TWI845205B - 循環裝置以及循環裝置的控制方法 - Google Patents
循環裝置以及循環裝置的控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI845205B TWI845205B TW112109053A TW112109053A TWI845205B TW I845205 B TWI845205 B TW I845205B TW 112109053 A TW112109053 A TW 112109053A TW 112109053 A TW112109053 A TW 112109053A TW I845205 B TWI845205 B TW I845205B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- valve
- liquid
- pipe
- period
- circulation device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 98
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 594
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 111
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 397
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 165
- 230000008569 process Effects 0.000 description 60
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 50
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 43
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 39
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 17
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 17
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 2
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 1
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
本發明的目的在於提供一種效率佳地更換殘留的處理液之技術。在填充新的處理液之前,提高殘留於配管的處理液的溫度。溫度高的液體係黏度降低從而容易從配管排出。被排出之殘留的處理液中之重新儲留於儲留槽的處理液係於外部路徑循環。
Description
本發明係有關於一種循環裝置以及循環裝置的控制方法。
在半導體裝置的製造工序中,對半導體晶圓等基板的表面進行使用了藥液的處理。作為此種處理的例子,能例舉洗淨處理;作為此種藥液(以下亦包含清洗(rinse)液、有機溶劑,亦被稱為「處理液」)的例子,能例舉酸性的液體。
例如,在用以逐片地處理基板之葉片式的基板處理裝置中,一邊略水平地保持基板一邊旋轉基板,並對旋轉中的基板的表面供給處理液。此種處理係在被通稱為腔室(chamber)之處理用的框體中被執行。
此種處理液係在被供給至基板後被回收再利用。具體而言,對腔室供給處理液,被使用於處理之後的處理液係被回收。此種處理液的供給以及回收係藉由設置於腔室的外部的循環裝置來進行。
在設置有複數個腔室之情形中,這些腔室係分別收容於處理單元。處理單元係於略鉛直方向層疊,且被包含於被通稱為塔之構成。會有設置有複數個塔之情形。
從循環裝置供給處理液以及朝循環裝置回收處理液係針對每個塔分別進行。接著,針對每個塔進行針對複數個腔室供給處理液以及回收處理液。
循環裝置係除了進行用以對塔供給處理液以及回收處理液之循環處理(以下簡稱為「外循環」)之外,還進行不經由塔而是在循環裝置的內部中使處理液循環之循環處理(以下簡稱為「內循環」)。
針對分別對此種塔進行的外循環以及內循環,例如在下述專利文獻1中有提到。此外,針對利用硫酸作為處理液之情形,例如在下述專利文獻2中有提到。
此外,處理液藉由本身重量而排出係在下述專利文獻3、專利文獻4以及專利文獻5中有提到。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2021-052038號公報。
[專利文獻2]日本特開2020-088208號公報。
[專利文獻3]日本特開2021-174973號公報。
[專利文獻4]日本特許第5860731號公報。
[專利文獻5]日本特開2021-44476號公報。
循環裝置係具有用以儲留處理液之儲留槽。在外循環以及內循環中,處理液皆暫時地儲留於儲留槽。
為了提高處理液的處理能力,處理液係被更換。以下為了方便說明,亦將這種更換稱為「液體更換」。液體更換係主要排出儲留於儲留槽的處理液,並將處理液重新儲留於儲留槽。在儲留槽以外之例如外循環以及內循環的路徑中殘留的處理液亦為排出的對象。
殘留於外循環的路徑亦即殘留於塔之處理液的量以及處理液的溫度(以下亦稱為「液溫」)係根據狀況而不同。針對內循環的路徑亦同樣。為了與此種狀況對應從而效率佳地進行液體更換,期望在與殘留的處理液的液溫相應的時間進行排出。當處理液的液溫低時,處理液的黏度高;當處理液的黏度高時,排出所需要的時間長。
在將新的處理液導入至循環裝置之前,期望結束排出殘留於循環裝置內的處理液。因此,認為下述手法亦為方法之一:針對殘留的處理液的每個溫度,推定開始排出至結束排出為止的時間(以下亦稱為「排出需要時間」),在使循環裝置開始用以排出的動作後再經過排出需要時間後,將新的處理液導入至循環裝置。然而,此種手法係要求針對殘留的處理液的每個溫度預先推定排出需要時間。
認為只要推定相對於針對殘留的處理液的溫度所設想的下限(例如室溫)之排出需要時間,則即使不針對每個溫度預先推定排出需要時間也沒關係。殘留的處理液的黏度為在下限的溫度中殘留的處理液的黏度以下。認為在經過針對下限的排出需要時間後,不論殘留的處理液的液溫為何,殘留的處理液皆完成排出。
然而會有下述課題:當殘留的處理液的液溫比下限還高時,此種排出需要時間會過度,導致液體更換的效率差。
本發明係有鑑於上文所說明的課題而研創,目的在於提供一種效率佳地更換殘留的處理液之技術。
本發明的第一態樣的循環裝置的控制方法係用以控制循環裝置,前述循環裝置係用以對外部路徑進行液體的供給以及回收。前述循環裝置係具備:儲留槽,係將前述液體作為儲留的對象;第一配管,係被使用於供給前述液體,且具有供前述液體從前述儲留槽流入之第一流入端;第一閥,係連接於前述儲留槽,控制前述液體從前述儲留槽朝前述循環裝置的外部排出;泵,係設置於前述第一配管,將前述液體作為壓出的對象,且具有吸入口以及排出口,前述吸入口係連接於前述第一流入端;加熱器,係在前述第一配管中設置成連接於前述噴出口,且將前述液體作為加熱的對象;第二配管,係被使用於回收前述液體,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第二流出端;第二閥,係設置於前述第二配管,控制前述液體從前述第二流出端朝前述儲留槽流出;第三配管,為前述液體從前述循環裝置的外部中的液體供給源朝前述儲留槽儲留之路徑,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第三流出端;第三閥,係設置於前述第三配管,控制前述液體從前述第三流出端朝前述儲留槽流出;第四配管,係在相對於前述第二閥為前述第二流出端的相反側處連接於前述第二配管,且為前述液體從前述第二配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第四閥,係設置於前述第四配管,控制前述液體的排出。
本發明的第一態樣的循環裝置的控制方法係具備:第一工序,
係在第一期間中將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵;第二工序,在前述第一期間之後的第二期間中,停止前述泵,將前述第一閥、前述第二閥以及前述第四閥設定成打開狀態且將前述第三閥設定成關閉狀態;第三工序,係在前述第二期間之後的第三期間中,停止前述泵,將前述第一閥設定成關閉狀態且將前述第三閥設定成打開狀態;以及第四工序,係在前述第三期間之後的第四期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
本發明的第二態樣的循環裝置的控制方法係如第一態樣的循環裝置的控制方法。在第二態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:第五配管,係在相對於前述加熱器為前述泵的相反側處連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第五流出端;第五閥,係設置於前述第五配管,控制前述液體從前述第五流出端朝前述儲留槽流出;第六配管,係在相對於前述第五閥為前述第五流出端的相反側處連接於前述第五配管,且為前述液體從前述第五配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第六閥,係設置於前述第六配管,控制前述液體的排出。
在本發明的第二態樣的循環裝置的控制方法中,在前述第一工序中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第二工序中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成打開狀態;在前述第四工序中,將前述第五閥設定成打開狀態且將前述第六閥設定成關閉狀態。
本發明的第二態樣的循環裝置的控制方法係進一步地具備:第
五工序,係在前述第三期間與前述第四期間之間的第五期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥以及前述第六閥設定成關閉狀態且將前述第五閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
本發明的第三態樣的循環裝置的控制方法係如第二態樣的循環裝置的控制方法。在第三態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:過濾器,係於前述第一配管中設置於前述加熱器與前述第五配管以及前述第六配管之間;第七配管,係在前述加熱器與前述過濾器之間連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第七流出端;第七閥,係設置於前述第七配管,控制前述液體從前述第七流出端朝前述儲留槽流出;第八配管,係在相對於前述第七閥為前述第七流出端的相反側處連接於前述第七配管,且為前述液體從前述第七配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;第八閥,係設置於前述第八配管,控制前述液體的排出;第九配管,係連接於前述過濾器,且為前述液體從前述過濾器朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第九閥,係設置於前述第九配管,控制前述液體的排出。
在本發明的第三態樣的循環裝置的控制方法中,在前述第一工序中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第二工序中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成打開狀態;在前述第四工序以及前述第五工序中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態。
本發明的第三態樣的循環裝置的控制方法係進一步地具備:第六工序,係在前述第三期間與前述第五期間之間的第六期間中,將前述第一
閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第七閥設定成打開狀態,將前述加熱器驅動從而將前述液體升溫至前述第五期間中的前述液體的溫度以下,驅動前述泵。
本發明的第四態樣的循環裝置的控制方法係如第三態樣的循環裝置的控制方法。在第四態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:第十閥,係連接於前述噴出口,控制前述液體朝前述循環裝置的外部排出。
本發明的第四態樣的循環裝置的控制方法係在前述第一工序、前述第二工序、前述第三工序、前述第四工序、前述第五工序以及前述第六工序中將前述第十閥設定成關閉狀態;前述循環裝置的控制方法係進一步地具備:第七工序,係在前述第三期間與前述第六期間之間的第七期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第十閥設定成打開狀態,驅動前述泵。
本發明的第一態樣的循環裝置係用以對外部路徑進行液體的供給以及回收,並具備:儲留槽,係將前述液體作為儲留的對象;第一配管,係被使用於供給前述液體,且具有供前述液體從前述儲留槽流入之第一流入端;第一閥,係連接於前述儲留槽,控制前述液體從前述儲留槽朝前述循環裝置的外部排出;泵,係設置於前述第一配管,將前述液體作為壓出的對象,且具有吸入口以及排出口,前述吸入口係連接於前述第一流入端;加熱器,係在前述第一配管中設置成連接於前述噴出口,且將前述液體作為加熱的對象;第二配管,係被使用於回收前述液體,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第二流
出端;第二閥,係設置於前述第二配管,控制前述液體從前述第二流出端朝前述儲留槽流出;第三配管,為前述液體從前述循環裝置的外部中的液體供給源朝前述儲留槽儲留之路徑,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第三流出端;第三閥,係設置於前述第三配管,控制前述液體從前述第三流出端朝前述儲留槽流出;第四配管,係在相對於前述第二閥為前述第二流出端的相反側處連接於前述第二配管,且為前述液體從前述第二配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第四閥,係設置於前述第四配管,控制前述液體的排出;以及控制部,係控制前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述泵以及前述加熱器。
前述控制部係構成為:在第一期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵;在前述第一期間之後的第二期間中,停止前述泵,將前述第一閥、前述第二閥以及前述第四閥設定成打開狀態且將前述第三閥設定成關閉狀態;在前述第二期間之後的第三期間中,停止前述泵,將前述第一閥設定成關閉狀態且將前述第三閥設定成打開狀態;在前述第三期間之後的第四期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
本發明的第二態樣的循環裝置係如第一態樣的循環裝置。在第二態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:第五配管,係在相對於前述加熱器為前述泵的相反側處連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第五流出端;第五閥,係設置於前述第五配管,控制前述液體從前述第五
流出端朝前述儲留槽流出;第六配管,係在相對於前述第五閥為前述第五流出端的相反側處連接於前述第五配管,且為前述液體從前述第五配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第六閥,係設置於前述第六配管,控制前述液體的排出。
在本發明的第二態樣的循環裝置中,前述控制部係構成為:在前述第一期間中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第二期間中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成打開狀態;在前述第四期間中,將前述第五閥設定成打開狀態且將前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第四期間之間的第五期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥以及前述第六閥設定成關閉狀態且將前述第五閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
本發明的第三態樣的循環裝置係如第二態樣的循環裝置。在第三態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:過濾器,係於前述第一配管中設置於前述加熱器與前述第五配管以及前述第六配管之間;第七配管,係在前述加熱器與前述過濾器之間連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第七流出端;第七閥,係設置於前述第七配管,控制前述液體從前述第七流出端朝前述儲留槽流出;第八配管,係在相對於前述第七閥為前述第七流出端的相反側處連接於前述第七配管,且為前述液體從前述第七配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;第八閥,係設置於前述第八配管,控制前述液體的排出;第九配管,係連接於前述過濾器,且為前述液體從前述過濾器朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第九閥,係設置於前述第九配管,控制前述液體的排出。
在本發明的第三態樣的循環裝置中,前述控制部係構成為:在前述第一期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第二期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成打開狀態;在前述第四期間以及前述第五期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第五期間之間的第六期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第七閥設定成打開狀態,將前述加熱器驅動從而將前述液體升溫至前述第五期間中的前述液體的溫度以下,驅動前述泵。
本發明的第四態樣的循環裝置係如第三態樣的循環裝置。在第四態樣中,前述循環裝置係進一步地具備:第十閥,係連接於前述噴出口,控制前述液體朝前述循環裝置的外部排出。
在本發明的第四態樣的循環裝置中,前述控制部係構成為:在前述第一期間、前述第二期間、前述第三期間、前述第四期間、前述第五期間以及前述第六期間中,將前述第十閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第六期間之間的第七期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第十閥設定成打開狀態,驅動前述泵。
本發明的第一態樣的循環裝置的控制方法以及本發明的第一態樣的循環裝置係效率佳地排出殘留的液體,從而有助於提升液體更換的效率。
本發明的第二態樣的循環裝置的控制方法以及本發明的第二態
樣的循環裝置係降低被供給至外循環之液體的黏度,從而有助於順暢地進行外循環。
本發明的第三態樣的循環裝置的控制方法以及本發明的第三態樣的循環裝置係有助於順暢地進行內循環。
本發明的第四態樣的循環裝置的控制方法以及本發明的第四態樣的循環裝置係有助於置換殘留於泵內的液體。
1:配管(第一配管)
2:配管(第二配管)
3:配管(第三配管)
4:配管(第四配管)
5:配管(第五配管)
6:配管(第六配管)
7:配管(第七配管)
8:配管(第八配管)
9:配管(第九配管)
11:加熱器
12:泵
12a:吸入口
12b:噴出口
15:流量計
16,161,163:過濾器
17:溫度計
18:壓力計
21:閥(第二閥)
30:處理液供給源(液體供給源)
31:閥(第三閥)
40:廢液部(外部)
51:閥(第五閥)
71:閥(第七閥)
71a:第一臂
71d:第一開閉部
71m:第一臂驅動機構
71M:第一移動單元
71n:第一移動噴嘴
71s:第一轉動軸
72a:第二臂
72d:第二開閉部
72m:第二臂驅動機構
72M:第二移動單元
72n:第二移動噴嘴
72s:第二轉動軸
73a:第三臂
73m:第三臂驅動機構
73M:第三移動單元
73n:第三移動噴嘴
73s:第三轉動軸
73w:隔壁
74,74A,74B:搬運空間
75,75A,75B:第二搬運機構
76,76A至76D:處理單元
77,77A,77B:基板載置部
79:控制部
79Bu:匯流排線
80:閥(第十閥)
81:閥(第一閥)
84:閥(第四閥)
86:閥(第六閥)
88:閥(第八閥)
89:閥(第九閥)
100:循環裝置
101:流入端(第一流入端)
202:流出端(第二流出端)
302:流出端(第三流出端)
401,501,707:端
502:流出端(第五流出端)
701,702:處理液分配部
703,704:處理液供給源
705:處理液收容部
708:流出端(第七流出端)
711:保持部
711b:自轉基座
711m:電動馬達
711p:夾具銷
711s:旋轉軸
712:流體供給部
717:罩杯
718:供氣部
719:加熱器單元
719e:通電單元
719r:升降軸
719m:升降單元
719u:加熱面
721:承載器載置部
722:搬運空間
723:第一搬運機構
751:手部
752:手部驅動部
752a:支柱
752b:垂直移動部
752c:水平移動部
752d:旋轉部
752e:進退移動部
761:處理室
761o:基板搬運口
761s:處理空間
762,762A至762D:供給管空間
762o:排氣口
763,763A至763D:排氣管空間
768:排氣部
770:排氣路徑切換機構
771,771A至771D:第一垂直排氣管
772,772A至772D:第二垂直排氣管
773,773A至773D:第三垂直排氣管
780:水平排氣系統
781A,781B:第一水平排氣管
782A,782B:第二水平排氣管
783A,783B:第三水平排氣管
790:基板處理裝置
791:通訊部
792:索引部
793:處理區
794:記憶部
795:處理部
795a:運算處理部
795b:記憶體
796:驅動器
797:輸入部
798:輸出部
891,893:閥
7231:手部
7232:手部驅動部
7232a:軌道
7232b:水平移動部
7232c:垂直移動部
7232d:旋轉部
7232e:進退移動部
A1,A2,A3,A4,A5,A6:旋轉軸線
C:承載器
Fd,Pd,Td:資料
F1,F1a,F1b,F2,F2b,F3a,F3b,F4,F5,F6,F7,F7b,F8,F9,F91,F93:液流
J1,J2,J3,J4,J5,J6,J7:工序
P:外部路徑
P1:第一處理液供給管
P1a,P1b,P3a,P3b:配管
P2:第二處理液供給管
P3:第三處理液供給管
P10,P30:塔
Pg1:程式
Q:液體
Qt:液溫
Sh:控制訊號
Sm1:記憶媒體
Sp,Sv:控制訊號
S11至S24:步驟
T:儲留槽
T1,T4,T5,T6:溫度
U:控制部
V1:第一處理液開閉閥
V2:第二處理液開閉閥
V3:第三處理液開閉閥
W:基板
Wa:上表面
[圖1]係示意性地顯示基板處理裝置之橫向剖視圖。
[圖2]係示意性地顯示基板處理裝置之縱向剖視圖。
[圖3]係示意性地顯示沿著基板處理裝置的Ⅲ-Ⅲ剖線的縱向剖面之縱向剖視圖。
[圖4]係示意性地顯示沿著左方向觀看處理區的左部之構成的一例之側視圖。
[圖5]係示意性地顯示沿著右方向觀看處理區的右部之構成的一例之側視圖。
[圖6]係示意性地顯示處理單元的構成之橫向剖視圖。
[圖7]係示意性地顯示處理單元的構成之縱向剖視圖。
[圖8]係顯示用以控制基板處理裝置的各個構成的動作之功能性的構成之方塊圖。
[圖9]係顯示控制部的一個構成例之方塊圖。
[圖10]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖11]係例示位於循環裝置的外部之外部路徑的構成之圖。
[圖12]係顯示控制部的功能的概略之方塊圖。
[圖13]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖14]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖15]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖16]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖17]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖18]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖19]係例示循環裝置的構成之配管圖。
[圖20]係例示循環裝置的動作之流程圖。
以下,一邊參照隨附的圖式一邊說明本發明的各個實施形態。此外,各個實施形態所記載的構成要素僅為例示,並非是用以將本發明的範圍限定於這些例示。圖式僅為示意性地顯示。為了容易理解,會有在圖式中因應需要誇張地或者簡略地圖示各個部分的尺寸以及數量之情形。在圖式中於具有相同的構成以及功能之部分附註相同的元件符號並適當地省略重複的說明。
在以下的說明中,為了說明各個要素的位置關係,採用右手系統的XYZ軸正交座標系統。具體而言,設想X軸以及Y軸於水平方向延伸且Z軸於鉛直方向(上下方向)延伸之情形。此外,在圖式中,將朝向箭頭的前端之方向定義成+(正)方向來顯示,將+(正)方向的相反方向定義成-(負)方向來顯示。
具體而言,鉛直方向上方向為+Z方向,鉛直方向下方向為-Z方向。
在本說明書中,只要未特別地說明,則用以表示相對性或者絕對性的位置關係之表現(例如「平行」、「正交」、「中心」)係不僅嚴密地表示所指稱的位置關係,亦表示包含公差的狀態以及表示在能獲得相同程度的功能之範圍內角度或者距離已相對性地位移的狀態。只要未特別地說明,則用以表示兩個以上的指稱對象相等的狀態之表現(例如「相同」、「相等」、「均質」)係不僅表示定量地且嚴密地相等的狀態,亦表示存在公差或者能獲得相同程度的功能之誤差的狀態。
只要未特別地說明,則用以表示形狀之表現(例如「四角形狀」或者「圓筒形狀」等)係不僅幾何學性地且嚴密地表示所指稱的形狀,亦表示在能獲得相同程度的功效的範圍內具有例如凹凸或者倒角等的形狀。
「具備」、「具有」、「具備有」、「含有」或者「包含」一個構成要素之此種表現並非是將其他的構成要素的存在排除之排他式的表現。
只要未特別地說明,則「連結」此種表現為除了包含兩個要素接觸的狀態亦包含兩個要素隔著其他的要素分離的狀態之表現。
只要未特別地說明,則「使~於某個方向移動」係不僅包含與該某個方向平行地移動之情形,亦包含朝具有與該某個方向的成分之方向移動之情形。
[1.基板處理裝置790的構成]
圖1係示意性地顯示基板處理裝置790之橫向剖視圖。圖2係示意性地顯示沿著基板處理裝置790的前後方向(±X方向)的縱向剖面之縱向剖視圖。
基板處理裝置790係使用在與本發明的循環裝置之間進行供給以
及回收的處理液來處理基板W(例如半導體晶圓)。本發明的循環裝置以及循環裝置的控制方法將於後面詳細說明。亦可將循環裝置與基板處理裝置790統稱為基板處理系統。
基板W係例如應用略圓盤狀的薄的平板。在圖1中,被收容於後述的承載器(carrier)C之基板W的外緣以及被後述的保持部711保持的基板W的外緣皆以虛線來顯示。
基板處理裝置790係具備索引(indexer)部792以及處理區793。處理區793係連結於索引部792。
索引部792以及處理區793係於水平方向排列。索引部792係例如將基板W提供至處理區793。處理區793係例如對基板W進行處理。索引部792係例如從處理區793回收基板W。
在本說明書中,為了方便,將索引部792與處理區793排列的水平方向係被採用於±X方向(亦稱為前後方向)。±X方向(前後方向)中之從處理區793朝向索引部792之方向係被採用於-X方向(亦稱為前方向或者前方),±X方向(前後方向)中之從索引部792朝向處理區793之方向係被採用於+X方向(亦稱為後方向或者後方)。
與±X方向(前後方向)正交的水平方向係被採用於±Y方向(亦稱為寬度方向)。±Y方向(寬度方向)中之朝向-X方向(前方向)時朝向右側的方向係被採用於+Y方向(亦稱為右方向或者右方),±Y方向(寬度方向)中之朝向-X方向(前方向)時朝向左側的方向係被採用於-Y方向(亦稱為左方向或者左方)。
相對於水平方向之垂直的方向係被採用於±Z方向(亦稱為上下方向)。±Z方向(上下方向)中之重力方向係被採用於-Z方向(亦稱為下方向或者下
方),±Z方向(上下方向)中之與重力方向相反的方向係被採用於+Z方向(亦稱為上方向或者上方)。在未特別地區分前方、後方、右方以及左方之情形中,這些方向皆被簡稱為側方。
[1-1.索引部792的構成]
如圖1所示,索引部792係具備搬運空間722、複數個(例如四個)承載器載置部721以及一個以上(例如一個)的第一搬運機構(亦稱為索引機構)723。
複數個承載器載置部721係排列於寬度方向(±Y方向)。於各個承載器載置部721載置有一個承載器C。承載器C係收容複數片基板W。承載器C例如應用FOUP(Front Opening Unified Pod;前開式晶圓傳送盒)。
搬運空間722係位於承載器載置部721的後方(+X方向)。搬運空間722係於寬度方向(±Y方向)延伸。第一搬運機構723係位於搬運空間722。
第一搬運機構723係位於承載器載置部721的後方(+X方向)。第一搬運機構723係搬運基板W。第一搬運機構723係存取(access)載置於承載器載置部721的承載器C。
第一搬運機構723係具備手部7231以及手部驅動部7232。手部7231係以水平姿勢支撐一片基板W。手部驅動部7232係連結於手部7231並使手部7231移動。具體而言,手部驅動部7232係使手部7231於前後方向(±X方向)、寬度方向(±Y方向)以及上下方向(±Z方向)移動。手部驅動部7232係具有複數個電動馬達。
如圖1以及圖2所示,手部驅動部7232係例如具備軌道7232a、水平移動部7232b、垂直移動部7232c、旋轉部7232d以及進退移動部7232e。
軌道7232a係例如固定於搬運空間722的底部。軌道7232a係於寬
度方向(±Y方向)延伸。
水平移動部7232b係被軌道7232a支撐。水平移動部7232b係相對於軌道7232a於寬度方向(±Y方向)移動。
垂直移動部7232c係被水平移動部7232b支撐。垂直移動部7232c係相對於水平移動部7232b於上下方向移動。
旋轉部7232d係被垂直移動部7232c支撐。旋轉部7232d係相對於垂直移動部7232c旋轉。旋轉部7232d係以旋轉軸線A1作為中心旋轉。旋轉軸線A1為沿著上下方向延伸的虛擬線。
進退移動部7232e係相對於旋轉部7232d移動。進退移動部7232e係沿著藉由旋轉部7232d的朝向所決定的水平方向往復移動。進退移動部7232e係連接於手部7231。
藉由此種手部驅動部7232,手部7231係實現上下方向中的平行移動、任意的水平方向中的平行移動以及將旋轉軸線A1作為中心的旋轉移動。
[1-2.處理區793的構成]
圖3係示意性地顯示朝向後方向(+X方向)觀看沿著圖1的基板處理裝置790的Ⅲ-Ⅲ剖線的縱向剖面的一例之縱向剖視圖。圖4係示意性地顯示沿著左方向(-Y方向)觀看處理區793的左方(-Y方向)的部分(亦稱為左部)之構成的一例之側視圖。圖5係示意性地顯示沿著右方向(+Y方向)觀看處理區793的右方(+Y方向)的部分(亦稱為右部)之構成的一例之側視圖。
例如,如圖1至圖5所示,處理區793係具備兩個搬運空間74A、74B、兩個第二搬運機構75A、75B、複數個(在此為二十四個)處理單元76、兩個基板載置部77A、77B、一個隔壁73w以及水平排氣系統780。
搬運空間74A係位於寬度方向(±Y方向)中的處理區793的中央部。搬運空間74A係於前後方向(±X方向)延伸。搬運空間74A的前方的部分(亦稱為前部)係與索引部792的搬運空間722連結。
搬運空間74B係具有與搬運空間74A略相同的形狀。具體而言,搬運空間74B係位於寬度方向(±Y方向)中的處理區793的中央部。搬運空間74B係於前後方向(±X方向)延伸。搬運空間74B的前方的部分(亦稱為前部)係與索引部792的搬運空間722連結。
搬運空間74B係位於搬運空間74A的下方。俯視觀看時,搬運空間74B係位於與搬運空間74A重疊的位置。在不彼此區別搬運空間74A、74B之情形中,搬運空間74A、74B皆簡稱為搬運空間74。
隔壁73w係具有例如水平的板形狀。隔壁73w係位於搬運空間74A的下方且位於搬運空間74B的上方。隔壁73w係區隔搬運空間74A與搬運空間74B。
基板載置部77A係位於搬運空間74A。基板載置部77A係位於搬運空間74A的前部。索引部792的第一搬運機構723亦存取基板載置部77A。於基板載置部77A載置有一片或者複數片基板W。
基板載置部77B係位於搬運空間74B。基板載置部77B係位於基板載置部77A的下方。基板載置部77B係位於搬運空間74B的前部。俯視觀看時,基板載置部77B係位於與基板載置部77A重疊的位置。俯視觀看時,基板載置部77B係位於與基板載置部77A相同的位置。
索引部792的第一搬運機構723亦存取基板載置部77B。於基板載置部77B載置有一片或者複數片基板W。在不彼此區別基板載置部77A、77B之
情形中,基板載置部77A、77B皆簡稱為基板載置部77。
第二搬運機構75A係位於搬運空間74A。第二搬運機構75A係搬運基板W。第二搬運機構75A係存取基板載置部77A。
第二搬運機構75B係位於搬運空間74B。第二搬運機構75B係搬運基板W。第二搬運機構75B係具有與第二搬運機構75A相同的構造。第二搬運機構75B係存取基板載置部77B。在不彼此區別第二搬運機構75A、75B之情形中,第二搬運機構75A、75B皆簡稱為第二搬運機構75。
各個第二搬運機構75係具備手部751以及手部驅動部752。手部751係以水平姿勢支撐一片基板W。手部驅動部752係連結於手部751。手部驅動部752係使手部751於前後方向(±X方向)、寬度方向(±Y方向)以及上下方向移動。手部驅動部752係具備複數個電動馬達。
具體而言,手部驅動部752係例如具備兩個支柱752a、垂直移動部752b、水平移動部752c、旋轉部752d以及進退移動部752e。
兩個支柱752a係例如固定於搬運空間722的側部。兩個支柱752a係於前後方向(±X方向)排列。各個支柱752a係於上下方向延伸。
垂直移動部752b係被兩個支柱752a支撐。垂直移動部752b係於前後方向(±X方向)延伸,且架設於兩個支柱752a之間。垂直移動部752b係相對於兩個支柱752a於上下方向移動。
水平移動部752c係被垂直移動部752b支撐。水平移動部752c係相對於垂直移動部752b於前後方向(±X方向)移動。水平移動部752c係在兩個支柱752a之間於前後方向(±X方向)移動。
旋轉部752d係被水平移動部752c支撐。旋轉部752d係相對於水
平移動部752c旋轉。旋轉部752d係將旋轉軸線A2作為中心旋轉。旋轉軸線A2為沿著上下方向延伸的虛擬線。
進退移動部752e係相對於旋轉部752d移動。進退移動部752e係於藉由旋轉部752d的朝向所決定的水平方向往復移動。進退移動部752e係連接於手部751。
藉由此種手部驅動部752,手部751係執行上下方向中的平行移動、任意的水平方向中的平行移動以及將旋轉軸線A2作為中心的旋轉移動。
二十四個處理單元76係分別對藉由第二搬運機構75所搬運的基板W進行預定的處理。
處理區793係具備六個處理單元76A、六個處理單元76B、六個處理單元76C以及六個處理單元76D。在不彼此區別處理單元76A、76B、76C、76D之情形中,處理單元76A、76B、76C、76D皆簡稱為處理單元76。
六個處理單元76A係以於上下方向層疊的方式配置。換言之,六個處理單元76A係於上下方向排列成一行(column)。六個處理單元76B係以於上下方向層疊的方式配置。換言之,六個處理單元76B係於上下方向排列成一行。六個處理單元76C係以於上下方向層疊的方式配置。換言之,六個處理單元76C係於上下方向排列成一行。六個處理單元76D係以於上下方向層疊的方式配置。換言之,六個處理單元76D係於上下方向排列成一行。
六個處理單元76A、六個處理單元76B、六個處理單元76C以及六個處理單元76D係分別包含於上文所說明的塔(在此為四個塔)。
六個處理單元76A中的六個處理室761係在上下方向層疊。六個處理單元76B中的六個處理室761係在上下方向層疊。六個處理單元76C中的六
個處理室761係在上下方向層疊。六個處理單元76D中的六個處理室761係在上下方向層疊。
六個處理單元76A以及六個處理單元76B係位於搬運空間74A、74B的左方(-Y方向)。六個處理單元76A以及六個處理單元76B係沿著搬運空間74A、74B於前後方向(±X方向)排列。六個處理單元76B係位於六個處理單元76A的後方(+X方向)。
六個處理單元76C以及六個處理單元76D係位於搬運空間74A、74B的右方(+Y方向)。六個處理單元76C以及六個處理單元76D係沿著搬運空間74A、74B於前後方向(±X方向)排列。六個處理單元76D係位於六個處理單元76C的後方(+X方向)。
六個處理單元76A以及六個處理單元76C係隔著搬運空間74A、74B而對向。六個處理單元76B以及六個處理單元76D係隔著搬運空間74A、74B而對向。
第二搬運機構75係存取處理單元76的保持部711。位於隔壁73w的上方的第二搬運機構75A係將基板W搬運至二十四個處理單元76中的上側的十二個(四個×上方三段)的處理單元76,並從二十四個處理單元76中的上側的十二個處理單元76搬出基板W。位於隔壁73w的下方的第二搬運機構75B係將基板W搬運至二十四個處理單元76中的下側的十二個(四個×下方三段)的處理單元76,並從二十四個處理單元76中的下側的十二個處理單元76搬出基板W。
[1-3.處理單元76的構成]
圖6係以處理單元76A作為例子示意性地顯示處理單元76的構成之橫向剖視圖。各個處理室761係鄰接於搬運空間74。
圖7係以處理單元76C作為例子示意性地顯示處理單元76的概略性的構成之縱向剖視圖。
如圖6以及圖7所示,各個處理單元76係具備處理室761(亦稱為腔室或者處理框體)、供給管空間762以及排氣管空間763。例如,複數個處理單元76係具有相同的構造。
[1-4.處理室761的構成]
處理室761係例如具有略箱形狀。處理室761係例如在俯視觀看、正面觀看以及側視觀看時具有略矩形形狀。處理室761係於內部具有處理空間761s。處理單元76係在處理空間761s中處理基板W。在圖6中以虛線顯示被保持部711保持的基板W的外緣。
處理室761係於搬運空間74之側具有基板搬運口761o。基板搬運口761o係形成於處理室761的側壁。基板搬運口761o係具有能夠供基板W通過的尺寸。第二搬運機構75係使基板W經由基板搬運口761o在處理室761的外部(具體而言為搬運空間74)與處理室761的內部(具體而言為處理空間761s)之間移動。各個處理單元76係具有用以將基板搬運口761o打開以及關閉之擋門(shutter)(未圖示)。
各個處理單元76係例如具備保持部711以及流體供給部712。
保持部711係位於處理室761的內部。保持部711係保持基板W。更具體而言,保持部711係以水平姿勢保持一片基板W。保持部711係例如包含將沿著鉛直方向的虛擬性的旋轉軸線A3作為中心使被保持部711保持的基板W旋轉之部分(亦稱為驅動部)。
於保持部711應用自轉夾具(spin chuck)。自轉夾具係例如將旋轉
軸線A3作為中心使基板W旋轉,該旋轉軸線A3係通過基板W的中央部且沿著上下方向延伸。
具體而言,自轉夾具係包含:夾具銷(chuck pin)711p(夾具構件);自轉基座(spin base)711b;旋轉軸711s,係結合於自轉基座711b的下表面中央;以及電動馬達711m,係作為驅動部,對旋轉軸711s賦予旋轉力。
旋轉軸711s係沿著旋轉軸線A3於上下方向延伸。例如,旋轉軸711s為中空軸。
於旋轉軸線711s的上端結合有自轉基座711b。自轉基座711b係具有沿著水平方向的圓盤形狀。自轉基座711b係俯視觀看時為將旋轉軸線A3作為中心之圓形,且具有比基板W的直徑還大的直徑。於自轉基座711b的上表面的周緣部的周方向隔著間隔配置有複數個(例如六個)夾具銷711p。
複數個夾具銷711p係能夠在關閉狀態與打開狀態之間打開以及關閉,該關閉狀態為夾具銷711p接觸至基板W的周端並把持基板W之狀態,該打開狀態為夾具銷711p已經從基板W的周端退避之狀態。複數個夾具銷711p係例如在打開狀態下接觸至基板W的周緣部的下表面並從下方支撐基板W。
夾具銷711p係例如藉由包含連桿(link)機構以及驅動源的單元進行開閉驅動,該連桿機構係內置於自轉基座711b,該驅動源係位於自轉基座711b的外部。驅動源係例如包含滾珠螺桿機構以及電動馬達,該電動馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。
各個處理單元76係例如具備加熱器單元719。加熱器單元719係位於自轉基座711b的上方。於加熱器單元719的下表面結合有升降軸719r,升降軸719r係沿著旋轉軸線A3於上下方向延伸。
升降軸719r係插通於貫通孔以及中空部分,該貫通孔係於上下方向貫通自轉基座711b的中央部,該中空部分係貫通至旋轉軸711s的上下方向。
升降軸719r的下端係延伸至比旋轉軸711s的下端還下方。於升降軸719r的下端結合有升降單元719m。使升降單元719m作動,藉此加熱器單元719係在下位置與上位置之間上下動作,該下位置為加熱器單元719接近自轉基座711b的上表面之位置,該上位置為加熱器單元719支撐基板W的下表面並從夾具銷711p抬起基板W之位置。
升降單元719m係例如包含滾珠螺桿機構以及電動馬達,該電動馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。藉此,升降單元719m係能將加熱器單元719配置於下位置與上位置之間的任意的中間位置。
例如,能在將加熱器單元719的上表面的加熱面719u配置於與基板W的下表面之間隔著預定的間隔的隔離位置之狀態下,藉由來自加熱面719u的放射熱能將基板W加熱。例如,只要藉由加熱器單元719抬起基板W,即能在使加熱面719u接觸至基板W的下表面之接觸狀態下藉由來自加熱面719u的熱傳導以更大的熱量加熱基板W。
加熱器單元719係具有圓板狀的熱板的形態。加熱器單元719係包含板本體、加熱器以及複數個支撐銷。板本體的上表面為沿著水平面之平面。俯視觀看時,板本體係具有與基板W同樣的圓形形狀以及比基板W的直徑稍小的直徑。
板本體的外周端係位於複數個夾具銷711p的內側方向。換言之,在水平方向中,板本體係被複數個夾具銷711p圍繞。藉此,在加熱器單元719上下動作時加熱器單元719不會與夾具銷711p干擾。
複數個支撐銷係分別為半球狀的銷,例如以從板本體的上表面稍微朝上方突出之方式配置。複數個支撐銷係大致均等地配置於板本體的上表面。於板本體的上表面(加熱面719u)亦可不存在有複數個支撐銷。
例如,在複數個基板W接觸至支撐銷並被支撐銷支撐時,基板W的下表面與板本體的上表面(加熱面719u)係隔著微小間隔而對向。藉此,能藉由加熱器單元719有效率且均勻地加熱基板W。
加熱器係例如應用內置於板本體的電阻體。板本體的上表面(加熱面719u)係能例如藉由朝加熱器的通電而被加熱至比有機溶劑的沸點還高溫。供電線係通過升降軸719r內朝向加熱器。並且,於供電線連接有通電單元719e,通電單元719e係對加熱器供給電力。
各個處理單元76係例如具備:筒狀的罩杯(cup)717,係例如在處理室761的內部圍繞保持部711。
流體供給部712係對被保持部711保持的基板W供給複數種類的流體。複數種類的流體係例如包含藥液、清洗液以及有機溶劑等處理液。藥液係例如包含蝕刻液以及洗淨液。藥液係例如應用酸性液(酸系的液體)以及鹼性液(鹼系的液體)。
酸性液係例如包含氫氟酸(亦可稱為氟化氫酸)、鹽酸過氧化氫水混合液(亦可稱為SC2(Standard clean-2;第二標準清洗液))、硫酸、硫酸過氧化氫水混合液(亦可稱為SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture))、氫氟硝酸(亦即氫氟酸與硝酸的混合液)以及鹽酸中的至少一者。
鹼性液係例如包含氨水過氧化氫水混合液(亦可稱為SC1(Standard clean-1;第一標準清洗液))、氨水、氟化銨溶液以及氫氧化四甲
銨(亦可稱為TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide))中的至少一者。
清洗液係例如為用以沖洗基板W上的藥液之液體。清洗液係例如應用去離子水(亦可稱為DIW(deionized water))。
有機溶劑係例如為用以排除基板W上的清洗液之液體。有機溶劑係例如應用異丙醇(亦可稱為IPA(isopropyl alcohol))等。
複數個流體係例如包含惰性氣體等氣體。惰性氣體係例如應用氮氣體等。
流體供給部712係例如包含:第一移動噴嘴71n、第二移動噴嘴72n以及第三移動噴嘴73n,係分別噴出預定的流體。
第一移動噴嘴71n係藉由第一移動單元71M移動至水平方向。第一移動噴嘴71n係藉由朝向水平方向的移動而能在第一噴出位置與第一起始位置之間移動,第一噴出位置為與被保持部711保持的基板W的上表面Wa的旋轉中心對向之位置,第一起始位置為未與被保持部711保持的基板W的上表面Wa對向之位置。
第一噴出位置亦可為例如從第一移動噴嘴71n噴出的第一處理液著落至基板W的上表面的旋轉中心之位置。第一起始位置為俯視觀看時為保持部711的外側方向的位置。更具體而言,第一起始位置亦可為俯視觀看時為罩杯717的外側方向的位置。
藉由第一移動單元71M所為之朝向上下方向的移動,第一移動噴嘴71n亦可接近至被保持部711保持的基板W的上表面Wa,第一移動噴嘴71n亦可從被保持部711保持的基板W的上表面Wa退避至上方。
第一移動單元71M係例如包含:第一轉動軸71s,係於上下方向
延伸;第一臂71a,係結合於第一轉動軸71s並水平地延伸;以及第一臂驅動機構71m,係驅動第一臂71a。
第一臂驅動機構71m係使第一轉動軸71s以沿著上下方向延伸的虛擬性的轉動軸線A4作為中心轉動,藉此使第一臂71a擺動。第一移動噴嘴71n係安裝於第一臂71a中之從轉動軸線A4朝水平方向離開的部位。
如圖6中的二點鏈線的箭頭所示,因應第一臂71a的擺動,第一移動噴嘴71n係在水平方向中沿著圓弧狀的軌道移動。第一臂驅動機構71m亦可例如使第一轉動軸71s沿著上下方向升降,藉此使第一臂71a上下動作。
第一移動噴嘴71n係具有對被保持部711保持的基板W的上表面Wa供給第一種處理液(以下稱為第一處理液)之功能。於第一移動噴嘴71n結合有第一處理液供給管P1,第一處理液供給管P1係作為用以供給第一處理液之管發揮作用。
於第一處理液供給管P1夾設有第一處理液開閉閥V1,第一處理液開閉閥V1係作為用以將第一處理液供給管P1的流路打開以及關閉之閥發揮作用。從後述的處理液分配部701或者處理液分配部702對第一處理液供給管P1供給第一處理液。在此,第一處理液係應用硫酸(HSO)等酸性液。第一移動噴嘴71n係可為用以噴出第一處理液之直式噴嘴(straight nozzle),亦可為用以將第一處理液與惰性氣體混合並噴出之雙流體噴嘴。
第二移動噴嘴72n係藉由第二移動單元72M移動至水平方向。第二移動噴嘴72n係藉由朝向水平方向的移動而能在第二噴出位置與第二起始位置之間移動,第二噴出位置為與被保持部711保持的基板W的上表面Wa的旋轉中心對向之位置,第二起始位置為未與被保持部711保持的基板W的上表面Wa
對向之位置。
第二噴出位置亦可為例如從第二移動噴嘴72n噴出的第二處理液著落至基板W的上表面Wa的旋轉中心之位置。第二起始位置為俯視觀看時為保持部711的外側方向的位置。更具體而言,第二起始位置亦可為俯視觀看時為罩杯717的外側方向的位置。
藉由第二移動單元72M所為之朝向上下方向的移動,第二移動噴嘴72n亦可接近至被保持部711保持的基板W的上表面Wa,第二移動噴嘴72n亦可從被保持部711保持的基板W的上表面Wa退避至上方。
第二移動單元72M係例如包含:第二轉動軸72s,係於上下方向延伸;第二臂72a,係結合於第二轉動軸72s並水平地延伸;以及第二臂驅動機構72m,係驅動第二臂72a。
第二臂驅動機構72m係使第二轉動軸72s以沿著上下方向延伸的虛擬性的轉動軸線A5作為中心轉動,藉此使第二臂72a擺動。第二移動噴嘴72n係安裝於第二臂72a中之從轉動軸線A5朝水平方向離開的部位。
如圖6中的二點鏈線的箭頭所示,因應第二臂72a的擺動,第二移動噴嘴72n係在水平方向中沿著圓弧狀的軌道移動。第二臂驅動機構72m亦可例如使第二轉動軸72s沿著上下方向升降,藉此使第二臂72a上下動作。
第二移動噴嘴72n係具有對被保持部711保持的基板W的上表面Wa供給第二種處理液(以下稱為第二處理液)之功能。於第二移動噴嘴72n結合有第二處理液供給管P2,第二處理液供給管P2係作為用以供給第二處理液之管發揮作用。
於第二處理液供給管P2夾設有第二處理液開閉閥V2,第二處理
液開閉閥V2係作為用以將第二處理液供給管P2的流路打開以及關閉之閥發揮作用。從後述的處理液分配部701或者處理液分配部702對第二處理液供給管P2供給第二處理液。在此,第二處理液係應用氨水過氧化氫水混合液(SC1)等鹼性液。第二移動噴嘴72n係可為用以噴出第二處理液之直式噴嘴,亦可為用以將第二處理液與惰性氣體混合並噴出之雙流體噴嘴。
第三移動噴嘴73n係藉由第三移動單元73M移動至水平方向。第三移動噴嘴73n係藉由朝向水平方向的移動而能在第三噴出位置與第三起始位置之間移動,第三噴出位置為與被保持部711保持的基板W的上表面Wa的旋轉中心對向之位置,第三起始位置為未與被保持部711保持的基板W的上表面Wa對向之位置。
第三噴出位置亦可為例如從第三移動噴嘴73n噴出的第三處理液著落至基板W的上表面Wa的旋轉中心之位置。第三起始位置為俯視觀看時為保持部711的外側方向的位置。更具體而言,第三起始位置亦可為俯視觀看時為罩杯717的外側方向的位置。
藉由第三移動單元73M所為之朝向上下方向的移動,第三移動噴嘴73n亦可接近至被保持部711保持的基板W的上表面Wa,第三移動噴嘴73n亦可從被保持部711保持的基板W的上表面Wa退避至上方。
第三移動單元73M係例如包含:第三轉動軸73s,係於上下方向延伸;第三臂73a,係結合於第三轉動軸73s並水平地延伸;以及第三臂驅動機構73m,係驅動第三臂73a。
第三臂驅動機構73m係使第三轉動軸73s以沿著上下方向延伸的虛擬性的轉動軸線A6作為中心轉動,藉此使第三臂73a擺動。第三移動噴嘴73n
係安裝於第三臂73a中之從轉動軸線A6朝水平方向離開的部位。
如圖6中的二點鏈線的箭頭所示,因應第三臂73a的擺動,第三移動噴嘴73n係在水平方向中沿著圓弧狀的軌道移動。第三臂驅動機構73m亦可例如使第三轉動軸73s沿著上下方向升降,藉此使第三臂73a上下動作。
第三移動噴嘴73n係具有對被保持部711保持的基板W的上表面Wa供給第三種處理液(以下稱為第三處理液)之功能。於第三移動噴嘴73n結合有第三處理液供給管P3,第三處理液供給管P3係作為用以供給第三處理液之管發揮作用。
於第三處理液供給管P3夾設有第三處理液開閉閥V3,第三處理液開閉閥V3係作為用以將第三處理液供給管P3的流路打開以及關閉之閥發揮作用。從後述的處理液分配部701或者處理液分配部702對第三處理液供給管P3供給第三處理液。在此,第三處理液係應用去離子水(DIW)等清洗液。第三移動噴嘴73n係可為用以噴出第三處理液之直式噴嘴,亦可為用以將第三處理液與惰性氣體混合並噴出之雙流體噴嘴。
處理單元76係例如具備風扇過濾器單元(FFU;fan filter unit)作為供氣部718。風扇過濾器單元係能將設置有基板處理裝置790的無塵室內的空氣進一步地潔淨化並供給至處理室761的內部。
風扇過濾器單元係例如安裝於處理室761的頂壁。風扇過濾器單元係具備風扇以及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air;高效率粒子空氣)過濾器)等,風扇係用以取入無塵室內的空氣並送出至處理室761的內部;風扇過濾器單元係能於處理室761的內部形成潔淨空氣的降流(down flow)。為了使從風扇過濾器單元所供給的潔淨空氣更均勻地分散至處理室761
的內部,亦可於頂壁的正下方配置有穿設了眾多的吹出孔之衝孔板(punching plate)。
例如,於處理室761的側壁的一部分且為處理室761的底壁的附近設置有排氣口762o,排氣口762o係連通地連接於基板處理裝置790的外部(工廠的排氣設備等)。例如,從風扇過濾器單元所供給且於處理室761的內部流下的潔淨空氣中之通過罩杯717等附近的空氣係經由排氣口762o排出至基板處理裝置790的外部。例如,亦可於處理室761的內部的上部加上用以導入氮氣體等惰性氣體之構成。
[1-5.供給管空間762的構成]
如圖4以及圖5所示,四個供給管空間762係於上下方向延伸。例如,一個供給管空間762A係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76A遍及至最上段(第六段)的處理單元76A地延伸。例如,一個供給管空間762B係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76B遍及至最上段(第六段)的處理單元76B地延伸。例如,一個供給管空間762C係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76C遍及至最上段(第六段)的處理單元76C地延伸。例如,一個供給管空間762D係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76D遍及至最上段(第六段)的處理單元76D地延伸。在供給管空間762A至762D彼此未區別之情形中,供給管空間762A至762D皆簡稱為供給管空間762。
供給管空間762為配置有配管之區域,該配管係用以對處理室761供給流體。於供給管空間762例如配置有第一處理液供給管P1、第二處理液供給管P2、第三處理液供給管P3、第一處理液開閉閥V1、第二處理液開閉閥V2以及第三處理液開閉閥V3。第一處理液供給管P1、第二處理液供給管P2以
及第三處理液供給管P3係從供給管空間762被拉出至處理室761的內部,並連接於第一移動噴嘴71n、第二移動噴嘴72n以及第三移動噴嘴73n。
[1-6.排氣管空間763的構成]
如圖4以及圖5所示,四個供給管空間763係於上下方向延伸。例如,一個排氣管空間763A係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76A遍及至最上段(第六段)的處理單元76A地延伸。例如,一個排氣管空間763B係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76B遍及至最上段(第六段)的處理單元76B地延伸。例如,一個排氣管空間763C係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76C遍及至最上段(第六段)的處理單元76C地延伸。例如,一個排氣管空間763D係於上下方向從最下段(第一段)的處理單元76D遍及至最上段(第六段)的處理單元76D地延伸。在排氣管空間763A至763D彼此未區別之情形中,排氣管空間763A至763D皆簡稱為排氣管空間763。
各個排氣管空間763為配置有配管之區域,該配管係用以從處理室761排出氣體。如圖4至圖7所示,於各個排氣管空間763例如配置有排氣路徑切換機構770、第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773。
例如,於排氣管空間763A中,針對從最下段(第一段)的處理單元76A的處理室761至最上段(第六段)的處理單元76A的處理室761各者配置有排氣路徑切換機構770。例如,於排氣管空間763B中,針對從最下段(第一段)的處理單元76B的處理室761至最上段(第六段)的處理單元76B的處理室761各者配置有排氣路徑切換機構770。例如,於排氣管空間763C中,針對從最下段(第一段)的處理單元76C的處理室761至最上段(第六段)的處理單元76C的處理室761各者配
置有排氣路徑切換機構770。例如,於排氣管空間763D中,針對從最下段(第一段)的處理單元76D的處理室761至最上段(第六段)的處理單元76D的處理室761各者配置有排氣路徑切換機構770。
第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773的組係例如存在四個。第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773係為下述配管:用以將從處理室761經由排氣路徑切換機構770排出的氣體排出至基板處理裝置790的外部。
在各個排氣管空間763中,例如第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773各者係從最下段(第一段)的處理室761的側方延伸至最上段(第六段)的處理室761的側方。在各個排氣管空間763中,例如第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773係於寬度方向(±Y方向)排列。在各個排氣管空間763中,例如第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773係具有下述功能:排出從於上下方向層疊的六段的處理單元76的處理室761各者經由排氣路徑切換機構770流入的氣體。
在於處理單元76A至76D彼此之間區別第一垂直排氣管771之情形中,稱為第一垂直排氣管771A至771D。在於處理單元76A至76D彼此之間區別第二垂直排氣管772之情形中,稱為第二垂直排氣管772A至772D。在於處理單元76A至76D彼此之間區別第三垂直排氣管773之情形中,稱為第三垂直排氣管773A至773D。
第一組(排在第一的組)的第一垂直排氣管771A、第二垂直排氣管772A以及第三垂直排氣管773A係構成為對六段的處理單元76A各者進行排氣。第二組(排在第二的組)的第一垂直排氣管771B、第二垂直排氣管772B以及第三
垂直排氣管773B係構成為對六段的處理單元76B各者進行排氣。第三組(排在第三的組)的第一垂直排氣管771C、第二垂直排氣管772C以及第三垂直排氣管773C係構成為對六段的處理單元76C各者進行排氣。第四組(排在第四的組)的第一垂直排氣管771D、第二垂直排氣管772D以及第三垂直排氣管773D係構成為對六段的處理單元76D各者進行排氣。
排氣路徑切換機構770為下述機構:用以將從處理室761朝向基板處理裝置790的外部之氣體的排氣路徑切換成經由第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773的任一個垂直排氣管的排氣路徑。
排氣路徑切換機構770係配置於處理室761各者的側方。排氣路徑切換機構770係例如經由排氣口762o而與處理室761連通,以排出處理室761的氣體。此外,排氣路徑切換機構770係例如與於上下方向延伸的第一垂直排氣管771、第二垂直排氣管772以及第三垂直排氣管773連通。
如圖6所示,排氣路徑切換機構770係例如具有第一開閉部71d以及第二開閉部72d。第一開閉部71d以及第二開閉部72d係具有例如門狀的構造,並以平開門之方式動作。
第一開閉部71d以及第二開閉部72d係藉由馬達等的驅動而以轉動軸作為中心轉動。排氣路徑切換機構770係例如藉由第一開閉部71d以及第二開閉部72d的開閉而被設定成第一狀態、第二狀態以及第三狀態中的任一個狀態,第一狀態為使氣體從處理空間761s流入至第一垂直排氣管771的內部之狀態,第二狀態為使氣體從處理空間761s流入至第二垂直排氣管772的內部之狀態,第三狀態為使氣體從處理空間761s流入至第三垂直排氣管773的內部之狀態。
例如,在從第一移動噴嘴71n噴出第一藥液之期間中,排氣路徑切換機構770係被設定成第一狀態。例如,在從第二移動噴嘴72n噴出第二藥液之期間中,排氣路徑切換機構770係被設定成第二狀態。例如,在從第三移動噴嘴73n噴出第三藥液之期間中,排氣路徑切換機構770係被設定成第三狀態。
[1-7.水平排氣系統780的構成]
如圖3至圖5所示,水平排氣系統780係具備第一水平排氣管781A、第二水平排氣管782A、第三水平排氣管783A、第一水平排氣管781B、第二水平排氣管782B以及第三水平排氣管783B。
例如,如圖3以及圖4所示,第一水平排氣管781A、第二水平排氣管782A以及第三水平排氣管783A係以於前後方向(±X方向)延伸之方式位於最上段(第六段)的兩個處理單元76A、76B的上方。第一水平排氣管781A、第二水平排氣管782A以及第三水平排氣管783A係例如於寬度方向(±Y方向)排列。
例如,於第一水平排氣管781A分別連通地連接有處理單元76A用的第一垂直排氣管771A以及處理單元76B用的第一垂直排氣管771B。第一水平排氣管781A係從第一垂直排氣管771A、771B排出氣體。
例如,於第二水平排氣管782A分別連通地連接有處理單元76A用的第二垂直排氣管772A以及處理單元76B用的第二垂直排氣管772B。第二水平排氣管782A係從第二垂直排氣管772A、772B排出氣體。
例如,於第三水平排氣管783A分別連通地連接有處理單元76A用的第三垂直排氣管773A以及處理單元76B用的第三垂直排氣管773B。第三水平排氣管783A係從第三垂直排氣管773A、773B排出氣體。
例如,如圖3以及圖5所示,第一水平排氣管781B、第二水平排
氣管782B以及第三水平排氣管783B係以於前後方向(±X方向)延伸之方式位於最上段(第六段)的兩個處理單元76C、76D的上方。第一水平排氣管781B、第二水平排氣管782B以及第三水平排氣管783B係例如於寬度方向(±Y方向)排列。
例如,於第一水平排氣管781B分別連通地連接有處理單元76C用的第一垂直排氣管771C以及處理單元76D用的第一垂直排氣管771D。第一水平排氣管781B係從第一垂直排氣管771C、771D排出氣體。
例如,於第二水平排氣管782B分別連通地連接有處理單元76C用的第二垂直排氣管772C以及處理單元76D用的第二垂直排氣管772D。第二水平排氣管782B係從第二垂直排氣管772C、772D排出氣體。
例如,於第三水平排氣管783B分別連通地連接有處理單元76C用的第三垂直排氣管773C以及處理單元76D用的第三垂直排氣管773D。第三水平排氣管783B係從第三垂直排氣管773C、773D排出氣體。
第一水平排氣管781A、第二水平排氣管782A以及第三水平排氣管783A係比第一水平排氣管781B、第二水平排氣管782B以及第三水平排氣管783B還長。
氣體係於第一水平排氣管781A、第二水平排氣管782A、第三水平排氣管783A、第一水平排氣管781B、第二水平排氣管782B以及第三水平排氣管783B各者的內部朝向後方(+X方向)流動。
基板處理裝置790係例如具有排氣部768,排氣部768係包含四個排氣管空間763以及水平排氣系統780等;基板處理裝置790係能藉由排氣部768將氣體從處理室761排出至基板處理裝置790的外部(工廠的排氣設備等)。
於基板處理裝置790的後方(+X方向)設置有處理液收容部705。
處理液收容部705係收容處理液分配部701、702以及處理液供給源703、704。例如,處理液供給源703係儲留藥液,處理液供給源704係儲留清洗液。
處理液分配部701、702係能分別獲得處理液,具體而言處理液分配部701、702係能分別從處理液供給源703獲得藥液並從處理液供給源704獲得清洗液。處理液分配部701係將處理液分配至處理單元76C、76D。處理液分配部702係將處理液分配至處理單元76A、76B。
用以從處理液分配部701將處理液朝處理單元76C、76D供給之配管係分別設置於供給管空間762C、762D中。用以從處理液分配部702將處理液朝處理單元76A、76B供給之配管係分別設置於供給管空間762A、762B中。
[1-8.基板處理裝置790的控制系統]
例如,如圖1所示,基板處理裝置790係具備控制部79。控制部79係例如為用以控制基板處理裝置790的各個構成的動作之部分。
圖8係顯示用以控制基板處理裝置790的各個構成的動作之功能性的構成之方塊圖。控制部79係以能夠與第一搬運機構723、第二搬運機構75、水平排氣系統780以及複數個處理單元76通訊之方式連接。
更具體而言,控制部79係例如以能夠與水平排氣系統780以及複數個處理單元76中之成為控制的對象之各個要素通訊之方式連接。藉此,控制部79係例如能控制第一搬運機構723、第二搬運機構75、水平排氣系統780以及複數個處理單元76的動作。
圖9係顯示控制部79的一個構成例子之方塊圖。控制部79係例如藉由一般的電腦等而實現。控制部79係例如具有通訊部791、輸入部797、輸出部798、記憶部794、處理部795以及驅動器796,且經由匯流排線79Bu而連接。
通訊部791係例如經由第一搬運機構723、第二搬運機構75、水平排氣系統780以及複數個處理單元76各者之間的通訊線路進行訊號的發送以及接收。通訊部791亦可例如接收來自管理用伺服器的訊號,管理用伺服器係用以管理基板處理裝置790。
輸入部797係例如輸入與操作者的動作等相應的訊號。輸入部797係例如包含滑鼠與鍵盤等操作部、麥克風以及各種感測器等,操作部係能夠輸入與操作相應的訊號,麥克風係能夠輸入與聲音相應的訊號,各種感測器係能夠輸入與動作相應的訊號。
輸出部798係例如以操作者能夠辨識的態樣輸出各種資訊。輸出部798係例如包含顯示部以及揚聲器等,顯示部係可視性地輸出各種資訊,揚聲器係可聽性地輸出各種資訊。顯示部亦可具有與輸入部797的至少一部分一體化的觸控面板的形態。
記憶部794係例如記憶程式Pg1以及各種資訊。記憶部794係例如由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。記憶部794亦可應用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成、以及具有將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶媒體係例如記憶與第一搬運機構723、第二搬運機構75、水平排氣系統780以及複數個處理單元76的動作條件相關的資訊。與處理單元76的動作條件相關的資訊係包含用以處理基板W之處理處方(製程處方)。
處理部795係例如包含運算處理部795a以及記憶體795b等,運算處理部795a係作為處理器來運作,記憶體795b係作為運算處理的作業區域。運算處理部795a係例如應用中央運算裝置(亦即CPU(Central Processing Unit;中央
處理單元))等電子電路,記憶體795b係例如應用RAM(Random Access Memory;隨機存取記憶體)等。處理部795係例如讀取並執行記憶於記憶部794的程式Pg1,藉此實現控制部79的功能。因此,在控制部79中,例如處理部795係依循編程於程式Pg1的順序進行運算處理,藉此實現用以控制基板處理裝置790的各部的動作之各種功能部。亦即,藉由基板處理裝置790所含有的控制部79來執行程式Pg1,藉此能實現基板處理裝置790的功能以及動作。以控制部79所實現的一部分或者全部的功能部亦可例如以專用的邏輯電路等以硬體方式實現。
驅動器796係例如為可搬性的記憶媒體Sm1能夠裝設以及取下之部分。驅動器796係例如在裝設有記憶媒體Sm1的狀態下進行記憶媒體Sm1與處理部795之間的資料的傳輸以及接收。驅動器796係在記憶有程式Pg1的記憶媒體Sm1裝設於驅動器796的狀態下從記憶媒體Sm1將程式Pg1讀入並記憶於記憶部794內。
說明基板處理裝置790整體中的動作的一例。在基板處理裝置790中,例如控制部79係依循編程有基板W的搬運順序以及處理條件等之處方來控制基板處理裝置790所具備的各部,藉此執行以下所說明的一連串的動作。
當將收容了未處理的基板W的承載器C載置於承載器載置部721上時,第一搬運機構723係從承載器C取出未處理的基板W。第一搬運機構723係將未處理的基板W搬運至基板載置部77。第二搬運機構75係從基板載置部77將未處理的基板W搬運至處方等所指定的處理單元76。第一搬運機構723與第二搬運機構75之間的基板W的接取以及傳遞亦可不經由基板載置部77,而是例
如在手部7231與手部751之間直接進行。
被搬入了基板W的處理單元76係對基板W進行制定好的一連串的基板處理。在這一連串的基板處理中,例如對被保持部711保持的基板W的上表面Wa以記載的順序進行藥液的供給以及清洗液的供給。
在使用了清洗液的處理之後,亦可進行有機溶劑的供給。在使用了有機溶劑的處理之後,例如進行下述處理(亦稱為乾燥處理):從基板W的上表面Wa上去除有機溶劑,從而使基板W的上表面Wa上乾燥。在乾燥處理中,例如藉由作為驅動部的電動馬達711m,被保持部711保持的基板W係以旋轉軸線A3作為中心旋轉。
當在處理單元76中結束對於基板W的一連串的基板處理時,第二搬運機構75係從處理單元76取出處理完畢的基板W。第二搬運機構75係將處理完畢的基板W搬運至基板載置部77。第一搬運機構723係將基板W從基板載置部77搬運至承載器載置部721上的承載器C。
在基板處理裝置790中,第一搬運機構723以及第二搬運機構75係依循處方反復地進行上文所說明的搬運動作,且各個處理單元76係依循處理處方對基板W執行一連串的基板處理。藉此,接連地對基板W進行一連串的基板處理。
[2.循環裝置100的說明]
圖10、圖13至圖19皆為例示了循環裝置100的構成之配管圖。在這些圖中,在循環裝置100的外部中亦描繪了後述的處理液供給源30以及廢液部40。
圖11係例示位於循環裝置100的外部之外部路徑P的構成之圖。循環裝置100係對外部路徑P進行液體Q的供給以及回收。具體而言,外部路徑P
為塔P10、P30。分別藉由配管P1a、P3a進行朝塔P10、P30供給液體Q。分別藉由配管P1b、P3b進行回收來自塔P10、P30的液體Q。
處理液分配部701、702皆能採用循環裝置100。
在採用循環裝置100作為處理液分配部701之情形中,例如配管P1a、P1b為處理液在六個處理單元76C中流動之配管,配管P3a、P3b為處理液在六個處理單元76D中流動之配管。
例如,塔P10與六個處理單元76C係經由配管P1a、P1b進行處理液的供給以及回收。例如,塔P30與六個處理單元76D係經由配管P3a、P3b進行處理液的供給以及回收。配管P1a、P1b係設置於供給管空間762C,配管P3a、P3b係設置於供給管空間762D。
在採用循環裝置100作為處理液分配部702之情形中,例如塔P10為處理液在六個處理單元76A中流動之配管,塔P30為處理液在六個處理單元76B中流動之配管。
例如,塔P10與六個處理單元76A係經由配管P1a、P1b進行處理液的供給以及回收。例如,塔P30與六個處理單元76B係經由配管P3a、P3b進行處理液的供給以及回收。配管P1a、P1b係設置於供給管空間762A,配管P3a、P3b係設置於供給管空間762B。
循環裝置100係具備儲留槽T。儲留槽T係將液體Q作為儲留的對象。液體Q係例如為硫酸或者硫酸的稀釋液(稀釋硫酸)。
循環裝置100係具備閥81。閥81係連接於儲留槽T。閥81係控制液體Q從儲留槽T排出至循環裝置100的外部,具體而言例如控制液體Q從儲留槽T排出至廢液部40。
循環裝置100係具備配管1。配管1係具有流入端101,被使用於經由配管P1a、P3a供給液體Q。配管P1a、P3a係能考慮包含於配管1。液體Q係從儲留槽T流入至流入端101。
循環裝置100係具備配管2。配管2係具有流出端202,被使用於經由配管P1b、P3b回收液體Q。配管P1b、P3b係能考慮包含於配管2。液體Q係從流出端202流出至儲留槽T。
循環裝置100係具備閥21。閥21係設置於配管2,控制液體Q從流出端202流出至儲留槽T。閥21係例如採用開閉閥。
液體Q係從儲留槽T經由配管1、2以及閥21流出且液體Q朝儲留槽T流入之循環係通稱為「外循環」。有助於外循環之配管1、2以及閥21亦被稱為外循環路徑。
循環裝置100係具備泵12。泵12係設置於配管1。泵12係具有吸入口12a以及噴出口12b。吸入口12a係連接於流入端101。泵12係將液體Q作為從吸入口12a朝向噴出口12b壓出之對象。泵12係採用例如磁懸浮離心泵(magnetic levitation centrifugal pump)。磁懸浮離心泵係例如採用瑞士商力威磁浮技術有限公司(LEVITRONIX GmbH)的無軸承泵。
循環裝置100係具備加熱器11。加熱器11係在配管1中設置成連接於噴出口12b。加熱器11係將液體Q作為加熱的對象。例如,在配管1中,一對加熱器11係彼此彼此串聯地設置。
循環裝置100係具備配管3。配管3為液體Q從循環裝置100的外部朝儲留槽T儲留之路徑,具體而言例如為液體Q從處理液供給源30朝儲留槽T儲留之路徑。配管3係具有流出端302。液體Q係從流出端302朝儲留槽T流出。
在採用循環裝置100作為處理液分配部701之情形中,處理液供給源703係作為處理液供給源30發揮作用。在採用循環裝置100作為處理液分配部702之情形中,處理液供給源704係作為處理液供給源30發揮作用。
循環裝置100係閥31。閥31係設置於配管3,控制液體Q從流出端302朝儲留槽T流出。閥31係例如採用開閉閥。
循環裝置100係具備配管4。配管4係在相對於閥21為流出端202的相反側處連接於配管2。例如,配管4係具有端401,端401係連接於配管2。端401係位於閥21與配管P1b、P3b之間。配管4為液體Q從配管2朝循環裝置100的外部排出之路徑,具體而言例如為液體Q從配管2朝廢液部40排出之路徑。
循環裝置100係具備閥84。閥84係設置於配管4,控制液體Q的排出。閥84係例如採用開閉閥。
循環裝置100係具備配管5。配管5係在相對於加熱器11為泵12的相反側處連接於配管1。配管5係具有流出端502。液體Q係從流出端502朝儲留槽T流出。例如,配管5係具有端501,端501係連接於配管1。端501係位於加熱器11與配管P1a、P3a之間。
循環裝置100係具備閥51。閥51係設置於配管5,控制液體Q從流出端502朝儲留槽T流出。閥51係例如採用開閉閥。
液體Q係從儲留槽T經由配管1、5以及閥51流出且液體Q朝儲留槽T流入之循環係通稱為「內循環」。有助於內循環之配管1、5以及閥51亦被稱為內循環路徑。
循環裝置100係具備配管6。配管6係在相對於閥51為流出端502的相反側處連接於配管5。例如,配管6係在端501處連接於配管5。配管6為液
體Q從配管5朝循環裝置100的外部排出之路徑,具體而言例如為液體Q從配管5朝廢液部40排出之路徑。
循環裝置100係具備閥86。閥86係設置於配管6,控制液體Q的排出。閥86係例如採用開閉閥。
循環裝置100係具備過濾器16。過濾器16係在配管1中設置於加熱器11與配管5、6之間。過濾器16係具有去除液體Q的雜質之功能。
例如,於過濾器16採用一對過濾器161、163,一對過濾器161、163係在配管1中相互地並聯連接。此種並聯連接係有助於降低過濾器16以及配管1中的壓損。
循環裝置100係具備配管7。配管7係具有流出端708。配管7係在加熱器11與過濾器16之間連接於配管1。例如,配管7係在端707處連接於配管1。液體Q係從流出端708朝儲留槽T流出。
循環裝置100係具備閥71。閥71係設置於配管7,控制液體Q從流出端708朝儲留槽T流出。閥71係例如採用開閉閥。
液體Q係從儲留槽T經由配管1、7以及閥71流出且液體Q朝儲留槽T流入之循環係通稱為「預備循環」。有助於預備循環之配管1、7以及閥71亦被稱為預備循環路徑。
循環裝置100係具備配管8。配管8係在相對於閥71為流出端708的相反側處連接於配管7。例如,配管8係在端707處連接於配管7。配管8為液體Q從配管7朝循環裝置100的外部排出之路徑,具體而言為液體Q從配管7朝廢液部40排出之路徑。
循環裝置100係具備閥88。閥88係設置於配管8,控制液體Q的排
出。閥88係例如採用開閉閥。
循環裝置100係具備配管9。配管9係連接於過濾器16。配管9為液體Q從過濾器16朝循環裝置100的外部排出之路徑,具體而言為液體Q從過濾器16朝廢液部40排出之路徑。
循環裝置100係具備閥89。閥89係設置於配管9,控制液體Q的排出。例如,閥89係採用閥891以及閥893,閥891係連接於過濾器161,閥893係連接於過濾器163。例如,閥891、893皆採用開閉閥。
循環裝置100係具備閥80。閥80係連接於噴出口12b。閥80係控制液體Q朝循環裝置100的外部排出,具體而言例如控制液體Q朝廢液部40排出。
循環裝置100係具備流量計15。流量計15係設置於流入端101與吸入口12a之間。流量計15係測定配管1中的液體Q的流量。
循環裝置100係具備溫度計17以及壓力計18。溫度計17以及壓力計18係例如設置於加熱器11與過濾器16之間。溫度計17係測定配管1內的液體Q的溫度。壓力計18係測定配管1中的液體Q的壓力。
圖12係顯示控制部U的功能的概略之方塊圖。控制部U係控制閥21、31、51、71、80、81、84、86、88、89的動作。例如,控制部U係將控制訊號Sv供給至閥21、31、51、71、80、81、84、86、88、89從而控制這些閥的開閉等。
控制部U係控制加熱器11以及泵12的動作。例如,控制部U係將控制訊號Sh供給至加熱器11,從而控制加熱器11對於液體Q的加熱。例如,控制部U係將控制訊號Sp供給至泵12,從而控制泵12所致使的液體Q的流量。
控制部U係從流量計15輸入資料Fd,資料Fd係顯示於配管1流動的液體Q的流量。控制部U係從溫度計17輸入資料Td,資料Td係顯示配管1中的液體Q的溫度(以下亦簡稱為「液溫」)。控制部U係從壓力計18輸入資料Pd,資料Pd係顯示配管1中的液體Q的壓力。
控制部U基於資料Fd、Pd並使用控制訊號Sp來控制泵12的旋轉速度之技術以及控制部U基於資料Td並使用控制訊號Sh來控制加熱器11對於液體Q的加熱之技術係使用公知的技術來實現。因此,省略用以實現泵12以及加熱器11的控制之技術的詳細說明。
以下,說明閥的開閉的動作、液溫、泵12的動作(具體而言為驅動以及停止(以下亦分別簡稱為「導通(ON)」以及「關斷(OFF)」))三者的關聯。在以下的說明中,用以構成顯示閥之記號的一對三角形係分別採用黑色三角形以及白色三角形,閥處於打開的狀態(以下亦稱為「打開狀態」)時採用黑色三角形,閥處於關閉的狀態(以下亦稱為「關閉狀態」)時採用白色三角形。
[2-1.液體更換前的溫度調整]
為了更換液體Q,從循環裝置100排出更換前的液體Q。排出係液體Q的黏度愈低則愈容易。液體Q的溫度愈高則液體Q的黏度愈低。
圖13係顯示執行工序J1之狀態。工序J1係在上文所說明的排出之前的第一期間中,針對循環裝置100中的液體Q以及外部路徑P中的液體Q使液溫上升。
在工序J1中,將閥81、31、84、51、86、71、80、88、89設定成關閉狀態,將閥21設定成打開狀態,驅動加熱器11從而使液體Q升溫,將泵12設定成導通狀態。例如,液體Q係被升溫至140℃。
已升溫的液體Q係進行外循環。具體而言,如液流F1所示,液體Q係在配管1中依序經由流入端101、泵12、加熱器11以及過濾器16而流動。液流F1係分流成於配管P1a流動的液流F1a以及於配管P1b流動的液流F1b。液流F1a、F3a係分別流入至塔P10、P30。
來自塔P10的液體Q係作為液流F1b於配管P1b朝配管2流入。來自塔P30的液體Q係作為液流F3b於配管P3b朝配管2流入。液流F1b、F3b係在配管2中匯流而成為液流F2。液流F2係經由閥21從流出端202朝儲留槽T流出。
於圖10顯示了即將進行工序J1之前的狀態的一例。無須驅動泵12,閥80處於打開狀態。液體Q係作為液流F80從閥80朝廢液部40流動。當泵12採用磁懸浮離心泵時,此種狀態可謂是準備性的狀態,該準備性的狀態係將泵12以液體密封且有助於後續的工序中容易驅動泵12。在該準備性的狀態中閥21亦可設定成打開狀態。
[2-2.處理液的排出]
圖14係顯示執行工序J2之狀態。工序J2係在工序J1之後的第二期間中執行。工序J2係將液體Q從循環裝置100排出。由於工序J2為用以將液體Q重新儲留於儲留槽T之前的處理,因此閥31係設定成關閉狀態。
在工序J2中,閥81係設定成打開狀態,將儲留槽T內的液體Q朝外部排出,具體而言將儲留槽T內的液體Q朝廢液部40排出。液體Q的排出係顯示成液體F11。
在工序J2中,將閥21、84設定成打開狀態,配管P1b、P3b以及配管2中的液體Q係朝外部排出,具體而言配管P1b、P3b以及配管2中的液體Q係朝廢液部40排出。液體Q係作為液流F2b於從流出端202朝向端401之方向流
動。從配管P1b朝向端401之液流F1b、從配管P3b朝向端401之液流F3b、以及液流F2b係匯流從而成為液流F4,液體Q係經由閥84朝廢液部40排出。
在工序J2中,將閥51、86設定成打開狀態,配管5中的液體Q係朝外部排出,具體而言配管5中的液體Q係朝廢液部40排出。液體Q係作為液流F5b於從流出端502朝向端501之方向流動,液流F5b係成為液流F6於配管6流動,液體Q係經由閥86朝廢液部40排出。
在工序J2中,將閥71、88設定成打開狀態,配管7中的液體Q係朝外部排出,具體而言配管7中的液體Q係朝廢液部40排出。液體Q係作為液流F7b於從流出端708朝向端707之方向流動,液流F7b係成為液流F8於配管8流動,液體Q係經由閥88朝廢液部40排出。
在工序J2中,閥89係設定成打開狀態,配管6以及過濾器16中的液體Q係朝外部排出,具體而言配管6以及過濾器16中的液體Q係朝廢液部40排出。液體Q係作為液流F91從過濾器161朝閥891流動。液體Q係作為液流F93從過濾器163朝閥893流動。液流F91、F93係在配管9中匯流從而成為液流F9,液體Q係朝廢液部40排出。
這些液體的排出係能藉由液體Q的本身重量而發生。由於液體Q係在工序J1中被加溫成預定的高溫(在上述例子中為140℃),因此黏度低。不論在執行工序J1之前所殘留的液體Q的液溫為何,皆容易推定排出需要時間。工序J2係效率佳地排出殘留的處理液,從而有助於提升液體更換的效率。
在工序J2中,停止泵12,閥80係設定成關閉狀態。在此種狀態下,當泵12採用磁懸浮離心泵時則尤其適合。此原因在於:在此種情形中,為了使泵12正常地動作,期望從吸入口12a至噴出口12b之間填充有液體Q。在此
種觀點下,在工序J2中亦能殘留未從循環裝置100排出的液體Q。
[2-3.處理液的儲留]
圖15係顯示執行工序J3之狀態。工序J3係在工序J2之後的第三期間中執行。工序J3係從外部將液體Q儲留於儲留槽T,具體而言工序J3係從處理液供給源30將液體Q儲留於儲留槽T。在工序J3中,停止泵12,將閥80、81設定成關閉狀態,將閥31設定成打開狀態。雖然不過問閥21、51、71、84、86、88、89的開閉,然而在圖15中例示將這些閥設定成關閉狀態之情形。
將閥31設定成打開狀態,藉此液體Q係從處理液供給源30經由閥31從流出端302作為液流F3流動,液體Q係被儲留於儲留槽T。在工序J3中,儲留於儲留槽T之液體Q的液溫係例如為室溫。
[2-4.處理液的外循環]
圖16係顯示執行工序J4之狀態。工序J4係在工序J3之後的第四期間中執行。在工序J4中,在工序J3中重新被儲留於儲留槽T的液體Q係進行外循環以及內循環。在工序J4中,泵12係被設定成導通狀態。
在工序J4中,驅動加熱器11從而使液體Q升溫。例如,液溫Qt係上升至140℃。
在工序J4中,將閥31、71、80、81、84、88設定成關閉狀態,將閥21設定成打開狀態。來自塔P10的液體Q係作為液流F1b於配管P1b朝配管2流入。來自塔P30的液體Q係作為液流F3b於配管P3b朝配管2流入。液流F1b、F3b係在配管2中匯流從而成為液流F2。液流F2係經由閥21從流出端202朝儲留槽T流出。
將閥51設定成打開狀態,將閥86設定成關閉狀態,液體Q係作為
液流F5在配管5中從端501經由閥51朝向流出端502流動。
將閥89設定成關閉狀態,於配管1流動的液流F1係分流成上文所說明的液流F5、於配管P1a中朝向塔P10流動的液流F1a、以及於配管P3a中朝向塔P30流動的液流F3a。已升溫的液體Q係進行外循環以及內循環。
如此,重新將液體Q導入至循環裝置100之前,在將已經存在的液體Q排出至循環裝置100之前先使循環裝置100中的液體Q的溫度上升,藉此該液體Q的黏度降低後進行該排出。此種在排出液體之前先使液溫上升之動作係有助於減少液體的排出所需要的期間。
[2-5.處理液的內循環]
在工序J4之前預先進行液體Q的內循環從而使液溫上升之動作係有助於降低在工序J4中被供給至外循環之液體Q的黏度,從而有助於順暢地進行外循環。
圖17係顯示執行工序J5之狀態。工序J5係在用以儲留處理液之工序J3與用以進行外循環之工序J4之間的第五期間中執行。在工序J5中,將閥51設定成打開狀態,將閥71、80、81、21、31、84、86、88、89設定成關閉狀態。
在工序J5中,驅動加熱器11,將泵12設定成導通狀態。例如,液溫Qt為40℃。液體Q係分別作為液流F1、F5於配管1、5內流動並進行內循環。
[2-6.處理液的預備循環]
在工序J5之前進行液體Q的預備循環從而預先使液溫上升並降低液體Q的黏度之動作係有助於在工序J5中順暢地進行經由過濾器16的內循環。
圖18係顯示執行工序J6之狀態。工序J6係在用以儲留處理液之工
序J3與用以進行內循環之工序J5之間的第六期間中執行。在工序J6中,將閥81、21、31、84、51、86、88、89、80設定成關閉狀態,將閥71設定成打開狀態。
在工序J6中,驅動加熱器11,將泵12設定成導通狀態。例如,液溫Qt係設定成內循環中的液溫Qt以下,例如40℃。液體Q係分別作為液流F1、F7於配管1、7流動從而進行預備循環。
[2-7.朝泵12填充處理液]
在工序J6之前將新的液體Q填充至泵12的內部之動作係有助於置換殘留於泵12內的液體Q。
圖19係顯示執行工序J7之狀態。工序J7係在用以儲留處理液之工序J3與用以進行預備循環之工序J6之間的第七期間中執行。在工序J7中,將閥21、31、51、71、81、84、86、88、89設定成關閉狀態,將閥80設定成打開狀態,驅動泵12。
在工序J7中,液體Q係無須從流入端101經由泵12到達至加熱器11,而是作為液流F1於配管1流動。液流F1係作為液流F8經由閥80流動,液體Q係朝廢液部40流動。
藉由工序J3而儲留於儲留槽T之液體Q係與藉由工序J7而殘留於泵12的內部之液體Q置換。
[2-8.循環裝置100的動作的流程圖]
圖20係例示執行上文所說明的全部的工序J1、J2、J3、J4、J5、J6、J7時的循環裝置100的動作之流程圖。由於工序J1、J2、J3、J4、J5、J6、J7係在更換屬於處理液的液體Q時被利用,因此於該流程圖附註「處理液更換」的標題。
步驟S11、S13、S15、S17、S19、S21、S22係藉由下述方式而被執行:使用了控制部U的控制訊號Sv之閥21、31、51、71、80、84、86、88、891、893的開閉(以下亦稱為「閥群的開閉」)、使用了控制訊號Sh的加熱器11的驅動(具體而言為加熱)與停止、以及使用了控制訊號Sp的泵12的驅動與停止。
在步驟S11中執行工序J1。由於工序J1係在用以從循環裝置100排出液體Q之工序J2之前執行,因此於步驟S11附註「(排液前的升溫)」。
在步驟S12中,判斷液溫Qt是否為溫度T1以上。此種判斷係藉由控制部U基於資料Td來進行。在步驟S12中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S11、S12,具體而言直至液溫Qt到達至溫度T1為止。在上述例子中,溫度T1為140℃。
在步驟S12中只要獲得肯定性的判斷,具體而言只要液溫Qt到達至溫度T1,則執行步驟S13。
在步驟S13中執行工序J2。由於工序J2係從循環裝置100排出液體Q,因此於步驟S13附註「(排液)」。
在步驟S14中,判斷排液是否結束。例如,檢測儲留槽T中的液體Q的液面的位置,並基於該液面的位置判斷排液是否結束。
在步驟S14中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S13、S14,具體而言例如直至液體Q的液面的位置與儲留槽T的底面之間的距離成為第一預定距離以下為止。
在步驟S14中只要獲得肯定性的判斷,具體而言只要液體Q的液面的位置與儲留槽T的底面之間的距離成為第一預定距離以下,則執行步驟
S15。
液體Q的液面的位置亦可藉由液體感測器來偵測,該液體感測器係以第一預定距離從儲留槽T的底面分離地設置;液體Q的液面的位置亦可從儲留槽T的上方光學性地測量距離來偵測。
在步驟S15中執行工序J3。由於工序J3係將液體Q儲留於儲留槽T,因此於步驟S15附註「(儲留)」。
在步驟S16中判斷儲留是否結束。此種判斷係例如檢測儲留槽T中的液體Q的液面的位置,並基於該液面的位置判斷儲留是否結束。
在步驟S16中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S15、S16,具體而言例如直至液體Q的液面的位置與儲留槽T的底面之間的距離成為第二預定距離以上為止。
在步驟S16中只要獲得肯定性的判斷,具體而言例如只要液體Q的液面的位置與儲留槽T的底面之間的距離成為第二預定距離以上,則執行步驟S17。
液體Q的液面的位置亦可藉由液體感測器來偵測,該液體感測器係以第二預定距離從儲留槽T的底面分離地設置;液體Q的液面的位置亦可從儲留槽T的上方光學性地測量距離來偵測。
在步驟S17中執行工序J7。由於工序J7係將新的液體Q朝泵12填充,因此於步驟S17附註「(填充)」。
在步驟S18,判斷填充是否結束。此種判斷係例如控制部U依據在最初執行步驟S17後是否已經經過第一預定時間來進行。第一預定時間係預先實際測量並記憶於控制部U。控制部U係在每次執行步驟S18時比較最初執行
步驟S17後的經過時間以及第一預定時間。依據此種比較的結果,進行步驟S18的判斷。
在步驟S18中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S17、S18,具體而言例如直至在最初執行步驟S17後的經過時間已經到達至第一預定時間為止。
在步驟S18中只要獲得肯定性的判斷,具體而言例如只要在最初執行步驟S17後的經過時間已經到達至第一預定時間,則執行步驟S19。
在步驟S19中執行工序J6。由於工序J6係進行預備循環,因此於步驟S19附註「(預備循環)」。
在步驟S20中,判斷液溫Qt是否為溫度T6以上。此種判斷是藉由控制部U基於資料Td來進行。在步驟S20中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S19、S20,具體而言直至液溫Qt到達至溫度T6為止。在上述例子中,溫度T6為40℃。
在步驟S20中只要獲得肯定性的判斷,具體而言只要液溫Qt到達至溫度T6,則執行步驟S21。
在步驟S21中執行工序J5。由於在工序J5中進行內循環,因此於步驟S19附註「(內循環)」。
在步驟S22中,判斷內循環是否結束。作為此種判斷的第一例,能採用以下的手法。藉由控制部U基於最初執行步驟S21後是否已經經過第二預定時間來進行。第二預定時間係預先實際測量並記憶於控制部U。控制部U係在每次執行步驟S22時比較最初執行步驟S21後的經過時間以及第二預定時間。依據此種比較的結果,進行步驟S22的判斷。
在步驟S22中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S21、S22,具體而言例如直至在最初執行步驟S21後的經過時間已經到達至第二預定時間為止。
在步驟S22中只要獲得肯定性的判斷,具體而言例如只要在最初執行步驟S21後的經過時間已經到達至第二預定時間,則執行步驟S23。
作為步驟S22中的判斷的第二例,能採用以下的手法。在步驟S22中,判斷液溫Qt是否為溫度T5以上。此種判斷係藉由控制部U基於資料Td來進行。在步驟S22中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S21、S22,具體而言直至液溫Qt到達至溫度T5為止。在上述例子中,溫度T5為40℃。
在步驟S22中只要獲得肯定性的判斷,具體而言只要液溫Qt到達至溫度T5,則執行步驟S23。
在步驟S23中執行工序J4。由於在工序J4中伴隨著內循環進行外循環,因此於步驟S23附註「(內循環與外循環)」。
在步驟S24中,判斷液溫Qt是否為溫度T4以上。此種判斷係藉由控制部U基於資料Td來進行。在步驟S24中只要未獲得肯定性的判斷,則持續地執行步驟S23、S24,具體而言直至液溫Qt到達至溫度T4為止。在上述例子中,溫度T4為140℃。
在步驟S24中只要獲得肯定性的判斷,具體而言只要液溫Qt到達至溫度T4,則結束液體Q的更換。
[3.變化]
[3-1.工序J3的變化]
如上所述,在工序J3中,不過問閥21、51、71、84、86、88、89的開閉。在工序J2之後執行工序J3,在工序J2中閥21、51、71、84、86、88、89處於打開狀態。在工序J3中亦將在工序J2中處於打開狀態的閥21、51、71、84、86、88、89維持在打開狀態之動作係有助於抑制用以開閉的動作。
[3-2.工序J5的變化]
在剛結束工序J5後,外部路徑P的溫度以及/或者有可能殘留於外部路徑P的液體Q的液溫有可能為室溫左右。因此,設想下述情形:即使在結束工序J5後立即進行伴隨著內循環的外循環,液體Q的黏度低且朝向配管5之液流F5會比液體Q的黏度高且於外部路徑P流動之液流F2還優先性地發生。
因此,在工序J5的最初中,執行不伴隨內循環的外循環之動作係有助於將在內循環中被升溫的液體Q朝外部路徑P供給。
具體而言,在工序J5的最初中,將閥31、51、71、80、81、84、86、88、89設定成關閉狀態,將閥21設定成打開狀態。
與工序J4同樣地,來自塔P10的液體Q係作為液流F1b於配管P1b朝配管2流入。來自塔P30的液體Q係作為液流F3b於配管P3b朝配管2流入。液流F1b、F3b係在配管2中匯流從而成為液流F2。液流F2係經由閥21從流出端202朝儲留槽T流出。
與工序J4不同,由於液流F5不流動,因此於配管1流動的液流F1係分流成於配管P1a朝向塔P10流動的液流F1a以及於配管P3a朝向塔P30流動的液流F3a。
藉由此種無內循環的外循環,液溫Qt可能會暫時降低。當藉由資料Td所獲得的液溫Qt為溫度T5時,打開閥51產生液流F5,從而進行內循環。
此種工序J5的變化係能作為在上文所說明的工序J5之前所追加之用以進行不伴隨著內循環的外循環之工序來說明。
[3-3.工序J2的變化]
在工序J2的說明中,例示了停止泵12之情形。在泵12未採用磁懸浮離心泵之情形中,亦能將泵12的內部排液。在工序J2中,打開閥80,驅動泵12,排出流入端101至噴出口12b之間的液體Q。
能夠在適當且不矛盾的範圍內組合分別用以構成上文所說明的實施形態以及各種變化例之全部或者一部分。
S11至S24:步驟
Claims (8)
- 一種循環裝置的控制方法,係用以控制循環裝置;前述循環裝置係用以對外部路徑進行液體的供給以及回收,並具備:儲留槽,係將前述液體作為儲留的對象;第一配管,係被使用於供給前述液體,且具有供前述液體從前述儲留槽流入之第一流入端;第一閥,係連接於前述儲留槽,控制前述液體從前述儲留槽朝前述循環裝置的外部排出;泵,係設置於前述第一配管,將前述液體作為壓出的對象,且具有吸入口以及排出口,前述吸入口係連接於前述第一流入端;加熱器,係在前述第一配管中設置成連接於前述噴出口,且將前述液體作為加熱的對象;第二配管,係被使用於回收前述液體,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第二流出端;第二閥,係設置於前述第二配管,控制前述液體從前述第二流出端朝前述儲留槽流出;第三配管,為前述液體從前述循環裝置的外部中的液體供給源朝前述儲留槽儲留之路徑,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第三流出端;第三閥,係設置於前述第三配管,控制前述液體從前述第三流出端朝前述儲留槽流出;第四配管,係在相對於前述第二閥為前述第二流出端的相反側處連接於前述第二配管,且為前述液體從前述第二配管朝前述循環裝置的外部排出之路 徑;以及第四閥,係設置於前述第四配管,控制前述液體的排出;前述循環裝置的控制方法係具備:第一工序,係在第一期間中將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵;第二工序,在前述第一期間之後的第二期間中,停止前述泵,將前述第一閥、前述第二閥以及前述第四閥設定成打開狀態且將前述第三閥設定成關閉狀態;第三工序,係在前述第二期間之後的第三期間中,停止前述泵,將前述第一閥設定成關閉狀態且將前述第三閥設定成打開狀態;以及第四工序,係在前述第三期間之後的第四期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
- 如請求項1所記載之循環裝置的控制方法,其中前述循環裝置係進一步地具備:第五配管,係在相對於前述加熱器為前述泵的相反側處連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第五流出端;第五閥,係設置於前述第五配管,控制前述液體從前述第五流出端朝前述儲留槽流出;第六配管,係在相對於前述第五閥為前述第五流出端的相反側處連接於前述第五配管,且為前述液體從前述第五配管朝前述循環裝置的外部排出之路 徑;以及第六閥,係設置於前述第六配管,控制前述液體的排出;前述循環裝置的控制方法係構成為:在前述第一工序中將前述第五閥以及前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第二工序中將前述第五閥以及前述第六閥設定成打開狀態;在前述第四工序中將前述第五閥設定成打開狀態且將前述第六閥設定成關閉狀態;前述循環裝置的控制方法係進一步地具備:第五工序,係在前述第三期間與前述第四期間之間的第五期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥以及前述第六閥設定成關閉狀態且將前述第五閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
- 如請求項2所記載之循環裝置的控制方法,其中前述循環裝置係進一步地具備:過濾器,係於前述第一配管中設置於前述加熱器與前述第五配管以及前述第六配管之間;第七配管,係在前述加熱器與前述過濾器之間連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第七流出端;第七閥,係設置於前述第七配管,控制前述液體從前述第七流出端朝前述儲留槽流出;第八配管,係在相對於前述第七閥為前述第七流出端的相反側處連接於前述第七配管,且為前述液體從前述第七配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑; 第八閥,係設置於前述第八配管,控制前述液體的排出;第九配管,係連接於前述過濾器,且為前述液體從前述過濾器朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第九閥,係設置於前述第九配管,控制前述液體的排出;前述循環裝置的控制方法係構成為:在前述第一工序中將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第二工序中將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成打開狀態;在前述第四工序以及前述第五工序中將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;前述循環裝置的控制方法係進一步地具備:第六工序,係在前述第三期間與前述第五期間之間的第六期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第七閥設定成打開狀態,將前述加熱器驅動從而將前述液體升溫至前述第五期間中的前述液體的溫度以下,驅動前述泵。
- 如請求項3所記載之循環裝置的控制方法,其中前述循環裝置係進一步地具備:第十閥,係連接於前述噴出口,控制前述液體朝前述循環裝置的外部排出;前述循環裝置的控制方法係在前述第一工序、前述第二工序、前述第三工序、前述第四工序、前述第五工序以及前述第六工序中將前述第十閥設定成關閉狀態; 前述循環裝置的控制方法係進一步地具備:第七工序,係在前述第三期間與前述第六期間之間的第七期間中將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第十閥設定成打開狀態,驅動前述泵。
- 一種循環裝置,係用以對外部路徑進行液體的供給以及回收,並具備:儲留槽,係將前述液體作為儲留的對象;第一配管,係被使用於供給前述液體,且具有供前述液體從前述儲留槽流入之第一流入端;第一閥,係連接於前述儲留槽,控制前述液體從前述儲留槽朝前述循環裝置的外部排出;泵,係設置於前述第一配管,將前述液體作為壓出的對象,且具有吸入口以及排出口,前述吸入口係連接於前述第一流入端;加熱器,係在前述第一配管中設置成連接於前述噴出口,且將前述液體作為加熱的對象;第二配管,係被使用於回收前述液體,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第二流出端;第二閥,係設置於前述第二配管,控制前述液體從前述第二流出端朝前述儲留槽流出;第三配管,為前述液體從前述循環裝置的外部中的液體供給源朝前述儲留槽儲留之路徑,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第三流出端;第三閥,係設置於前述第三配管,控制前述液體從前述第三流出端朝前述 儲留槽流出;第四配管,係在相對於前述第二閥為前述第二流出端的相反側處連接於前述第二配管,且為前述液體從前述第二配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第四閥,係設置於前述第四配管,控制前述液體的排出;以及控制部,係控制前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述泵以及前述加熱器;前述控制部係構成為:在第一期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵;在前述第一期間之後的第二期間中,停止前述泵,將前述第一閥、前述第二閥以及前述第四閥設定成打開狀態且將前述第三閥設定成關閉狀態;在前述第二期間之後的第三期間中,停止前述泵,將前述第一閥設定成關閉狀態且將前述第三閥設定成打開狀態;在前述第三期間之後的第四期間中,將前述第一閥、前述第三閥以及前述第四閥設定成關閉狀態且將前述第二閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
- 如請求項5所記載之循環裝置,其中進一步地具備:第五配管,係在相對於前述加熱器為前述泵的相反側處連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第五流出端;第五閥,係設置於前述第五配管,控制前述液體從前述第五流出端朝前述 儲留槽流出;第六配管,係在相對於前述第五閥為前述第五流出端的相反側處連接於前述第五配管,且為前述液體從前述第五配管朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第六閥,係設置於前述第六配管,控制前述液體的排出;前述控制部係構成為:在前述第一期間中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第二期間中,將前述第五閥以及前述第六閥設定成打開狀態;在前述第四期間中,將前述第五閥設定成打開狀態且將前述第六閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第四期間之間的第五期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥以及前述第六閥設定成關閉狀態且將前述第五閥設定成打開狀態,驅動前述加熱器從而將前述液體升溫,驅動前述泵。
- 如請求項6所記載之循環裝置,其中進一步地具備:過濾器,係於前述第一配管中設置於前述加熱器與前述第五配管以及前述第六配管之間;第七配管,係在前述加熱器與前述過濾器之間連接於前述第一配管,且具有供前述液體朝前述儲留槽流出之第七流出端;第七閥,係設置於前述第七配管,控制前述液體從前述第七流出端朝前述儲留槽流出;第八配管,係在相對於前述第七閥為前述第七流出端的相反側處連接於前述第七配管,且為前述液體從前述第七配管朝前述循環裝置的外部排出之路 徑;第八閥,係設置於前述第八配管,控制前述液體的排出;第九配管,係連接於前述過濾器,且為前述液體從前述過濾器朝前述循環裝置的外部排出之路徑;以及第九閥,係設置於前述第九配管,控制前述液體的排出;在前述第一期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第二期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成打開狀態;在前述第四期間以及前述第五期間中,將前述第七閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第五期間之間的第六期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第七閥設定成打開狀態,將前述加熱器驅動從而將前述液體升溫至前述第五期間中的前述液體的溫度以下,驅動前述泵。
- 如請求項7所記載之循環裝置,其中進一步地具備:第十閥,係連接於前述噴出口,控制前述液體朝前述循環裝置的外部排出;在前述第一期間、前述第二期間、前述第三期間、前述第四期間、前述第五期間以及前述第六期間中,將前述第十閥設定成關閉狀態;在前述第三期間與前述第六期間之間的第七期間中,將前述第一閥、前述第二閥、前述第三閥、前述第四閥、前述第五閥、前述第六閥、前述第七閥、 前述第八閥以及前述第九閥設定成關閉狀態且將前述第十閥設定成打開狀態,驅動前述泵。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022049252A JP2023142369A (ja) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 循環装置、循環装置の制御方法 |
JP2022-049252 | 2022-03-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202347478A TW202347478A (zh) | 2023-12-01 |
TWI845205B true TWI845205B (zh) | 2024-06-11 |
Family
ID=88101404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112109053A TWI845205B (zh) | 2022-03-25 | 2023-03-13 | 循環裝置以及循環裝置的控制方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023142369A (zh) |
KR (1) | KR20240148901A (zh) |
CN (1) | CN118872029A (zh) |
TW (1) | TWI845205B (zh) |
WO (1) | WO2023182058A1 (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200817664A (en) * | 2006-05-19 | 2008-04-16 | Air Liquide | Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump |
TW201901780A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-01-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液體供給裝置及液體供給方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5860731U (ja) | 1981-10-16 | 1983-04-23 | ミサワホ−ム株式会社 | ゴミシユ−タの取付構造 |
JPH0724399A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-27 | Fujitsu Ltd | 薬品処理装置 |
JP2009239059A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP5860731B2 (ja) | 2012-03-06 | 2016-02-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6786429B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-11-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
JP6813429B2 (ja) * | 2017-05-12 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理装置のメンテナンス方法 |
JP7128099B2 (ja) | 2018-11-27 | 2022-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7467051B2 (ja) | 2019-09-13 | 2024-04-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法 |
JP7312656B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-07-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7376424B2 (ja) | 2020-04-30 | 2023-11-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置 |
-
2022
- 2022-03-25 JP JP2022049252A patent/JP2023142369A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-13 CN CN202380027203.7A patent/CN118872029A/zh active Pending
- 2023-03-13 WO PCT/JP2023/009698 patent/WO2023182058A1/ja active Application Filing
- 2023-03-13 KR KR1020247030535A patent/KR20240148901A/ko unknown
- 2023-03-13 TW TW112109053A patent/TWI845205B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200817664A (en) * | 2006-05-19 | 2008-04-16 | Air Liquide | Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump |
TW201901780A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-01-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液體供給裝置及液體供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202347478A (zh) | 2023-12-01 |
JP2023142369A (ja) | 2023-10-05 |
CN118872029A (zh) | 2024-10-29 |
KR20240148901A (ko) | 2024-10-11 |
WO2023182058A1 (ja) | 2023-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9786533B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium | |
KR101970844B1 (ko) | 액 처리 장치 | |
TWI483331B (zh) | 處理裝置及處理裝置之運轉方法 | |
JP6817860B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2020110709A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20150126281A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2009267167A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6861566B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI797826B (zh) | 處理液循環方法及基板處理方法 | |
TWI845205B (zh) | 循環裝置以及循環裝置的控制方法 | |
JP6422673B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11183396B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI846377B (zh) | 循環裝置以及循環裝置的控制方法 | |
JP5597602B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体 | |
JP2021158174A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20190228963A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI851167B (zh) | 循環裝置、循環裝置之控制方法 | |
KR20190004224A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2022101498A (ja) | 基板把持装置とこれを含む液処理装置、及び基板処理設備 | |
JP2023165117A (ja) | 循環装置、循環装置の制御方法 | |
KR102001735B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2023142433A (ja) | 循環装置、循環装置の制御方法 | |
US20240203757A1 (en) | Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same | |
KR20240070016A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20230104495A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |