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WO2012091471A2 - 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치 - Google Patents

화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치 Download PDF

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WO2012091471A2
WO2012091471A2 PCT/KR2011/010267 KR2011010267W WO2012091471A2 WO 2012091471 A2 WO2012091471 A2 WO 2012091471A2 KR 2011010267 W KR2011010267 W KR 2011010267W WO 2012091471 A2 WO2012091471 A2 WO 2012091471A2
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substituted
mmol
unsubstituted
organic
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PCT/KR2011/010267
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최연희
문성윤
박정환
박정철
김기원
박용욱
박정근
정화순
지희선
이범성
최대혁
김동하
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덕산하이메탈(주)
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Publication date
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a compound, an organic electronic device using the same, and an electronic device thereof.
  • organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
  • An organic electric element using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween.
  • the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic electric device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer.
  • Materials used as the organic material layer in the organic electric element may be classified into light emitting materials and charge transport materials, such as hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials, and the like, depending on their functions.
  • the light emitting material may be classified into a polymer type and a low molecular type according to molecular weight, and may be classified into a fluorescent material derived from a singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from a triplet excited state of electrons according to a light emitting mechanism. Can be.
  • the light emitting material may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to achieve a better natural color according to the light emitting color.
  • a host / dopant system may be used. The principle is that when a small amount of dopant having an energy band gap smaller than that of a host forming the light emitting layer is mixed in the light emitting layer, excitons generated in the light emitting layer are transported to the dopant, thereby producing high-efficiency light. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant to be used.
  • a material forming the organic material layer in the device such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc., is supported by a stable and efficient material.
  • a stable and efficient organic material layer for an organic electric element has not yet been made sufficiently, and therefore, the development of new materials is continuously required.
  • the present invention for solving the above problems of the background provides a compound in which a linking group having a substituent is bonded to a triphenyl derivative having a phenyl group substituted with deuterium. Therefore, the compound can be used as a hole injection, hole transport, electron injection, electron transport, light emitting material and passivation (kepping) material in organic electronic devices, in particular can be used alone or as a host or dopant in the light emitting material and host / dopant It can be used as a hole injection, hole transport layer.
  • the present invention provides a compound having a form in which a linking group having a substituent is bonded to a triphenyl derivative connected to a phenyl group substituted with deuterium, an organic electronic device using the same, and an electronic device including the organic electronic device.
  • the present invention provides a compound of the formula:
  • the present invention can provide a compound in which a linking group having a substituent is bonded to a triphenyl derivative having a phenyl group substituted with deuterium, an organic electronic device using the same, and an electronic device including the organic electronic device.
  • the present invention provides a compound in which a linking group having a substituent is bonded to a triphenyl derivative connected to a phenyl group substituted with deuterium, and an organic compound using the same, and shows an effect of increasing efficiency, lowering driving voltage, increasing lifetime, and increasing stability of an organic electronic device. It was.
  • 1 to 6 show examples of the organic light emitting display device to which the compound of the present invention can be applied.
  • substrate 102 anode
  • the present invention can provide a compound represented by the following formula (1).
  • D represents deuterium and a may be an integer of 1 to 5.
  • R 1 to R 2 which may be substituted with a phenyl group are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom; Substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted carbon atoms 1 to 60 Alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 5 to 60 carbon atoms, substituted Or one or more selected from the group consisting of an amino group substituted with an unsubstituted aryl group having 5 to 60 carbon atoms, a halogen
  • R 1 to R 2 may be bonded to groups adjacent to each other to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring.
  • R 1 to R 2 may combine with groups adjacent to each other to form an aliphatic or hetero ring.
  • b to c may be an integer of 1 to 4.
  • L is selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 5 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 5 to 60 nuclear atoms, and a divalent or trivalent substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon. It may be, but is not limited to. On the other hand, d may be an integer of 0 to 3.
  • L may be one or more selected from the group consisting of phenyl group, biphenyl group, 1-naphthalyl group, 2-naphthyl group, pyridyl group, stilbene, anthracenyl group, phenanthrene group, pyrenyl group.
  • Y may be a derivative represented by Chemical Formula 2.
  • Ar 1 ⁇ Ar 3 may be the same as or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 1 to 60 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 nuclear atoms, but It is not limited.
  • Ar 2 to Ar 3 may be a substituted or unsubstituted alkyl group.
  • M may be an integer of 0 to 2.
  • Ar 1 may be one or one or more selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, thiophene group, pyrrole group, furan group, and pyridyl group have.
  • Ar 2 and Ar 3 may be one or more than one selected from the group consisting of functional groups in Table 1 below, but is not limited thereto.
  • the compound having the structural formula may be used in a solution process.
  • the compound may form an organic material layer of an organic electric device, which will be described later, by a soluble process.
  • the organic material layer may be formed by using various polymer materials, rather than a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be produced in fewer layers by the method.
  • the present invention may provide a compound represented by one of the following Chemical Formulas 3 to 13.
  • D in formula 3 to 10 represents deuterium where a is an integer of 1 to 5,
  • R 1 ⁇ R 4 which may be substituted on the phenyl group R1 ⁇ R 2 described in the formulas (2) and (3) may be the same, but is not limited thereto.
  • R 1 to R 4 are the same as or different from each other, and are each independently of the other hydrogen, deuterium, tritium; Substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms, Substituted or unsubstituted carbon atoms 1 to 60 Alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 5 to 60 carbon atoms, substituted Or an amino
  • b to e may be integers of 0 to 4.
  • R 1 to R 4 may be bonded to adjacent groups, respectively, to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring.
  • R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 1 may each combine with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring.
  • X in Chemical Formulas 7 to 10 may be C (R 1 ) (R 2 ), N (R 3 ) (R 4 ), S, O, Si, but is not limited thereto.
  • f-i are integers of 0-1.
  • substituents in Chemical Formulas 1 to 11 may be substituted or unsubstituted even if not mentioned above, so that the substituents may be substituted with other substituents or substituents.
  • organic electric devices exist in which compounds in which a linking group is bonded to a triphenyl derivative having a phenyl group substituted with deuterium, described with reference to Chemical Formulas 1 to 11, are used as the organic material layer.
  • organic electric device in which the compounds described with reference to Chemical Formulas 1 to 11 may be used include an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor (organic TFT).
  • OLED organic electroluminescent device
  • the present invention is not limited thereto, and the compounds described above may be applied to various organic electroluminescent devices. .
  • Another embodiment of the present invention is an organic electric device comprising a first electrode, a second electrode and an organic material layer disposed between these electrodes, wherein at least one layer of the organic material layer comprises an organic electric field comprising the compounds of Formulas 1 to 11 Provided is a light emitting device.
  • 1 to 6 show examples of the organic light emitting display device to which the compound of the present invention can be applied.
  • the organic light emitting device according to another embodiment of the present invention, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer And a structure known in the art using conventional manufacturing methods and materials in the art, except that at least one layer of the organic material layer including the electron injection layer is formed to include the compounds of Formulas 1 to 11. It can be prepared as.
  • FIGS. 1 to 6 The structure of the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 to 6, but is not limited thereto.
  • reference numeral 101 denotes a substrate, 102 an anode, 103 a hole injection layer (HIL), 104 a hole transport layer (HTL), 105 a light emitting layer (EML), 106 an electron injection layer (EIL), 107 an electron transport layer ( ETL), 108 represents a negative electrode.
  • the organic light emitting diode further includes a hole blocking layer (HBL) that blocks hole movement, an electron blocking layer (EBL) that blocks electrons from moving, a light emitting auxiliary layer that helps or assists light emission, and a protective layer. It may be located.
  • the protective layer may be formed to protect the organic material layer or the cathode at the uppermost layer.
  • the compound described with reference to Formulas 1 to 11 may be included in one or more of an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.
  • the compounds described with reference to Formulas 1 to 11 may be used in place of one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, a light emitting auxiliary layer, and a protective layer. Or may be used in combination with them.
  • the organic layer may be used not only in one layer but also in two or more layers.
  • it can be used as a hole injection material, a hole transport material, an electron injection material, an electron transport material, a light emitting material and a passivation (kepping) material according to the compounds described with reference to the formulas (1) to 11, in particular a light emitting material and a host / It can be used as a host or dopant in a dopant, and can be used as a hole injection and hole transport layer.
  • the organic light emitting device is a metal having a metal or conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation
  • PVD physical vapor deposition
  • An oxide or an alloy thereof is deposited to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed thereon, and then a material that can be used as a cathode is deposited thereon.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic electronic device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • the organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.
  • the organic layer may be formed using a variety of polymer materials, but not by a deposition process or a solvent process, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be made with a small number of layers.
  • the organic light emitting device according to another embodiment of the present invention may be used in a solution process such as spin coating or ink jet process.
  • the substrate is a support of the organic light emitting device, and a silicon wafer, quartz or glass plate, metal plate, plastic film or sheet, or the like can be used.
  • An anode is positioned over the substrate. This anode injects holes into the hole injection layer located thereon.
  • the anode material a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection layer is located on the anode.
  • the conditions required for the material of the hole injection layer are high hole injection efficiency from the anode, it should be able to transport the injected holes efficiently. This requires a small ionization potential, high transparency to visible light, and excellent hole stability.
  • the hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at low voltage, and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organics, perylene-based organics, Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is positioned on the hole injection layer.
  • the hole transport layer receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the organic light emitting layer located thereon, and serves to prevent high hole mobility, hole stability, and electrons.
  • Tg glass transition temperature
  • Materials satisfying these conditions include NPD (or NPB), spiro-arylamine compounds, perylene-arylamine compounds, azacycloheptatriene compounds, bis (diphenylvinylphenyl) anthracene and silicon germanium oxide.
  • NPD or NPB
  • spiro-arylamine compounds perylene-arylamine compounds
  • azacycloheptatriene compounds bis (diphenylvinylphenyl) anthracene
  • silicon germanium oxide silicon germanium oxide
  • the organic light emitting layer is positioned on the hole transport layer.
  • the organic light emitting layer is a layer for emitting light by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively, and is made of a material having high quantum efficiency.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Substances or compounds that satisfy these conditions include Alq3 for green, Balq (8-hydroxyquinoline beryllium salt) for blue, DPVBi (4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'- biphenyl) series, Spiro material, Spiro-DPVBi (Spiro-4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'-biphenyl), LiPBO (2- (2-benzoxazoyl) -phenol lithium salt), bis (diphenylvinylphenylvinyl) benzene, aluminum-quinoline metal complex, metal complexes of imidazole, thiazole and oxazole, and the like, perylene, and BczVBi (3,3 ') to increase blue light emission efficiency.
  • an organic light emitting layer is formed of a polymer of polyphenylene vinylene (PPV) or a polymer such as poly fluorene.
  • PPV polyphenylene vinylene
  • a polymer such as poly fluorene can be used for
  • the electron transport layer is positioned on the organic light emitting layer.
  • Such an electron transport layer requires a material having high electron injection efficiency and efficiently transporting injected electrons from a cathode positioned thereon. To this end, it must be made of a material having high electron affinity and electron transfer speed and excellent stability to electrons. Examples of the electron transport material that satisfies such conditions include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the electron injection layer is stacked on the electron transport layer.
  • the electron injection layer is a metal complex compound such as Balq, Alq3, Be (bq) 2, Zn (BTZ) 2, Zn (phq) 2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P, aromatic compound with imidazole ring, It can be produced using a low molecular weight material containing boron compounds and the like.
  • the electron injection layer may be formed in a thickness range of 100 ⁇ 300 ⁇ .
  • the cathode is positioned on the electron injection layer. This cathode serves to inject electrons.
  • the material used as the cathode it is possible to use the material used for the anode, and a metal having a low work function is more preferable for efficient electron injection.
  • a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver, or a suitable alloy thereof can be used.
  • electrodes having a two-layer structure such as lithium fluoride and aluminum, lithium oxide and aluminum, strontium oxide and aluminum having a thickness of 100 ⁇ m or less may also be used.
  • the organic light emitting device may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type according to the material used.
  • the present invention includes a display device including the organic electric element described above, and a terminal including a control unit for driving the display device.
  • This terminal means a current or future wired or wireless communication terminal.
  • the terminal according to the present invention described above may be a mobile communication terminal such as a mobile phone, and includes all terminals such as a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote control, a navigation device, a game machine, various TVs, various computers, and the like.
  • the compounds were synthesized according to the synthesis method described above, and the examples in which the compounds were applied to an organic material layer of an organic electroluminescent device, for example, an organic electroluminescent device, were compared with those of commonly used compounds.
  • Phenyl-d5-boronic acid (43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H 2 O (350 mL) was added to a 2 L round bottom flask, and 4,4 'Dibromo-biphenyl (161 g, 518 mmol), NaOH (42 g, 1035 mmol) and Pd (PPh 3 ) 4 (20 g, 17.3 mmol) were added in this order, and the reaction was performed at 80 ° C. for 24 hours.
  • the obtained organic layer was subjected to silicagel column to obtain 65.05 g (60%) of a product.
  • Phenyl-d5-boronic acid (43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H 2 O (350 mL) was added to a 2 L round bottom flask, and 1,4-Dibromobenzene (122.2 g, 518 mmol) and NaOH were dissolved. (42 g, 1035 mmol) and Pd (PPh 3 ) 4 (20 g, 17.3 mmol) were added sequentially, and the reaction proceeds at 80 ° C. for 24 hours.
  • Phenyl-d5-boronic acid (43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H 2 O (350 mL) was added to a 2 L round bottom flask, and 2,7-Dibromo-9-phenyl-carbazole (207g, 518 mmol), NaOH (42 g, 1035 mmol) and Pd (PPh 3 ) 4 (20 g, 17.3 mmol) were added in this order and the reaction proceeds at 80 ° C. for 24 hours.
  • the obtained organic layer was silicagel column to give 92.1 g (67%) of the product.
  • the mixture is heated to reflux at 80 ° C to 90 ° C. After the reaction is completed, distilled water is diluted at room temperature. Then, the mixture was extracted with methylene chloride and water, the organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated, and the resulting compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain a product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), diphenylamine (8.5 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), P Ph 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 11.3 g (yield: 70%) of product.
  • 1,3,5-tribromobenzene (15.74 g, 50 mmol), diphenylamine (17 g, 100 mmol), Pd 2 (dba) 3 (4.6 g, 5 mmol), PPh 3 (2.62 g, 10 mmol), NaOt- Bu (28.83 g, 300 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using 16.2 g (yield: 66%) of the product using the above synthesis method.
  • 1,2,5-tribromobenzene (15.74 g, 50 mmol), 4-methyl-N-phenylaniline (18.33 g, 100 mmol), Pd 2 (dba) 3 (4.6 g, 5 mmol), PPh 3 (2.62 g, 10 mmol), NaOt-Bu (28.83 g, 300 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 to obtain 16.4 g (yield: 63%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-2-amine (11g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol) , NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 13 g (yield: 69%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dinaphthalen-2-ylamine (13.5 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 15.3 g (yield: 72%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-1-amine (11 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol ), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 13.3 g (yield: 71%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dinaphthalen-1-ylamine (13.5 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 15.5 g (yield: 73%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4-methoxy-N-phenylaniline (10 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol ), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 13.3 g (yield: 75%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (4-fluorophenyl) naphthalen-2-amine (11.9g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 ( 1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 12.7 g (yield: 65%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylbiphenyl-4-amine (12.3g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol ), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 14.8 g (yield: 74%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (biphenyl-4-yl) naphthalen-1-amine (14.8g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using 16.2 g (yield: 72%) of the product using the above synthesis method.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dibiphenyl-4-ylamine (16.1 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to give 17.4 g (yield: 73%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), bis (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) amine (20.1g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol ), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to give 19.1 g (yield: 74%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 9,9-dimethyl-N- (naphthalen-1-yl) -9H-fluoren-2-amine (16.8g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL) using the synthesis method of 2-1 above, 16.7 g (yield: 68 Product)
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N, N-di-m-terphenyl amine (23.7 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g , 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 to give 21.1 g (yield: 67%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenyl-Nm-terphenyl amine (16.1 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 16.4 g (yield: 69%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4- (naphthalen-1-yl) -N-phenylaniline (14.8g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to give 15.1 g (yield: 67%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4- (naphthalen-2-yl) -N-phenylaniline (14.8g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using 14.2 g (yield: 66%) of the product using the synthesis method 2-1 above.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N, 9,9-triphenyl-9H-fluoren-2-amine (20.5 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 20 g (yield: 71%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenyl-9,9'-spirobi [fluoren] -2-amine (20.4 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol ), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 19.7 g (yield: 70%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (biphenyl-4-yl) phenanthren-9-amine (17.3 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 to obtain 17.8 g (yield: 71%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (biphenyl-4-yl) dibenzo [b, d] furan-3-amine (16.8 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g , 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were prepared using 17.9 g (yield: 73%) of the above synthesis method. Obtained the product
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (biphenyl-4-yl) dibenzo [b, d] thiophen-3-amine (17.6g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g , 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL) were prepared using the synthesis method of 2-1 above in 17.5 g (yield: 69%). Obtained the product
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (biphenyl-4-yl) pyren-4-amine (18.5g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 19.1 g (yield: 73%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (naphthalen-1-yl) -4-phenylnaphthalen-1-amine (17.3g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol ), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were obtained using the synthesis method of 2-1 above to obtain 18.5 g (yield: 74%) of product.
  • 1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N- (6-phenylnaphthalen-2-yl) naphthalen-1-amine (17.3g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3g, 2.5 mmol) , PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaO t -Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were prepared using 17.8 g (yield: 71%) of the above-mentioned synthesis method.
  • a copper phthalocyanine (hereinafter abbreviated as CuPc) film was vacuum-deposited on the ITO layer (anode) formed on the organic substrate to form a thickness of 10 nm.
  • CuPc copper phthalocyanine
  • ⁇ -NPD 4,4-bis [ N- (1-naphthyl) -N -phenylamino] biphenyl
  • a light emitting layer in which 45% thick BD-052X (Idemitsu Co., Ltd.) is doped with a 7% doped layer, wherein BD-052X is a blue fluorescent dopant, and the light emitting host material is the compound of the invention or 9, 10-di- (naphthalene- 2-anthracene) AND].
  • the phosphorescent material When measuring the invention compounds as a phosphorescent host material, the phosphorescent material is deposited to form a light emitting layer and at the same time abbreviated as tris (2-phenylpyridine) iridium (hereinafter Ir (ppy) 3 ) as a phosphorescent Ir metal complex dopant. ) was added. At this time, the concentration of Ir (ppy) 3 in the light emitting layer was 10% by weight.
  • BAlq ⁇ (1,1'bisphenyl) -4-oleito ⁇ bis (2-methyl-8-quinolineoleito) aluminum
  • BAlq Tris (8-quinolinol) aluminum
  • Alq3 Tris (8-quinolinol) aluminum
  • LiF an alkyl halide metal
  • Al was deposited to a thickness of 150 nm to use an Al / LiF as a cathode to prepare an organic light emitting device.
  • the organic electroluminescent device using the above-described compounds of the present invention as a material for an organic electroluminescent device has a high efficiency and a blue color light emission with improved color purity, so that the light emitting host and hole transport of the organic electroluminescent device are obtained. Used as a material, it can significantly improve low driving voltage, high luminous efficiency and lifespan.
  • the compounds of the present invention are used in other organic material layers of the organic light emitting device, for example, a light emitting auxiliary layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole injection layer, it is obvious that the same effect can be obtained.

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Abstract

본 발명은 화합물 및 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말을 제공한다.

Description

화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
본 발명은 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고, 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트 보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 중수소로 치환된 페닐기가 연결되어진 트리페닐유도체에 치환기를 가지고 있는 연결기가 결합되어진 화합물을 제공한다. 따라서 이 화합물은 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공수송, 전자 주입, 전자 수송, 발광 물질 및 패시베이션(케핑) 물질로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 중수소로 치환된 페닐기가 연결되어진 트리페닐유도체에 치환기를 가지고 있는 연결기가 결합되어진 형태를 핵심으로 하는 화합물, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기 전자 소자를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식의 화합물을 제공한다.
Figure PCTKR2011010267-appb-I000001
따라서, 본 발명은 중수소로 치환된 페닐기가 연결되어진 트리페닐유도체에 치환기를 가지고 있는 연결기가 결합되어진 화합물, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기 전자 소자를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 중수소로 치환된 페닐기가 연결되어진 트리페닐유도체에 치환기를 가지고 있는 연결기가 결합되어진 화합물, 이를 이용한 유기 제공하며, 유기 전자 소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과가 나타내었다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전계발광소자의 예를 도시한 것이다.
[부호의 설명]
101: 기판 102: 양극
103: 정공주입층 104: 정공수송층
105: 발광층 106: 전자주입층
107: 전자수송층 108: 음극
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000002
이때 D는 중수소를 나타내며 a는 1~5의 정수일 수 있다.
또한 페닐기에 치환될 수 있는 R1~R2은 서로 같거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 수소원자; 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로겐 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있다. 한편, R1~R2은 서로 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어 R1~R2은 서로 인접한 기와 결합하여 지방족 또는 헤테로 환을 형성할 수 있다. 이때 b~c 는 1~4의 정수일 수 있다.
한편 L은 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~40의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵 원자수 5~60의 헤테로 아릴렌기, 및 2가 또는 3가의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화 수소로부터 선택되는 기일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 한편, d 는 0~3의 정수일 수 있다. 예를 들어 L은 페닐기, 비페닐기, 1-나프탈기, 2-나프틸기, 피리딜기, 스틸벤, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기로 이뤄진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있다.
한편, 화학식 1에서 Y는 화학식 2와 같이 표시되는 유도체일 수 있다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000003
이때 Ar1~Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 핵 원자수 1~60의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 핵 원자수 5~ 60의 헤테로아릴기일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예를 들어 Ar2~Ar3은 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있다. 한편 m은 0~2의 정수일 수 있다.
한편, Ar1은 구체적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 티오펜기, 피롤기, 퓨란기, 피리딜기로 이뤄진 군에서 선택되는 하나 또는 하나 이상일 수 있다.
Ar2 및 Ar3는 아래 표 1의 작용기들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[표 1]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000004
Figure PCTKR2011010267-appb-I000005
Figure PCTKR2011010267-appb-I000007
Figure PCTKR2011010267-appb-I000008
Figure PCTKR2011010267-appb-I000009
Figure PCTKR2011010267-appb-I000010
Figure PCTKR2011010267-appb-I000011
Figure PCTKR2011010267-appb-I000012
Figure PCTKR2011010267-appb-I000013
Figure PCTKR2011010267-appb-I000014
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한편 상기 구조식을 가지는 화합물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시말해 상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 후술할 유기전기소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉 상기 화합물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.
본 발명은 하기 화학식 3 내지 13 중 하나로 표현되는 화합물을 제공할 수 있다.
[화학식 3]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000019
[화학식 4]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000020
[화학식 5]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000021
[화학식 6]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000022
[화학식 7]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000023
[화학식 8]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000024
[화학식 9]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000025
[화학식 10]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000026
이때 화학식 3 내지 10에서 D는 중수소를 나타내며 여기서 a는 1~5의 정수이고,
페닐기에 치환될 수 있는 R1~R4는 화학식 2 및 3에서 설명한 R1~R2는 동일할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예를 들어 R1~R4는 서로 같거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 수소원자, 중수소, 삼중수소; 치환 또는 비치환된 핵탄소수 5~60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로겐 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 한편, b~e 는 0~4의 정수일 수 있다. 이때 R1 내지 R4도 각각 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어 R1과 R2, R2와 R3, R3와 R4, R4와 R1은 각각 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.
한편, 화학식 7 내지 화학식 10의 X는 C(R1)(R2), N(R3)(R4), S, O, Si일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 한편, f~i는 0~1의 정수이다.
화학식 1 내지 10으로 표시되는 화합물은 구체적으로 아래 화학식11과 같이 화합물로 표시되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 11]
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아울러 화학식 1 내지 11에서 치환체들은 위에서 언급하지 않은 경우라도 다시 치환되거나 비치환될 수도 있어, 치환체가 다시 다른 치환기 또는 치환체로 치환될 수도 있다.
화학식 1 내지 11를 참조하여 설명한 중수소로 치환된 페닐기가 연결되어진 트리페닐유도체에 치환기를 가지고 있는 연결기가 결합되어진 화합물들이 유기물층으로 사용되는 다양한 유기전기소자들이 존재한다. 화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물들이 사용될 수 있는 유기전기소자는 예를 들어, 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT) 등이 있다.
화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물들이 적용될 수 있는 유기전기소자 중 일예로 유기전계발광소자(OLED)에 대하여 설명하나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 유기전기소자에 위에서 설명한 화합물들이 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1 내지 11의 화합물들을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전계발광소자의 예를 도시한 것이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층 중 1층 이상을 상기 화학식 1 내지 11의 화합물들을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 통상의 제조 방법 및 재료를 이용하여 당 기술 분야에 알려져 있는 구조로 제조될 수 있다.
본 발명에 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구조는 도 1 내지 6에 예시되어 있으나, 이들 구조에만 한정된 것은 아니다. 이때, 도면번호 101은 기판, 102는 양극, 103는 정공주입층(HIL), 104는 정공수송층(HTL), 105는 발광층(EML), 106은 전자주입층(EIL), 107은 전자수송층(ETL), 108은 음극을 나타낸다. 미도시하였지만, 이러한 유기전계발광소자는 정공의 이동을 저지하는 정공저지층(HBL), 전자의 이동을 저지하는 전자저지층(EBL), 발광을 돕거나 보조하는 발광보조층 및 보호층이 더 위치할 수도 있다. 보호층의 경우 최상위층에서 유기물층을 보호하거나 음극을 보호하도록 형성될 수 있다.
이때, 화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 구체적으로, 화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층 및 보호층 중 하나 이상을 대신하여 사용되거나 이들과 함께 층을 형성하여 사용될 수도 있다. 물론 유기물층 중 한층에만 사용되는 것이 아니라 두층 이상에 사용될 수 있다.
특히, 화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물에 따라서 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자주입 재료, 전자수송 재료, 발광 재료 및 패시베이션(케핑) 재료로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.
예컨대, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기전기소자를 만들 수도 있다. 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는 위에서 설명한 화합물을 스핀 코팅(spin coating)이나 잉크젯(ink jet) 공정과 같은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수도 있다.
기판은 유기전계발광소자의 지지체이며, 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.
기판 위에는 양극이 위치된다. 이러한 양극은 그 위에 위치되는 정공주입층으로 정공을 주입한다. 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
양극 위에는 정공주입층이 위치된다. 이러한 정공주입층의 물질로 요구되는 조건은 양극으로부터의 정공주입 효율이 높으며, 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있어야 한다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고 가시광선에 대한 투명성이 높으며, 정공에 대한 안정성이 우수해야 한다.
정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층 위에는 정공수송층이 위치된다. 이러한 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 전달받아 그 위에 위치되는 유기발광층으로 수송하는 역할을 하며, 높은 정공 이동도와 정공에 대한 안정성 및 전자를 막아주는 역할를 한다. 이러한 일반적 요구 이외에 차체 표시용으로 응용할 경우 소자에 대한 내열성이 요구되며, 유리 전이 온도(Tg)가 70 ℃ 이상의 값을 갖는 재료가 바람직하다. 이와 같은 조건을 만족하는 물질들로는 NPD(혹은 NPB라 함), 스피로-아릴아민계화합물, 페릴렌-아릴아민계화합물, 아자시클로헵타트리엔화합물, 비스(디페닐비닐페닐)안트라센, 실리콘게르마늄옥사이드화합물, 실리콘계아릴아민화합물 등이 될 수 있다.
정공수송층 위에는 유기발광층이 위치된다. 이러한 유기발광층는 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자가 재결합하여 발광을 하는 층이며, 양자효율이 높은 물질로 이루어져 있다. 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다.
이와 같은 조건을 만족하는 물질 또는 화합물로는 녹색의 경우 Alq3가, 청색의 경우 Balq(8-hydroxyquinoline beryllium salt), DPVBi(4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl) 계열, 스피로(Spiro) 물질, 스피로-DPVBi(Spiro-4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl), LiPBO(2-(2-benzoxazoyl)-phenol lithium salt), 비스(디페닐비닐페닐비닐)벤젠, 알루미늄-퀴놀린 금속착체, 이미다졸, 티아졸 및 옥사졸의 금속착체 등이 있으며, 청색 발광 효율을 높이기 위해 페릴렌, 및 BczVBi(3,3'[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl]bis(9-ethyl)-9H-carbazole; DSA(distrylamine)류)를 소량 도핑하여 사용할 수 있다. 적색의 경우는 녹색 발광 물질에 DCJTB([2-(1,1-dimethylethyl)-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo(ij)quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene]-propanedinitrile)와 같은 물질을 소량 도핑하여 사용할 수 있다. 잉크젯프린팅, 롤코팅, 스핀코팅 등의 공정을 사용하여 발광층을 형성할 경우에, 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 계통의 고분자나 폴리 플로렌(poly 플루오렌(fluorene)) 등의 고분자를 유기발광층에 사용할 수 있다.
유기발광층 위에는 전자수송층이 위치된다. 이러한 전자수송층은 그 위에 위치되는 음극으로부터 전자주입 효율이 높고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 물질이 필요하다. 이를 위해서는 전자 친화력과 전자 이동속도가 크고 전자에 대한 안정성이 우수한 물질로 이루어져야 한다. 이와 같은 조건을 충족시키는 전자수송 물질로는 구체적인 예로 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
전자수송층 위에는 전자주입층이 적층된다. 전자주입층은 Balq, Alq3, Be(bq)2, Zn(BTZ)2, Zn(phq)2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P 등과 같은 금속착제 화합물, imidazole ring 을 갖는 aromatic화합물이나 boron화합물 등을 포함하는 저분자 물질을 이용하여 제작할 수 있다. 이때, 전자주입층은 100Å ~ 300Å의 두께 범위에서 형성될 수 있다.
전자주입층 위에는 음극이 위치된다. 이러한 음극은 전자를 주입하는 역할을 한다. 음극으로 사용하는 재료는 양극에 사용된 재료를 이용하는 것이 가능하며, 효율적인 전자주입을 위해서는 일 함수가 낮은 금속이 보다 바람직하다. 특히 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 나트륨, 리튬, 알루미늄, 은 등의 적당한 금속, 또는 그들의 적절한 합금이 사용될 수 있다. 또한 100 ㎛ 이하 두께의 리튬플루오라이드와 알루미늄, 산화리튬과 알루미늄, 스트론튬산화물과 알루미늄 등의 2 층 구조의 전극도 사용될 수 있다.
전술하였듯이, 화학식 1 내지 11을 참조하여 설명한 화합물에 따라서 적색, 녹색, 청색, 흰색 등의 모든 칼라의 형광과 인광소자에 적합한 정공주입 재료, 정공수송 재료, 발광 재료, 전자수송 재료 및 전자주입 재료로 사용할 수 있으며, 다양한 색의 호스트 또는 도판트 물질로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
한편 본 발명은, 위에서 설명한 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말을 포함한다. 이 단말은 현재 또는 장래의 유무선 통신단말을 의미한다. 이상에서 전술한 본 발명에 따른 단말은 휴대폰 등의 이동 통신 단말기일 수 있으며, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 단말을 포함한다.
실시예
이하, 제조예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.그러나, 이하의 제조예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제조예
이하, 화학식 1 내지 11에 속하는 화합물들에 대한 제조예 또는 합성예를 설명한다.
다만, 화학식 1 내지 11에 속하는 화합물들의 수가 많기 때문에 화학식 1 내지 11에 속하는 화합물들 중 일부를 예시적으로 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자, 즉 당업자라면 하기에서 설명한 제조예들을 통해, 예시하지 않은 본 발명에 속하는 화합물을 제조할 수 있다.
이하 위에서 설명한 합성법에 따라 화합물들을 합성하고 그 화합물들을 유기전기소자, 예를 들어 유기전계발광소자의 유기물층에 적용한 예를 일반적으로 사용하는 화합물들과 비교하였다.
1) 화학식 3, 4, 5의 일반적인 합성 방법
[반응식 1]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000058
출발물질 합성 예시
출발물질 S1-1 (4-Bromo-P-terphenyl-d5)의 합성
[반응식 2]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000059
2L 둥근바닥플라스크에 Phenyl-d5-boronic acid(43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H2O (350 mL)을 넣고 녹인 후에 4,4' Dibromo-biphenyl (161g, 518 mmol), NaOH (42 g, 1035 mmol), Pd(PPh3)4 (20 g, 17.3 mmol)을 순서대로 넣고 80℃에서 반응을 24시간 동안 진행한다.
반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물, brine 을 이용하여 추출하고 MgSO4로 유기층을 건조한다.
얻어진 유기층을 silicagel column 하여 65.05g (60 %)의 생성물을 얻었다.
출발물질 S1-2 (3-Bromo-P-terphenyl-d5)의 합성
[반응식 3]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000060
2L 둥근바닥플라스크에 Phenyl-d5-boronic acid(43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H2O (350 mL)을 넣고 녹인 후에 1,4-Dibromobenzene (122.2g, 518 mmol), NaOH (42 g, 1035 mmol), Pd(PPh3)4 (20 g, 17.3 mmol)을 순서대로 넣고 80℃에서 반응을 24시간 동안 진행한다.
반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물, brine 을 이용하여 추출하고 MgSO4로 유기층을 건조한다.
얻어진 유기층을 silica gel short column 한 후 농축하여 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 68.3g (63 %)의 S1-2-1을 얻었다 얻어진 S1-2-1 (68.3 g, 293 mmol), THF (600 mL), H2O (300 mL)을 넣고 녹인 후에 3-bromophenylboronic acid (39.2g, 195 mmol), NaOH (35.7 g, 879mmol), Pd(PPh3)4 (17 g, 14.7mmol)을 순서대로 넣고 80℃에서 반응을 24시간 동안 진행한다.
반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물, brine 을 이용하여 추출하고 MgSO4로 유기층을 건조한다.
얻어진 유기층을 silica gel short column 한 후 농축하여 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 40g (65 %)의 S1-2-1을 얻었다
출발물질 S2-1 (2-Bromo-7-phnely-d5-9-phenyl-carbazole)의 합성
[반응식 4]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000061
2L 둥근바닥플라스크에 Phenyl-d5-boronic acid(43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H2O (350 mL)을 넣고 녹인 후에 2,7-Dibromo-9-phenyl-carbazole (207g, 518 mmol), NaOH (42 g, 1035 mmol), Pd(PPh3)4 (20 g, 17.3 mmol)을 순서대로 넣고 80℃에서 반응을 24시간 동안 진행한다.
반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물, brine 을 이용하여 추출하고 MgSO4로 유기층을 건조한다.
얻어진 유기층을 silicagel column 하여 92.1g (67 %)의 생성물을 얻었다
출발물질 S2-2 [3-Bromo-9-(naphthalene1-yl)-7-phnely-d5-carbazole]의 합성
Step 1) 9-(Biphenyl-4-yl)-2-phenyl-d5-carbazole
[반응식 5]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000062
2L 둥근바닥플라스크에 Phenyl-d5-boronic acid(43.8 g, 345 mmol), THF (700 mL), H2O (350 mL)을 넣고 녹인 후에 2-bromo-9-(naphthalene-1-yl)-carbazole (193g, 518 mmol), NaOH (42 g,1035 mmol), Pd(PPh3)4 (20 g, 17.3 mmol)을 순서대로 넣고 80℃에서 반응을 24시간 동안 진행한다. 반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물, brine 을 이용하여 추출하고 MgSO4로 유기층을 건조한다. 얻어진 유기층을 silicagel column 하여 87.9g (68 %)의 생성물을 얻었다
Step 2) [3-Bromo-9-(naphthalene1-yl)-7-phnely-d5-carbazole]
[반응식 6]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000063
500 mL 반응 플라스크에 9-(naphthalene-1-yl)-2-phenyl-d5-carbazole (30.4g, 82.2 mmol), NBS (15.36g, 86.31 mmol), 메틸렌클로라이드 (200 mL) 을 넣고 상온에서5시간동안 반응을 진행시킨다.
반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 Na2CO3 수용액으로 추출하고 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 short phase Column 한 후에 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 31.3 g (85 %) 을 얻었다
출발물질 S3-1 [3-Bromo-9-(naphthalene1-yl)-7-phnely-d5-carbazole]의 합성
[반응식 7]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000064
B (methyl 2-(9-phenyl-9H-carbazol-2-yl)benzoate)의 합성
1L 2-neck 둥근바닥 플라스크에 출발물질 (36.9 g, 100 mmol), 2-bromomethylbenzoate (21.5 g, 100 mmol), Pd(PPh3)4 (3.47 g, 3 mmol), K2CO3 (41.5 g, 300 mmol)를 넣고 여기에 용매로서 THF(400 mL), 물 (100 mL)을 넣은 다음 80℃에서 6시간 동안 교반한다. 반응용액의 온도를 상온으로 내리고 methylene chloride 와 물을 가지고 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 건조하여 crude product를 얻고 silica gel column 으로 분리정제하여 중간체 B를 노란색 고체로 26.0 g (수율 : 69%)을 얻었다.
C (5-phenylindeno[1,2-b]carbazol-11(5H)-one)의 합성
250 mL 2-neck 둥근바닥 플라스크에 B(18.9 g, 50 mmol), methanesulfonic acid (4.8 g, 50 mmol), poly-phosphoric acid (100 mL, 0.5M)을 넣은 다음 200℃에서 48시간동안 환류한다. 반응용액의 온도를 상온으로 내리고 diethylether 로 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 건조하여 crude product을 얻고 silica gel column으로 분리정제하여 중간체 C을 노란색 고체로 5.87 g (수율 : 34%)을 얻었다. (C와 D가 비슷한 수율로 얻어진다. )
E (5-phenyl-5,11-dihydroindeno[1,2-b]carbazole)의 합성
500mL 2-neck 둥근바닥 플라스크에 중간체 C (17.3 g, 50 mmol), LiAlH4 (5.69 g, 150 mmol)을 넣고 여기에 용매로서 150 mL 의THF 를 넣은 다음 실온에서 6시간 동안 교반한다. 반응이 종결된 후 적당량의 염산을 가한 다음 반응 용액을 diethylether로 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4로 감압 건조하여 crude product 을 얻고 silica gel column 로 분리 정제하여 중간체 E를 노란색 고체로 11.4 g (수율 : 69%)을 얻었다.
G (3-Bromo-9-(naphthalene1-yl)-7-phnely-d5-carbazole) 의 합성
500mL 2-neck 둥근바닥 플라스크에 중간체 E(16.6 g, 50 mmol), iodomethane (15.6 g, 110 mmol), potassium hydroxide (8.42 g, 150 mmol)을 넣고 여기에 용매로 150 mL methanol 을 넣은 다음 실온에서 3시간 동안 교반한다. 반응이 종결되면 용매인 메탄올을 농축기로 제거한 후 다시 물과 diethylether 을 가한 후 추출하였다. 얻어진 추출액을 MgSO4 로 건조시킨 후 감압 건조하여 Crude product 을 얻고 silica gel column 으로 분리 정제하여 중간체 G를 노란색 고체로 12.9 g(수율 : 72%)을 얻었다.
중간체 2-1, 2-2의 합성
[반응식 8]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000065
2-1의 합성법
둥근바닥플라스크에 1번의 화합물 (1당량), 아민화합물 (1당량), Pd2(dba)3 (0.05 mmol),PPh3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
2-2의 합성법
둥근바닥플라스크에 2-1의 화합물(1당량), Bis(pinacolato)diboron (1당량), Pd(dppf)Cl2 (0.03당량). KOAc (3당량), DMF (6.3 mL / 1 mmol),을 넣은후에 130℃에서 가열, 환류반응을 진행한다.
반응이 완료되면 ether 와 물로 추출하고 얻어진 유기층을 MgSO4 로 건조, 농축한 후에 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
2-3의 합성법
둥근바닥플라스크에 2-2의 화합물 (1당량), Br-L-Br (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03~0.05당량),NaOH (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 넣는다.
그런 후에 80℃~90℃ 상태에서 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석시킨다. 그런후에 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
중간체 합성 예시
4-Bromo-N,N-diphenylaniline
Figure PCTKR2011010267-appb-I000066
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), diphenylamine (8.5 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),P Ph3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 11.3 g (수율 : 70%)의 생성물을 얻었다.
5-Bromo-N1,N1,N3,N3-tetraphenylbenzene-1,3-diamine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000067
의 합성
1,3,5-tribromobenzene (15.74 g, 50 mmol), diphenylamine (17 g, 100 mmol), Pd2(dba)3 (4.6 g, 5 mmol), PPh3 (2.62 g, 10 mmol),NaOt-Bu (28.83 g, 300 mmol), toluene (525 mL) 을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 16.2 g (수율 : 66%)의 생성물을 얻었다.
2-Bromo-N1,N4-diphenyl-N1,N4-dip-tolylbenzene-1,4-diamine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000068
의 합성
1,2,5-tribromobenzene (15.74 g, 50 mmol), 4-methyl-N-phenylaniline (18.33 g, 100 mmol), Pd2(dba)3 (4.6 g, 5 mmol), PPh3 (2.62 g, 10 mmol),NaOt-Bu (28.83 g, 300 mmol), toluene (525 mL) 을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 16.4g (수율 : 63%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-phenylnaphthalen-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000069
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-2-amine (11g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 13 g (수율 : 69%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-(naphthalen-2-yl)naphthalen-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000070
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dinaphthalen-2-ylamine (13.5 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 15.3 g (수율 : 72%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-phenylnaphthalen-1-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000071
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-1-amine (11 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 13.3 g (수율 : 71%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-(naphthalen-1-yl)naphthalen-1-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000072
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dinaphthalen-1-ylamine (13.5 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 15.5 g (수율 : 73%)의 생성물을 얻었다.
4-Bromo-N-(4-methoxyphenyl)-N-phenylaniline
Figure PCTKR2011010267-appb-I000073
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4-methoxy-N-phenylaniline (10 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 13.3 g (수율 : 75%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-(4-fluorophenyl)naphthalen-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000074
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(4-fluorophenyl)naphthalen-2-amine (11.9g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 12.7 g (수율 : 65%)의 생성물을 얻었다.
N-(4-bromophenyl)-N-phenylbiphenyl-4-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000075
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenylbiphenyl-4-amine (12.3g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 14.8 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)naphthalen-1-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000076
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-1-amine (14.8g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 16.2 g (수율 : 72%)의 생성물을 얻었다.
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)biphenyl-4-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000077
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), dibiphenyl-4-ylamine (16.1g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 17.4 g (수율 : 73%)의 생성물을 얻었다.
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000078
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (18.1g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 19.1 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000079
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), bis(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amine (20.1g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 19.1 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-9,9-dimethyl-N-(naphthalen-1-yl)-9H-fluoren-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000080
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 9,9-dimethyl-N-(naphthalen-1-yl)-9H-fluoren-2-amine (16.8g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 16.7 g (수율 : 68%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N,N-di-m-terphenyl-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000081
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N,N-di-m-terphenyl amine(23.7g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 21.1g (수율 : 67%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N-phenyl-N-m-terphenyl-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000082
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenyl-N-m-terphenyl amine(16.1g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 16.4g (수율 : 69%)의 생성물을 얻었다
4-bromo-N-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-N-phenylaniline
Figure PCTKR2011010267-appb-I000083
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4-(naphthalen-1-yl)-N-phenylaniline (14.8g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 15.1g (수율 : 67%)의 생성물을 얻었다
4-Bromo-N-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-N-phenylaniline
Figure PCTKR2011010267-appb-I000084
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), 4-(naphthalen-2-yl)-N-phenylaniline (14.8g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 14.9g (수율 : 66%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N,9,9-triphenyl-9H-fluoren-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000085
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N,9,9-triphenyl-9H-fluoren-2-amine (20.5g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 20g (수율 : 71%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N-phenyl-9,9'-spirobi[fluoren]-2-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000086
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-phenyl-9,9'-spirobi[fluoren]-2-amine (20.4g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 19.7g (수율 : 70%)의 생성물을 얻었다
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)phenanthren-9-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000087
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)phenanthren-9-amine (17.3g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 17.8g (수율 : 71%)의 생성물을 얻었다
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan-3-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000088
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine (16.8g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 17.9g (수율 : 73%)의 생성물을 얻었다
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophen-3-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000089
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)dibenzo[b,d]thiophen-3-amine (17.6g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 17.5g (수율 : 69%)의 생성물을 얻었다
N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)pyren-4-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000090
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)pyren-4-amine (18.5g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 19.1g (수율 : 73%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N-(naphthalen-1-yl)-4-phenylnaphthalen-1-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000091
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(naphthalen-1-yl)-4-phenylnaphthalen-1-amine (17.3g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 18.5g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다
N-(4-bromophenyl)-N-(6-phenylnaphthalen-2-yl)naphthalen-1-amine
Figure PCTKR2011010267-appb-I000092
의 합성
1,4-dibromobenzene (11.8 g, 50 mmol), N-(6-phenylnaphthalen-2-yl)naphthalen-1-amine (17.3g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3g, 2.5 mmol),PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2-1의 합성법을 사용하여 17.8g (수율 : 71%)의
생성물을 얻었다
최종화합물 합성
[반응식 9]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000093
둥근바닥플라스크에 3a-B(OH)2, 또는 4a-B(OH)2 또는 5a-B(OH)2 의 화합물 (1당량), 2-1화합물 또는 2-3의 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03~0.05당량), NaOH (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1mmol)을 넣는다.
그런 후에 80℃~90℃ 상태에서 가열 환류 시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석시킨다. 그런 후에 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었으며 아래표와 같이 FD-MS로 생성물을 확인하였다.
[표 2]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000094
Figure PCTKR2011010267-appb-I000095
Figure PCTKR2011010267-appb-I000096
Figure PCTKR2011010267-appb-I000097
유기전계발광소자의 제조평가
합성을 통해 얻은 여러 화합물을 각각 발광층의 발광 호스트 물질이나 정공 수송층으로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전계 발광소자를 제작하였다.
먼저, 유기 기판에 형성된 ITO층(양극)위에 우선 정공주입층으로서 구리프탈로사이아닌 (이하 CuPc로 약기함)막을 진공증착하여 10nm 두께로 형성하였다. 이어서 상기 발명화합물들을 발광층의 호스트로 사용시에는 이 막 상에 정공수송층 화합물로서 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(이하 α-NPD로 약기함)을 30 nm 의 두께로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이 정공 수송층 상부에 45nm 두께의 BD-052X (Idemitsu사)가 7% 도핑된 발광층[이때 BD-052X는 청색 형광 도펀트이고, 발광 호스트 물질로는 상기 발명화합물 또는 9, 10-다이-(나프탈렌-2-안트라센)=AND]을 사용하였다.
상기 발명화합물들을 인광 호스트 재료로 사용측정할 시에는 인광재료를 증착하여 발광층을 성막함과 동시에 인광 발광성의 Ir 금속 착체 도펀트로서 트리스(2-페닐피리딘)이리듐 (이하 Ir(ppy)3로 약기함)을 첨가하였다. 이때 발광층 중에 있어서의 Ir(ppy)3의 농도는 10중량 % 로 하였다. 정공저지층으로 {(1,1'비스페닐)-4-올레이토}비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄 (이하 BAlq로 약기함)을 10 nm 의 두께로 진공증착하고, 이어서 전자주입층으로 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄 (이하 Alq3로 약기함)을 40 nm 의 두께로 성막하였다. 이 후, 할로겐화 알킬리 금속인 LiF를 0.2 nm의 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 이 Al/LiF를 음극으로 사용함으로서 유기전계 발광소자를 제조하였다.
비교실험예
본 발명의 화합물들을 형광 호스트, 정공수송층으로 측정했을 경우, 비교를 위해 본 발명의 화합물들 대신에 α-NPD(화학식 12)을 정공수송층으로, AND [9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene, 화학식 13]을 형광 호스트 물질로 사용하여 실험예와 동일한 구조의 유기전계발광 소자를 제작하였다.
[화학식 12]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000098
[화학식 13]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000099
[표 3]
Figure PCTKR2011010267-appb-I000100
상기 표 3의 결과로부터 알 수 있듯이, 전술한 본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자용 재료로 이용한 유기전계발광소자는 고효율이면서 색순도가 향상된 청색 발광이 얻어지므로 유기전계발광소자의 발광 호스트, 정공수송재료로 사용되어 낮은 구동전압과 높은 발광효율 및 수명을 현저히 개선시킬 수 있다.
본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 및 정공주입층에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
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Claims (13)

  1. 하기 화학식으로 표시되는 화합물.
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000101
    이때 상기 D는 중수소를 나타내며 a는 1~5의 정수이며, 상기 R1~R2은 서로 같거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 수소원자; 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로겐 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 하나 이상이며, 상기 b~c 는 1~4의 정수이며, 상기 L은 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~40의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵 원자수 5~60의 헤테로 아릴렌기, 및 2가 또는 3가의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화 수소로부터 선택되는 기이며, 상기 d 는 0~3의 정수이며, 상기 Y는 아래 화학식으로 표시되는 유도체이다.
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000102
    이때 상기 Ar1~Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 핵 원자수 1~60의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 핵 원자수 5~ 60의 헤테로아릴기이며, 상기 m은 0~2의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 구체적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 티오펜기, 피롤기, 퓨란기, 피리딜기로 이뤄진 군에서 선택되는 하나 또는 하나 이상이거나
    상기 Ar2 및 Ar3는 아래 표의 작용기들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000103
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000104
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000105
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000106
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000107
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000108
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000109
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000110
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000111
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000112
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000113
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000114
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000115
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000116
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000117
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식으로 표시되는 화합물은 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 화합물.
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000118
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000119
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000120
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000121
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000122
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000123
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000124
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000125
    상기 R3~R4는 서로 같거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 수소원자, 중수소, 삼중수소; 치환 또는 비치환된 핵탄소수 5~60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~60의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 핵 탄소수 5~60의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로겐 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상이며, 상기 d~e 는 0~4의 정수이며, 상기 X1 내지 X4 는 C(R1)(R2), N(R3)(R4), S, O, Si이며, 상기 f~i는 0~1의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 L은 페닐기, 비페닐기, 1-나프탈기, 2-나프틸기, 피리딜기, 스틸벤, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기로 이뤄진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 R1, R2, R3 및 R4은 각각 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 화학식으로 표시되는 화합물은 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 화합물.
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000126
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000127
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000128
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000129
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000130
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000131
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000132
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000133
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000134
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000135
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000136
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000137
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000138
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000139
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000140
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    Figure PCTKR2011010267-appb-I000149
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000150
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000151
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000152
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000153
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000154
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000155
    Figure PCTKR2011010267-appb-I000156
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전기소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 상기 유기물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 유기전기소자는 제1 전극, 상기 1층 이상의 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층된 형태로 포함하는 유기전계발광소자인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층, 발광층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 화합물을 발광호스트 물질로 포함하거나 상기 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  12. 제11항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와;
    상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 유기전기소자는 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT) 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치.
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