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WO2005048448A1 - 高周波増幅器 - Google Patents

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Info

Publication number
WO2005048448A1
WO2005048448A1 PCT/JP2004/016864 JP2004016864W WO2005048448A1 WO 2005048448 A1 WO2005048448 A1 WO 2005048448A1 JP 2004016864 W JP2004016864 W JP 2004016864W WO 2005048448 A1 WO2005048448 A1 WO 2005048448A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
frequency
impedance
signal
frequency band
branching
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/016864
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuaki Kunihiro
Original Assignee
Nec Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Corporation filed Critical Nec Corporation
Priority to JP2005515460A priority Critical patent/JP4867346B2/ja
Priority to US10/579,040 priority patent/US7362171B2/en
Priority to CN2004800403717A priority patent/CN1902816B/zh
Publication of WO2005048448A1 publication Critical patent/WO2005048448A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/417A switch coupled in the output circuit of an amplifier being controlled by a circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency amplifier, and more particularly, to a high-frequency amplifier that can amplify input signals in a plurality of different frequency bands.
  • Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-97946 discloses a switch circuit 5 shown in FIG. 2 and a first band shown in FIG. Because it branches at the pass file 61 and the second band pass file 62 In addition, there is a problem that the influence of the loss in the switch circuit 5, the first band-pass file 61, and the second band-pass file 62 increases.
  • the RF signals in three or more frequency bands are particularly used. If the number of RF signals to be branched increases,
  • the problem to be solved by the present invention is that if one amplifier amplifies RF signals in a plurality of frequency bands and branches the RF signals in each frequency band, the loss increases. In addition, the characteristic of the amplifier is greatly degraded due to the loss.
  • the high-frequency amplifier according to the present invention includes: a first amplifying unit that amplifies a signal including a plurality of input different frequency bands;
  • a plurality of first branching means for branching a signal of the highest frequency band from among the amplified signals of the plurality of frequency bands and a signal including other frequency bands,
  • a plurality of first impedance converting means for converting the branched signal of the highest frequency band into a load impedance of an output terminal
  • the branching according to the height of the frequency band and the conversion to the load impedance are performed in order of the highest, the lowest frequency band power, and the frequency band.
  • second amplification means for amplifying the input signal including a plurality of different frequency bands
  • a plurality of second branching means for branching a signal of the highest frequency band from among the input signals of the plurality of frequency bands and a signal including other frequency bands,
  • a plurality of second impedance converting means for converting the branched signal of the highest frequency band into a signal source impedance of an input terminal
  • the branching according to the height of the frequency band and the conversion to the signal source impedance are performed in order of the highest, the lowest frequency band power, and the frequency band.
  • a high-frequency amplifier includes: a second amplifying unit that amplifies an input signal including a plurality of different frequency bands; A plurality of second branching means for branching a signal in the highest frequency band among the amplified signals in the plurality of frequency bands and a signal including the other frequency bands;
  • a plurality of second impedance converting means for converting the branched signal of the highest frequency band into a signal source impedance of an input terminal
  • the branching according to the height of the frequency band and the conversion to the signal source impedance are performed in order of the highest frequency, the lowest frequency band power, and the frequency band.
  • the number of the plurality of different frequency bands may be three or more.
  • first amplifying means and the second amplifying means are cascaded, and the first branching means and the first impedance are provided between the first amplifying means and the second amplifying means. Conversion means are provided.
  • first amplifying means and the second amplifying means are cascaded, and the second branching means and the second impedance are provided between the first amplifying means and the second amplifying means. Conversion means are provided, if at all.
  • At least one auxiliary amplifier may be provided between the first branching means and an output terminal.
  • At least one auxiliary amplifier may be provided between the second branching means and an input terminal.
  • the first impedance conversion means may commonly convert signals in at least two or more frequency bands into high impedance.
  • the second impedance conversion means may commonly convert at least two or more frequency bands into high impedance signals.
  • an auxiliary impedance conversion circuit may be provided between the first branching means and an output terminal.
  • An auxiliary impedance conversion circuit may be provided between the second branching means and an input terminal.
  • the first branching means may include a high-pass filter and a low-pass filter.
  • the second branching unit may include a high-pass filter and a low-pass filter.
  • At least one of the low-pass filters is a high-frequency filter branched by a pair of high-pass filters.
  • the configuration may be such that the impedance is selectively increased for signals in the frequency band.
  • At least one of the high-pass filters may be configured to be selectively grounded to a signal in the highest frequency band among signals branched by the pair of low-pass filters.
  • the first branching means may be constituted by a switch using a field effect transistor.
  • the second branching means may be constituted by a switch using a field effect transistor.
  • the first branching means may be configured by a switch using a PIN diode.
  • the second branching means may be constituted by a switch using a PIN diode.
  • a switch is provided between the output terminal corresponding to the frequency band and the ground, and when a signal in a certain frequency band is amplified and transmitted to the output terminal load side, other signals are output. At least one of the output terminals corresponding to the frequency band may have a grounding means grounded by a switch.
  • the grounding means may be constituted by a switch using a field effect transistor.
  • the grounding means may be constituted by a switch using a PIN diode.
  • the signals in the plurality of different frequency bands include a first frequency band and a signal in a second frequency band included in a range 1.5 to 2.5 times the first frequency band
  • amplification is performed.
  • the output terminal of the second frequency band may be grounded by the grounding means when the signal of the first frequency band transmitted to the output terminal force load side.
  • the output terminal corresponding to the frequency band is provided with a switch between the output terminal and the ground via a transmission line having the same characteristic impedance as the load impedance.
  • the switch is on and connected to ground, the first Even if the output terminal force is determined such that the impedance viewed from the load side becomes a short-circuit condition in the frequency band.
  • the high-frequency amplifier of the present invention is configured such that branching according to the height of the frequency band and conversion to the load impedance are performed in the highest frequency, the lowest frequency band power, and the lowest frequency band. Even if a signal including a plurality of frequency bands amplified by an amplifier is branched, each signal can be converted into a desired impedance, and the effect of signal loss can be reduced.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a conventional high-frequency amplifier.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating another example of a conventional high-frequency amplifier.
  • FIG. 3 is a diagram showing another example of a conventional high-frequency amplifier.
  • FIG. 4 is a diagram showing Embodiment 1 of a high-frequency amplifier according to the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing Embodiment 2 of a high-frequency amplifier according to the present invention.
  • FIG. 6 is a Smith chart for explaining impedances at points A, B, and C in FIG.
  • FIG. 7 is a Smith chart for explaining impedances at points A, B, D, and E in FIG.
  • FIG. 8 is a Smith chart for explaining impedances at points A, B, D, and F in FIG.
  • FIG. 9 is a diagram showing a third embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier in FIG. 5 is changed.
  • FIG. 10 is a diagram showing reflection characteristics at point C in FIG. 9 and transmission characteristics from point A to point C.
  • FIG. 11 is a diagram showing reflection characteristics at point E in FIG. 9 and transmission characteristics from point A to point E.
  • FIG. 12 is a diagram showing the reflection characteristics at point F and the passing characteristics to point F of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing a fourth embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier in FIG. 4 is changed.
  • FIG. 14 is a diagram showing a fifth embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier in FIG. 9 is changed.
  • FIG. 15 is a Smith chart for explaining the impedance when viewing the load side from point A in FIG. 9
  • FIG. 16 is a Smith chart for explaining the impedance when the load side is viewed from point A in FIG. 14.
  • FIG. 17 is a diagram showing output power characteristics for describing a secondary effect of the fifth embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram showing a sixth embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier in FIG. 14 is changed.
  • FIG. 19 is a diagram showing Embodiment 7 in which the configuration of FIG. 5 is changed.
  • FIG. 20 is a diagram showing an eighth embodiment in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • FIG. 21 is a diagram showing Embodiment 9 in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • FIG. 22 is a diagram showing a tenth embodiment in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • an RF signal including n different frequencies (fl> f2>...> Fm>...> Fn) amplified by one amplifier is higher than the output impedance of the amplifier.
  • the signal is converted into impedance and split into an RF signal with the highest frequency fl and an RF signal with a lower frequency, and the output impedance of the amplifier for the RF signal with a frequency lower than fl If the RF signal is converted into a higher impedance and the power is the highest, the RF signal of the frequency f2 and the RF signal containing the lower frequency are divided into two, the conversion to the high impedance and the branching according to the frequency are performed. Is performed up to the lowest frequency fn to amplify RF signals in multiple frequency bands.
  • FIG. 4 is a diagram showing a first embodiment of the high-frequency amplifier according to the present invention.
  • the high-frequency amplifier includes an amplifier impedance matching circuit 2, impedance conversion circuits 21, 22, 23,..., An auxiliary impedance conversion circuit 7n, and high-pass filters 31, 32, 33,... And low-pass filters 41, 42, 43,.
  • the impedance matching circuit 2 outputs n different frequencies (fl
  • the amplifier 1 as the first amplifying means outputs n different frequencies (fl>f2>...>Fm>...,> Fn) whose impedance has been matched by the impedance matching circuit 2. Amplify the included RF signal.
  • the impedance conversion circuit 21 converts the RF signal including n different frequencies (fl> f 2>...>Fm>...> Fn) amplified by the amplifier 1 from the output impedance of the amplifier 1 Higher than the load impedance (for example, 50 ohms) converts to impedance.
  • the impedance conversion circuit 22 converts an RF signal including a frequency lower than the frequency fl branched by the low-pass filter 41 into a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms).
  • the impedance conversion circuit 23 converts an RF signal having a frequency lower than the frequency f2 branched by the low-pass filter 42 into high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms).
  • FIG. 4 shows the configuration of up to three sets of the impedance conversion circuits 21-23 and the low-pass filters 41-43. It is configured in multiple stages, and the RF signal of a frequency lower than the frequency branched by the previous low-pass filter is converted into high impedance by an impedance conversion circuit.
  • the auxiliary impedance conversion circuit 7n converts the RF signal of the lowest frequency fn branched by the low-pass filter, not shown in the preceding stage, into a load impedance (for example, 50 ohms).
  • the impedance conversion circuits 21, 22, 23,... And the auxiliary impedance conversion circuit 7n constitute a first impedance conversion means.
  • the high-pass filter 31 passes the frequency fl converted by the impedance conversion circuit 21 to a higher impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) than the output impedance of the amplifier 1. At this time, if the impedance for the frequency fl is still lower than the load impedance, the impedance is further converted by the high-pass filter 31 to match the load impedance.
  • the high-pass filter 32 passes the frequency f2 converted to a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 22. At this time, if the impedance for f2 is still lower than the load impedance, the high-pass filter 32 performs further impedance conversion to match the load impedance.
  • the high-pass filter 33 has a high impedance ( ⁇ Pass the frequency f3, which is converted to a impedance (for example, 50 ohms). At this time, if the impedance for the frequency f 3 is still lower than the load impedance, the impedance is further converted by the high-pass filter 33 to match the load impedance.
  • the low-pass filter 41 passes an RF signal including a frequency lower than the frequency fl converted to a higher impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) than the output impedance of the amplifier 1 by the impedance conversion circuit 21.
  • the low-pass filter 42 passes an RF signal including a frequency lower than the frequency f2 converted to a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 22.
  • the low-pass filter 43 passes an RF signal including a frequency lower than the frequency f3 converted to a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 23.
  • the RF signal including n different frequencies (fl> f2>...> Fm>...> Fn) amplified by one amplifier 1 is After converting to an ⁇ impedance ( ⁇ load impedance: 50 ohms) higher than the output impedance, the signal is branched into an RF signal with the highest frequency fl and an RF signal with a lower frequency, and lower than the frequency fl
  • the RF signal including the frequency convert to an impedance higher than the output impedance of the amplifier 1 ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms), and then include the RF signal with the highest frequency f2 and the lower frequency, including the frequency
  • the RF signal in a plurality of frequency bands is amplified by performing the conversion to high impedance and branching according to the height of the frequency up to the lowest frequency fn. For each frequency branched La, for example, and to perform matching the impedance to
  • the impedance for matching is assumed to be 50 ohms! /, But this is merely an example, and it goes without saying that other values higher than the output impedance of amplifier 1 may be used.
  • the impedance conversion circuits 21, 22, 23,... Are provided before the filters 31, 32, 33,... And the low-pass filters 41, 42, 43,. Circuits 21, 22, 23, ... may be provided on the output side of high-pass filters 31, 32, 33, ... Further, another auxiliary impedance conversion circuit may be added to the output side of the high-pass filters 31, 32, 33,.
  • an impedance conversion circuit 21, 22, 23,..., And an auxiliary impedance conversion circuit 7n are provided in front of the high-frequency filter 31, 32, 33,... And the low-frequency filter 41, 42, 43,.
  • the impedance conversion circuits 22, 23,... Other than the impedance conversion circuit 21 and the auxiliary impedance conversion circuit 7n may be omitted.
  • the RF signal is converted to an impedance matching circuit.
  • the impedance is matched over a wide band in 2
  • the signal is amplified by the amplifier 1.
  • the RF signal amplified by the amplifier 1 is converted by the impedance conversion circuit 21 into a higher impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) than the output impedance of the amplifier 1, and the RF signal having the highest frequency fl is converted to a higher frequency.
  • the signal is output after passing through a bandpass filter 31.
  • the high-pass filter 31 further converts the impedance to match the load impedance. Further, an RF signal including a frequency lower than the frequency fl passes through the low-pass filter 41, and is converted into a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 22.
  • ⁇ load impedance for example, 50 ohms
  • the highest frequency f 2 converted to a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 22 is output through the high-pass filter 32.
  • the high-pass filter 32 further converts the impedance to match the load impedance.
  • an RF signal including a frequency lower than the frequency f2 passes through the low-pass filter 42, and is converted into a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 23.
  • the highest frequency f3 converted to a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by the impedance conversion circuit 23 is output through the high-pass filter 33.
  • the impedance is further converted by the high-pass filter 33 to match the load impedance.
  • the RF signal including a frequency lower than the frequency f3 passes through the low-pass filter 43, the RF signal is converted into a high impedance ( ⁇ load impedance: for example, 50 ohms) by an impedance conversion circuit (not shown) at a subsequent stage.
  • the impedance conversion circuits 21, 22, 23,..., 2 ⁇ are finolators composed of an inductor (L) and a capacitance (C), and each frequency is converted from low impedance to high impedance.
  • the impedance is a function of frequency, and for a given LC circuit, the higher the frequency, the higher the impedance conversion ratio.
  • the impedance ZA when looking at the side of the amplifier 1 from point ⁇ in Fig. 4 is a function of the frequency, and the frequencies fl, f2, ..., fn (fl> f2> ---,> ⁇ > > ⁇ ), ZA (fl)> ZA (f2)>...> ZA (fm)...> ⁇ ( ⁇ ).
  • the loss caused by passing through the impedance conversion circuits 21, 22, ..., 2n, the high-pass filters 31, 32, ... 3 ⁇ , and the low-pass filters 41, 42 Larger high-frequency RF signals have fewer stages of impedance conversion circuits 21, 22, 23, 2 ', high-pass filters 31, 32, 3 ⁇ , and low-pass filters 41, 42, 4' This is advantageous for reducing RF signal loss.
  • a resonance circuit that selectively increases the impedance with respect to the m-th frequency fm is introduced into the m-th low-pass filter 4m, and the resonance circuit is introduced into the m-th high-pass filter 3m.
  • Configuration to introduce a resonant circuit that selectively grounds to the m + 1st frequency fm + 1 It is good. In this case, the RF signal of each frequency band can be reliably separated, and signal leakage of another frequency to another terminal is eliminated.
  • the RF signal including n different frequencies (fl> f2>...> Fm>...> Fn) amplified by one amplifier 1
  • the RF signal is split into the RF signal with the highest frequency fl and the RF signal with a lower frequency, and the RF signal with a frequency lower than the frequency fl
  • the conversion to high impedance and the frequency The branch according to the height of the signal is performed to the lowest frequency fn, and impedance matching is individually performed for each of the branched frequencies, so that a plurality of frequency bands amplified by one amplifier 1 can be used. Included signals can be split and amplified efficiently with minimal loss.
  • a signal including a plurality of frequency bands amplified by one amplifier 1 can be extracted with minimum loss. As a result, it is necessary to provide a dedicated amplifier for each RF signal frequency band. The problem that the mounting area and the cost of the amplifier due to the increase in the number of components of the amplifier, etc., which can be increased, is solved.
  • the RF signal passes through impedance conversion circuits 21, 22, 23, and high-pass filters 31, 32, 33, and low-pass filters 41, 42, 43.
  • the effect of loss due to ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ can be reduced, and as a result, the performance of the amplifier 1 can be improved.
  • the configuration is such that conversion to high impedance and branching according to the frequency height are performed up to the lowest frequency fn, it can be applied to various applications in which the number of frequency bands that can be amplified is not limited. .
  • FIG. 5 is a diagram showing Embodiment 2 of the high-frequency amplifier of the present invention
  • FIGS. 6 to 8 are Smith charts for explaining the impedance at points A to F in FIG.
  • FIG. 5 shows an example of the configuration of the output side of the amplifier 1 in FIG. 4, and for example, a 1 ⁇ signal including three frequencies fl, f2, £ 3 1> £ 2> £ 3) is output.
  • an impedance conversion circuit 21, high-pass filters 31 and 32, and low-pass filters 41 and 42 are provided for matching to 50 ohms.
  • the frequency f1 5.2 GHz
  • the frequency f2 2.4 GHz
  • the frequency f3 1.8 GHz.
  • the frequency fl passes through the high-pass filter 31. Passed and impedance matched to 50 ohms and output.
  • the frequencies f2 and f3 pass through the low-pass filter 41, the frequency f2 passes through the high-pass filter 32 and is impedance-matched to 50 ohms and output.
  • the frequency f3 passes through the low-pass filter 42 and is impedance-matched to 50 ohms and output.
  • FIG. 6 shows the trajectories at points A, B, and C in FIG. 5
  • FIG. 7 shows the trajectories at points A, B, D, and E in FIG. 5
  • FIG. The trajectories of points A, B, D, and F are shown.
  • the output impedance of the amplifier 1 used for a mobile phone, a wireless LAN, or the like is usually several ohms or less.
  • the impedance for the frequency fl at point B in FIG. 5 is converted to several tens of ohms (point B in FIG. 6).
  • the impedance for the frequency fl is converted to 50 ohms (point C in FIG. 6).
  • the high-pass filter 31 is designed so as to pass only the frequency fl and not to pass the frequencies f2 and f3.
  • the low-pass filter 41 is designed to cut off the frequency fl and pass the frequency f2 and the frequency f3. Therefore, the RF signal including the frequency f2 and the frequency f3 at the point B in FIG. 5 is branched by the high-pass filter 32 and the low-pass filter 42, respectively.
  • the impedance at the point B for the frequency f2 is several ohms lower than the impedance for the frequency fl.
  • the RF signal including the frequency f2 and the frequency f3 is converted to several tens of ohms through the low-pass filter 41 (point D in FIG. 7). Converted to ohms (point E in Figure 7).
  • the high-pass filter 32 is designed to pass only the frequency f 2 and not pass the frequency f 3, and the RF signal of the frequency f 3 is branched to the low-pass filter 42 at a point D.
  • the impedance for the frequency f3 at the point D is more than ten ohms (point D in FIG. 8), and is converted to 50 ohms through the low-pass filter 42 (point F in FIG. 8).
  • the impedance conversion circuit 21 in order to match an RF signal including, for example, three frequencies fl, f2, and f3 to, for example, 50 ohms, the impedance conversion circuit 21, the high-pass filters 31, 3 2 , Low-pass filters 41 and 42.
  • the impedance at each point is centered in the Smith chart by branching and matching RF signals at multiple frequencies in order from the highest frequency. It increases monotonically toward 50 ohms for each frequency band most efficiently.
  • the impedance conversion circuits 22 and 23 in FIG. 4 are omitted, but this indicates that it may not be used depending on conditions.
  • FIG. 9 is a diagram showing a third embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier of FIG. 5 is changed, and FIGS. 10 to 12 are diagrams for explaining pass characteristics at points A to F in FIG.
  • the point B force is an impedance force looking at the branched circuit side.
  • the impedance force becomes extremely large with respect to the frequency f 1, and the RF signal of the frequency fl reaches the point C in FIG. of
  • the output terminal power can be output efficiently with the RF signal.
  • the impedance force when looking at the circuit branched after point D becomes extremely large with respect to frequency f2, and the RF signal at frequency f2 reaches point E in Fig. 7.
  • the RF signal can also be output efficiently at the output terminal.
  • each frequency can be reliably separated.
  • an LC series resonance circuit 31a is provided in the high-pass filter 31, and its resonance frequency ( ⁇ 1/2 ⁇ LC) is set so as to be near the frequency f2.
  • an LC series resonance circuit 32a is provided in the high-pass filter 32, and its resonance frequency (1 / 2 ⁇ LC) is set to be near the frequency f3.
  • each frequency can be reliably ensured.
  • Such a configuration includes, for example, GSM (Global System for Mobile Communication) using the 900MHz band of a mobile phone, DCS (Digital Cellular System) using the 1.8GHz band, and 2.4GHz band of a wireless LAN. It is effective for the IEEE802.11 lbZg standard system used and the IEEE802.11la standard system using the 5 GHz band.
  • GSM Global System for Mobile Communication
  • DCS Digital Cellular System
  • FIG. 11 shows the reflection characteristic at point E and the passing characteristic to point E in FIG.
  • FIG. 12 shows the reflection characteristic at point F in FIG. 9 and the passing characteristic to point F at point A in FIG.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a fourth embodiment in which the configuration of the high-frequency amplifier in FIG. 4 is changed.
  • ground switches 81, 82, 83,... are provided at the output terminals corresponding to each frequency in FIG.
  • the grounding switch 81 is turned on when a signal other than the frequency fl is amplified and the output terminal force is also transmitted to the load side.
  • the output terminal power of unnecessary wave power fl such as signal and its harmonics is also prevented from leaking to the load side.
  • the ground switch 81 is turned off when the high frequency amplifier amplifies the signal of the frequency fl and transmits the signal from the output terminal of fl to the load side.
  • the grounding switch 82 is turned on when a signal other than the frequency f2 is amplified and the output terminal force is also transmitted to the load side. Output terminal force of unnecessary wave power f2 of signals other than 2 and its harmonics Prevent leakage to the load side. Conversely, when the high frequency amplifier amplifies the signal at frequency f2 and transmits the signal from the output terminal of f2 to the load, the ground switch 82 is turned off.
  • the ground switch 83 is turned on when a signal other than the frequency f3 is amplified and the output terminal force is also transmitted to the load side. Unnecessary wave power f3 of the signal and its harmonics Output terminal force Prevents leakage to the load side. Conversely, when the high frequency amplifier amplifies the signal of frequency f3 and transmits the signal from the output terminal of f3 to the load, the ground switch 83 is turned off.
  • the fourth embodiment by grounding the output terminal corresponding to the frequency that is not amplified by a switch, it is possible to prevent unnecessary waves such as other frequency bands and their harmonics from leaking to the load side. Control to prevent adverse effects on the system.
  • the results are shown in FIGS. 2 and 3. Compared to the conventional configuration shown, the effect of removing unnecessary waves leaking to unused output terminals is significantly improved, and the operation of the system is stabilized.
  • the switch 5 is required to have both characteristics of the high isolation to make the switch 5 technically very difficult.
  • the ground switch only needs to ground an unnecessary wave, so that the loss is reduced. Since only isolation that does not matter even if it is large is important, there is also the advantage that the performance required for the switch is low and it is technically feasible!
  • a control signal for turning on and off the grounding switch can receive, for example, a baseband force.
  • This switch may use a field effect transistor or a PIN diode.
  • FIG. 14 is a diagram showing a fifth embodiment in which the embodiment of the high-frequency amplifier of FIG. 9 is changed.
  • FIGS. 15 and 16 show amplification by a combination of ON and OFF of the ground switches 81, 82, and 83 of FIG. End A Force A diagram to explain how the impedance ZA seen from the load side changes.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the secondary effect.
  • the ground switch 81 is connected to the output terminal corresponding to the frequency f2
  • the ground switch 82 is connected to the output terminal corresponding to the frequency f3
  • the ground switch is connected to the output terminal corresponding to the frequency fl in FIG. Set 83! /
  • switch 81 When the frequency fl is amplified and the output terminal force is also transmitting a signal to the load side, switch 81 is turned off, and switches 82 and 83 are turned on and grounded.
  • Such configurations include GSM using the 900MHz band of mobile phones, DCS using the 1.8GHz band, and IEEE802.11 lbZg standard system using the 2.4GHz band of wireless LAN and 5GHz band. It is effective for IEEE802.1 la standard system using
  • FIG. 14 is a Smith chart showing the impedance at the point A of FIG. 14 when all of the switches 82 and 83 are turned off (that is, the same state as in FIG. 9) as viewed from the load side.
  • a Smith chart showing the impedance ZL looking at the load side from point A in Fig. 14 when the 8 GHz output terminal is grounded.
  • FIG. 15 (7.8 + j l. 4) ⁇
  • the impedance of the second harmonic of the frequency of the signal to be amplified is Under the condition of a short circuit, the output voltage amplitude waveform approaches an ideal sine wave, and the extra power consumption in the amplifier 1 is suppressed, thereby improving the efficiency.
  • FIG. 17 shows the case where all of the switches 81, 82 and 83 in FIG. 15 are turned off (filled) and the case where the switches 81 and 83 in FIG. 16 are turned on and grounded (open).
  • the output power characteristics at f2 2.4 GHz corresponding to.
  • the maximum efficiency is 41.7%, and the power is improved by more than 5% to 47.2%.
  • the configuration shown in FIG. 14 can be expected to have an effect of preventing unnecessary waves from leaking to unused output terminals, and a secondary effect of improving the efficiency of the amplifier.
  • a signal including a plurality of frequency bands includes a frequency fk equivalent to (1.5.2.5) times the m-th frequency fm, the frequency fm
  • the impedance for the harmonic that is twice the frequency fm becomes close to the short-circuit condition. It has the side effect of improving efficiency.
  • Combinations of applications that can expect such effects include IEEE802.11a (4.9-9.5.8 GHz) against IEEE802.11 lb / g (2.4 GHz) of wireless LAN, and GSM (880-880).
  • a combination of DCS (1.71 to 1.78 GHz), PCS (1.85 to 1.91 GHz), and WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access: 1.92 to 1.98 GHz) for 915 MHz is conceivable.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating a sixth embodiment in which the embodiment of the high-frequency amplifier in FIG. 14 is changed.
  • the output terminal C of the frequency band fl is connected via the transmission line 91 having the characteristic impedance Z0 equal to the load impedance of the system (for example, 50 ohms) and the length corresponding to the phase rotation ⁇ 1.
  • a ground switch 81 is provided. At this time, the phase rotation amount ⁇ 1 is adjusted so that when the ground switch 81 is turned on, the impedance ZL viewed from the output A of the amplifier to the load side is short-circuited in the frequency band f1. You.
  • the output terminal E of the frequency band f2 is connected to the load impedance of the system (for example, 50 A ground switch 82 is provided via a transmission line 92 having a length equivalent to the characteristic impedance ZO and the phase rotation ⁇ 2 which is the same as that of the ohm).
  • the phase rotation amount ⁇ 2 is adjusted so that when the ground switch 82 is turned on, the impedance ZL from the output A of the amplifier to the load side is short-circuited in the frequency band f2.
  • the output terminal F of the frequency band f3 is connected to the ground switch 83 via the transmission line 92 having a characteristic impedance ZO equal to the load impedance of the system (for example, 50 ohms) and a phase rotation ⁇ 3. Is provided.
  • the phase rotation amount ⁇ 3 is adjusted such that when the ground switch 83 is turned on, the impedance ZL viewed from the output A of the amplifier to the load side is short-circuited in the frequency band f3.
  • FIG. 19 is a diagram showing a seventh embodiment in which the configuration of FIG. 5 is changed.
  • the separation of the frequency fl-f3 is performed by a combination of the low-pass filters 41 and 42 and the high-pass filters 31 and 32. In the seventh embodiment, this is configured by an active switch. RU
  • field effect transistors 51, 52, and 53 are used as active switches in the preceding stage of the auxiliary impedance conversion circuits 71, 72, and 73.
  • Vgl of the field effect transistor 51 when amplifying the frequency fl, Vgl of the field effect transistor 51 is turned on, and Vg2 of the field effect transistor 52 and Vg3 of the field effect transistor 53 are turned off.
  • Vg2 of the field effect transistor 52 is turned on, and Vgl of the field effect transistor 51 and Vg3 of the field effect transistor 53 are turned off.
  • Vg3 of the field effect transistor 53 is turned on, and Vg1 of the field effect transistor 51 and Vg2 of the field effect transistor 52 are turned off.
  • the auxiliary impedance conversion circuits 71 and 52 are connected between the field effect transistors 51, 52 and 53 and the output terminal. 72 and 73 are provided.
  • the field effect transistors 51, 52, and 53 are used as active switches before the auxiliary impedance conversion circuits 71, 72, and 73. As described above, conversion to high impedance and branching according to the frequency can be performed.
  • 53 may be PIN diodes.
  • FIG. 20 is a diagram showing Embodiment 8 in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • impedance conversion circuits 21, 22, 23,... An auxiliary impedance conversion circuit 7n, high-pass filters 31, 32, 33,. are provided, but Embodiment 8 shows a case where these are also provided on the input side of the amplifier 1.
  • the impedance conversion circuits 21, 22, 23,... Provided on the input side of the amplifier 1 constitute second impedance conversion means, and the high-pass filters 31, 32 provided on the input side of the amplifier 1 are provided.
  • 33, ..., low-pass filters 41, 42, 43, ... constitute a second branching means.
  • the impedance conversion circuits 21, 2, 2, 23,..., The auxiliary impedance conversion circuit 7n, and the high-pass filters 31, 32, 33,. , And low-pass filters 41, 42, 43, are provided, so that conversion to high impedance and branching and impedance matching according to the frequency height can be performed in the same manner as above. .
  • FIG. 21 is a diagram showing Embodiment 9 in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • the ninth embodiment shows a case where three different frequencies fl, f2, f3 (fl>f2> f3) are input, and the input side of the impedance matching circuit 2 Amplifiers 1, 1 1, impedance matching circuit 2, impedance conversion circuits 21, 22, high-pass filters 31, 32 , Low-pass filters 41 and 42, and an auxiliary impedance conversion circuit 73.
  • the amplifier 1 constitutes a second amplifier.
  • an example in which such a configuration is effective is a combination of a wireless LAN and a mobile phone.
  • the frequencies fl, f2, and f3 are used in the wireless LAN IEEE 802.11a standard. l. 8GHz band.
  • the gain per amplifier is lower at higher frequencies, so it is necessary to increase the number of amplification stages.
  • the amplifiers 1 and 11, the impedance matching circuits 2, the impedance conversion circuits 21 and 22, and the high-pass filters 31 are provided on the input side of the impedance matching circuit 2 as indicated by the dotted lines. , 32, low-pass filters 41 and 42, and auxiliary impedance conversion circuit 73, so that, for example, at 5 GHz, a desired gain can be obtained, and a stable Amplified operation is obtained.
  • the positions and the numbers of the amplifiers 1 and 11 are not limited to this example, and can be appropriately changed by obtaining an optimum gain depending on an application.
  • FIG. 22 is a diagram showing a tenth embodiment in which the configuration of FIG. 4 is changed.
  • the size of the amplifier and the number of stages are changed in accordance with the output power.
  • the amplifier 11, the auxiliary amplifier 13, and the auxiliary amplifier 13 are provided on the output side of the impedance conversion circuit 21. Impedance conversion circuits 71, 72, 73 are incorporated.
  • the respective frequencies fl, f2, f3 are converted to 50 ohms through the auxiliary impedance conversion circuits 71, 72, 73 and output to the respective output terminals.
  • the frequency f3 is further amplified by the auxiliary amplifier 13.
  • An example where such a configuration is effective is a combination of a wireless LAN and a mobile phone.
  • the frequencies fl and f2 are wireless LAN signals of the IEEE802.11laZbZg standard
  • the frequency f3 is a mobile phone signal of the GSM standard.
  • the output power required for the amplifier 11 is about 0.3 watts, whereas the output power required for the amplifier 11 in a GSM standard mobile phone is about 10 times that 2 to 3 watts. If both are to be amplified by the same amplifier 11, the efficiency of the amplifier 11 when outputting a small power is reduced.
  • the size of the auxiliary amplifier 13 is optimal for each application. Is selected, and high efficiency can be obtained for each of the frequencies fl, f2, and f3.
  • the size of the amplifier and the number of stages are changed according to the output power, so that the optimum size of the auxiliary amplifier 13 is selected in each application.
  • high efficiency can be obtained for each of the frequencies fl, f2, f3.
  • the position and number of the auxiliary amplifiers 13 are not limited to this example, and can be appropriately changed depending on the application so as to obtain the optimum output power.
  • the input side thereof in addition to the output side of the amplifier 1, the input side thereof also includes the impedance conversion circuits 21, 22, 23,...,
  • the auxiliary impedance conversion circuits 73 and 7 n, Filters 31, 32, 33, and low-pass filters 41, 42, 43, and so on have been described.However, the present invention is not limited to these examples.
  • a configuration may be adopted in which an RF signal containing multiple frequencies (fl>f2> ⁇ >fm> ⁇ ⁇ ⁇ > fn) is amplified by the amplifier 1 and then extracted from a single output terminal.

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Abstract

 簡易な構成で、効率的に複数の異なる周波数域の入力信号を増幅することができる高周波増幅器を提供することを目的とし、その構成は、増幅器に入力されたn個の周波数(f1> f2、、、> fn )を含むRF信号を、インピーダンス変換回路で増幅器の出力インピーダンスよりも高いインピーダンスに変換し、高域フィルタと低域フィルタで最も高い周波数f1 とそれよりも低い周波数に分岐する。周波数f1は高域フィルタ31を通過することによって、50オームに変換される。低域フィルタで分波された周波数f1よりも低い周波数は、インピーダンス変換回路で高インピーダンスに変換し、高域フィルタ32と低域フィルタ42で2番目に高い周波数f2とそれよりも低い周波数に分岐される。同じ要領で、fnまで分岐しながら、インピーダンス変換回路を付加し、各周波数毎に50オームにインピーダンス整合をとる。

Description

明 細 書
高周波増幅器
技術分野
[0001] 本発明は、高周波増幅器に関し、複数の異なる周波数帯域の入力信号を増幅する ことができる高周波増幅器に関する。
背景技術
[0002] 近年、携帯電話や無線ローカルエリアネットワーク (LAN)システムにおいて、一台 の端末機で複数の周波数帯域の RF信号を扱 、た 、と 、う要求がある。このような用 途に用いる高周波 (RF)増幅器として、従来はたとえば図 1に示すようにそれぞれの R F信号の周波数帯域 fl, f2, · · · , fn毎に専用の増幅器 11, 12, · · · , Inとインピー ダンス変換回路 21, 22, · · · , 2nとを並設するのが一般的であった。
[0003] 図 1に示した構成では、周波数帯域毎に専用の増幅器 11, 12, · · · , Inを並設し て 、るため、それぞれ異なる周波数帯域の RF信号の増加に伴 、専用の増幅器 11 , 12, · · · , Inの部品数等が増えてしまい、増幅器全体の実装面積やコストが増加す るという問題がある。
[0004] 上記のような問題を解消するものとして、たとえば特開平 11— 97946号公報に開示 されるように、一つの増幅器で 2つの周波数帯域の RF信号を増幅する技術がある。 該公報に開示される技術は、図 1と共通する部分に同一符号を付して説明すると、図 2に示すように、インピーダンス整合回路 2とインピーダンス変換回路 21, 22との間の 増幅器 1の出力をスィッチ回路 5で切り分けて 2つの周波数帯域の RF信号の増幅を 実現したり、図 3に示すように、第 1の帯域通過ファイル 61と第 2の帯域通過ファイル 6 2とで切り分けて 2つの周波数帯域の RF信号の増幅を実現したりするものである。 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 特開平 11— 97946号公報に開示されるものは、インピーダンスの低い増幅器 1の 出力端でそれぞれ異なる周波数帯域の RF信号を図 2に示すスィッチ回路 5や図 3に 示す第 1の帯域通過ファイル 61及び第 2の帯域通過ファイル 62で分岐しているため 、スィッチ回路 5や第 1の帯域通過ファイル 61及び第 2の帯域通過ファイル 62での損 失による影響が大きくなつてしまうという問題がある。
[0006] ちなみに、スィッチ回路 5や第 1の帯域通過ファイル 61及び第 2の帯域通過フアイ ル 62でそれぞれの周波数帯域の RF信号を分岐させるものでは、特に 3つ以上の周 波数帯域の RF信号を分岐させようとすると、分岐すべき RF信号の複数が増えるほど
、損失が増大してしまう傾向がある。
[0007] 本発明が解決しょうとする問題点は、一つの増幅器で複数の周波数帯域の RF信 号を増幅し、それぞれの周波数帯域の RF信号を分岐させようとすると、損失が増大 してしまい、その損失による増幅器の特性劣化が大きくなつてしまう点である。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明の高周波増幅器は、入力された複数の異なる周波数帯域を含む信号を増 幅する第 1の増幅手段と、
前記増幅された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 1の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を出力端子の負荷インピーダンスに変 換する複数の第 1のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記負荷インピーダンスへの変換とが、最も 高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われることを特徴とする。
[0009] この場合、入力された複数の異なる周波数帯域を含む信号を増幅する第 2の増幅 手段と、
前記入力された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 2の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を入力端子の信号源インピーダンスに 変換する複数の第 2のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記信号源インピーダンスへの変換とが、 最も高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われることとしてもょ 、。
[0010] 本発明の他の形態による高周波増幅器は、入力された複数の異なる周波数帯域を 含む信号を増幅する第 2の増幅手段と、 前記増幅された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 2の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を入力端子の信号源インピーダンスに 変換する複数の第 2のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記信号源インピーダンスへの変換とが、 最も高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われることを特徴とする。
[0011] この場合、前記複数の異なる周波数帯域の数は、 3以上であるとしてもょ 、。
[0012] また、前記第 1の増幅手段及び第 2の増幅手段はカスケード接続され、前記第 1の 増幅手段と第 2の増幅手段との間に、前記第 1の分岐手段及び第 1のインピーダンス 変換手段が設けられて 、ることとしてもょ 、。
[0013] また、前記第 1の増幅手段及び第 2の増幅手段はカスケード接続され、前記第 1の 増幅手段と第 2の増幅手段との間に、前記第 2の分岐手段及び第 2のインピーダンス 変換手段が設けられて 、るとしてもょ 、。
[0014] また、前記第 1の分岐手段と出力端子との間に、少なくとも一つの補助増幅器が設 けられているとしてもよい。
[0015] また、前記第 2の分岐手段と入力端子との間に、少なくとも一つの補助増幅器が設 けられているとしてもよい。
[0016] また、前記第 1のインピーダンス変換手段は、少なくとも 2つ以上の周波数帯域の信 号に対して共通に高インピーダンスへの変換を行うとしてもよ 、。
[0017] また、前記第 2のインピーダンス変換手段は、少なくとも 2つ以上の周波数帯域の信 号に対して共通に高インピーダンスへの変換を行うとしてもよ 、。
[0018] また、前記第 1の分岐手段と出力端子との間に、補助インピーダンス変換回路が設 けられているとしてもよい。
[0019] また、前記第 2の分岐手段と入力端子との間に、補助インピーダンス変換回路が設 けられているとしてもよい。
[0020] また、前記第 1の分岐手段は、高域フィルタと低域フィルタとからなるとしてもよい。
[0021] また、前記第 2の分岐手段は、高域フィルタと低域フィルタとからなるとしてもよい。
[0022] また、前記低域フィルタの少なくとも一つは、対となる高域フィルタで分岐した高!ヽ 周波数帯域の信号に対して、選択的にインピーダンスを高くする構成とされていると してちよい。
[0023] また、前記高域フィルタの少なくとも一つは、対となる低域フィルタで分岐した信号 の中で最も高い周波数域の信号に対し選択的に接地する構成とされているとしても よい。
[0024] また、前記第 1の分岐手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されて いるとしてちよい。
[0025] また、前記第 2の分岐手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されて いるとしてちよい。
[0026] また、前記第 1の分岐手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて 、ると してちよい。
[0027] また、前記第 2の分岐手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて 、ると してちよい。
[0028] また、前記周波数帯域に対応した出力端子とグランドの間にスィッチが設けられて おり、ある周波数帯域の信号が増幅され、出力端子力 負荷側に伝達されているとき は、それ以外の周波数帯域に対応する出力端子のうち少なくともひとつは、スィッチ によって接地する接地手段を有するとしてもよ 、。
[0029] また、前記接地手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されて 、ると してちよい。
[0030] また、前記接地手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて ヽるとしても よい。
[0031] また、前記複数の異なる周波数帯域の信号が、第 1の周波数帯と第 1の周波数帯 の 1.5乃至 2.5倍の範囲に含まれる第 2の周波数帯の信号を含んでいるとき、増幅され た前記第 1の周波数帯の信号が出力端子力 負荷側に伝達されているときは、前記 第 2の周波数帯の出力端子を前記接地手段で接地するとしてもよい。
[0032] また、前記周波数帯域に対応した出力端子は、負荷インピーダンスと同じ特性イン ピーダンスを持つ伝送線路を介してグランドとの間にスィッチが設けられており、該伝 送線路の長さは、スィッチがオンしてグランドに接続されているとき、第 1の増幅手段 の出力端力も負荷側をみたインピーダンスが、該周波数帯域において短絡条件にな るように決められるとしてもよ 、。
発明の効果
[0033] 本発明の高周波増幅器は、周波数帯域の高さに応じた分岐と負荷インピーダンス への変換とが、最も高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われるように したので、一つの増幅器で増幅された複数の周波数帯域を含む信号を分岐しても、 それぞれの信号を目的のインピーダンスに変換することができ、さらに信号の損失に よる影響を/ Jヽさくすることができる。
図面の簡単な説明
[0034] [図 1]従来の高周波増幅器の一例を示す図である。
[図 2]従来の高周波増幅器の他の例を示す図である。
[図 3]従来の高周波増幅器の他の例を示す図である。
[図 4]本発明の高周波増幅器の実施形態 1を示す図である。
[図 5]本発明の高周波増幅器の実施形態 2を示す図である。
[図 6]図 5の A点、 B点、 C点におけるインピーダンスを説明するためのスミス図表であ る。
[図 7]図 5の A点、 B点、 D点、 E点におけるインピーダンスを説明するためのスミス図 表である。
[図 8]図 5の A点、 B点、 D点、 F点におけるインピーダンスを説明するためのスミス図 表である。
[図 9]図 5の高周波増幅器の構成を変えた場合の実施形態 3を示す図である。
[図 10]図 9の C点における反射特性と A点から C点への通過特性とを示す図である。
[図 11]図 9の E点における反射特性と A点から E点への通過特性とを示す図である。
[図 12]図 9の F点における反射特性と A点力も F点への通過特性とを示す図である。
[図 13]図 4の高周波増幅器の構成を変えた場合の実施形態 4を示す図である。
[図 14]図 9の高周波増幅器の構成を変えた場合の実施形態 5を示す図である。
[図 15]図 9の A点から負荷側を見たインピーダンスを説明するためのスミス図表である [図 16]図 14の A点から負荷側を見たインピーダンスを説明するためのスミス図表であ る。
[図 17]実施形態 5の副次的な効果を説明するための出力電力特性を示す図である。
[図 18]図 14の高周波増幅器の構成を変えた場合の実施形態 6を示す図である。
[図 19]図 5の構成を変えた場合の実施形態 7を示す図である。
[図 20]図 4の構成を変えた場合の実施形態 8を示す図である。
[図 21]図 4の構成を変えた場合の実施形態 9を示す図である。
[図 22]図 4の構成を変えた場合の実施形態 10を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0035] 本発明は、一つの増幅器によって増幅された n個の異なる周波数 (fl >f2 > · · · > fm > · · · >fn)を含む RF信号に対し、増幅器の出力インピーダンスよりも高いインピ 一ダンスに変換してカゝら最も高い周波数 flの RF信号とそれよりも低い周波数を含む RF信号とに分岐し、周波数 flよりも低い周波数を含む RF信号に対して増幅器の出 力インピーダンスよりも高いインピーダンスに変換して力も最も高い周波数 f 2の RF信 号とそれよりも低 、周波数を含む RF信号とに分岐すると 、つた高インピーダンスへの 変換と周波数の高さに応じた分岐とを最も低い周波数 fnまで行うことにより、複数の 周波数帯域の RF信号の増幅を行わせるようにしたものである。
[0036] 次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[0037] (実施形態 1)
図 4は、本発明による高周波増幅器の第 1の実施形態を示す図である。
[0038] 図 4に示すように、本実施形態の高周波増幅器は、増幅器 インピーダンス整合 回路 2、インピーダンス変換回路 21 , 22, 23, · · ·、補助インピーダンス変換回路 7n 、高域フィルタ 31 , 32, 33,…、低域フィルタ 41 , 42, 43,…を備えている。
[0039] インピーダンス整合回路 2は、入力端子を介して入力された n個の異なる周波数 (fl
>Ϊ2 > · · · >fm > · · · >fn)を含む RF信号に対してのインピーダンス整合を行う。
[0040] 第 1の増幅手段としての増幅器 1は、インピーダンス整合回路 2でインピーダンス整 合のとられた n個の異なる周波数 (fl >f2 > · · · >fm > · · · , >fn)を含む RF信号に 対しての増幅を行う。 [0041] インピーダンス変換回路 21は、増幅器 1で増幅された n個の異なる周波数 (fl >f 2 > · · · >fm> · · · >fn)を含む RF信号を、増幅器 1の出力インピーダンスよりも高ぐ 負荷インピーダンス (たとえば 50オーム)よりも低 、インピーダンスに変換する。
[0042] インピーダンス変換回路 22は、低域フィルタ 41で分岐された周波数 flよりも低い周 波数を含む RF信号を、高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム )に変換する。
[0043] インピーダンス変換回路 23は、低域フィルタ 42で分岐された周波数 f 2よりも低い周 波数の RF信号を、高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に 変換する。
[0044] インピーダンス変換回路および低域フィルタは組み合わされて使用されるもので、 図 4にはインピーダンス変換回路 21— 23および低域フィルタ 41一 43による 3組まで の構成が示されている力 さらに多段に構成されていて、前段の低域フィルタにより 分岐された周波数よりも低い周波数の RF信号をインピーダンス変換回路で高インピ 一ダンスに変換することが行なわれて 、る。
[0045] 補助インピーダンス変換回路 7nは、前段の図示しな 、低域フィルタで分岐された 最も低い周波数 fnの RF信号を、負荷インピーダンス (たとえば 50オーム)に変換する 。なお、これらインピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·、補助インピーダンス変換回 路 7nは、第 1のインピーダンス変換手段を構成している。
[0046] 高域フィルタ 31は、インピーダンス変換回路 21により増幅器 1の出力インピーダン スよりも高 ヽインピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換された 周波数 flを通す。この際、周波数 flに対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダ ンスより低い場合は、高域フィルタ 31によって、さらにインピーダンス変換がなされ、 負荷インピーダンスに整合する。高域フィルタ 32は、インピーダンス変換回路 22によ り高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換された周波数 f 2を通す。この際、 f 2に対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダンスより低い場 合は、高域フィルタ 32によって、さらにインピーダンス変換がなされ、負荷インピーダ ンスに整合する。
[0047] 高域フィルタ 33は、インピーダンス変換回路 23により高インピーダンス(≤負荷イン ピーダンス:たとえば 50オーム)に変換された周波数 f3を通す。この際、周波数 f 3に 対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダンスより低い場合は、高域フィルタ 33に よって、さらにインピーダンス変換がなされ、負荷インピーダンスに整合する。
[0048] 低域フィルタ 41は、インピーダンス変換回路 21により増幅器 1の出力インピーダン スよりも高 ヽインピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換された 周波数 flより低い周波数を含む RF信号を通す。低域フィルタ 42は、インピーダンス 変換回路 22により高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変 換された周波数 f 2より低い周波数を含む RF信号を通す。低域フィルタ 43は、インピ 一ダンス変換回路 23により高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50ォ ーム)に変換された周波数 f 3より低い周波数を含む RF信号を通す。なお、これら高 域フィルタ 31, 32, 33, · · ·、低域フィルタ 41, 42, 43, · · ·は、第 1の分岐手段を構 成している。
[0049] すなわち、実施形態 1では、一つの増幅器 1によって増幅された n個の異なる周波 数(fl >f2> · · · >fm> · · · >fn)を含む RF信号を、増幅器 1の出力インピーダンス よりも高 ヽインピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換してから 、最も高い周波数 flの RF信号とそれよりも低い周波数を含む RF信号とに分岐し、周 波数 flよりも低い周波数を含む RF信号に対して増幅器 1の出力インピーダンスよりも 高いインピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換してから、最も 高 、周波数 f 2の RF信号とそれよりも低 、周波数を含む RF信号とに分岐すると 、つ た高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた分岐とを最も低い周波数 fnま で行うことにより、複数の周波数帯域の RF信号の増幅を行い、さらに分岐した各周波 数毎に、たとえば 50オームにインピーダンスに整合を行なうこととしている。
[0050] ここで、整合を行なうインピーダンスを 50オームとして!/、るが、これはあくまでも一例 であり、増幅器 1の出力インピーダンスよりも高い他の値としてもよいことは勿論である 。また、フィルタ 31, 32, 33,…及び低域フィルタ 41, 42, 43,…の前段にインピ 一ダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·を設けている力 これに限らず、インピーダンス 変換回路 21, 22, 23, · · ·を高域フィルタ 31, 32, 33, …の出力側に設けてもよい [0051] また、高域フィルタ 31, 32, 33, · · ·の出力側に他の補助インピーダンス変換回路 を追カロしてもよい。また、高域フイノレタ 31, 32, 33, · · ·及び低域フイノレタ 41, 42, 43 , …の前段にインピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·、補助インピーダンス変換 回路 7nを設けている力 回路の条件によってはインピーダンス変換回路 21以外のィ ンピーダンス変換回路 22, 23, …、補助インピーダンス変換回路 7nを省いてもよい
[0052] 次に、上述した構成の高周波増幅器の作用について説明する。
[0053] まず、入力端子を介して n個の異なる周波数 (fl >f2> · · · >fm> · · · >fn)を含 む RF信号が入力されると、その RF信号はインピーダンス整合回路 2で広帯域に亘っ てインピーダンス整合がとられた後、増幅器 1によって増幅される。増幅器 1によって 増幅された RF信号は、インピーダンス変換回路 21により、増幅器 1の出力インピー ダンスよりも高 ヽインピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換さ れ、最も高い周波数 flの RF信号が高域フィルタ 31を通過して出力される。このとき、 flに対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダンスより低い場合は、高域フィルタ 31によって、さらにインピーダンス変換がなされ、負荷インピーダンスに整合する。さ らに、周波数 flより低い周波数を含む RF信号は、低域フィルタ 41を通過した後、ィ ンピーダンス変換回路 22によって高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換される。
[0054] インピーダンス変換回路 22によって高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たと えば 50オーム)に変換された最も高い周波数 f2は高域フィルタ 32を通過して出力さ れる。このとき、 f 2に対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダンスより低い場合は 、高域フィルタ 32によって、さらにインピーダンス変換がなされ、負荷インピーダンス に整合する。さらに、周波数 f 2より低い周波数を含む RF信号は低域フィルタ 42を通 過した後、インピーダンス変換回路 23によって高インピーダンス(≤負荷インピーダ ンス:たとえば 50オーム)に変換される。
[0055] インピーダンス変換回路 23によって高インピーダンス (≤負荷インピーダンス:たと えば 50オーム)に変換された最も高い周波数 f3は高域フィルタ 33を通過して出力さ れる。このとき、 f 3に対するインピーダンスが、まだ負荷インピーダンスより低い場合は 、高域フィルタ 33によって、さらにインピーダンス変換がなされ、負荷インピーダンス に整合する。さらに、周波数 f 3より低い周波数を含む RF信号が低域フィルタ 43を通 過した後、後段の図示しないインピーダンス変換回路によって高インピーダンス(≤ 負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)に変換される。
[0056] そして、このような高インピーダンス(≤負荷インピーダンス:たとえば 50オーム)へ の変換と、周波数の高さに応じた分岐とが最も低い周波数 fnまで順次行われることに より、各周波数毎に 50オームへのインピーダンス整合がとられる。
[0057] ここで、インピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·2ηを、インダクタ(L)と容量(C) で構成されるフイノレタ回路とし、各周波数を低インピーダンスから高インピーダンスに 変換する際、そのインピーダンスは周波数の関数になっており、同じ LC回路に対し ては周波数が高いほどインピーダンスの変換比も高くなる。たとえば、図 4の Α点から 増幅器 1側を見たインピーダンス ZAは周波数の関数になっており、周波数 fl, f2, ·· ·, fn(fl>f2>---, >ίπι>···>ίη)に対して、 ZA(fl) >ZA(f2) > · · · >ZA(fm )···>ΖΑ(ίη)となっている。
[0058] したがって、図 4に示すように、高 、周波数力も順次分岐し、 m番目の周波数 fm (m
=2, 3, ···, n)に対しては、インピーダンス変換回路 21, 22, ···, 2mと低域フィル タ 41, 42, · · -4(m-l)と高域フィルタ 3mとで、徐々に高いインピーダンスに変換し ながら、最終的に各周波数を 50オームに整合させる構成を採用することで、 n個の異 なる周波数 (f 1 >f2> · · · >fm> · · · >fn)を含む RF信号を分岐しても、それぞれ の RF信号が小さ 、損失で取り出される。
[0059] また、インピーダンス変換回路 21, 22, · · ·, 2nや高域フィルタ 31,32,· · ·3η、低 域フィルタ 41, 42, ·'·4ηを通過することによって発生する損失が大きい高周波の R F信号ほどインピーダンス変換回路 21, 22, 23, ·'·2ηや高域フィルタ 31,32,···3 η、低域フィルタ 41, 42, ·'·4ηの通過段数が少ないため、 RF信号の損失低減に有 利である。
[0060] また、 m番目の低域フィルタ 4mの中に、 m番目の周波数 fmに対して選択的にイン ピーダンスが大きくなるような共振回路を導入し、 m番目の高域フィルタ 3mの中に m + 1番目の周波数 fm+ 1に対して選択的に接地するような共振回路を導入する構成 としてもよい。この場合には各周波数帯域の RF信号を確実に分離でき、他端子への 別の周波数の信号漏れがなくなる。
[0061] このように、実施形態 1では、一つの増幅器 1によって増幅された n個の異なる周波 数 (fl >f2> · · · >fm> · · · >fn)を含む RF信号に対し、増幅器 1の出力インピーダ ンスよりも高いインピーダンスに変換してから、最も高い周波数 flの RF信号とそれよ りも低い周波数を含む RF信号とに分岐し、周波数 flよりも低い周波数を含む RF信 号に対して増幅器 1の出力インピーダンスよりも高いインピーダンスに変換してから、 最も高い周波数 f 2の RF信号とそれよりも低い周波数を含む RF信号とに分岐すると V、つた高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた分岐とを最も低 、周波数 f nまで行い、さらに分岐したそれぞれの周波数に対して個別にインピーダンス整合を とるようにしたので、一つの増幅器 1で増幅された複数の周波数帯域を含む信号を最 小の損失で効率良く分岐、増幅することができる。
[0062] また、一つの増幅器 1で増幅された複数の周波数帯域を含む信号を最小の損失で 取り出すことができるので、結果としてそれぞれの RF信号の周波数帯域毎に専用の 増幅器を並設する必要がなぐ増幅器の部品数等が増えてしまうことによる増幅器の 実装面積やコストが増加するといつた問題も解消される。
[0063] また、 RF信号がインピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·や高域フィルタ 31, 32,3 3 · · ·、低域フィルタ 41, 42, 43 · · ·を通過することによって発生する損失が顕著な高 周波の RF信号ほど通過段数が少なくなるため、インピーダンス変換回路 21, 22, 2 3, · · ·や高域フィルタ 31, 32,33 · · ·、低域フィルタ 41, 42, 43 · · ·によるロスの影響 を小さくでき、結果として増幅器 1の性能を向上させることができる。
[0064] また、高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた分岐とを最も低い周波数 f nまで行う構成であるため、増幅できる周波数帯域の数に制限がなぐ様々な応用に 適用可能となる。
[0065] (実施形態 2)
図 5は、本発明の高周波増幅器の実施形態 2を示す図、図 6—図 8は、図 5の各点 A 一 Fにおけるインピーダンスを説明するためのスミス図表である。なお、以下に説明す る図において、図 4と共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。 [0066] 図 5は、図 4の増幅器 1の出力側の構成の一例を示すものであって、たとえば 3つの 周波数 fl, f2, £3 1 >£2>£3)を含む1^信号を、たとえば 50オームに整合するた めに、インピーダンス変換回路 21、高域フィルタ 31, 32、低域フィルタ 41, 42を備え た場合を示している。ここで、たとえば周波数 f 1 = 5. 2GHz、周波数 f2 = 2. 4GHz、 周波数 f 3 = 1. 8GHzとする。
[0067] このような構成では、インピーダンス変換回路 21によって高インピーダンス(≤ 50ォ ーム)に変換された 3つの周波数 fl, f2, f3を含む RF信号のうち、周波数 flは高域 フィルタ 31を通過して 50オームにインピーダンス整合されて出力される。周波数 f2, f3は、低域フィルタ 41を通過すると、周波数 f2が高域フィルタ 32を通過して 50ォー ムにインピーダンス整合されて出力される。また、周波数 f3が低域フィルタ 42を通過 して 50オームにインピーダンス整合されて出力される。
[0068] ここで、周波数 fl, f2, f 3に対するインピーダンスの軌跡を、図 6—図 8のスミス図表 上に示す。図 6は、図 5の A点、 B点、 C点の軌跡を示し、図 7は、図 5の A点、 B点、 D 点、 E点の軌跡を示し、図 8は、図 5の A点、 B点、 D点、 F点の軌跡を示している。
[0069] ちなみに、携帯電話や無線 LAN等に用いられる増幅器 1の出力インピーダンス( 図 5の A点力 増幅器 1側を見たインピーダンス)は、通常、数オーム以下になってい る。これを、 3つの周波数 fl, f2, f3に共通なインピーダンス変換回路 21を通過させ ると、図 5の B点での周波数 flに対するインピーダンスは、数十オームまで変換される (図 6の B点)。さらに、周波数 flを高域フィルタ 31を通過させることにより、周波数 fl に対するインピーダンスは 50オームに変換される(図 6の C点)。
[0070] このとき、高域フィルタ 31は、周波数 flのみを通過させ、周波数 f2及び周波数 f3を 通過させないように設計されている。また、低域フィルタ 41は、周波数 flを遮断し周 波数 f 2及び周波数 f 3を通過させるように設計されている。したがって、図 5の B点での 周波数 f2及び周波数 f3を含む RF信号は、高域フィルタ 32と低域フィルタ 42とでそ れぞれ分岐される。ここで、図 7に示すように、 B点における周波数 f 2に対するインピ 一ダンスは、周波数 flに対するインピーダンスより低ぐ数オームである。
[0071] したがって、周波数 f2及び周波数 f3を含む RF信号は、低域フィルタ 41を通して、 数十オームに変換され(図 7の D点)、さらに周波数 f 2が高域フィルタ 32を通して 50 オームに変換される(図 7の E点)。
[0072] 高域フィルタ 32では、周波数 f 2のみを通過させ、周波数 f 3を通過させな 、よう設計 されており、周波数 f3の RF信号が D点で低域フィルタ 42に分岐される。 D点におけ る周波数 f 3に対するインピーダンスは、十数オーム(図 8の D点)であり、低域フィルタ 42を通して 50オームに変換される(図 8の F点)。
[0073] このように、実施形態 2では、たとえば 3つの周波数 fl, f2, f3を含む RF信号を、た とえば 50オームに整合するために、インピーダンス変換回路 21、高域フィルタ 31, 3 2、低域フィルタ 41, 42を備えた構成としている。図 6—図 8のインピーダンスの軌跡 を見ると分力るように、高い周波数から、順次、複数の周波数の RF信号を分岐し整 合をとることにより、各点におけるインピーダンスはスミス図表の中心に向かって単調 に増加し、各周波数帯域に対して最も効率的に 50オームへの整合をとることができ る。
[0074] また、 RF信号力 Sインピーダンス変換回路 21等を通過する際に発生する損失の影 響が大きい高周波ほど、インピーダンス変換回路 21等の通過段数が少なくされるた め、上述したように、信号の損失による影響を解消することができる。
[0075] なお、実施形態 2では、図 4のインピーダンス変換回路 22, 23が省略されているが 、これは条件によって使用しなくてもよ 、ことを示して 、る。
[0076] (実施形態 3)
図 9は、図 5の高周波増幅器の構成を変えた実施形態 3を示す図、図 10—図 12は、 図 9の各点 A— Fにおける通過特性を説明するための図である。
[0077] 実施形態 3では、図 5の高域フィルタ 31, 32や低域フィルタ 41, 42に特定の周波 数を減衰させるための回路を設けている。すなわち、図 9に示すように、低域フィルタ 41内に、 LC並列共振回路 41aを設け、その共振周波数( 1Z2 π を周波数 flの近傍になるように設定している。同様に、低域フィルタ 42内に、 LC並列共振回 路 42aを設け、その共振周波数 ( = 1/2 π ^LC)を周波数 f 2の近傍になるように設 定している。
[0078] ここで、 B点力 分岐された回路側を見たインピーダンス力 周波数 f 1に対して極め て大きくなり、周波数 flの RF信号は図 6の C点に達するようになるため、周波数 flの RF信号を効率良く出力端子力も出力することができる。また、周波数 f2の出力端子 に周波数 flが混入しないので、システムに悪影響を与えることもない。同様に、 D点 以降に分岐された回路を見たときのインピーダンス力、周波数 f2に対して極めて大き くなり、周波数 f2の RF信号は図 7の E点に達するようになるため、周波数 f2の RF信 号を効率良く出力端子力も出力することができる。
[0079] 一般に、 m番目の低域フィルタ 4mの中に、 m番目の周波数 fmに対してインピーダ ンスが大きくなるような共振回路を導入することにより、各周波数を確実に分離できる
[0080] また、図 9に示すように、高域フィルタ 31内に、 LC直列共振回路 31aを設け、その 共振周波数 (^ 1/2 π LC)を周波数 f 2近傍になるように設定して 、る。同様に、 高域フィルタ 32内に、 LC直列共振回路 32aを設け、その共振周波数( 1/2 π LC)を周波数 f 3近傍になるように設定して 、る。
[0081] ここで、たとえば B点から C点方向に漏れた周波数 f 2, f3の RF信号のほとんどが接 地されるので、 C点に周波数 f 2, f3の RF信号が混入しない。そのため、システムに悪 影響を与えることがなぐ周波数 flの信号を効率良く取り出すことができる。同様に、 たとえば D点から E点方向に漏れた周波数 f3の RF信号のほとんどが接地されるので 、 E点に周波数 f 3の RF信号が混入しない。そのため、システムに悪影響を与えること がなぐ周波数 f 2の信号を効率良く取り出すことができる。
[0082] 一般に、 m番目の高域フィルタ 3mの中に、(m+ 1)番目以降の周波数 f (m+ 1)以 降に対して接地させるような共振回路を導入することにより、各周波数を確実に分離 できる。
[0083] このような構成は、たとえば携帯電話の 900MHz帯を使用する GSM (Global System for Mobile Communication)及び 1. 8GHz帯を使用する DCS (Digital Cellular System)や、無線 LANの 2. 4GHz帯を使用する IEEE802. l lbZg規格 システム及び 5GHz帯を使用する IEEE802. 1 la規格システム等に有効である。
[0084] このような構成では、増幅器 1の出力インピーダンスであるたとえば(5. 0-j l. 8)ォ ームを 50オームに変換した場合、図 10に示すような特性が得られる。すなわち、図 10 は、図 9の C点における反射特性と A点力も C点への通過特性とを示している。図 10 ( a)に示すように、周波数 f 1 = 5. 2GHzでの反射量は最小になり、図 10 (b)に示すよ うに、通過量は最大になっていることが分かる。また、図 10 (a)に示すように、周波数 f 2 = 2. 4GHzでの反射量は最大になり、図 10 (b)に示すように、通過量は最小になつ ていることが分かる。つまり、効率的に周波数 flの RF信号が選択され、図 9の C点に 取り出されることが分かる。
[0085] また、図 11には、図 9の E点における反射特性と A点力 E点への通過特性とを示し ている。図 11 (a)に示すように、周波数 f2 = 2. 4GHzでの反射量は最小になり、図 11 (b)に示すように、通過量は最大になっていることが分かる。また、図 11 (a)に示すよう に、周波数 fl = 5. 2GHzと周波数 f3 = l. 8GHzとでの反射量は最大になり、図 11 ( b)に示すように、通過量は最小になっていることが分かる。つまり、効率的に周波数 f 2の RF信号が選択され、図 9の E点に取り出されることが分かる。
[0086] また、図 12には、図 9の F点における反射特性と A点力 F点への通過特性とを示し ている。図 12 (a)に示すように、周波数 f3 = l. 8GHzでの反射量は最小になり、図 12 (b)に示すように、通過量は最大になっていることが分かる。また、図 12 (a)に示すよう に、周波数 fl = 5. 2GHzと f2 = 2. 4GHzでの反射量は最大になり、図 12 (b)に示 すように、通過量は極小になっていることが分かる。つまり、効率的に周波数 f3の RF 信号が選択され、図 9の F点に取り出されることが分かる。
[0087] (実施形態 4)
図 13は、図 4の高周波増幅器の構成を変えた実施形態 4を示す図である。実施形 態 4では、図 4の各周波数に対応した出力端子に、接地スィッチ 81, 82, 83· ··を設 けている。
[0088] 接地スィッチ 81は、周波数 fl以外の信号が増幅され、出力端子力も負荷側に伝達 されているときオンになり、 flの出力端子とグランド間とを短絡することにより、周波数 f 1以外の信号やその高調波などの不要波力 flの出力端子力も負荷側に洩れるのを 防ぐ。逆に、高周波増幅器が周波数 flの信号を増幅し、 flの出力端子から負荷側に 信号を伝達するときは、接地スィッチ 81はオフになる。
[0089] 接地スィッチ 82は、周波数 f2以外の信号が増幅され、出力端子力も負荷側に伝達 されているときオンになり、 f2の出力端子とグランド間とを短絡することにより、周波数 f 2以外の信号やその高調波などの不要波力 f2の出力端子力 負荷側に洩れるのを 防ぐ。逆に、高周波増幅器が周波数 f2の信号を増幅し、 f2の出力端子から負荷側に 信号を伝達するときは、接地スィッチ 82はオフになる。
[0090] 接地スィッチ 83は、周波数 f3以外の信号が増幅され、出力端子力も負荷側に伝達 されているときオンになり、 f3の出力端子とグランド間とを短絡することにより、周波数 f 3以外の信号やその高調波などの不要波力 f3の出力端子力 負荷側に洩れるのを 防ぐ。逆に、高周波増幅器が周波数 f3の信号を増幅し、 f3の出力端子から負荷側に 信号を伝達するときは、接地スィッチ 83はオフになる。
[0091] すなわち、実施形態 4では、増幅していない周波数に対応する出力端子をスィッチ で接地することにより、他の周波数帯域数号や、その高調波などの不要波が負荷側 に洩れるのを抑制し、システムに悪影響を与えるのを防いでいる。このように、複数の 周波数帯域を含む信号の分岐と負荷インピーダンスへの変換を、最も高 、周波数か ら低い周波数に順に行い、さらに出力端子の接地スィッチを組み合わせることにより 、図 2や図 3に示した従来の構成に比べ、使用していない出力端子に洩れる不要波を 除去する効果が著しく改善し、システムの動作が安定する。
[0092] また、図 2に示した従来例では、増幅して出力すべき信号を減衰させないための低 ロスと、不要波を他方の使用して 、な 、出力端子に洩らさな 、ようにするための高ァ イソレーシヨンの両方の特性がスィッチ 5に要求され、技術的に極めて困難であるの に対し、本発明の構成では、接地スィッチは、不要波を接地すればよいので、ロスは ある程度大きくても問題なぐアイソレーションのみが重要となるので、スィッチに要求 される性能が低く、技術的に実現しやす!、と 、う利点もある。
[0093] ここで、接地スィッチをオン 'オフする制御信号は、例えばベースバンド力 受けるこ とができる。尚、このスィッチは、電界効果トランジスタを用いても、 PINダイオードを 用いてもよい。
[0094] (実施形態 5)
図 14は、図 9の高周波増幅器の実施の形態を変えた実施形態 5を示す図であり、図 15と図 16は、図 14の接地スィッチ 81, 82, 83のオン'オフの組み合わせにより増幅端 A力 負荷側をみたインピーダンス ZAがどのように変化するかを説明するための図で あり、図 17はその副次的な効果を説明するための図である。
[0095] 実施形態 5では、図 9の周波数 flに対応した出力端子に、接地スィッチ 81を周波数 f2に対応した出力端子に、接地スィッチ 82を、周波数 f3に対応した出力端子に、接 地スィッチ 83を設けて!/、る。
[0096] 周波数 flを増幅し、出力端子力も負荷側に信号を伝達しているときは、スィッチ 81 をオフにし、スィッチ 82と 83をオンにし接地する。
[0097] 同様に、周波数 f 2を増幅し、出力端子力 負荷側に信号を伝達しているときは、ス イッチ 82をオフにし、スィッチ 81と 83をオンにし接地する。
[0098] 同様に、周波数 f 3を増幅し、出力端子力 負荷側に信号を伝達しているときは、ス イッチ 83をオフにし、スィッチ 81と 82をオンにし接地する。
[0099] このようにすることにより、信号を負荷側に伝達していない出力端子力 不要な信号 が負荷側に洩れるのを抑制し、システムに悪影響を及ぼすことが無 、。
[0100] このような構成は、携帯電話の 900MHz帯を使用する GSM及び 1. 8GHz帯を使 用する DCSや、無線 LANの 2. 4GHz帯を使用する IEEE802. l lbZg規格システ ム及び 5GHz帯を使用する IEEE802. 1 la規格システム等に有効である。
[0101] 図 15に示したのは、周波数 f2 = 2. 4GHzの信号を増幅しているとき、スィッチ 81、
82、 83をすベてオフにした場合 (すなわち図 9と同じ状態)の図 14の A点力も負荷側 をみたインピーダンスを示すスミス図表である。
[0102] 図 16に示したのは、周波数 f 2 = 2. 4GHzの信号を増幅しているとき、スィッチ 82の みをオフ、スィッチ 81と 83をオンにして、 fl = 5. 2GHzと f3 = l. 8GHzの出力端子 を接地した場合の図 14の A点カゝら負荷側をみたインピーダンス ZLを示すスミス図表 である。
[0103] 両者を比べると、 f2 = 2. 4GHzに対するインピーダンスは(9. 3+j8. 8) Ωと変わら ないが、 f2 = 2. 4GHzの 2倍に相当する 4. 8GHzのインピーダンスを比較すると、図 15では、 (7. 8+j l. 4) Ωなのに対し、図 16では、 (0. 0056+j2. 0) Ωと短絡に近 い条件になっている。これは、 fl = 5. 2GHzをスィッチ 81で接地することによって、 5 . 2GHz近傍の周波数に対するインピーダンスが短絡条件に近くなるためである。一 般に、高周波増幅器では、増幅する信号の周波数の 2倍高調波のインピーダンスが 短絡の条件になると、出力電圧振幅波形が、理想的なサイン波に近づき、増幅器 1 での余分な電力消費が抑えられるので効率が向上する。
[0104] 図 17に示したのは、図 15のスィッチ 81, 82, 83すべてをオフにした場合(塗りつぶ し)と図 16のスィッチ 81と 83をオンにして接地した場合(白抜き)に対応した f2 = 2. 4 GHzの出力電力特性である。スィッチ 81と 83をオンにした場合は、最大効率が 41. 7%力も 47. 2%へと 5%以上向上している。これは、スィッチ 81をオンにして、 fl = 5 . 2GHzの出力端子を接地することによって、図 14の A点からみた f 2 = 2. 4GHzの 2 倍に相当する 4. 8GHzのインピーダンス ZLが短絡条件に近くなつたためである。
[0105] すなわち、図 14に示した構成は、不要波を未使用の出力端子に洩らさないという効 果に加え、増幅器の効率を向上させるという副次的な効果も期待できる。一般に、図 13の形態において、複数の周波数帯域を含む信号の中に、 m番目の周波数 fmの(1 . 5-2. 5)倍に相当する周波数 fkが含まれているときは、周波数 fmを増幅している とき、周波数 fkの出力端子を接地することによって、周波数 fmの 2倍の高調波に対 するインピーダンスが短絡条件に近くなるので、 fmを増幅しているときの高周波増幅 器の効率が向上するという副次的な効果をもたらす。
[0106] このような効果が期待できるアプリケーションの組み合わせには、無線 LANの IEE E802. l lb/g (2. 4GHz)に対する IEEE802. 11a (4. 9—5. 8GHz)や、 GSM ( 880— 915MHz)に対する DCS (1. 71—1. 78GHz) , PCS (1. 85—1. 91GHz) 、 WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access : 1. 92— 1. 98GHz)など の組み合わせが考えられる。
[0107] (実施形態 6)
図 18は、図 14の高周波増幅器の実施の形態を変えた実施形態 6を示す図である。
[0108] 実施形態 6では、周波数帯域 flの出力端子 Cは、システムの負荷インピーダンス ( 例えば 50オーム)と同じ特性インピーダンス Z0、位相回転 θ 1相当の長さを持つ伝 送線路 91を介して、接地スィッチ 81が設けられている。このとき、位相回転量 θ 1は 、接地スィッチ 81をオンにしたときに、増幅器の出力 Aから負荷側をみたインピーダ ンス ZLが、周波数帯域 f 1にお ヽて短絡条件になるように調整される。
[0109] 同様に、周波数帯域 f 2の出力端子 Eは、システムの負荷インピーダンス(例えば 50 オーム)と同じ特性インピーダンス ZOと位相回転 Θ 2相当の長さを持つ伝送線路 92 を介して、接地スィッチ 82が設けられている。このとき、位相回転量 Θ 2は、接地スィ ツチ 82をオンにしたときに、増幅器の出力 Aから負荷側をみたインピーダンス ZLが、 周波数帯域 f2において短絡条件になるように調整される。
[0110] 同様に、周波数帯域 f3の出力端子 Fは、システムの負荷インピーダンス (例えば 50 オーム)と同じ特性インピーダンス ZOと位相回転 Θ 3相当の長さの伝送線路 92を介 して、接地スィッチ 83が設けられている。このとき、位相回転量 Θ 3は、接地スィッチ 8 3をオンにしたときに、増幅器の出力 Aから負荷側をみたインピーダンス ZLが、周波 数帯域 f3において短絡条件になるように調整される。
[0111] このような構成をとることにより、図 15— 14で示した図 14の副次的な効果である 2倍 高調波短絡条件が、より正確に満たされるので、効果が一層顕著になる。
[0112] (実施形態 7)
図 19は、図 5の構成を変えた実施形態 7を示す図である。
[0113] 図 5では、周波数 fl一 f3の分離を低域フィルタ 41, 42と高域フィルタ 31, 32の組 み合わせで行って 、るが、実施形態 7ではこれを能動スィッチで構成して 、る。
[0114] すなわち、図 19に示すように、補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73の前段に 電界効果トランジスタ 51, 52, 53を能動スィッチとして用いている。
[0115] このような構成では、周波数 flを増幅する場合、電界効果トランジスタ 51の Vglを オンにし、電界効果トランジスタ 52の Vg2と電界効果トランジスタ 53の Vg3とをオフに する。周波数 f2を増幅するときは、電界効果トランジスタ 52の Vg2をオンにし、電界 効果トランジスタ 51の Vglと電界効果トランジスタ 53の Vg3とをオフにする。周波数 f 3を増幅するときは、電界効果トランジスタ 53の Vg3をオンにし、電界効果トランジス タ 51の Vg 1と電界効果トランジスタ 52の Vg2とをオフにする。
[0116] ここでは、能動スィッチである電界効果トランジスタ 51, 52, 53にインピーダンスを 変換する機能がないため、各電界効果トランジスタ 51, 52, 53と出力端子との間に 補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73を設けている。
[0117] このように、実施形態 7では、補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73の前段に電 界効果トランジスタ 51, 52, 53を能動スィッチとして用いる構成としたので、上述した ように、高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた分岐とを行うことができる。
[0118] なお、実施形態 7では、補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73の前段に電界効 果トランジスタ 51, 52, 53を能動スィッチとして用いる構成とした場合について説明 した力 電界効果トランジスタ 51, 52, 53を PINダイオードとしてもよい。
[0119] (実施形態 8)
図 20は、図 4の構成を変えた実施形態 8を示す図である。
[0120] 図 4においては、増幅器 1の出力側に、インピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·、 補助インピーダンス変換回路 7n、高域フィルタ 31, 32, 33, · · ·、低域フィルタ 41, 4 2, 43,…を設けているが、実施形態 8ではこれらを増幅器 1の入力側にも設けた場 合を示している。なお、増幅器 1の入力側に設けられたインピーダンス変換回路 21, 22, 23, · · ·は、第 2のインピーダンス変換手段を構成し、増幅器 1の入力側に設け られた高域フィルタ 31, 32, 33,…、低域フィルタ 41, 42, 43,…は第 2の分岐手 段を構成している。
[0121] このような構成では、 n個の異なる周波数 fl, f2, · · · , fn (fl >f2> . " >fn)が、 それぞれの入力端子力 入力されると、増幅器 1の入力側に設けられた各インピーダ ンス変換回路 21, 22, 23, …、補助インピーダンス変換回路 7nによってインピーダ ンス変換された周波数 fl, f2, · · · , fnを含む RF信号が上記同様に、増幅器 1によつ て増幅され、その後、上述したように、高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応 じた分岐とが最も低 、周波数 fnまで行われる。
[0122] このように、実施形態 8では、増幅器 1の入力側に、インピーダンス変換回路 21, 2 2, 23, · · ·、補助インピーダンス変換回路 7n、高域フィルタ 31, 32, 33, · · ·、低域 フィルタ 41, 42, 43, · · ·を設けた構成としたので、上記と同様に、高インピーダンス への変換と周波数の高さに応じた分岐とインピーダンス整合とを行うことができる。
[0123] (実施形態 9)
図 21は、図 4の構成を変えた実施形態 9を示す図である。
[0124] 図 21に示すように、実施形態 9では、異なる 3つの周波数 fl, f2, f3 (fl >f2>f3) が入力される場合を示しており、インピーダンス整合回路 2の入力側に、増幅器 1, 1 1、インピーダンス整合回路 2、インピーダンス変換回路 21, 22、高域フィルタ 31, 32 、低域フィルタ 41, 42、補助インピーダンス変換回路 73を設けている。ここで、増幅 器 1は、第 2の増幅器を構成している。
[0125] このような構成では、周波数 flのみ力インピーダンス整合回路 2によって整合がとら れ、さらに増幅器 11によって増幅された後、インピーダンス変換回路 21にて他の周 波数 f2, f 3と合成されるようになっている。つまり、カスケードに接続された多段の増 幅器 1, 11の段間に高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた分岐とを行う 上述した回路が組み込まれて 、る。
[0126] ここで、このような構成が有効になる例としては、無線 LANと携帯電話との組み合 わせが挙げられる。ここでは、たとえば周波数 fl, f2, f3を無線 LANIEEE802. 11 a規格で使用する周波数 fl = 5GHz帯、 IEEE802. l lbZgで使用する周波数 f2 = 2. 4GHz帯、携帯電話 DCSで使用する周波数 f3 = l. 8GHz帯とする。
[0127] 一般に、高い周波数ほど増幅器 1段あたりの利得が低いので、増幅段を増やす必 要があるが、この例では、周波数 fl = 5GHz帯の無線 LANのみ 3段増幅構成とし、 周波数 f2, f 3に対しては 2段増幅構成となる。
[0128] このように、実施形態 9では、インピーダンス整合回路 2の入力側に、点線で囲んで 示すように、増幅器 1, 11、インピーダンス整合回路 2、インピーダンス変換回路 21, 22、高域フィルタ 31, 32、低域フィルタ 41, 42、補助インピーダンス変換回路 73を 設けた構成としたので、たとえば 5GHzでは、所望の利得が得られるとともに、低い周 波数で不必要に高い利得になることがなぐ安定した増幅動作が得られる。なお、増 幅器 1, 11を設置する位置や数は、この例に限らず、アプリケーションによって最適 な利得が得られるようすることで、適宜変更可能である。
[0129] (実施形態 10)
図 22は、図 4の構成を変えた実施形態 10を示す図である。
[0130] 実施形態 10では、出力パワーに合わせて増幅器の大きさと段数を変えるようにして おり、図 22に示すように、インピーダンス変換回路 21の出力側に増幅器 11、補助増 幅器 13、補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73が組み込まれている。
[0131] このような構成では、異なる 3つの周波数 fl, f2, £3 1 >£2>£3)を含む1^信号 が増幅器 11によって増幅された後、上述したように、高インピーダンスへの変換と周 波数の高さに応じた分岐とが行われる。
[0132] ここで、それぞれの周波数 fl, f2, f3は、補助インピーダンス変換回路 71, 72, 73 を通して 50オームに変換され、それぞれの出力端子力 出力される。ただし、周波数 f 3のみについては補助増幅器 13でさらに増幅している。
[0133] このような、構成が有効になる例としては、無線 LANと携帯電話との組み合わせが 挙げられる。ここでは、周波数 fl, f2を IEEE802. llaZbZg規格の無線 LAN信 号とし、周波数 f3を GSM規格の携帯電話信号とする。
[0134] 前者では、増幅器 11に必要とされる出力パワーは、 0. 3ワット程度であるのに対し 、 GSM規格の携帯電話での増幅器 11に必要とされる出力パワーは、その約 10倍の 2— 3ワットである。両者を同じ増幅器 11で増幅しょうとすると、小さいパワーを出力す る際の増幅器 11の効率が悪くなる。
[0135] そこで、実施形態 10のように、高インピーダンスへの変換と周波数の高さに応じた 分岐とが行われる構成をとることにより、各アプリケーションにおいては最適な補助増 幅器 13の大きさが選択されることになり、それぞれの周波数 fl, f2, f3に対して高い 効率を得ることができる。
[0136] このように、実施形態 10では、出力パワーに合わせて増幅器の大きさと段数を変え るようにしたので、各アプリケーションにおいては最適な補助増幅器 13の大きさが選 択されることになり、それぞれの周波数 fl, f2, f 3に対して高い効率を得ることができ る。なお、補助増幅器 13を設置する位置や数は、この例に限らず、アプリケーション によって最適な出力パワーが得られるように適宜変更可能である。
[0137] なお、実施形態 8, 6では、増幅器 1の出力側に加え、その入力側にも、インピーダ ンス変換回路 21, 22, 23, · · ·、補助インピーダンス変換回路 73, 7n、高域フィルタ 31, 32, 33, · · ·、低域フィルタ 41, 42, 43, · · ·等を設けた構成とした場合につい て説明したが、これらの例に限らず、増幅器 1の入力側にのみ、インピーダンス変換 回路 21, 22, 23,…、補助インピーダンス変換回路 73, 7n、高域フィルタ 31, 32, 33, · · ·、低域フィルタ 41, 42, 43, · · ·等を設け、複数の周波数 (fl >f2> · · · >f m> · · · >fn)を含む RF信号を増幅器 1で増幅した後、単一の出力端子から取り出 すような構成としてもよい。
t989請 OOZdf/ェ:) d SS 8W8 OOZ OAV

Claims

請求の範囲
[1] 入力された複数の異なる周波数帯域を含む信号を増幅する第 1の増幅手段と、 前記増幅された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 1の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を出力端子の負荷インピーダンスに変 換する複数の第 1のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記負荷インピーダンスへの変換とが、最も 高 、周波数帯域力 最も低 、周波数帯域に順に行われることを特徴とする高周波増 幅器。
[2] 入力された複数の異なる周波数帯域を含む信号を増幅する第 2の増幅手段と、 前記入力された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 2の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を入力端子の信号源インピーダンスに 変換する複数の第 2のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記信号源インピーダンスへの変換とが、 最も高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われることを特徴とする請求 項 1に記載の高周波増幅器。
[3] 入力された複数の異なる周波数帯域を含む信号を増幅する第 2の増幅手段と、 前記入力された複数の周波数帯域の信号のうち最も高い周波数帯域の信号とそれ 以外の周波数帯域を含む信号とを分岐する複数の第 2の分岐手段と、
前記分岐された最も高い周波数帯域の信号を入力端子の信号源インピーダンスに 変換する複数の第 2のインピーダンス変換手段とを備え、
前記周波数帯域の高さに応じた分岐と前記信号源インピーダンスへの変換とが、 最も高 、周波数帯域力も最も低 、周波数帯域に順に行われることを特徴とする高周 波増幅器。
[4] 前記複数の異なる周波数帯域の数は、 3以上であることを特徴とする請求項 1乃至 請求項 3の 、ずれか一項に記載の高周波増幅器。
[5] 前記第 1の増幅手段及び第 2の増幅手段はカスケード接続され、前記第 1の増幅 手段と第 2の増幅手段との間に、前記第 1の分岐手段及び第 1のインピーダンス変換 手段が設けられていることを特徴とする請求項 2に記載の高周波増幅器。
[6] 前記第 1の増幅手段及び第 2の増幅手段はカスケード接続され、前記第 1の増幅 手段と第 2の増幅手段との間に、前記第 2の分岐手段及び第 2のインピーダンス変換 手段が設けられていることを特徴とする請求項 2に記載の高周波増幅器。
[7] 前記第 1の分岐手段と出力端子との間に、少なくとも一つの補助増幅器が設けられ ていることを特徴とする請求項 1、請求項 2、請求項 5、請求項 6のいずれか一項に記 載の高周波増幅器。
[8] 前記第 2の分岐手段と入力端子との間に、少なくとも一つの補助増幅器が設けられ ていることを特徴とする請求項 2、請求項 3、請求項 5、請求項 6のいずれか一項に記 載の高周波増幅器。
[9] 前記第 1のインピーダンス変換手段は、少なくとも 2つ以上の周波数帯域の信号に 対して共通に高インピーダンスへの変換を行うことを特徴とする請求項 1、請求項 2、 請求項 5乃至請求項 7のいずれか一項に記載の高周波増幅器。
[10] 前記第 2のインピーダンス変換手段は、少なくとも 2つ以上の周波数帯域の信号に 対して共通に高インピーダンスへの変換を行うことを特徴とする請求項 2、請求項 3、 請求項 5乃至請求項 8のいずれか一項に記載の高周波増幅器。
[11] 前記第 1の分岐手段と出力端子との間に、補助インピーダンス変換回路が設けられ ていることを特徴とする請求項 1、請求項 2、請求項 5乃至請求項 7、請求項 9のいず れか一項に記載の高周波増幅器。
[12] 前記第 2の分岐手段と入力端子との間に、補助インピーダンス変換回路が設けられ ていることを特徴とする請求項 2、請求項 3、請求項 5乃至請求項 8、請求項 10のい ずれか一項に記載の高周波増幅器。
[13] 前記第 1の分岐手段は、高域フィルタと低域フィルタとからなることを特徴とする請 求項 1、請求項 2、請求項 5乃至請求項 7、請求項 9、請求項 11のいずれか一項に記 載の高周波増幅器。
[14] 前記第 2の分岐手段は、高域フィルタと低域フィルタとからなることを特徴とする請 求項 2、請求項 3、請求項 5乃至請求項 8、請求項 10、請求項 12のいずれか一項に 記載の高周波増幅器。
[15] 前記低域フィルタの少なくとも一つは、対となる高域フィルタで分岐した高い周波数 帯域の信号に対して、選択的にインピーダンスを高くする構成とされていることを特徴 とする請求項 13又は請求項 14に記載の高周波増幅器。
[16] 前記高域フィルタの少なくとも一つは、対となる低域フィルタで分岐した信号の中で 最も高い周波数域の信号に対し選択的に接地する構成とされていることを特徴とす る請求項 13又は請求項 14に記載の高周波増幅器。
[17] 前記第 1の分岐手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されているこ とを特徴とする請求項 1、請求項 2、請求項 5乃至請求項 7、請求項 9、請求項 11のい ずれか一項に記載の高周波増幅器。
[18] 前記第 2の分岐手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されているこ とを特徴とする請求項 2、請求項 3、請求項 5乃至請求項 8、請求項 10、請求項 12の
V、ずれか一項に記載の高周波増幅器。
[19] 前記第 1の分岐手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて 、ることを特 徴とする請求項 1、請求項 2、請求項 5乃至請求項 7、請求項 9、請求項 11のいずれ かに記載の高周波増幅器。
[20] 前記第 2の分岐手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて 、ることを特 徴とする請求項 2、請求項 3、請求項 5乃至請求項 8、請求項 10、請求項 12のいず れか一項に記載の高周波増幅器。
[21] 前記周波数帯域に対応した出力端子とグランドの間にスィッチが設けられており、 ある周波数帯域の信号が増幅され、出力端子力 負荷側に伝達されているときは、 それ以外の周波数帯域に対応する出力端子のうち少なくともひとつは、スィッチによ つて接地する接地手段を有することを特徴とする請求項 1、請求項 2、請求項 4乃至 請求項 20の 、ずれか一項に記載の高周波増幅器。
[22] 前記接地手段は、電界効果トランジスタを用いたスィッチで構成されて ヽることを特 徴とする請求項 21に記載の高周波増幅器。
[23] 前記接地手段は、 PINダイオードを用いたスィッチで構成されて ヽることを特徴とす る請求項 21に記載の高周波増幅器。
[24] 前記複数の異なる周波数帯域の信号が、第 1の周波数帯と第 1の周波数帯の 1.5 乃至 2.5倍の範囲に含まれる第 2の周波数帯の信号を含んでいるとき、増幅された前 記第 1の周波数帯の信号が出力端子力 負荷側に伝達されているときは、前記第 2 の周波数帯の出力端子を前記接地手段で接地することを特徴とする請求項 21に記 載の高周波増幅器。
[25] 前記周波数帯域に対応した出力端子は、負荷インピーダンスと同じ特性インピーダ ンスを持つ伝送線路を介してグランドとの間にスィッチが設けられており、該伝送線 路の長さは、スィッチがオンしてグランドに接続されているとき、第 1の増幅手段の出 力端力 負荷側をみたインピーダンスが、該周波数帯域において短絡条件になるよ うに決められることを特徴とする請求項 21乃至請求項 24のいずれか一項に記載の 高周波増幅器。
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