[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2007066545A1 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

固体電解コンデンサ Download PDF

Info

Publication number
WO2007066545A1
WO2007066545A1 PCT/JP2006/323752 JP2006323752W WO2007066545A1 WO 2007066545 A1 WO2007066545 A1 WO 2007066545A1 JP 2006323752 W JP2006323752 W JP 2006323752W WO 2007066545 A1 WO2007066545 A1 WO 2007066545A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
hard coating
solid electrolytic
cathode
electrolytic capacitor
intermediate layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/323752
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Satoru Yoshimitsu
Original Assignee
Sanyo Electric Co., Ltd.
Saga Sanyo Industries Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co., Ltd., Saga Sanyo Industries Co., Ltd. filed Critical Sanyo Electric Co., Ltd.
Priority to CN2006800458850A priority Critical patent/CN101326600B/zh
Priority to US12/096,688 priority patent/US7885054B2/en
Publication of WO2007066545A1 publication Critical patent/WO2007066545A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/0425Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/045Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15Solid electrolytic capacitors
    • H01G9/151Solid electrolytic capacitors with wound foil electrodes

Definitions

  • capacitors with a fixed capacitor.
  • an electrolytic capacitor that uses a metal having a useful property such as 2,000 (a), E (b), and A () as an electrode.
  • capacitors are popular because they are small and large in volume.
  • Figure 5 is a formula that shows an example of the structure of a conventional condenser in the conventional condenser.
  • the state in which is solved is shown in 5.
  • the 00006 capacitor is manufactured through the following steps. Etching on aluminum foil
  • step 2 Perform step 2 to make 2.
  • the cathode 3 is manufactured by performing etching processing on the aluminum foil.
  • the hard metal 8 is formed on the surface of the cathode 3.
  • a cathode 6a is provided on the cathode 3.
  • 4a, 2 and 3 made of hard 4 of setter 4b are laminated in this order, and then wound into a tubular shape and fastened with unwinding tape 5.
  • a thione-based molecule is formed between the element 2b and the element 4b. Later, connect 6 "to 7" and 6 "to cathode 6b.
  • the problem described in 007 is as follows.
  • stress such as tension was applied to 3 made of titanium as hard 8 and thus the titanium was cracked, resulting in an increase in the flow of the capacitor.
  • titanium was prepared in the product of the product when the thion-based molecule was formed as a solid solution, and as a result, the flow of the capacitor increased.
  • a method (1) has been proposed in which a composite metal material such as titanium titanium nitride () is formed on the surface of the cathode to suppress the addition of a flow of desiccant due to corrosion or cracking of the hard film. . 1 2 4 22 5 2 report
  • the film composed of the composite metal compound is more likely to be a single compound. Therefore, cracking of the hard film occurs and corrosion of the film occurs. In addition to this, it is possible to suppress the addition of the current of the capacitors.
  • the difference between the hard film and the atoms forming the cathode is also large.
  • the adhesion to the hard cathode decreases, and the hard film is easily separated from the force applied to the winding when forming the capacitor. As a result, the flow of electricity is increasing.
  • the electrodes are arranged facing each other, are made of aluminum, are formed on the surface of the electrode, and are provided between A solid-state decomposing material is interposed between the thin film and the thin film, and the thin film further comprises an intermediate layer formed between the thin film and the thin film. It is characterized in that it is composed of a compound with a metal element of a class, and the interlayer contains at least one element selected from the group of metal elements such as aluminum and titanium.
  • the inter-layer is composed of the same kind of quality (below, also), and the composition of the substance is along the manufacturing (direction perpendicular to the plane). It may be (below or below) or a number (below or below) composed of different substances. Is the uppermost layer formed on the cathode and is in contact with solid decomposition.
  • the intermediate layer is composed of different hard materials.
  • the different substances include only substances that do not contain a certain element of a plurality of elements that make up hard, materials that contain elements that are different from the plurality of elements that make up a hard element, and all elements that make up a hard element. Includes, but means those different substances.
  • the interlayer is a material film, it means that the material forming the intermediate layer in the plane perpendicular to the film is different from the material forming the hard layer.
  • the intermediate layer is a laminated layer, it means that the layers constituting the laminated layer are composed of different hard materials.
  • the adhesion to the hard cathode is improved.
  • the separation of the membrane from the cathode is suppressed and the flow is suppressed.
  • the separation of the film from the cathode means the separation of the cathode intermediate layer and the separation of the interlayer and the hard film.
  • the interlayer is a single layer of the same kind, and the degree of the interlayer is higher than that of the film.
  • the interlayer includes a number of membranes composed of different substances, and the degree of each of the number of membranes is higher than that of the membrane. , And.
  • the degree of the substance constituting each of the above-mentioned membranes is larger than that of the substance constituting the electrode, and It is characterized in that the above-mentioned number of films are gradually elevated from the above side toward the above.
  • the constituents are characterized by containing at least a metal element selected from carbon, nitrogen, boron and elements.
  • the hard film has a high dielectric property.
  • the amount of capacitors can be improved and the corrosion of the film in the manufacturing process can be suppressed.
  • the at least one group element selected from the group consisting of aluminum, titanium, or aluminum titanium, and nitrogen, boron, and an element is characterized by being composed of a substance with at least a metal element selected from the group consisting of:
  • the adhesion to the intermediate layer and the adhesion to the hard layer can be improved, so that the separation of the film from the cathode can be further suppressed.
  • the interlayer is constituted by only a part of the plurality of constituent elements.
  • the lattice constant of the substance constituting the hard layer and the lattice constant of the substance constituting the intermediate layer become close to each other, the bonding force on those surfaces becomes large and the adhesion is improved. This effectively suppresses the separation of the film from the cathode. Can be controlled.
  • the substance that constitutes a hard material is
  • the substance constituting the intermediate layer is ,, or
  • the intermediate layer is a laminated layer and the material that constitutes the hard layer is, for example,
  • the above-mentioned constituent material is aluminum titanium.
  • the eighth aspect wherein the interlayer is composed of titanium nitride.
  • the separation of the film from the cathode can be suppressed even better.
  • the lattice constant of the intermediate layer is closer to the lattice constant of the hard film than the titanium of the hard layer is more than that of the hard titanium.
  • the force can be relieved by the intermediate layer, and the resultant force between the surface of the intermediate layer and the hard layer becomes large and the adhesion is improved.
  • it is characterized by being composed of an element of a species selected from the group consisting of the above, aluminium, and tantao.
  • 003 is a high-performance solid-state capacitor because it is useful.
  • It is characterized in that it is composed of the above-mentioned decomposing substance, a porphyrin-based molecule, a porlane-based molecule, a poppy-based molecule, and a poan-based molecule C Q.
  • the substance that constitutes the pole may be any metal that has a purpose.
  • the metal having a use include aluminum and tantalum. It is preferable to use the pole, electrolysis, and polishing. In this case, the effective surface area is increased and the capacitance is increased. Also, for the polar surface,
  • the surface is electrolyzed and polished.
  • the effective surface area increases, and the anchoring effect due to the roughened surface improves the adhesion to the cathode intermediate layer. This is because the separation of the membrane from the cathode can be indirectly suppressed.
  • the hardness is high, because it consists of a metal component that requires aluminium () and titanium (), and a nonmetal component above nitrogen (, carbon (C), and () ()). More preferably, the hard constituent substance is a compound of aluminium-titanium, a carbide, a carbide, boron, nitrogen, and a carbide, and more preferably, the hard constituent substance is aluminium-titanium. It should be noted that hard constituents may contain metal elements other than elemental metals such as nitrogen and titanium, and non-metal elements may include nitrogen (), carbon, elemental elements, and other metallic elements. It may be included.
  • vacuum deposition, P 2 and C 3 can be applied.
  • P include an ion plating method and a stuttering method.
  • C include C, plasm C, optical C, and the C method. And of the
  • the P method is preferable because it can improve productivity. More preferably, P is P (quick putting) This is the case when the tapping method is adopted.
  • the thickness of the intermediate layer is on the .multidot.x, and more preferably on the.
  • the intermediate layer is too much, the intermediate layer is likely to crack and the long life cannot be achieved. Therefore, it is preferable that it is 24 below the intermediate layer, and more preferable that it is below.
  • the same method as for the hard film can be used. If the interlayer is laminated, the charge, the amount of the charge, the production,
  • the conditions are changed and the layers are sequentially laminated.
  • the middle layer is a substance
  • the case is continuously changed by changing the case with time.
  • Decompositions include, but are not limited to, cation molecules, porane molecules, porphyrin molecules, porcine molecules, and C.
  • the separation of the film is suppressed, and as a result, the flow of the capacitors can be suppressed. Also, C can be improved by a large amount over the conventional capacitor.
  • 004 is a formal expression showing an example of a child in Mingdae
  • 2 is a formal drawing showing an example of Mingdae
  • Figure 3 is a schematic plan view showing an example of a cathode.
  • the state in which is solved is shown. See below for explanations on an explicit capacitor with reference to 45.
  • the densities of the 004 state are the same as those shown in 2, and the menders that are arranged in the part of Aumques 9 and the menders that make the mood in the part of Aumques 9 It is fixed, covers the mucking side, and is connected to the capacitors 6a and 6b of the capacitors, respectively, and has pole terminals 2a and 2b which are exposed on the surface through the seat plate.
  • the capacitor 004 includes a set 4a, 2 and a set 4b and a cathode 3 as shown in FIG. Between 4b and 4b
  • the capacitor is attached and is fixed by the unwinding tape 5.
  • the 3 includes the cathode 3, the intermediate layer 8 formed on the surface of the cathode 3, and 28 formed on the surface of the intermediate layer 8. Also, in 2,
  • the data 6 is connected and the data 6b is connected to the data 6b.
  • the cathode 3 is connected to the cathode daughter 6b, and the cathode daughter 6b is connected to the cathode daughter 7b.
  • the do 7 part and the do 7b are the anode terminal 2a and the pole terminal 2b in 2 respectively.
  • the 004 state capacitor is manufactured through the following steps. Punching () is performed on the aluminum foil to produce 2. After making 2, make connections to 2 and 6a. In addition,
  • the capacitor will be referred to as a capacitor hereinafter.
  • the capacitor has a pressure of 6 ⁇ 3, a volume of 22 and an outer shape of a cylindrical shape with a diameter of 6 3 and a height of 6 ⁇ O.
  • conduct 2-4 conduct 2-4
  • the cathode has three structures including a hard intermediate layer.
  • capacitor 2 Using the treated aluminum foil as a shadow, two solid pieces were prepared in the same manner as above.
  • the capacitor thus manufactured will be referred to as capacitor 2 below.
  • two products with the same structure as in capacitor 2 were made separately.
  • the capacitor 3 is called. In addition, two products with the same structure as in capacitor 3 were made separately.
  • capacitor X For the above-mentioned items 4 to 4, two solid capacitors were prepared in the same manner as above except that the intermediate layer was not formed.
  • the capacitor thus manufactured is hereinafter referred to as capacitor X.
  • two products with the same structure as in the comparative capacitor X were made separately.
  • the comparative capacitor X unlike capacitors to 4, does not have an intermediate layer and has a two-layer structure consisting of a hard material.
  • capacitor X2 For the above-mentioned items 4 to 4, two solid capacitors were produced in the same manner as in the above case, except that the electrolytically-deposited aluminum foil was used as a shadow and the intermediate layer and the layer were not formed.
  • the capacitor thus manufactured is hereinafter referred to as a capacitor X2.
  • the capacitor ⁇ has a better adhesion to the film than the capacitor X having no intermediate layer. I made it.
  • the flow can be greatly reduced as shown in c. 005 0
  • the characteristics of capacitor 2 and capacitor 4 it can be seen that the flow changes depending on the level of the intermediate layer. I can not alleviate. Therefore, it is preferable that it is above the middle layer.
  • Capacitor element of the present invention 2 Aluminum foil (anode) 3 Aluminum foil (cathode) 4a Separator

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】巻回式固体電解コンデンサにおいて、陰極からの硬質皮膜の剥離に起因する漏れ電流の増加を抑制する。 【解決手段】固体電解コンデンサの構成を、陽極2、アルミニウムで構成された陰極2、陰極2の表面に形成された硬質皮膜28、セパレータ4b及び固体電解質層を備える巻回されたコンデンサ素子を含む構成であって、陰極2と硬質皮膜28との間に形成された中間層18を更に備え、硬質皮膜28がアルミニウム及びチタンと少なくとも1種類の非金属元素との化合物で構成され、中間層18は、アルミニウム及びチタンよりなる金属元素群から選択される少なくとも1種の元素を含む構成とする。特に、固体電解コンデンサの中間層18を構成する物質の硬度が、硬質皮膜28を構成する物質の硬度よりも小さい構成とすることが好ましい。

Description

固体電解コンデンサ
技術分野
[0001] 本発明は、卷回されたコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサに関する。
背景技術
[0002] タンタル (Ta)、ニオブ (Nb)、アルミニウム (A1)等のような弁作用を有する金属を電 極として利用した電解コンデンサが知られている。電解コンデンサは、他のコンデン サと比べて、小型でありながら大容量であるために、一般に広く用いられている。電 解コンデンサのうちでも、特に、その電解質としてポリピロール系、ポリチォフェン系、 ポリフラン系、ポリア-リン系等の導電性高分子又は TCNQ (7、 7、 8、 8—テトラシァ ノキノジメタン)錯塩等を用いた卷回式固体電解コンデンサが注目されて 、る。
[0003] 固体電解コンデンサを大型化することなく更に大容量ィ匕することが求められており、 これを達成すベぐ陰極の表面に窒化チタン (TiN)等の金属窒化物力 なる被膜を 形成して、静電容量を高めるという方法が提案された。
[0004] ここで、従来の卷回式固体電解コンデンサにおける卷回されたコンデンサ素子につ いて説明する。図 5は、従来の卷回式アルミニウム固体電解コンデンサにおける卷回 されたコンデンサ素子の構造の一例を示す模式的な斜視図である。なお、図 5には、 卷回されたコンデンサ素子の内部積層構造を明示するために、終端部の卷回を解 ヽ た状態が示されている。
[0005] コンデンサ素子 1は、エッチング処理 (電解研磨処理)及び化成処理が行われた陽 極 2としてのアルミニウム箔と、エッチング処理が行われた陰極 3としてのアルミニウム 箔と、硬質皮膜 8としての TiN蒸着膜と、アルミニウム箔 2とアルミニウム箔 3との接触 を防止するセパレータ紙 4a, 4bと、アルミニウム箔 2とセパレータ紙 4bとの間及び Ti N蒸着膜とセパレータ紙 4bとの間に形成された固体電解質層としてのポリチォフェン 系導電性高分子層(図示せず)とを備えている。コンデンサ素子 1は、更に、卷回状 態を保持する巻き止めテープ 5と、陽極 2及び陰極 3にそれぞれ接続された陽極用リ ードタブ端子 6a及び陰極用リードタブ端子 6bと、陽極用リードタブ端子 6a及び陰極 用リードタブ端子 6bにそれぞれ接続された陽極用リード線 7a及び陰極用リード線 7b とを備えている。
[0006] コンデンサ素子 1は、以下の過程を経て作製される。アルミニウム箔にエッチング処 理 (電解研磨処理)及び化成処理を行って陽極 2を作製する。陽極 2を作製した後に 、陽極 2に陽極用リードタブ 6aを設ける。また、アルミニウム箔にエッチング処理を行 つて陰極 3を作製する。陰極 3を作製した後に、陰極 3の表面に TiN蒸着膜を硬質皮 膜 8として形成する。その後、陰極 3に陰極用リードタブ 6aを設ける。セパレータ紙 4a と、陽極 2と、セパレータ紙 4bと硬質皮膜 8の形成された陰極 3とを順次に積層した後 に、その積層体を円筒状に卷回して巻き止めテープ 5で止める。次いで、卷回された 積層体に切り口化成と 280°Cの熱処理とを行う。次いで、 40質量%〜60質量%の トルエンスルホン酸第二鉄を含むアルコール溶液 (酸化剤溶液)に 3, 4—エチレン ジォキシチォフェンを混入した調製液に、卷回された積層体を浸漬する。次いで、卷 回された積層体を加熱して 3, 4—エチレンジォキシチォフェンを熱重合させる。これ によって、アルミニウム箔 2とセパレータ紙 4bとの間及び硬質皮膜 8とセパレータ紙 4b との間にポリチォフェン系導電性高分子層(固体電解質層)が形成される。最後に、 陽極用リードタブ端子 6aに陽極用リード線 7aを接続し、陰極用リードタブ端子 6bに 陰極用リード線 7aを接続する。
[0007] 上記のコンデンサ素子 1では、以下のような問題があった。コンデンサ素子 1を形成 する際の積層体の卷回において、硬質皮膜 8として窒化チタン蒸着膜の形成された 陰極 3に引張り力や捻り力等の応力が加わるために、窒化チタン蒸着膜に亀裂が生 じ、その結果、コンデンサ素子 1の漏れ電流が増カロしていた。また、固体電解質層と してのポリチオフ ン系導電性高分子層を形成する際の積層体の調製液への浸漬 において、窒化チタン蒸着膜が調製液によって浸食され、その結果、コンデンサ素子 1の漏れ電流が増加して 、た。
[0008] 上記の問題を解決する方法として、 TiN蒸着膜等の単金属化合物力 なる硬質皮 膜に代えて、陰極の表面に窒化アルミニウムチタン (TiAIN)等の複合金属化合物か らなる硬質皮膜を形成して、硬質皮膜の侵食や亀裂によるコンデンサ素子の漏れ電 流の増加を抑制する方法 (下記特許文献 1参照)が提案された。 特許文献 1:特開 2004 - 221512号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 陰極の表面に窒化アルミニウムチタン (TiAIN)等の複合金属化合物からなる硬質 皮膜を形成した場合、複合金属化合物からなる硬質皮膜の方が単金属化合物から なる硬質皮膜よりも硬度が大きくなる。したがって、硬質皮膜の亀裂が生じ難くなり、 また硬質皮膜の侵食が生じ難くなる。これによつて、コンデンサ素子の漏れ電流の増 加を抑制できる。
[0010] しかし、硬質皮膜の硬度が大きくなれば、陰極を構成するアルミニウム箔との硬度 差が、従来における硬度差よりも大きくなる。これにより、陰極と硬質皮膜との密着性 が低下し、コンデンサ素子を形成する際の卷回時に加えられる応力によって、硬質 皮膜が陰極力 剥離し易くなる。その結果、コンデンサ素子の漏れ電流が増カロしてし まつ。
[0011] そこで、本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、その目 的は、陰極上に形成され、固体電解質層に接触する硬質皮膜として、複合金属化合 物からなる硬質な硬質皮膜を設けた固体電解コンデンサにおいて、硬質皮膜の剥離 を抑制し、剥離に伴う漏れ電流の増加を抑制する。
課題を解決するための手段
[0012] 上記目的を達成するために、本発明のうち請求項 1に記載の発明は、陽極と、前記 陽極に対向して配置され、アルミニウムで構成された陰極と、前記陰極の表面に形成 された硬質皮膜と、前記硬質皮膜と前記陽極との間に設けられたセパレータとを卷 回してなるコンデンサ素子とを備え、前記両極と前記セパレータとの間に固体電解質 層が介在する固体電解コンデンサであって、前記陰極と前記硬質皮膜との間に形成 された中間層を更に備え、前記硬質皮膜がアルミニウム及びチタンと少なくとも 1種類 の非金属元素との化合物で構成され、前記中間層が、アルミニウム及びチタンよりな る金属元素群から選択される少なくとも 1種の元素を含むことを特徴とする。
[0013] 「中間層」は、 1種類の物質で構成される 1つの膜 (以下、「単層膜」とも称する)であ つてもよいし、物質の構成が製膜方向(陰極表面に垂直な方向)に沿って変化する膜 (以下、「物質変化膜」とも称する)であってもよいし、互いに異なる物質で構成される 積層された複数の膜 (以下、「積層膜」とも称する)であってもよい。なお、「硬質皮膜」 は、陰極上に形成される最上層であり、固体電解質層に接触する。
[0014] また、中間層は、硬質皮膜と異なる物質で構成されている。ここで、「硬質皮膜と異 なる物質」とは、硬質皮膜を構成する複数種類の元素のうちの特定の元素を含まな い物質、硬質皮膜を構成する複数種類の元素と異なる元素を含む物質、硬質皮膜 を構成する全ての種類の元素のみを含むが、それらの組成比が異なる物質を意味 する。中間層が物質変化膜である場合には、製膜方向に垂直な任意の平面内にお ける中間層を構成する物質が、硬質皮膜を構成する物質と異なることを意味する。な お、中間層が積層膜である場合には、積層膜を構成する各層が、硬質皮膜と異なる 物質で構成されて ヽることを意味する。
[0015] 上記の構成であれば、硬質皮膜がアルミニウム及びチタンを含む化合物 (複合金 属化合物)で構成されているため、中間層よりも硬度の高いものとなっている。硬質皮 膜と陰極との間に、硬質皮膜を構成している金属元素を少なくとも 1種含む中間層を 介在させることにより、陰極と硬質皮膜との密着性が向上する。その結果、陰極に対 する硬質皮膜の剥離が抑制され、漏れ電流の増大が抑制される。なお、陰極に対す る硬質皮膜の剥離とは、陰極と中間層の剥離及び中間層と硬質皮膜の剥離を意味 する。
[0016] 請求項 2に記載の発明は請求項 1に記載の発明において、前記中間層が、 1種類 の物質からなる単層膜であり、前記中間層の硬度が、前記硬質皮膜の硬度よりも小さ いことを特徴とする。
[0017] この構成であれば、製造過程における卷回時に硬質皮膜に加わる応力を、中間層 の形状変化によって緩和できる。これによつて、陰極に対する硬質皮膜の剥離を良 好に抑制できる。
[0018] 請求項 3に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記中間層が、互い に異なる物質で構成された複数の膜を含み、前記複数の膜の各々の硬度が、前記 硬質皮膜の硬度よりも小さ ヽことを特徴とする。
[0019] この構成であれば、卷回の際に硬質皮膜に加わる応力を、中間層を構成する複数 の膜の形状変化によって、段階的に緩和できる。したがって、中間層に亀裂を生じる ことなぐ陰極に対する硬質皮膜の剥離を更に良好に抑制できる。
[0020] 請求項 4に記載の発明は、請求項 3に記載の発明において、前記複数の膜の各々 を構成する物質の硬度が、前記陰極を構成する物質の硬度を超えて大きぐ前記硬 質皮膜を構成する化合物の硬度未満であり、前記複数の膜が、前記陰極側から前 記硬質皮膜側に向カゝつて硬度的に昇順で傾斜して ヽることを特徴とする。
[0021] この構成であれば、中間層と陰極との密着性、中間層の内部における各膜の密着 性及び中間層と硬質皮膜との密着性を向上できる。これによつて、陰極に対する硬 質皮膜の剥離を更に良好に抑制できる。
[0022] 請求項 5に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記硬質皮膜を構成 する前記化合物が、炭素、窒素、ホウ素及び酸素からなる群より選択される少なくとも 1種類の非金属元素を含有することを特徴とする。
[0023] この構成であれば、硬質皮膜が、誘電率が大きくかつ硬度の大きな物質となる。こ れによって、コンデンサ容量を向上させることができると共に、製造過程における硬質 皮膜の侵食を抑制できる。
[0024] 請求項 6に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記中間層が、アルミ ユウム、チタン、又は、アルミニウム及びチタンよりなる群力も選択される少なくとも 1種 類の金属元素と炭素、窒素、ホウ素及び酸素力 なる群より選択される少なくとも 1種 類の非金属元素との化合物で構成されていることを特徴とする。
[0025] この構成であれば、中間層と陰極との密着性及び中間層と硬質皮膜との密着性を 良好に向上させることができるために、陰極に対する硬質皮膜の剥離を更に良好に 抑制できる。
[0026] 請求項 7に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記中間層が、前記 硬質皮膜を構成する複数の元素のうち一部の元素のみで構成されていることを特徴 とする。
[0027] この構成であれば、硬質皮膜を構成する物質の結晶格子定数と中間層を構成する 物質の結晶格子定数が近い値となるために、それらの界面における結合力が大きく なり、密着性が向上する。これによつて、陰極に対する硬質皮膜の剥離を良好に抑 制できる。上記の構成としては、例えば、硬質皮膜を構成する物質が Ti Al N
0. 25 0. 75 であるときには、中間層を構成する物質が Al、Ti、 AlN、TiN又は Ti Al Nである
0. 5 0. 5 場合が例示できる。なお、中間層が積層膜であり、硬質皮膜を構成する物質が例え ば Ti Al Nであるときには、中間層の複数の膜を構成する各物質力 Al、Ti、
0. 25 0. 75
AlN、TiN及び Ti Al Nのいずれかである場合が例示できる。
0. 5 0. 5
[0028] 請求項 8に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記硬質皮膜を構成 する前記化合物が、窒化アルミニウムチタンであることを特徴とする。
[0029] この構成であれば、硬質皮膜の亀裂の発生等を良好に抑制できる。また、製造過 程における侵食を良好に抑制できる。硬質皮膜が窒化アルミニウムチタンであれば、 窒素以外の非金属元素との化合物である場合よりも硬度が大きくなるからである。
[0030] 請求項 9に記載の発明は、請求項 8に記載の発明において、前記中間層が、窒化 チタンで構成されて 、ることを特徴とする。
[0031] この構成であれば、陰極に対する硬質皮膜の剥離を更に良好に抑制できる。これ は、中間層を構成する窒化チタンの硬度が硬質皮膜を構成する窒化アルミニウムチ タンの硬度よりも小さぐかつ、中間層の結晶格子定数が、硬質皮膜の結晶格子定数 に近くなるために、卷回の際に硬質皮膜に加わる応力を中間層で緩和でき、かつ、 中間層と硬質皮膜との界面の結合力が大きくなり密着性が向上するからである。
[0032] 請求項 10に記載の発明は、請求項 1に記載の発明において、前記陽極が、アルミ ユウム、タンタル及びニオブよりなる群力 選択される 1種の元素で構成されて 、るこ とを特徴とする。
[0033] この構成であれば、陽極が弁作用を有するため、高性能な固体電解コンデンサとな る。
[0034] 請求項 11に記載の発明は、請求項 1記載の発明において、
前記固体電解質層が、ポリチォフェン系導電性高分子、ポリフラン系導電性高分子
、ポリピロール系導電性高分子、ポリア-リン系導電性高分子又は TCNQ錯塩で構 成されて!/ヽることを特徴とする。
[0035] この構成であれば、固体電解質の導電性が高くなるために、 ESR特性 (等価直列 抵抗特性)が向上する。したがって、高性能な固体電解コンデンサとなる。 (その他の構成)
〔陽極について〕
陽極を構成する物質としては、弁作用を有する金属であればよい。弁作用を有する 金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル及びニオブが挙げられる。陽極の表面 は、電解研磨処理、化学研磨処理等により粗面化させることが好ましい。この場合、 実効的な表面積が増加するために、コンデンサ容量が増加する力もである。また、陽 極の表面には陽極酸化等の化成処理を行う。
〔陰極について〕
陰極は、その表面が電解研磨処理、化学研磨処理等により粗面化されていることが 好ましい。この場合、実効的な表面積が増加し、また、粗面化したことによるアンカー 効果により、陰極と中間層との密着性が向上する。これによつて、陰極に対する硬質 皮膜の剥離を間接的に抑制できるからである。
〔硬質皮膜について〕
硬質皮膜は、アルミニウム (A1)とチタン (Ti)を必須とする金属成分と、窒素 (N)、 炭素 (C)、ほう素 (B)及び酸素 (O)から選択される 1種類以上の非金属成分との化 合物からなり、硬度が高いことが好ましい。更に好ましくは、硬質皮膜を構成する物質 1S アルミニウムとチタンの窒化物、炭化物、炭窒化物、ホウ化物、窒炭化物、炭窒酸 化物の場合である。更に好ましくは、硬質皮膜を構成する物質が、窒化アルミニウム チタンの場合である。なお、硬質皮膜を構成する化合物には、金属成分として、アル ミニゥム及びチタン以外の金属元素が含まれていてもよい。また、非金属成分として、 窒素 (N)、炭素、ほう素及び酸素以外の非金属元素が含まれていてもよい。
硬質皮膜の形成方法として、真空蒸着法、 PVD法、 CVD法等を適用できる。 PVD 法として、例えば、イオンプレーティング法及びスパッタリング法が挙げられる。また、 CVD法としては、例えば、熱 CVD法、プラズマ CVD法、光 CVD法、レーザー CVD 法が挙げられる。耐摩耗性および耐熱性を高めるべくアルミニウム原子比の高!、硬 質皮膜を形成するには、 PVD法で形成することが好ましい。また、生産性の観点カゝら も、 PVD法で硬質皮膜を形成すれば、生産性を向上させることができるために好まし い。更に好ましくは、 PVD法として AIP (アークイオンプレーティング)法や反応性ス パッタリング法を採用する場合である。
〔中間層について〕
製造過程における卷回時の応力を緩和するためには、中間層の膜厚は、 0. l ^ m 以上であることが好ましいが、 0. 3 m以上であることが更に好ましい。一方、中間層 の膜厚が厚すぎると、コンデンサ素子の卷回時に中間層に亀裂が生じ易くなつて長 寿命化が図れなくなる。したがって、中間層の膜厚は 20 m以下であることが好まし ぐ更に好ましくは 10 m以下の場合である。
[0037] 中間層の形成においては、硬質皮膜の場合と同様の形成方法を用いることができ る。中間層が積層膜である場合には、膜材料、膜材料の供給量、製膜温度、製膜速 度等の製膜条件を変化させて各膜を順次に積層する。また、中間層が物質変化膜 である場合には、製膜条件を時間的に変化させて連続的に膜構成元素の堆積を行
〔固体電解質層について〕
固体電解質としては、ポリチォフェン系導電性高分子、ポリフラン系導電性高分子、 ポリピロール系導電性高分子、ポリア-リン系導電性高分子、 TCNQ錯塩が好ましい 力 本発明はこれらのものに限定されるものではない。
発明の効果
[0038] 本発明によれば、陰極を構成するアルミニウム箔に対する硬質皮膜の密着性が向 上することにより硬質皮膜の剥離が抑制され、その結果、コンデンサ素子の漏れ電流 の増加を抑制できる。また、従来の固体電解コンデンサよりも大容量化、低 LC化、耐 熱化を向上させることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0039] 以下、本発明の詳細を説明するが、本発明は以下の最良の形態に何ら限定される ものではなぐその要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能 なものである。
[0040] 図 1は、本発明の固体電解コンデサにおけるコンデンサ素子の一例を示す模式的 な斜視図であり、図 2は、本発明の固体電解コンデサの一例を示す模式的な断面図 である。図 3は、陰極側構造体の一例を示す模式的な断面図である。なお、図 1には 、卷回されたコンデンサ素子の内部積層構造を明示するために、終端部の卷回を解 いた状態が示されている。以下において、図 4及び図 5を参照して本発明の固体電 解コンデンサについて説明する。
[0041] 本形態の固体電解コンデンサは、図 2に示されたように、アルミニウムケース 9と、ァ ルミ-ゥムケース 9の内部に配置されたコンデンサ素子 1と、コンデンサ素子 1をアルミ -ゥムケース 9の内部に封止する封止用ゴムパッキング 10と、アルミニウムケースに 固定され、封止用ゴムパッキング 10の上方を覆う座板 11と、コンデンサ素子 1の陽極 用リードタブ端子 6a及び陰極用リードタブ端子 6bにそれぞれ接続され、座板を貫通 して表面に露出した陽極端子 12a及び陰極端子 12bとを備える。
[0042] コンデンサ素子 1は、図 1に示されたように、セパレータ 4aと、陽極 2と、セパレータ 4 bと、陰極側積層体 13とを備える。セパレータ 4bと陽極 2との間及びセパレータ 4bと 陰極側積層体 13との間には、固体電解質層(図示せず)が形成されている。コンデ ンサ素子 1は卷回されており、巻き止めテープ 5で固定されている。陰極側積層体 13 は、図 1及び図 3に示されたように、陰極 3と、陰極 3の表面に形成された中間層 18と 、中間層 18の表面に形成された硬質皮膜 28とを備える。また、陽極 2には、陽極用リ ードタブ端子 6aが接続され、陽極用リードタブ端子 6bには、陽極用リード線 6bが接 続されている。一方、陰極 3には、陰極用リードタブ端子 6bが接続され、陰極用リード タブ端子 6bには、陰極用リード線 7bが接続されている。なお、陽極用リード線 7aの 先端部及び陰極用リード線 7bの先端部が、それぞれ、図 2における陽極端子 12a及 び陰極端子 12bである。
[0043] 本形態の固体電解コンデンサは、以下の過程を経て作製される。アルミニウム箔に エッチング処理 (電解研磨処理)及び化成処理を行って陽極 2を作製する。陽極 2を 作製した後に、陽極 2に陽極用リードタブ 6aを接続する。また、エッチング処理 (電解 研磨処理)を行っていない平滑なアルミニウム箔(陰極) 3の表面に、 AIP法を適用し て、図 3に示されたように、膜厚 0. 5 /z mの TiN膜(中間層) 18を形成する。更に、 AI P法を適用して、 TiN膜 18の表面に、図 3に示されたように膜厚 1 μ mの T1A1N膜( 硬質皮膜) 28を形成する。その後、平滑なアルミニウム箔 3に陰極用リードタブ端子 6 aを接続する。セパレータ紙 4aと、陽極 2と、セパレータ紙 4bと、 TiAIN膜 28及び Ti N膜 18の形成された陰極 3とを順次に積層した後に、その積層体を円筒状に卷回し てテープ 5で止める。卷回された積層体に切り口化成と 280°Cの熱処理とを行う。熱 処理後に、 60質量0 /0の p—トルエンスルホン酸第二鉄エチルアルコール溶液 (酸ィ匕 剤溶液)に 3, 4—エチレンジォキシチォフェン (モノマー)を混入して調製された調製 液に、卷回された積層体を浸漬する。その後、卷回された積層体を加熱して、 3, 4 エチレンジォキシチォフェンを熱重合させる。これによつて、アルミニウム箔 2とセパレ ータ紙 4bとの間及び TiAIN膜 19とセパレータ紙 4bとの間に固体電解質層としての ポリチォフェン系導電性高分子層(図示せず)が形成される。次に、陽極用リードタブ 端子 6aに陽極用リード線 7aを接続し、陰極用リードタブ端子 6bに陰極用リード線 7a を接続する。
[0044] 次に、図 5に示されたように、コンデンサ素子 1に封止用ゴムパッキング 10を挿入し 、アルミニウムケース 9に収納固定後、アルミニウムケース 9の開口部を横絞りとカール することで封止を行い、エージング処理を行う。その後、コンデンサ素子 1のカール面 にプラスチック製の座板 11を挿入し、コンデンサ素子 1の陽極用リード線 7a及び陰極 用リード線 7bに対してプレス加工'折り曲げ加工を行 、、陽極端子 12a及び陰極端 子 12bを形成する。以上の過程を経て、固体電解コンデンサが完成する。
実施例
[0045] (実施例 1)
上記の発明を実施するための最良の形態で説明した固体電解コンデンサと同様に して、 20個の固体電解コンデンサを作製した。なお、このようにして作製された固体 電解コンデンサを、以下においては、「本発明コンデンサ Al」と称する。本発明コン デンサ A1は、定格電圧が 6. 3Vであり、定格容量が 220 Fであり、外形状が直径 6 . 3mm,高さ 6. Ommの円筒形状である。なお、下述する実施例 2〜4及び比較例 1 〜2において説明する各固体電解コンデンサも、定格電圧、定格容量及び外形状は 本発明コンデンサ A1と同一とした。また、本発明コンデンサ A1に用いられた陰極側 積層体と同一構成の 20個の積層体を別途に作製した。ここで、陰極側積層体とは、 硬質皮膜と中間層と陰極とからなる 3層構造の積層体である。
(実施例 2) 電解研磨処理されたアルミニウム箔を陰極として用いること以外は、上記の実施例
1の場合と同様にして、 20個の固体電解コンデンサを作製した。なお、このようにして 作製した固体電解コンデンサを、以下においては、「本発明コンデンサ A2」と称する 。また、本発明コンデンサ A2における陰極側積層体と同一構成の 20個の積層体を 別途に作製した。
(実施例 3)
電解研磨処理されたアルミニウム箔を陰極として用い、硬質皮膜として膜厚 0. 6 μ mの TiAlN膜を形成し、中間層として膜厚 0. の窒化チタン (TiN)を形成したこ と以外は、上記の実施例 1の場合と同様にして、 20個の固体電解コンデンサを作製 した。なお、このようにして作製した固体電解コンデンサを、以下においては、「本発 明コンデンサ A3」と称する。また、本発明コンデンサ A3における陰極側積層体と同 一構成の 20個の積層体を別途に作製した。
(実施例 4)
電解研磨処理されたアルミニウム箔を陰極として用い、硬質皮膜として膜厚 1 μ m の TiAlN膜を形成し、中間層として膜厚 0. 02 /z mの窒化チタン (TiN)を形成したこ と以外は、上記の実施例 1の場合と同様にして、 20個の固体電解コンデンサを作製 した。なお、このようにして作製した固体電解コンデンサを、以下においては、「本発 明コンデンサ A4」と称する。また、本発明コンデンサ A4における陰極側積層体と同 一構成の 20個の積層体を別途に作製した。
(比較例 1)
上記の実施例 1〜4との比較のために、中間層を形成しないこと以外は、上記の実 施例 1の場合と同様にして、 20個の固体電解コンデンサを作製した。なお、このよう にして作製した固体電解コンデンサを、以下においては、「比較コンデンサ XI」と称 する。また、比較コンデンサ XIにおける陰極側積層体と同一構成の 20個の積層体 を別途に作製した。なお、比較コンデンサ XIにおける陰極側積層体は、本発明コン デンサ A1〜A4とは異なり中間層を有しておらず、硬質皮膜と陰極とからなる 2層構 造の積層体である。
(比較例 2) 上記の実施例 1〜4との比較のために、電解研磨処理されたアルミニウム箔を陰極 として用い、中間層及び硬質皮膜を形成しないこと以外は、上記の実施例 1の場合と 同様にして、 20個の固体電解コンデンサを作製した。なお、このようにして作製した 固体電解コンデンサを、以下においては、「比較コンデンサ X2」と称する。
(実験)
上記の本発明コンデンサ A1〜A4と比較コンデンサ XI及び X2とに対して、以下の 条件下で、電気特性の測定として、実効容量 (Cap)、漏れ電流 (LC)及び容量変化 率(A CZC)の測定を行った。実効容量 (Cap)の測定においては、周波数 120Hz ( ヘルツ)の交流を印加した際のコンデンサ容量を測定した。漏れ電流 (LC)の測定に おいては、定格電圧を印加した後に 60時間放置して、放置後の漏れ電流を測定し た。容量変化率は、初期容量を Ciとし、定格電圧を印加した後の 1000時間経過後 の容量を Cfとして、(Cf— Ci) ZCiX 100で求められる百分率(%)である。なお、容 量変化率の測定においては、コンデンサの温度を 105°Cに保った状態で行った。
[0046] また、本発明コンデンサ A1〜A4及び比較コンデンサ XIにおける陰極側積層体と 同一構造の陰極側積層体に対して、耐剥離特性の測定として、スクラッチテスト臨界 荷重の測定を行った。「スクラッチテスト臨界負荷」とは、図 4に示すように、陰極側積 層体 13に楔形のダイヤモンド刃 14を押し当てて一定速度(2mmZsec)で引く操作 ( スクラッチテスト)を、荷重を変化させて行った際に、被膜が剥離する最小荷重を意味 する。
[0047] 測定した結果は、まとめて表 2に示す。なお、表 2にお 、て、各電気特性値は、上記 の本発明コンデンサ A1〜A4と比較コンデンサ XI及び X2について、各 20個のコン デンサの平均値が示されている。同様に、対剥離特性についても、各 20個の陰極側 積層体に対する平均値が示されて ヽる。
[0048] [表 1] 質膜陰極皮硬チテ卜クラのススツ
O
電解処臨 /理研磨 CM O
(膜厚界荷)重N
LO 卜 o j
cc 00
明本発ンコ
デサ Aン 1 本明ンコ
ϋ 00デサン A 2 I
\ ^ Ω o
a 卜 CC
U S
f 1 N丄 1
\
1本発明ンコ/ 90I U W,
デサ Aン 3
υ < cc LO LO
o
木発明ンコ
デサン A 4
Ο LO t
CO IT} 較デ比ンコ o
! M サ Xン 1
Ί較デ比ンコ
サ X 2ン
< <
I
0 C E
z 2: ¾ 2 a
m
スクラッチテストによる臨界負荷の結果力もわ力るように、本発明コンデンサ Α1〜Α が中間層を有さな 、比較コンデンサ XIよりも陰極に対する硬質皮膜の密着性を向 上できた。また、 LC測定の結果力もわ力るように、漏れ電流を大幅に低減できた。
[0050] また、本発明コンデンサ A2と本発明コンデンサ A4とを比較すれば、中間層の膜厚 に応じて漏れ電流が変化することがわかり、中間層の膜厚が 0. 02 /z mであれば、製 造過程における卷回時の応力を中間層で十分に緩和できないことがわかる。したが つて、中間層の膜厚は、 0. 1 m以上であることが好ましい。
[0051] 上記の実施例においては、硬質皮膜を構成する物質が T1A1Nであり、中間層を構 成する物質が TiNである場合について説明した力 その他の物質を用いても同様の 効果を得ることができる。
[0052] 上記の実施例では、固体電解質層がポリチォフェン系導電性高分子である場合に ついて説明したが、ポリフラン系、ポリピロール系、ポリア二リン系などの他の導電性 高分子を用いても同様の効果を得ることができる。
[0053] 上記の実施例では、陽極がアルミニウム箔である場合について説明した力 タンタ ル、ニオブなどの弁作用を有する金属箔を用いても同様の効果を得ることができる。
[0054] 上記の実施例の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲 に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の 各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々 の変形が可能であることは勿論である。
産業上の利用可能性
[0055] 本発明は、例えば携帯電話、ノートパソコン、 PDA等の電子機器のプリント配線基 板における表面実装用電子部品等として用いることができる。
図面の簡単な説明
[0056] [図 1]本発明の固体電解コンデサにおけるコンデンサ素子の一例を模式的に示す斜 視図。
[図 2]本発明の固体電解コンデサの一例を模式的に示す断面図。
[図 3]本発明の固体電解コンデンサにおける陰極側構造体の一例を表す模式的な断 面図。
[図 4]スクラッチテストを説明するための説明図。
[図 5]従来の固体電解コンデサにおけるコンデンサ素子を模式的に示す斜視図。 符号の説明
1 本発明のコンデンサ素子
2 アルミニウム箔(陽極)
3 アルミニウム箔 (陰極)
4a セノ レータ
4b セノ レータ
5 卷き止めテープ
6a 陽極用リードタブ端子
6b 陽極用リードタブ端子
7a 陰極用リード線
7b 陽極用リード線
8 硬質皮膜
9 アルミニウムケース
10 封止用ゴムパッキング
11 座板
12a 陽極端子
12b 陰極端子
13 陰極構造体
14 ダイヤモンド刃
18 TiN膜(中間層)
28 TiAlN膜 (硬質皮膜)

Claims

請求の範囲
[1] 陽極と、前記陽極に対向して配置され、アルミニウムで構成された陰極と、前記陰 極の表面に形成された硬質皮膜と、前記硬質皮膜と前記陽極との間に設けられたセ パレータと、前記セパレータと前記陽極との間及び前記セパレータと前記硬質皮膜と の間に形成された固体電解質層とを備える卷回されたコンデンサ素子を含む固体電 解コンデンサであって、
前記陰極と前記硬質皮膜との間に形成された中間層を更に備え、前記硬質皮膜が 、アルミニウム及びチタンと少なくとも 1種類の非金属元素との化合物で構成され、前 記中間層力 アルミニウム及びチタンよりなる群力 選択される少なくとも 1種類の元 素を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。
[2] 前記中間層が、 1種類の物質からなる単層膜であり、前記中間層の硬度が、前記硬 質皮膜の硬度よりも小さ 、、請求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
[3] 前記中間層が、互いに異なる物質で構成された複数の膜からなる積層膜であり、前 記複数の膜の各々が、前記硬質皮膜の硬度よりも小さい、請求項 1に記載の固体電 解コンデンサ。
[4] 前記複数の膜の各々の硬度が、前記陰極の硬度を超えて大きぐ前記硬質皮膜の 硬度未満であり、前記複数の膜が、前記陰極側から前記硬質皮膜側に向かって硬 度的に昇順に傾斜させて積層されている、請求項 3に記載の固体電解コンデンサ。
[5] 前記硬質皮膜を構成する前記化合物が、炭素、窒素、ホウ素及び酸素からなる群 より選択される少なくとも 1種類の非金属元素を含有する、請求項 1に記載の固体電 解コンデンサ。
[6] 前記中間層が、アルミニウム、チタン、又は、アルミニウム及びチタンよりなる群から 選択される少なくとも 1種類の金属元素と炭素、窒素、ホウ素及び酸素からなる群より 選択される少なくとも 1種類の非金属元素との化合物で構成されている、請求項 1に 記載の固体電解コンデンサ。
[7] 前記中間層が、前記硬質皮膜を構成する複数種類の元素のうち一部の種類の元 素のみで構成されて 、る、請求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
[8] 前記硬質皮膜を構成する前記化合物が、窒化アルミニウムチタンである、請求項 5 に記載の固体電解コンデンサ。
[9] 前記中間層を構成する前記物質が、窒化チタンである、請求項 8に記載の固体電 解コンデンサ。
[10] 前記陽極が、アルミニウム、タンタル及びニオブよりなる群力 選択される 1種の元 素で構成されて ヽる、請求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
[11] 前記固体電解質層が、ポリチォフェン系導電性高分子、ポリフラン系導電性高分子 、ポリピロール系導電性高分子、ポリア-リン系導電性高分子又は TCNQ錯塩で構 成されて!/、る請求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
PCT/JP2006/323752 2005-12-09 2006-11-29 固体電解コンデンサ WO2007066545A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006800458850A CN101326600B (zh) 2005-12-09 2006-11-29 固体电解电容器
US12/096,688 US7885054B2 (en) 2005-12-09 2006-11-29 Solid electrolytic capacitor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005355731A JP4716862B2 (ja) 2005-12-09 2005-12-09 固体電解コンデンサ
JP2005-355731 2005-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007066545A1 true WO2007066545A1 (ja) 2007-06-14

Family

ID=38122693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/323752 WO2007066545A1 (ja) 2005-12-09 2006-11-29 固体電解コンデンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7885054B2 (ja)
JP (1) JP4716862B2 (ja)
CN (1) CN101326600B (ja)
TW (1) TWI312522B (ja)
WO (1) WO2007066545A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2209130A2 (de) * 2007-11-12 2010-07-21 Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostyu 'VOSTOK' Mehrschichtige anode

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5810292B2 (ja) 2010-02-15 2015-11-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 電解コンデンサ
CN107872926A (zh) * 2017-10-27 2018-04-03 温州市洞头立德电子有限公司 一种带有发光功能的电路板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299181A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ
JP2005109275A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0833352A4 (en) * 1996-04-26 2005-07-20 Nippon Chemicon SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE
TW388043B (en) * 1997-04-15 2000-04-21 Sanyo Electric Co Solid electrolyte capacitor
US6208503B1 (en) * 1997-06-06 2001-03-27 Nippon Chemi-Con Corporation Solid electrolytic capacitor and process for producing the same
KR100647181B1 (ko) * 1998-09-30 2006-11-17 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 고체 전해 컨덴서와 그 제조 방법
KR100670167B1 (ko) * 2002-06-18 2007-01-16 티디케이가부시기가이샤 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
JP4201623B2 (ja) * 2002-11-19 2008-12-24 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US6872616B2 (en) * 2002-11-29 2005-03-29 Honda Motor Co., Ltd. Manufacturing method of polarizing property electrode for electrical double layer capacitor, and manufacturing method of electrode sheet for electrical double layer capacitor
JP2004265951A (ja) * 2003-02-25 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP2005183564A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US7106575B2 (en) * 2004-08-26 2006-09-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299181A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ
JP2005109275A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2209130A2 (de) * 2007-11-12 2010-07-21 Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostyu 'VOSTOK' Mehrschichtige anode
EP2209130A4 (de) * 2007-11-12 2013-12-04 C K Group Ltd Mehrschichtige anode

Also Published As

Publication number Publication date
US20090290291A1 (en) 2009-11-26
JP2007165353A (ja) 2007-06-28
TW200723327A (en) 2007-06-16
US7885054B2 (en) 2011-02-08
TWI312522B (en) 2009-07-21
CN101326600B (zh) 2011-09-14
CN101326600A (zh) 2008-12-17
JP4716862B2 (ja) 2011-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8644006B2 (en) Composite cathode foils and solid electrolytic capacitors comprising the same
CN101752091B (zh) 复合阴极箔及包含此阴极箔的固态电解电容器
TWI230955B (en) Solid electrolytic capacitor
WO2013080486A1 (ja) コンデンサ
WO2006073014A1 (ja) 電解コンデンサ及びその製造方法
US20060061940A1 (en) Solid electrolytic capacitor and manufacturing method of the same
WO2007066545A1 (ja) 固体電解コンデンサ
US6816357B2 (en) Solid electrolytic capacitor and a fabrication method therefor
US20120075773A1 (en) Solid electrolytic capacitor
WO2004077465A1 (ja) 固体電解コンデンサ
JP3252800B2 (ja) 積層型コンデンサおよびその製造方法
JP5094598B2 (ja) キャパシタ
JP5104008B2 (ja) 電解コンデンサ
JP2012142321A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
CN100521012C (zh) 固体电解电容器
JP7392379B2 (ja) 固体電解コンデンサ
WO2024143218A1 (ja) 電解コンデンサ
JP2009135431A (ja) 積層形固体電解コンデンサ
JP4557766B2 (ja) 固体電解コンデンサおよび該固体電解コンデンサの製造方法
JP2007019542A (ja) 固体電解コンデンサ用陰極電極箔
JP4442286B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2011192949A (ja) 積層型導電性高分子コンデンサ
JP2005109277A (ja) 固体電解コンデンサ
JP2005109275A (ja) 固体電解コンデンサ
JP2007019543A (ja) 固体電解コンデンサ用陰極電極箔

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680045885.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12096688

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06833556

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1