WO2007135893A1

WO2007135893A1 - 表示装置

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Publication number: WO2007135893A1
Application number: PCT/JP2007/059933
Authority: WO
Inventors: Masahiro Yoshida
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2006-05-19
Filing date: 2007-05-15
Publication date: 2007-11-29
Also published as: JP2011070223A; HK1126866A1; JP5114545B2; ATE486298T1; EP2246734A1; JPWO2007135893A1; CN101950106B; CN101950106A; CN101950105A; KR20090027647A; CN101443699B; US20090231532A1; EP2026121A1; EP2026121A4; HK1130321A1; JP2011059720A; KR101005654B1; EP2249199B1; CN101950105B; EP2249199A1

Abstract

　アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を有し、コモン転移を介して対向基板側へ共通電圧Ｖcomを供給するアクティブマトリクス型表示装置において、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積を縮小する。アクティブマトリクス基板（１０）の画素領域（１２）は、（ａ）信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、（ｂ）前記実画素領域よりもパネル端側に位置するダミー画素領域とを有し、前記アクティブマトリクス基板（１０）においてバスライン駆動回路（１６）が配置された一辺に対向する辺に設けられたコモン転移（１５ａ，１５ｂ）へコモン信号を供給するコモン配線（１４）の少なくとも一部が、前記画素領域における前記ダミー画素領域に配置されている。

Description

明細書

表示装置

技術分野

[0001] 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路 (ドライバ）が搭載された表示装置に関する。

背景技術

[0002] 従来、基板上に走査線および信号線をマトリクス状に形成し、これらの信号線の交点に TFT(Thin Film Transistor)等の駆動素子を形成したアクティブマトリクス基板が、液晶表示装置等に広く用いられている。当初、アクティブマトリクス基板においては、図 17に示すように、互いに平行に配置された走査線 Gの一端に、走査線駆動回路 91が設けられ、前記走査線 Gに直交しかつ互いに平行に配置された信号線 Sの一端に、信号線駆動回路 92が設けられることが一般的であった。つまり、図 17に示す従来のアクティブマトリクス基板 90では、画素領域 93の周辺領域 94において、隣り合う二辺に、走査線駆動回路 91と信号線駆動回路 92とがそれぞれ設けられていた。

[0003] 一方、近年の半導体製造技術の進歩に伴い、駆動回路の高集積ィ匕が進んでいる。また、表示装置においては、表示領域の大きさを確保しつつ、表示装置の筐体外形をできる限り小さくすることが望まれ、いわゆる挟額縁化が、一つの重要な解決課題とされている。このような背景から、アクティブマトリクス基板の周辺領域の一辺のみに走査線駆動回路と信号線駆動回路の両方を搭載する試みもなされている (例えば特開 2003— 241217号公報参照)。

[0004] 具体的には、図 18に示すように、アクティブマトリクス基板 95の一辺のみに、走査線駆動回路と信号線駆動回路を一体ィ匕した駆動回路 98が搭載された構成が、特開 2003— 241217号公報（同文献の図 4参照）に開示されている。

[0005] なお、同文献の図 3等には、アクティブマトリクス基板 95の一辺に走査線駆動回路が配置され、この走査線駆動回路の両側に信号線駆動回路が配置された構成も開示されている。図 18に示した従来のアクティブマトリクス基板は、互いに平行に配列された複数の信号線 Sのそれぞれを、画素領域 96の両側に交互に引き出して駆動回路 98に接続することにより、信号線 Sの延設方向の両側における額縁領域 97の幅を均等にしている。

[0006] 図 18に示したような従来の構成は、特に、携帯電話、デジタルカメラ、または PDA( Personal Digital Asistant)等の小型電子機器用の表示装置に好適に採用されている。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] しカゝしながら、近年の表示装置の高解像度化に伴い、額縁領域に配線される信号線の本数は増加の一途をたどっている。特に、信号線本数が多い高精細パネルにおいては、信号線の幅や信号線の間隔を小さくする必要があり、配線リークや断線による歩留まり低下を余儀なくされる。このため、高精細パネルでは、歩留まり向上を図ろうとすると、アクティブマトリクス基板の配線レイアウトの制限により額縁幅が縮小できない、という問題を有している。

[0008] また、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、表面全体に共通電極 (コモン電極）が形成されている。この共通電極には、アクティブマトリクス基板またはァクティブマトリクス基板に接続された FPC (Flexible Printed Circuit)等に設けられた駆動回路（図 18には図示せず)から、コモン配線 101を介して、所定の電圧 (共通電圧 V )が印加される。この場合、コモン配線 101と対向基板の共通電極とを電気 com

的に接続するためのコンタクト（「コモン転移」と称される） 102が、アクティブマトリクス基板 95上に設けられる。コモン転移 102は、カーボンペーストや金等の導電性材料で形成され、 500 m²〜： Lmm²程度の断面積を有する。図 18に示すように画素領域 96の周辺領域の一辺に駆動回路 98が配置されている場合、駆動回路 98の周辺は、駆動回路 98からの引き出し配線が密集しているので、コモン転移を配置することができない。従って、図 18に示すように、アクティブマトリクス基板 95の額縁領域 97において引き出し配線が設けられていない領域に、コモン転移 102が配置される。そして、駆動回路側力もコモン転移 102に至るまで、画素領域 96の周辺に沿ってコモン配線 101を引き廻す必要がある。 [0009] なお、共通電極の信号遅延によるムラやクロストーク等の表示不良が発生しないように、コモン配線 101は低抵抗でなければならない。このため、コモン配線 101には、十分な配線幅が必要である。従って、図 18に示したような従来のアクティブマトリクス基板では、画素領域 96の周辺において、信号線 Sを引き廻す領域のみならず、十分な幅のコモン配線 101を引き廻す領域を確保しなければならないので、額縁領域の面積を小さくすることができな、、 t 、う課題があった。

[0010] 本発明は、上記の問題を鑑み、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を配置し、かつアクティブマトリクス基板のコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧 V を com 供給する表示装置において、歩留まりを低下させることなぐ額縁領域の面積を縮小することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0011] 上記の目的を達成するために、本発明に力かる第 1の表示装置は、アクティブマトリタス基板と対向基板とを備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板が、マトリクス状に配置された走査線および信号線と、前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置するダミー画素領域とを含む画素領域を有し、前記表示装置が、前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、前記アクティブマトリクス基板が、前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部力前記画素領域における前記ダミー画素領域に配置されていることを特徴とする。

[0012] 上記の構成によれば、コモン配線の少なくとも一部を画素領域におけるダミー画素領域に配置したことにより、コモン配線の全体を画素領域外に配置した従来の構成に比較して、画素領域外に配置されるコモン配線の幅を細くでき、あるいは画素領域外のコモン配線を無くすことができる。これにより、額縁領域の幅を従来の構成よりも小さくすることができるので、歩留まりを低下させることなぐ額縁領域の面積が縮小された表示装置を提供できる。

[0013] 前記第 1の表示装置において、前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線力前記画素領域内の補助容量配線に電気的に接続されていることが好ましい。

[0014] 前記第 1の表示装置において、前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線力前記画素領域内の補助容量配線に対して電気的に独立していることが好ましい

[0015] 前記第 1の表示装置において、前記ダミー画素領域に、前記画素領域内の補助容量配線に並列なダミー補助容量配線がさらに配置されたことが好ましい。

[0016] 前記第 1の表示装置において、前記補助容量配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

[0017] 前記第 1の表示装置にお!、て、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー補助容量配線に交叉しな、よう配置されたことが好まし、。

[0018] 前記第 1の表示装置において、前記実画素領域の画素電極が、当該画素電極を駆動する走査線に隣接する走査線との間で補助容量を形成することが好ましい。

[0019] 前記第 1の表示装置において、前記ダミー画素領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

[0020] 前記第 1の表示装置にお!、て、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー画素領域のコモン配線に交叉しな、よう配置されたことが好ま、。

[0021] 前記第 1の表示装置において、前記ダミー画素領域を視覚的に遮蔽する遮蔽部材をさらに備えたことが好ましい。

[0022] 前記第 1の表示装置において、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を備えたことが好ましい。

[0023] 上記の目的を達成するために、本発明に力かる第 2の表示装置は、アクティブマトリタス基板と対向基板との間に表示媒体を備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板力マトリクス状に配置された走査線および信号線と、前記信号線によつて供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置し前記表示媒体中の不純物を電気的に捕獲するためのトラップ配線が形成された不純物捕獲領域とを含む画素領域を有し、前記表示装置が、前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走査線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、前記アクティブマトリクス基板が、前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記不純物捕獲領域に配置されていることを特徴とする。

[0024] 上記の構成によれば、コモン配線の少なくとも一部を画素領域における不純物捕獲領域に配置したことにより、コモン配線の全体を画素領域外に配置した従来の構成に比較して、画素領域外に配置されるコモン配線の幅を細くでき、あるいは画素領域外のコモン配線を無くすことができる。これにより、額縁領域の幅を従来の構成よりも小さくすることができるので、歩留まりを低下させることなぐ額縁領域の面積が縮小された表示装置を提供できる。

[0025] 前記第 2の表示装置にぉ、て、前記不純物捕獲領域のコモン配線にお!、て、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さいことが好ましい。

[0026] 前記第 2の表示装置にお、て、前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記不純物捕獲領域のコモン配線に交叉しな、よう配置されたことが好まし、。

[0027] 前記第 1または第 2の表示装置において、前記表示媒体が液晶であることが好ましい。

発明の効果

[0028] 以上のとおり、本発明によれば、アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を配置し、かつアクティブマトリクス基板のコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧 V を com 供給する表示装置において、歩留まりを低下させることなぐ額縁領域の面積を縮小することができる。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本発明の一実施形態にカゝかるアクティブマトリクス基板 10の概略構成を示す平面図である。

[図 2]図 2は、図 1における A部付近を拡大して示す平面図である。

[図 3]図 3は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。

[図 4]図 4は、本実施形態に力かる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（a)は平面図における断面の位置を示す図、（b)は（a)に示す A— A'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（c)は（a)に示す B— B'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。

[図 5]図 5は、本実施形態にカゝかるアクティブマトリクス基板 10の効果を説明する図である。

[図 6]図 6は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 20の概略構成を示す平面図である。

[図 7]図 7は、図 6における A部付近を拡大して示す平面図である。

[図 8]図 8は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板

30の概略構成を示す平面図である。

[図 9]図 9は、図 8における A部付近を拡大して示す平面図である。

[図 10]図 10は、本発明の一実施形態に力かる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 40の概略構成を示す平面図である。

[図 11]図 11は、図 10における A部付近を拡大して示す平面図である。

[図 12]図 12は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。

[図 13]図 13は、本発明の一実施形態に力かる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 50の概略構成を示す平面図である。

[図 14]図 14は、図 13における A部付近を拡大して示す平面図である。

[図 15]図 15は、本実施形態に力かる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、 (a) は平面図における断面の位置を示す図、（b)は (a)に示す A— A'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（c)は（a)に示す B— B'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。

[図 16]図 16は、本発明の実施形態の変形例にカゝかるアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。

[図 17]図 17は、従来の表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。

[図 18]図 18は、従来の表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0030] 以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明の一実施形態の表示装置における各部の構成部材のうち、本発明を説明するための主要な構成部材を示し、他の構成部材については簡略ィ匕または省略して示したものである。従って、本発明に力かる表示装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を必ずしも忠実に表したものではない。さらに、下記の実施形態では、液晶表示装置として本発明の表示装置を実施する態様を例示するが、本発明は液晶表示装置に限定されない。

[0031] [第 1の実施形態]

図 1は、本発明の一実施形態にカゝかるアクティブマトリクス基板 10の概略構成を示す平面図である。図 2は、図 1における A部付近を拡大して示す平面図である。本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 10は、液晶表示装置等の表示装置に用いられる。アクティブマトリクス基板 10は、ガラス等を材料とする透光性基板 11上に、 n 本の走査線 Gと m本の信号線 Sとが直交するように配置され、走査線 Gと信号線 Sとの交点のそれぞれに TFTおよび画素電極 (V、ずれも図示せず)を備えた画素領域 1 2を有する。なお、図 1および図 2並びに本明細書において参照する他の図においては、走査線 Gおよび信号線 Sの本数を省略して図示している。なお、駆動素子は TF Tに限定されない。アクティブマトリクス基板 10において、矩形の画素領域 12を額縁状に囲み、かつ対向基板との重なりを有する領域を、額縁領域 13と称する。ァクティブマトリクス基板 10の一辺に、走査線 Gを駆動する走査線駆動回路と信号線 Sを駆動する信号線駆動回路とを 1チップに集積したバスライン駆動回路 16が、 COG (Chi p On Glass)方式等により実装されている。もしくは、アクティブマトリクス基板 10上に直接、バスライン駆動回路が形成されている。

[0032] 額縁領域 13において、バスライン駆動回路 16が配置された側の辺に対向する辺の両端部近傍に、コモン転移 15a, 15bが設けられている。コモン転移 15a, 15bは、カーボンペーストや金等の導電性材料で形成され、一般的には、 500 ^ m²- lmm² 程度の断面積を有する。なお、コモン転移の数は 2個に限定されない。

[0033] m本の信号線 Sにおいて、ノスライン駆動回路 16に最も遠い位置にある信号線を S とし、バスライン駆動回路 16に最も近い位置にある信号線を Sとする。信号線 Sのう

1 m

ち約半数が、画素領域 12から引き出された後、額縁領域 13における一辺を通ってノスライン駆動回路 16に接続され、残りの信号線 Sは、画素領域 12から前記約半数の信号線 Sとは反対方向に引き出された後、額縁領域 13を通ってバスライン駆動回路 16に接続されている。すなわち、図 2の例では、 m本の信号線 Sのうち、 S , S , S

2 4 6

, · · ·力額縁領域 13において図 2における上側の辺を通ってノスライン駆動回路 1 6に接続され、 S , S , S , 、'、iS 額縁領域 13において図 2における下側の辺を通

1 3 5

つてバスライン駆動回路 16に接続されている。このように、信号線 Sを、その約半数ずつ、額縁領域 13において互いに対向する二辺に振り分けて配線することにより、額縁領域 13の前記二辺の幅を均等にすることができる。ただし、図 2の例では、 m本の信号線 S , S , S , S , · · ·が額縁領域 13において互いに対向する二辺へ交互に

1 2 3 4

引き出される構成としたが、これに限らず、例えば、信号線 S〜S を、額縁領域 13

1 m/2

の一辺へ引き出し、信号線 s 〜sをその反対側へ引き出した構成としても良い。

(m/2)+l m

なお、信号線 Sが額縁領域 13において互いに対向する二辺に約半数ずつ振り分けて配線されて、ることは、本発明にとつて必須ではな!/、。

[0034] 走査線 Gは、 TFTのゲートを ONにするための走査信号が所定のタイミングで印加される n本の走査線 G〜Gの他に、ダミー走査線 G , G , G も含む。なお、図 1で

I n dl d2 d3

は、走査線 Gの外側に 2本のダミー走査線 G , G が設けられ、走査線 Gの外側に

1 dl d2 n

1本のダミー走査線 G が設けられた構成を例示するが、ダミー走査線の数はこの例に限定されない。ダミー走査線 G , G , G には、表示領域の走査信号と同様の信 dl d2 d3

号、あるいは、走査信号としては機能しない信号、すなわち TFTのゲートを ONにする High電位には至らない電位の信号力バスライン駆動回路 16より印加される。あるいは、ダミー走査線 G , G , G 〖こ、走査信号の Low電位と同じ電位を常に印加す dl d2 d3

るようにしても良い。

[0035] 図 2は、図 1における A部付近を拡大して示す平面図である。図 2に示すように、ダミ一走査線 G とダミー走査線 G との間の領域にも、実絵素領域の画素電極 17および dl d2

TFT18と同様に、画素電極 17dおよび TFT18dが設けられている。 TFT18dのゲート電極は、ダミー走査線 G に接続されている。 TFT18dのドレイン電極は、画素電 d2

極 17dに接続されている（後述の図 3も参照)。上述のとおり、ダミー走査線 G , G , dl d2

G には、走査信号としては機能しない信号が供給されるので、ダミー走査線 G に T d3 dl

FT18dを介して接続されている画素電極 17dは、表示に寄与しない絵素 (ダミー絵素）を構成する。このように、表示に寄与しないダミー絵素が形成されている領域を「ダミー絵素領域」と称する。これに対して、表示に寄与する絵素 (有効画素）が形成されている領域 (ダミー走査線 G と走査線 Gとの間の領域)を「実絵素領域」と称する。

d2 n

[0036] なお、本実施形態では、例えば RGB三色等のカラーフィルタを用いてカラー表示を行う液晶表示装置を例示しており、「絵素」とは、一色のカラーフィルタに対応する一画素を意味する。「ダミー画素領域」と「ダミー絵素領域」、「実画素領域」と「実絵素領域」は、それぞれ同義である。ダミー絵素領域は、上述のとおり表示に寄与しないため、対向基板に設けられたブラックマトリクスや、アクティブマトリクス基板または対向基板の表面に張り付けられた遮光板で隠されていることが好ましい。

[0037] 図 3は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。この構成によれば、実絵素領域の外側にダミー走査線 G , G を設けたことにより、実絵 dl d2

素領域の最上段の走査線 Gで駆動される絵素と、 2段目以降の走査線 G , G , · · ·

1 2 3 で駆動される絵素とにおいて、画素電極とゲートバスライン間の寄生容量 C の大きさ gd が均等となり、画素領域端部における輝線が防止される。また、走査線 Gの外側にダミー走査線 G を設けたことにより、走査信号によって移動した表示媒体中の不純物 d3

を非表示領域にとどめると、う効果がある。 [0038] 画素領域 12を囲むように、額縁領域 13の四辺にわたって、コモン配線 14a, 14b, 14c, 14dが形成されている。コモン配線 14a, 14b, 14c, 14dの材料としては、例えば、アルミニウム、モリブデン、またはタンタル、あるいはこれらの合金等が用いられる。コモン配線 14a, 14bは、走査線 Gと平行に、額縁領域 13において互いに対向する二辺に形成されている。コモン配線 14c, 14dは、信号線 Sと平行に、額縁領域 13 にお、て互いに対向する二辺に形成されて!、る。コモン配線 14aとコモン配線 14cとの接続箇所に電気的に接続するように、前述のコモン転移 15aが設けられている。また、コモン配線 14bとコモン配線 14cとの接続箇所に電気的に接続するように、前述のコモン転移 15bが設けられている。なお、コモン配線 14a, 14b, 14cと、コモン配線 14dとは、アクティブマトリクス基板 10にお、て互いに異なる層に形成されて!、る。このため、図 2に示すように、例えばコモン配線 14aとコモン配線 14dとは、これらの配線間の絶縁膜に形成されたコンタクトホール 19を介して電気的に接続されている。

[0039] また、図 3に示したように、本実施形態のアクティブマトリクス基板 10は、液晶容量 C と並列に補助容量 C が形成されている。このため、アクティブマトリクス基板 10は、

IX CS

図 2に示すように、実絵素領域の各絵素内に、画素電極 18との間で容量 (補助容量 C )を形成する補助容量配線 CS , CS , · · ·を有している。図 2の例では、補助容

CS 1 2

量配線 CS， CS， · · ·は、コモン配線 14a

1 2 ， 14bと平行な幹線 CS と、この幹線 CS

1 1 に直交する支線 CS とから構成される。ただし、補助容量配線 CS , CS , · · ·の形

IB 1 2 状は、図 2に示した例には限定されない。

[0040] 補助容量配線 CS , CS , · · ·の幹線 CS の一端は、図 2に示すように、コンタクトホ

1 2 1

ール 19を介してコモン配線 14dに電気的に接続されている。また、図 2では図示を省略したが、補助容量配線 CS , CS , · · ·の幹線 CS の他端は、同様にコンタクトホー

1 2 1

ルを介してコモン配線 14cに電気的に接続されている。この構成により、補助容量配線 CS , CS , · · ·は、コモン配線 14c, 14dと同電位に保持される。

1 2

[0041] また、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 10では、図 1に示すように、額縁領域 13に形成されたコモン配線 14a〜14d以外に、画素領域 12内にもコモン配線 1 4e, 14fが形成されている。図 2に示すように、コモン配線 14eは、コモン配線 14aと平行であり、ダミー走査線 G とダミー走査線 G との間のダミー絵素領域内に形成されている。また、コモン配線 14fは、コモン配線 14aと平行であり、ダミー走査線 G と d3 走査線 Gとの間のダミー絵素領域内に形成されている。コモン配線 14eの両端は、コモン配線 14cおよびコモン配線 14dのそれぞれに電気的に接続されている。コモン配線 14fの両端も、コモン配線 14cおよびコモン配線 14dのそれぞれに電気的に接続されている。なお、コモン配線 14e, 14fは、コモン配線 14a, 14b, 14cと同じ層であって、コモン配線 14dとは異なる層に形成されている。従って、図 2に示すように、コモン配線 14eと、コモン配線 14dとは、これらの配線の絶縁膜に形成されているコンタタトホール 19を介して電気的に接続される。また、図 2では図示を省略した力コモン配線 14fと、コモン配線 14dとの電気的接続も同様である。

[0042] 図 4は、本実施形態に力かる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、 (a)は平面図における断面の位置を示す図、（b)は（a)に示す A— A'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（c)は（a)に示す B— B'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図 4 (b)および図 4 (c)では、配向膜の図示は省略されている。なお、図 4 (a)〜（c)は、コモン配線 14eの断面構造を示す力コモン配線 14f の断面構造も同様である。

[0043] 図 4 (b)に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板 10 と対向基板 60との間に液晶 62を挟持している。図 4 (b)に示すように、アクティブマトリクス基板 10において、透光性基板 11の表面には、コモン配線 14e、第 1絶縁膜 63 、信号線 S、第 2絶縁膜 64、および配向膜 (図示せず)が、この順に形成されている。また、対向基板 60において、透光性基板 61の表面には、ブラックマトリクス 66、カラ一フィルタ 65、共通電極 66、および配向膜（図示せず）が形成されている。

[0044] コモン配線 14e, 14fの幅は、ダミー絵素領域に収まる範囲であれば任意であるが、できるだけ大きくすることが好ましい。ダミー絵素領域のコモン配線 14e, 14fの幅を大きくするほど、額縁領域 13のコモン配線 14a, 14bの幅を小さく形成することができ、ひいては額縁領域 13の幅を縮小できる力もである。コモン配線 14a, 14bにおける入力端 14g, 14hへそれぞれ供給される共通電圧 V は、コモン配線 14a, 14bを介 com

してコモン転移 15a, 15bへそれぞれ伝達されると共に、コモン配線 14dの一部とコモン配線 14e, 14fとコモン配線 14cの一部とを介して、コモン転移 15a, 15bへそれぞれ伝達される。つまり、コモン配線 14e, 14fは、コモン配線 14d, 14cの一部と共に、共通電圧 V の供給端子となるコモン配線 14a, 14bの入力端 14g, 14hと、コモ com

ン転移 15a, 15bとの間を並列に接続する線である。よって、コモン配線 14e, 14fの線幅を大きくしてその配線抵抗が小さくなるほど、額縁領域 13のコモン配線 14a, 14 bの幅を小さくすることができる。なお、ダミー絵素領域の幅が十分にあり、コモン配線 14e, 14fの線幅を十分に大きくできる場合は、額縁領域 13のコモン配線を完全になくすことも可能である。

[0045] 図 5は、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 10の効果を説明する図であり、図 18に示したように額縁領域のみにコモン配線を配置した従来の構成を (a)に、図 1および図 2に示した本実施形態にカゝかる構成を (b)に、額縁領域の幅を対比可能なスケールでそれぞれ示した平面図である。図 5の（a)と (b)とを比較することから明らかなように、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 10によれば、画素領域 1 2内のダミー絵素領域にもコモン配線 14e, 14fを設けたことにより、従来の構成における額縁領域 97の幅よりも、額縁領域 13の幅を縮小することができる。

[0046] [第 2の実施形態]

図 6は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 20 の概略構成を示す平面図である。図 7は、図 6における A部付近を拡大して示す平面図である。なお、第 1の実施形態において説明した構成と同様の構成については、第 1の実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

[0047] 図 6および図 7に示すように、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 20は、額縁領域 13において信号線 Sに平行にコモン配線 14a, 14bが設けられており、画素領域 12のダミー絵素領域にコモン配線 14e, 14fが設けられている点において、第 1の実施形態と同様であり、額縁領域 13の幅を小さくできるという効果を奏する。

[0048] し力し、額縁領域 13において、コモン配線 14c , 14dがコモン配線 14aとコモン配

1 1

線 14eとを接続して電気的に閉ループを形成しており、コモン配線 14c , 14dがコモ

2 2 ン配線 14bとコモン配線 14fとを接続して電気的に閉ループを形成している点で、第 1の実施形態と異なる。

[0049] また、図 7に示すように、補助容量配線 CS , CS , · · ·の一端に対して、コモン配線とは独立して、る (電気的に接続されて!、な、)補助容量配線 21aを介して電圧が供給される点においても、第 1の実施形態と異なる。従って、補助容量配線 CSに対して、共通電圧 V とは異なる電圧を供給できる。なお、図 6に示すように、補助容量配 com

線 CS , CS , · · ·の他端には、補助容量配線 21aと同様に、補助容量配線 CS , CS

1 2 1

,…同士を電気的に接続する補助容量配線 21bが形成されている。なお、図 6に

2

おいては、補助容量配線 21a, 21bと補助容量配線 CS , CS , · · ·との接続の図示

1 2

を省略している。

[0050] この第 2の実施形態によれば、第 1の実施形態に比べて以下の利点がある。すなわち、ノーマリーホワイト方式の液晶表示装置として第 2の実施形態にかかる表示装置を実施する場合、補助容量配線 CSに対して、共通電圧 V とは異なる電圧を供給 com

することにより、画素内で補助容量配線と画素電極が短絡する不良があった場合でも、致命的な欠陥 (輝点）を回避することができる。

[0051] [第 3の実施形態]

図 8は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 30 の概略構成を示す平面図である。図 9は、図 8における A部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

[0052] 図 8および図 9に示すように、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 30は、額縁領域 13において信号線 Sに平行にコモン配線 14a, 14bが設けられており、画素領域 12のダミー絵素領域にコモン配線 14e, 14fが設けられている点において、第 1および第 2の実施形態と同様であり、額縁領域 13の幅を小さくできるという効果を奏する。

[0053] また、額縁領域 13において、コモン配線 14c , 14dがコモン配線 14aとコモン配線

1 1

14eとを接続して電気的に閉ループを形成しており、コモン配線 14c , 14dがコモン

2 2 配線 14bとコモン配線 14fとを接続して電気的に閉ループを形成している点では、第 1の実施形態とは異なるが、第 2の実施形態と同じである。

[0054] 本実施形態では、画素領域 12において、ダミー絵素領域にコモン配線 14e, 14fと共に、補助容量配線 CSが配置されている点において、第 2の実施形態と異なっている。このように、ダミー絵素領域に補助容量配線 CSを配置したことにより、補助容 d

量配線全体の抵抗を低くすることができ、補助容量配線 CS , CS , · · ·に印加される

1 2

電圧の低下を防止できる。

[0055] なお、本実施形態にぉ、て、ダミー絵素領域の画素電極 17dおよび TFT18dは必須ではない。すなわち、ダミー絵素領域には画素電極が形成されていなくても良い。また、ダミー絵素領域には TFTを有さず、ダミー絵素領域の画素電極 17dが補助容量配線 CSおよびコモン配線 14e, 14fの少なくとも一方と接続された構成としても良 d

い。

[0056] [第 4の実施形態]

図 10は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 4 0の概略構成を示す平面図である。図 11は、図 10における A部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

[0057] 図 10および図 11に示すように、本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 40は、額縁領域 13において信号線 Sに平行にコモン配線 14a, 14bが設けられており、画素領域 12のダミー絵素領域にコモン配線 14e, 14fが設けられている点において、第 1および第 2の実施形態と同様であり、額縁領域 13の幅を小さくできるという効果を奏する。

[0058] また、額縁領域 13において、コモン配線 14c , 14dがコモン配線 14aとコモン配線

1 1

[0059] 図 12は、ダミー絵素領域およびその近傍の実絵素領域の等価回路図である。図 1 2に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、隣接する画素の走査線を利用して補助容量 C を形成している。このため、本実施形態に力かるアクティブマトリ

CS

タス基板 40は、第 1および第 2の実施形態のような補助容量配線を備えていない。

[0060] 図 10に示すように、アクティブマトリクス基板 40では、実絵素領域およびダミー絵素領域の両方において、画素電極 17または画素電極 17dのそれぞれが、当該画素の 1段上の走査線との間で補助容量 C を形成している。例えば、走査線 Gに接続され

CS 1 ている絵素の画素電極 17は、走査線 Gよりも 1段上にあるダミー走査線 G との間で

1 d2 補助容量 c を形成する。

CS

[0061] [第 5の実施形態]

図 13は、本発明の一実施形態にカゝかる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板 5 0の概略構成を示す平面図である。図 14は、図 13における A部付近を拡大して示す平面図である。なお、前述の各実施形態において説明した構成と同様の構成については、それらの実施形態と同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

[0062] 本実施形態に力かるアクティブマトリクス基板 50は、第 1〜第 4の実施形態とは異なり、ダミー絵素領域を有していない。その代わりに、アクティブマトリクス基板 50は、図 13および図 14に示すように、走査線 Gよりも外側（額縁領域側）と、走査線 Gよりも

1 n 外側（額縁領域側）に、液晶中のイオン性不純物を捕獲するためのトラップ配線 51a , 5 lbを備えている。

[0063] 液晶表示装置の製造工程にお!/、て、配向膜に対してラビング処理を行う場合、摩擦によって基板力削り取られた配向膜が、異物として配向膜表面に付着し、時間経過と共にイオン性不純物となって液晶中に拡散して、くことがある。トラップ配線 51a , 51bは、所定の電圧 (例えば— 5V)が印加されることにより、イオン性不純物を捕獲する機能を持つ。これにより、イオン性不純物が実絵素領域に拡散することによる表示ムラを防止できる。トラップ配線 51a, 51bは、画素電極と同じ透明電極材料 (ITO または IZO)や、走査線 Gまたは信号線 Sと同じ配線材料 (例えば Aほたは Mo)等で形成される。

[0064] アクティブマトリクス基板 50では、このトラップ配線 51a, 51bの下層に、コモン配線 14e, 14fが配置されている。図 15は、本実施形態に力かる液晶表示装置の断面構造を示す図であり、（a)は平面図における断面の位置を示す図、（b)は (a)に示す A -A'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図、（c)は（a)に示す B— B'断面における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図 15 (b)および図 15 (c)では、配向膜の図示は省略されている。なお、図 15 (a)〜（c)は、トラップ配線 51aの断面構造を示すが、トラップ配線 5 lbの構造も同様である。 [0065] 図 15 (b)および図 15 (c)に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、ァクティブマトリクス基板 50と対向基板 60との間に、液晶 62を挟持している。図 15 (b)に示すように、アクティブマトリクス基板 50において、透光性基板 11の表面には、コモン配線 14e、第 1絶縁膜 63、信号線 S、第 2絶縁膜 64、トラップ配線 51a、および配向膜 (図示せず)が、この順に形成されている。また、対向基板 60において、透光性基板 61の表面には、ブラックマトリクス 66、カラーフィルタ 65、共通電極 66、および配向膜 (図示せず)が形成されている。なお、対向基板 60のブラックマトリクス 66は、トラップ配線 5 laを隠すように配置されて、る。

[0066] また、図 15 (c)に示すように、コモン配線 14eは、アクティブマトリクス基板 50の透光性基板 11の表面に形成され、その上層に、第 1絶縁膜 63、第 2絶縁膜 64、トラップ配線 51aが形成されている。図 15では、コモン配線 14eの幅力トラップ配線 51aの幅よりも大きい構成を示している力コモン配線 14e, 14fの幅がトラップ配線 51a, 5 lbの幅よりも小さくても良い。ただし、第 1の実施形態で説明したように、コモン配線 1 4e, 14fの幅を大きくするほど、コモン配線 14a, 14bの幅を小さくすることができ、額縁領域 13の縮小が図れる。

[0067] 以上、第 1〜第 5の実施形態を説明したが、これらの実施形態の一変形例をここで説明する。図 16は、本発明の実施形態の一変形例として、第 1の実施形態の変形例にかかるアクティブマトリクス基板 70の構成を示す平面図である。図 16において丸記号で囲んで示した領域 Pに表れているように、アクティブマトリクス基板 70において、

1

画素領域 12のダミー絵素領域に設けられたコモン配線 14eは、信号線 Sと交差する部分の幅が、主たる配線幅 Wよりも細く形成されていることが好ましい。なお、コモン配線 14fも同様に、信号線 Sと交差する部分の幅 W'が、主たる配線幅 Wよりも細く形成されていることが好ましい。これにより、信号線 Sの負荷を低減し画素電極に適切な電圧を供給することができる。また、絶縁膜のピンホールなどに起因する、信号線 Sとコモン配線 14eとの短絡の確率が減少するという効果もある。なお、図 16では、第 1 の実施形態の変形例を示したが、第 2〜第 5の実施形態に力かるアクティブマトリクス基板においても、上記と同様に、画素領域 12内に設けられたコモン配線 14eにおいて、信号線 Sと交差する部分の幅を、主たる配線幅 Wよりも細く形成する構成とすれば、上記と同様の効果が得られる。また、第 3の実施形態の場合、ダミー絵素領域に設けられた補助容量配線 CSにおいて、信号線 Sと交差する部分の幅を主たる配線

d

幅 wよりも細く形成することによつても、同様の効果が得られる。

[0068] また、図 16において丸記号で囲んで示した領域 Pに表れているように、アクティブ

2

マトリクス基板 70において、信号線 Sにおける信号入力側と反対側の末端部が、画素領域 12のダミー絵素領域に設けられたコモン配線 14eと交叉しないようにすることが好ましい。これにより、信号線 Sの負荷を低減し画素電極に適切な電圧を供給することができ、また絶縁膜のピンホールなどに起因する信号線 Sとコモン配線 14eの短絡が無くなるという利点がある。なお、コモン配線 14fも同様に、信号線 Sにおける信号入力側と反対側の末端部と交叉しないようにすることが好ましい。なお、図 16では、第 1の実施形態の変形例を示したが、第 2〜第 5の実施形態に力かるアクティブマトリクス基板においても、上記と同様に、信号線 Sにおける信号入力側と反対側の末端部力画素領域 12のダミー絵素領域に設けられたコモン配線 14eと交叉しない構成とすれば、上記と同様の効果が得られる。また、第 3の実施形態の場合、ダミー絵素領域に設けられた補助容量配線 CSに対しても、信号線 Sにおける信号入力側と反

d

対側の末端部が交叉しな、ようにすることが好まし、。

[0069] また、上述の各実施形態は、本発明の一具体例に過ぎず、発明の範囲内で上記の実施形態を変更することが可能である。例えば、図 2等では、走査線がアクティブマトリクス基板の長辺に平行な構成を例示した力走査線がアクティブマトリクス基板の短辺に平行な構成であっても良!、。

[0070] また、図 2等には、絵素がデルタ配列である例を示した力絵素力 Sストライプ配列された構成であっても良、。

[0071] ダミー走査線の数は、上述の例の 3本に限定されず、これよりも多くても良い。これにより、ダミー絵素領域が複数行形成される場合は、いずれか 1つの行のダミー絵素領域のみにコモン配線および補助容量配線 (第 3の実施形態の場合)を配置しても良、し、複数行のダミー絵素領域にコモン配線および補助容量配線 (第 3の実施形態の場合)を配置しても良、。

[0072] また、本発明を液晶表示装置として実施する場合、液晶の表示モードやバックライトの有無等については、何ら限定がない。例えば、透過型、反射型、または半透過型等の、任意のモードの液晶表示装置に本発明を適用できる。

産業上の利用可能性

本発明は、額縁領域の一辺にバスライン駆動回路を配置し、かつコモン転移を介して対向基板側へ共通電圧 V を供給するアクティブマトリクス基板およびこれを用い com

た表示装置として、産業上利用可能である。

Claims

請求の範囲

[1] アクティブマトリクス基板と対向基板とを備えた表示装置において、

前記アクティブマトリクス基板が、

マトリクス状に配置された走査線および信号線と、

前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置するダミー画素領域とを含む画素領域を有し、

前記表示装置が、

前記アクティブマトリクス基板の一辺において前記画素領域外に配置され、前記走查線および信号線へ、走査信号およびデータ信号をそれぞれ供給するバスライン駆動回路と、

前記対向基板の共通電極へ供給するコモン信号を生成するコモン駆動回路とを備え、

前記アクティブマトリクス基板が、

前記アクティブマトリクス基板において前記バスライン駆動回路が配置された一辺に対向する辺に設けられ、前記コモン信号を前記対向基板の共通電極へ供給するためのコモン転移と、

前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記ダミー画素領域に配置されて!ゝることを特徴とする表示装置。

[2] 前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線力前記画素領域内の補助容量配線に電気的に接続されてヽる、請求項 1に記載の表示装置。

[3] 前記ダミー画素領域に配置されているコモン配線力前記画素領域内の補助容量配線に対して電気的に独立して!/、る、請求項 1に記載の表示装置。

[4] 前記ダミー画素領域に、前記画素領域内の補助容量配線に並列なダミー補助容量配線がさらに配置された、請求項 1に記載の表示装置。

[5] 前記補助容量配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さヽ、請求項 4に記載の表示装置。

[6] 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー補助容量配線に交叉しないよう配置された、請求項 4に記載の表示装置。

[7] 前記実画素領域の画素電極が、当該画素電極を駆動する走査線に隣接する走査線との間で補助容量を形成する、請求項 1に記載の表示装置。

[8] 前記ダミー画素領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さい、請求項 1〜7のいずれか一項に記載の表示装置。

[9] 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記ダミー画素領域のコモン配線に交叉しないよう配置された、請求項 1〜8のいずれか一項に記載の表示装置。

[10] 前記ダミー画素領域を視覚的に遮蔽する遮蔽部材をさらに備えた、請求項 1〜9の

V、ずれか一項に記載の表示装置。

[11] 前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を備えた、請求項 1〜 10のいずれか一項に記載の表示装置。

[12] アクティブマトリクス基板と対向基板との間に表示媒体を備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板が、

マトリクス状に配置された走査線および信号線と、

前記信号線によって供給されるデータ信号に応じた表示を行う有効画素を含む実画素領域と、前記実画素領域よりもパネル端側に位置し前記表示媒体中の不純物を電気的に捕獲するためのトラップ配線が形成された不純物捕獲領域とを含む画素領域を有し、

前記表示装置が、

前記アクティブマトリクス基板が、

前記コモン信号を前記コモン転移へ供給するためのコモン配線とを備え、前記コモン配線の少なくとも一部が、前記画素領域における前記不純物捕獲領域に配置されてヽることを特徴とする表示装置。

[13] 前記不純物捕獲領域のコモン配線において、前記信号線との交叉部分の幅が、当該コモン配線の主たる配線幅よりも小さい、請求項 12に記載の表示装置。

[14] 前記信号線の信号入力側と逆側の末端部が、前記不純物捕獲領域のコモン配線に交叉しないよう配置された、請求項 12または 13に記載の表示装置。

[15] 前記表示媒体が液晶である、請求項 12〜14のいずれか一項に記載の表示装置。