[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH0837339A - 反射光防止型半導体レーザダイオード装置 - Google Patents

反射光防止型半導体レーザダイオード装置

Info

Publication number
JPH0837339A
JPH0837339A JP6190957A JP19095794A JPH0837339A JP H0837339 A JPH0837339 A JP H0837339A JP 6190957 A JP6190957 A JP 6190957A JP 19095794 A JP19095794 A JP 19095794A JP H0837339 A JPH0837339 A JP H0837339A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor laser
stem
reflected
face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6190957A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Torikai
政博 鳥養
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP6190957A priority Critical patent/JPH0837339A/ja
Priority to EP95111462A priority patent/EP0693808B1/en
Priority to DE69505065T priority patent/DE69505065T2/de
Priority to US08/504,673 priority patent/US5665982A/en
Publication of JPH0837339A publication Critical patent/JPH0837339A/ja
Priority to HK98109749A priority patent/HK1009058A1/xx
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レンズなどによって反射され戻ってきた戻り
光をパッケージ内部で吸収し、外部または出射面へ戻っ
ていくことを防ぎ、光計測機器、光情報処理などの測定
の誤差がなくなり信号検出の精度を向上することを実現
することである。 【構成】 ステム（１）の上方部の端面をレーザ出射面
に対して斜めに形成すると共に、この端面に凸凹を設け
その表面にＡＲ（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コ
ート施している。片側側面の上側にヒートシンク（２）
を固定しその上に半導体レーザーチップ（３）を固定し
た構造である。また、半導体レーザーチップの発光面上
方に内部を封止するためのキャップ（４）と光を出射す
るガラス窓（５）を有していると共に、発光面の反対側
の下方にレーザ出力の光検出用のフォトダイオード
（６）を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に光信号による光計測、光情報処理、光通信など
使用する半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の横からの断面
図を図２に示し説明する。この構造は、ステム（１）の
片側側面にヒートシンク（２）を固定し、その上に半導
体レーザチップ（３）を固定した構造である。また、半
導体レーザチップ（３）の発光面前方に内部を封止する
ためのキャップ（４）と光を出射するガラス窓（５）を
有していると共に、ステム（１）の発光面の後側の下方
にレーザ出力の光検出用のフォトダイオード（６）を有
している構造である。
【０００３】次に、この構造の動作を説明する。半導体
レーザチップ（３）から出射された出射光（７）は、ガ
ラス窓（５）を通り抜け、対象物に反射されそれぞれの
アプリケーションに応じた信号処理を行う。また、発光
面とは反対側に出射される光は、フォトダイオード
（６）で受け光信号を電気信号に変換しレーザの光出力
を安定動作制御している。なお、受光素子固定板は、受
光素子への戻り光を防止するためにステム本体の主面に
対し斜面を有する構成は知られている（特開平３−１１
４２７８）。この、従来の構造では、ステムにより再度
反射された光（以下戻り光と記す）（８）の影響が大き
く光計測機器、光情報処理装置などの測定の誤差となり
装置の信号検出の精度を落としていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術
（図２）に示したものの構造では、ステム（１）の上方
部端面がレーザ出射面に対してフラットなため、出射さ
れた光（７）がレンズなど反射されて戻ってきた、戻り
光（８）を直接受け、さらに反射し反射光（９）となっ
て再度前面へ戻ってしまい、焦点の異なるもう一つの光
（以下迷光と記す）の影響が大きく光計測機器、光情報
処理装置などの測定の誤差となり装置の信号検出の精度
を落とすという問題があった。また、可視光レーザを用
いたレーザポインタなどのアプリケーションでは、２つ
のスポットができてしまい見にくいなどの問題もあっ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気を光に変
換するレーザチップと、前記レーザチップの放熱をとる
ヒートシンクと、前記ヒートシンクの放熱のためのステ
ムを有する半導体レーザダイオードにおいて、ステム端
面はレーザチップの出射光方向に対して所定の斜面を形
成していることを特徴とする半導体レーザ装置である。
また本発明は、ステム端面に形成されている斜面の傾き
の角度が約４５°であることを特徴とする上記の半導体
レーザ装置である。また本発明は、ステム端面に形成さ
れている斜面に、凹凸が形成されていることを特徴とす
る上記の半導体レーザ装置である。
【０００６】さらにまた本発明は、ステムの端面に、戻
り光や反射光の吸収を高めるコーティング膜が施されて
いることを特徴とする上記の半導体レーザ装置である。
具体的には、本発明の半導体レーザ装置は、電気を光に
変換するレーザチップと、このレーザチップの放熱をと
るヒートシンクと、このヒートシンクの放熱のためのス
テムを有する半導体レーザダイオードにおいて、ステム
（１）の上方部の端面をレーザ出射面に対して４５°に
近い面に形成し、さらにこの面に凹凸を形成すると共に
この表面にＡＲ（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コ
ーティングしたものである。
【０００７】
【作用】本発明において、ステム（１）の上方部の端面
をレーザ出射面に対して傾面になっているために、レン
ズなどによって反射されステム端面に水平に戻ってきた
戻り光のうち約半分は反射され垂直方向に近い方向へ進
むために、前面（出射面）へ反射する迷光を出射光に対
して１％以内に抑えることができる。また、端面を凸凹
にしＡＲコートを設けることにより、ＡＲコートで戻り
光を抑え、凸凹端面で弱まった光を散乱光とさせること
により戻り光をパッケージ内部に吸収させてしまい、外
部または出射面へ戻っていくことを防ぐことができると
いうものである。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。 ［実施例１］本発明の半導体レーザ装置の実施例を図１
に示し説明する。この構造は、ステム（１）の上方部の
端面をレーザ出射面に対して４５°の斜めに形成すると
共に、この端面に凸凹を設けその表面にＡＲ（Ａｎｔｉ
Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コートを１０００オングスト
ロームを施している。片側側面のヒートシンク（２）を
固定しその上に半導体レーザチップ（３）を固定した構
造である。また、半導体レーザーチップの発光面前方に
内部を封止するためのキャップ（４）と光を出射するガ
ラス窓（５）を有していると共に、発光面の反対側の下
方にレーザ出力の光検出用のフォトダイオード（６）を
有している構造である。
【０００９】次に、この構造の動作を説明する。半導体
レーザーチップ（３）から出射された出射光（７）は、
ガラス窓を通り抜け対象物に反射されそれぞれのアプリ
ケーションに応じた信号処理を行うが、この構成による
と、レンズなどによって反射されステム端面に水平に戻
ってきた戻り光（８）のうち約半分は反射され垂直方向
に近い方向へ進むために、前面（出射面）へ反射する迷
光（９）を出射光に対して１％以内に抑えることができ
る。また、端面を凸凹にしＡＲコート（１１）を設ける
ことにより、ＡＲコートで戻り光を抑え、凸凹端面で弱
まった光を散乱光とさせることにより戻り光をパッケー
ジ内部に吸収させてしまい、外部または出射面へ戻って
いくことを防ぐことができる。
【００１０】［実施例２］次に本発明の半導体レーザ装
置の第２の実施例を図３に示し説明する。この構造は、
実施例１（図１）で説明した構造に、半導体レーザチッ
プの発光面上方に内部を封止するためのキャップ（４）
のガラス窓（５）の径を出射光（７）が充分外部にでて
いくφ１ｍｍの最適な径にすることにより、さらに迷光
（９）の量を低減することができる。
【００１１】［実施例３］次に本発明の半導体レーザ装
置の第３の実施例を図４に示し説明する。迷光の原因と
してもう一つ考えられるものに光検出用フォトダイオー
ド（６）の反射光が原因と考えられている。そこで、本
構造は図１で説明した構造に、キャップ（４）とステム
（１）の間に円柱上の筒（１２）（以下「フォルダ」と
記す）を設けたものである。これによりフォトダイオー
ド（６）からの反射光を物理的にカットし、さらにステ
ム（１）の端面の反射光（９）も低減でき迷光をカット
することができる。
【００１２】［実施例４］次に本発明の半導体レーザ装
置の第４の実施例を図５（ａ）（ｂ）の見取り図に示し
説明する。図５はチップオンキャリアのステム（１）の
端面を斜め４５°の角度にカットし、その端面を凸凹に
し、表面をＡＲコーティング（１１）することで戻り光
（８）を抑え、凸凹端面で弱まった光を散乱光とさせる
ことにより戻り光をパッケージ内部に吸収させてしま
い、外部または出射面へ戻っていくことを防ぐことがで
きる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステムの上方部の端面をレーザ出射面に対して４５°に
なっているために、レンズなどによって反射されステム
端面に水平に戻ってきた戻り光のうち約半分は反射され
垂直方向に近い方向へ進むために、前面（出射面）へ反
射する迷光を出射光に対して１％以内に抑えることがで
きる。また、端面を凸凹にしＡＲコートを設けることに
より、ＡＲコートで戻り光を抑え、凸凹端面で弱まった
光を散乱光とさせることにより戻り光をパッケージ内部
に吸収させてしまい外部または出射面へ戻っていくこと
を防ぐことができたため、光計測機器、光情報処理装置
などの測定の誤差がなくなり信号検出の精度を向上する
ことができる。また、可視光レーザを用いたレーザポイ
ンタなどのアプリケーションでは、１つのスポットに絞
れるため見やすさの向上は図れるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例を示す図
【図２】 従来技術の半導体レーザ装置の断面図
【図３】 本発明の第２の実施例を示す図
【図４】 本発明の第３の実施例を示す図
【図５】 本発明の第４の実施例を示す図
【符号の説明】
１ ステム ２ ヒートシンク ３ 半導体レーザーチップ ４ キャップ ５ ガラス窓 ６ フォトダイオード ７ 出射光 ８ 戻り光 ９ 反射光（迷光） １０ リード線 １１ ＡＲコート １２ フォルダ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気を光に変換するレーザチップと、前
    記レーザチップの放熱をとるヒートシンクと、前記ヒー
    トシンクの放熱のためのステムを有する半導体レーザダ
    イオードにおいて、ステム端面はレーザチップの出射光
    方向に対して斜面を形成していることを特徴とする半導
    体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 ステム端面に形成されている斜面の傾き
    の角度が約４５°であることを特徴とする請求項１に記
    載の半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 ステム端面に形成されている斜面に、凹
    凸が形成されていることを特徴とする請求項１または２
    に記載の半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】 ステムの端面に、戻り光や反射光の吸収
    を高めるコーティング膜が施されていることを特徴とす
    る請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
JP6190957A 1994-07-21 1994-07-21 反射光防止型半導体レーザダイオード装置 Pending JPH0837339A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6190957A JPH0837339A (ja) 1994-07-21 1994-07-21 反射光防止型半導体レーザダイオード装置
EP95111462A EP0693808B1 (en) 1994-07-21 1995-07-20 Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light
DE69505065T DE69505065T2 (de) 1994-07-21 1995-07-20 Lichtemittierende Halbleitervorrichtung auf einem Träger mit schräger Oberfläche zur Elimination des Streulichtes
US08/504,673 US5665982A (en) 1994-07-21 1995-07-20 Semiconductor photo-device having oblique top surface of stem for eliminating stray light
HK98109749A HK1009058A1 (en) 1994-07-21 1998-08-06 Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6190957A JPH0837339A (ja) 1994-07-21 1994-07-21 反射光防止型半導体レーザダイオード装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0837339A true JPH0837339A (ja) 1996-02-06

Family

ID=16266495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6190957A Pending JPH0837339A (ja) 1994-07-21 1994-07-21 反射光防止型半導体レーザダイオード装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5665982A (ja)
EP (1) EP0693808B1 (ja)
JP (1) JPH0837339A (ja)
DE (1) DE69505065T2 (ja)
HK (1) HK1009058A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026439A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Denso Corp 半導体発光素子
WO2002063730A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter
US6907054B2 (en) 2001-06-29 2005-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
US6967979B2 (en) 2000-10-06 2005-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350793A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Mitsubishi Electric Corp 光電変換半導体装置
US7343535B2 (en) * 2002-02-06 2008-03-11 Avago Technologies General Ip Dte Ltd Embedded testing capability for integrated serializer/deserializers
US6998691B2 (en) * 2003-09-19 2006-02-14 Agilent Technologies, Inc. Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element
US6953990B2 (en) * 2003-09-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Wafer-level packaging of optoelectronic devices
US20050063648A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Wilson Robert Edward Alignment post for optical subassemblies made with cylindrical rods, tubes, spheres, or similar features
US20050063431A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Gallup Kendra J. Integrated optics and electronics
US6982437B2 (en) * 2003-09-19 2006-01-03 Agilent Technologies, Inc. Surface emitting laser package having integrated optical element and alignment post
US7520679B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device package with turning mirror and alignment post
JP2005116583A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Pentax Corp 光半導体装置
US20050213995A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Myunghee Lee Low power and low jitter optical receiver for fiber optic communication link
JP5277610B2 (ja) * 2007-10-29 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及び面発光装置並びに発光装置用パッケージ
CN114791653A (zh) * 2015-03-24 2022-07-26 申泰公司 具有纹理化表面的光学块

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102387A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ
JPS6424488A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Rohm Co Ltd Semiconductor laser device
JPH04255921A (ja) * 1991-02-08 1992-09-10 Fujitsu Ltd 光学的記憶装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4119363A (en) * 1976-03-18 1978-10-10 Bell Telephone Laboratories Incorporated Package for optical devices including optical fiber-to-metal hermetic seal
JPS59193080A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 発光半導体装置
JPS6154689A (ja) * 1984-08-24 1986-03-18 Fujitsu Ltd 光半導体装置
DE3677658D1 (de) * 1985-07-29 1991-04-04 Mitsubishi Electric Corp Optische kopfvorrichtung.
JPH03114278A (ja) * 1989-09-27 1991-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US5296724A (en) * 1990-04-27 1994-03-22 Omron Corporation Light emitting semiconductor device having an optical element
JPH04150085A (ja) * 1990-10-12 1992-05-22 Nec Corp 半導体レーザパッケージ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102387A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ
JPS6424488A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Rohm Co Ltd Semiconductor laser device
JPH04255921A (ja) * 1991-02-08 1992-09-10 Fujitsu Ltd 光学的記憶装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026439A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Denso Corp 半導体発光素子
US6967979B2 (en) 2000-10-06 2005-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device
WO2002063730A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter
US6847053B2 (en) 2001-02-05 2005-01-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter
US6907054B2 (en) 2001-06-29 2005-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0693808A1 (en) 1996-01-24
DE69505065D1 (de) 1998-11-05
HK1009058A1 (en) 1999-05-21
US5665982A (en) 1997-09-09
DE69505065T2 (de) 1999-06-10
EP0693808B1 (en) 1998-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0837339A (ja) 反射光防止型半導体レーザダイオード装置
US6111903A (en) Optical source with monitor
US5479010A (en) Photoelectric encoder having a plane mirror disposed parallel to the optical axis of a concave mirror
US6392247B1 (en) Sensor and detection system having wide diverging beam optics
JPH1123457A (ja) 光電式センサ装置
JP2892820B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3091448B2 (ja) 光半導体装置
US4954853A (en) Optical semiconductor device
US6970486B2 (en) Mold type semiconductor laser
US4888491A (en) Device for measuring angular deviation of flat plate
JP3140085B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP4426130B2 (ja) 透過型光電センサ
JPH10320822A (ja) 複合光学素子
JP2002026439A (ja) 半導体発光素子
JP3347542B2 (ja) 濃度センサー
JP2002350543A (ja) レーザー距離計
JP2738347B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH10256607A (ja) 投光装置及びそれを用いた光走査式センサならびに車両分離器
JPH04369464A (ja) 光散乱式粒子検出装置
JPH0710508Y2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS5946808A (ja) 光フアイバによる物体の変位測定方法
JPH10198999A (ja) 半導体レーザ装置
JP2002013949A (ja) アブソリュート式エンコーダ
JPH0716075B2 (ja) 半導体レ−ザチップ
JPH0214592A (ja) 半導体レーザ