WO2017199948A1

WO2017199948A1 - 液晶表示パネル、及び、液晶表示装置

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Publication number: WO2017199948A1
Application number: PCT/JP2017/018351
Authority: WO
Inventors: 雄一川平; 坂井　彰; 中村　浩三; 雅浩長谷川; 貴子小出; 浩二村田; 箕浦　潔
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2016-05-20
Filing date: 2017-05-16
Publication date: 2017-11-23
Also published as: US10670911B2; US20190293997A1

Abstract

本発明は、明所における視認性に優れ、フォトスペーサー周辺の光漏れが抑制された横電界モードの液晶表示パネルを提供する。本発明の液晶表示パネルは、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、第一のλ／４板と、第一の基板と、第二のλ／４板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板とを備え、上記第一の基板及び上記第二の基板のうちの一方は、電圧印加時に上記液晶層に横電界を発生させる一対の電極を有し、上記第一の基板は、ブラックマトリクスと、上記ブラックマトリクスの背面側で重畳するフォトスペーサーとを有し、上記液晶層中の液晶分子は、電圧無印加時にホモジニアス配向するものであり、上記第二のλ／４板は、自己組織化型の光配向材料から構成され、上記フォトスペーサーの側面を覆い、上記第一のλ／４板の面内遅相軸は、上記第一の偏光板の透過軸と４５°の角度をなし、かつ、上記第二のλ／４板の面内遅相軸と直交する。

Description

液晶表示パネル、及び、液晶表示装置

本発明は、液晶表示パネル、及び、液晶表示装置に関する。より詳しくは、フォトスペーサーを有する横電界モードの液晶表示パネル、及び、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置に関するものである。

液晶表示パネルは、テレビ用途のみならず、スマートフォン、タブレットＰＣ、カーナビゲーション等の用途で利用されている。これらの用途においては種々の性能が要求され、例えば、屋外等の明所で利用されることを想定した液晶表示パネルが提案されている（例えば、特許文献１及び非特許文献１参照）。

特開２０１２－１７３６７２号公報

イマヤマ等、「インセル位相差板を用いた半透過型ＩＰＳ－ＬＣＤの新規画素設計（Ｎｏｖｅｌ　Ｐｉｘｅｌ　Ｄｅｓｉｇｎ　ｆｏｒ　ａ　Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ　ＩＰＳ－ＬＣＤ　ｗｉｔｈ　ａｎ　Ｉｎ－Ｃｅｌｌ　Ｒｅｔａｒｄｅｒ）」、ＳＩＤ０７　ＤＩＧＥＳＴ、２００７、ｐｐ．１６５１－１６５４

従来の液晶表示パネルでは、屋外等の明所における視認性を高める（外光反射を抑制する）ために、液晶層を挟持する一対の基板のうちの観察面側の基板に対して、観察面側に円偏光板（直線偏光板とλ／４板との積層体）を配置する方法が採用されることがあった。例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルに円偏光板が用いられた構成が知られているが、ＶＡモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の横電界モードの液晶表示パネルよりも視野角が狭く、採用が進んでいない。一方、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード等の横電界モードの液晶表示パネルにおいては、視野角特性が良好であるが、円偏光板を適用することが困難である。なぜなら、横電界モードの液晶表示パネルの観察面側及び背面側に円偏光板が配置される場合、電圧無印加時及び電圧印加時のいずれにおいても、常に白（明）表示状態となり、黒（暗）表示状態を実現することができないためである。

一方、上記特許文献１及び上記非特許文献１は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの観察面側の基板に対して、液晶層側に位相差板（以下、インセル位相差板とも言う。）が配置された構成を開示している。しかしながら、上記特許文献１及び上記非特許文献１に記載の構成では、観察面側の基板として、フォトスペーサーが液晶層側の表面上に配置された基板（例えば、カラーフィルタ基板）を用いると、フォトスペーサー周辺で光漏れが発生し、その結果、コントラストが低下してしまうことがあった。

本発明者らは、この原因について種々検討したところ、以下のことが分かった。インセル位相差板は、例えば、観察面側の基板の液晶層側の表面上に、液晶性光重合材料（液晶性を示す光重合性モノマー）を塗布することによって形成される。この際、液晶性光重合材料の厚みは、画素領域からフォトスペーサーに近づくにつれて大きくなってしまう。そのため、インセル位相差板について、画素領域（液晶性光重合材料が平坦に塗布された領域）では位相差（屈折率異方性と厚みとの積）が最適値に設定されていても、フォトスペーサー周辺では、その厚みが大きい分、位相差が最適値からずれてしまう。よって、インセル位相差板で付与される位相差が画素領域とフォトスペーサー周辺とで大きく異なるため、上述した円偏光板を通して観察すると、フォトスペーサー周辺で光漏れが発生し、その結果、コントラストが低下してしまう。液晶表示パネルを観察面側から見ると、フォトスペーサー自体は、通常、ブラックマトリクスで隠されているが、上述したフォトスペーサー周辺の光漏れは、通常のブラックマトリクスの大きさでは隠せず、視認されてしまう。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、明所における視認性に優れ、フォトスペーサー周辺の光漏れが抑制された横電界モードの液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置とを提供することを目的とするものである。

本発明者らは、明所における視認性に優れ、フォトスペーサー周辺の光漏れが抑制された横電界モードの液晶表示パネルについて種々検討したところ、観察面側に円偏光板が配置され、インセル位相差板で付与される位相差が位置により変化しない構成に着目した。そして、液晶層を挟持する一対の基板のうちの、フォトスペーサーを有する観察面側の第一の基板に対して、観察面側に第一のλ／４板と第一の偏光板とが順に配置され、背面側（液晶層側）に第二のλ／４板が配置され、更に、第二のλ／４板の材料として、位相差が厚みにほとんど依存しない材料を用いた構成を見出した。これにより、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明の一態様は、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、第一のλ／４板と、第一の基板と、第二のλ／４板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板とを備え、上記第一の基板及び上記第二の基板のうちの一方は、電圧が印加されることによって上記液晶層に横電界を発生させる一対の電極を有し、上記第一の基板は、ブラックマトリクスと、上記ブラックマトリクスの背面側に配置され、かつ、上記ブラックマトリクスと重畳するフォトスペーサーとを有し、上記液晶層中の液晶分子は、上記一対の電極間に電圧が印加されていない状態で、ホモジニアス配向するものであり、上記第二のλ／４板は、光二量化、光異性化、及び、光フリース転移からなる群より選択される少なくとも１つの化学反応が可能な光官能基を有する自己組織化型の光配向材料から構成され、上記フォトスペーサーの側面を覆い、上記第一のλ／４板の面内遅相軸は、上記第一の偏光板の透過軸と４５°の角度をなし、かつ、上記第二のλ／４板の面内遅相軸と直交する液晶表示パネルであってもよい。

本発明の別の一態様は、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置であってもよい。

本発明によれば、明所における視認性に優れ、フォトスペーサー周辺の光漏れが抑制された横電界モードの液晶表示パネルと、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置とを提供することができる。

実施形態の液晶表示装置を示す断面模式図である。実施形態の変形例の液晶表示装置を示す断面模式図である。自己組織化型の光配向材料で構成されるλ／４板における、面内位相差と厚みとの関係を示すグラフである。図３から導出された、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合と厚みとの関係を示すグラフである。実施例１の液晶表示パネルの画素構造を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルを示す断面模式図である。液晶性光重合材料で構成されるλ／４板における、面内位相差と厚みとの関係を示すグラフである。図７から導出された、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合と厚みとの関係を示すグラフである。比較例１の液晶表示パネルの画素構造を示す平面模式図である。実施例１における、第二のλ／４板の厚みとフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１０中の横軸が６～１５μｍの領域を拡大したグラフである。実施例１における、第二のλ／４板の面内位相差とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１２から導出された、第二のλ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。実施例２における、第二のλ／４板の厚みとフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１４中の横軸が６～１５μｍの領域を拡大したグラフである。比較例１における、第二のλ／４板の面内位相差とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１６から導出された、第二のλ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態の構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

本明細書中、「直線」が付されない「偏光板」は直線偏光板を指し、円偏光板とは区別される。

本明細書中、λ／４板は、少なくとも波長５５０ｎｍの光に対して１／４波長（厳密には、１３７．５ｎｍ）の面内位相差を付与する位相差板を指し、１００ｎｍ以上、１７６ｎｍ以下の面内位相差を付与するものであればよい。ちなみに、波長５５０ｎｍの光は、人間の視感度が最も高い波長の光である。

本明細書中、面内位相差（Ｒ）は、Ｒ＝（ｎｓ－ｎｆ）×Ｄで定義される。ここで、ｎｘ及びｎｙを位相差板（λ／４板を含む）の面内方向の主屈折率と定義するとき、ｎｘ及びｎｙのうちの大きい方がｎｓ、小さい方がｎｆを指す。面内遅相軸はｎｓに対応する方向の軸を指し、面内進相軸はｎｆに対応する方向の軸を指す。Ｄは位相差板の厚みを指す。

本明細書中、液晶層の位相差は、液晶層が付与する実効的な位相差の最大値を指し、液晶層の屈折率異方性をΔｎ、厚みをｄとすると、Δｎ×ｄで定義される。

本明細書中、２つの軸（方向）が直交するとは、両者のなす角度（絶対値）が９０±３°の範囲内であることを指し、好ましくは９０±１°の範囲内であり、より好ましくは９０±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは９０°（完全に直交）である。２つの軸（方向）が平行であるとは、両者のなす角度（絶対値）が０±３°の範囲内であることを指し、好ましくは０±１°の範囲内であり、より好ましくは０±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは０°（完全に平行）である。２つの軸（方向）が４５°の角度をなすとは、両者のなす角度（絶対値）が４５±３°の範囲内であることを指し、好ましくは４５±１°の範囲内であり、より好ましくは４５±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは４５°（完全に４５°）である。

［実施形態］
図１は、実施形態の液晶表示装置を示す断面模式図である。図１に示すように、液晶表示装置１ａは、観察面側から背面側に向かって順に、液晶表示パネル２ａと、バックライト３とを備えている。

バックライト３の方式は特に限定されず、例えば、エッジライト方式、直下型方式等が挙げられる。バックライト３の光源の種類は特に限定されず、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、冷陰極管（ＣＣＦＬ）等が挙げられる。

液晶表示パネル２ａは、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板４と、第一のλ／４板５と、第一の基板６ａと、第二のλ／４板７と、第一の配向膜８と、液晶層９と、第二の配向膜１０と、第二の基板１１と、第二の偏光板１２とを有している。

第一の偏光板４、及び、第二の偏光板１２としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素錯体（又は染料）等の異方性材料を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）等を用いることができる。

第一の偏光板４の透過軸と第二の偏光板１２の透過軸とは、直交することが好ましい。このような構成によれば、第一の偏光板４と第二の偏光板１２とがクロスニコルに配置されるため、電圧無印加時に、黒表示状態を好ましく実現することができる。

第一の基板６ａは、ブラックマトリクス１４と、ブラックマトリクス１４の背面側に配置され、かつ、ブラックマトリクス１４と重畳するフォトスペーサー１７とを有している。図１中では、第一の基板６ａがカラーフィルタ基板である場合を例示している。

第一の基板６ａは、第一の支持基板１３と、第一の支持基板１３の背面側の表面上に配置されるブラックマトリクス１４と、ブラックマトリクス１４を覆うカラーフィルタ層１５Ｒ（赤色）、１５Ｇ（緑色）、１５Ｂ（青色）と、カラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを覆うオーバーコート層１６と、オーバーコート層１６の背面側の表面上に配置されるフォトスペーサー１７とを有している。フォトスペーサー１７は、ブラックマトリクス１４と重畳している。このような構成によれば、液晶表示パネル２ａを観察面側から見る場合、フォトスペーサー１７がブラックマトリクス１４で隠され、フォトスペーサー１７が視認されない。

第一の支持基板１３としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。

ブラックマトリクス１４の材料としては、例えば、遮光率が９９．９％以上（ＯＤ値が３．０以上）である黒色のレジスト等が挙げられる。

カラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの材料としては、例えば、顔料分散型のカラーレジスト等が挙げられる。カラーフィルタ層の色の組み合わせは特に限定されず、図１に示すような赤色、緑色、及び、青色の組み合わせの他に、例えば、赤色、緑色、青色、及び、黄色の組み合わせ等が挙げられる。

オーバーコート層１６の材料としては、例えば、耐熱性及び耐薬品性の高い透明樹脂等が挙げられる。

フォトスペーサー１７は、第一の基板６ａと第二の基板１１との間隔（セルギャップ）を保持するためのものである。フォトスペーサー１７の材料としては、例えば、レジストが挙げられる。フォトスペーサー１７の高さは、第二のλ／４板７の厚み、及び、液晶層９の厚み（厳密には、第一の配向膜８の厚みも）を考慮した上で適宜設定される。フォトスペーサー１７の高さが低い、すなわち、液晶層９の厚みが小さければ、黒表示状態（電圧無印加時）における液晶層９での光の散乱が抑制され、コントラストが高い液晶表示パネルが得られる。また、フォトスペーサー１７の高さが低ければ、液晶層９の材料の使用量が抑えられるため、コスト面でも効果が得られる。フォトスペーサー１７の断面形状は特に限定されず、図１に示すような観察面側から背面側に向かって細くなる形状の他に、例えば、観察面側から背面側に向かって太くなる形状、幅が一定である形状等が挙げられる。

第一の基板６ａ、及び、第二の基板１１のうちの一方は、電圧が印加されることによって液晶層９に横電界を発生させる一対の電極を有している。図１中では、第二の基板１１がＦＦＳモードの薄膜トランジスタアレイ基板である場合を例示している。

第二の基板１１は、第二の支持基板２１と、第二の支持基板２１の観察面側の表面上に配置される共通電極２０と、共通電極２０を覆う絶縁膜１９と、絶縁膜１９の観察面側の表面上に配置される画素電極（信号電極）１８とを有している。このような構成によれば、共通電極２０と画素電極１８との間に電圧を印加する（電圧印加時）ことによって液晶層９に横電界（フリンジ電界）が発生し、液晶層９中の液晶分子の配向を制御することができる。

第二の支持基板２１としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。

共通電極２０は、面状の電極である。共通電極２０の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。

絶縁膜１９の材料としては、例えば、有機絶縁膜、窒化膜等が挙げられる。

画素電極１８は、スリットが設けられた電極である。画素電極１８の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。

以上では、第二の基板１１がＦＦＳモードの薄膜トランジスタアレイ基板である場合を例示したが、同じ横電界モードであるＩＰＳモードの薄膜トランジスタアレイ基板によれば、一対の櫛歯電極間に電圧を印加する（電圧印加時）ことによって液晶層９に横電界が発生し、液晶層９中の液晶分子の配向を制御することができる。

液晶層９中の液晶分子は、第一の基板６ａ、及び、第二の基板１１のうちの一方が有する一対の電極間（図１中では、共通電極２０と画素電極１８との間）に電圧が印加されていない状態（電圧無印加時）で、ホモジニアス配向するものである。液晶層９の材料としては、例えば、負の誘電率異方性（Δε＜０）を有するネガ型の液晶材料が挙げられる。

第二のλ／４板７は、光二量化、光異性化、及び、光フリース転移からなる群より選択される少なくとも１つの化学反応が可能な光官能基を有する自己組織化型の光配向材料から構成される。自己組織化型の光配向材料は、下記の方法によって光官能基の配向性が高まるような材料を指す。まず、自己組織化型の光配向材料を基板（例えば、第一の基板６ａ）上に塗布し、光配向材料の膜を形成する。そして、この光配向材料の膜に対して仮焼成を行う。次に、仮焼成後の光配向材料の膜に対して光照射（例えば、偏光紫外線照射）を行うことで、光官能基の化学反応（光二量化、光異性化、及び、光フリース転移からなる群より選択される少なくとも１つの化学反応）を生じさせる。最後に、光照射後の光配向材料の膜に対して、仮焼成よりも高い温度で本焼成を行うことで、光照射によって生じた化学反応をきっかけとして、光官能基の配向性が高まる。

光二量化及び光異性化が可能な光官能基としては、例えば、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、スチルベン基等が挙げられる。

光異性化が可能な光官能基としては、例えば、アゾベンゼン基等が挙げられる。

光フリース転移が可能な光官能基としては、例えば、フェノールエステル基等が挙げられる。

自己組織化型の光配向材料（固形分）の主骨格としては、例えば、ポリアミック酸、ポリイミド、アクリル、メタクリル、マレイミド、ポリシロキサン等の構造が挙げられる。

自己組織化型の光配向材料は、液晶分子の配向方向を規定するための配向膜として機能すること以外に、位相差板（λ／４板を含む）としても機能する。配向材料（固形分）によって発現される面内位相差を表１に例示する。表１中、面内位相差は、配向材料の厚みが１００ｎｍである場合の波長５５０ｎｍの光に対する値を示す。表１に示すように、配向材料Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈによれば、配向材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄよりも大きな面内位相差を発現することができ、その厚みを大きくする（例えば、１μｍ以上）ことで位相差板（λ／４板を含む）として機能する。すなわち、配向材料Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈは、自己組織化型の光配向材料に相当する。

自己組織化型の光配向材料は、主に、光照射及び本焼成のプロセス（例えば、光照射量、本焼成温度等）によって、その屈折率異方性が決定されるものである。そのため、自己組織化型の光配向材料によれば、厚みの微妙な変化（例えば、設計値に対して±０．１０μｍ程度の変化）に対して面内位相差が変化しにくい。よって、第二のλ／４板７によれば、画素領域からフォトスペーサー１７に近づくにつれて厚みが大きくなっていても、面内位相差が画素領域とフォトスペーサー１７周辺とで大きく異ならず、ブラックマトリクス１４と組み合わせることによって、フォトスペーサー１７周辺の光漏れを抑制することができる。

第二のλ／４板７は、フォトスペーサー１７の側面を覆っている。このような状態は、第一の基板６ａにおいてフォトスペーサー１７が形成された後、自己組織化型の光配向材料が第一の基板６ａの背面側の表面上に塗布されることによって実現される。これに対して、本実施形態と異なり、フォトスペーサー１７が第二の基板１１のみに形成される場合は、第二のλ／４板７がフォトスペーサー１７の側面を覆わないことになる。第二のλ／４板７は、フォトスペーサー１７の側面の少なくとも一部を覆っていればよい。第二のλ／４板７は、フォトスペーサー１７の側面に加えて、背面側の表面（図１中では、第二の配向膜１０側の表面）を覆っていてもよい。

第一のλ／４板５についても、第二のλ／４板７と同様な材料及び方法を用いて基板の表面上に形成することで得られ、第一の基板６ａ（第一の支持基板１３）の観察面側の表面に接着剤等を介して貼り付ければよい。第一のλ／４板５としては、その他に、液晶性光重合材料（液晶性を示す光重合性モノマー）から構成されるものを用いることもできる。まず、基板の表面上に、第一のλ／４板５用の配向膜と、液晶性光重合材料とを順に塗布し、積層膜を形成する。その後、この積層膜に対して焼成及び光照射（例えば、紫外線照射）を順に行えば、液晶性光重合材料が第一のλ／４板５として機能する。液晶性光重合材料の構造としては、例えば、ベンゼン環又はシクロヘキサン環を２つ以上含有するメソゲン基を有し、更に、その片方の末端又は両方の末端に、アクリレート基又はメタクリレート基からなる光重合性基を有する構造が挙げられる。

第一のλ／４板５の面内遅相軸と第一の偏光板４の透過軸とは、４５°の角度をなす。このような構成によれば、第一の偏光板４と第一のλ／４板５とが積層された円偏光板が、液晶表示パネル２ａの観察面側に配置される構成が実現される。よって、液晶表示パネル２ａの観察面側からの入射光は、円偏光板を透過する際に円偏光に変換されて第一の基板６ａに到達するため、円偏光板の反射防止効果によって、第一の基板６ａ（オーバーコート層１６よりも観察面側に配置された層）からの反射が抑制され、明所における視認性が高まる。第一の偏光板４と第一のλ／４板５とを積層させて円偏光板を形成する際は、製造効率を高める観点から、ロール・ツー・ロール方式を用いることが好ましい。

第一のλ／４板５の面内遅相軸と第二のλ／４板７の面内遅相軸とは、直交している。このような構成によれば、液晶表示パネル２ａの背面側からの入射光に対して、第一のλ／４板５と第二のλ／４板７とが互いに位相差をキャンセルすることができ、光学的には、両者が実質的に存在しない状態が実現される。すなわち、バックライト３から液晶表示パネル２ａに入射する光に対して、従来の横電界モードの液晶表示パネルと光学的に等価である構成が実現される。よって、円偏光板を用いた横電界モードによる表示を実現することができる。ここで、第一のλ／４板５、及び、第二のλ／４板７は、同じ材料（すなわち、自己組織化型の光配向材料）から構成されることが好ましい。これにより、第一のλ／４板５と第二のλ／４板７とは、波長分散も含めて互いに位相差をキャンセルすることができる。

第一の基板６ａ、及び、第二の基板１１のうちの一方が有する一対の電極間（図１中では、共通電極２０と画素電極１８との間）に電圧が印加されていない状態（電圧無印加時）で、液晶層９中の液晶分子の配向方向と、第一の偏光板４、及び、第二の偏光板１２のうちの一方の透過軸とは、平行であることが好ましい。このような構成によれば、電圧無印加時に、黒表示状態を好ましく実現することができる。

第二のλ／４板７の背面側の表面上には、図１に示すように、第一の配向膜８が配置されていてもよい。第一の配向膜８は、フォトスペーサー１７の側面を覆っていてもよい。第一の配向膜８は、フォトスペーサー１７の側面に加えて、背面側の表面（図１中では、第二の配向膜１０側の表面）を覆っていてもよい。

第一の配向膜８は、以下に示すような配向材料から構成されることが好ましい。

第一の配向膜８の配向材料は、第二のλ／４板７を形成する際の本焼成温度以下の温度で本焼成が可能な固形分を含有することが好ましい。第一の配向膜８を形成する際に、第二のλ／４板７を形成する際の本焼成温度よりも高い温度で本焼成を行うと、第二のλ／４板７に発現した面内位相差が大きく減少してしまい、λ／４板として機能しなくなる懸念がある。以上のような観点から、第一の配向膜８の配向材料と第二のλ／４板７の配向材料（自己組織化型の光配向材料）とは、固形分が互いに同じであることが好ましい。これにより、第二のλ／４板７、及び、第一の配向膜８を形成する際の本焼成温度を同じとすることができる。よって、第二のλ／４板７、及び、第一の配向膜８を形成する際に、同じ装置で温度設定を変えずに本焼成を行うことができるため、製造効率が高まる。また、第一の配向膜８を第二のλ／４板７と同様なプロセスで形成することができる。具体的には、第一の配向膜８の配向材料を第二のλ／４板７の背面側の表面上に塗布した後、仮焼成、光照射、及び、本焼成を順に行うことによって、第一の配向膜８を形成することができる。この際、本焼成温度だけではなく、仮焼成温度、光照射量等の条件も、第二のλ／４板７を形成するプロセスと同じとすることができる。また、第一の配向膜８を形成する際の光照射は、第二のλ／４板７の特性に影響を及ぼさない。これは、第二のλ／４板７に対しては事前に本焼成が行われているため、第二のλ／４板７中の分子配向が熱重合によって固定されているためである。

第一の配向膜８の配向材料と第二のλ／４板７の配向材料（自己組織化型の光配向材料）とは、溶媒が互いに異なることが好ましい。第一の配向膜８の配向材料が第二のλ／４板７の配向材料と同じ溶媒を含有する場合、第一の配向膜８を形成する際に、先に形成した第二のλ／４板７を溶かしてしまう懸念がある。例えば、第二のλ／４板７の配向材料がＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）を溶媒として含有する場合、第一の配向膜８の配向材料は、Ｎ－メチル－２－ピロリドン以外の溶媒を含有することが好ましい。

第二の基板１１の観察面側の表面上には、図１に示すように、第二の配向膜１０が配置されていてもよい。第二の配向膜１０は、第一の配向膜８と同様な材料及び方法を用いて形成されてもよい。

本実施形態によれば、下記の効果を奏することができる。
（１）第一の偏光板４と第一のλ／４板５とが積層された円偏光板が、液晶表示パネル２ａの観察面側に配置されるため、円偏光板の反射防止効果によって、明所における視認性が高まる。
（２）第二のλ／４板７が自己組織化型の光配向材料から構成されるため、面内位相差が画素領域とフォトスペーサー１７周辺とで大きく異ならず、ブラックマトリクス１４と組み合わせることによって、フォトスペーサー１７周辺の光漏れを抑制することができる。

［実施形態の変形例］
実施形態の変形例は、第一の基板がオーバーコート層を有していないこと以外、実施形態と同様であるため、重複する点については説明を適宜省略する。

図２は、実施形態の変形例の液晶表示装置を示す断面模式図である。図２に示すように、液晶表示装置１ｂは、観察面側から背面側に向かって順に、液晶表示パネル２ｂと、バックライト３とを備えている。

液晶表示パネル２ｂは、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板４と、第一のλ／４板５と、第一の基板６ｂと、第二のλ／４板７と、第一の配向膜８と、液晶層９と、第二の配向膜１０と、第二の基板１１と、第二の偏光板１２とを有している。

第一の基板６ｂは、第一の支持基板１３と、第一の支持基板１３の背面側の表面上に配置されるブラックマトリクス１４と、ブラックマトリクス１４を覆うカラーフィルタ層１５Ｒ（赤色）、１５Ｇ（緑色）、１５Ｂ（青色）と、カラーフィルタ層（図２中では、カラーフィルタ層１５Ｇ、１５Ｂ）の背面側の表面上に配置されるフォトスペーサー１７とを有している。フォトスペーサー１７は、ブラックマトリクス１４と重畳している。

第一の基板６ｂには、上述した第一の基板６ａとは異なり、オーバーコート層が配置されていない。本来、オーバーコート層（例えば、厚みが１μｍ程度の透明樹脂の膜）を配置する目的は、カラーフィルタ層（例えば、カラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）の厚みの違いによる段差（例えば、最大０．４μｍの段差）を埋めて平坦化する（例えば、最大０．１μｍの段差に抑える）ことで、各カラーフィルタ層に対応する画素の液晶層の厚みを揃えるためである。これに対して、本変形例によれば、オーバーコート層が配置されていないものの、第二のλ／４板７（例えば、厚みが１．５０μｍ程度のλ／４板）がカラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの背面側の表面上に配置されており、オーバーコート層と同様な平坦性を付与することができる。

本変形例によれば、第一の基板６ｂにオーバーコート層が配置されていないため、第一の基板６ｂの厚み（特に、ブラックマトリクス１４から第二のλ／４板７までの距離）が、上述した第一の基板６ａの厚みよりも小さく、液晶表示パネル２ｂを斜め方向から見たときの混色を抑制することができる。混色は、例えば、カラーフィルタ層１５Ｒを透過した光が、隣接するカラーフィルタ層１５Ｇ（１５Ｂ）も透過することによって、色が混ざって見える現象である。このような混色は、通常、ブラックマトリクス１４で隠すことによって抑制されているが、図１及び図２においてブラックマトリクス１４から第二のλ／４板７までの距離が長くなると発生しやすくなる。

以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

各例において、λ／４板の面内位相差、及び、液晶層の位相差の測定波長は５５０ｎｍとした。また、透過軸の方位、面内遅相軸の方位、及び、配向方向は、液晶表示パネルの長手方向（長辺：図中のｘ方向）を基準（０°）に反時計回りに正（＋）と定義した方位を示す。

（実施例１）
実施形態の液晶表示パネルを作製した。実施例１の液晶表示パネルの構成部材は、以下の通りであった。

（第一の偏光板４）
ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素錯体（又は染料）を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）を用いた。透過軸の方位は、９０°であった。

（第一のλ／４板５）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの表面上に、第一のλ／４板５用の光分解型配向膜と、液晶性光重合材料とを順に塗布し、積層膜を形成した。そして、この積層膜に対して、焼成を６５℃で１分間行った後、紫外線（照射量：５００ｍＪ）を照射した。その結果、第一のλ／４板５が得られた。厚みは、１．５０μｍであった。面内位相差は、１３７．５ｎｍであった。遅相軸の方位は、４５°であった。本実施例では、第一のλ／４板５を、第一の基板６ａ（第一の支持基板１３）の観察面側の表面に接着剤を介して貼り付けた。

（第一の基板６ａ）
図１に示すようなカラーフィルタ基板を用いた。第一の支持基板１３としては、厚み０．７ｍｍのガラス基板を用いた。ブラックマトリクス１４の材料としては、黒色のレジスト（遮光率：９９．９％）を用いた。カラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの材料としては、顔料分散型のカラーレジストを用いた。オーバーコート層１６の材料としては、透明樹脂を用いた。フォトスペーサー１７の材料としては、レジストを用いた。フォトスペーサー１７の高さは、４．８μｍであった。

（第二のλ／４板７）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、自己組織化型の光配向材料を第一の基板６ａの背面側の表面上（フォトスペーサー１７側の表面上）に塗布し、光配向材料の膜を形成した。自己組織化型の光配向材料は、固形分（表１中の配向材料Ｆ）以外に、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、及び、ブチルセロソルブを溶媒として含有するものであった。そして、この光配向材料の膜に対して、仮焼成を６０℃で９０秒間行った。次に、仮焼成後の光配向材料の膜に対して、波長３６５ｎｍの偏光紫外線（照射量：１００ｍＪ）を照射した。この際、偏光紫外線の偏光軸を、第二のλ／４板７として発現させたい遅相軸と直交するように設定した。最後に、偏光紫外線照射後の光配向材料の膜に対して、本焼成を１４０℃で２０分間行った。その結果、第二のλ／４板７が得られた。第二のλ／４板７は、その厚みが１．５０μｍである場合、面内位相差が１３７．５ｎｍとなるように設計されていた。遅相軸の方位は、－４５°であった。

第二のλ／４板７について、面内位相差と厚みとの関係を調査した。具体的には、まず、第二のλ／４板７を形成する際に用いた自己組織化型の光配向材料を、その厚みが１．４０～１．６０μｍの範囲で互いに異なるように１００枚のガラス基板上に塗布した。その後、上述した方法と同様に、仮焼成、光照射（偏光紫外線照射）、及び、本焼成を順に行うことによって、互いに厚みが異なる１００種類のサンプル（λ／４板）を作製した。そして、各サンプルの面内位相差を測定した。測定結果を図３に示す。図３は、自己組織化型の光配向材料で構成されるλ／４板における、面内位相差と厚みとの関係を示すグラフである。図３に示すように、λ／４板の面内位相差は、厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．１０μｍの範囲内でばらついても、設計値（１３７．５ｎｍ）付近でほぼ一定であった。すなわち、自己組織化型の光配向材料から構成される第二のλ／４板７は、その厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．１０μｍの範囲内でばらついたとしても、面内位相差が設計値（１３７．５ｎｍ）から大きくばらつかないものであった。

次に、図３に示した評価結果から、各サンプルの面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合を算出した。算出結果を図４に示す。図４は、図３から導出された、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合と厚みとの関係を示すグラフである。λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合は、ある厚みにおける面内位相差をＲｔ（単位：ｎｍ）とすると、１００×（Ｒｔ－１３７．５）／１３７．５（単位：％）と定義された。図４に示すように、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合は、厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．１０μｍの範囲内でばらついても、±２．０％の範囲内であった。ここで、画素領域において、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合が±５．０％の範囲内（許容範囲内）であれば、コントラストが高い（５００以上）液晶表示パネルが得られることが分かっている。すなわち、自己組織化型の光配向材料から構成される第二のλ／４板７は、その厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．１０μｍの範囲内でばらついたとしても、面内位相差の設計値からのずれ具合が許容範囲である±５．０％の範囲内に充分収まるものであった。

（第一の配向膜８）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、自己組織化型の光配向材料を第二のλ／４板７の背面側の表面上に塗布し、光配向材料の膜を形成した。自己組織化型の光配向材料は、固形分（表１中の配向材料Ｆ）以外に、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及び、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）を６：４の割合で混合した混合物を溶媒として含有するものであった。そして、この光配向材料の膜に対して、仮焼成を６０℃で９０秒間行った。次に、仮焼成後の光配向材料の膜に対して、波長３６５ｎｍの偏光紫外線（照射量：１００ｍＪ）を照射した。この際、偏光紫外線の偏光軸を、液晶層９中の液晶分子の配向方向（電圧無印加時）と直交するように設定した。最後に、偏光紫外線照射後の光配向材料の膜に対して、本焼成を１４０℃で２０分間行った。その結果、第一の配向膜８が得られた。厚みは、１００ｎｍであった。

（液晶層９）
負の誘電率異方性（Δε＝－４．０）を有するネガ型の液晶材料から構成されるものを用いた。屈折率異方性（Δｎ）は、０．０９５であった。厚みは、３．３μｍであった。位相差は、３００ｎｍであった。液晶層９中の液晶分子の配向方向（電圧無印加時）は、０°であった。

（第二の配向膜１０）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、自己組織化型の光配向材料を第二の基板１１の観察面側の表面上に塗布し、光配向材料の膜を形成した。自己組織化型の光配向材料は、固形分（表１中の配向材料Ｆ）以外に、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及び、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）を６：４の割合で混合した混合物を溶媒として含有するものであった。そして、この光配向材料の膜に対して、仮焼成を６０℃で９０秒間行った。次に、仮焼成後の光配向材料の膜に対して、波長３６５ｎｍの偏光紫外線（照射量：１００ｍＪ）を照射した。この際、偏光紫外線の偏光軸を、液晶層９中の液晶分子の配向方向（電圧無印加時）と直交するように設定した。最後に、偏光紫外線照射後の光配向材料の膜に対して、本焼成を１４０℃で２０分間行った。その結果、第二の配向膜１０が得られた。厚みは、１００ｎｍであった。

（第二の基板１１）
図１に示すようなＦＦＳモードの薄膜トランジスタアレイ基板を用いた。第二の支持基板２１としては、厚み０．７ｍｍのガラス基板を用いた。共通電極２０の材料としては、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いた。絶縁膜１９の材料としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いた。絶縁膜１９の厚みは、３００ｎｍであった。画素電極１８の材料としては、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いた。

（第二の偏光板１２）
ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素錯体（又は染料）を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）を用いた。透過軸の方位は、０°であった。

次に、実施例１の液晶表示パネルの画素構造について、図５を参照して以下に説明する。図５は、実施例１の液晶表示パネルの画素構造を示す平面模式図である。図５は、図１中の液晶表示パネルを観察面側から見た場合において、ブラックマトリクス１４、フォトスペーサー１７、画素電極１８等に着目した状態を示している。図５に示すように、ブラックマトリクス１４で区画された複数の領域（開口）の各々が画素領域ＰＲに対応する。画素領域ＰＲには、スリット（幅：Ｓ）が設けられた画素電極１８（幅：Ｌ）が配置されており、薄膜トランジスタを介して入力される電圧（信号電圧）を制御することによって、画像表示が行われる。本実施例では、画素電極１８の幅Ｌは、２．５μｍであった。スリットの幅（画素電極１８の間隔）Ｓは、３．０μｍであった。

画素電極１８によれば、電圧印加時に、液晶層９中の液晶分子の回転方向が一方向に規定される。具体的には、液晶分子の長軸は、電圧印加時に、図５中のｙ方向に対してＡ（画素電極１８の傾斜角度）だけ傾斜することになる。本実施例では、画素電極１８の傾斜角度Ａは、１０°であった。液晶層９中の液晶分子は、電圧無印加時に、その長軸が図５中のｘ方向（０°）となるように配向していた。また、視野角特性を高める観点から、奇数行に並ぶ画素領域ＰＲにおける画素電極１８の平面形状と、その隣り合う偶数行に並ぶ画素領域ＰＲにおける画素電極１８の平面形状とは、図５中のｘ方向に対して線対称であった。

フォトスペーサー１７（直径：Ｂ）は、ブラックマトリクス１４（幅：Ｗ）で隠れるように、ピッチＰｘ、及び、ピッチＰｙで配置され、かつ、画素領域ＰＲとの間の最短距離（フォトスペーサー１７の端部と画素領域ＰＲの端部との間の最短距離）がＱとなるように配置されている。本実施例では、ブラックマトリクス１４の幅Ｗは、２０μｍであった。フォトスペーサー１７の直径（観察面側の表面の直径）Ｂは、１０μｍであった。フォトスペーサー１７のピッチＰｘは２０μｍであり、ピッチＰｙは６０μｍであった。フォトスペーサー１７と画素領域ＰＲとの間の最短距離Ｑは、６．３μｍであった。

（実施例２）
フォトスペーサー１７の高さを４．５μｍに変更し、更に、液晶層９の屈折率異方性（Δｎ）を０．１００、厚みを３．０μｍに変更したこと以外、実施例１と同様にして液晶表示パネルを作製した。

（実施例３）
実施形態の変形例の液晶表示パネルを作製した。実施例３の液晶表示パネルの構成部材は、実施例１（オーバーコート層１６以外）と同様であった。

（比較例１）
図６は、比較例１の液晶表示パネルを示す断面模式図である。図６に示すように、液晶表示パネル１０２は、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板１０４と、第一のλ／４板１０５と、第一の基板１０６と、第二のλ／４板１０７と、第一の配向膜１０８と、液晶層１０９と、第二の配向膜１１０と、第二の基板１１１と、第二の偏光板１１２とを有している。

第一の基板１０６は、第一の支持基板１１３と、第一の支持基板１１３の背面側の表面上に配置されるブラックマトリクス１１４と、ブラックマトリクス１１４を覆うカラーフィルタ層１１５Ｒ（赤色）、１１５Ｇ（緑色）、１１５Ｂ（青色）と、カラーフィルタ層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂを覆うオーバーコート層１１６と、オーバーコート層１１６の背面側の表面上に配置されるフォトスペーサー１１７とを有している。フォトスペーサー１１７は、ブラックマトリクス１１４と重畳している。

第二の基板１１１は、第二の支持基板１２１と、第二の支持基板１２１の観察面側の表面上に配置される共通電極１２０と、共通電極１２０を覆う絶縁膜１１９と、絶縁膜１１９の観察面側の表面上に配置される画素電極（信号電極）１１８とを有している。

比較例１の液晶表示パネルの構成部材は、以下の通りであった。

（第一の偏光板１０４）
ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素錯体（又は染料）を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）を用いた。透過軸の方位は、９０°であった。

（第一のλ／４板１０５）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの表面上に、第一のλ／４板１０５用の光分解型配向膜と、液晶性光重合材料とを順に塗布し、積層膜を形成した。そして、この積層膜に対して、焼成を６５℃で１分間行った後、紫外線（照射量：５００ｍＪ）を照射した。その結果、第一のλ／４板１０５が得られた。厚みは、１．５０μｍであった。面内位相差は、１３７．５ｎｍであった。遅相軸の方位は、４５°であった。本比較例では、第一のλ／４板１０５を、第一の基板１０６（第一の支持基板１１３）の観察面側の表面に接着剤を介して貼り付けた。

（第一の基板１０６）
図６に示すようなカラーフィルタ基板を用いた。第一の支持基板１１３としては、厚み０．７ｍｍのガラス基板を用いた。ブラックマトリクス１１４の材料としては、黒色のレジスト（遮光率：９９．９％）を用いた。カラーフィルタ層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂの材料としては、顔料分散型のカラーレジストを用いた。オーバーコート層１１６の材料としては、透明樹脂を用いた。フォトスペーサー１１７の材料としては、レジストを用いた。フォトスペーサー１１７の高さは、４．８μｍであった。

（第二のλ／４板１０７）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、第一の基板１０６の背面側の表面上（フォトスペーサー１１７側の表面上）に、第二のλ／４板１０７用の光分解型配向膜と、液晶性光重合材料とを順に塗布し、積層膜を形成した。そして、この積層膜に対して、焼成を６５℃で１分間行った後、紫外線（照射量：５００ｍＪ）を照射した。その結果、第二のλ／４板１０７が得られた。第二のλ／４板１０７は、その厚みが１．５０μｍである場合、面内位相差が１３７．５ｎｍとなるように設計されていた。遅相軸の方位は、－４５°であった。

第二のλ／４板１０７について、面内位相差と厚みとの関係を調査した。具体的には、まず、第二のλ／４板１０７を形成する際に用いた液晶性光重合材料を、その厚みが１．４０～１．６０μｍの範囲で互いに異なるように１００枚のガラス基板上に塗布した。その後、上述した方法と同様に、焼成、及び、光照射（紫外線照射）を順に行うことによって、互いに厚みが異なる１００種類のサンプル（λ／４板）を作製した。そして、各サンプルの面内位相差を測定した。測定結果を図７に示す。図７は、液晶性光重合材料で構成されるλ／４板における、面内位相差と厚みとの関係を示すグラフである。図７に示すように、λ／４板の面内位相差は、厚みにほぼ比例していた。これは、液晶性光重合材料が、自己組織化型の光配向材料とは異なり、主に焼成及び光照射のプロセスによって屈折率異方性が決定されるものではなく、固有の屈折率異方性を有する液晶材料であるためである。すなわち、液晶性光重合材料から構成される第二のλ／４板１０７は、その厚みが設計値（１．５０μｍ）からばらつくと、面内位相差も厚みに比例して設計値（１３７．５ｎｍ）からばらつくものであった。

次に、図４を参照して既に説明した方法と同様にして、図７に示した評価結果から、各サンプルの面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合を算出した。算出結果を図８に示す。図８は、図７から導出された、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合と厚みとの関係を示すグラフである。図８に示すように、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合は、厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．１０μｍの範囲内でばらつくと、許容範囲である±５．０％の範囲内に抑えられていない場合があった。具体的には、λ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合は、厚みが設計値（１．５０μｍ）±０．０７μｍの範囲外であるとき、±５．０％の範囲外であった。すなわち、液晶性光重合材料から構成される第二のλ／４板１０７において、面内位相差の設計値からのずれ具合を±５．０％の範囲内に収めるためには、厚みを設計値（１．５０μｍ）±０．０７μｍの範囲内にする必要があった。

（第一の配向膜１０８）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、ポリイミド系の配向材料を第二のλ／４板１０７の背面側の表面上に塗布し、配向材料の膜を形成した。そして、この配向材料の膜に対して、仮焼成を９０℃で２分間行った後、本焼成を２２０℃で４０分間行った。その結果、第一の配向膜１０８が得られた。厚みは、１００ｎｍであった。第一の配向膜１０８に対しては、液晶層１０９中の液晶分子の配向方向を規定するため、ラビング処理を施した。

（液晶層１０９）
負の誘電率異方性（Δε＝－４．０）を有するネガ型の液晶材料から構成されるものを用いた。屈折率異方性（Δｎ）は、０．０９５であった。厚みは、３．３μｍであった。位相差は、３００ｎｍであった。液晶層１０９中の液晶分子の配向方向（電圧無印加時）は、０°であった。

（第二の配向膜１１０）
下記の方法で作製されたものを用いた。まず、ポリイミド系の配向材料を第二の基板１１１の観察面側の表面上に塗布し、配向材料の膜を形成した。そして、この配向材料の膜に対して、仮焼成を９０℃で２分間行った後、本焼成を２２０℃で４０分間行った。その結果、第二の配向膜１１０が得られた。厚みは、１００ｎｍであった。第二の配向膜１１０に対しては、液晶層１０９中の液晶分子の配向方向を規定するため、ラビング処理を施した。

（第二の基板１１１）
図６に示すようなＦＦＳモードの薄膜トランジスタアレイ基板を用いた。第二の支持基板１２１としては、厚み０．７ｍｍのガラス基板を用いた。共通電極１２０の材料としては、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いた。絶縁膜１１９の材料としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いた。絶縁膜１１９の厚みは、３００ｎｍであった。画素電極１１８の材料としては、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いた。

（第二の偏光板１１２）
ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素錯体（又は染料）を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）を用いた。透過軸の方位は、０°であった。

次に、比較例１の液晶表示パネルの画素構造について、図９を参照して以下に説明する。図９は、比較例１の液晶表示パネルの画素構造を示す平面模式図である。図９は、図６中の液晶表示パネルを観察面側から見た場合において、ブラックマトリクス１１４、フォトスペーサー１１７、画素電極１１８等に着目した状態を示している。図９に示すように、ブラックマトリクス１１４で区画された複数の領域（開口）の各々が画素領域ｐｒに対応する。画素領域ｐｒには、スリット（幅：ｓ）が設けられた画素電極１８（幅：ｌ）が配置されている。本比較例では、画素電極１１８の幅ｌは、２．５μｍであった。スリットの幅（画素電極１１８の間隔）ｓは、３．０μｍであった。

液晶層１０９中の液晶分子の長軸は、電圧印加時に、図９中のｙ方向に対してａ（画素電極１１８の傾斜角度）だけ傾斜することになる。本比較例では、画素電極１１８の傾斜角度ａは、１０°であった。液晶層１０９中の液晶分子は、電圧無印加時に、その長軸が図９中のｘ方向（０°）となるように配向していた。

フォトスペーサー１１７（直径：ｂ）は、ブラックマトリクス１１４（幅：ｗ）で隠れるように、ピッチｐｘ、及び、ピッチｐｙで配置され、かつ、画素領域ｐｒとの間の最短距離（フォトスペーサー１１７の端部と画素領域ｐｒの端部との間の最短距離）がｑとなるように配置されている。本比較例では、ブラックマトリクス１１４の幅ｗは、２０μｍであった。フォトスペーサー１１７の直径（観察面側の表面の直径）ｂは、１０μｍであった。フォトスペーサー１１７のピッチｐｘは２０μｍであり、ピッチｐｙは６０μｍであった。フォトスペーサー１１７と画素領域ｐｒとの間の最短距離ｑは、６．３μｍであった。

［評価１］
実施例１について、フォトスペーサー１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板７の厚みとの関係を調査した。図１０は、実施例１における、第二のλ／４板の厚みとフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１１は、図１０中の横軸が６～１５μｍの領域を拡大したグラフである。図１０に示すように、第二のλ／４板７の厚みは、フォトスペーサー１７に近づくにつれて設計値（１．５０μｍ）よりも大きくなり、フォトスペーサー１７の端部（横軸：０μｍ）において３．５０μｍと、画素領域ＰＲでの設計値（１．５０μｍ）に対して２倍以上大きくなっていた。実施例１においては、図５に示すように、フォトスペーサー１７と画素領域ＰＲとの間の最短距離Ｑが６．３μｍであるため、第二のλ／４板７の厚みが設計値（１．５０μｍ）よりも大きい領域はブラックマトリクス１４でほとんど覆われていた。一方、図１１に示すように、第二のλ／４板７の厚みは、フォトスペーサー１７の端部から６．３μｍ離れた位置、すなわち、画素領域ＰＲの端部において１．５９μｍと、設計値（１．５０μｍ）に対して０．０９μｍ大きくなっていることが分かった。

次に、実施例１について、フォトスペーサー１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板７の面内位相差との関係を調査した。図１２は、実施例１における、第二のλ／４板の面内位相差とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１２に示すように、第二のλ／４板７の面内位相差は、フォトスペーサー１７の端部からの距離が６．３μｍ以上である領域（画素領域ＰＲを含む）において、その増大傾向が緩やかであった。これは、図３を参照して既に説明したように、第二のλ／４板７の面内位相差が厚みに対してほぼ一定であるためである。

更に、図１２に示した評価結果から、第二のλ／４板７の面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合を算出した。算出結果を図１３に示す。図１３は、図１２から導出された、第二のλ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１３に示すように、第二のλ／４板７の面内位相差の設計値からのずれ具合は、フォトスペーサー１７の端部からの距離が６．３μｍ以上である領域（画素領域ＰＲを含む）において、許容範囲である±５．０％の範囲内（図１３中では、０～５．０％の範囲内）に充分抑えられていた。

以上より、第二のλ／４板７によれば、画素領域ＰＲからフォトスペーサー１７に近づくにつれて厚みが大きくなったとしても、面内位相差が画素領域ＰＲとフォトスペーサー１７周辺とで大きく異ならず、ブラックマトリクス１４と組み合わせることによって、フォトスペーサー１７周辺の光漏れを抑制することができることが分かった。実施例１の液晶表示パネル（電圧無印加時）を偏光顕微鏡で実際に観察したところ、光漏れが発生していなかった。よって、第二のλ／４板７によれば、フォトスペーサー１７周辺だけではなく、画素領域ＰＲにおいても黒表示状態の輝度が低くなり、その結果、コントラストが高い液晶表示パネルが得られることが分かった。実際に、実施例１の液晶表示パネルのコントラストを暗室（照度０．１ｌｘ以下の環境）で測定したところ、７００であった。

［評価２］
実施例２について、フォトスペーサー１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板７の厚みとの関係を調査した。図１４は、実施例２における、第二のλ／４板の厚みとフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１５は、図１４中の横軸が６～１５μｍの領域を拡大したグラフである。図１４に示すように、第二のλ／４板７の厚みは、フォトスペーサー１７に近づくにつれて設計値（１．５０μｍ）よりも大きくなり、フォトスペーサー１７の端部（横軸：０μｍ）において、画素領域ＰＲでの設計値（１．５０μｍ）に対して２倍以上大きくなっていた。実施例２においては、実施例１と同様に、フォトスペーサー１７と画素領域ＰＲとの間の最短距離Ｑが６．３μｍであるため、第二のλ／４板７の厚みが設計値（１．５０μｍ）よりも大きい領域はブラックマトリクス１４でほとんど覆われていた。一方、図１５に示すように、第二のλ／４板７の厚みは、フォトスペーサー１７の端部から６．３μｍ離れた位置、すなわち、画素領域ＰＲの端部において１．５８μｍと、設計値（１．５０μｍ）に対して０．０８μｍ大きくなっていることが分かった。以上より、実施例２においては、フォトスペーサー１７周辺の第二のλ／４板７の厚みが、実施例１よりも小さくなっていることが分かった。

次に、実施例２について、フォトスペーサー１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板７の面内位相差との関係を調査したところ、実施例１と同様な傾向を示した。更に、この評価結果から、第二のλ／４板７の面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合を算出したところ、実施例１と同様な傾向を示し、第二のλ／４板７の面内位相差の設計値からのずれ具合は、フォトスペーサー１７の端部からの距離が６．３μｍ以上である領域（画素領域ＰＲを含む）において、許容範囲である±５．０％の範囲内に充分抑えられていた。

以上より、第二のλ／４板７によれば、画素領域ＰＲからフォトスペーサー１７に近づくにつれて厚みが大きくなったとしても、面内位相差が画素領域ＰＲとフォトスペーサー１７周辺とで大きく異ならず、ブラックマトリクス１４と組み合わせることによって、フォトスペーサー１７周辺の光漏れを抑制することができることが分かった。実施例２の液晶表示パネル（電圧無印加時）を偏光顕微鏡で実際に観察したところ、光漏れが発生していなかった。よって、第二のλ／４板７によれば、フォトスペーサー１７周辺だけではなく、画素領域ＰＲにおいても黒表示状態の輝度が低くなり、その結果、コントラストが高い液晶表示パネルが得られることが分かった。更に、実施例２においては、液晶層９の厚みが実施例１よりも小さいため、黒表示状態（電圧無印加時）における液晶層での光の散乱が抑制され、実施例１よりもコントラストが高い液晶表示パネルが得られることが分かった。実際に、実施例２の液晶表示パネルのコントラストを暗室（照度０．１ｌｘ以下の環境）で測定したところ、実施例１よりも高く、８００であった。

［評価３］
実施例３について、フォトスペーサー１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板７の厚みとの関係、その位置における第二のλ／４板７の面内位相差との関係、及び、第二のλ／４板７の面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合との関係を各々調査したところ、実施例１と同様な傾向を示した。

以上より、第二のλ／４板７によれば、画素領域ＰＲからフォトスペーサー１７に近づくにつれて厚みが大きくなったとしても、面内位相差が画素領域ＰＲとフォトスペーサー１７周辺とで大きく異ならず、ブラックマトリクス１４と組み合わせることによって、フォトスペーサー１７周辺の光漏れを抑制することができることが分かった。実施例３の液晶表示パネル（電圧無印加時）を偏光顕微鏡で実際に観察したところ、光漏れが発生していなかった。よって、第二のλ／４板７によれば、フォトスペーサー１７周辺だけではなく、画素領域ＰＲにおいても黒表示状態の輝度が低くなり、その結果、コントラストが高い液晶表示パネルが得られることが分かった。更に、実施例３においては、第二のλ／４板７によって、各カラーフィルタ層（カラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）に対応する画素間の段差が、実施例１と同じ程度（最大０．１μｍ）に抑えられていることが分かった。実際に、実施例３の液晶表示パネルのコントラストを暗室（照度０．１ｌｘ以下の環境）で測定したところ、実施例１と同等であり、７００であった。

［評価４］
比較例１について、フォトスペーサー１１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板１０７の厚みとの関係を調査したところ、図１０及び図１１に示した関係と同様であった。第二のλ／４板１０７の厚みは、フォトスペーサー１１７の端部から６．３μｍ離れた位置、すなわち、画素領域ｐｒの端部において１．５９μｍであった。よって、図８を考慮すると、画素領域ｐｒの端部は、第二のλ／４板１０７の面内位相差の設計値からのずれ具合が５．０％よりも大きくなる位置であった。

次に、比較例１について、フォトスペーサー１１７の端部からの距離と、その位置における第二のλ／４板１０７の面内位相差との関係を調査した。図１６は、比較例１における、第二のλ／４板の面内位相差とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１２と図１６とを比較すれば分かるように、第二のλ／４板１０７の面内位相差は、フォトスペーサー１１７の端部からの距離が６．３μｍ以上である領域（画素領域ｐｒを含む）において、その増大傾向が第二のλ／４板７の面内位相差よりも急であった。これは、図７を参照して既に説明したように、第二のλ／４板１０７の面内位相差が厚みにほぼ比例するためである。

更に、図１６に示した評価結果から、第二のλ／４板１０７の面内位相差の設計値（１３７．５ｎｍ）からのずれ具合を算出した。算出結果を図１７に示す。図１７は、図１６から導出された、第二のλ／４板の面内位相差の設計値からのずれ具合とフォトスペーサーの端部からの距離との関係を示すグラフである。図１７に示すように、第二のλ／４板１０７の面内位相差の設計値からのずれ具合は、フォトスペーサー１１７の端部からの距離が６．３μｍ以上である領域（画素領域ｐｒを含む）において、許容範囲である±５．０％の範囲内（図１７中では、０～５．０％の範囲内）に抑えられていない領域があった。具体的には、第二のλ／４板１０７の面内位相差の設計値からのずれ具合は、フォトスペーサー１１７の端部からの距離が７．２μｍ未満であるとき、５．０％よりも大きかった。

以上より、第二のλ／４板１０７によれば、画素領域ｐｒからフォトスペーサー１１７に近づくにつれて厚みが大きくなると、面内位相差が画素領域ｐｒとフォトスペーサー１１７周辺とで大きく異なり、ブラックマトリクス１１４と組み合わせても、フォトスペーサー１１７周辺の光漏れを抑制することができないことが分かった。比較例１の液晶表示パネル（電圧無印加時）を偏光顕微鏡で実際に観察したところ、数μｍサイズの光漏れが多数発生していた。また、比較例１の液晶表示パネルのコントラストを暗室（照度０．１ｌｘ以下の環境）で測定したところ、実施例１～３よりも低く、４００であった。

［付記］
本発明の一態様は、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、第一のλ／４板と、第一の基板と、第二のλ／４板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板とを備え、上記第一の基板及び上記第二の基板のうちの一方は、電圧が印加されることによって上記液晶層に横電界を発生させる一対の電極を有し、上記第一の基板は、ブラックマトリクスと、上記ブラックマトリクスの背面側に配置され、かつ、上記ブラックマトリクスと重畳するフォトスペーサーとを有し、上記液晶層中の液晶分子は、上記一対の電極間に電圧が印加されていない状態で、ホモジニアス配向するものであり、上記第二のλ／４板は、光二量化、光異性化、及び、光フリース転移からなる群より選択される少なくとも１つの化学反応が可能な光官能基を有する自己組織化型の光配向材料から構成され、上記フォトスペーサーの側面を覆い、上記第一のλ／４板の面内遅相軸は、上記第一の偏光板の透過軸と４５°の角度をなし、かつ、上記第二のλ／４板の面内遅相軸と直交する液晶表示パネルであってもよい。この態様によれば、下記の効果を奏することができる。
（１）上記第一の偏光板と上記第一のλ／４板とが積層された円偏光板が、上記液晶表示パネルの観察面側に配置されるため、円偏光板の反射防止効果によって、明所における視認性が高まる。
（２）上記第二のλ／４板が自己組織化型の光配向材料から構成されるため、面内位相差が画素領域と上記フォトスペーサー周辺とで大きく異ならず、上記ブラックマトリクスと組み合わせることによって、上記フォトスペーサー周辺の光漏れを抑制することができる。

上記第一の偏光板の透過軸と上記第二の偏光板の透過軸とは、直交していてもよい。このような構成によれば、上記第一の偏光板と上記第二の偏光板とがクロスニコルに配置されるため、電圧無印加時に、黒表示状態を好ましく実現することができる。

上記一対の電極間に電圧が印加されていない状態で、上記液晶層中の液晶分子の配向方向と上記第一の偏光板及び上記第二の偏光板のうちの一方の透過軸とは、平行であってもよい。このような構成によれば、電圧無印加時に、黒表示状態を好ましく実現することができる。

本発明の別の一態様は、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置であってもよい。この態様によれば、明所における視認性に優れ、上記フォトスペーサー周辺の光漏れが抑制された横電界モードの液晶表示装置を実現することができる。

１ａ、１ｂ：液晶表示装置
２ａ、２ｂ、１０２：液晶表示パネル
３：バックライト
４、１０４：第一の偏光板
５、１０５：第一のλ／４板
６ａ、６ｂ、１０６：第一の基板
７、１０７：第二のλ／４板
８、１０８：第一の配向膜
９、１０９：液晶層
１０、１１０：第二の配向膜
１１、１１１：第二の基板
１２、１１２：第二の偏光板
１３、１１３：第一の支持基板
１４、１１４：ブラックマトリクス
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ、１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂ：カラーフィルタ層
１６、１１６：オーバーコート層
１７、１１７：フォトスペーサー
１８、１１８：画素電極（信号電極）
１９、１１９：絶縁膜
２０、１２０：共通電極
２１、１２１：第二の支持基板
ＰＲ、ｐｒ：画素領域
Ｌ、ｌ：画素電極の幅
Ｓ、ｓ：スリットの幅（画素電極の間隔）
Ａ、ａ：画素電極の傾斜角度
Ｂ、ｂ：フォトスペーサーの直径
Ｗ、ｗ：ブラックマトリクスの幅
Ｐｘ、Ｐｙ、ｐｘ、ｐｙ：フォトスペーサーのピッチ
Ｑ、ｑ：フォトスペーサーと画素領域との間の最短距離

Claims

観察面側から背面側に向かって順に、
第一の偏光板と、
第一のλ／４板と、
第一の基板と、
第二のλ／４板と、
液晶層と、
第二の基板と、
第二の偏光板とを備え、
前記第一の基板及び前記第二の基板のうちの一方は、電圧が印加されることによって前記液晶層に横電界を発生させる一対の電極を有し、
前記第一の基板は、ブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの背面側に配置され、かつ、前記ブラックマトリクスと重畳するフォトスペーサーとを有し、
前記液晶層中の液晶分子は、前記一対の電極間に電圧が印加されていない状態で、ホモジニアス配向するものであり、
前記第二のλ／４板は、光二量化、光異性化、及び、光フリース転移からなる群より選択される少なくとも１つの化学反応が可能な光官能基を有する自己組織化型の光配向材料から構成され、前記フォトスペーサーの側面を覆い、
前記第一のλ／４板の面内遅相軸は、前記第一の偏光板の透過軸と４５°の角度をなし、かつ、前記第二のλ／４板の面内遅相軸と直交することを特徴とする液晶表示パネル。
前記第一の偏光板の透過軸と前記第二の偏光板の透過軸とは、直交することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記一対の電極間に電圧が印加されていない状態で、前記液晶層中の液晶分子の配向方向と前記第一の偏光板及び前記第二の偏光板のうちの一方の透過軸とは、平行であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示パネルを備えることを特徴とする液晶表示装置。