[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2017149636A1 - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents

発光装置の製造方法及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017149636A1
WO2017149636A1 PCT/JP2016/056183 JP2016056183W WO2017149636A1 WO 2017149636 A1 WO2017149636 A1 WO 2017149636A1 JP 2016056183 W JP2016056183 W JP 2016056183W WO 2017149636 A1 WO2017149636 A1 WO 2017149636A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
layer
hole transport
transport layer
emitting device
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/056183
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
田中　章浩
Original Assignee
パイオニア株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パイオニア株式会社 filed Critical パイオニア株式会社
Priority to JP2018502896A priority Critical patent/JP6816102B2/ja
Priority to US16/081,861 priority patent/US10483479B2/en
Priority to PCT/JP2016/056183 priority patent/WO2017149636A1/ja
Publication of WO2017149636A1 publication Critical patent/WO2017149636A1/ja
Priority to US16/655,010 priority patent/US20200052236A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device.
  • An organic EL element is one of light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer has a multilayer structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked.
  • Patent Document 1 describes that a hole injection layer and a part of the hole transport layer are formed by a coating method, and the remaining layer and the light emitting layer of the hole transport layer are formed by an evaporation method. Has been.
  • Patent Document 2 also describes that a part of the hole transport layer is formed by a coating method, and the remaining layer and the light emitting layer of the hole transport layer are formed by a vapor deposition method. Patent Document 2 describes that an electron transport layer positioned on a light emitting layer is also formed by an evaporation method.
  • the display device and the illuminating device capable of adjusting the luminescent color have a plurality of types of light emitting units having different luminescent colors.
  • the emission color of the light emitting part is basically determined by the material used for the light emitting layer. For this reason, when a plurality of types of light emitting portions having different emission colors are mixedly mounted on one substrate, a light emitting portion in which a light emitting layer is formed by a coating method and a light emitting layer are formed by a vapor deposition method on one substrate. Both light emitting parts may exist. In such a case, the former light emitting portion is thicker than the latter light emitting portion by a coating method. For this reason, the dry state of the coating material which comprises an organic layer will differ with the former and the latter. In this case, it is difficult to make the drying state of the plurality of types of light emitting parts all optimal, and as a result, the quality of some of the light emitting parts deteriorates.
  • the quality of some of the light emitting units is prevented from being deteriorated.
  • the invention according to claim 1 is a first step of applying a light emitting material to a first region of the substrate where the first light emitting portion is formed; A second step of applying a coating material to a second region of the substrate where a second light emitting portion is formed, before or after the first step; A third step which is performed after the first step and the second step, and which dries the light emitting material in the first region and the coating material in the second region; A fourth step which is performed after the third step and deposits a light emitting material on the second region;
  • a method for manufacturing a light emitting device comprising:
  • the invention according to claim 11 is a first light emitting portion formed in the first region of the substrate, A second light emitting part formed in the second region of the substrate;
  • the first light emitting unit includes A first hole injection layer; A first hole transport layer located on the first hole injection layer; A first light emitting layer located on the first hole transport layer; Have The second light emitting unit A second hole injection layer; A second hole transport layer located on the second hole injection layer and comprising a first hole transport material; A third hole transport layer located on the second hole transport layer and comprising a second hole transport material; A fourth hole transport layer located on the third hole transport layer and comprising the second hole transport material; A second light emitting layer located on the fourth hole transport layer; A light emitting device having
  • the invention according to claim 16 is an insulating layer formed on the substrate and having a plurality of openings; A partition located on a portion of the insulating layer located between adjacent openings; A first light emitting unit located in the first opening; A second light emitting part located in the second opening; With The first light emitting unit includes A first hole injection layer; A first hole transport layer located on the first hole injection layer; A first light emitting layer located on the first hole transport layer; Have The second light emitting unit A second hole injection layer; A second hole transport layer positioned on the second hole injection layer and thicker than the first hole transport layer; A second light emitting layer located on the second hole transport layer; Have On the partition located next to the second light emitting part, in the thickness direction, the second hole injection layer and a part of the second hole transport layer are not located, and the first In the light emitting device, the remaining part of the two hole transport layer and the second light emitting layer are located.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4.
  • 6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. FIG.
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 11A is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line ⁇ in FIG. 10
  • FIG. 11B is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line ⁇ in FIG. It is CC sectional drawing of FIG.
  • FIG. 9 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
  • a hole transport layer and a hole injection layer are used to mean a layer containing a hole transport material and a layer containing a hole injection material, respectively.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a first light emitting unit 140a, and a second light emitting unit 140b.
  • the first light emitting unit 140a is formed in the first region 100a of the substrate 100, and includes a hole injection layer 121 (first hole injection layer), a first hole transport layer 122a, and a first light emitting layer 123a. is doing.
  • the second light emitting unit 140b is formed in the second region 100b of the substrate 100, and includes a hole injection layer 121 (second hole injection layer), a second hole transport layer 122b, a third hole transport layer 122c, It has a fourth hole transport layer 122d and a second light emitting layer 123b.
  • the second hole transport layer 122b is formed on the hole injection layer 121 and contains the first hole transport material.
  • the third hole transport layer 122c is formed on the second hole transport layer 122b and includes a second hole transport material.
  • the fourth hole transport layer 122d is formed on the third hole transport layer 122c, and includes the same material as the third hole transport layer 122c, that is, the second hole transport material.
  • the third hole transport layer 122c is formed using a coating method, and the fourth hole transport layer 122d is formed using a vapor deposition method. For this reason, an interface exists between the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d.
  • the refractive index of the third hole transport layer 122c is different from the refractive index of the fourth hole transport layer 122d.
  • the first hole transport layer 122a includes the same material as the second hole transport layer 122b, that is, the first hole transport material. Details will be described below.
  • the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b are both formed on one surface of the substrate 100.
  • the first light emitting unit 140 a and the second light emitting unit 140 b are defined by the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed using a photosensitive material such as polyimide, and is formed in a predetermined shape through exposure and development processes. Specifically, the insulating layer 150 has a first opening 152a located on the first region 100a and a second opening 152b located on the second region 100b.
  • the insulating layer 150 is formed after the first electrode 110 is formed and before the hole injection layer 121 is formed. However, the insulating layer 150 may not be formed.
  • the first light emitting unit 140a includes the first electrode 110, the first organic layer 120a, and the second electrode 130
  • the second light emitting unit 140b includes the first electrode 110, the second organic layer 120b, and the second electrode 130. have. Both the first organic layer 120 a and the second organic layer 120 b are located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the first organic layer 120a is located inside the first opening 152a
  • the second organic layer 120b is located inside the second opening 152b.
  • the 1st light emission part 140a will be located inside the 1st opening 152a
  • the 2nd light emission part 140b will be located inside the 2nd opening 152b.
  • the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b may be a bottom emission type light emitting unit or a top emission type light emitting unit.
  • the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin, for example.
  • the surface opposite to the electrode 110 is the light extraction surface of the light emitting device 10.
  • the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material or formed of a material that does not have light-transmitting properties. May be.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m. In particular, when the substrate 100 is made of a glass material and has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.
  • At least one of the first electrode 110 and the second electrode 130 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode.
  • the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b are of the top emission type
  • at least the second electrode 130 is a transparent electrode.
  • both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be transparent electrodes.
  • the light emitting device 10 is a double-sided light emitting device.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube, a conductive organic material such as PEDOT / PSS, or a thin metal electrode.
  • the non-transparent electrode is selected from, for example, a first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Or a metal layer made of an alloy of metals selected from the first group.
  • This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are stacked in this order.
  • the second organic layer 120b of the second light emitting unit 140b includes a hole injection layer 121, a second hole transport layer 122b, a third hole transport layer 122c, a fourth hole transport layer 122d, and a second light emitting layer 123b. , A hole blocking layer 124, an electron transporting layer 125, and an electron injection layer 126. However, one of the electron transport layer 125 and the electron injection layer 126 may not be formed.
  • the hole injection layer 121 is formed using a material that moves holes (a hole-moving organic material).
  • the thickness of the hole injection layer 121 is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm.
  • the hole injection layer 121 of the first organic layer 120a and the hole injection layer 121 of the second organic layer 120b are formed in the same process.
  • the formation method of the hole injection layer 121 is a coating method, particularly an ink jet method.
  • the material constituting the hole injection layer 121 (hole injection material) is a conductive polymer material, such as PEDOT-PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesulfonate)). And polythiophene-based materials.
  • high-molecular hole injection materials including arylamine derivatives, porphyrin derivatives, polystyrene derivatives, polypyrrole derivatives, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyacetylene derivatives, and the like. However, it is not limited to these.
  • the first hole transport layer 122a, the second hole transport layer 122b, the third hole transport layer 122c, and the fourth hole transport layer 122d are all formed using a hole-moving organic material. .
  • the thickness of the first hole transport layer 122a is, for example, not less than 30 nm and not more than 100 nm.
  • the thickness of the second hole transport layer 122b is, for example, not less than 30 nm and not more than 100 nm.
  • the thickness of the first hole transport layer 122a is equal to the thickness of the second hole transport layer 122b. Almost equal.
  • the thickness of the third hole transport layer 122c is, for example, not less than 10 nm and not more than 40 nm
  • the thickness of the fourth hole transport layer 122d is, for example, not less than 10 nm and not more than 40 nm.
  • the first hole transport layer 122a and the second hole transport layer 122b are formed using the first hole transport material
  • the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d are the second positive transport layer. It is formed using a hole transporting material.
  • the first hole transporting material is higher in polymer than the second hole transporting material.
  • the first hole transporting material is a polymeric hole transporting material such as TFB (poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4 ′ -(N- (4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)]) and the like.
  • polymer hole transport materials including anthracene derivatives, carbazole derivatives, polythiophene derivatives, polyfluorene derivatives, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and the like can be given. However, it is not limited to these.
  • the second hole-transporting material is a low-molecular hole-transporting material, such as ⁇ -NPD (bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine)), m-MTDATA (4,4 ', 4' '-tris [phenyl (m-tolyl) amino] triphenylamine), TCTA (4,4', 4 ''-tri (N-carbazole) triphenylamine), 2-TNATA (4,4 ', 4' '-tris [2-naphthyl (phenyl) amino] triphenylamine) and the like.
  • ⁇ -NPD bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine
  • m-MTDATA (4,4 ', 4' '-tris [phenyl (m-tolyl) amino] triphenylamine)
  • TCTA 4,4', 4 ''-tri (N-carbazole) trip
  • triphenylamine derivatives triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, styrylamine derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives,
  • Low molecular hole transport materials including hydrazone derivatives, stilbene derivatives, triphenylene derivatives, azatriphenylene derivatives, and the like can be given. However, it is not limited to these.
  • the organic solvent for example, toluene, xylene, anisole, cyclohexanone, dodecylbenzene, cyclohexanol, tetralin, mesitylene, bucidocumene, dihydrobenzofuran, cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, p-anisyl alcohol, dimethylnaphthalene , 3-methylbiphenyl, 4-methylbiphenyl, 3-isopropylbiphenyl, monoisopropylnaphthalene, tetrahydrofuran, dichloroethane, chloroform, ethyl benzoate, butyl benzoate and the like.
  • the organic solvent for example, toluene, xylene, anisole, cyclohexanone, dodecylbenzene, cyclohexanol, tetralin, mesitylene, bucidocumene,
  • the first hole transport layer 122a and the second hole transport layer 122b are formed by applying a first hole transport material.
  • the third hole transport layer 122c is formed by applying a second hole transport material. Specifically, the second hole transporting material to be the third hole transporting layer 122c is coated with the first hole transporting material to be the first hole transporting layer 122a and the second hole transporting layer 122b, And after being dried, it is applied. For this reason, an interface exists between the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c.
  • the first hole transport layer 122a, the second hole transport layer 122b, and the third hole transport layer 122c are formed using, for example, a spin coating method, but other coating methods (for example, an ink jet method) are used. It may be formed.
  • the fourth hole transport layer 122d is formed by using a vapor deposition method.
  • the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d are formed using different film forming methods. For this reason, although both the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d are formed using the second hole transport material, the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122c are formed. An interface exists between the hole transport layers 122d.
  • the refractive indexes of the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d are different from each other. For example, the refractive index of the third hole transport layer 122c is smaller than the refractive index of the fourth hole transport layer 122d.
  • Both the first light-emitting layer 123a and the second light-emitting layer 123b are formed using a material that emits light when electrons and holes are recombined.
  • the emission color of the first emission layer 123a is different from the emission color of the second emission layer 123b.
  • the peak wavelength of the emission spectrum of the first light emitting layer 123a ie, the first light emitting unit 140a
  • the peak wavelength of the emission spectrum of the second light emitting layer 123b ie, the second light emitting unit 140b.
  • the emission color of the first emission layer 123a is, for example, green (peak wavelength is 500 nm or more and 550 nm or less) or red (peak wavelength is 600 nm or more and 680 nm or less), and the emission color of the second emission layer 123b is blue (peak The wavelength is from 430 nm to 480 nm.
  • the hole blocking layer 124 of the first organic layer 120a is in contact with the surface of the first light emitting layer 123a opposite to the first hole transporting layer 122a, and the holes penetrate the first light emitting layer 123a and Reaching the electron transport layer 125 or the electron injection layer 126 of the one organic layer 120a is suppressed.
  • the hole blocking layer 124 is formed using, for example, a material that can move electrons (electron-moving organic material).
  • the thickness of the hole blocking layer 124 is, for example, not less than 5 nm and not more than 50 nm. Note that the first organic layer 120a and the second organic layer 120b may not include the hole blocking layer 124.
  • the electron transport layer 125 of the first organic layer 120a and the electron transport layer 125 of the second organic layer 120b are both formed using a material (electron mobility organic material) through which electrons move.
  • a material electron mobility organic material
  • examples of such materials include nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, and silole derivatives. Since the electron transport layer 125 of the first organic layer 120a and the electron transport layer 125 of the second organic layer 120b are formed in the same process, they have substantially the same thickness.
  • the thickness of the electron transport layer 125 is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less.
  • the electron injection layer 126 of the first organic layer 120a and the electron injection layer 126 of the second organic layer 120b are both alkaline earth metal compounds such as LiF, metal oxides typified by aluminum oxide, or lithium 8-hydroxy. It is formed using a metal complex typified by quinolate (Liq). Since the electron injection layer 126 of the first organic layer 120a and the electron injection layer 126 of the second organic layer 120b are formed in the same process, they have substantially the same thickness.
  • the thickness of the electron injection layer 126 is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm.
  • the first organic layer 120a and the second organic layer 120b may further have an electron blocking layer.
  • the electron blocking layer is located between the hole transport layer and the light emitting layer, and suppresses electrons penetrating the light emitting layer from reaching the hole transport layer and the hole injection layer.
  • the electron-inhibiting layer can be formed using, for example, at least one of materials in which holes move (hole-moving organic material).
  • the thickness of the electron inhibition layer is, for example, 5 nm or more and 50 nm or less.
  • each layer of the first organic layer 120a is located inside the first opening 152a, and each layer of the second organic layer 120b is located inside the second opening 152b.
  • the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, and the second hole transport layer 122b may be formed on the insulating layer 150.
  • the hole injection layer 121 of the first organic layer 120a and the hole injection layer 121 of the second organic layer 120b may be connected to each other, or the first hole transport layer 122a and the second hole transport layer 122b. May be connected to each other.
  • FIG. 2 and FIG. 3 are cross-sectional views showing a method for manufacturing the light emitting device 10.
  • the method for manufacturing the light emitting device 10 includes the following steps. First, a light emitting material (specifically, a material to be the first light emitting layer 123a) is applied to the first region 100a of the substrate 100 (first step). In addition, before or after the first step, a coating material (specifically, a second hole transporting material that becomes the third hole transporting layer 122c) is applied to the second region 100b of the substrate 100 (a second hole transporting material 122c). Process). Then, after the first step and the second step, the light emitting material in the first region 100a and the coating material in the second region 100b are dried (third step). Thereafter, a light emitting material is deposited on the second region 100b (fourth step). Details will be described below.
  • the first electrode 110 is formed on the first region 100a and the second region 100b of the substrate 100 by using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the insulating layer 150, the first opening 152a, and the second opening 152b are formed over the substrate 100.
  • a hole injection material is applied to the first region 100a and the second region 100b of the substrate 100 by using, for example, an ink jet method, and then dried.
  • the hole injection layer 121 of the first light emitting unit 140a and the hole injection layer 121 of the second light emitting unit 140b are formed (seventh step).
  • the first hole transport material is applied to the first region 100a and the second region 100b of the substrate 100 by using, for example, an ink jet method, and then dried. Accordingly, the first hole transport layer 122a of the first light emitting unit 140a and the second hole transport layer 122b of the second light emitting unit 140b are formed (fifth step).
  • a second hole transport material is applied to the second region 100b of the substrate 100 by using, for example, an ink jet method (second step).
  • a light emitting material to be the first light emitting layer 123a is applied to the first region 100a of the substrate 100 using, for example, an ink jet method (first step). Note that the second step may be performed after the first step is performed.
  • the coating material applied in the first step and the coating material applied in the second step are dried (third step).
  • the first light emitting layer 123a of the first light emitting unit 140a and the third hole transport layer 122c of the second light emitting unit 140b are formed.
  • a second hole transporting material is deposited on the second region 100b of the substrate 100 (sixth step). Thereby, the fourth hole transport layer 122d is formed.
  • a light emitting material is deposited on the second region 100b of the substrate 100 (fourth step). Thereby, the second light emitting layer 123b is formed.
  • the hole blocking layer 124 of the first organic layer 120a and the hole blocking layer 124 of the second organic layer 120b are formed using a vacuum deposition method.
  • the electron transport layer 125 of the first organic layer 120a and the electron transport layer 125 of the second organic layer 120b are formed using a vacuum deposition method.
  • an electron injection material is vacuum-deposited on the electron transport layer 125 (eighth step).
  • the electron injection layer 126 of the first organic layer 120a and the electron injection layer 126 of the second organic layer 120b are formed. In this way, the first organic layer 120a and the second organic layer 120b are formed.
  • the second electrode 130 is formed on each of the first organic layer 120a and the second organic layer 120b.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the first light emitting layer 123a of the first light emitting unit 140a is formed using a coating method
  • the second light emitting layer 123b of the second light emitting unit 140b is formed using a vapor deposition method.
  • the organic layer formed by coating requires a step of drying the solvent.
  • the drying step is not performed only in the respective regions of the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b. Often done at once.
  • a film formation failure is likely to occur in the drying process.
  • the first light emitting unit 140a since the first light emitting unit 140a is formed by a coating method, it is in a so-called wet state containing a solvent.
  • the second light emitting unit 140b is in a dry state because it is formed by vapor deposition. For this reason, when the light emitting device 10 is subjected to a drying process, the organic layer in the drying process of the first light emitting unit 140a is attracted onto the dried (not wet) insulating layer 150 on the second light emitting unit 140b side. So-called pulling occurs. When this phenomenon occurs, the thickness of the organic layer 120 of the first light emitting layer 140a becomes non-uniform in the first light emitting layer 140a, leading to deterioration of the quality of the light emitting device 10.
  • the third hole transport layer 122c is formed on the second hole transport layer 122b of the second light emitting unit 140b.
  • the third hole transport layer 122c is formed by a coating method, and is dried in the same process as the first light emitting layer 123a. Therefore, the organic layer formed on both the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b in the stage of performing the drying process is formed by a coating method. For this reason, the dry state of the 1st light emission part 140a and the dry state of the 2nd light emission part 140b can be arrange
  • the hole injection layer 121 and the second hole transport layer 122b are formed using a coating method, and the third hole transport layer 122c and the fourth hole transport layer 122d are deposited. It is formed using the method. In this case, a part of the hole transport layer of the second light emitting unit 140b is formed by a coating method, and the remaining layer of the hole transport layer is formed by a vapor deposition method. For this reason, the mobility of holes may be reduced at the interface between the layer formed by the coating method and the layer formed by the vapor deposition method in the hole transport layer of the second light emitting unit 140b.
  • the third hole transport layer 122c is provided between the second hole transport layer 122b and the fourth hole transport layer 122d.
  • the third hole transport layer 122c is made of the same material as the fourth hole transport layer 122d, and is formed by a coating method. Therefore, the above-described decrease in hole mobility can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency of the second light emitting unit 140b.
  • FIG. 4 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a view in which the second electrode 130 is removed from FIG.
  • FIG. 6 is a view in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 according to this embodiment is a lighting device, and a light emitting region is formed on almost the entire surface of the substrate 100. In the light emitting region, the first light emitting unit 140a, the second light emitting unit 140b, and the third light emitting unit 140c are repeatedly formed. The first light emitting unit 140a, the second light emitting unit 140b, and the third light emitting unit 140c all extend in a stripe shape (linear shape).
  • the configurations of the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b are as shown in the embodiment.
  • the third light emitting unit 140c has the same configuration as the first light emitting unit 140a, except that the third light emitting layer 123c is provided instead of the first light emitting layer 123a.
  • the material of the third light emitting layer 123c is different from the material of the first light emitting layer 123a.
  • the third organic layer 120c of the third light emitting unit 140c has the same configuration as the first organic layer 120a of the first light emitting unit 140a except for the light emitting layer.
  • One emission color of the first light emitting unit 140a and the third light emitting unit 140c is red, and the other is green.
  • the emission color of the second light emitting unit 140b is blue.
  • the first light emitting unit 140a, the second light emitting unit 140b, and the third light emitting unit 140c all have a first electrode 110, a first terminal 112, a second electrode 130, and a second terminal 132.
  • the light emitting device 10 is a dimmable lighting device.
  • the 1st electrode 110, the 1st terminal 112, the 2nd electrode 130, and the 2nd terminal 132 are independent for every light emission part.
  • the second terminal 132 may be a common terminal for all the light emitting units.
  • the second electrode 130 may also be an electrode common to all the light emitting units (so-called solid electrode).
  • the first terminal 112 may be a common terminal for all the light emitting units.
  • the first electrode 110 may also be an electrode common to all the light emitting units (so-called solid electrode).
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 have a layer formed using the same material as the first electrode 110. This layer is formed in the same process as the first electrode 110. In addition, a layer formed of the same material as the first electrode 110 in the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110. On the other hand, the second terminal 132 is separated from the first electrode 110.
  • first terminal 112 and the second terminal 132 are located on opposite sides of the first electrode 110.
  • the substrate 100 is rectangular.
  • the first terminal 112 is formed along one side of the substrate 100
  • the second terminal 132 is formed along the side opposite to the first terminal 112 among the four sides of the substrate 100.
  • the insulating layer 150 has a first opening 152a, a second opening 152b, and a third opening 152c.
  • the first opening 152a is located in the region where the first light emitting unit 140a is to be formed
  • the second opening 152b is located in the region where the second light emitting unit 140b is to be formed
  • the third opening 152c is located in a region where the third light emitting unit 140c is to be formed.
  • a part of the second electrode 130 extends over the second terminal 132 across the insulating layer 150.
  • the manufacturing method of the first light emitting unit 140a and the second light emitting unit 140b is as described in the embodiment.
  • the third light emitting unit 140c is formed in the same process as the first light emitting unit 140a except that the third light emitting layer 123c is formed using a coating material different from the first light emitting layer 123a. .
  • the coating material used as the 3rd light emitting layer 123c is dried by the same process of the coating material used as the 1st light emitting layer 123a, and the coating material used as the 3rd hole transport layer 122c.
  • the third hole transport layer 122c is formed on the second hole transport layer 122b of the second light emitting unit 140b.
  • the third hole transport layer 122c is formed by a coating method, and is dried in the same process as the first light emitting layer 123a and the third light emitting layer 123c. Therefore, the dry state of the layer formed by the coating method in the first organic layer 120a, the dry state of the layer formed by the coating method in the second organic layer 120b, and the coating method in the third organic layer 120c.
  • Each of the dry states of the formed layers can be brought into an appropriate state. As a result, the quality of the first light emitting unit 140a, the quality of the second light emitting unit 140b, and the quality of the third light emitting unit 140c are all increased.
  • FIG. 8 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • FIG. 11A is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line ⁇ in FIG. 10
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a plurality of first light emitting units 140a, a plurality of second light emitting units 140b, a plurality of third light emitting units 140c, a light emitting unit 140, an insulation.
  • a wiring 134 and a plurality of partition walls 170 are provided.
  • the first electrode 110 extends in a line in the first direction (Y direction in FIG. 8). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114.
  • the conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween.
  • a plurality of first openings 152a, a plurality of second openings 152b, a plurality of third openings 152c, and a plurality of openings 154 are formed.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 8).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the first opening 152a, the second opening 152b, and the third opening 152c are all located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view.
  • the first opening 152a, the second opening 152b, and the third opening 152c are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 8, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • the first organic layer 120a is formed inside the first opening 152a
  • the second organic layer 120b is formed inside the second opening 152b
  • the first organic layer 120a is formed inside the third opening 152c.
  • Three organic layers 120c are formed.
  • the configuration of the first organic layer 120a, the configuration of the second organic layer 120b, and the configuration of the third organic layer 120c are all as described in the first embodiment.
  • at least some layers of each organic layer may protrude to the outside of each opening.
  • no organic layer is formed in the opening 154 as shown in FIG.
  • the second electrode 130 extends in the second direction (the X direction in FIG. 8) intersecting the first direction, as shown in FIGS. 8 and 10 to 13.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method, so that the plurality of second electrodes 130 are formed. It can be formed in a lump.
  • the partition wall 170 has a function of dividing the organic layer 120.
  • layers formed by a coating method for example, the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, the second hole transport layer 122b, the third hole transport layer 122c, The first light emitting layer 123a and the third light emitting layer 123c) are formed by applying a coating material to a region located between the partition walls 170.
  • a layer formed by a vapor deposition method for example, the fourth hole transport layer 122d, the second light emitting layer 123b, the hole blocking layer 124, the electron transport layer 125, and the electron injection layer 126) has a partition wall. Since it is not formed on the side surface of 170, it is divided by the partition wall 170.
  • a layer formed by vapor deposition in the first organic layer 120a specifically, Are formed with only the hole blocking layer 124, the electron transporting layer 125, and the electron injecting layer 126, but not the hole injecting layer 121, the first hole transporting layer 122a, and the first light emitting layer 123a. .
  • the organic layer located on the partition 170 near the first light emitting unit 140a is thinner than the first organic layer 120a located in the first opening 152a.
  • a layer formed by a vapor deposition method of the third organic layer 120c specifically, on the upper surface of the region located adjacent to the third light emitting unit 140c in the partition wall 170, Only the hole blocking layer 124, the electron transport layer 125, and the electron injection layer 126 are formed, and the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, and the third light emitting layer 123c are formed. Absent. For this reason, the organic layer located on the partition 170 near the third light emitting unit 140c is thinner than the third organic layer 120c located in the third opening 152c.
  • a layer formed by a vapor deposition method of the second organic layer 120b is formed on the upper surface of a region of the partition wall 170 adjacent to the second light emitting unit 140b.
  • the hole injection layer 121, the second The 2 hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c are not formed.
  • the hole injection layer 121 and part of the hole transport layer of the second light emitting unit 140b are formed in the thickness direction on the upper surface of the partition 170 located next to the second light emitting unit 140b.
  • the remaining part of the hole transport layer of the second light emitting unit 140b and the second light emitting layer 123b are formed.
  • the organic layer located on the partition 170 near the second light emitting unit 140b is thinner than the second organic layer 120b located in the second light emitting unit 140b.
  • the organic layer located on the region adjacent to the second light emitting unit 140 b in the partition wall 170 is adjacent to the first light emitting unit 140 a in the partition wall 170. It is thicker than any of the organic layer located on the region and the organic layer located on the region adjacent to the third light emitting unit 140c in the partition wall 170. This is because the second organic layer 120b has the fourth hole transport layer 122d, and the second light-emitting layer 123b is formed by vapor deposition.
  • the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment.
  • the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.
  • the insulating layer 150, the first opening 152a, the second opening 152b, and the third opening 152c are formed, and the partition wall 170 is formed.
  • each layer of the first organic layer 120a, each layer of the second organic layer 120b, and each layer of the third organic layer 120c are formed. The method for forming these layers is as described in Example 1.
  • the second electrode 130 is formed.
  • the quality of the first light emitting unit 140a, the quality of the second light emitting unit 140b, and the quality of the third light emitting unit 140c are all high. Further, similarly to the embodiment, it is possible to suppress a decrease in hole mobility in the hole transport layer of the second light emitting unit 140b. Therefore, it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency of the second light emitting unit 140b.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

第１発光部（１４０ａ）は正孔注入層（１２１）、第１正孔輸送層（１２２ａ）、及び第１発光層（１２３ａ）を有している。第２発光部（１４０ｂ）は正孔注入層（１２１）、第２正孔輸送層（１２２ｂ）、第３正孔輸送層（１２２ｃ）、第３正孔輸送層（１２２ｃ）、及び第２発光層（１２３ｂ）を有している。第２正孔輸送層（１２２ｂ）は正孔注入層（１２１）の上に形成されており、第１正孔輸送材料を含んでいる。第３正孔輸送層（１２２ｃ）は第２正孔輸送層（１２２ｂ）の上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。また、第４正孔輸送層（１２２ｄ）は第３正孔輸送層（１２２ｃ）の上に形成されており、第２正孔輸送層（１２２ｂ）と同じ材料すなわち第２正孔輸送材料を含んでいる。第３正孔輸送層（１２２ｃ）は塗布法を用いて形成されており、第４正孔輸送層（１２２ｄ）は蒸着法を用いて形成されている。

Description

発光装置の製造方法及び発光装置
　本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。
　照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を積層した多層構造を有している。
　有機層を構成する各層の製造方法として、従来は真空成膜法（例えば蒸着法）が用いられてきた。これに対し、近年は有機層を塗布法で形成することが検討されている。しかし、現状では、有機層のすべての層を塗布法で形成することは難しい。例えば、特許文献１には、正孔注入層、及び正孔輸送層の一部の層を塗布法で形成し、正孔輸送層の残りの層及び発光層を蒸着法で形成することが記載されている。
　また、特許文献２にも、正孔輸送層の一部の層を塗布法で形成し、正孔輸送層の残りの層及び発光層を蒸着法で形成することが記載されている。特許文献２には、発光層の上に位置する電子輸送層も蒸着法により形成することが記載されている。
特開２０１２－１４２３６５号公報 特開２０１４－１２７３０３号公報
　表示装置や発光色が調整可能な照明装置は、発光色が異なる複数種類の発光部を有している。発光部の発光色は、基本的に、発光層に用いられる材料によって決まる。このため、発光色が異なる複数種類の発光部を一つの基板に混載する場合、一つの基板の上に、発光層が塗布法で形成される発光部と、発光層が蒸着法で形成される発光部の双方が存在することがある。このような場合、前者の発光部は、後者の発光部に対して、塗布法で形成される層が厚くなる。このため、有機層を構成する塗布材料の乾燥状態が前者と後者とで異なってしまう。この場合、複数種類の発光部の乾燥状態をいずれも最適な状態にすることは難しく、その結果、一部の発光部の品質が低下してしまう。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光色が異なる複数種類の発光部を一つの基板に混載させる場合において、一部の発光部の品質が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板のうち第１発光部が形成される第１領域に発光材料を塗布する第１工程と、
　前記第１工程の前又は後に行われ、前記基板のうち第２発光部が形成される第２領域に塗布材料を塗布する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後に行われ、前記第１領域の前記発光材料及び前記第２領域の前記塗布材料を乾燥させる第３工程と、
　前記第３工程の後に行われ、前記第２領域に発光材料を蒸着する第４工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
　請求項１１に記載の発明は、基板の第１領域に形成された第１発光部と、
　前記基板の第２領域に形成された第２発光部と、
を備え、
　前記第１発光部は、
　　第１正孔注入層と、
　　前記第１正孔注入層の上に位置している第１正孔輸送層と、
　前記第１正孔輸送層の上に位置している第１発光層と、
を有し、
　前記第２発光部は、
　　第２正孔注入層と、
　　前記第２正孔注入層の上に位置しており、第１正孔輸送性材料を含む第２正孔輸送層と、
　　前記第２正孔輸送層の上に位置しており、第２正孔輸送性材料を含む第３正孔輸送層と、
　　前記第３正孔輸送層の上に位置しており、前記第２正孔輸送性材料を含む第４正孔輸送層と、
　前記第４正孔輸送層の上に位置している第２発光層と、
を有する発光装置である。
　請求項１６に記載の発明は、前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、
　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に位置している隔壁と、
　第１の前記開口に位置している第１発光部と、
　第２の前記開口に位置している第２発光部と、
を備え、
　前記第１発光部は、
　　第１正孔注入層と、
　　前記第１正孔注入層の上に位置している第１正孔輸送層と、
　前記第１正孔輸送層の上に位置している第１発光層と、
を有し、
　前記第２発光部は、
　　第２正孔注入層と、
　　前記第２正孔注入層の上に位置していて前記第１正孔輸送層よりも厚い第２正孔輸送層と、
　　前記第２正孔輸送層の上に位置している第２発光層と、
を有し、
　前記第２発光部の隣に位置する前記隔壁の上には、厚さ方向において、前記第２正孔注入層及び前記第２正孔輸送層の一部が位置しておらず、かつ前記第２正孔輸送層の残りの部分及び前記第２発光層が位置している発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の製造方法を示す断面図である。 発光装置の製造方法を示す断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図４から第２電極を取り除いた図である。 図５から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図４のＡ－Ａ断面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図８から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図８のＢ－Ｂ断面図である。 （ａ）は、図１０の点線αで囲んだ領域を拡大した図であり、図１１（ｂ）は、図１０の点線βで囲んだ領域を拡大した図である。 図８のＣ－Ｃ断面図である。 図８のＤ－Ｄ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本実施形態において、正孔輸送層および正孔注入層などの表現はそれぞれ、正孔輸送性の材料を含む層、正孔注入性の材料を含む層の意味で用いる。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、第１発光部１４０ａ、及び第２発光部１４０ｂを備えている。第１発光部１４０ａは、基板１００の第１領域１００ａに形成されており、正孔注入層１２１（第１正孔注入層）、第１正孔輸送層１２２ａ、及び第１発光層１２３ａを有している。第２発光部１４０ｂは、基板１００の第２領域１００ｂに形成されており、正孔注入層１２１（第２正孔注入層）、第２正孔輸送層１２２ｂ、第３正孔輸送層１２２ｃ、第４正孔輸送層１２２ｄ、及び第２発光層１２３ｂを有している。第２正孔輸送層１２２ｂは正孔注入層１２１の上に形成されており、第１正孔輸送材料を含んでいる。第３正孔輸送層１２２ｃは第２正孔輸送層１２２ｂの上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。また、第４正孔輸送層１２２ｄは第３正孔輸送層１２２ｃの上に形成されており、第３正孔輸送層１２２ｃと同じ材料すなわち第２正孔輸送材料を含んでいる。第３正孔輸送層１２２ｃは塗布法を用いて形成されており、第４正孔輸送層１２２ｄは蒸着法を用いて形成されている。このため、第３正孔輸送層１２２ｃ及び第４正孔輸送層１２２ｄの間には界面が存在する。また、第３正孔輸送層１２２ｃの屈折率は第４正孔輸送層１２２ｄの屈折率と異なる。また、第１正孔輸送層１２２ａは第２正孔輸送層１２２ｂと同じ材料すなわち第１正孔輸送材料を含んでいる。以下、詳細に説明する。
　第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂは、いずれも基板１００の一面に形成されている。第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂは、絶縁層１５０によって画定されている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。具体的には、絶縁層１５０は、第１領域１００ａの上に位置する第１の開口１５２ａ、及び第２領域１００ｂの上に位置する第２の開口１５２ｂを有している。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ正孔注入層１２１が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
　第１発光部１４０ａは第１電極１１０、第１有機層１２０ａ、及び第２電極１３０を有しており、第２発光部１４０ｂは第１電極１１０、第２有機層１２０ｂ、及び第２電極１３０を有している。第１有機層１２０ａ及び第２有機層１２０ｂは、いずれも第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。また、第１有機層１２０ａは第１の開口１５２ａの内側に位置しており、第２有機層１２０ｂは第２の開口１５２ｂの内側に位置している。このため、第１発光部１４０ａは第１の開口１５２ａの内側に位置することになり、第２発光部１４０ｂは第２の開口１５２ｂの内側に位置することになる。第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂは、ボトムエミッション型の発光部であってもよいし、トップエミッション型の発光部であってもよい。
　第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂがボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂがトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　第１電極１１０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光透過性を有する透明電極である。例えば第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂがボトムエミッション型である場合、少なくとも第１電極１１０は透明電極である。一方、第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂがトップエミッション型である場合、少なくとも第２電極１３０は透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。この場合、発光装置１０は両面発光型の発光装置になる。
　透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
　第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂがトップエミッション型の発光装置である場合、第１電極１１０は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。　
　また、第２発光部１４０ｂの第２有機層１２０ｂは、正孔注入層１２１、第２正孔輸送層１２２ｂ、第３正孔輸送層１２２ｃ、第４正孔輸送層１２２ｄ、第２発光層１２３ｂ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６を有している。ただし、電子輸送層１２５及び電子注入層１２６の一方は形成されていなくてもよい。
　正孔注入層１２１は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層１２１の厚さは例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１有機層１２０ａの正孔注入層１２１及び第２有機層１２０ｂの正孔注入層１２１は、同一工程で形成されている。正孔注入層１２１の形成方法は、塗布法、特にインクジェット法である。正孔注入層１２１を構成する材料（正孔注入材料）は、導電性高分子材料であり、例えば、PEDOT-PSS(ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホナート))などのポリチオフェン系材料が挙げられる。その他、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリスチレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体等を含む高分子の正孔注入材料が挙げられる。但し、これらに限定されない。
　第１正孔輸送層１２２ａ、第２正孔輸送層１２２ｂ、第３正孔輸送層１２２ｃ、及び第４正孔輸送層１２２ｄは、いずれも正孔移動性の有機材料を用いて形成されている。詳細には、第１正孔輸送層１２２ａの厚さは例えば３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第２正孔輸送層１２２ｂの厚さは例えば３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。後述するように、第１正孔輸送層１２２ａは第２正孔輸送層１２２ｂと同一工程で形成されるため、第１正孔輸送層１２２ａの厚さは第２正孔輸送層１２２ｂの厚さとほぼ等しい。第３正孔輸送層１２２ｃの厚さは例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、第４正孔輸送層１２２ｄの厚さは例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂは第１正孔輸送性材料を用いて形成されており、第３正孔輸送層１２２ｃ及び第４正孔輸送層１２２ｄは第２正孔輸送性材料を用いて形成されている。第１正孔輸送性材料は、第２正孔輸送性材料よりも高分子である。第１正孔輸送性材料は、高分子の正孔輸送性材料であり、例えば、TFB(ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-２,7-ジイル)-co-(4,4'-(N-(4-sec-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)])等のトリフェニルアミン系材料が挙げられる。その他、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体等を含む高分子の正孔輸送材料が挙げられる。但し、これらに限定されない。第２正孔輸送性材料は、低分子の正孔輸送性材料であり、例えば、α-NPD(ビス(N-(1-ナフチル-N-フェニル)ベンジジン))、m-MTDATA(4,4',4''-トリス[フェニル(m-トリル)アミノ]トリフェニルアミン)、TCTA(4,4',4''-トリ(N-カルバゾール)トリフェニルアミン)、2-TNATA(4,4',4''-トリス[2-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン)等が挙げられる。その他、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、スチリルアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニレン誘導体、アザトリフェニレン誘導体等を含む低分子の正孔輸送材料が挙げられる。但し、これらに限定されない。第３正孔輸送層１２２ｃのように第２正孔輸送材料を塗布法で成膜する際はこれら材料を有機溶媒に溶解して成膜する。ここで、有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサノール、テトラリン、メシチレン、ブサイドクメン 、ジハイドロベンゾフラン、シクロヘキシルベンゼン、１-メチルナフタレン、p-アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、3-メチルビフェニル、４－メチルビフェニル、３－イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレン、テトラヒドロフラン、ジクロロエタン、クロロホルム、安息香酸エチル、安息香酸ブチル等が挙げられる。但し、これらに限定されない。また、これらは単独もしくは２種以上を混合して用いても良い。
　第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂは第１正孔輸送性材料を塗布することにより形成されている。また、第３正孔輸送層１２２ｃは、第２正孔輸送性材料を塗布することにより形成されている。詳細には、第３正孔輸送層１２２ｃとなる第２正孔輸送性材料は、第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂとなる第１正孔輸送性材料が塗布され、かつ乾燥された後に、塗布される。このため、第２正孔輸送層１２２ｂと第３正孔輸送層１２２ｃの間には界面が存在する。第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂ、並びに第３正孔輸送層１２２ｃは、例えばスピンコーティング法を用いて形成されているが、他の塗布法（例えばインクジェット法）を用いて形成されていてもよい。
　また、第４正孔輸送層１２２ｄは、蒸着法を用いて形成されている。このように、第３正孔輸送層１２２ｃと第４正孔輸送層１２２ｄは、互いに異なる成膜方法を用いて形成されている。このため、第３正孔輸送層１２２ｃと第４正孔輸送層１２２ｄがいずれも第２正孔輸送性材料を用いて形成されているにも関わらず、第３正孔輸送層１２２ｃと第４正孔輸送層１２２ｄの間には界面が存在する。また、第３正孔輸送層１２２ｃと第４正孔輸送層１２２ｄの屈折率は、互いに異なる。例えば、第３正孔輸送層１２２ｃの屈折率は、第４正孔輸送層１２２ｄの屈折率よりも小さい。
　第１発光層１２３ａ及び第２発光層１２３ｂは、いずれも電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。ただし、第１発光層１２３ａの発光色は第２発光層１２３ｂの発光色とは異なる。例えば、第１発光層１２３ａ（すなわち第１発光部１４０ａ）の発光スペクトルのピーク波長は、第２発光層１２３ｂ（すなわち第２発光部１４０ｂ）の発光スペクトルのピーク波長よりも長い。第１発光層１２３ａの発光色は、例えば緑色（ピーク波長が５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下）又は赤色（ピーク波長が６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下）であり、第２発光層１２３ｂの発光色は、例えば、青色（ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）である。
　第１有機層１２０ａの正孔ブロック層１２４は、第１発光層１２３ａのうち第１正孔輸送層１２２ａとは逆側の面に接しており、正孔が第１発光層１２３ａを突き抜けて第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５又は電子注入層１２６に到達することを抑制する。第２有機層１２０ｂの正孔ブロック層１２４も同様である。正孔ブロック層１２４は、例えば電子が移動することができる材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成される。正孔ブロック層１２４の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。なお、第１有機層１２０ａ及び第２有機層１２０ｂは、正孔ブロック層１２４を有していなくてもよい。
　第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５及び第２有機層１２０ｂの電子輸送層１２５は、いずれも電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。このような材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体が挙げられる。第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５及び第２有機層１２０ｂの電子輸送層１２５は、互いに同一の工程で形成されているため、ほぼ同じ厚さを有している。電子輸送層１２５の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
　第１有機層１２０ａの電子注入層１２６及び第２有機層１２０ｂの電子注入層１２６は、いずれも例えばＬｉＦなどのアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。第１有機層１２０ａの電子注入層１２６及び第２有機層１２０ｂの電子注入層１２６は、互いに同一の工程で形成されているため、ほぼ同じ厚さを有している。電子注入層１２６の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
　なお、第１有機層１２０ａ及び第２有機層１２０ｂは、さらに電子阻害層を有していてもよい。電子阻害層は、正孔輸送層と発光層の間に位置し、発光層を突き抜けた電子が正孔輸送層や正孔注入層に到達することを抑制する。電子阻害層は、例えば、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）の少なくとも一つを用いて形成することができる。電子阻害層の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
　また、図１に示す例において、第１有機層１２０ａの各層は第１の開口１５２ａの内側に位置しており、第２有機層１２０ｂの各層は第２の開口１５２ｂの内側に位置している。ただし、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、及び第２正孔輸送層１２２ｂは、絶縁層１５０の上に形成されていてもよい。この場合、第１有機層１２０ａの正孔注入層１２１と第２有機層１２０ｂの正孔注入層１２１は互いに繋がっていてもよいし、第１正孔輸送層１２２ａと第２正孔輸送層１２２ｂも互いに繋がっていてもよい。
　図２の各図及び図３の各図は、発光装置１０の製造方法を示す断面図である。発光装置１０の製造方法は、以下の工程を有している。まず、基板１００の第１領域１００ａに、発光材料（具体的には第１発光層１２３ａとなる材料）を塗布する（第１工程）。また、この第１工程の前又は後に、基板１００の第２領域１００ｂに、塗布材料（具体的には第３正孔輸送層１２２ｃとなる第２正孔輸送性材料）を塗布する（第２工程）。そして、第１工程及び第２工程の後において、第１領域１００ａの発光材料及び第２領域１００ｂの塗布材料を乾燥させる（第３工程）。その後、第２領域１００ｂに発光材料を蒸着する（第４工程）。以下、詳細に説明する。
　まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂに、第１電極１１０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。次いで、基板１００の上に絶縁層１５０、第１の開口１５２ａ、及び第２の開口１５２ｂを形成する。次いで、基板１００の第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂに、正孔注入材料を、例えばインクジェット法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第１発光部１４０ａの正孔注入層１２１及び第２発光部１４０ｂの正孔注入層１２１が形成される（第７工程）。
　次いで、基板１００の第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂに、第１正孔輸送材料を、例えばインクジェット法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第１発光部１４０ａの第１正孔輸送層１２２ａ及び第２発光部１４０ｂの第２正孔輸送層１２２ｂが形成される（第５工程）。
　次いで、図２（ｂ）に示すように、基板１００の第２領域１００ｂに、第２正孔輸送材料を、例えばインクジェット法を用いて塗布する（第２工程）。次いで、基板１００の第１領域１００ａに、第１発光層１２３ａとなる発光材料を、例えばインクジェット法を用いて塗布する（第１工程）。なお、第１工程が行われた後に第２工程が行われてもよい。
　次いで、第１工程で塗布した塗布材料及び第２工程で塗布した塗布材料を乾燥させる（第３工程）。これにより、第１発光部１４０ａの第１発光層１２３ａ及び第２発光部１４０ｂの第３正孔輸送層１２２ｃが形成される。
　次いで、図３（ａ）に示すように、基板１００の第２領域１００ｂに、第２正孔輸送性材料を蒸着する（第６工程）。これにより、第４正孔輸送層１２２ｄが形成される。次いで、基板１００の第２領域１００ｂに、発光材料を蒸着する（第４工程）。これにより、第２発光層１２３ｂが形成される。
　その後、図３（ｂ）に示すように、第１有機層１２０ａの正孔ブロック層１２４及び第２有機層１２０ｂの正孔ブロック層１２４を、真空蒸着法を用いて形成する。次いで、第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５及び第２有機層１２０ｂの電子輸送層１２５を、真空蒸着法を用いて形成する。さらに、電子輸送層１２５の上に、電子注入材料を真空蒸着する（第８工程）。これにより、第１有機層１２０ａの電子注入層１２６及び第２有機層１２０ｂの電子注入層１２６が形成される。このようにして、第１有機層１２０ａ及び第２有機層１２０ｂが形成される。
　そして、第１有機層１２０ａ及び第２有機層１２０ｂのそれぞれの上に、第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。
　本実施形態において、第１発光部１４０ａの第１発光層１２３ａは塗布法を用いて形成されており、第２発光部１４０ｂの第２発光層１２３ｂは蒸着法を用いて形成されている。このような構成は、第１発光部１４０ａの塗布工程の回数と第２発光部１４０ｂの塗布工程の回数に差がある構成である。塗布で形成した有機層は溶媒を乾燥させる工程が必要であるが、ここで、乾燥工程は第１発光部１４０ａと第２発光部１４０ｂとのそれぞれの領域にのみでできるものではなく、基板１００で一括して行われることが多い。ここで、各有機層の濡れの状況に差があると乾燥工程で成膜不良が起こりやすい。つまり、第１発光部１４０ａは塗布法で形成しているため、溶媒を含むいわゆるウエットな状態にある。他方で、第２発光部１４０ｂは蒸着法で形成されるため乾燥状態にある。このため、発光装置１０を乾燥工程にかけると、乾燥している（ウエットでない）第２発光部１４０ｂ側の絶縁層１５０の上に第１発光部１４０ａの乾燥工程中の有機層が引き寄せられる。いわゆる引き寄せが起こる。この現象が発生すると第１発光層１４０ａの有機層１２０の膜厚が第１発光層１４０ａ内で不均一となり、発光装置１０の品質の劣化につながる。
　これに対して本実施形態では、第２発光部１４０ｂの第２正孔輸送層１２２ｂの上に、第３正孔輸送層１２２ｃを形成している。第３正孔輸送層１２２ｃは塗布法で形成されており、また、第１発光層１２３ａと同一工程で乾燥されている。従って、乾燥工程を行う段階において第１発光部１４０ａおよび第２発光部１４０ｂの双方に形成される有機層が塗布法によって成膜されている。このため、第１発光部１４０ａの乾燥状態と第２発光部１４０ｂの乾燥状態を揃えることができる。その結果、前述の引き寄せの発生を抑えることができるため、第１発光部１４０ａの品質を高めることができる。
　また、第２発光部１４０ｂにおいて、正孔注入層１２１及び第２正孔輸送層１２２ｂは塗布法を用いて形成されており、第３正孔輸送層１２２ｃ及び第４正孔輸送層１２２ｄは蒸着法を用いて形成されている。この場合、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層の一部の層は塗布法で形成されることになり、正孔輸送層の残りの層は蒸着法で形成されることになる。このため、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層のうち塗布法で形成された層と蒸着法で形成された層の界面で、正孔の移動度が低下する可能性がある。これに対して本実施形態では、第２正孔輸送層１２２ｂと第４正孔輸送層１２２ｄの間に、第３正孔輸送層１２２ｃを有している。第３正孔輸送層１２２ｃは第４正孔輸送層１２２ｄと同じ材料で構成されており、かつ、塗布法により形成されている。従って、上記した正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、第２発光部１４０ｂの発光効率の低下を抑制できる。
（実施例１）
　図４は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図５は図４から第２電極１３０を取り除いた図である。図６は図５から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図７は、図４のＡ－Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光領域が形成されている。この発光領域には、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃが繰り返し形成されている。第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃは、いずれもストライプ状（線状）に延在している。
　第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂの構成は、実施形態に示したとおりである。第３発光部１４０ｃは、第１発光層１２３ａの代わりに第３発光層１２３ｃを有している点を除いて、第１発光部１４０ａと同様の構成を有している。第３発光層１２３ｃの材料は、第１発光層１２３ａの材料と異なる。言い換えると、第３発光部１４０ｃの第３有機層１２０ｃは、発光層を除いて、第１発光部１４０ａの第１有機層１２０ａと同様の構成を有している。第１発光部１４０ａ及び第３発光部１４０ｃの一方の発光色は赤色であり、他方は緑色である。一方、第２発光部１４０ｂの発光色は青色である。
　第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃは、いずれも、第１電極１１０、第１端子１１２、第２電極１３０、及び第２端子１３２を有している。本実施形態において、発光装置１０は、調光可能な照明装置である。このため、第１電極１１０、第１端子１１２、第２電極１３０、及び第２端子１３２は、発光部毎に独立している。ただし、第２端子１３２はすべての発光部に対して共通の端子であってもよい。この場合、第２電極１３０も、全ての発光部に共通の電極（いわゆるベタ電極）であってもよい。また、発光装置１０が調光機能を有していない場合（例えば発光装置１０が白色の照明装置である場合）、第１端子１１２はすべての発光部に対して共通の端子であってもよい。この場合、第１電極１１０も、全ての発光部に共通の電極（いわゆるベタ電極）であってもよい。
　第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
　また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。
　絶縁層１５０は、第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、及び第３の開口１５２ｃを有している。第１の開口１５２ａは第１発光部１４０ａが形成されるべき領域に位置しており、第２の開口１５２ｂは第２発光部１４０ｂが形成されるべき領域に位置しており、第３の開口１５２ｃは第３発光部１４０ｃが形成されるべき領域に位置している。そして、第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
　本実施例において、第１発光部１４０ａ及び第２発光部１４０ｂの製造方法は、実施形態に示したとおりである。また、第３発光部１４０ｃは、第３発光層１２３ｃを第１発光層１２３ａとは別の塗布材料を用いて形成される点を除いて、第１発光部１４０ａと同一の工程で形成される。このため、第３発光層１２３ｃとなる塗布材料は、第１発光層１２３ａとなる塗布材料及び第３正孔輸送層１２２ｃとなる塗布材料の同一の工程で乾燥される。
　本実施例においても、第２発光部１４０ｂの第２正孔輸送層１２２ｂの上に、第３正孔輸送層１２２ｃを形成している。第３正孔輸送層１２２ｃは塗布法で形成されており、また、第１発光層１２３ａ及び第３発光層１２３ｃと同一工程で乾燥されている。このため、第１有機層１２０ａのうち塗布法で形成される層の乾燥状態、第２有機層１２０ｂのうち塗布法で形成される層の乾燥状態、及び第３有機層１２０ｃのうち塗布法で形成される層の乾燥状態のそれぞれを適切な状態にすることができる。その結果、第１発光部１４０ａの品質、第２発光部１４０ｂの品質、及び第３発光部１４０ｃの品質は、いずれも高くなる。
　また、実施形態と同様に、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層における正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、第２発光部１４０ｂの発光効率の低下を抑制できる。
（実施例２）
　図８は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図９は、図８から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１０は図８のＢ－Ｂ断面図である。図１１（ａ）は、図１０の点線αで囲んだ領域を拡大した図であり、図１１（ｂ）は、図１０の点線βで囲んだ領域を拡大した図である。図１２は図８のＣ－Ｃ断面図であり、図１３は図８のＤ－Ｄ断面図である。
　実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１発光部１４０ａ、複数の第２発光部１４０ｂ、複数の第３発光部１４０ｃ、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の第１の開口１５２ａ、複数の第２の開口１５２ｂ、複数の第３の開口１５２ｃ、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図８におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図８、及び図１０～図１３に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の第１の開口１５２ａ、複数の第２の開口１５２ｂ、複数の第３の開口１５２ｃ、及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図８におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、及び第３の開口１５２ｃは、いずれも平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、及び第３の開口１５２ｃは、マトリクスを構成するように配置されている。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図８におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　第１の開口１５２ａの内側には第１有機層１２０ａが形成されており、第２の開口１５２ｂの内側には第２有機層１２０ｂが形成されており、第３の開口１５２ｃの内側には第３有機層１２０ｃが形成されている。第１有機層１２０ａの構成、第２有機層１２０ｂの構成、及び第３有機層１２０ｃの構成は、いずれも実施例１に示した通りである。なお、各有機層の少なくとも一部の層は、各開口の外側に食み出していてもよい。ただし、図１３に示すように、いずれの有機層も、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図８、図１０～図１３に示すように、第１方向と交わる第２方向（図８におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。
　また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。例えば有機層１２０を構成する各層のうち塗布法で形成される層（例えば、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、第２正孔輸送層１２２ｂ、第３正孔輸送層１２２ｃ、第１発光層１２３ａ、及び第３発光層１２３ｃ）は、隔壁１７０の間に位置する領域に塗布材料を塗布することにより、形成される。一方、有機層１２０のうち蒸着法で形成される層（例えば第４正孔輸送層１２２ｄ、第２発光層１２３ｂ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６）は、隔壁１７０の側面には形成されないため、隔壁１７０によって分断される。
　そして、図１１（ａ）に示すように、隔壁１７０のうち第１発光部１４０ａの隣に位置する領域の上面には、第１有機層１２０ａのうち蒸着法で形成される層、具体的には、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６のみが形成されており、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、及び第１発光層１２３ａは形成されていない。このため、第１発光部１４０ａの近くにおいて、隔壁１７０の上に位置する有機層は、第１の開口１５２ａ内に位置する第１有機層１２０ａよりも薄い。
　同様に、図１１（ｂ）に示すように、隔壁１７０のうち第３発光部１４０ｃの隣に位置する領域の上面には、第３有機層１２０ｃのうち蒸着法で形成される層、具体的には、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６のみが形成されており、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、及び第３発光層１２３ｃは形成されていない。このため、第３発光部１４０ｃの近くにおいて、隔壁１７０の上に位置する有機層は、第３の開口１５２ｃ内に位置する第３有機層１２０ｃよりも薄い。
　また、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁１７０のうち第２発光部１４０ｂの隣に位置する領域の上面には、第２有機層１２０ｂのうち蒸着法で形成される層、具体的には、第４正孔輸送層１２２ｄ、第２発光層１２３ｂ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６のみが形成されており、正孔注入層１２１、第２正孔輸送層１２２ｂ、及び第３正孔輸送層１２２ｃは形成されていない。言い換えると、第２発光部１４０ｂの隣に位置する隔壁１７０の上面には、厚さ方向において、第２発光部１４０ｂの正孔注入層１２１及び正孔輸送層の一部が形成されており、かつ、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層の残りの部分及び第２発光層１２３ｂが形成されている。そして、第２発光部１４０ｂの近くにおいて、隔壁１７０の上に位置する有機層は、第２発光部１４０ｂ内に位置する第２有機層１２０ｂよりも薄い。
　ただし、図１０、及び図１１の各図に示すように、隔壁１７０のうち第２発光部１４０ｂの隣の領域の上に位置する有機層は、隔壁１７０のうち第１発光部１４０ａの隣の領域の上に位置する有機層、及び隔壁１７０のうち第３発光部１４０ｃの隣の領域の上に位置する有機層のいずれよりも厚い。これは、第２有機層１２０ｂが第４正孔輸送層１２２ｄを有しており、かつ第２発光層１２３ｂが蒸着法を用いて形成されているためである。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
　次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０、第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、及び第３の開口１５２ｃを形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで第１有機層１２０ａの各層、第２有機層１２０ｂの各層、及び第３有機層１２０ｃの各層を形成する。これら各層の形成方法は、実施例１に示したとおりである。次いで、第２電極１３０を形成する。
　本実施例においても、実施例１と同様に、第１発光部１４０ａの品質、第２発光部１４０ｂの品質、及び第３発光部１４０ｃの品質は、いずれも高くなる。また、実施形態と同様に、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層における正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、第２発光部１４０ｂの発光効率の低下を抑制できる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (16)

  1. 　基板のうち第１発光部が形成される第１領域に発光材料を塗布する第１工程と、
    　前記第１工程の前又は後に行われ、前記基板のうち第２発光部が形成される第２領域に塗布材料を塗布する第２工程と、
    　前記第１工程及び前記第２工程の後に行われ、前記第１領域の前記発光材料及び前記第２領域の前記塗布材料を乾燥させる第３工程と、
    　前記第３工程の後に行われ、前記第２領域に発光材料を蒸着する第４工程と、
    を備える発光装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１工程及び前記第２工程の前に行われ、前記第１領域及び前記第２領域に第１正孔輸送性材料を塗布する第５工程を備える発光装置の製造方法。
  3. 　請求項２に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第２工程で用いられる前記塗布材料は第２正孔輸送性材料である発光装置の製造方法。
  4. 　請求項３に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第３工程と前記第４工程の間に行われ、前記第２領域に前記第２正孔輸送性材料を蒸着する第６工程を備える発光装置の製造方法。
  5. 　請求項４に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１正孔輸送性材料は前記第２正孔輸送性材料よりも高分子である発光装置の製造方法。
  6. 　請求項２～５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第５工程の前に行われ、前記第１領域及び前記第２領域に正孔注入材料を塗布する第７工程を備える発光装置の製造方法。
  7. 　請求項６に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記正孔注入材料は前記第２工程で用いられる前記塗布材料よりも高分子である発光装置の製造方法。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１発光部の発光スペクトルのピーク波長は、前記第２発光部の発光スペクトルのピーク波長よりも長い発光装置の製造方法。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１工程及び前記第２工程において、インクジェット法が用いられる発光装置の製造方法。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第４工程の後に行われ、電子注入材料を蒸着する第８工程を備える発光装置の製造方法。
  11. 　基板の第１領域に位置している第１発光部と、
    　前記基板の第２領域に位置している第２発光部と、
    を備え、
    　前記第１発光部は、
    　　第１正孔注入層と、
    　　前記第１正孔注入層の上に位置している第１正孔輸送層と、
    　前記第１正孔輸送層の上に位置している第１発光層と、
    を有し、
    　前記第２発光部は、
    　　第２正孔注入層と、
    　　前記第２正孔注入層の上に位置しており、第１正孔輸送性材料を含む第２正孔輸送層と、
    　　前記第２正孔輸送層の上に位置しており、第２正孔輸送性材料を含む第３正孔輸送層と、
    　　前記第３正孔輸送層の上に位置しており、前記第２正孔輸送性材料を含む第４正孔輸送層と、
    　前記第４正孔輸送層の上に位置している第２発光層と、
    を有する発光装置。
  12. 　請求項１１に記載の発光装置において、
    　前記第３正孔輸送層の屈折率は前記第４正孔輸送層の屈折率と異なる発光装置。
  13. 　請求項１１又は１２に記載の発光装置において、
    　前記第１正孔輸送層は前記第１正孔輸送性材料を含む発光装置。
  14. 　請求項１１～１３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　基板と、
    　前記基板の上に位置しており、複数の開口を有する絶縁層と、
    　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に位置している隔壁と、
    を備え、
    　前記第１発光部は第１の前記開口の内側に位置しており、
    　前記第２発光部は第２の前記開口の内側に位置しており、
    　前記第１正孔輸送層、前記第２正孔輸送層、前記第３正孔輸送層、及び前記第１発光層は前記隔壁の上には位置しておらず、前記第４正孔輸送層及び前記第２発光層は前記隔壁の少なくとも一部の上に位置している発光装置。
  15. 　請求項１１～１４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１発光部の発光スペクトルのピーク波長は、前記第２発光部の発光スペクトルのピーク波長よりも長い発光装置。
  16. 　基板と、
    　前記基板の上に位置しており、複数の開口を有する絶縁層と、
    　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に位置している隔壁と、
    　第１の前記開口に位置している第１発光部と、
    　第２の前記開口に位置している第２発光部と、
    を備え、
    　前記第１発光部は、
    　　第１正孔注入層と、
    　　前記第１正孔注入層の上に位置している第１正孔輸送層と、
    　前記第１正孔輸送層の上に位置している第１発光層と、
    を有し、
    　前記第２発光部は、
    　　第２正孔注入層と、
    　　前記第２正孔注入層の上に位置していて前記第１正孔輸送層よりも厚い第２正孔輸送層と、
    　　前記第２正孔輸送層の上に位置している第２発光層と、
    を有し、
    　前記第２発光部の隣に位置する前記隔壁の上には、厚さ方向において、前記第２正孔注入層及び前記第２正孔輸送層の一部が位置しておらず、かつ前記第２正孔輸送層の残りの部分及び前記第２発光層が位置している発光装置。
PCT/JP2016/056183 2016-03-01 2016-03-01 発光装置の製造方法及び発光装置 WO2017149636A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018502896A JP6816102B2 (ja) 2016-03-01 2016-03-01 発光装置の製造方法
US16/081,861 US10483479B2 (en) 2016-03-01 2016-03-01 Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device
PCT/JP2016/056183 WO2017149636A1 (ja) 2016-03-01 2016-03-01 発光装置の製造方法及び発光装置
US16/655,010 US20200052236A1 (en) 2016-03-01 2019-10-16 Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/056183 WO2017149636A1 (ja) 2016-03-01 2016-03-01 発光装置の製造方法及び発光装置

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/081,861 A-371-Of-International US10483479B2 (en) 2016-03-01 2016-03-01 Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device
US16/655,010 Continuation US20200052236A1 (en) 2016-03-01 2019-10-16 Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017149636A1 true WO2017149636A1 (ja) 2017-09-08

Family

ID=59743599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/056183 WO2017149636A1 (ja) 2016-03-01 2016-03-01 発光装置の製造方法及び発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10483479B2 (ja)
JP (1) JP6816102B2 (ja)
WO (1) WO2017149636A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN109994625A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和应用
KR20190131635A (ko) * 2018-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210095026A (ko) * 2020-01-21 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2023094935A1 (ja) * 2021-11-26 2023-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置および電子機器
US11744147B2 (en) 2020-01-21 2023-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220043553A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN112952025A (zh) * 2021-03-31 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006196188A (ja) * 2004-12-16 2006-07-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびそれを用いた電子機器
JP2012186021A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2013157277A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 発光装置、画像形成装置及び撮像装置
JP2013179248A (ja) * 2011-08-12 2013-09-09 Canon Inc 有機ｅｌ素子、及びこれを用いた発光装置、画像形成装置、表示装置、撮像装置
JP2013214496A (ja) * 2012-03-08 2013-10-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
WO2013190636A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004020245A1 (de) * 2004-04-22 2005-12-22 Schott Ag Organisches, elektro-optisches Element mit erhöhter Auskoppeleffizienz
JP2006253015A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
JP2008059791A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機ｅｌ素子アレイ
US20100265580A1 (en) * 2007-11-13 2010-10-21 Hansik Yun Coating composition for antireflection, antireflection film and method for preparing the same
US7816677B2 (en) * 2008-02-12 2010-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2010263155A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP5588007B2 (ja) * 2010-08-25 2014-09-10 パナソニック株式会社 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置
JP5276222B2 (ja) * 2010-08-25 2013-08-28 パナソニック株式会社 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置
JP2012142365A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5760630B2 (ja) * 2011-04-18 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法、電子機器
JP2014127303A (ja) 2012-12-26 2014-07-07 Cbc Kk 有機ｅｌデバイスの製造方法
KR102016072B1 (ko) * 2012-12-28 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6111487B2 (ja) * 2013-03-04 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置
JP6439114B2 (ja) * 2014-03-07 2018-12-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102149685B1 (ko) * 2014-03-28 2020-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN104538559B (zh) * 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置
KR102397823B1 (ko) * 2015-11-30 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
KR102603595B1 (ko) * 2016-08-31 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006196188A (ja) * 2004-12-16 2006-07-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびそれを用いた電子機器
JP2012186021A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2013179248A (ja) * 2011-08-12 2013-09-09 Canon Inc 有機ｅｌ素子、及びこれを用いた発光装置、画像形成装置、表示装置、撮像装置
JP2013157277A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 発光装置、画像形成装置及び撮像装置
JP2013214496A (ja) * 2012-03-08 2013-10-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
WO2013190636A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109994625A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和应用
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
US11706935B2 (en) 2018-05-11 2023-07-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescent device comprising a target film comprising a small molecular layer and a large molecular layer and method for fabricating the same, display panel and display device
KR20190131635A (ko) * 2018-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102597673B1 (ko) * 2018-05-16 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210095026A (ko) * 2020-01-21 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102498041B1 (ko) 2020-01-21 2023-02-13 삼성디스플레이 주식회사 아민 화합물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11744147B2 (en) 2020-01-21 2023-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same
WO2023094935A1 (ja) * 2021-11-26 2023-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP6816102B2 (ja) 2021-01-20
US20190067617A1 (en) 2019-02-28
US20200052236A1 (en) 2020-02-13
US10483479B2 (en) 2019-11-19
JPWO2017149636A1 (ja) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017149636A1 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
KR102383375B1 (ko) 표시 장치 및 전자 기기
JP6691764B2 (ja) 発光表示装置及びその製造方法
US8587003B2 (en) Organic EL display device and manufacturing method of the same
JP5572942B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5543441B2 (ja) 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置
JP6387566B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP6019376B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネル
KR20120022575A (ko) 유기 ｅｌ 표시 장치 및 전자 기기
KR102181978B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2013031162A1 (ja) Ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007049153A (ja) エレクトロルミネセンスデバイスおよびエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法
JP2010118509A (ja) 発光素子
US8410476B2 (en) Organic electroluminescent display device and production method thereof
WO2010013641A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置
JP6816101B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2011210407A (ja) 発光装置
JP2020102654A (ja) 発光装置
JP2017091775A (ja) 発光装置の製造方法
JP6945983B2 (ja) 有機ｅｌデバイス、表示素子及び有機ｅｌデバイスの製造方法
KR102368768B1 (ko) 발광 표시 장치
WO2017115405A1 (ja) 発光装置
JP6688814B2 (ja) 発光装置
US20230120913A1 (en) Display device and display device production method
CN115513388A (zh) 电子传输材料、显示器件及显示器件制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018502896

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16892481

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16892481

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1