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TWI857521B - 真空處理裝置 - Google Patents

真空處理裝置 Download PDF

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TWI857521B
TWI857521B TW112109377A TW112109377A TWI857521B TW I857521 B TWI857521 B TW I857521B TW 112109377 A TW112109377 A TW 112109377A TW 112109377 A TW112109377 A TW 112109377A TW I857521 B TWI857521 B TW I857521B
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gas
wafer
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TW112109377A
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TW202339081A (zh
Inventor
許振斌
藤田将次
山本悟史
Original Assignee
日商日立全球先端科技股份有限公司
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Priority claimed from PCT/JP2022/011723 external-priority patent/WO2023175743A1/ja
Application filed by 日商日立全球先端科技股份有限公司 filed Critical 日商日立全球先端科技股份有限公司
Publication of TW202339081A publication Critical patent/TW202339081A/zh
Application granted granted Critical
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Abstract

一種真空處理裝置,係具備有:真空處理單元,具有處理被搬送至經減壓之內部的處理對象之晶圓的真空容器;閉鎖室,在內部搬送處理前或處理後的晶圓;大氣搬送單元,與該閉鎖室連接,且包含「具有在被設為大氣壓而從上方朝向下方形成氣體之流動的內部搬送晶圓之大氣搬送室」的殼體;及晶圓儲存容器,在內部具有處理完畢晶圓的儲存空間,經由「前端部被安裝於殼體之壁面並配置於該側壁」的開口,連通大氣搬送室與內部,該真空處理裝置,其特徵係,具備有:排氣埠,在晶圓儲存容器之內部,被配置於開口的後方而為儲存空間的前方且為該儲存空間的上端部與下端部,將儲存空間的氣體排出至外部;及歧管,被配置於儲存空間的後方並朝向開口被配置於上端部與下端部之間,具有將預定氣體供給至該儲存空間之內部的氣體吹出孔。

Description

真空處理裝置
本發明,係涉及一種「將半導體晶圓等的基板狀之試料搬送至真空處理容器內而進行處理」的真空處理裝置,其特徵係,將收納於被配置在前述真空處理裝置的大氣側區塊之收納容器的前述試料搬送至被減壓成預定真空度之真空側區塊內的前述真空處理容器內,該真空處理裝置,係被配置於大氣壓或近似於視為大氣壓之程度的壓力下,特別是關於一種「被配置於前述大氣側區塊,在被設為大氣壓或近似於視為大氣壓之程度的壓力之內部搬送前述試料」者。
近年來,係半導體元件之高積體化或微細化不斷發展,要求將晶圓保持在潔淨的環境中,以免可能會產生電路之缺陷的微粒或水分附著於在其上形成有半導體元件之電路的半導體晶圓之表面。例如,在「於其內部處理半導體晶圓之真空處理容器(真空處理腔室)或儲存於內部的FOUP(Front-Open Unified Pod)」中,係內部被要求為更高的潔淨程度(潔淨度)。該情形,係即便對於如「被配置於大氣壓或近似於視為大氣壓之程度的氛圍之壓力(大致大氣壓)下,且在被設為該壓力的容器之內部的空間內搬送半導體晶圓」之EFEM(Equipment Front End Module)般的晶圓搬送裝置,亦同樣地要求將其內部之空間維持為更高的潔淨度。
通常,上述晶圓搬送裝置,係於內部,在FOUP及發揮真空側區塊之相對於大氣側區塊的介面之作用的閉鎖室(裝載鎖定室)和與前收納容器之間搬送晶圓並收授的部位,使漂浮的粒子乘著藉由具備有化學過濾器之FFU這樣的下降流產生裝置所形成的下降流而向下方沖流並過濾,藉此,在晶圓搬送裝置的內部之空間形成潔淨的氣流,可謀求微粒或水分附著於搬送中之晶圓的抑制。因此,內部之空間的氧濃度或水分的量,係被牽制於與設置有真空處理裝置的無塵室等之建築物的內部同等程度。
在像這樣的構成中,亦在「於晶圓搬送裝置之正面側,從被放置於底座上的FOUP取出半導體晶圓而收授至真空側區塊」之際,當藉由被配置於FOUP與晶圓搬送裝置內部之間的裝載埠開啟FOUP之正面的開口部時,則會導致FOUP容器內部的氧濃度及濕度上升至與EFEM相同的準位,並導致FOUP內部的環境惡化。為了抑制此情形,吾人考慮將惰性氣體(例如氮氣、氬氣等)或壓縮乾空氣供給至FOUP之收納容器內,按每一氣體置換內部的粒子。
然而,在「於真空處理容器施予處理且剛被搬出後」之晶圓的周圍,係殘留有處理中所供給或所生成的反應性高之物質的粒子。因此,當像這樣的晶圓被搬入至FOUP時,則恐有導致污染被儲存於FOUP內之其他處理前的晶圓之虞。例如,眾所周知在使用了電漿之晶圓的蝕刻中,係在對晶圓上之薄膜的遮罩或配線圖案進行蝕刻之際,使用HCl(氯化氫)、HCN(氰化氫)、SiF 4(四氟化矽)、HBr(溴化氫)、F 2(氟)等的鹵素系蝕刻氣體,該些氣體,係即便在上述圖案之加工處理後的老化處理後,一部分亦作為鹵化氫殘存於晶圓上。
因此,吾人考慮如下述技術:將從真空側區塊所搬送的處理後之晶圓暫時儲存於被配置在EFEM的內部或與其連接之外部的儲存容器內,且使其待機直至上述殘留的物質之濃度充分降低。處理後之半導體晶圓,係在殘留物的濃度降低至預定者以下後,從儲存容器被搬送至原來的FOUP。例如,上述待機用之儲存容器,係以其開口部與被配置於EFEM的側壁之開口連通的方式,與EFEM的側壁連接而設置,儲存容器之內部的空間,係相對於EFEM的氛圍經常被開放。
即便對於「像這樣的在處理前的晶圓被搬送至真空側區塊之前或處理後的晶圓返回到下方之FOUP的原來位置之前,暫時被收納於內部之晶圓」的儲存容器,亦要求微粒或水分不會附著於內部之晶圓而產生污染。原因在於,在將晶圓搬入至儲存容器之際,當容器內部的氛圍亦具有與EFEM內部相同程度的濕度時,則恐有導致在儲存容器內,上述殘留之鹵素系的生成物與水分反應而形成腐蝕性物質之虞。例如,氯化氫之水溶液,係一般已知為鹽酸,因由鹵化氫所構成的腐蝕性之生成物,恐有導致晶圓上面的配線圖案斷線或配線間的短路、因配線電阻增加或寄生電容所造成的交互干擾等的障礙之虞。
對於像這樣的課題,一直以來考慮了「抑制半導體晶圓的收納容器內之晶圓的腐蝕或污染之產生」的技術。例如,在日本特開2015-23037號公報(專利文獻1)中,係揭示如下述技術:在晶圓之儲存容器的前門被開放於大氣之際,在容器之正面使用沖洗氣體等而形成浴簾,抑制來自EFEM內部的濕度相對較高之氣流侵入的情形。
日本特開2015-170752號公報(專利文獻2),係揭示如下述內容:在FOUP之前部的開口被開放之際,為了於FOUP內部,抑制濕度因來自外部的氣體(gas)之進入而上升的情形,從而在FOUP的開口被開放之際,從被裝設於開口部之底板的2個沖洗噴嘴供給預定氣體。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻]日本特開2015-23037號公報 [專利文獻2]日本特開2015-170752號公報
[本發明所欲解決之課題]
在以往的技術中,在將晶圓搬送回原來的FOUP之前使其儲存且待機的儲存容器,係在其開口與EFEM內部連結並連通的情況下,被曝露於包含下降流的EFEM內部之氣體的環境而成相同條件。因此,在所儲存的晶圓於內部待機期間,恐有「殘留於處理後之晶圓的表面或周圍之鹵素系物質與水分反應,形成腐蝕性的生成物而導致污染晶圓」之虞。
當開放習知技術的儲存容器之正面的開口部而使其與EFEM內部連通時,則與EFEM之內部的氣體直接結合,由FFU所形成的濕度相對較高之氣流會侵入容器。又,可知即便在「將惰性氣體供給至儲存容器內部,從內部排出(沖洗)成為處理完畢晶圓的表面或周圍之污染源的物質之粒子」的情況下,亦在僅將容器內濕度相對較小之氣體供給至容器內的構成中,係儲存容器內之下降流的氣體從EFEM內持續進入,難以維持使沖洗用之氣體充滿於容器內整體而被排除至容器外的狀態。根據發明者們之檢討,可知在像這樣的構成中,容器內部之濕度,係與EFEM內的濕度相比僅稍微降低數%,無法充分地改善容器內的環境。
在專利文獻1中,係雖揭示有使用浴簾遮蔽來自EFEM之氣流的構成,但為了充分地進行該遮蔽,係需要將大量的沖洗氣體供給至容器內而導致裝置之運轉成本增加。而且,導致EFEM周圍之氧氣準位因沖洗氣體而降低,恐有周圍的操作員暴露於陷入氧氣不足的危險之虞。因此,在本習知技術中,係雖可謀求使用CDA這樣的壓縮乾燥空氣形成浴簾,以降低EFEM內之粒子朝儲存容器內的進入,但需要來自半導體製造工廠之大量的沖洗氣體之供給,並存在有為了運用大流量之CDA而導致設置半導體製造裝置之設備或運轉之成本變大的問題。
又,根據發明者們之檢討,在如專利文獻2般的習知技術中,因EFEM所造成的下降流,係在沿著EFEM的壁朝下方流動後,於晶圓之儲存容器的開口部之上端,從壁面剝離而打亂流動,導致在儲存容器之開口部的下端附近演變成亂流狀態。因此,可知EFEM內的濕度相對較高之大多的氣體,係從儲存容器之開口部的下端部及與面向其之部位即底板附近進入至儲存容器內部。而且,可知在防止像這樣的進入之目的下,在從底板附近朝向EFEM內部供給沖洗氣體的情況下,係恐有EFEM之上述高濕度的氣體之粒子反而被捲入儲存容器的內部之虞。
上述習知技術,係並未考慮關於像這樣的問題點。本發明,係有鑑於上述情事而進行研究者,其目的,係在於提供一種「可降低儲存容器內部的濕度,且降低被儲存於內部之晶圓的污染而提升處理之良率」的真空處理裝置。 [用以解決課題之手段]
上述目的,係藉由下述者而達成,一種真空處理裝置,具備有:真空處理單元,具有處理被搬送至經減壓之內部的處理對象之晶圓的真空容器;閉鎖室,在內部搬送處理前或處理後的前述晶圓;大氣搬送單元,與該閉鎖室連接,且包含「具有在被設為大氣壓而從上方朝向下方形成氣體之流動的內部搬送前述晶圓之大氣搬送室」的殼體;及晶圓儲存容器,在內部具有處理完畢晶圓的儲存空間,經由「前端部被安裝於前述殼體之壁面並配置於該側壁」的開口,連通大氣搬送室與內部,該真空處理裝置,其特徵係,具備有: 排氣埠,在前述晶圓儲存容器之內部,被配置於前述開口的後方而為前述儲存空間的前方且為該儲存空間的上端部與下端部,將前述儲存空間的氣體排出至外部;及歧管,被配置於前述儲存空間的後方並朝向前述開口被配置於前述上端部與下端部之間,具有將預定氣體供給至該儲存空間之內部的氣體吹出孔。 [發明之效果]
根據本發明,能提供一種「可降低儲存容器內部的濕度,且降低被儲存於內部之晶圓的污染而提升處理之良率」的真空處理裝置。
本發明,係關於一種真空處理裝置者,其具備有:至少一個氣體沖洗(導入)埠,沿縱方向延伸而被配置於晶圓儲存容器之晶圓收納部的後側,該晶圓儲存容器,係被配置於在內部形成有下降流的EFEM;及氣體排氣埠,被配置於面向與EFEM內部連通之開口的晶圓儲存容器之入口部的上部及下部,並沿横方向延伸,可降低儲存容器內部的濕度,且降低被儲存於內部之晶圓的污染而提升處理之良率。
以下,基於圖面,詳細地說明本發明的實施形態。在用以說明本實施形態之全部圖面中,對於具有同一功能者,係賦予同一符號,原則上省略其重覆的說明。
但是,本發明,係並非限定於以下所示之實施形態的記載內容而解釋者。該領域具有通常知識者自當容易理解,可在不脫離本發明之思想或主旨之範圍內變更其具體的構成。 [實施例1]
以下,使用圖1A~11,說明本發明的實施例。另外,在圖中,同一符號,係表示同一構成要素。
圖1A,係示意地表示本發明的實施例之真空處理裝置100的概略之構成的圖,且為從上方觀看真空處理裝置100的橫剖面圖,圖1B,係表示真空處理裝置100之構成的立體圖。
本實施例之真空處理裝置100,係具備有:大氣區塊101,被配置於其前方側(在圖1A中為右側);及真空區塊102,被配置於後方側(在圖1A中為左側)。大氣區塊101,係「在大氣壓下,搬送半導體晶圓等的基板狀之試料並進行收納之定位等」的部分,真空區塊102,係包含「在從大氣壓減壓的壓力下,搬送試料或實施處理等,在載置了試料的狀態下使壓力上下變動」的部分。
大氣區塊101,係具備有:大氣搬送單元106,包含「具有外形為長方體或近似於視為長方體之程度的同等形狀,並在其內部具有被設為大氣壓或近似於視為大氣壓之程度的同等壓力之空間」的殼體;及複數個匣盒台107,沿著該大氣搬送單元106的殼體之正面側的側面排列而安裝,在其上面載置有「處理用或清洗用之半導體晶圓等的基板狀之試料被收納於內部」的匣盒容器即FOUP。大氣區塊101,係「匣盒台107上的各FOUP之內部所收納的處理用或清洗用之試料即晶圓在FOUP與被連結於大氣搬送單元106的殼體之背面的真空區塊102之間進行交換」的部位,在大氣搬送單元106之殼體的內部,係配置有大氣搬送機械臂109,該大氣搬送機械臂109,係為了搬送像這樣的晶圓而具備有晶圓保持用之臂體。
真空區塊102,係具備:具備了具有內部被減壓並處理試料的處理室之真空容器的複數個真空處理單元103-1、103-2、103-3、103-4;具有具備了與該些真空處理單元連結而在減壓下將試料搬送至其內部之真空搬送機械臂110-1、110-2的搬送用之空間即真空搬送室104-1、104-2的真空容器;及於內部具有在該真空搬送用之真空容器(真空搬送容器)與大氣搬送單元106的殼體之間與該些連接而配置並收納晶圓的空間且為被配置成可與真空搬送室104-1及大氣搬送單元106的殼體連通之空間即閉鎖室105的真空容器(閉鎖室容器);於內部具有在兩個真空搬送容器之間與該些連接而配置並可在真空搬送室104-1及真空搬送室104-2之間與該些連通的晶圓收納用之空間即搬送中間室108的真空容器。該真空區塊102,係具備有其內部被減壓而可維持於預定值的真空度之壓力的真空容器而構成。
又,上述大氣搬送機械臂109或真空搬送機械臂110-1、110-2之搬送的動作或複數個真空處理單元103-1、103-2、103-3、103-4中之處理晶圓的動作、閉鎖室105中之內部的密封、開放或減壓、升壓的動作等真空處理裝置100的動作,係藉由「與執行該些之各部分經由包含有線或無線者的通信路徑而可發送接收信號地連接」之未圖示的控制裝置來予以調節。控制裝置,係包含以下者而構成:與外部之通信的路徑進行信號之發送接收的介面;半導體元件製之微處理器等的演算器;記憶記載了該演算器的演算之演算法的軟體或所通信的信號之值等的資料之RAM、ROM或硬碟、可移式磁碟等的記憶裝置;及將該些可通信地連接的通信線路。
圖2,係示意地表示圖1A及圖1B所示的實施例之大氣搬送單元106的構成之概略的縱剖面圖。本圖,係表示在「從前方側之部位朝向後方觀看圖1A及圖1B所示之大氣搬送單元106且匣盒台107被設置於正面的大氣搬送單元106之殼體即EFEM10」的情況下之以與殼體的正面平行之面切斷殼體的縱剖面。
如圖2所示般,EFEM10,係晶圓儲存容器13經由兩者的開口被安裝於殼體之左右方向的側壁面之至少任一方(在圖2中,係圖上左端的側壁),該晶圓儲存容器13,係在內部具備有可沿上下方向隔著間隙收納複數片晶圓W的收納空間。根據圖2之本實施例,晶圓儲存容器13,係經由被配置於其圖上右端的開口部21與被形成於EFEM10的左端之側壁面的開口,面向EFEM10之內部的空間,在晶圓儲存容器13被安裝於EFEM10之側壁的狀態下,維持晶圓儲存容器13之開口部21被開放的狀態,並連通於晶圓儲存容器13與EFEM10之各自的內部。
另外,本實施例之晶圓儲存容器13,係被安裝於「其上端及下端從圖上左端之殼體的側壁之上端部及下端部分別離開預定距離」的所謂中間之高度的位置。又,開口部21,係指成為晶圓儲存容器13的殼體13’(參閱圖3)之大致上矩形狀的最前端部且可將被安裝於EFEM10的左端之側壁的部位連結而成之面狀的部位,在以下的說明中,係被顯示為表示該面之位置的實線或虛線。又,像這樣的開口部21,係與「預先被形成於EFEM10之左端的側壁,並在其周圍連接地安裝有殼體13’之矩形狀的前端部」之EFEM10側壁的開口相接,實質上,該側壁的開口與晶圓儲存容器13的開口部21,係在以下之說明中被描述為相同者。
EFEM10的殼體之內部的空間,係構成在閉鎖室105與被放置於匣盒台107上的FOUP之間搬送晶圓W的空間(大氣搬送室)。在該內部之空間,係配置有搬送機械臂11(相當於圖1A的大氣搬送機械臂109),該搬送機械臂11,係連結兩端之關節部彼此的複數個臂體繞該關節部旋轉,在晶圓W被載置並保持於端部的臂體之前端部的狀態下,使複數個臂體伸長、收縮而搬送晶圓W。在EFEM10之上部,係配置有FFU(Fan Filter Unit,風扇過濾單元)14,該FFU14,係沿水平方向(在圖2中為左右方向)並列設置有將從上方引入之氣流向下方流出的複數個風扇,真空處理裝置100之周圍的氛圍會被吸入而流出至殼體內部,在殼體內部形成上下方向之氣流f。
氣流f,係如圖2中以箭頭所示般,從FFU14之下部的出口流出至EFEM10內部,並通過百葉片12之間隙流出至EFEM10的外部,該百葉片12,係被配置於搬送機械臂11之下方且EFEM10之底部,寬度較小的板隔著間隙而沿圖上左右方向排列配置。又,EFEM10內部之左端部的氣流f,係沿著晶圓儲存容器13的上方之殼體的側壁向下方流動,在從晶圓儲存容器13之開口部21的上端部向下方流動後,在圖2中,一部分會朝左側改變進路而進入晶圓儲存容器13之內部的空間。因此,包含有預定量的水分之濕度相對較高的氣體會從EFEM10內部流入至晶圓儲 存容器13之內部。
圖3,係表示圖2所示之實施例的大氣搬送單元106之晶圓儲存容器13的構成之概略的橫剖面圖。本圖,係將開口部21作為下側而表示「以圖2所示的晶圓儲存容器13之開口部21的上下端之間的預定高度位置之水平的面切斷晶圓儲存容器13之橫剖面」的圖。因此,圖3之上方表示晶圓儲存容器13之殼體13’的後側。
如示意地表示圖2所示的實施例之大氣搬送單元106的晶圓儲存容器13之構成的概略之圖4的縱剖面圖般,在本實施例中,係在開口部21之上端部及下端部分別具備有上方排氣埠201與下方排氣埠202。藉由該些上方排氣埠201、下方排氣埠202之動作,從EFEM10內部的氣流f對於晶圓儲存容器13內部之氣流的影響會得到抑制,並降低從氣流f所供給的水分。
而且,如圖3所示般,在晶圓儲存容器13的殼體13’之內部的前部且為上方排氣埠201與下方排氣埠202的後方,係配置有「朝向內部之中心部供給使惰性氣體等的預定水分或濕度維持在較低的值之氣體」的沖洗歧管13A與13B。而且,在殼體13’內部之後部(後方部),係具備有沖洗歧管13C與13D。在該些沖洗歧管13A、13B、13C、13D之間的空間搬入複數片晶圓W,在未圖示的架台上相互隔著間隙地予以保持。
在圖3所示的例子中,沖洗歧管13A、13B、13C、13D,係從上方觀看,被配置為在晶圓W的周圍且殼 體13’之內部的四角,與該些隔著間隙地收納晶圓W。因此,沖洗歧管13A、13B彼此,係被配置為其水平方向(圖上左右方向)之距離比晶圓W的直徑大,並被構成為在對殼體13’內部搬入搬出晶圓W之際,不會產生沖洗歧管13A、13B與晶圓W的碰撞。另外,沖洗歧管13C、13D之水平方向的距離,係被設為比晶圓W的直徑小。
沖洗歧管13A、13B、13C、13D,係分別具有預定直徑之圓筒形狀的管,沿著上下方向(在圖3中,係與紙面垂直之方向)的軸之內部的空洞,係與氮或氬等惰性氣體的氣體源連通。沖洗歧管13A、13B、13C、13D,係分別與內部之空洞連通地配置有氣體吹出孔391與392或491與492,該氣體吹出孔391與392或491與492,係指「沿著圓筒形之上下方向(長邊方向)的軸,具有產生如圖3中以箭頭所示般的氣流f之兩列圓形」的貫通孔。導入至空洞內之惰性氣體,係沿著圖3之箭頭的方向,從該些氣體吹出孔391與392及491與492流出至殼體13’內部,使得殼體13’內部的氣體被置換為惰性氣體。
在本例之沖洗氣體吹出孔的各列,係分別沿上下方向配置有25個貫通孔。又,各列之吹出孔,係被配置為從各個列吹出之惰性氣體的朝向相對於晶圓W之中心成為不同角度。
另外,雖未圖示,但各沖洗氣體吹出孔,係從上方觀看,被形成於面向重疊收納的任意兩片晶圓W之上下方向的間隙之空間的位置,亦即被形成於圓筒形之各 管的圓筒形之側壁上的該些兩片晶圓W之間的高度位置。該結果,從各個沖洗歧管13A、13B、13C、13D朝向晶圓W的中心而往合計共8個方向供給惰性氣體。
圖4及圖5,係示意地表示圖2所示之實施例的大氣搬送單元106之晶圓儲存容器13的構成之概略的縱剖面圖。圖4,係表示以沿著開口之垂直的面切斷被安裝於EFEM10之側壁的晶圓儲存容器13時的剖面,又,圖5,係表示以從開口朝向內側之垂直的面切斷所安裝之晶圓儲存容器13時的縱剖面。在圖4、5中,係表示上方排氣埠201及下方排氣埠202與該些周圍之排氣的流動,以及沖洗歧管13A、13B、13C、13D與該些周圍之氣流f。
如圖4所示般,晶圓儲存容器13,係上方排氣埠201與下端附近之下方排氣埠202將各自之圓筒形的軸作為水平方向(在圖4中為左右方向),且如圖5所示般,該軸,係從上方觀看,在成為與晶圓儲存容器13之開口部21的面平行之位置各配置2個,該上方排氣埠201,係在「具有比殼體13’的面稍微小之尺寸」的開口部21之上端附近具有圓筒形的形狀。兩個上方排氣埠201及兩個下端附近之下方排氣埠202,係各自之一個端部與晶圓儲存容器13的殼體13’之左右的內側壁相接地安裝,在開口部21之左右方向的中心部隔著間隙而配置。而且,每一者之兩個,係被配置於「使該些圓筒形之軸亦針對殼體13’的上下方向與前後方向為相互一致或近似於視為相互一致之程度」的位置。
而且,如圖4所示般,晶圓儲存容器13,係在「殼體13’的底面且為從開口部21之前方觀看,成為兩個下方排氣埠202彼此之間的位置」的部位具備有晶圓檢測感測器25。該晶圓檢測感測器25,係檢測晶圓W是否存在於上方的殼體13’內之空間即晶圓W的收納空間(晶圓W之有無)。該晶圓檢測感測器25,係亦可被配置於殼體13’之頂面且成為開口部21上部的兩個上方排氣埠201之間的部位。
如圖4所示般,上方排氣埠201、下方排氣埠202,係分別具備「具有圓筒形的管且為沿氣體流通於內部之軸方向延伸」的空間。而且,在圓筒形之側壁的表面,係於「針對沿著上述軸的方向所預先設定之間隔的複數個部位且為面向晶圓儲存容器13之內部」的位置,配置有與內部之空間連通的貫通孔(排氣孔)191、192。在本例中,複數個貫通孔(排氣孔)191、192之中,上方排氣埠201之貫通孔(排氣孔)191,係在「與圓筒形之側壁面的殼體13’之底面對向的位置(在圖4中,係上方排氣埠201之下側的面),特別是,上方排氣埠201的軸之垂直下方」的位置上成列地配置。而且,下方排氣埠202之貫通孔(排氣孔)192,係在「與圓筒形之側壁面的殼體13’之頂面對向的位置(在圖4中,係下方排氣埠202之上側的面),特別是,下方排氣埠202的軸之垂直上方」的位置上成列地配置。
上方排氣埠201、下方排氣埠202各自之與殼體13’的側壁連接之一端的內部,係通過被連接於殼體13’的外側壁之未圖示的排氣泵與未圖示的排氣管與被配置於殼體13’側壁構件的貫通孔而連通,殼體13’的晶圓收納空間之內部的氣體,係如圖4中於上方排氣埠201及下方排氣埠202以箭頭所示般,通過被配置於上方排氣埠201及下方排氣埠202之側壁的貫通孔191及192與內部的空間,作為排氣被排出至殼體13’的外部。
如圖5所示般,本實施例之晶圓儲存容器13,係從前方觀看EFEM10,被安裝於左側之側壁1001上的上下端之中間的位置,經由EFEM10的內部與開口部21連通。在晶圓儲存容器13之內部,係於從開口部21朝向後側(在圖5中為左側)的方向,依上方排氣埠201、下方排氣埠202、沖洗歧管13A(13B)、晶圓收納空間1311、沖洗歧管13C(13D)該些順序而配置。在被儲存於晶圓收納空間1311的狀態下,晶圓W,係前後以非接觸的方式被成對的沖洗歧管13A、13B與成對的沖洗歧管13C、13D夾著。
如上述般,沖洗歧管13A、13B、13C、13D(在圖5,係僅表示13A、13C),係分別具備有「以沿著圓筒形之管路的軸方向(高度方向),位於面向被收納之狀態的複數個晶圓W彼此之間的空間之位置的方式,以預定間隔而配置」之兩個貫通孔的列。從該些貫通孔所導入之惰性氣體,係沿著水平方向(在圖5中為左右方向),朝向晶圓W或其收納空間的中央部形成氣流f。另外,本圖中被標記為開口部21之虛線,係只不過將成為晶圓儲存容器13內部之空間與EFEM10內部之空間的邊界之面的位置表示為線,而並非為像這樣的構造體被配置於晶圓儲存容器13之端部。
接下來所示的圖6~圖8,係表示圖4、5所示的上方排氣埠201、沖洗歧管13A、13C之各自的貫通孔之周圍的構成之概略。
圖6,係示意地表示圖4所示之實施例的晶圓儲存容器之上方排氣埠的構成之概略的縱剖面圖。在本圖中,係放大表示以沿著圖4所示的C-C線之垂直的面切斷時的縱剖面。
本實施例之上方排氣埠201及下方排氣埠202,係在圓筒形的管之側壁面上具有一個「針對圓筒的軸方向以預定間隔而配置之剖面為具有圓形」之貫通孔的列,晶圓儲存容器13內部的氣體從該些貫通孔流入管之內部的空間,從各自的管之端部被排出至晶圓儲存容器13之殼體13’的外部。像這樣的貫通孔,係在圖6上被表示為排氣孔191。
排氣孔191,係在上方排氣埠201及下方排氣埠202之各者中,針對管的軸方向配置10~15個而構成列。在圖6中,沿著圖4所示的C-C線而切斷之剖面所示的上方排氣埠201之排氣孔191,係被配置為形成「其圓形之開口的軸與以圖上虛線所示之開口部21的面平行或近似於視為其之程度」的角度,氣體從下方流入上方。亦即,晶圓儲存容器13之水平的面與排氣孔191之軸所形成的角度即B1,係以成為90度或近似於視為90度之角度的方式,使上方排氣埠201被安裝於晶圓儲存容器13。
上方排氣埠201及下方排氣埠202之各貫通孔191、192的角度B1,係被構成為藉由使各自之管繞軸旋轉而與殼體13’連接以固定位置的方式,真空處理裝置100之使用者可因應使用而進行增減且調節。而且,藉由上方排氣埠201之排氣孔191或下方排氣埠202之排氣孔192的軸之角度B1的大小,調節流入晶圓儲存容器13之內部的EFEM10內之氣體的量或氣體之流動的方向,進而調節微粒子朝被收納於內部之晶圓W的附著與因其所產生的污染程度。關於該點,係使用圖,於後文進行敍述。
圖7,係示意地表示圖5所示之實施例的晶圓儲存容器之沖洗歧管的構成的橫剖面圖。在本圖中,係表示以沿著Z-Z線的水平面切斷圖5所示之沖洗歧管13A時的橫剖面。
如圖7所示般,本實施例之沖洗歧管13A、13B,係分別在惰性氣體沿著上下方向的軸流通之內部的空洞與圓筒形的外周壁面之間,具備有沿著上述軸方向而上下隔開預定間隔地並聯配置之兩個氣體吹出孔391與392的列,各個列,係具有25個氣體吹出孔。在本圖中,兩個氣體吹出孔中之氣體吹出孔391,係以使通過其所供給的惰性氣體位於晶圓儲存容器13內部與EFEM10內部的空間之間且與被表示為圖上虛線的開口部21之面(開口面)平行且水平地流出的方式,形成氣體吹出孔391之軸。
而且,形成另一列之氣體吹出孔392,係被配置成使所供給的惰性氣體朝向晶圓儲存容器13之內部的晶圓收納部之中心流出。亦即,構成一列之氣體吹出孔392,係具有圓形之開口的中心軸相對於構成另一列之氣體吹出孔391的軸之方向成45°的角度,且被形成於水平方向。
像這樣的氣體吹出孔391、392之配置,係在沖洗歧管13B中,從晶圓儲存容器13之開口部21的前方觀看,被形成於成為左右對象的位置。因此,從沖洗歧管13A之氣體吹出孔392的列所供給之惰性氣體(沖洗氣體),係在晶圓W被儲存於晶圓儲存容器13之收納部的情況下,流向通過晶圓W的中心之上下方向的軸,同樣地,關於從沖洗歧管13B之氣體吹出孔392的列所供給之沖洗氣體亦相同。又,從沖洗歧管13A、13B各自之氣體吹出孔391的列所供給之沖洗氣體,係在緊鄰晶圓儲存容器13之開口部21的後方之殼體13‘的內部,從開口部21之左右方向的端部朝向中央部相反地流動。
而且,各自構成列之25個成對的氣體吹出孔391、392中之每一對,係在沖洗歧管13A、13B側壁面上,被形成於「該些開口之軸儲存在收納部的複數個晶圓W彼此之間,抑或晶圓W與晶圓儲存容器13之殼體13’內部的頂面或底面之間」的相同高度位置。藉由該構成,即便在25片晶圓W被收納於晶圓儲存容器13內部的狀態下,從氣體吹出孔391、392所供給之沖洗氣體,係亦可順暢地流動於晶圓W彼此之間的間隙。
圖8,係示意地表示圖5所示之實施例的晶圓儲存容器之沖洗歧管的構成的橫剖面圖。在本圖中,係表示以沿著X-X線的水平面切斷圖5所示之沖洗歧管13C時的橫剖面。
如本圖所示般,沖洗歧管13C、13D,係與沖洗歧管13A、13B相同地,具有由「沿著其圓筒形狀之上下方向的軸,於上下方向以預定間隔而配置的」25個氣體吹出孔491、492所構成之兩個吹出孔的列。該些氣體吹出孔,係在各自沖洗歧管之圓筒形的外側壁面上,具有圓形之開口的中心之軸彼此成角度30°且沿著水平方向配置。而且,該些軸彼此所形成的角度之等分割線被配置為朝向通過被儲存於晶圓儲存容器13的收納部之晶圓W的中心之上下方向的軸。
成對的沖洗歧管13C、13D,係在殼體13’之內部,與沖洗歧管13A、13B相同地,被配置於針對通過晶圓儲存容器13之左右方向的中心之面呈現左右對稱的位置,且各自所具備的氣體吹出孔491、492亦相同地被配置於對稱的位置。又,構成上述兩列之成對的氣體吹出孔491、492中之每一對,係與沖洗歧管13A、13B之成對的氣體吹出孔391、392相同地,被配置於儲存在晶圓儲存容器13之收納部的晶圓W彼此之間或晶圓W與殼體13’的頂面、底面之間之中間的相同高度位置。藉由該構成,即便在25片晶圓W被收納於晶圓儲存容器13內部的狀態下,從氣體吹出孔491、492所供給之沖洗氣體,係亦順暢地流動於晶圓W彼此之間的間隙。藉由像這樣地整流沖洗氣體之流動的方式,使用來自沖洗歧管13A、13B或13C、13D之沖洗氣體,可將漂浮並滯留於晶圓W之上下的表面附近之反應性高的粒子或流入晶圓儲存容器13內之EFEM10內部的粒子向晶圓W之中心軸的方向沖流。
在本實施例中,使用圖9,說明關於控制沖洗氣體朝晶圓儲存容器13內之供給的構成。圖9,係示意地表示圖2所示之晶圓儲存容器13的構成之概略的方塊圖。
由於依據收納部內之晶圓W的有無會影響晶圓儲存容器13內之氣流的流動,因此,圖9所示的沖洗氣體之控制的構成,係具備有「被配置於晶圓儲存容器13的殼體13’內,檢測內部之濕度」的濕度感測器26及「檢測收納部內之晶圓W的有無」的晶圓檢測感測器25,且具備有「接收從該些所輸出之信號」的控制器31。而且,控制器31,係以可發送接收下達該些動作的指令之信號或表示動作的狀態之信號的方式,與排氣閥32及流量控制器(質流控制器)35連接,該排氣閥32,係被配置於與上方排氣埠201、下方排氣埠202之各自的端部連接之排氣管路上,增減該排氣的量或速度抑或調節管路的開關,該流量控制器35,係被配置於沖洗氣體供給管上,調節沖洗氣體(惰性氣體)的流量或速度,該沖洗氣體供給管,係一端部被連接於沖洗歧管13A、13B、13C、13D。另外,排氣管路,係在排氣之流動的排氣閥32下游側,與旋轉泵等的排氣泵連接,沖洗氣體供給管,係在沖洗氣體流動之流量控制器35的上游側,與包含有惰性氣體源即儲存槽或閥的沖洗氣體供給手段34連接,該閥,係開放、閉塞來自其之氣體的流出。
在像這樣的構成中,控制器31,係從接收到的晶圓檢測感測器25之輸出信號,判定晶圓W是否被儲存。控制器31,係在判定為未儲存晶圓W的情況下,由於因晶圓W所造成的沖洗氣體之整流的效果變小,因此,向排氣閥32發送指令信號,調節為使其開合度成為最大。藉此,可降低使「在EFEM10內部的空間中沿著晶圓儲存容器13之開口部21上方的EFEM10之內側壁向下流動」的氣體從開口部21之上端處的側壁剝離時之擾動,且抑制「朝晶圓儲存容器13內部改變方向而流動」之氣體的量或速度。又,與其並行地,控制器31,係從接收到之來自濕度感測器26的信號,檢測晶圓儲存容器13內部的濕度,將其濕度作為控制順序之目的函數,沿著預先被記載於儲存在內部的記憶裝置內之軟體的順序或演算法,向流量控制器35發送指令信號,對沖洗歧管13A、13B或13C、13D分別調節供給來自沖洗氣體供給手段34之沖洗氣體的量或速度。
在控制器31判斷為晶圓W被儲存於晶圓儲存容器13內的情況下,係藉由所儲存或搬入搬出之晶圓W的片數,調節排氣閥32之開合度。根據以上,依據晶圓儲存容器13內有無搭載晶圓W,藉由調節排氣閥之開合度的方式,可適當地增減通過與上方排氣埠201與下方排氣埠202連接之排氣管路321的排氣,使晶圓儲存容器13內之氣流的流動成為適當者。
根據上述實施例,於晶圓儲存容器13之內部,在開口部21與沖洗歧管13A、13B之間的上端部及下端部之各自的位置具備有「被配置於左右之兩側的部位,於左右方向(水平方向)具有軸之4根圓筒形的埠且為沿著軸方向而朝向晶圓儲存容器13之內部具有複數個排氣孔191」的上方排氣埠201、「具有複數個排氣孔192」的下方排氣埠202,藉此,可降低濕度相對較高的氣體之流動從EFEM10的內部進入晶圓儲存容器13之內部的情形。亦即,從開口部21侵入晶圓儲存容器13內部之EFEM10內部的氣體,係至少一部分藉由上方排氣埠201及下方排氣埠202的動作,經由排氣管路321被排出至殼體13’外部。藉此,於下降流之一部分形成有從安裝了晶圓儲存容器13的EFEM10之側壁沿著開口部21流動後朝向下方排氣埠202的流動,可將該流動使用作為「阻礙EFEM10之內部的其他下降流侵入晶圓儲存容器13內之情形」的密封流。
亦即,在EFEM10內部,由被配置於上部之FFU14所形成的向下之氣體,係沿著圖2所示的EFEM10左端之設置了晶圓儲存容器13的側壁面流動。而且,在面向開口部21之部位,係在以沿上下方向橫穿其的方式流動之際,沿著開口部21的上方之側壁的流動會變化成包含從側壁剝離而以渦狀旋轉之流動的擾動者,且伴隨著向下方移動,擾動之成分會演變成旋轉流。
在本實施例中,係藉由「具有複數個向下之排氣孔191的開口,從下方朝向上方吸引殼體13’內部的氣體而進行排氣」之上方排氣埠201的動作,欲從上方橫穿開口部21之區域的流動會提早從側壁剝離,於流動中形成漩渦的成分。當形成像這樣的漩渦時,則流動於開口部21附近之向下的氣流(下降流)之動能會被消耗,可減少流動的速度或流勢這樣的量。該結果,於晶圓儲存容器13內部,在由從沖洗歧管13A、13B、13C、13D被供給至內部的收納部之沖洗氣體所形成的流動中,可將從晶圓儲存容器13之後部朝向前方的開口部21之流動的成分形成得較大。
而且,通過開口部21流入晶圓儲存容器13的內部之EFEM10內部的氣流,係旋轉的量會得到抑制,其結果,可降低開口部21附近的EFEM10內部之氣體被捲入殼體13’內的量。
而且,沿著上述密封流,沖洗氣體被供給至殼體13’內部,藉此,從EFEM10內部侵入殼體13’內之濕度相對高的氣體會逐漸被稀釋。因此,即便為少量的沖洗氣體,晶圓儲存容器13內部之濕度的上升亦得到抑制,並可降低「殘留於晶圓W之表面或其附近的揮發性物質與水分反應而形成具有腐蝕性之生成物」的情形。
另外,在本實施例中,配置於晶圓儲存容器13內部之圓筒形的上方排氣埠201及下方排氣埠202,係在沖洗歧管13A、13B與開口部21之間且殼體13’內部的頂面及底面附近,從EFEM10內部觀看開口部21,連接於殼體13’之左右各自的端部且水平地配置,在該頂面附近(上端部)及底面附近(下端部)之間的所謂中間之部位並未配置排氣埠。其原因在於,在配置於中間之部位的情況下,係為了避免成為晶圓W之搬入搬出的障礙而必須沿著殼體13’之垂直的側壁面配置,在像這樣的配置的情況下,EFEM10內部之氣體的流入與晶圓儲存容器13內部之氣體替換的量變大。
又,上述效果之說明,係雖為關於晶圓W未被搭載於晶圓儲存容器13內的狀態者,但在晶圓W被儲存於晶圓儲存容器13內的情況下,係由於晶圓W發揮整流板的作用,故與無晶圓W的情形相比,更容易確保晶圓W間之沖洗氣體的滯留量,因此,更有效地降低晶圓儲存容器13內部之濕度相對較高的氣體之流入而提升處理的良率。
圖10,係表示圖2所示之實施例的晶圓儲存容器內部之濕度的變化相對於被配置在晶圓儲存容器內之排氣埠的排氣孔之角度的變化之例子的表格。如該圖10所示般,晶圓儲存容器13之濕度,係可藉由上方排氣埠201之排氣孔191的角度B1,使晶圓儲存容器13內部之相對濕度的大小變化。在此,圖6中之角度B1,係雖以垂直於開口部21的線為基準,作為與其相對的角度而進行了說明,但圖10所示之角度B1,係與圖6中所說明的角度B1不同,以平行於開口部21的線為基準,作為與其相對的角度。
可使該相對濕度之大小變化的理由,係原因在於可因應排氣孔191之角度B1的大小,使晶圓儲存容器13內部之沖洗氣體滯留的時間變化,因應關於EFEM10內的氣流之流動的量,可使晶圓儲存容器13內之上方排氣埠201的排氣孔191之相對於向下垂直方向的角度B1之大小成為最佳。相同地,亦可構成為能可變地調節下方排氣埠202的排氣孔192之相對於向上垂直方向的角度B2。
另外,上方排氣埠201之排氣孔191及下方排氣埠202之排氣孔192,係並非開口僅為圓形,而是亦可為使複數個孔連結之一根或複數根狹縫狀的開口。又,亦可將開口為圓形狀、橢圓狀或狹縫狀的排氣孔配置為在複數個部位具有不同角度B1者。例如,亦可將複數個排氣孔中的一部分配置於圖10中之成為條件(D)之角度B1=45°的位置及方向,並將其他排氣孔配置於如條件(A)的角度B1=0°般地成為平行於往表示開口部21的垂直方向延伸之面的位置與角度。像這樣的排氣孔191及192之配置,係考慮「改變因應在EFEM10設置晶圓儲存容器13的部位而變化之來自EFEM10內部的角度所流入之氣流的量或速度與上方排氣埠201、下方排氣埠202之排氣的能力與從沖洗歧管13A、13B、13C、13D所導入的沖洗氣體之量」的平衡,使用者可選擇適當者。
圖11,係示意地表示圖2所示之實施例的晶圓儲存容器之構成的概略的橫剖面圖。在本圖中,係表示上方排氣埠201或下方排氣埠202相對於開口部21的位置。
以可因應真空處理裝置100所使用的EFEM10之規格適當地運用晶圓儲存容器13的方式,如圖11所示般,選擇上方排氣埠201及下方排氣埠202的設置位置與開口部21之間的距離L。在本圖中,係僅圖示上方排氣埠201。在本例中,係沿著水平方向(在圖11中為左右方向)配置的圓筒形之上方排氣埠201的中心軸與表示開口部21之面的位置之虛線的水平距離L被設為45mm。由於從EFEM10內部流入晶圓儲存容器13內部的氣體之流動的朝向或流量抑或旋轉流的量會因應該距離L之值而變化,因此,可藉由適當地選擇距離L之值的方式,使晶圓儲存容器13內部的濕度或其分布,故鑑於EFEM10內之氣體的流量或速度、甚至沖洗氣體的供給量、來自上方及下方之排氣埠的排氣之量的平衡,使用者適當地選擇距離L。
例如EFEM10內之氣體的流動,係取決於圖2所示的百葉片12的數量或開合度、形狀抑或搬送機械臂11的位置。配合像這樣的EFEM10內的氣流之量的分布,將上方排氣埠201及下方排氣埠202之開口部21的距離L設為45mm±25mm。
如以上所說明般,在本實施例之晶圓儲存容器中,係具有如下述構成,其具備有:至少一個氣體沖洗(導入)埠,沿縱方向延伸而被配置於晶圓儲存容器之晶圓收納部的後側,該晶圓儲存容器,係被配置於在內部形成有下降流的EFEM;及氣體排氣埠,被配置於面向與EFEM內部連通之開口的晶圓儲存容器之入口部的上部及下部,並沿横方向延伸,沿著入口之左右側壁,係不具備有氣體排氣埠。
根據本實施例,在晶圓搬送裝置或半導體製造裝置中,可降低儲存容器內部的濕度,且降低被儲存於內部之晶圓的污染而使處理之良率提升。
以上,雖基於實施例,具體地說明了本發明者所研發的發明,但本發明並不限定於前述實施例,無需贅言地可在不脫離其要旨的範圍內進行各種變更。例如,上述實施例,係為了使本發明易於了解而詳細地進行說明者,並不一定限定於具備先前說明的全部構成。又,可針對各實施例之構成的一部分進行其他構成的追加・刪除・置換。
10:EFEM 11:搬送機械臂 12:百葉片 13:晶圓儲存容器 14:FFU 21:開口部 25:晶圓檢測感測器 26:濕度感測器 31:控制器 32:排氣閥 33:排氣泵 34:沖洗氣體供給手段 35:流量控制器 100:真空處理裝置 101:大氣區塊 102:真空區塊 103-1,103-2,103-3,103-4:真空處理單元 104-1,104-2:真空搬送室 105:閉鎖室 106:大氣搬送單元 107:匣盒台 108:搬送中間室 109:大氣搬送機械臂 110-1,110-2:真空搬送機械臂 191,192:排氣孔 201:上方排氣埠 202:下方排氣埠 391,392,491,492:氣體吹出孔 13A,13B:沖洗歧管 13C,13D:沖洗歧管 B1:上方排氣埠之排氣孔角度 B2:下方排氣埠之排氣孔角度 f:氣流 W:半導體晶圓 Wc:半導體晶圓中心
[圖1A]表示本發明之實施例的真空處理裝置之概略的構成之真空處理裝置的橫剖面圖。 [圖1B]表示本發明之實施例的真空處理裝置之概略的構成之真空處理裝置的立體圖。 [圖2]示意地表示本發明之實施例的真空處理裝置之大氣搬送單元的構成之概略的縱剖面圖。 [圖3]表示圖2所示之實施例的大氣搬送單元之晶圓儲存容器的構成之概略的橫剖面圖。 [圖4]示意地表示圖2所示之實施例的大氣搬送單元之晶圓儲存容器的構成之概略的縱剖面圖。 [圖5]示意地表示圖2所示之實施例的大氣搬送單元之晶圓儲存容器的構成之概略的縱剖面圖。 [圖6]示意地表示圖4所示之實施例的晶圓儲存容器之上方排氣埠的構成之概略的縱剖面圖。 [圖7]示意地表示圖5所示之實施例的晶圓儲存容器之沖洗歧管的構成的橫剖面圖。 [圖8]示意地表示圖5所示之實施例的晶圓儲存容器之沖洗歧管的構成的橫剖面圖。 [圖9]示意地表示圖2所示之晶圓儲存容器的構成之概略的方塊圖。 [圖10]表示圖2所示之實施例的晶圓儲存容器內部之濕度的變化相對於被配置在晶圓儲存容器內之排氣埠的排氣孔之角度的變化之例子的表格。 [圖11]示意地表示圖2所示之實施例的晶圓儲存容器之構成的概略的橫剖面圖。
10:EFEM
11:搬送機械臂
12:百葉片
13:晶圓儲存容器
14:FFU
21:開口部
106:大氣搬送單元
f:氣流
W:晶圓

Claims (8)

  1. 一種真空處理裝置,係具備有:真空處理單元,具有處理被搬送至經減壓之內部的處理對象之晶圓的真空容器;閉鎖室,在內部搬送處理前或處理後的前述晶圓;大氣搬送單元,與該閉鎖室連接,且包含「具有在被設為大氣壓而從上方朝向下方形成氣體之流動的內部搬送前述晶圓之大氣搬送室」的殼體;及晶圓儲存容器,在內部具有處理完畢晶圓的儲存空間,經由「前端部被安裝於前述殼體之側壁並配置於該側壁」的開口,連通大氣搬送室與內部,該真空處理裝置,其特徵係,具備有: 排氣埠,在前述晶圓儲存容器之內部,被配置於前述開口的後方而為前述儲存空間的前方且為該儲存空間的上端部與下端部,將前述儲存空間的氣體排出至外部;及歧管,被配置於前述儲存空間的後方並朝向前述開口被配置於前述上端部與下端部之間,具有將預定氣體供給至該儲存空間之內部的氣體吹出孔。
  2. 如請求項1之真空處理裝置,其中, 從前述開口觀看,前述歧管被配置於前述儲存空間之左右兩側的端部。
  3. 如請求項1或2之真空處理裝置,其中,具備有: 另一個歧管,被配置於前述儲存空間與前述排氣埠之間,將前述預定氣體供給至該儲存空間的內部。
  4. 如請求項3之真空處理裝置,其中, 從前述開口觀看,前述另一個歧管被配置於前述儲存空間之左右兩側的端部。
  5. 如請求項1或2之真空處理裝置,其中, 前述排氣埠,係具有軸往水平方向延伸之管狀的形狀,該管狀之形狀的前述軸被配置為與前述開口平行。
  6. 如請求項5之真空處理裝置,其中, 前述排氣埠,係在前述管狀的形狀之外側壁面上且面向前述儲存空間的部位具備有至少一個排氣孔。
  7. 如請求項6之真空處理裝置,其中, 前述排氣埠被構成為可調節前述排氣孔之面向前述儲存空間的角度。
  8. 如請求項1或2之真空處理裝置,其中, 前述歧管,係具有軸往上下方向延伸之管狀的形狀,在該管狀的形狀之外側壁面上的複數個部位具備有前述氣體吹出孔,該氣體吹出孔位於被儲存在前述儲存空間之內部的前述晶圓與該儲存空間的頂面或底面之間,抑或所儲存的複數個晶圓彼此之間。
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