WO2017043297A1

WO2017043297A1 - 制御装置

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Publication number: WO2017043297A1
Application number: PCT/JP2016/074382
Authority: WO
Inventors: 佳祐眞瀬
Original assignee: 株式会社オートネットワーク技術研究所; 住友電装株式会社; 住友電気工業株式会社
Priority date: 2015-09-11
Filing date: 2016-08-22
Publication date: 2017-03-16

Abstract

半導体スイッチ（１４，１５）夫々では、ゲートの電圧値の上昇に応じて、ドレイン及びソース間の抵抗値が低下する。制御装置（１８）では、オン用スイッチ（２０）のエミッタに所定の電圧Ｖｃが印加されている。オン用スイッチ（２０）のコレクタに低速用回路（２４）及び高速用回路（２５）夫々の一端が接続されている。低速用回路（２４）及び高速用回路（２５）夫々の他端には、低速オフ用スイッチ（２２）及び高速オフ用スイッチ（２３）のコレクタが接続されている。半導体スイッチ（１４，１５）夫々のゲートはオン用スイッチ（２０）のコレクタに接続されている。高速用回路（２５）のインピーダンスの絶対値は低速用回路（２４）のインピーダンスの絶対値よりも小さい。

Description

制御装置

　本発明は、半導体スイッチのオン及びオフを行う制御装置に関する。

　現在、車両に搭載されている電源システムとして、２つのバッテリの正極間がスイッチによって接続されている電源システムが普及している。このように２つのバッテリを備える電源システムの中には、２つのバッテリの正極間を接続するスイッチとして、機械的にオン及びオフが行われる機械スイッチよりも、小型、かつ、軽量である半導体トランジスタ、例えばＦＥＴ(Field Effective Transistor)が用いられる電源システムがある。

　このような半導体スイッチは、第１端、第２端及び第３端を有し、第１端の電圧値に応じて、２つのバッテリの正極夫々に接続される第２端及び第３端間の抵抗値が調整される。半導体スイッチがＦＥＴである場合、第１端はゲートであり、第２端はドレイン及びソースの一方であり、第３端はドレイン及びソースの他方である。第１端の電圧値を調整することによって、電流が流れる第２端及び第３端間の抵抗値を調整し、半導体スイッチをオン又はオフにする。

　特許文献１には、半導体スイッチ、具体的には、Ｎチャネル型のＦＥＴのオン及びオフを行う制御装置が開示されている。この制御装置は、半導体スイッチの第１端の電圧値を一定の電圧値以上に調整することによって半導体スイッチをオンにし、半導体スイッチの第１端の電圧値を一定の電圧値未満に調整することによって半導体スイッチをオフにする。

特開２０１４－１７７２２９号公報

　第２端及び第３端間に電流が流れている半導体スイッチがオンからオフになる過程では、第２端及び第３端間の抵抗値が上昇し、第２端及び第３端間を流れる電流値が低下する。このとき、半導体スイッチではスイッチング損失が発生する。スイッチング損失は、抵抗値及び電流値の積を、半導体スイッチがオンからオフとなる期間に亘って積分することによって算出される。

　スイッチング損失が発生した場合、半導体スイッチは発熱する。このとき、半導体スイッチの温度の上昇幅はスイッチング損失が大きい程、大きい。半導体スイッチが高温になることを防止するためには、半導体スイッチを素早くオンからオフにすることによって、スイッチング損失を小さくし、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持する必要がある。

　また、半導体スイッチがオンからオフとなった場合、第２端及び第３端間を流れる電流値が変化するため、半導体スイッチから電磁波が発生する。ここで、半導体スイッチがオンからオフとなる速度が速い程、第２端及び第３端間を流れる電流値が急峻に変化するため、高周波数成分を有する電磁波が発生する。このとき、半導体スイッチの周辺機器は、電磁波が制御信号と干渉することによって誤動作する可能性がある。周辺機器が誤動作する確率を低くするためには、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制する必要がある。

　以上のことから、半導体スイッチのオン及びオフを行う制御装置には、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制しなければならないという問題がある。

　本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制することが可能な制御装置を提供することにある。

　本発明に係る制御装置は、第１端、第２端及び第３端を有し、前記第１端の電圧値の上昇に応じて、前記第２端及び第３端間の抵抗値が低下する半導体スイッチのオン及びオフを行う制御装置において、一端に所定の電圧が印加され、他端に前記半導体スイッチの前記第１端が接続されている第１スイッチと、該第１スイッチの他端に一端が接続されている第１回路と、該第１回路の他端に一端が接続されている第１回路側スイッチと、前記第１スイッチの他端に一端が接続され、インピーダンスの絶対値が前記第１回路のインピーダンスの絶対値よりも小さい第２回路と、該第２回路の他端に一端が接続されている第２回路側スイッチとを備えることを特徴とする。

　本発明にあっては、第１スイッチの一端には所定の電圧が印加され、第１スイッチの他端には、第１回路及び第２回路夫々の一端が接続されている。第１回路及び第２回路夫々の他端には、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチの一端が接続されている。第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々の他端は、例えば接地されている。第１スイッチの他端には、半導体スイッチの第１端に接続されている。半導体スイッチにおいては、第１端の電圧値が上昇した場合、第２端及び第３端間の抵抗値は低下する。また、第２回路のインピーダンスの絶対値は、第１回路のインピーダンスの絶対値よりも小さい。

　以上のように構成された装置では、第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチがオン、オフ及びオフとなった場合、所定の電圧が印加されている第１スイッチの一端から、第１スイッチを介して、半導体スイッチの第１端に一端が接続されている寄生容量に電流が流れ、寄生容量に電荷が蓄積される。電荷が蓄積されるにつれて、寄生容量の両端間の電圧が上昇し、第１端の電圧値が上昇する。これにより、半導体スイッチの第２端及び第３端間の抵抗値が低下し、半導体スイッチはオンとなる。

　第１スイッチがオフとなり、かつ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチの一方がオンとなった場合、寄生容量から電流が第１回路又は第２回路を介して流れ、寄生容量の両端間の電圧値と共に第１端の電圧値が低下する。第１端の電圧値が低下することによって、半導体スイッチの第２端及び第３端間の抵抗値が上昇し、半導体スイッチはオフとなる。ここで、第２回路のインピーダンスの絶対値は、第１回路のインピーダンスの絶対値よりも小さい。このため、第１回路側スイッチをオンにした場合における寄生容量の両端間の電圧値の低下速度は遅く、第２回路側スイッチをオンにした場合における寄生容量の両端間の電圧値の低下速度は速い。

　従って、第１回路側スイッチをオンにした場合に半導体スイッチがオンからオフとなる時間は長く、第２回路側スイッチをオンにした場合に半導体スイッチがオンからオフとなる時間は短い。言い換えると、第１回路側スイッチをオンにした場合、半導体スイッチから発生する電磁波には高周波数成分が含まれず、第２回路側スイッチをオンにした場合、スイッチング損失が小さい。以上のことから、半導体スイッチをオフにする場合に、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチの中からオンにするスイッチを適切に選択することによって、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制することが可能となる。

　本発明に係る制御装置は、前記第２端及び第３端間を流れる電流値を示す電流情報を取得する電流情報取得部と、前記電流情報取得部が取得した電流情報が示す電流値が電流閾値未満である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オン及びオフにし、前記電流情報取得部が取得した電流情報が示す電流値が電流閾値以上である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オフ及びオンにするスイッチ制御部とを備えることを特徴とする。

　本発明にあっては、半導体スイッチの第２端及び第３端間を流れる電流値を示す電流情報を取得する。取得した電流情報が示す電流値が電流閾値未満である場合、大きなスイッチング損失が発生しにくいため、第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチをオフ、オン及びオフにする。このとき、半導体スイッチは長い時間をかけてオンからオフとなるため、半導体スイッチから発生する電磁波に高周波数成分は含まれない。また、半導体スイッチの第２端及び第３端間に流れる電流値が小さいので、スイッチング損失も小さく、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持される。

　また、取得した電流情報が示す電流値が電流閾値以上である場合、半導体スイッチの第２端及び第３端間を流れる電流値が大きいため、第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチをオフ、オフ及びオンにする。このとき、半導体スイッチは素早くオンからオフとなるため、スイッチング損失は小さく、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持される。

　以上のように、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチの中からオンにするスイッチを適切に選択した場合、スイッチング損失は常に小さく、半導体スイッチの第２端及び第３端を流れる電流値が大きいとき、短い時間で半導体スイッチがオンからオフとなるので、高周波数成分を有する電磁波が発生する。このため、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持され、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度は小さい。

　本発明に係る制御装置は、前記半導体スイッチの温度を示す温度情報を取得する温度情報取得部と、前記温度情報取得部が取得した温度情報が示す温度が温度閾値未満である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オン及びオフにし、前記温度情報取得部が取得した温度情報が示す温度が温度閾値以上である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オフ及びオンにするスイッチ制御部とを備えることを特徴とする。

　本発明にあっては、半導体スイッチの第２端及び第３端間を流れている電流値が上昇した場合、半導体スイッチのオン抵抗で熱として消費されるエネルギーが上昇し、半導体スイッチの温度が上昇する。取得した温度情報が示す温度が温度閾値未満である場合、大きなスイッチング損失が発生しにくいため、第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチをオフ、オン及びオフにする。このとき、半導体スイッチは長い時間をかけてオンからオフとなるため、半導体スイッチから発生する電磁波に高周波数成分は含まれない。また、半導体スイッチの第２端及び第３端間に流れる電流値が小さいので、スイッチング損失も小さく、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持される。

　また、取得した温度情報が示す温度が温度閾値以上である場合、半導体スイッチの第２端及び第３端間を流れる電流値が大きいため、第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチをオフ、オフ及びオンにする。このとき、半導体スイッチは素早くオンからオフとなるため、スイッチング損失は小さく、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持される。

　本発明によれば、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制することが可能である。

実施の形態１における電源システムの回路図である。制御装置の回路図である。低速用回路の回路図である。高速用回路の回路図である。制御装置の動作の説明図である。制御部が実行するオフ処理の手順を示すフローチャートである。実施の形態２における電源システムの回路図である。制御装置の回路図である。

　以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
　図１は、実施の形態１における電源システム１の回路図である。電源システム１は、好適に車両に搭載され、第１バッテリ１０、第２バッテリ１１、負荷１２，１３、半導体スイッチ１４，１５、電流センサ１６、温度センサ１７、制御装置１８及び抵抗Ｒ１を備える。半導体スイッチ１４，１５夫々は、Ｎチャネル型のＦＥＴであり、ゲート、ドレイン及びソースを有する。半導体スイッチ１４のゲート及びソース間には寄生容量Ｐ１４が形成されており、半導体スイッチ１５のゲート及びソース間にも寄生容量Ｐ１５が形成されている。

　第１バッテリ１０の正極には、負荷１２の一端と、半導体スイッチ１４のドレインとが接続されている。半導体スイッチ１４のソースは半導体スイッチ１５のソースに接続されている。半導体スイッチ１５のドレインは、第２バッテリ１１の正極と、負荷１３の一端とに接続されている。第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１夫々の負極と、負荷１２，１３夫々の他端とは接地されている。半導体スイッチ１４のソースには、更に、抵抗Ｒ１の一端が接続されている。抵抗Ｒ１の他端は接地されている。半導体スイッチ１４，１５夫々のゲートと、電流センサ１６と、温度センサ１７とは制御装置１８に各別に接続されている。

　半導体スイッチ１４，１５夫々について、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値の上昇に応じて、ドレイン及びソース間の抵抗値が低下する。半導体スイッチ１４，１５夫々のオン及びオフは制御装置１８によって行われる。
　半導体スイッチ１４，１５夫々について、ゲートが第１端に相当し、ドレイン及びソースの中で、一方が第２端に相当し、他方が第３端に相当する。

　制御装置１８は、半導体スイッチ１４をオンにする場合、一定の電圧を半導体スイッチ１４のゲートに向けて出力する。これにより、電流が寄生容量Ｐ１４及び抵抗Ｒ１の順に流れ、寄生容量Ｐ１４に電荷が蓄積される。電荷の蓄積によって、寄生容量Ｐ１４の両端間の電圧値、即ち、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値が上昇し、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間の抵抗値が低下する。結果、半導体スイッチ１４がオンとなり、半導体スイッチ１４のソース及びドレイン間に電流が流れることが可能となる。

　制御装置１８は、半導体スイッチ１４をオフにする場合、寄生容量Ｐ１４に放電を行わせる。これにより、寄生容量Ｐ１４に蓄積されていた電荷が放出される。電荷の放出によって、寄生容量Ｐ１４の両端間の電圧値が低下し、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間の抵抗値が上昇する。結果、半導体スイッチ１４がオフとなり、半導体スイッチ１４のソース及びドレイン間に流れる電流が遮断される。

　制御装置１８は、半導体スイッチ１４と同様に、半導体スイッチ１５をオン又はオフにする。制御装置１８が半導体スイッチ１４をオン又はオフにする構成の説明において、半導体スイッチ１４及び寄生容量Ｐ１４夫々を半導体スイッチ１５及び寄生容量Ｐ１５に置き換えることによって、制御装置１８が半導体スイッチ１５をオン又はオフする構成を説明することができる。

　制御装置１８は、半導体スイッチ１４，１５を略同時にオンにし、半導体スイッチ１４，１５を略同時にオフにする。
　なお、半導体スイッチ１４のソースは半導体スイッチ１５のソースに接続されているため、半導体スイッチ１４，１５がオフである場合に、半導体スイッチ１４，１５夫々の図示しない寄生ダイオードを介して電流が流れることはない。

　第１バッテリ１０は例えばリチウムイオン電池である。第１バッテリ１０の出力電圧値は第２バッテリ１１の出力電圧値よりも高い。第１バッテリ１０は、車両のエンジンと連動して発電する図示しない発電機が発生した電力を蓄える。第１バッテリ１０は、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、第２バッテリ１１及び負荷１２，１３に電力を供給する。第１バッテリ１０は、半導体スイッチ１４，１５がオフである場合、負荷１２に電力を供給し、第２バッテリ１１及び負荷１３に電力を供給することはない。

　第２バッテリ１１は例えば鉛蓄電池である。前述したように、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、第１バッテリ１０から第２バッテリ１１に電力が供給され、第２バッテリ１１は蓄電する。半導体スイッチ１４，１５がオフである場合、第２バッテリ１１は電力を負荷１３に供給する。

　負荷１２，１３夫々は車両に搭載されている電気機器である。負荷１２は、第１バッテリ１０から供給された電力を用いて作動する。負荷１３は、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、第１バッテリ１０から供給された電力を用いて作動し、半導体スイッチ１４，１５がオフである場合、第２バッテリ１１から供給された電力を用いて作動する。

　電流センサ１６は半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間を流れる電流値を検出する。電流センサ１６は、検出した電流値、即ち、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間を流れる電流値を示す電流情報を制御装置１８に出力する。制御装置１８は、電流センサ１６から電流情報を取得する。
　なお、抵抗Ｒ１の抵抗値は、半導体スイッチ１４，１５夫々のオン抵抗の合成抵抗値よりも十分に大きい。このため、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間に流れる電流値は、半導体スイッチ１５のドレイン及びソース間に流れる電流値と略一致している。

　温度センサ１７は、例えばサーミスタによって構成され、半導体スイッチ１４の温度を検出する。温度センサ１７は、検出した温度、即ち、半導体スイッチ１４の温度を示す温度情報を制御装置１８に出力する。制御装置１８は、温度センサ１７から温度情報を取得する。半導体スイッチ１４の温度は、具体的には、半導体スイッチ１４の周辺温度、又は、半導体スイッチ１４の表面温度等である。

　前述したように、半導体スイッチ１４，１５がオフである場合、半導体スイッチ１４，１５に電流は流れることはなく、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間に流れる電流値は、半導体スイッチ１５のドレイン及びソース間に流れる電流値と略一致している。更に、半導体スイッチ１４のオン抵抗は半導体スイッチ１５のオン抵抗と略一致している。このため、半導体スイッチ１４のオン抵抗で消費されるエネルギーは、半導体スイッチ１５のオン抵抗で消費されるエネルギーと略同じであるので、半導体スイッチ１４の温度は半導体スイッチ１５の温度に略一致している。従って、半導体スイッチ１４の温度を検出することは、半導体スイッチ１５の温度を検出することに相当し、温度センサ１７は半導体スイッチ１５の温度を検出する温度センサに相当する。

　制御装置１８には、半導体スイッチ１４，１５のオンを指示するオン信号と、半導体スイッチ１４，１５のオフを指示するオフ信号とが入力される。
　制御装置１８は、オン信号が入力された場合、前述したように、半導体スイッチ１４，１５夫々のゲートに向けて一定の電圧を出力することによって、半導体スイッチ１４，１５をオンにする。

　制御装置１８は、オフ信号が入力された場合、前述したように、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５に放電を行わせることによって、半導体スイッチ１４，１５をオフにする。このとき、制御装置１８は、電流センサ１６から取得した電流情報が示す電流値と、温度センサ１７から取得した温度情報が示す温度とに基づいて、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々が電荷を放出する速度、即ち、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値が低下する速度を調整する。

　図２は制御装置１８の回路図である。制御装置１８は、オン用スイッチ２０，２１、低速オフ用スイッチ２２、高速オフ用スイッチ２３、低速用回路２４、高速用回路２５、制御部２６、ダイオードＤ１，Ｄ２及び抵抗Ｒ２，Ｒ３，・・・，Ｒ１０を有する。制御部２６は、入力端２６ａ，２６ｂ，２６ｃ及び出力端２６ｄ，２６ｅ，２６ｆを有する。

　オン用スイッチ２０，２１夫々は、半導体スイッチ１４，１５をオンにするためスイッチである。低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々は半導体スイッチ１４，１５をオフにするためのスイッチである。オン用スイッチ２０は、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタである。オン用スイッチ２１、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタである。

　オン用スイッチ２０のエミッタには所定の電圧Ｖｃが印加されている。オン用スイッチ２０のコレクタにはダイオードＤ１のアノードが接続されている。ダイオードＤ１のカソードにはダイオードＤ２のアノードが接続されている。ダイオードＤ２のカソードは、低速用回路２４及び高速用回路２５夫々の一端に接続されている。このように、オン用スイッチ２０のコレクタには、ダイオードＤ１，Ｄ２を介して、低速用回路２４及び高速用回路２５夫々の一端が接続されている。

　低速用回路２４の他端には低速オフ用スイッチ２２のコレクタが接続されている。高速用回路２５の他端には高速オフ用スイッチ２３のコレクタが接続されている。低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々のエミッタは接地されている。ダイオードＤ１のカソードは、更に、抵抗Ｒ２の一端に接続されている。抵抗Ｒ２の他端は半導体スイッチ１４，１５夫々のゲートに接続されている。このように、半導体スイッチ１４，１５夫々のゲートは、ダイオードＤ１及び抵抗Ｒ２を介して、オン用スイッチ２０のコレクタに接続されている。

　また、オン用スイッチ２０のエミッタには抵抗Ｒ３の一端が接続されている。オン用スイッチ２０のベースには、抵抗Ｒ３の他端と、抵抗Ｒ４の一端とが接続されている。抵抗Ｒ４の他端は、オン用スイッチ２１のコレクタに接続されている。オン用スイッチ２１のベースには抵抗Ｒ５，Ｒ６夫々の一端が接続されている。オン用スイッチ２１のエミッタと、抵抗Ｒ５の他端とは接地されている。抵抗Ｒ６の他端は、制御部２６の出力端２６ｄに接続されている。

　低速オフ用スイッチ２２のベースには抵抗Ｒ７，Ｒ８夫々の一端が接続されている。低速オフ用スイッチ２２のエミッタと、抵抗Ｒ７の他端とは接地されている。抵抗Ｒ８の他端は制御部２６の出力端２６ｅに接続されている。
　高速オフ用スイッチ２３のベースには抵抗Ｒ９，Ｒ１０夫々の一端が接続されている。高速オフ用スイッチ２３のエミッタと、抵抗Ｒ９の他端とは接地されている。抵抗Ｒ１０の他端は制御部２６の出力端２６ｆに接続されている。
　電流センサ１６及び温度センサ１７夫々は制御部２６の入力端２６ａ，２６ｂに接続されている。制御部２６の入力端２６ｃにはオン信号及びオフ信号が入力される。

　図３は低速用回路２４の回路図である。低速用回路２４は抵抗Ｒ１１を有する。抵抗Ｒ１１の一端は、ダイオードＤ１，Ｄ２を介してオン用スイッチ２０のコレクタに接続されている。抵抗Ｒ１１の他端は低速オフ用スイッチ２２のコレクタに接続されている。
　図４は高速用回路２５の回路図である。高速用回路２５は、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１２を有する。コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１夫々の一端は、ダイオードＤ１，Ｄ２を介してオン用スイッチ２０のコレクタに接続されている。コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１２夫々の他端は高速オフ用スイッチ２３のコレクタに接続されている。
　高速用回路２５のインピーダンスの絶対値は、低速用回路２４のインピーダンスの絶対値よりも小さい。

　オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２、高速オフ用スイッチ２３、低速用回路２４及び高速用回路２５夫々は、第１スイッチ、第１回路側スイッチ、第２回路側スイッチ、第１回路及び第２回路として機能する。オン用スイッチ２０のエミッタ及びコレクタ夫々は、第１スイッチの一端及び他端に相当する。低速オフ用スイッチ２２のコレクタ及びエミッタは、第１回路側スイッチの一端及び他端に相当する。高速オフ用スイッチ２３のコレクタ及びエミッタは、第２回路側スイッチの一端及び他端に相当する。

　オン用スイッチ２０については、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第１基準電圧値未満である場合、エミッタ及びコレクタ間に電流が流れることが可能となる。このとき、オン用スイッチ２０はオンである。第１基準電圧値は負の電圧値である。また、オン用スイッチ２０について、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第１基準電圧値以上である場合、例えば、該ベースの電圧値がゼロＶである場合、エミッタ及びコレクタ間に電流が流れることはない。このときオン用スイッチ２０はオフである。

　オン用スイッチ２１、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々については、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第２基準電圧値以上である場合、エミッタ及びコレクタ間に電流が流れることが可能となる。このとき、オン用スイッチ２１、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々はオンである。第２基準電圧値は正の電圧値である。また、オン用スイッチ２１、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々について、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第２基準電圧値未満である場合、例えば、該ベースの電圧値がゼロＶである場合、エミッタ及びコレクタ間に電流が流れることはない。このとき、オン用スイッチ２１、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々はオフである。

　制御部２６は所謂マイクロコンピュータである。制御部２６は、出力端２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ夫々からハイレベル電圧及びローレベル電圧を出力する。ハイレベル電圧の電圧値はローレベル電圧の電圧値よりも高く、ローレベル電圧の電圧値は略ゼロＶである。

　制御部２６は、半導体スイッチ１４，１５をオンにする場合、出力端２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ夫々からハイレベル電圧、ローレベル電圧及びローレベル電圧を出力する。

　出力端２６ｄからハイレベル電圧が出力された場合、出力端２６ｄから、電流が抵抗Ｒ６，Ｒ５の順に流れ、抵抗Ｒ５で電圧降下が生じる。このとき、オン用スイッチ２１において、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第２基準電圧値以上となり、オン用スイッチ２１がオンとなる。オン用スイッチ２１がオンとなった場合、電圧Ｖｃが印加されている抵抗Ｒ３の一端から、電流が、抵抗Ｒ３，Ｒ４及びオン用スイッチ２１の順に流れ、抵抗Ｒ３で電圧降下が生じる。このとき、オン用スイッチ２０において、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第１基準電圧値未満となり、オン用スイッチ２０がオンとなる。
　以上のことから、出力端２６ｄからハイレベル電圧が出力された場合、オン用スイッチ２０がオンとなる。

　出力端２６ｅからローレベル電圧が出力された場合、抵抗Ｒ７，Ｒ８に電流が流れることはない。このとき、低速オフ用スイッチ２２において、エミッタを基準としたベースの電圧値は、略ゼロＶであり、第２基準電圧値未満である。結果、低速オフ用スイッチ２２はオフとなる。
　出力端２６ｆからローレベル電圧が出力された場合、抵抗Ｒ９，Ｒ１０に電流が流れることはない。このとき、高速オフ用スイッチ２３において、エミッタを基準としたベースの電圧値は、略ゼロＶであり、第２基準電圧値未満である。結果、高速オフ用スイッチ２３はオフとなる。

　オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々がオン、オフ及びオフである場合、電圧Ｖｃが印加されているオン用スイッチ２０のエミッタから、電流が２つの電流経路を介して流れる。２つの電流経路中の一方は、オン用スイッチ２０、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ２、寄生容量Ｐ１４及び抵抗Ｒ１の順に電流が流れる電流経路である。２つの電流経路中の他方は、オン用スイッチ２０、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ２、寄生容量Ｐ１５及び抵抗Ｒ１の順に電流が流れる電流経路である。

　電流が２つの電流経路を流れることによって、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々に電荷が蓄積され、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値が上昇する。半導体スイッチ１４，１５夫々について、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値が上昇した場合、ソースを基準としたゲートの電圧値が上昇し、ドレイン及びソース間の抵抗値が低下する。これにより、半導体スイッチ１４，１５夫々はオンとなる。

　制御部２６は、半導体スイッチ１４，１５をオフにする場合、出力端２６ｄからローレベル電圧を出力し、出力端２６ｅ，２６ｆの一方からハイレベル電圧を出力し、出力端２６ｅ，２６ｆの他方からローレベル電圧を出力する。

　出力端２６ｄからローレベル電圧が出力された場合、抵抗Ｒ５，Ｒ６に電流が流れることはない。このとき、オン用スイッチ２１において、エミッタを基準としたベースの電圧値は、略ゼロＶであり、第２基準電圧値未満である。結果、オン用スイッチ２１はオフとなる。オン用スイッチ２１がオフである場合、抵抗Ｒ３，Ｒ４に電流が流れることはない。このとき、オン用スイッチ２０において、エミッタを基準としたベースの電圧値は、略ゼロＶであり、第１基準電圧値以上である。結果、オン用スイッチ２０もオフとなる。
　以上のことから、出力端２６ｄからローレベル電圧が出力された場合、オン用スイッチ２０はオフとなる。

　出力端２６ｅからハイレベル電圧が出力された場合、出力端２６ｅから、電流が抵抗Ｒ８，Ｒ７の順に流れ、抵抗Ｒ７で電圧降下が生じる。このとき、低速オフ用スイッチ２２において、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第２基準電圧値以上となり、低速オフ用スイッチ２２がオンとなる。
　同様に、出力端２６ｆからハイレベル電圧が出力された場合、出力端２６ｆから、電流が抵抗Ｒ１０，Ｒ９の順に流れ、抵抗Ｒ９で電圧降下が生じる。このとき、高速オフ用スイッチ２３において、エミッタの電位を基準としたベースの電圧値が第２基準電圧値以上となり、高速オフ用スイッチ２３がオンとなる。

　オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々がオフ、オン及びオフである場合、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々は放電し、電流が寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々から抵抗Ｒ２、低速用回路２４及び低速オフ用スイッチ２２の順に流れる。これにより、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５に蓄積されている電荷が放出され、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値が低下し、半導体スイッチ１４，１５夫々のドレイン及びソース間の抵抗値が上昇する。結果、半導体スイッチ１４，１５がオフとなり、半導体スイッチ１４，１５夫々のソース及びドレイン間に流れる電流が遮断される。

　同様に、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々がオフ、オフ及びオンである場合、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々は放電し、電流が寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々から抵抗Ｒ２、高速用回路２５及び高速オフ用スイッチ２３の順に流れる。これにより、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５に蓄積されている電荷が放出され、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値が低下し、半導体スイッチ１４，１５夫々のドレイン及びソース間の抵抗値が上昇する。結果、半導体スイッチ１４，１５がオフとなり、半導体スイッチ１４，１５夫々のソース及びドレイン間に流れる電流が遮断される。

　図５は制御装置１８の動作の説明図である。図５には、半導体スイッチ１４について、低速オフ用スイッチ２２をオンにした場合におけるゲートの電圧値の推移と、高速オフ用スイッチ２３をオンにした場合におけるゲートの電圧値の推移とが示されている。低速オフ用スイッチ２２をオンにした場合、及び、高速オフ用スイッチ２３をオンにした場合夫々に関して、半導体スイッチ１５のゲートの電圧値は、半導体スイッチ１４のゲートの電圧値と同様に推移する。
　図５に示されるゲートの電圧値の推移夫々について、縦軸はゲートの電圧値であり、横軸は時間である。

　前述したように、高速用回路２５のインピーダンスの絶対値は、低速用回路２４のインピーダンスの絶対値よりも小さい。このため、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々がオン、オフ及びオフである状態、即ち、半導体スイッチ１４，１５がオンである状態から、オン用スイッチ２０及び低速オフ用スイッチ２２をオフ及びオンにした場合、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値の低下速度は遅い。結果、オン用スイッチ２０及び低速オフ用スイッチ２２をオフ及びオンにした場合、半導体スイッチ１４，１５がオンからオフとなる時間は長く、半導体スイッチ１４，１５から発生する電磁波に高周波数成分は含まれない。

　半導体スイッチ１４，１５がオンである状態から、オン用スイッチ２０及び高速オフ用スイッチ２３をオフ及びオンにした場合、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値の低下速度は速い。結果、オン用スイッチ２０及び高速オフ用スイッチ２３をオフ及びオンにした場合、半導体スイッチ１４，１５がオンからオフとなる時間は短く、スイッチング損失は小さい。スイッチング損失が小さい程、半導体スイッチ１４，１５の温度の上昇幅は小さい。

　以上のことから、制御部２６は、半導体スイッチ１４，１５をオフにする場合に、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３の中から、オンにするスイッチを、後述するように適切に選択することによって、半導体スイッチ１４，１５の温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制することが可能となる。

　なお、高速用回路２５は、図４に示すように、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１２の並列回路である。半導体スイッチ１４，１５がオンである場合、低速用回路２４及び高速用回路２５に電流は流れることはなく、高速用回路２５のコンデンサＣ１に電荷は蓄積されていない。このため、オン用スイッチ２０及び高速オフ用スイッチ２３をオフ及びオンにした直後、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５からコンデンサＣ１へ大きな電流が流れて、寄生容量Ｐ１４，Ｐ１５夫々の両端間の電圧値は急速に低下する。このため、より短い時間で半導体スイッチ１４，１５はオンからオフとなる。

　また、前述したように、半導体スイッチ１４，１５夫々について、ゲートの電圧値の上昇に応じて、ドレイン及びソース間の抵抗値は低下し、ドレイン及びソース間に流れる電流値は上昇する。このため、ドレイン及びソース間に流れる電流値はゲートの電圧値と同様に推移する。

　図２に示すように、制御部２６の入力端２６ａには電流センサ１６から電流情報が入力される。制御部２６の入力端２６ｂには温度センサ１７から温度情報が入力される。制御部２６の入力端２６ｃにはオン信号及びオフ信号が入力される。

　制御部２６は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)を有し、図示しないメモリに記憶されている制御プログラムを実行することによって、半導体スイッチ１４，１５をオンにするオン処理と、半導体スイッチ１４，１５をオフにするオフ処理とを実行する。

　制御部２６は、入力端２６ｃにオン信号が入力された場合にオン処理を実行する。制御部２６は、出力端２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ夫々からハイレベル電圧、ローレベル電圧及びローレベル電圧を出力する。これにより、前述したように、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３は、オン、オフ及びオフとなり、半導体スイッチ１４，１５はオンとなる。制御部２６は、出力端２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ夫々からハイレベル電圧、ローレベル電圧及びローレベル電圧を出力した後、オン処理を終了する。

　図６は制御部２６が実行するオフ処理の手順を示すフローチャートである。制御部２６は、入力端２６ｃにオフ信号が入力された場合にオフ処理を実行する。まず、制御部２６は、電流センサ１６から入力端２６ａに入力された電流情報を取得する（ステップＳ１）。制御部２６は電流情報取得部として機能する。
　次に、制御部２６は、ステップＳ１で取得した電流情報が示す電流値が電流閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ２）。電流閾値は、一定であり、前述したメモリに予め記憶されている。

　制御部２６は、電流値が電流閾値未満であると判定した場合（Ｓ２：ＮＯ）、温度センサ１７から入力端２６ｂに入力された温度情報を取得する（ステップＳ３）。制御部２６は温度情報取得部としても機能する。
　次に、制御部２６は、ステップＳ３で取得した温度情報が示す温度が温度閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ４）。温度閾値も、一定であり、前述したメモリに予め記憶されている。

　半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間に流れる電流値が大きい程、半導体スイッチ１４のオン抵抗で熱として消費されるエネルギーは大きく、半導体スイッチ１４の温度が高い。従って、温度情報が示す温度が高いことは、半導体スイッチ１４のドレイン及びソース間に流れる電流値が大きいことを意味する。前述したように、半導体スイッチ１４の温度は半導体スイッチ１５の温度と略一致しているので、温度情報が示す温度が高いことは、半導体スイッチ１５のドレイン及びソース間に流れる電流値が大きいことを意味する。
　制御部２６は、ステップＳ２，Ｓ４を実行することによって、半導体スイッチ１４，１５に大きな電流が流れていないか否かを二重に確認する。

　制御部２６は、温度が温度閾値未満であると判定した場合（Ｓ４：ＮＯ）、出力端２６ｄからローレベル電圧を出力することによって、オン用スイッチ２０をオフにする（ステップＳ５）。更に、制御部２６は、出力端２６ｅからハイレベル電圧を出力することによって、低速オフ用スイッチ２２をオンにし（ステップＳ６）、出力端２６ｆからローレベル電圧を出力することによって、高速オフ用スイッチ２３をオフにする（ステップＳ７）。制御部２６は、ステップＳ５～Ｓ７を実行することによって、半導体スイッチ１４，１５をオフにする。このとき、半導体スイッチ１４，１５がオンからオフとなる時間は長く、半導体スイッチ１４，１５から発生する電磁波に高周波の周波数成分が含まれない。

　制御部２６は、電流値が電流閾値以上であると判定した場合（Ｓ２：ＹＥＳ）、又は、温度が温度閾値以上であると判定した場合（Ｓ４：ＹＥＳ）、出力端２６ｄからローレベル電圧を出力することによって、オン用スイッチ２０をオフにする（ステップＳ８）。更に、制御部２６は、出力端２６ｅからローレベル電圧を出力することによって、低速オフ用スイッチ２２をオフにし（ステップＳ９）、出力端２６ｆからハイレベル電圧を出力することによって、高速オフ用スイッチ２３をオンにする（ステップＳ１０）。制御部２６は、ステップＳ８～Ｓ１０を実行することによって、半導体スイッチ１４，１５をオフにする。このとき、半導体スイッチ１４，１５がオンからオフとなる時間は短く、スイッチング損失が小さい。制御部２６はスイッチ制御部としても機能する。

　以上のように、制御装置１８では、制御部２６は、電流センサ１６から取得した電流情報が示す電流値が電流閾値未満であり、かつ、温度センサ１７から取得した温度情報が示す温度値が温度閾値未満である場合、半導体スイッチ１４，１５に大きな電流が流れていないため、大きなスイッチング損失が発生しにくい。このため、制御部２６は、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３をオフ、オン及びオフにする。このとき、半導体スイッチ１４，１５は長い時間をかけてオンからオフとなるため、半導体スイッチ１４，１５から発生する電磁波に高周波数成分は含まれない。また、半導体スイッチ１４，１５のドレイン及びソース間に流れる電流値が小さいので、スイッチング損失も小さい。このため、半導体スイッチ１４，１５の温度が所定範囲内に維持される。

　また、制御部２６は、電流センサ１６から取得した電流情報が示す電流値が電流閾値以上であるか、又は、温度センサ１７から取得した温度情報が示す温度値が温度閾値以上である場合、半導体スイッチ１４，１５のドレイン及びソース間を流れる電流値は大きい。このため、制御部２６は、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３をオフ、オフ及びオンにする。このとき、半導体スイッチ１４，１５は素早くオンからオフとなるため、スイッチング損失は小さく、半導体スイッチ１４，１５の温度が所定範囲内に維持される。

　以上のように、制御部２６が低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３の中からオンにするスイッチを適切に選択した場合、スイッチング損失は常に小さく、半導体スイッチ１４，１５夫々のドレイン及びソースを流れる電流値が大きいとき、短い時間で半導体スイッチ１４，１５がオンからオフとなるので、高周波数成分を有する電磁波が発生する。このため、半導体スイッチの温度が所定範囲内に維持され、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度は小さい。

　なお、電源システム１の構成は、第１バッテリ１０の出力電圧値が、第２バッテリ１１の出力電圧値よりも高い構成に限定されず、第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１の出力電圧値の大小関係が経時的に変動する構成であってもよい。このように構成された電源システム１では、半導体スイッチ１４，１５がオンである場合において、第１バッテリ１０の出力電圧値が第２バッテリ１１の出力電圧値よりも高いとき、第１バッテリ１０は、第２バッテリ１１及び負荷１２，１３に電力を供給し、第２バッテリ１１は蓄電する。同様の場合において、第１バッテリ１０の出力電圧値が第２バッテリ１１の出力電圧値よりも低いとき、第２バッテリ１１は、第１バッテリ１０及び負荷１２，１３に電力を供給し、第１バッテリ１０は蓄電する。同様の場合において、第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１の出力電圧値が同じであるとき、第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１は負荷１２，１３に電力を供給する。負荷１２，１３夫々は、第１バッテリ１０又は第２バッテリ１１から供給された電力を用いて作動する。

　第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１の出力電圧値の大小関係が経時的に変動するように、電源システム１が構成されている場合、制御部２６は、オフ処理のステップＳ２において、ステップＳ１で取得した電流情報が示す電流値の絶対値が電流閾値以上であるか否かを判定する。制御部２６は、電流値の絶対値が電流閾値未満であると判定した場合、ステップＳ３を実行し、電流値の絶対値が電流閾値以上であると判定した場合、ステップＳ８を実行する。

（実施の形態２）
　実施の形態１では、寄生ダイオードを通じて第１バッテリ１０及び第２バッテリ１１間に電流が流れることを防止するために、２つの半導体スイッチ１４，１５が用いられ、半導体スイッチ１４，１５夫々のソースは互いに接続されている。しかしながら、制御装置１８がオン又はオフにする半導体スイッチの数は２つに限定されない。例えば、バッテリの数が１つである電源システムでは、制御装置１８がオン又はオフにする半導体スイッチの数は１つであってもよい。

　以下では、実施の形態２について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。

　図７は、実施の形態２における電源システム３の回路図である。電源システム３も、実施の形態１における電源システム１と同様に、車両に好適に搭載されている。電源システム３は、電源システム１と同様に、第１バッテリ１０、負荷１３、半導体スイッチ１４、電流センサ１６、温度センサ１７、制御装置１８及び抵抗Ｒ１を備える。寄生容量Ｐ１４は半導体スイッチ１４のゲート及びソース間に形成されている。

　第１バッテリ１０、半導体スイッチ１４、電流センサ１６、温度センサ１７、制御装置１８及び抵抗Ｒ１は、実施の形態１と同様に接続されている。半導体スイッチ１４のソースには、抵抗Ｒ１の一端の他に、負荷１３の一端が接続されている。負荷１３の他端は接地されている。

　制御装置１８は、半導体スイッチ１４のオン及びオフを実施の形態１と同様に行う。第１バッテリ１０は、半導体スイッチ１４がオンである場合、負荷１３に電力を供給する。半導体スイッチ１４がオフである場合、第１バッテリ１０は負荷１３に電力を供給することはなく、負荷１３への電力供給は停止する。負荷１３は、半導体スイッチ１４がオンである場合、第１バッテリ１０から供給された電力を用いて作動し、半導体スイッチ１４がオフである場合、電力が供給されないので、動作を停止する。

　図８は制御装置１８の回路図である。実施の形態２と同様に、抵抗Ｒ２の一端はダイオードＤ１のカソードに接続されており、抵抗Ｒ２の他端は半導体スイッチ１４のゲートに接続されている。電流センサ１６は制御部２６の入力端２６ａに接続されている。温度センサ１７は制御部２６の入力端２６ｂに接続されている。制御部２６の入力端２６ｃにはオン信号及びオフ信号が入力される。

　制御部２６は、実施の形態１と同様にオン処理及びオフ処理を実行する。従って、制御部２６は、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３を、オン、オフ及びオフにすることによって、半導体スイッチ１４をオンにする。
　また、制御部２６は、半導体スイッチ１４のドレイン及びゲート間に流れる電流値が電流閾値未満であり、かつ、半導体スイッチ１４の温度が温度閾値未満であると判定した場合に、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々をオフ、オン及びオフにし、半導体スイッチ１４をオフにする。これにより、半導体スイッチ１４は長い時間をかけてオンからオフとなり、半導体スイッチ１４から発生する電磁波に高周波数成分が含まれることはない。

　また、制御部２６は、半導体スイッチ１４のドレイン及びゲート間に流れる電流値が電流閾値以上であるか、又は、半導体スイッチ１４の温度が温度閾値以上であると判定した場合に、オン用スイッチ２０、低速オフ用スイッチ２２及び高速オフ用スイッチ２３夫々をオフ、オフ及びオンにし、半導体スイッチ１４をオフにする。これにより、半導体スイッチ１４は素早くオンからオフとなるため、スイッチング損失が小さく、半導体スイッチ１４の温度が所定範囲内に維持される。

　実施の形態２における制御装置１８の回路構成は実施の形態１と同様であり、前述したように、実施の形態２における制御部２６は実施の形態１と同様にオン処理及びオフ処理を行う。このため、実施の形態２における制御装置１８は、実施の形態１と同様の効果を奏する。

　なお、実施の形態１，２において、低速用回路２４が有する構成部は抵抗Ｒ１１に限定されず、高速用回路２５が有する構成部もコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１２の並列回路に限定されない。高速用回路２５のインピーダンスの絶対値が低速用回路２４のインピーダンスの絶対値よりも小さければよい。ただし、低速用回路２４及び高速用回路２５夫々は、コンデンサ及び抵抗の少なくとも一方を有する。

　また、実施の形態１，２におけるオフ処理において、制御装置１８の制御部２６は、電流値（絶対値）が電流閾値以上であるか否かの電流判定、及び、温度が温度閾値以上であるか否かの温度判定の一方のみを行ってもよい。制御部２６が電流判定のみを行う場合、オフ処理において、制御部２６は、電流値（絶対値）が電流閾値未満であると判定した場合（Ｓ２：ＮＯ）、ステップＳ５を実行する。また、制御部２６が温度判定のみを行う場合、オフ処理において、制御部２６は、ステップＳ１，Ｓ２を実行することなく、ステップＳ３から処理を開始する。以上のように制御部２６がオフ処理を行った場合であっても、半導体スイッチの温度を所定範囲内に維持しながら、高周波数成分を有する電磁波が発生する頻度を抑制することができる。

　更に、半導体スイッチ１４，１５夫々は、ＦＥＴに限定されず、例えば、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)であってもよい。

　開示された実施の形態１，２は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

　１，３　制御装置
　１４，１５　半導体スイッチ
　２０　オン用スイッチ（第１スイッチ）
　２２　低速オフ用スイッチ（第１回路側スイッチ）
　２３　高速オフ用スイッチ（第２回路側スイッチ）
　２４　低速用回路（第１回路）
　２５　高速用回路（第２回路）
　２６　制御部（電流情報取得部、温度情報取得部、スイッチ制御部）

Claims

　第１端、第２端及び第３端を有し、前記第１端の電圧値の上昇に応じて、前記第２端及び第３端間の抵抗値が低下する半導体スイッチのオン及びオフを行う制御装置において、
　一端に所定の電圧が印加され、他端に前記半導体スイッチの前記第１端が接続されている第１スイッチと、
　該第１スイッチの他端に一端が接続されている第１回路と、
　該第１回路の他端に一端が接続されている第１回路側スイッチと、
　前記第１スイッチの他端に一端が接続され、インピーダンスの絶対値が前記第１回路のインピーダンスの絶対値よりも小さい第２回路と、
　該第２回路の他端に一端が接続されている第２回路側スイッチと
　を備えることを特徴とする制御装置。
　前記第２端及び第３端間を流れる電流値を示す電流情報を取得する電流情報取得部と、
　前記電流情報取得部が取得した電流情報が示す電流値が電流閾値未満である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オン及びオフにし、
　前記電流情報取得部が取得した電流情報が示す電流値が電流閾値以上である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オフ及びオンにするスイッチ制御部と
　を備えることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
　前記半導体スイッチの温度を示す温度情報を取得する温度情報取得部と、
　前記温度情報取得部が取得した温度情報が示す温度が温度閾値未満である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オン及びオフにし、
　前記温度情報取得部が取得した温度情報が示す温度が温度閾値以上である場合に、前記第１スイッチ、第１回路側スイッチ及び第２回路側スイッチ夫々をオフ、オフ及びオンにするスイッチ制御部と
　を備えることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。