continuously repeats the above-described processing (S101 to S102).
  • the second control unit 305 performs the first detection as detection data to that effect.
  • the data is transmitted to the controller 260 functioning as a third control unit.
  • the controller 260 When receiving the first detection data from the second control unit 305, the controller 260 performs alarm notification using the input / output device 261 functioning as a display unit (S103). In addition, based on the instruction selected on the alarm screen described later, after completing all the processes in progress including the film forming process etc., continue the next film forming process or the next film forming process Is stopped (S104).
  • the alarm notification is performed by displaying and outputting an alarm screen on the display screen of the input / output device 261. That is, when the alarm notification is required, the input / output device 261 switches the displayed operation screen to the alarm screen while following the control instruction from the controller 260.
  • the alarm screen is a screen for notifying an apparatus operator of an alarm related to substrate processing being processed. Specifically, as shown in FIG. 8, the screen is for allowing the apparatus operator to select whether to continue the processing on the wafer 200 or to stop the processing on the wafer 200. That is, the input / output device 261 displays an alarm screen as a screen for selecting whether or not the next substrate processing needs to be started (specifically, whether or not the next substrate processing needs to be started after the substrate processing being processed is completed) Are displayed and output as alarm notification to the device operator.
  • the controller 260 continues the process. That is, the next substrate processing is started.
  • the controller 260 stops all processing after completion of the substrate processing currently being processed, and sets the state where maintenance work etc. can be performed on the substrate processing apparatus 100. . That is, without starting the next substrate processing, a maintenance operation or the like on the substrate processing apparatus 100 can be performed.
  • the power ratio from the power supplies 304a and 304b of the second power supply unit 304 changes with time, and the balance of the power ratios exceeds the range of the first predetermined value. Then, the alarm notification to the apparatus operator is performed by displaying and outputting an alarm screen for selecting whether or not to start the next substrate processing. Therefore, it is possible to allow the apparatus operator to select whether to start the next substrate processing, and even if a failure or the like occurs in any of the power supplies 304a and 304b, the effect is satisfied. It can be avoided in advance that it reaches membrane processing etc.
  • the damage to the substrate includes, for example, cracking of the wafer 200 due to abnormal operation of the lift mechanism 218 as the transfer robot unit, cracking of the wafer 200 due to abnormal cooling by the temperature adjustment unit 213, and film peeling on the surface thereof.
  • the film characteristics on the surface of the wafer 200 may become unclear due to interruption of the film formation process.
  • the power values from the respective power supplies 304a and 304b are measured (S201), and the power ratio is It is determined whether it is within the range of a predetermined value of 1 (for example, upper limit 70% to lower limit 30%) (S202). Then, as a result of this determination, if the power ratio is within the range of the first predetermined value (Y determination of S202), the above-described process is continuously repeated (S201 to S202).
  • a predetermined value of 1 for example, upper limit 70% to lower limit 30%
  • the power ratio when it is detected that the power ratio exceeds the range of the first predetermined value (N judgment of S202), in the second sequence example, the power ratio further falls within the range of the second predetermined value. It is judged whether it is inside (S203).
  • the second predetermined value is set to a value different from the first predetermined value described above, and more specifically, to a value defining a range wider than the first predetermined value.
  • the upper limit is 80% and the lower limit is It can be considered to be 20%.
  • the second control unit 305 determines whether or not the power values of the power supplies 304a and 304b fall within the range of the upper limit 80% to the lower limit 20% when converted as the power ratio between them. It will be done.
  • the second predetermined value is not limited to the upper limit 80% to the lower limit 20%, and may be set appropriately.
  • the second control unit 305 transmits the first detection data to the controller 260, as in the case of the first sequence example described above.
  • the controller 260 When receiving the first detection data from the second control unit 305, the controller 260 performs alarm notification using the input / output device 261 as in the case of the first sequence example described above (S204). In addition, based on the instruction selected on the alarm screen, after completing all the processes in progress including the film forming process etc., continue the next film forming process or stop the next film forming process (S205). This enables the apparatus operator to select whether or not to start the next substrate processing, and even if a failure or the like occurs in any of the power supplies 304a and 304b, the effect is It is possible to prevent in advance the film forming process and the like.
  • the second control unit 305 When it is detected that the power ratio has exceeded not only the range of the first predetermined value but also the range of the second predetermined value (N determination in S203), the second control unit 305 The second detection data, which is detection data to that effect, is transmitted to the controller 260 functioning as a third control unit.
  • the second control unit 305 detects that the power ratio has exceeded the second predetermined value range (N judgment in S102), at least one of the power supplies 304a and 304b is turned off. Power supply switching (ie, switching of the power supply state) is performed to turn on at least one of the other power supplies 304a and 304b (S206), and in this state, the first control unit 303 is Make sure to supply power.
  • the second control unit 305 causes the measurement result of the power value to be temporally lower than the lower limit (for example, 20%) of the second predetermined value.
  • the power supply to the first control unit 303 is prevented from being performed in the off state (for example, 0%) for the smaller one.
  • the on state for example, 100%
  • the second power supply unit 304 has three or more power supplies, for example, when only one power supply fails to reach the lower limit of the second predetermined value, the other two or more remaining power supplies are not
  • the power supply may be shared to maintain the on state (100%). That is, even when the second control unit 305 deviates from the range of the second predetermined value, the second control unit 305 appropriately switches the on / off state of each power supply 304a, 304b to adjust the power ratio from each power supply 304a, 304b. , And the power supply to the first control unit 303 is not cut off.
  • the controller 260 when receiving the second detection data from the second control unit 305, the controller 260 performs alarm notification using the input / output device 261 (S207). In addition, based on the instruction selected on the alarm screen, after completing all the processes in progress including the film forming process etc., continue the next film forming process or stop the next film forming process (S208).
  • the alarm notification is performed by displaying and outputting an alarm screen on the display screen of the input / output device 261.
  • the alarm screen at this time may be one that is displayed and output according to the first detection data (that is, the same as in the case of the first sequence example described above). As long as it is for alerting
  • By performing such alarm notification even if a failure or the like occurs in any one of the power supplies 304a and 304b, it is possible to prevent the influence from being applied to a film forming process or the like. be able to.
  • the controller 260 causes the maintenance information screen to be displayed and output on the display screen of the input / output device 261 instead of the alarm screen or in combination with the alarm screen. May be
  • the maintenance information screen is a screen for notifying the apparatus operator that maintenance of any one of the power sources 304a and 304b of the second power source unit 304 is required as maintenance information regarding the power source. Specifically, as shown in FIG. 11, it indicates that maintenance for one of the power supplies 304 a and 304 b is necessary, and shifts the substrate processing apparatus 100 to the maintenance mode or calls a person in charge of maintenance. Is a screen for allowing the device operator to select
  • the power ratio from each of the power supplies 304a and 304b deviates from the range of the second predetermined value, and a failure or the like occurs in any of the respective power supplies 304a, 304b. Even if there is a high possibility, it is possible to promptly respond to maintenance for repairing the failure or the like.
  • the controller 260 When displaying the maintenance information screen on the input / output device 261, the controller 260 transmits maintenance data to the effect that maintenance is necessary to the host device 290 existing on the network 263 through the receiving unit 285. May be If maintenance data is transmitted to the upper apparatus 290 that manages the operation of the substrate processing apparatus 100, the upper apparatus 290 can perform processing utilizing the maintenance data, and maintenance can be performed more quickly and appropriately. It is possible to realize the response to
  • the balance of the power ratio from each of the power supplies 304 a and 304 b of the second power supply unit 304 exceeds the range of the first predetermined value
  • the balance of the power ratio is second If it exceeds the second predetermined value range, at least one of the power supplies 304a and 304b is turned off and the other at least one is turned on.
  • the power supply is switched to be in the state, and the power supply to the first control unit 303 is performed in this state.
  • the first control unit 303 There is no loss of power supply.
  • the balance of the power ratio from each of the power supplies 304a and 304b exceeds the range of the first predetermined value, but the balance of the power ratio is within the second predetermined value range. Even when it exceeds, alarm notification to the equipment operator is performed. Therefore, it is possible to allow the apparatus operator to select whether to start the next substrate processing, and even if a failure or the like occurs in any of the power supplies 304a and 304b, the effect is satisfied. It can be avoided in advance that it reaches membrane processing etc.
  • the maintenance information screen is displayed on the display screen of the input / output device 261 , Sends the maintenance data to the host device 290. Therefore, even if there is a high possibility that a failure or the like occurs in any of the power supplies 304a and 304b, it is possible to promptly and appropriately respond to maintenance for repairing the failure or the like. .
  • the second power supply unit 304 has two or more power supplies 304a and 304b, and the second control unit 305 adjusts the power ratio from each of the power supplies 304a and 304b to a predetermined value. Then, the power supply to the first control unit 303 is performed. Therefore, the life of the second power supply unit 304 for supplying power to the first control unit 303 can be extended, and the tolerance to a failure or the like in the second power supply unit 304 can be made excellent. That is, by setting the power ratio from the two or more power supplies 304a and 304b to a predetermined value, the life of the power supply necessary for operation control can be extended as compared with the case where only one power supply is used.
  • the alarm notification is performed even when the balance of the power ratio from the two or more power supplies 304a and 304b exceeds the range of the second predetermined value, so that the influence of the failure of each of the power supplies 304a and 304b becomes a film It is possible to prevent in advance the processing and the like.
  • the film forming process such as the CVD process for forming the SiO film on the wafer surface has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. That is, the present invention can be applied to film formation processes other than the thin film exemplified in the above-described embodiment, in addition to the film formation process exemplified in the above-described embodiment. Further, the specific content of the substrate processing is not limited, and when performing other substrate processing such as heat treatment (annealing treatment), plasma treatment, diffusion treatment, oxidation treatment, nitridation treatment, lithography treatment as well as film formation treatment. Is also applicable.
  • heat treatment annealing treatment
  • plasma treatment plasma treatment
  • diffusion treatment diffusion treatment
  • oxidation treatment oxidation treatment
  • nitridation treatment lithography treatment
  • the second power supply unit 304 mainly includes the two power supplies 304a and 304b has been described as an example, but the present invention is not limited to this and has two or more. What has been done is as already described.
  • the following processing operations can be accommodated.
  • FIG. 12 when operating the substrate processing apparatus 1, 100, at least one of the two or more power supplies is in a power supply state, and at least one other power supply B is supplied. Stopped. At this time, another power supply may be in a power supply state, in which case the power ratio is adjusted between the power supply A and the other power supply.
  • the second control unit sets the power supply A to the power supply stop state while setting the power source B to the power supply state. 305 performs power supply switching. In this way, even if there is a failure or the like in the power supply A, power supply is performed by the power supply B, so continuous operation of the substrate processing apparatus 1, 100 becomes possible. That is, since long-term continuous operation of the substrate processing apparatus 1, 100 can be realized, as a result, the reliability of the substrate processing apparatus 1, 100 can be generally improved.
  • a processing chamber for processing substrates A processing gas supply unit for supplying a processing gas to the substrate; A heating unit for heating the substrate; A transfer robot unit that transfers the substrate; A first power supply unit connected to at least one of the processing gas supply unit, the heating unit, and each unit of the transfer robot unit; A first control unit provided between at least one of the units and the first power supply unit; A second power supply unit having two or more power supplies for driving the first control unit; The first control unit is provided between the first control unit and the second power supply unit, and the power ratio from each of the two or more power supplies in the second power supply unit is set to a predetermined value.
  • a second control unit for supplying power to the A substrate processing apparatus is provided.
  • a third control unit connected to each of the processing gas supply unit, the heating unit, the transfer robot unit, the first control unit, and the second control unit;
  • a display unit that performs display output according to control of the third control unit;
  • the second control unit transmits first detection data to the third control unit when detecting that the power ratio of the two or more power supplies deviates from a first predetermined range.
  • the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the third control unit causes the display unit to display an alarm screen related to substrate processing during processing when the first detection data is received.
  • the second control unit detects that the power ratio of the two or more power supplies deviates from a second predetermined range
  • the second control unit transmits second detection data to the third control unit and the two or more power supplies. Turning off at least one of the two or more of the two or more power supplies to supply power to the first control unit,
  • the substrate processing apparatus according to Appendix 2, wherein the third control unit causes the display unit to display an alarm screen related to substrate processing during processing when the second detection data is received.
  • the alarm screen is a screen for selecting whether or not to start the next substrate processing.
  • the substrate processing apparatus according to Appendix 2 or 3 is provided.
  • the second control unit detects that the power ratio of the two or more power supplies deviates from a second predetermined range
  • the second control unit transmits second detection data to the third control unit and the two or more power supplies. Turning off at least one of the two or more of the two or more power supplies to supply power to the first control unit,
  • the substrate processing apparatus according to any one of appendices 2 to 4, wherein the third control unit causes the display unit to display a maintenance information screen regarding a power supply when the second detection data is received.
  • the substrate processing apparatus according to Appendix 5, wherein the maintenance information screen is a screen for notifying that maintenance of any of the two or more power supplies is required.
  • the substrate processing apparatus according to Appendix 4 or 5, wherein the third control unit causes the display unit to display a maintenance information screen and transmits maintenance data to a host apparatus connected to the third control unit.
  • a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the substrate, a heating unit for heating the substrate, and a transfer robot unit for transferring the substrate
  • the first power supply unit supplies power from the first power supply unit connected to at least one of the plurality of power supply units, and the first control unit provided between at least one of the units and the first power supply unit supplies power from the first power supply unit.
  • a method of manufacturing a semiconductor device is provided.
  • Procedures for processing the substrate In the processing of the substrate, at least one of a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the substrate, a heating unit for heating the substrate, and a transfer robot unit for transferring the substrate,
  • the first power supply unit supplies power from the first power supply unit connected to at least one of the plurality of power supply units, and the first control unit provided between at least one of the units and the first power supply unit supplies power from the first power supply unit.
  • Procedures to control the While supplying power from the second power supply unit having two or more power sources for driving the first control unit to the first control unit, and supplying the power, the first control unit and the second power supply unit A second control unit provided between the second and third power supply units to set the power ratio from each of the two or more power supplies in the second power supply unit to a predetermined value;
  • a program is provided that causes the substrate processing apparatus to execute the program.
  • Procedures for processing the substrate In the processing of the substrate, at least one of a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the substrate, a heating unit for heating the substrate, and a transfer robot unit for transferring the substrate,
  • the first power supply unit supplies power from the first power supply unit connected to at least one of the plurality of power supply units, and the first control unit provided between at least one of the units and the first power supply unit supplies power from the first power supply unit.
  • a computer readable recording medium storing a program that causes a substrate processing apparatus to execute the program is provided.

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Abstract

基板を処理する処理室と、基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、基板を加熱する加熱部と、基板を搬送する搬送ロボット部と、処理ガス供給部、加熱部および搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、各部の少なくともいずれかと第１電源部との間に設けられた第１制御部と、第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、第１制御部と第２電源部との間に設けられ、第２電源部における二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、を有する技術が提供される。

Description

基板処理装置
　本開示は、基板処理装置に関する。
　半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置は、基板を搬送する搬送ロボット部が処理室内に基板を搬送し、処理ガス供給部が処理ガスを供給するとともに、加熱部が所定温度に加熱することで、その処理室内の基板に対して成膜処理等の所定処理を行うように構成されたものが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第２０１６／０１７６８５号
　本開示は、基板処理装置の動作制御に必要な電源の寿命を長くすることができる技術を提供する。
　一態様によれば、
　基板を処理する処理室と、
　前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
　前記基板を加熱する加熱部と、
　前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
　前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
　前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
　前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
　を有する技術が提供される。
　本開示に係る技術によれば、二つ以上の電源からの電力比率を所定値とすることで、一つの電源のみを使用した場合と比べて、電源の寿命を長くすることができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例を模式的に示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有する処理ガス供給部の構成例を模式的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有する安全インターロック部の構成例を模式的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第１のシーケンス例を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が表示出力するアラーム画面の一具体例を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第２のシーケンス例を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第２のシーケンス例での電力比率制御の一具体例を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が表示出力するメンテナンス情報画面の一具体例を示す説明図である。 本発明に係る基板処理装置が行う電力供給制御の変形例を示す説明図である。
＜本発明の一実施形態＞
　以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（１）基板処理装置の概略構成の一例
　先ず、図１および図２を参照しつつ、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例について説明する。ここでは、基板処理装置の一例として、縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
　ここで例に挙げる基板処理装置１は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程で用いられるもので、シリコンウエハ等の基板（以下、単に「ウエハ」という。）２に対して、ＣＶＤ処理等の所定処理を行うものである。
　基板処理装置１の筐体４の前面には、ＦＯＵＰと呼ばれる基板収納容器（以下「カセット」という。）３が載置されるＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）５が設けられており、そのＩ／Ｏステージを介して筐体４内へのカセット３の搬入および筐体４内からのカセット３の搬出が行われるようになっている。また、筐体４内には、搬入されたカセット３を保管するカセット棚（保管手段）６が設けられているとともに、ウエハ２の搬送エリアであり後述のボート（基板保持具）７のローディング、アンローディング空間となる気密室８が設けられている。なお、気密室８の内部は、ウエハ２の自然酸化膜を防止すべく、Ｎ２ガス等の不活性ガスが充填されるようになっている。
　気密室８の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）９，１１が複数組（図示では２組）設けられており、気密室８のカセット載置ステージ９，１１との対峙部分には、それぞれカセットオープナ１２，１３（開閉手段）が設けられている。カセットオープナ１２，１３は、カセット３の一側面に設けられた開口部を塞ぐ蓋体（図示せず）を開閉するもので、カセット載置ステージ９，１１に載置された各カセット３について個別に開閉可能となっている。
　カセット載置ステージ９，１１、カセット棚６およびＩ／Ｏステージ５の間のカセット３の搬送は、カセット搬送機１４によって行われる。カセット搬送機１４によるカセット３の搬送空間１５には、筐体４に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気が送られるようになっている。
　また、気密室８の内部には、複数のウエハ２を水平多段に積載する基板保持具としてのボート７が設けられているとともに、ウエハ２のノッチ（またはオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合せ装置１６が設けられており、さらにはカセット載置ステージ９，１１上のカセット３、基板位置合せ装置１６およびボート７の間でウエハ２の搬送を行うウエハ移載機（基板搬送部）１７が１組設けられている。
　また、気密室８の上部には、ウエハ２を処理するための処理炉１８が設けられており、その処理炉１８の下端開口部である炉口が炉口ゲートバルブ１９によって開閉される。そして、処理炉１８の下方には、炉口ゲートバルブ１９の開状態でボート７を処理炉１８へローディングまたは処理炉１８からアンローディングするボートエレベータ（昇降部）２１が設けられている。
　これらカセット搬送機１４、ウエハ移載機１７およびボートエレベータ２１は、基板処理装置１の筐体４内でウエハ２を搬送する「搬送ロボット部」として機能するものである。
　処理炉１８は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなるアウタチューブを有している。アウタチューブは有天筒状であり、そのアウタチューブ内には上端および下端が開放されたインナチューブが同心に配置されている。そして、処理炉１８のインナチューブ内には、ボートエレベータ２１によって、複数のウエハ２を水平多段に積載したボート７が搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップがＯリングを介してアウタチューブの下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。また、処理炉１８内に搬入されたボート７は、回転機構２０によって回転されるようになっている。その状態で、ボート７に保持されたウエハ２に対して、後述するように、ＣＶＤ処理等の所定処理が行われる。
　つまり、処理炉１８は、ウエハ２を処理する「処理室」として機能するものである。
　処理炉１８におけるアウタチューブの外周には、加熱手段としてのヒータ３３が同心に配置されている。ヒータ３３は、処理炉１８内のウエハ２を所定の温度に加熱するためのものである。この際、処理炉１８が所定の温度分布となるように、温度センサ（図示せず）が検出した温度情報に基づきヒータ３３への通電具合がフィードバック制御される。
　つまり、ヒータ３３は、ウエハ２を加熱する「加熱部」として機能するものである。
　なお、処理炉１８には、処理炉１８内へのガス供給を行う処理ガス供給部と、処理炉１８内からの排気を行う排気系とが接続されているが（いずれも図示せず）、これらについては詳細を後述する。
（２）基板処理装置の概略構成の他の例
　続いて、図３を参照しつつ、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成の他の例について説明する。ここでは、基板処理装置の他の例として、枚葉型の基板処理装置を適用した場合について述べる。
　ここで例に挙げる基板処理装置１００についても、上述したものと同様に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程において、ウエハ２００に対して所定処理を行うものである。
　基板処理装置１００は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料または石英により、横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂとを備えており、これらの間に仕切部２０４が設けられている。
　仕切部２０４よりも上方の上部容器２０２ａに囲まれた空間は、ウエハ２００を処理する処理空間（以下「処理室」ともいう。）２０１として機能する。つまり、基板処理装置１００は、ウエハ２を処理する処理室２０１としての機能を有している。
　一方、仕切部２０４よりも下方の空間の下部容器２０２ｂに囲まれた空間は、ウエハ２００を移載するための搬送空間（移載室ともいう）２０３として機能する。移載室２０３として機能するために、下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、その基板搬入出口１４８０を介してウエハ２００が図示しない搬送室との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは、接地されている。
　処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部（サセプタ）２１０が設けられている。サセプタ２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１を有した基板載置台２１２を備える。
　基板載置台２１２は、載置面２１１上のウエハ２００の温度を調整する温度調整部２１３を内蔵している。温度調整部２１３は、載置面２１１上のウエハ２００に対する加熱または冷却を行うことによって、そのウエハ２００を所定温度に維持するように構成されている。つまり、温度調整部２１３は、少なくとも、ウエハ２００を加熱する「加熱部」として機能するものである。なお、温度調整部２１３には、調整する温度を制御する温度制御部４００が接続されている。
　また、基板載置台２１２は、温度調整部２１３に加えて、処理室２０１内にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極２５６を内蔵している。そして、バイアス電極２５６には、印加するバイアス電圧を調整するためのインピーダンス調整部２５７が接続されている。
　さらに、基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
　基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらには処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。そして、昇降機構２１８を作動させることで、基板載置台２１２を昇降させることが可能に構成されている。つまり、昇降機構２１８は、基板載置台２１２上のウエハ２００を搬送する「搬送ロボット部」として機能するものである。シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。
　基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８０の位置（ウエハ搬送位置）となるように下降し、ウエハ２００の処理時には、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナ等の材質で形成することが望ましい。
　処理室２０１の上部には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられており、そのガス導入口２４１に共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２を介してガス導入口２４１に接続される処理ガス供給部の構成については、詳細を後述する。
　また、処理室２０１の上部には、ガス導入口２４１から供給されるガスの経路２３２を分散させて処理室２０１内に均等に拡散させるために、分散板２３４を有したシャワーヘッド２３１が配されている。分散板２３４の支持部材２４４には、少なくとも整合器２５１と高周波電源２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成される。これにより、分散板２３４を通じて、処理室２０１内に供給されるガスを励起してプラズマ化し得るようになっている。
　処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁上面には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての排気口２２１が設けられている。排気口２２１には、第１排気管としての排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２２７、真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、排気口２２１、排気管２２４、圧力調整器２２７により、排気系の一つである第１排気部（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３を第１排気部に含めるように構成してもよい。
　移載室２０３の側面下部には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気部としての移載室排気口１４８１が設けられている。移載室排気口１４８１には、第２排気管としての排気管１４８２が接続されており、排気管１４８２には、移載室２０３内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２８、真空ポンプ（ただし不図示）が順に直列に接続されている。主に、移載室排気口１４８１、排気管１４８２、圧力調整器２２８により、排気系の他の一つである第２排気部（排気ライン）が構成される。なお、図示しない真空ポンプを第２排気部に含めるように構成してもよい。
　なお、上述した排気系のうち、特に第１排気部については、上述した縦型基板処理装置１にも同様の構成が設けられており、これにより処理炉１８内からの排気を行うように構成されているものとする。
（３）各例に共通の構成
　次に、上述した縦型基板処理装置１および枚葉型の基板処理装置１００に共通する構成について説明する。
（処理ガス供給部）
　先ず、図４を参照しつつ、ウエハ２００に処理ガスを供給する処理ガス供給部について説明する。ここでは、枚葉型の基板処理装置１００における処理ガス供給部を例に挙げて説明するが、縦型基板処理装置１においても同様の構成を適用することが可能である。
　処理室２０１とガス導入口２４１を介して連通する共通ガス供給管２４２には、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａおよび第３ガス供給管１３３ａが接続されている。
　第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、および、開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。そして、第１ガス供給源１１３から、第１元素を含有するガス（第１処理ガス）が、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、第１ガス供給管１１３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
　第１処理ガスとしては、例えば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）ガス等のシリコン含有ガスが用いられる。ただし、これに限られることはなく、他の種類のガスを用いても構わない。
　第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、および、バルブ１２６が設けられている。そして、第２ガス供給源１２３から、第１処理ガスが含有する第１元素とは異なる第２元素を含有するガス（第２処理ガス）が、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、第２ガス供給管１２３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
　第２処理ガスとしては、例えば、Ｏ３ガス等の酸素含有ガスが用いられる。ただし、これに限られることはなく、他の種類のガスを用いても構わない。
　第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、および、バルブ１３６が設けられている。そして、第３ガス供給源１３３から、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、第３ガス供給管１３３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
　ここで、不活性ガスは、例えば、Ｎ２ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いることができる。
　このような構成の処理ガス供給部を有することで、処理室２０１内のウエハ２００には、第１処理ガス、第２処理ガスまたは不活性ガスが、必要に応じて供給されることになる。
（安全インターロック部）
　次いで、図５を参照しつつ、縦型基板処理装置１または枚葉型の基板処理装置１００が有する安全インターロック部について説明する。
　例えば、枚葉型の基板処理装置１００においては、搬送ロボット部として機能する昇降機構２１８が処理室２０１内にウエハ２００を搬送し、その処理室２０１内のウエハ２００に対して、加熱部として機能する温度調整部２１３が加熱等を行うとともに、処理ガス供給部が処理ガスを供給し、これにより処理室２０１内のウエハ２００に対する所定処理を行うようになっている。このことは、縦型基板処理装置１においても同様である。すなわち、例えば、縦型基板処理装置１では、ボートエレベータ２１が処理室としての処理炉１８にウエハ２を搬送し、処理炉１８内のウエハ２に対して、加熱部として機能するヒータ３３が加熱等を行うとともに、処理ガス供給部が処理ガスを供給し、これにより処理炉１８内のウエハ２に対する所定処理を行うようになっている。このようなウエハ搬送、加熱、処理ガス供給等の動作は、装置オペレータの人体に影響を及ぼすことも有り得る。このことから、基板処理装置１，１００には、装置オペレータの安全な使用を確保するための安全インターロック部が組み込まれている。
　安全インターロック部は、上述した動作を行う搬送ロボット部、加熱部および処理ガス供給部の各部の少なくともいずれかに関して、何らかの異常（例えば、所定動作のタイムアウトエラー）を検出した場合に、電顕供給の遮断によりその動作を停止させるものである。
　具体的には、例えば枚葉型の基板処理装置１００における搬送ロボット部としての昇降機構２１８に関する構成例であれば、図５に示すように、昇降機構２１８の駆動モータ３０１と、その駆動モータ３０１に接続されて当該駆動モータ３０１への電力供給を行う第１電源部３０２との間に、スイッチング動作を行う電気電子回路からなる第１制御部３０３が設けられている。第１制御部３０３は、昇降機構２１８における動作に関して、所定の判断基準に従いつつ異常発生の有無を検出し得るとともに、異常発生を検出した場合に第１電源部３０２から駆動モータ３０１への電力供給を遮断するように構成されたものである。
　第１制御部３０３には、その第１制御部３０３が動作するために必要な電力供給を行う第２電源部３０４が接続されている。第２電源部３０４は、第１制御部３０３を駆動させる二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有して構成されている。なお、ここでは、二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有している場合を例に挙げているが、三つ以上を有していてもよい。つまり、第２電源部３０４は、二つ以上の電源を有しているものであればよい。
　また、第１制御部３０３と第２電源部３０４との間には、第２電源部３０４から第１制御部３０３への電力供給を制御する保護回路等からなる第２制御部３０５が設けられている。第２制御部３０５は、後述するように、第２電源部３０４から第１制御部３０３への電力供給にあたり、第２電源部３０４における二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を調整し得るように構成されている。具体的には、第２制御部３０５は、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を所定値（例えば、５０％：５０％）となるようにすることができ、その状態で第１制御部３０３への電力供給をさせ得るようになっている。
　なお、ここでは、昇降機構２１８の駆動モータ３０１の動作を制御する安全インターロック部の構成例を説明したが、加熱部や処理ガス供給部等の動作を制御する場合にも、同様の構成例を適用すればよい。このことは、枚葉型の基板処理装置１００のみならず、縦型基板処理装置１においても同様である。例えば、駆動モータ３０１で、カセット搬送機１４、ウエハ移載機１７、ボートエレベータ２１、回転機構２０等の動作を制御する安全インターロック部として構成してもよい。また、加熱部や処理ガス供給部等の動作を制御する場合にも、同様の構成例を適用すればよい。
（コントローラ）
　次いで、図６を参照しつつ、上述した各部の動作を制御するコントローラ２６０について説明する。ここでは、枚葉型の基板処理装置１００におけるコントローラ２６０を例に挙げて説明するが、縦型基板処理装置１においても同様の構成を適用することが可能である。
　コントローラ２６０は、基板処理装置１００の全体の動作を制御するためのもので、上述した搬送ロボット部、加熱部および処理ガス供給部に加えて、安全インターロック部の第１制御部３０３および第２制御部３０５にも接続されており、これらのそれぞれに接続されることで「第３制御部」として機能するようになっている。
　具体的には、コントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２が接続可能に構成されている。入出力装置２６１からはコントローラ２６０に対して情報入力を行い得るとともに、入出力装置２６１はコントローラ２６０の制御に従って情報の表示出力を行う「表示部」として機能するようになっている。さらに、コントローラ２６０には、受信部２８５を通じてネットワーク２６３が接続可能に構成されている。このことは、コントローラ２６０がネットワーク２６３上に存在するホストコンピュータ等の上位装置２９０とも接続可能であることを意味する。
　記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、ウエハ２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
　Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１４９０、昇降機構２１８、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、温度制御部４００、インピーダンス調整部２５７、整合器２５１、高周波電源２５２、第１制御部３０３、第２制御部３０５、等に接続されている。
　演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６０ｃに記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、インピーダンス調整部２５７の電圧調整、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源２５２のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５の動作制御、バルブ１１６，１２６，１３６のオンオフ制御、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、第１制御部３０３や第２制御部３０５等についての動作制御、等を行うように構成されている。
　なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、かかる外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。ただし、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。
（４）基板処理工程
　次に、上述した縦型基板処理装置１または枚葉型の基板処理装置１００における処理動作例について説明する。以下の説明では、枚葉型の基板処理装置１００における処理動作を例に挙げるが、縦型基板処理装置１においても同様の処理動作を行うことが可能である。ここで例に挙げて説明する処理動作は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として行うもので、ウエハに対する所定処理を行う基板処理工程を構成するものである。
　なお、本明細書において、「ウエハ」という文言を用いた場合には、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等とその積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という文言を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハに形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
　したがって、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハに形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。
　また、本明細書において「基板」という文言を用いた場合も「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。
　基板処理装置１００が基板処理工程で行う処理動作には、ＣＶＤ処理等によりウエハ面上への膜形成を行う成膜処理と、処理動作中に何らかの異常を検出した場合にその処理動作を停止して安全を確保する安全インターロック処理と、その安全インターロック処理の適切化を図るための監視制御処理と、が含まれる。以下、これらの各処理について順に説明する。
　なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ２６０により制御される。
（成膜処理）
　成膜処理に際しては、先ず、処理対象となるウエハ２００を処理室２０１に搬入する。具体的には、ウエハ２００をリフトピン２０７上に載置させた後、昇降機構２１８によって基板載置台２１２を上昇させて、ウエハ２００を基板載置面２１１上に載置させるとともに、そのウエハ２００を処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）に位置させる。
　ウエハ２００をウエハ処理位置に位置させたら、処理室２０１内を所定圧力（真空度）とするとともに、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、載置面２１１上のウエハ２００が所定温度となるように、基板載置台２１２に内蔵された温度調整部２１３による加熱量をフィードバック制御する。
　そして、処理室２０１内の雰囲気が安定したら、第１ガス供給管１１３ａ等を介してＴＥＯＳガス等の第１処理ガスを所定流量で処理室２０１に供給するとともに、第２ガス供給管１２３ａ等を介してＯ３ガス等の第２処理ガスを所定流量で処理室２０１に供給する。これにより、処理室２０１内では、ＣＶＤ処理によってウエハ２００の面上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）等の所定膜が成膜されることになる。また、必要に応じて、整合器２５１および高周波電源２５２を利用して処理室２０１内に高周波電力等を供給することで、処理室２０１内に処理ガスのプラズマを発生させる。
　その後は、第３ガス供給管１３３ａ等を介した不活性ガスの供給による処理室２０１内のパージ処理や、温度調整部２１３を利用した処理室２０１内の降温処理等を経て、処理済のウエハ２００の処理室２０１内からの搬出処理を行って、そのウエハ２００に対する一連の処理動作を終了する。
（安全インターロック処理）
　上述した一連の手順を経る成膜処理に際して、基板処理装置１００には安全インターロック部が具備されていることから、その安全インターロック部によって動作の安全性が監視されている。具体的には、上述した成膜処理を行っている過程で、安全インターロック部が何らかの異常発生の有無を監視しており、異常発生を検出すると、電力供給の遮断により処理動作を停止させるようになっている。
　例えば、搬送ロボット部として機能する昇降機構２１８については、第１電源部３０２からの電力供給によってウエハ２００の搬送を行うが、その電力供給が第１制御部３０３によって制御されている。そして、第１制御部３０３が異常発生を検出すると、第１電源部３０２からの電力供給を遮断することで、昇降機構２１８の駆動モータ３０１の動作を停止させる。
　ウエハ２００への加熱等を行う温度調整部２１３や、ウエハ２００への処理ガス供給を行う処理ガス供給部等についても、全く同様に電力供給が制御される。
　このような制御処理を行う安全インターロック部では、例えば、その制御処理を司る第１制御部３０３に対しても、第２電源部３０４から電力供給がされるようになっている。つまり、第１制御部３０３は、第１電源部３０２からの電力供給の制御処理を行うために、第２電源部３０４からの電力供給を必要とする。仮に、第２電源部３０４からの電力供給が途絶えた場合には、安全インターロック部として機能しないおそれを排除するために、第１制御部３０３は、異常発生の検出有無にかかわらず、制御対象となる動作を停止させた状態、すなわち機能停止状態（シャットダウン状態）とするようになっている。
　機能停止状態の頻繁な発生は、基板処理装置１００が行う成膜処理等の生産性を損なうおそれがある。また、機能停止状態の発生によって、成膜処理等の内容にも悪影響が及んでしまい、その処理結果の品質の低下等を招いてしまうおそれもある。したがって、基板処理装置１００が動作するために必要とする電力供給の中でも、特に第１制御部３０３に対する電力供給については、長寿命な電源によって行うことが好ましく、また故障等に対する耐性に優れた電源によって行うことが好ましい。
　このことを鑑み、本実施形態における安全インターロック部は、第１制御部３０３への電力供給を行う第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しているとともに、第１制御部３０３と第２電源部３０４との間に第２制御部３０５が設けられている。そして、第１制御部３０３に対して、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれがいずれも電力供給を行うとともに、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を調整する。電力比率は、例えば、第２電源部３０４が二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有している場合であれば、５０％：５０％といった所定値になるように、第２制御部３０５によって制御される。なお、電力比率は予め定められていればよく、特定の値に限定されるものではない。このような電力比率の調整を行った上で、第１制御部３０３に対しては、その調整後の状態での電力供給が行われることになる。
　このように、第１制御部３０３への電力供給にあたり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値とするように調整すれば、第２電源部３０４が一つの電源のみを使用した場合と比べて、各電源３０４ａ，３０４ｂの一つあたりの電力供給量が抑えられ、その結果として各電源３０４ａ，３０４ｂの寿命を長くすることができる。つまり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を調整した上で並列的に電力供給を行うことで、各電源３０４ａ，３０４ｂの長寿命化が図れるのである。
　しかも、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、これらの各電源３０４ａ，３０４ｂから並列的に電力供給を行えば、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障が発生したり寿命を迎えたりした場合（以下、これらを単に「故障等」という。）であっても、故障等が発生していないものからの電力供給が継続されるので、第１制御部３０３への電力供給が完全に途絶えてしまうのを回避することができる。
　つまり、本実施形態における安全インターロック部では、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値に調整した上で、第１制御部３０３への電力供給を行うようになっているので、その電力供給を行う第２電源部３０４についての長寿命化が図れ、また第２電源部３０４における故障等に対する耐性を優れたものとすることができる。
（監視制御処理）
　第１制御部３０３への電力供給にあたっては、上述したように、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有していることで、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が完全に途絶えてしまうことがない。ただし、これにより各電源３０４ａ，３０４ｂの間の電力比率のバランスが崩れ、その影響が成膜処理等に及んでしまい、その結果として成膜品質の低下等が生じてしまうことは好ましくない。このことから、本実施形態においては、安全インターロック処理の適切化を図るべく、以下のような監視制御処理を行うようになっている。
（第１のシーケンス例）
　先ず、図７および図８を参照しつつ、監視制御処理に関する第１のシーケンス例について説明する。
　上述したように、第１制御部３０３への電力供給の際には、第２制御部３０５が第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値（例えば、５０％：５０％）に調整する。このとき、図７に示すように、第２制御部３０５は、予め設定されたタイミングで（例えば、所定時間が経過する毎に）、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力値を測定する（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。そして、第２制御部３０５は、測定した電力値から各電源３０４ａ，３０４ｂの間の電力比率（すなわち、電力値のバランス）を求め、その電力比率が第１の所定値の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ１０２）。第１の所定値は、例えば、上限を７０％、下限を３０％とすることが考えられる。その場合、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂの電力値について、それぞれの間の電力比率として換算した場合に、上限７０％～下限３０％の範囲内に属しているか否かを判定することになる。なお、第１の所定値は、上限７０％～下限３０％に限定されることはなく、適宜設定されたものであればよい。
　この判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲内であれば（Ｓ１０２のＹ判定）、第２制御部３０５は、上述した処理を継続して繰り返す（Ｓ１０１～Ｓ１０２）。
　一方、判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲を超えたことを検出した場合には（Ｓ１０２のＮ判定）、第２制御部３０５は、その旨の検出データである第１検出データを、第３制御部として機能するコントローラ２６０に対して送信する。
　第２制御部３０５からの第１検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、表示部として機能する入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ１０３）。また、後述するアラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ１０４）。
　アラーム報知は、入出力装置２６１における表示画面上にアラーム画面を表示出力させることによって行う。すなわち、入出力装置２６１は、アラーム報知の必要が生じると、コントローラ２６０からの制御指示に従いつつ、表示中の操作画面をアラーム画面に切り替える。
　アラーム画面は、処理中の基板処理に関するアラームを装置オペレータに対して報知するための画面である。具体的には、図８に示すように、ウエハ２００に対する処理を継続させるか、またはウエハ２００に対する処理を停止させるかを、装置オペレータに選択させるための画面である。つまり、入出力装置２６１は、アラーム画面として、次の基板処理の開始要否を選択させる画面（具体的には、処理中の基板処理を終えた後における次の基板処理の開始の要否）を表示出力し、これを装置オペレータに対するアラーム報知とする。
　そして、アラーム画面上において、処理を継続させる旨が選択された場合には、コントローラ２６０は、処理を継続させる。すなわち、次の基板処理を開始させる。一方、処理を停止させる旨が選択された場合には、コントローラ２６０は、現在処理中の基板処理の完了後、全処理を停止させて、基板処理装置１００に対するメンテナンス作業等を行い得る状態とする。すなわち、次の基板処理を開始せずに、基板処理装置１００に対するメンテナンス作業等を行い得る状態とする。
　このように、第１のシーケンス例では、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率が経時的に変化し、その電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合に、次の基板処理の開始要否を選択させるアラーム画面を表示出力することで、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
　さらに詳しく説明すると、例えば、各電源３０４ａ，３０４ｂのいずれかに故障等が発生した場合には、その影響が成膜処理等に及んでしまい、その結果として、処理対象となった基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうおそれがある。
　具体的には、基板の損傷としては、例えば、搬送ロボット部としての昇降機構２１８の異常動作によるウエハ２００の割れ、温度調整部２１３による異常な冷却によるウエハ２００の割れやその面上における膜剥がれ、成膜処理が中断されることによるウエハ２００の面上の膜特性の不明確化等、が挙げられる。これらのうち、膜特性が不明確である場合には、どのような処理が行われたか不明であることから、ウエハ２００の再利用が難しくなる。その場合、膜特性が悪い部分をエッチング等により除去して再利用することも考えられるが、膜特性が不明であると良好なエッチング等が困難になる。
　また、処理雰囲気の異常化については、具体的には、処理ガスの供給や加熱等が所望の条件となる前の段階で停止した場合に、処理室２０１内の雰囲気が所定の環境から逸脱してしまい、その結果として、成膜処理を行っても膜特性が得られない雰囲気となってしまう、といったことが起こり得る。
　しかるに、第１のシーケンス例では、アラーム報知を行って適切な処置を装置オペレータに選択させ得るようにしているので、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうのを抑制することができる。
（第２のシーケンス例）
　続いて、図９、図１０および図１１を参照しつつ、監視制御処理に関する第２のシーケンス例について説明する。
　図９に示すように、第２のシーケンス例においても、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力値を測定して（Ｓ２０１）、その電力比率が第１の所定値（例えば、上限７０％～下限３０％）の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ２０２）。そして、この判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲内であれば（Ｓ２０２のＹ判定）、上述した処理を継続して繰り返す（Ｓ２０１～Ｓ２０２）。
　一方、電力比率が第１の所定値の範囲を超えたことを検出した場合には（Ｓ２０２のＮ判定）、第２のシーケンス例においては、さらに、その電力比率が第２の所定値の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ２０３）。第２の所定値は、上述した第１の所定値とは異なる値、さらに詳しくは第１の所定値よりも広い範囲を規定する値に設定されており、例えば、上限を８０％、下限を２０％とすることが考えられる。その場合、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂの電力値について、それぞれの間の電力比率として換算した場合に、上限８０％～下限２０％の範囲内に属しているか否かを判定することになる。なお、第２の所定値は、上限８０％～下限２０％に限定されることはなく、適宜設定されたものであればよい。
　この判定の結果、電力比率が第２の所定値の範囲内であれば（Ｓ２０３のＹ判定）、第１の所定値の範囲を超えているが、第２の所定値の範囲からは外れていないことになるので、第２制御部３０５は、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、第１検出データをコントローラ２６０に対して送信する。
　第２制御部３０５からの第１検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ２０４）。また、アラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ２０５）。これにより、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
　一方、電力比率が第１の所定値の範囲のみならず、第２の所定値の範囲についても超えてしまったことを検出した場合には（Ｓ２０３のＮ判定）、第２制御部３０５は、その旨の検出データである第２検出データを、第３制御部として機能するコントローラ２６０に対して送信する。
　さらに、第２制御部３０５は、電力比率が第２の所定値の範囲を超えたことを検出した場合に（Ｓ１０２のＮ判定）、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちの少なくとも一つをオフ状態とし、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちの他の少なくとも一つをオン状態とするように、電源切り替え（すなわち、電力供給状態の切り替え）を行って（Ｓ２０６）、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行うようにする。
　具体的には、図１０に示すように、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂのうち、電力値の測定結果が経時的に第２の所定値の下限（例えば２０％）よりも小さくなってしまったものについて、オフ状態（例えば０％）として第１制御部３０３への電力供給を行わせないようにする。また、これに伴い、相対的に電力値の測定結果が第２の所定値の上限（例えば８０％）より大きくなったものについては、オン状態（例えば１００％）として第１制御部３０３への電力供給を継続して行わせる。なお、第２電源部３０４が三つ以上の電源を有している場合に、例えば、一つの電源のみが第２の所定値の下限に満たなくなったときは、他の残りの二つ以上の電源で分担してオン状態（１００％）を維持すればよい。つまり、第２制御部３０５は、第２の所定値の範囲から外れた場合でも、各電源３０４ａ，３０４ｂにおけるオン／オフ状態を適宜切り替えて各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を調整することで、第１制御部３０３への電力供給が途絶えないようにする。
　その後、第２制御部３０５からの第２検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ２０７）。また、アラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ２０８）。
　アラーム報知は、入出力装置２６１における表示画面上にアラーム画面を表示出力させることによって行う。このときのアラーム画面は、第１検出データに応じて表示出力するもの（すなわち、上述した第１のシーケンス例の場合と同様のもの）とすることが考えられるが、基板処理に関するアラームを装置オペレータに対して報知するためのものであれば、これとは異なる内容のものであっても構わない。このようなアラーム報知を行うことで、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
　また、第２検出データに応じて行うアラーム報知に際し、コントローラ２６０は、入出力装置２６１における表示画面上に、アラーム画面に代えて、またはアラーム画面と合わせて、メンテナンス情報画面を表示出力させるようにしてもよい。
　メンテナンス情報画面は、電源に関するメンテナンス情報として、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを、装置オペレータに対して報知するための画面である。具体的には、図１１に示すように、各電源３０４ａ，３０４ｂのいずれかについてのメンテナンスが必要であることを伝えるとともに、基板処理装置１００をメンテナンスモードに移行させるか、または保守担当者を呼ぶかを、装置オペレータに選択させるための画面である。
　このようなメンテナンス情報画面の表示出力を行えば、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率が第２の所定値の範囲から外れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速に対応することが可能となる。
　入出力装置２６１にメンテナンス情報画面を表示出力させる際に、コントローラ２６０は、受信部２８５を通じてネットワーク２６３上に存在する上位装置２９０に対して、メンテナンスが必要である旨のメンテナンスデータを送信するようにしてもよい。基板処理装置１００の動作を管理する上位装置２９０にメンテナンスデータを送信すれば、そのメンテナンスデータを活用した処理を上位装置２９０の側で行うことが可能となり、より一層迅速で、かつ、適切なメンテナンスへの対応を実現することが可能となる。
　以上のように、第２のシーケンス例では、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えると、さらに当該電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えたか否かを判定し、第２の所定値の範囲を超えている場合には、各電源３０４ａ，３０４ｂの少なくとも一つをオフ状態とし、他の少なくとも一つをオン状態とするように電源切り替えを行い、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが大きく崩れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が途絶えてしまうことがない。
　しかも、第２のシーケンス例では、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合のみならず、当該電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合にも、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
　また、第２のシーケンス例では、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、入出力装置２６１における表示画面上にメンテナンス情報画面を表示出力させ、上位装置２９０にメンテナンスデータを送信する。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速かつ適切に対応し得るようになる。
（５）本実施形態の効果
　本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
（ａ）本実施形態では、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値に調整した上で、第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、第１制御部３０３への電力供給を行う第２電源部３０４についての長寿命化が図れ、また第２電源部３０４における故障等に対する耐性を優れたものとすることができる。つまり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値とすることで、一つの電源のみを使用した場合と比べて、動作制御に必要な電源の寿命を長くすることができる。
（ｂ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合に、次の基板処理の開始要否を選択させるアラーム画面を表示出力することで、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響で基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうのを抑制することができる。つまり、各電源３０４ａ，３０４ｂの故障等の影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができ、これにより安全インターロック処理の適切化が図れる。
（ｃ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、各電源３０４ａ，３０４ｂの少なくとも一つをオフ状態とし、他の少なくとも一つをオン状態とするように電源切り替えを行い、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが大きく崩れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が途絶えてしまうことがなく、当該第１制御部３０３への電力供給を適切に行うことができる。
　しかも、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合にもアラーム報知を行うことで、各電源３０４ａ，３０４ｂの故障等の影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
（ｄ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、入出力装置２６１にメンテナンス情報画面を表示出力させ、上位装置２９０にメンテナンスデータを送信する。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速かつ適切に対応し得るようになる。
＜他の実施形態＞
　以上に、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
　上述した実施形態では、基板処理工程で行う処理として、ウエハ面上にＳｉＯ膜を形成するＣＶＤ処理等の成膜処理を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、本発明は、上述した実施形態で例に挙げた成膜処理の他に、上述した実施形態で例示した薄膜以外の成膜処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、熱処理（アニール処理）、プラズマ処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。
　また、上述した実施形態では、主に第２電源部３０４が二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有する場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはなく、二つ以上を有していてもよいことは既に説明したとおりである。このことは、上述した実施形態で説明した処理動作に加えて、以下のような処理動作にも対応し得ることを意味する。
　例えば、図１２に示すように、基板処理装置１，１００の運転に際して、二つ以上の電源のうち、少なくとも一つの電源Ａを電源供給状態とするとともに、他の少なくとも一つの電源Ｂを電源供給停止状態とする。このとき、さらに他の電源が電源供給状態となっていてもよく、その場合には、電源Ａと他の電源との間で電力比率が調整されることになる。そして、その状態で、例えば、電源Ａが故障等により機能しなくなったことを検出すると、電源Ａを電源供給停止状態とする一方で、電源Ｂを電源供給状態とするように、第２制御部３０５が電源切り替えを行う。このようにすれば、電源Ａに故障等があっても、電源Ｂにより電力供給が行われるので、基板処理装置１，１００の継続運転が可能となる。つまり、基板処理装置１，１００の長期継続運転が実現可能となるので、その結果として、総合的に基板処理装置１，１００の信頼性の向上が図れるようになる。
＜本発明の好ましい態様＞
　以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
［付記１］
　本発明の一態様によれば、
　基板を処理する処理室と、
　前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
　前記基板を加熱する加熱部と、
　前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
　前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
　前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
　前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
　を有する基板処理装置が提供される。
［付記２］
　好ましくは、
　前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部と、
　前記第３制御部の制御に従って表示出力を行う表示部と、を有し、
　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第１検出データを送信し、
　前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
　付記１に記載の基板処理装置が提供される。
［付記３］
　好ましくは、
　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
　前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
　付記２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記４］
　好ましくは、
　前記アラーム画面は、次の基板処理の開始要否を選択させる画面である
　付記２または３に記載の基板処理装置が提供される。
［付記５］
　好ましくは、
　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
　前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
　付記２から４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記６］
　好ましくは、
　前記メンテナンス情報画面は、前記二つ以上の電源のうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを報知する画面である
　付記５に記載の基板処理装置が提供される。
［付記７］
　好ましくは、
　前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
　付記４または５に記載の基板処理装置が提供される。
［付記８］
　本発明の他の一態様によれば、
　基板を処理する工程と、
　前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する工程と、
　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする工程と、
　を有する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記９］
　本発明のさらに他の一態様によれば、
　基板を処理する手順と、
　前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する手順と、
　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする手順と、
　をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
［付記１０］
　本発明のさらに他の一態様によれば、
　基板を処理する手順と、
　前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する手順と、
　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする手順と、
　をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
　１，１００…基板処理装置、２，２００…ウエハ（基板）、１４…カセット搬送機、１７…ウエハ移載機、１８…処理炉、２１…ボートエレベータ、３３…ヒータ、２０１…処理室、２１３…温度調整部、２１８…昇降機構、２６０…コントローラ（第３制御部）、２６１…入出力装置（表示部）、２９０…上位装置、３０１…駆動モータ、３０２…第１電源部、３０３…第１制御部、３０４…第２電源部、３０４ａ，３０４ｂ…電源、３０５…第２制御部

Claims (5)

  1. 　基板を処理する処理室と、
    　前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
    　前記基板を加熱する加熱部と、
    　前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
    　前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
    　前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
    　前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
    　前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
    　を有する基板処理装置。
  2. 　前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部と、
    　前記第３制御部の制御に従って表示出力を行う表示部と、を有し、
    　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第１検出データを送信し、
    　前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
    　前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
    　請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
    　前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
    　請求項４に記載の基板処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022191242A1 (ja) 2021-03-12 2022-09-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、異常検知方法及び半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000324717A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Nec Corp 個別電源のｎ重化回路
JP2001237186A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2010102693A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2016170491A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 日本電気株式会社 電源制御システム及び電源制御方法
JP2016178216A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 保護カバー及びこれを用いた基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5529657A (en) * 1993-10-04 1996-06-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5873781A (en) * 1996-11-14 1999-02-23 Bally Gaming International, Inc. Gaming machine having truly random results
US6110322A (en) * 1998-03-06 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Prevention of ground fault interrupts in a semiconductor processing system
JP2000208421A (ja) 1999-01-18 2000-07-28 Kokusai Electric Co Ltd 固体デバイス製造装置
JP5975755B2 (ja) * 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6276919B2 (ja) * 2013-02-01 2018-02-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および試料台
JP6290421B2 (ja) 2014-07-30 2018-03-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
JP6418694B2 (ja) * 2015-03-26 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
SG10202108705SA (en) * 2015-07-03 2021-09-29 Applied Materials Inc Process kit having tall deposition ring and deposition ring clamp
US10044338B2 (en) * 2015-10-15 2018-08-07 Lam Research Corporation Mutually induced filters
US10109478B2 (en) * 2016-09-09 2018-10-23 Lam Research Corporation Systems and methods for UV-based suppression of plasma instability
JP6960737B2 (ja) * 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
US10998172B2 (en) * 2017-09-22 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having improved process volume sealing
KR102516580B1 (ko) * 2018-09-13 2023-03-30 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000324717A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Nec Corp 個別電源のｎ重化回路
JP2001237186A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2010102693A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2016170491A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 日本電気株式会社 電源制御システム及び電源制御方法
JP2016178216A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 保護カバー及びこれを用いた基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022191242A1 (ja) 2021-03-12 2022-09-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、異常検知方法及び半導体装置の製造方法

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