TWM532577U - 具有紋理表面的光學阻障物 - Google Patents

Description

具有紋理表面的光學阻障物

本創作關於光學阻障物。更特定而言，本創作關於具有修改表面的光學阻障物。

高轉移速率資料的良好調變特徵包括在「開」(數位1)和「關」(數位0)狀態之間具有高而均勻的對比。為了達成良好的調變特徵，常常必須操作光學系統中的雷射而在遠高於雷射門檻電流的電流下來產生高轉移速率資料，而這可以造成透過光纖而發送過多的光量。光纖中的高光學功率程度可以使接收器中的偵測器飽和以及/或者經由光學非線性而誘發訊號扭曲。因此，想要在光進入光纖之前衰減光量。

為了在光進入光纖之前衰減光，已知在光的光學路徑中使用光學衰減器。如果光學路徑包括光學阻障物，則已知使用由不同材料製成而具有不同衰減特徵(譬如1分貝、2分貝……)的光學阻障物。也已知使用線上的光學衰減器。舉例而言，玻璃基板上的薄膜或整體的吸收性衰減器可以用於光學路徑中。也已知在光進入光纖之前將光散焦。這些技術所具有的缺點在於所有的通道必須具有相同的衰減並且無法調適於零件對零件的變化。附帶而言，對於在相同的光學阻障物中包括發送和接收通道二者 的雙向收發器而言，這些技術有時可以難以僅衰減發送器通道，而這是所想要的，如此以不減少接收器通道的敏感度。

添加衰減器則增加了零件數目並且增加了成本和複雜性。多通道裝置可以需要具有不同衰減程度的多個衰減阻障物。使光散焦以減少對光纖的耦合則可以導致激發不想要的包覆模式。使光散焦可以增加達成想要之衰減程度所需的機械調整範圍。如果光纖安排成光纖帶，則每個光纖的衰減無法個別的調整，因為所有的光纖乃機械鏈結。因此，需要方法和設備，其可以減少發送光到適當的程度，而不添加額外的構件或機械複雜性，並且其可以依通道而定來衰減發送光。

為了克服上述問題，本創作的較佳具體態樣提供光學阻障物，其提供光學路徑中的衰減、發送器功率監測、通道之間的衰減變化。

根據本創作之較佳具體態樣的光學阻障物允許主動進行衰減，而同時監測發送經過輸出光纖的光學功率。發送器功率未被耦合到輸出光纖裡的部分可以耦合到光偵測器裡，其可以用於發送器功率監測。發送器功率監測在決定發送器於其壽命中的操作狀態是有用的。衰減可以針對多通道裝置中的每個通道而訂製。

根據本創作的較佳具體態樣，光學阻障物包括：第一表面，其接收進入光學阻障物的光；第二表面，光經由此而離開光學阻障物；以及反射器，其將來自第一表面的光反射朝向第二表面。反射器包括紋理表面，其散射或吸收從第一表面所接收的某些光，以衰減經由第二表面而離開光學阻障物的光。

紋理表面較佳而言包括凹窩、圓點、刮痕中的至少一者。圓點較佳而言是由折射率匹配或實質匹配光學阻障物之折射率的材料製成。

光學阻障物較佳而言是模製光學阻障物。較佳而言，紋理表面包括由模製過程或表面修改過程所形成的缺陷。

根據本創作的較佳具體態樣，光學引擎包括：基板；雷射，其安裝於基板；根據本創作多樣的較佳具體態樣中之一者的光學阻障物；以及光纖，其接收來自光學阻障物之第二表面的光。光學阻障物之第一表面所接收的光是由雷射所產生。

光學引擎進一步較佳而言包括光偵測器，其偵測紋理表面所散射的光。光學引擎較佳而言包括多個通道。較佳而言，至少二個光學通道具有不同的衰減程度，或者紋理表面對於多個通道的每個通道都散射相同的光量。

根據本創作的較佳具體態樣，衰減光學引擎中之光的方法包括：提供光學引擎，其具有基板、安裝於基板的雷射、光學阻障物(其包括：第一表面，其接收來自雷射而進入光學阻障物的光；第二表面，光經由此而離開光學阻障物；以及反射器，其將來自第一表面的光反射朝向第二表面)、接收來自光學阻障物的第二表面之光的光纖；決定提供給雷射的電流；測量光纖中的光學功率；以及將反射器的表面紋理化，直到光纖中所測量的光學功率減少到預定程度為止，以形成紋理表面。

紋理表面較佳而言包括凹窩、圓點、刮痕中的至少一者。圓點較佳而言是由折射率匹配或實質匹配光學阻障物之折射率的材料製成。

方法進一步較佳而言包括模製光學阻障物。紋理表面較佳而 言包括在光學阻障物之模製期間所形成的缺陷。

紋理表面較佳而言是由雷射處理所形成。較佳而言，雷射是脈衝雷射，並且具有吸收於光學阻障物中的發射波長。雷射處理較佳而言包括將雷射掃描橫跨反射性表面。

從以下參考所附圖式之本創作較佳具體態樣的詳細敘述，本創作的以上和其他特色、元件、特徵、步驟和優點將變得更明顯。

100‧‧‧光學引擎

102‧‧‧基板

103‧‧‧接線

104‧‧‧電光(EO)構件

105‧‧‧雷射

106‧‧‧半導體晶片

107‧‧‧光偵測器

108‧‧‧提升器

109‧‧‧邊緣區域

110‧‧‧模製光學結構(MOS)

111‧‧‧散射光

112‧‧‧光纖

113‧‧‧相交區域

114‧‧‧溝槽

115‧‧‧凹窩

116‧‧‧應變緩和區

118‧‧‧環氧樹脂

120‧‧‧透鏡系統

122‧‧‧第二透鏡

124‧‧‧反射器

126‧‧‧第一透鏡

130‧‧‧壓力板

150‧‧‧光學路徑

151‧‧‧第二區

152‧‧‧第一區

160‧‧‧腔穴

162‧‧‧構件腔穴

210‧‧‧MOS

S101~S107‧‧‧調整散射光量的方法步驟

圖1是可以用於本創作的較佳具體態樣之光學引擎的分解圖。

圖2是截面圖，其顯示圖1所示之光學引擎的光學路徑。

圖3是根據本創作的較佳具體態樣之部分光學引擎的截面圖。

圖4是模製光學結構的俯視圖。

圖5顯示根據本創作的較佳具體態樣之部分的模製光學結構，其具有在反射器表面上的紋理區域。

圖6是流程圖解，其顯示根據本創作的較佳具體態樣而在光學引擎之所有通道中達成適當衰減程度的方法。

圖7是根據本創作的較佳具體態樣之部分光學引擎的截面圖。

本創作的較佳具體態樣可以用於耦合到光纖裡的光學功率量須要以可調整量來衰減的任何應用，舉例而言這是在主動光纜之末端的 光學引擎中。

光學引擎是進行光對電轉換或電對光轉換的裝置。對於接收器而言，光學引擎提供光對電轉換；對於發送器而言，光學引擎提供電對光轉換；以及對於收發器而言，光學引擎提供光對電轉換和電對光轉換二者。於收發器，接收器和發送器構件較佳而言分開以減少串擾。

光學引擎典型而言包括電光(electro-optical，EO)構件，其連接到基板。光學引擎也可以包括模製光學結構(molded optical structure，MOS)或光學阻障物，其連接到基板以及連接到光纜的光纖。不採用光纖，可以改成使用任何適合的光學波導。MOS在相鄰於EO構件的位置而提供面對基板的介面。在EO構件和光纖之間穿過MOS的光學路徑可以包括透鏡系統和反射表面。反射表面使光路徑彎曲，這可以使光纖的對齊和安裝比較容易。透鏡系統控制射束尺寸，其可以確保在光學路徑中的多樣元件之間有良好的耦合效率。光學引擎可以包括多個通道，每個通道包括關聯的光學路徑。光學引擎可以包括接收側和發送側，並且每一側可以包括多個通道。

光學引擎可以用於多種電腦連接器系統，舉例而言包括：QSFP(+)、CX4、CX12、SFP(+)、XFP、CXP主動光纜；USB、CIO主動光纜；MDI、DVI、HDMI、顯示埠、UDI主動光纜；PCIe x1、x4、x8、x16主動光纜；SAS、SATA、迷你SATA主動光纜。

圖1是部分光學引擎100的分解圖，並且圖2顯示經過光學引擎100的光學路徑150。本案的圖1和2類似於美國專利第8,923,670號的圖2和7，其整個內容併於此以為參考。光學引擎100包括基板102、連接 到基板102的EO構件104、連接到基板102的MOS 110、連接到MOS 110的光纖112。光學引擎100適合使用於單模或多模光纖。

通道是由單一路徑所界定，訊號則沿此輸送(亦即發送和/或接收)。圖1和2顯示通道，其包括光纖112、光學路徑150、EO構件104、接線103。發送通道所包括的電訊號在基板102的邊緣輸入到光學引擎100，而沿著接線103來傳遞，其在EO構件104中轉換成光學訊號，然後繼續到光纖112。接收通道所包括的光學訊號在光纖112輸入到光學引擎100，而在EO構件104中轉換成電訊號，然後沿著接線103傳遞到基板102的邊緣。

EO構件104包括但不限於用於發送通道的雷射二極體或雷射二極體陣列以及用於接收通道的光偵測器或光偵測器陣列。雷射二極體可以產生單一或多個橫向模式的輸出射束。雷射二極體將電流轉換成光。雖然雷射二極體舉例而言可以是垂直腔穴表面發射式雷射(vertical-cavity surface-emitting laser，VCSEL)，但是或許也可使用其他電對光的轉換器。光偵測器將接收的光轉換成電流。可以使用任何適合的光偵測器。EO構件可以使用打線接合或覆晶技術而電連接到基板102上的接線103。

MOS 110較佳而言在相鄰於EO構件104的位置而連接到基板102。MOS 110包括透鏡系統120，其將來自光纖112的光聚焦和指引到EO構件104上以及/或者將來自EO構件104的光聚焦和指引到光纖112裡。MOS 110可以由單一射出成型的光學構件或任何其他適合的裝置製成。

MOS 110包括溝槽114，其將光纖112對齊和穩固於MOS 110中。有可能使用不是溝槽114的結構來對齊光纖112。溝槽114可以是V形溝槽或任何其他適合造型的溝槽。每個溝槽114接收和對齊MOS 110中之 對應的光纖112。壓力板130將光纖112穩固於溝槽114中。MOS 110可以包括應變緩和區116，其延伸超過溝槽114。可以使用環氧樹脂118以將光纖112穩固於應變緩和區116。溝槽114允許以下的組裝技術：在單一操作中，光纖112以夾鉗握持、剝皮、劈開、被動對齊、永久附接於MOS 110。

MOS 110可以包括穿過MOS 100的一或更多個光學路徑150。每個光學路徑150較佳而言包括定位在光學路徑150之第一末端的第一透鏡126和定位在光學路徑150之第二末端的第二透鏡122。第一和第二透鏡122、126較佳而言將光準直。第二透鏡122相鄰於光纖112，並且第一透鏡126相鄰於EO構件104，但不限於此。每個光學路徑150進一步包括反射器124，其定位在第一透鏡126和第二透鏡122之間。因為反射器124重新指引光，所以光學路徑是彎曲的。雖然光學路徑中的彎曲可以差不多是90°，但這不是必須的。反射器124可以使用全內反射(total internal reflection，TIR)以反射所有或實質所有的入射光。反射器也可以使用施加於MOS 110的反射膜。使用反射膜則免除了TIR表面所需的角度限制。第一透鏡126或第二透鏡122中的任一或二者可以沒有光學功率，亦即它們是平坦的表面。

每個光學路徑150包括第二區151和第一區152。第二區151包括在第二區151之第二末端的第二透鏡122和在第二區151之第一末端的反射器124。第二透鏡122可以相鄰於光纖112，但不限於此。第一區152包括在第一區152之第二末端的反射器124和在第一區152之第一末端的第一透鏡126。

MOS 110可以包括構件腔穴162，其在基板102的平坦表面 和MOS 110之間生成包封空間，以讓EO構件104安裝在基板102上。

基板102可以是任何適合的基板，舉例而言包括有機基板(譬如FR4)或陶瓷基板(譬如氧化鋁)。基板102可以包括電接線103，其用於排定電資料訊號的路線。EO構件104可以包括EO轉換器，並且半導體晶片106舉例而言可以包括類比晶片，其驅動EO轉換器。半導體晶片106電驅動著EO轉換器，並且舉例而言可以包括用於雷射的雷射二極體驅動器和用於光偵測器的穿越阻抗放大器(trans-impedance amplifier，TIA)。光學引擎100的構件可以使用標準的半導體組裝過程而表面安裝在基板102的同一側上。

提升器108可以連接到基板102。提升器108可以由金屬或陶瓷組成物所形成，其舉例而言作為平坦的機械參考物以用於接收和對齊EO構件104和MOS 110。提升器108也用於將EO構件104和/或半導體晶片106所產生的熱傳導到光學引擎100的一或更多側或邊緣區域109。

光學引擎100可以使用單側、表面安裝的構件組件而連同二步驟對齊過程來製造。EO構件可以藉由精確晶粒接合器而相對於基準標記來接合在基板102上。用於接收通道和發送通道的EO構件104可以彼此精確的對齊和接合。MOS 110相對於EO構件104而精確的對齊和接合。MOS 110包括溝槽114以精確對齊光纖112，並且光纖112被動放置於溝槽114中並且附接於MOS 110。以此方式，光纖112直接附接和對齊於MOS 110。

對於發送通道而言，來自電介面的電訊號較佳而言從基板102來排定路線而打線接合到雷射二極體驅動器。雷射二極體驅動器較佳而言打線接合於雷射二極體。對於接收通道而言，來自光偵測器的電訊號較佳而言打線接合於TIA。TIA較佳而言打線接合於基板102，其將電訊號排 定路線到電介面。這些構件可以使用任何適合的技術來安裝，包括覆晶安裝。

替代或附帶於使用開放腔穴160而言，可以修改反射器124以衰減進入光纖112的光量。舉例而言，反射器124的反射率可以藉由將反射器124的表面加以挫敗、弄糟或劣化而減少。表面反射率的減少可以藉由粗糙化、搔刮、凹窩化或以提供細微間距的機械紋理給反射器124之表面的某種方式而達成。反射器124上的紋理表面一般而言僅形成在想要衰減光纖中之光學功率的發送通道上。接收通道上的反射器124可以維持未紋理化。

圖3顯示部分光學引擎100的截面。雷射105可以安裝在基板102上。雷射105可以是任何適合的雷射，包括VCSEL。雷射105可以包括一或更多個單獨的雷射發射器。雷射105可以提供調變的光學訊號，其適合極高頻寬訊號而順著光學通道往下轉移。雷射105產生遵循光學路徑150的光束。第一透鏡126可以提供在MOS 110的表面上。第一透鏡126可以將雷射105所發射的光加以準直或聚焦。反射器124較佳而言包括紋理表面，如此則某些光被散射或吸收(散射光在圖3標為111)，同時某些光被鏡面反射(反射光遵循光學路徑150)而朝向光纖112(圖3未顯示)。因為有全內反射或施加到反射器124之表面的光學披覆，所以光可以被反射。紋理表面乃定義成具有故意形成之缺陷的表面，其劣化表面的光學品質。將表面粗糙化或者施加光吸收性或散射性圓點的圖案是形成紋理表面的非限制性範例。

可選用而言，光偵測器107可以安裝在基板102上或某些其 他位置。於圖3，光偵測器107的替代性位置顯示在基板102上和在反射器124之上。但是可以基於反射器124的紋理表面所造成之散射光111的空間分布來選擇任何適合的位置。某些散射光111可以指引朝向光偵測器107，使得光偵測器107將雷射105所發射的部分光加以取樣，這可以用於傳輸(TX)監測，如此則在光學引擎100的操作期間可以驗證和/或調整雷射功率程度。光偵測器107可以用於具有雷射105的發送通道，如圖3所示，並且可以用於具有光偵測器的接收通道。於接收通道，光偵測器107或許可以是較低頻寬、較高敏感度的光偵測器，其偵測TIA所不輸出的較低速訊號。

MOS 110可以包括使個別通道彼此隔離的特色。舉例而言，狹縫可以形成於MOS 110中而在通道之間並且填充了吸光材料。抵達光偵測器107的光量將與發射的雷射功率實質成正比。它也將與經由光纖112所發送的光學功率實質成正比，因為來自反射器之散射光的比例乃相依於入射功率程度。

圖4顯示MOS 110的俯視圖。MOS 110包括反射器124，其指引光到光纖112的陣列裡。圖4所示的MOS 110較佳而言包括十二個溝槽114，其可以用於十二個光纖112(圖4未顯示)，因此可能有十二個高速光學通道。圖5顯示在反射器124的表面上之紋理圖案的範例。紋理圖案可以在光學路徑150與反射器124之表面相交的相交區域113上是均勻的或實質均勻的而在製造容限裡。紋理圖案可以是凹窩115的陣列，如圖5所示。凹窩115可以藉由雷射標記或某些其他適合的方法而形成。圖5之凹窩115的尺寸已經為了清晰而有所誇大。可以使用任何數目的凹窩115。反射器124的表面上可以有數十、數百或數千個凹窩115。可以調整凹窩115的尺寸和 /或數目以控制散射光111的比例。增加凹窩115的數目並且將凹窩115做得較大則傾向於增加散射光111的量。凹窩115可以形成規則的陣列，或者凹窩115可以隨機形成以減少散射光111中來自干涉效應的可能圖案。

反射器124的紋理表面可以使用雷射加工過程來做出，雖然可以使用其他的方法。於雷射加工過程，雷射乃指引並且可選用而言聚焦在反射器124的表面上。將雷射施加到反射器124的表面則導致反射器124的表面有空間局部化的、機械的、物理的或化學的更動。反射器124之表面的這更動使反射器124之表面的鏡面反射率劣化。較佳而言，紋理表面覆蓋或實質覆蓋相交區域113而在製造容限裡。覆蓋整個相交區域113則允許均勻的或實質均勻的減少鏡面反射光，而不衝擊其空間分布。對於光纖112的耦合容限因此不受到紋理化的衝擊；僅鏡面反射光的大小受到衝擊。也有可能可以藉由僅在部分的相交區域113上來選擇性劣化反射器124而達到想要程度的衰減。

反射器124的表面可以藉由任何數目的方法而修改。舉例而言，可以使用雷射以局部修改反射器124之表面的反射性質。尤其，可以使用操作在紫外線(UV)波長的雷射。基於Q切換或使用非線性光學過程而以光纖放大器轉換成在355奈米附近之UV波長的脈衝雷射則是可以良好工作於此應用之雷射類型的範例。操作在10微米左右的二氧化碳雷射也可以是有用的。UV和10微米波長的雷射都被MOS 110的光學品質塑膠所強烈吸收。雖然這些雷射的脈衝長度可以是在奈秒或微秒範圍，但這不是必須的。

替代而言，圓點可以放置在反射器124的表面上。圓點可以 是吸收性、透明的或半透明的。圓點可以由折射率匹配或實質匹配MOS 110之折射率的材料製成，使得光是以極少或沒有反射的穿透經過反射器124的表面而到圓點裡。光然後可以吸收於圓點中、散射於圓點中、或反射和折射離開圓點的後表面。這些機制的每一者都可以衰減光對光纖112的耦合。雖然圓點可以使用噴墨印刷技術來放置，但這不是必須的。

也可以使用對反射器124之表面的機械刻劃或搔刮。舉例而言，可以壓著或拖著尖針陣列而橫跨反射器124的表面。雖然尖針陣列可以使用微機電系統(micro-electronic mechanical system，MEMS)處理技術而製成，但這不是必須的。

在MOS 110的模製過程期間，可以修改反射器124的表面。也就是說，可以模製出MOS 110，使得反射器124的表面包括空間局部化的缺陷。這些缺陷可以散射光，而減少進入光纖112的光量。使用具有預先製造之缺陷的MOS 110可以減少須要以主動方式所製造之缺陷的數目，因此減少處理時間。

有可能可以修改任何的光學表面，亦即反射光的表面(例如反射器124)或讓光通過的表面(例如透鏡122、126)，以將衰減調整到想要的程度。也有可能可以修改多於一個光學表面。也有可能修改包括光學披覆的光學表面。也有可能藉由在MOS 110裡生成空間局部化的缺陷而在MOS 110中誘發整體的散射。雖然可以使用具有超短脈衝(亦即皮秒或飛秒脈衝長度)的聚焦雷射以局部改變MOS 110的折射率，但這不是必須的。

局部化的修改區域可以稱為點，而不論點是如何形成的(雷射、噴墨、尖針陣列、模製……)。點尺寸應佔整體射束尺寸的小百分比。 舉例而言，如果光學路徑150在反射器124的表面上提供200微米的射束尺寸，則偏好小於25微米的點尺寸。然而，於某些應用，點尺寸可以是在1微米的等級。有利而言，較小的點尺寸一般而言導致光強度有更均勻的衰減。這則使發射光耦合到光纖112裡的比例與發射光的空間分布無關。小點尺寸的進一步優點在於它提供較好的解析度以控制耦合到光纖112裡的光量。許多點可以在一毫秒中做出，並且點陣列可以在小於一秒中做出。

散射光量可以使用圖6所示的方法來調整。首先組裝光學引擎100。於步驟S101，光學引擎可以安裝在調整站上。調整站同時提供驅動待測雷射以及測量從關聯於待測雷射的光纖所發送之光的能力。於步驟S102，然後可以藉由找出產出想要之調變特徵的驅動電流而決定雷射操作點。如上所述，這驅動電流可以在光纖中產生過大的光學訊號程度。於步驟S103，測量光纖中的光。於步驟S104，可以藉由將反射器的表面紋理化而減少光纖中的訊號程度。舉例而言，可以增加凹窩、點、缺陷、圓點或表面不完美的數目以增加散射和/或吸收的光量並且減少耦合到光纖裡的光量。替代而言，除了增加缺陷的數目以外，可以改為或附帶增加缺陷的尺寸或粗糙度以增加衰減程度。舉例而言，可以將雷射焦點光柵式掃描於反射性表面124上，並且測量光纖112中的光學功率程度。如果需要更多的衰減，則雷射點可以光柵式掃描於同一圖案上，而增加反射性表面124的粗糙度並且藉此增加衰減程度。可以進行紋理化，直到達成想要的光纖傳輸程度為止。於步驟S105，決定是否所有的通道都已經測試過並且已經調整了它們光纖112中的個別光學功率程度。如果並非所有的通道都已測試(於步驟S105的決定為「否」)，則於步驟S106，選擇未測試的通道。如果所 有的通道都已經測試了(於步驟S105的決定為「是」)，則於步驟S107，從調整站移除光學引擎。

應體會所需的衰減可以在光學通道之間有所不同。於本創作的較佳具體態樣，衰減程度可以藉由改變針對每個通道的紋理化程度而輕易調整。這是勝過所有通道都使用具有實質均勻衰減的整體衰減器之先前技術的顯著優點。於本創作的較佳具體態樣，可以在每個通道中達成想要的衰減，而不添加額外的零件(譬如衰減器)到光學引擎100。本創作的較佳具體態樣也可以免除庫存具有不同衰減程度之各式各樣衰減器的需求。本創作的較佳具體態樣可以調整衰減程度到大於入射光的10分貝。雖然可以達成任何想要程度的衰減，不過衰減程度典型而言是在2分貝和5分貝之間。使用小點可以在每個通道中提供0.01分貝的衰減解析度。但是某些應用可以不需要此種精細的解析度。

具有紋理表面的光學表面可以與整體的衰減器組合。整體的衰減器提供均勻的衰減程度給所有的通道，然後每個通道可以藉由紋理化而單獨的最佳化。這組合系統所具有的優點是減少從紋理表面所需的衰減範圍。

雖然本創作的較佳具體態樣已經就光學引擎中之光學表面的紋理表面來描述，不過可以更廣泛的應用本創作之較佳具體態樣的概念。舉例而言，任何需要衰減的光學資料傳輸系統可以使用上述的技術，以藉由修改系統之光學路徑中的光學表面而衰減光學訊號。舉例而言，不是使光穿透結構的MOS 110，替代性MOS 210可以建構成將來自第一表面的光反射，如圖7所示。光路徑150絕不通過MOS 210。反射性表面124或 許可為彎曲的以將光聚焦到光纖112裡。反射性表面124或可藉由使光聚焦穿過MOS 210而使得聚焦是在反射性表面124的附近之上或之中來加以紋理化。以此方式，紋理化的光可以修改反射性表面124的反射性質，即使反射性表面124不是在光學引擎100的外部表面上亦然。也可以使用先前所述的任何紋理化方法以提供想要程度的衰減。

應了解前面的敘述僅在示範本創作。熟於此技藝者可以設計出多樣的替代方案和修改方案而不偏離本創作。據此，本創作打算涵蓋落於所附請求項範圍裡的所有此種替代方案、修改方案和變化。

113‧‧‧相交區域

114‧‧‧溝槽

115‧‧‧凹窩

124‧‧‧反射器

Claims (12)

1. 一種光學阻障物，其包括：第一表面，其接收進入該光學阻障物的光；第二表面，該光經由該第二表面而離開該光學阻障物；以及反射器，其將來自該第一表面的光反射朝向該第二表面；其中該反射器包括紋理表面，其散射或吸收從該第一表面所接收之該光的某一部分，以衰減經由該第二表面而離開該光學阻障物的該光。
2. 如申請專利範圍第1項的光學阻障物，其中該紋理表面包括凹窩。
3. 如申請專利範圍第1項的光學阻障物，其中該紋理表面包括圓點。
4. 如申請專利範圍第3項的光學阻障物，其中該圓點是由與該光學阻障物之折射率匹配或實質匹配的材料製成。
5. 如申請專利範圍第1項的光學阻障物，其中該紋理表面包括刮痕。
6. 如申請專利範圍第1項的光學阻障物，其中該光學阻障物是模製光學阻障物。
7. 如申請專利範圍第1項的光學阻障物，其中該紋理表面包括由模製過程或表面修改過程所形成的缺陷。
8. 一種光學引擎，其包括：基板；雷射，其安裝於該基板；如申請專利範圍第1項的光學阻障物；以及光纖，其從該光學阻障物的該第二表面接收光；其中由該光學阻障物之該第一表面所接收的該光是由該雷射所產生。
9. 如申請專利範圍第8項的光學引擎，其進一步包括光偵測器，其偵測該紋理表面所散射的光。
10. 如申請專利範圍第8項的光學引擎，其中該光學引擎包括多個通道。
11. 如申請專利範圍第10項的光學引擎，其中至少二個光學通道具有不同的衰減程度。
12. 如申請專利範圍第10項的光學引擎，其中該紋理表面對於該多個通道的每個通道都散射相同的光量。