TWI851167B - 循環裝置、循環裝置之控制方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於依照處理液之溫度適當獲得泵之速度之範圍。 本發明之循環裝置係對外部路徑進行液體之供給及回收。控制循環裝置之方法具備：第1工序，其參照循環裝置中之複數個部位各自於液體之溫度下所具有之耐壓；第2工序，其參照藉由以液體為壓出之對象之泵壓出之該溫度之液體受到之壓力即第1壓力、與泵之速度之關係；第3工序，其參照具有該溫度之液體之供給所需之第1壓力即第2壓力；及第4工序，其求出賦予該溫度下之第2壓力以上且該溫度之耐壓之最小值以下之第1壓力的泵之速度之範圍。

Description

循環裝置、循環裝置之控制方法

本揭示係關於一種循環裝置及其控制方法。

於半導體裝置之製造工序中，對半導體晶圓等之基板之表面，進行使用藥液之處理。作為該處理之例列舉洗淨處理，作為該藥液(以下，亦包含清洗液、有機溶劑，亦稱為「處理液」)之例列舉酸性之液體。

例如於逐張處理基板之單片式之基板處理裝置中，基板被保持為大致水平且旋轉，對旋轉之基板之表面供給處理液。該處理於通稱為腔室之處理用之殼體中執行。

該處理液於供給至基板之後，被回收再利用。具體而言對腔室供給處理液，回收供處理之後之處理液。此種處理液之供給及回收藉由設置於腔室之外部之循環裝置進行。

於設置有複數個腔室之情形時，該等分別存儲於處理單元。處理單元積層於大致鉛直方向，包含於通稱為塔之構成。有設置有複數個塔之情形。

對塔之各者進行自循環裝置供給處理液、及將處理液回收至循環裝置。且於每個塔進行處理液對複數個腔室之供給及回收。

循環裝置除進行處理液對塔之供給及回收之循環處理(以下暫稱為「外循環」)以外，亦進行不經由塔使處理液於循環裝置之內部循環之循環處理(以下暫稱為「內循環」)。

針對此種對塔之各者之外循環、或內循環，於例如下述專利文獻1中有提及。又針對利用硫酸作為處理液之情形，於例如下述專利文獻2中有提及。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開2021-052038號公報

[專利文獻2] 日本專利特開2020-088208號公報

處理液之黏度依存於溫度。例如有溫度越高黏度越低之傾向。若黏 度較高，則流通處理液所需之對處理液之壓力增加。循環裝置之各部位之耐壓依存於溫度。例如有溫度越高耐壓越低之傾向。於循環裝置中處理液藉由泵壓出並流通，該泵之旋轉速度越高賦予至處理液之壓力越高。

依存於處理液之溫度，流通處理液所需之壓力、與各部位之耐壓變動。且假設該耐壓、及/或該耐壓之溫度依存性於每個部位不同之情形。藉此，要求依照處理液之溫度驅動使用適當之旋轉速度之泵。

本揭示係鑑於上述問題而完成，其目的在於提供一種依照處理液之溫度適當獲得泵之速度之範圍之技術。

本揭示之循環裝置之控制方法之第1態樣係控制對外部路徑進行液體之供給及回收之循環裝置之方法。上述循環裝置具備：貯存槽，其將上述液體設為貯存之對象；第1配管，其具有自上述貯存槽流入上述液體之第1流入端，使用於上述液體之上述供給；第2配管，其具有向上述貯存槽流出上述液體之第2流出端，使用於上述液體之上述回收；泵，其設置於上述第1配管，具有連接於上述第1流入端之吸入口、與噴出口，並將上述液體設為壓出之對象；加熱器，其設置於上述第1配管，連接於上述噴出口，將上述液體設為加熱之對象；過濾器，其設置於上述第1配管，經由上述加熱器連接於上述泵；閥，其於上述第1配管中經由上述過濾器及上述加熱器連接於上述泵，至少可開關；及第3配管，其具有於上述過濾器與上述閥之間連接於上述第1配管之端、與向上述貯存槽流出上述液體之 第3流出端。

該方法具備：第1工序，其參照上述循環裝置之複數個部位於上述液體之溫度下分別具有之耐壓；第2工序，其參照藉由上述泵壓出之上述溫度之上述液體受到之壓力即第1壓力、與上述泵之速度之關係；第3工序，其參照具有上述溫度之上述液體之上述供給所需之上述第1壓力即第2壓力；及第4工序，其求出賦予上述溫度之上述第2壓力以上且上述溫度之上述耐壓之最小值以下之上述第1壓力之上述速度之範圍。

本揭示之循環裝置之控制方法之第2態樣係如其第1態樣，其中上述循環裝置進而具備測定上述溫度之溫度計。該第2態樣測定上述溫度，基於測定出之上述溫度於上述第1工序中參照上述耐壓。

本揭示之循環裝置之控制方法之第3態樣係如其第1態樣或第2態樣，其進而具備由上述第4工序所設定之上述範圍內之上述速度驅動上述泵之第5工序。

本揭示之循環裝置之第1態樣係對外部路徑進行液體之供給及回收之循環裝置，其具備：貯存槽，其將上述液體設為貯存之對象；第1配管，其具有自上述貯存槽流入上述液體之第1流入端，使用於上述液體之上述供給；第2配管，其具有向上述貯存槽流出上述液體之第2流出端，使用於上述液體之上述回收；泵，其設置於上述第1配管，具有連接於上述第1流入端之吸入口、與噴出口，並將上述液體設為壓出之對象；加熱器，其設 置於上述第1配管，連接於上述噴出口，並將上述液體設為加熱之對象；過濾器，其設置於上述第1配管，經由上述加熱器連接於上述泵；閥，其於上述第1配管中經由上述過濾器及上述加熱器連接於上述泵，至少可開關；及第3配管，其具有於上述過濾器與上述閥之間連接於上述第1配管之端、與向上述貯存槽流出上述液體之第3流出端；及控制部，其驅動上述泵。上述控制部參照上述循環裝置之複數個部位於上述液體之溫度下分別具有之耐壓；參照藉由上述泵壓出之上述溫度之上述液體受到之壓力即第1壓力、與上述泵之速度之關係；參照具有上述溫度之上述液體之上述供給所需之上述第1壓力即第2壓力；且求出賦予上述溫度之上述第2壓力以上且上述溫度之上述耐壓之最小值以下之上述第1壓力之上述速度之範圍。

本揭示之循環裝置之第2態樣係如其第1態樣，其進而具備測定上述溫度之溫度計。上述控制部基於測定出之上述溫度參照上述耐壓。

本揭示之循環裝置之第3態樣係如其第1態樣或第2態樣，其中上述控制部以上述範圍內之上述速度驅動上述泵。

根據本揭示之控制裝置之控制方法、及本揭示之控制裝置，依照處理液之溫度適當獲得泵之速度之範圍。

特別地，根據本揭示之控制裝置之控制方法之第3態樣、及本揭示之 控制裝置之第3態樣，適當進行循環裝置之內循環及外循環。

以下，一面參照附加圖式，一面說明本揭示之各實施形態。各實施形態所記載之構成要件僅為例示，並非將本揭示之範圍僅限定於例示之主旨。僅模式性顯示圖式。於圖式中，為可容易理解，而有根據需要將各部之尺寸及數量誇張或簡化圖示之情形。於圖式中，對具有同樣之構成及功 能之部分標註相同之符號，適當省略重複之說明。

於以下之說明中，為說明各要件之位置關係，而採用右手系XYZ正交座標系。具體而言，假設X軸及Y軸於水平方向延伸，Z軸於鉛直方向(上下方向)延伸之情形。又，於圖式中，分別顯示箭頭之前端朝向者作為+(正)方向，其反方向作為-(負)方向。具體而言，鉛直方向朝上為+Z方向，鉛直方向朝下為-Z方向。

於本說明書中，顯示相對或絕對之位置關係之表現(例如「平行」「正交」「中心」)只要未特別說明，則不僅嚴格表示其位置關係，亦表示亦包含公差之狀態，且亦表示於獲得相同程度之功能之範圍內關於相對角度或距離位移之狀態。顯示2個以上者相等之狀態之表現(例如「相同」「相等」「均質」)只要未特別說明，則不僅表示定量且嚴格相等之狀態，亦表示存在公差或獲得相同程度之功能之差之狀態。

顯示形狀之表現(例如「四角形狀」或「圓筒形狀」等)只要未特別說明，則不僅於幾何學上嚴格表示形狀，於獲得相同程度之效果之範圍內，亦表示具有例如凹凸或倒角等之形狀。

「具備」「齊備」「完備」「包含」或「具有」1個構成要件之表現並非排除其他構成要件之存在之排他性表現。

「連結」之表現只要未特別說明，則為除2個要件相接之狀態以外， 亦包含2個要件隔著其他要件分開之狀態之表現。

於某方向「移動」只要未特別說明，則不僅有與該方向平行移動之情形，亦有包含在持有該方向之成分之方向移動之情形。

<1.基板處理裝置之構成>

圖1係模式性顯示基板處理裝置790之橫剖視圖。圖2係模式性顯示基板處理裝置790之沿前後方向(±X方向)之縱剖面之縱剖視圖。

基板處理裝置790使用於與本揭示之循環裝置之間進行供給及回收之處理液處理基板(例如半導體晶圓)W。稍後對該循環裝置及其控制方法進行詳細敘述。亦可集中循環裝置與基板處理裝置790，掌握為基板處理系統。

於基板W，應用例如大致圓盤狀之較薄之平板。於圖1中，稍後敘述之載體C所存儲之基板W之外緣、及稍後敘述之保持部711所保持之基板W之外緣之任一者均以虛線顯示。

基板處理裝置790具備例如傳載部792、與處理區塊793。處理區塊793連結於傳載部792。

傳載部792與處理區塊793排列於水平方向。傳載部792對例如處理區塊793供給基板W。處理區塊793對例如基板W進行處理。傳載部792自例 如處理區塊793回收基板W。

於本說明書中，為方便起見，傳載部792與處理區塊793排列之水平方向被採用為±X方向(亦稱為前後方向)。於±X方向(前後方向)中之自處理區塊793朝向傳載部792之方向被採用為-X方向(稱為前方向或前方)，自傳載部792朝向處理區塊793之方向被採用為+X方向(稱為後方向或後方)。

與±X方向(前後方向)正交之水平方向被採用為±Y方向(亦稱為寬度方向)。±Y方向(寬度方向)中之面向-X方向(前方向)時面向右側之方向被採用為+Y方向(稱為右方向或右方)，面向-X方向(前方向)時面向左側之方向被採用為-Y方向(稱為左方向或左方)。

相對於水平方向垂直之方向被採用為±Z方向(亦稱為上下方向)。±Z方向(上下方向)中之重力方向被採用為-Z方向(稱為下方向或下方)，與重力方向成相反之方向被採用為+Z方向(稱為上方向或上方)。於不特別區別前方、後方、右方及左方之情形時，將該等均簡稱為側方。

<1-1.傳載部之構成>

如圖1所示，傳載部792具備複數個(例如4個)載體載置部721、搬送空間722、及1個以上(例如1個)之第1搬送機構(亦稱為傳載機構)723。

複數個載體載置部721排列於寬度方向(±Y方向)。於各載體載置部 721，載置1個載體C。載體C收納複數張基板W。於載體C，應用例如FOUP(front opening unified pod：前開式晶圓傳送盒)。

搬送空間722位於載體載置部721之後方(+X方向)。搬送空間722於寬度方向(±Y方向)延伸。第1搬送機構723位於搬送空間722。

第1搬送機構723位於載體載置部721之後方(+X方向)。第1搬送機構723搬送基板W。第1搬送機構723對載置於載體載置部721之載體C進行接取。

第1搬送機構723具備手7231、與手驅動部7232。手7231以水平姿勢支持1張基板W。手驅動部7232連結於手7231，使手7231移動。具體而言，手驅動部7232使手7231於前後方向(±X方向)、寬度方向(±Y方向)及上下方向(±Z方向)移動。手驅動部7232具有複數個電動馬達。

如圖1及圖2所示，手驅動部7232具備例如軌道7232a、水平移動部7232b、垂直移動部7232c、旋轉部7232d、及進退移動部7232e。

軌道7232a固定於例如搬送空間722之底部。軌道7232a於寬度方向(±Y方向)延伸。

水平移動部7232b藉由軌道7232a支持。水平移動部7232b相對於軌道7232a於寬度方向(±Y方向)移動。

垂直移動部7232c藉由水平移動部7232b支持。垂直移動部7232c相對於水平移動部7232b於上下方向移動。

旋轉部7232d藉由垂直移動部7232c支持。旋轉部7232d相對於垂直移動部7232c旋轉。旋轉部7232d以旋轉軸線A1為中心旋轉。旋轉軸線A1係沿上下方向延伸之虛擬線。

進退移動部7232e相對於旋轉部7232d移動。進退移動部7232e沿藉由旋轉部7232d之朝向決定之水平方向往復移動。進退移動部7232e連接於手7231。

藉由此種手驅動部7232，手7231實現上下方向之平行移動、任意之水平方向之平行移動、及將旋轉軸線A1設為中心之旋轉移動。

<1-2.處理區塊之構成>

圖3係模式性顯示朝向後方向(+X方向)觀察圖1之基板處理裝置790之沿III-III線之縱剖面之一例之縱剖視圖。圖4係模式性顯示沿左方向(-Y方向)觀察處理區塊793之左方(-Y方向)之部分(亦稱為左部)之構成之一例之側視圖。圖5係模式性顯示沿右方向(+Y方向)觀察處理區塊793之右方(+Y方向)之部分(亦稱為右部)之構成之一例之側視圖。

例如，如圖1至圖5所示，處理區塊793具備2個搬送空間74A、74B、 2個第2搬送機構75A、75B、複數個(此處為24個)處理單元76、2個基板載置部77A、77B、1個隔板73w、及水平排氣系統780。

搬送空間74A位於寬度方向(±Y方向)上之處理區塊793之中央部。搬送空間74A於前後方向(±X方向)延伸。搬送空間74A之前方之部分(亦稱為前部)與傳載部792之搬送空間722連結。

搬送空間74B具有與搬送空間74A大致相同之形狀。具體而言，搬送空間74B位於寬度方向(±Y方向)上之處理區塊793之中央部。搬送空間74B於前後方向(±X方向)延伸。搬送空間74B之前方之部分(亦稱為前部)與傳載部792之搬送空間722連結。

搬送空間74B位於搬送空間74A之下方。搬送空間74B於俯視下，以與搬送空間74A重疊之方式定位。於不相互區別搬送空間74A、74B之情形時，將該等均簡稱為搬送空間74。

隔板73w具有例如水平之板形狀。隔板73w位於搬送空間74A之下方且搬送空間74B之上方。隔板73w隔開搬送空間74A與搬送空間74B。

基板載置部77A位於搬送空間74A。基板載置部77A位於搬送空間74A之前部。傳載部792之第1搬送機構723亦對基板載置部77A進行接取。於基板載置部77A，載置1張或複數張基板W。

基板載置部77B位於搬送空間74B。基板載置部77B位於基板載置部77A之下方。基板載置部77B位於搬送空間74B之前部。基板載置部77B於俯視下，以與基板載置部77A重疊之方式定位。基板載置部77B於俯視下，位於與基板載置部77A相同之位置。

傳載部792之第1搬送機構723亦對基板載置部77B進行接取。於基板載置部77B，載置1張或複數張基板W。於不相互區別基板載置部77A、77B之情形時，將該等均簡稱為基板載置部77。

第2搬送機構75A位於搬送空間74A。第2搬送機構75A搬送基板W。第2搬送機構75A對基板載置部77A進行接取。

第2搬送機構75B位於搬送空間74B。第2搬送機構75B搬送基板W。第2搬送機構75B具有與第2搬送機構75A相同之構造。第2搬送機構75B對基板載置部77B進行接取。於不相互區別第2搬送機構75A、75B之情形時，將該等均簡稱為第2搬送機構75。

第2搬送機構75之各者具備手751與手驅動部752。手751以水平姿勢支持1張基板W。手驅動部752連結於手751。手驅動部752使手751於前後方向(±X方向)、寬度方向(±Y方向)及上下方向移動。手驅動部752具備複數個電動馬達。

具體而言，手驅動部752具備例如2個支柱752a、垂直移動部752b、 水平移動部752c、旋轉部752d、及進退移動部752e。

2個支柱752a固定於例如搬送空間722之側部。2個支柱752a排列於前後方向(±X方向)。各支柱752a於上下方向延伸。

垂直移動部752b藉由2個支柱752a支持。垂直移動部752b於前後方向(±X方向)延伸，架設於2個支柱752a之間。垂直移動部752b相對於2個支柱752a於上下方向移動。

水平移動部752c被支持於垂直移動部752b。水平移動部752c相對於垂直移動部752b於前後方向(±X方向)移動。水平移動部752c於2個支柱752a之間於前後方向(±X方向)移動。

旋轉部752d被支持於水平移動部752c。旋轉部752d相對於水平移動部752c旋轉。旋轉部752d以旋轉軸線A2為中心旋轉。旋轉軸線A2係沿上下方向延伸之虛擬線。

進退移動部752e相對於旋轉部752d移動。進退移動部752e於藉由旋轉部752d之朝向決定之水平方向往復移動。進退移動部752e連接於手751。

藉由此種手驅動部752，手751執行上下方向之平行移動、任意之水平方向之平行移動、及以旋轉軸線A2為中心之旋轉移動。

24個處理單元76之各者對藉由第2搬送機構75搬送之基板W進行規定之處理。

處理區塊793具備6個處理單元76A、6個處理單元76B、6個處理單元76C、及6個處理單元76D。於不相互區別處理單元76A、76B、76C、76D之情形，將該等均簡稱為處理單元76。

6個處理單元76A以積層於上下方向之方式定位。換言之，6個處理單元76A於上下方向排列成1行。6個處理單元76B以積層於上下方向之方式定位。換言之，6個處理單元76B於上下方向排列成1行。6個處理單元76C以積層於上下方向之方式定位。換言之，6個處理單元76C於上下方向排列成1行。6個處理單元76D以積層於上下方向之方式定位。換言之，6個處理單元76D於上下方向排列成1行。

6個處理單元76A、6個處理單元76B、6個處理單元76C、及6個處理單元76D之各者包含於上述塔(此處為4個塔)。

6個處理單元76A中之6個處理室761積層於上下方向。6個處理單元76B中之6個處理室761積層於上下方向。6個處理單元76C中之6個處理室761積層於上下方向。6個處理單元76D中之6個處理室761積層於上下方向。

6個處理單元76A及6個處理單元76B位於搬送空間74A、74B之左方(-Y方向)。6個處理單元76A與6個處理單元76B沿搬送空間74A、74B，排列於前後方向(±X方向)。6個處理單元76B位於6個處理單元76A之後方(+X方向)。

6個處理單元76C及6個處理單元76D位於搬送空間74A、74B之右方(+Y方向)。6個處理單元76C與6個處理單元76D沿搬送空間74A、74B，排列於前後方向(±X方向)。6個處理單元76D位於6個處理單元76C之後方(+X方向)。

6個處理單元76A與6個處理單元76C隔著搬送空間74A、74B對向。6個處理單元76B與6個處理單元76D隔著搬送空間74A、74B對向。

第2搬送機構75對處理單元76之保持部711進行接取。位於隔板73w上方之第2搬送機構75A對24個處理單元76中之上側之12個(4個×上3段)處理單元76搬送基板W，自該等上側之12個處理單元76搬出基板W。位於隔板73w之下方之第2搬送機構75B對24個處理單元76中之下側之12個(4個×下3段)處理單元76搬送基板W，自該等下側之12個處理單元76搬出基板W。

<1-3.處理單元之構成>

圖6係以處理單元76A為例模式性顯示處理單元76之構成之橫剖視圖。各處理室761與搬送空間74相鄰。

圖7係以處理單元76C為例模式性顯示處理單元76之概略構成之縱剖視圖。

如圖6及圖7所示，各處理單元76具備處理室761(稱為腔室或處理殼體)、供給管空間762、及排氣管空間763。例如，複數個處理單元76具有相同之構造。

<1-4.處理室之構成>

處理室761具有例如大致箱形狀。處理室761於例如俯視、前視及側視下，具有大致矩形形狀。處理室761於其內部具有處理空間761s。處理單元76於處理空間761s中處理基板W。於圖6中，以虛線顯示保持部711所保持之基板W之外緣。

處理室761於搬送空間74側具有基板搬送口761o。基板搬送口761o形成於處理室761之側壁。基板搬送口761o具有基板W可通過之尺寸。第2搬送機構75使基板W經由基板搬送口761o，於處理室761之外部(具體而言為搬送空間74)與處理室761之內部(具體而言為處理空間761s)之間移動。各處理單元76具有開關基板搬送口761o之擋板(未圖示)。

處理單元76之各者具備例如保持部711、與流體供給部712。

保持部711位於處理室761之內部。保持部711保持基板W。更具體而 言，保持部711以水平姿勢保持1張基板W。保持部711包含例如以沿鉛直方向之虛擬旋轉軸線A3為中心，使保持於該保持部711之基板W旋轉之部分(亦稱為驅動部)。

於保持部711，應用旋轉卡盤。旋轉卡盤以例如通過基板W之中央部且沿上下方向延伸之旋轉軸線A3為中心使基板W旋轉。

具體而言，旋轉卡盤包含卡盤銷(卡盤構件)711p、旋轉基座711b、與旋轉基座711b之下表面中央耦合之旋轉軸711s、及作為對旋轉軸711s賦予旋轉力之驅動部之電動馬達711m。

旋轉軸711s沿旋轉軸線A3於上下方向延伸。例如，旋轉軸711s為中空軸。

於旋轉軸711s之上端，耦合有旋轉基座711b。旋轉基座711b具有沿水平方向之圓盤形狀。旋轉基座711b於俯視下，為以旋轉軸線A3作為中心之圓形，且具有較基板W之直徑更大之直徑。於旋轉基座711b之上表面之周緣部，複數個(例如6個)卡盤銷711p於周向空出間隔定位。

複數個卡盤銷711p可於與基板W之周端接觸固持基板W之關閉狀態、與自基板W之周端退避之打開狀態之間開關。複數個卡盤銷711p於例如打開狀態下，與基板W之周緣部之下表面接觸，自下方支持基板W。

卡盤銷711p藉由包含例如內置於旋轉基座711b之連桿機構、與位於旋轉基座711b外之驅動源之單元，進行開關驅動。驅動源包含例如滾珠螺桿機構、與對該滾珠螺桿機構賦予驅動力之電動馬達。

處理單元76之各者具備例如加熱器單元719。加熱器單元719位於旋轉基座711b之上方。於加熱器單元719之下表面，耦合沿旋轉軸線A3於上下方向延伸之升降軸719r。

升降軸719r插通於將旋轉基座711b之中央部於上下方向貫通之貫通孔、與於旋轉軸711s之上下方向貫通之中空部分。

升降軸719r之下端延伸至旋轉軸711s之下端更下方。於升降軸719r之下端，耦合升降單元719m。藉由使升降單元719m作動，加熱器單元719在接近旋轉基座711b之上表面之下位置、與支持基板W之下表面而自卡盤銷711p舉升基板W之上位置之間上下移動。

升降單元719m包含例如滾珠螺桿機構、及對其賦予驅動力之電動馬達。藉此，升降單元719m可於下位置與上位置之間之任意中間位置，配置加熱器單元719。

例如，於將加熱器單元719之上表面即加熱面719u配置於在其與基板W之下表面之間隔開規定之間隔之隔離位置之狀態下，可藉由來自加熱面719u之輻射熱加熱基板W。例如，若以加熱器單元719舉升基板W，則在 使加熱面719u與基板W之下表面接觸之接觸狀態下，藉由來自加熱面719u之熱傳導，以更大之熱量加熱基板W。

加熱器單元719具有圓板狀之加熱板之形態。加熱器單元719包含板本體、複數個支持銷、及加熱器。板本體之上表面係沿著水平面之平面。板本體於俯視下，具有與基板W同樣之圓形形狀、與較基板W之直徑稍小之直徑。

板本體之外周端位於複數個卡盤銷711p之內側。換言之，於水平方向上，板本體由複數個卡盤銷711p包圍。藉此，於加熱器單元719上下移動時，加熱器單元719不會與卡盤銷711p干擾。

複數個支持銷之各者係例如以自板本體之上表面向上方稍微突出之方式定位之半球狀之銷。複數個支持銷大致均等地配置於板本體之上表面。於板本體之上表面(加熱面719u)，亦可不存在複數個支持銷。

例如，複數個基板W與支持銷接觸而受支持時，基板W之下表面與板本體之上表面(加熱面719u)隔開微小間隔而對向。藉此，可藉由加熱器單元719有效且均一地加熱基板W。

對於加熱器，應用例如內置於板本體之電阻體。板本體之上表面(加熱面719u)可藉由例如對加熱器通電，而加熱為較有機溶劑之沸點更高溫。對加熱器之供電線通過升降軸719r內。且，對供電線連接對加熱器供 給電力之通電單元719e。

處理單元76之各者於例如處理室761之內部，具備包圍保持部711之筒狀之杯717。

流體供給部712對例如保持部711所保持之基板W，供給複數種流體。複數種流體包含例如藥液、清洗液及有機溶劑等之處理液。藥液包含例如蝕刻液及洗淨液。對於藥液，應用例如酸性液(酸系之液體)及鹼性液(鹼系之液體)。

酸性液包含例如氟酸(氫氟酸)、鹽酸過氧化氫水混合液(SC2)、硫酸、硫酸過氧化氫水(SPM：Sulfuric Peroxide Mixture)、硝氟酸(氟酸與硝酸之混合液)、及鹽酸中之至少1者。

鹼性液包含例如氨過氧化氫水(SC1)、氨水、氟化銨溶液、及氫氧化四甲基銨(TMAH：Tetra-methyl ammonium hydroxide)中之至少1者。

清洗液係例如用於沖洗基板W上之藥液之液體。於清洗液，應用例如去離子水(DIW：Deionized Water)。

有機溶劑係例如用於排除基板W上之清洗液之液體。於有機溶劑，應用例如異丙醇(IPA：Isopropyl Alcohol)等。

複數個流體包含例如惰性氣體等氣體。於惰性氣體，應用例如氮氣等。

流體供給部712包含例如分別噴出規定之流體之第1移動噴嘴71n、第2移動噴嘴72n、及第3移動噴嘴73n。

第1移動噴嘴71n藉由第1移動單元71M於水平方向移動。第1移動噴嘴71n藉由向水平方向之移動，可於與保持於保持部711之基板W之上表面Wa之旋轉中心對向之位置(以下亦稱為「第1噴出位置」)、與不與保持於保持部711之基板W之上表面Wa對向之位置(以下亦稱為「第1起始位置」)之間移動。

第1噴出位置可為例如自第1移動噴嘴71n噴出之第1處理液附著於基板W之上表面之旋轉中心之位置。於俯視下，第1起始位置係保持部711之外側之位置。更具體而言，於俯視下，第1起始位置亦可為杯717之外側之位置。

第1移動噴嘴71n藉由第1移動單元71M之於上下方向之移動，而可接近保持於保持部711之基板W之上表面Wa，亦可自保持於保持部711之基板W之上表面Wa向上方退避。

第1移動單元71M包含例如於上下方向延伸之第1轉動軸71s、與第1轉動軸71s耦合水平延伸之第1臂71a、及驅動第1臂71a之第1臂驅動機構 71m。

第1臂驅動機構71m藉由使第1轉動軸71s以沿上下方向延伸之虛擬轉動軸線A4為中心轉動而使第1臂71a擺動。第1移動噴嘴71n安裝於第1臂71a中之自轉動軸線A4於水平方向離開之部位。

根據第1臂71a之擺動，如圖6之雙點劃線之箭頭所示，第1移動噴嘴71n於水平方向上沿圓弧狀之軌道移動。第1臂驅動機構71m亦可藉由例如使第1轉動軸71s沿上下方向升降而使第1臂71a上下移動。

第1移動噴嘴71n具有對保持於保持部711之基板W之上表面Wa供給第1處理液(亦稱為第1處理液)之功能。於第1移動噴嘴71n，耦合作為供給第1處理液之管發揮功能之第1處理液供給管P1。

於第1處理液供給管P1，介置作為開關第1處理液供給管P1之流路之閥門發揮功能之第1處理液開關閥V1。自稍後敘述之處理液分配部701或處理液分配部702對第1處理液供給管P1供給第1處理液。此處，於第1處理液應用硫酸(HSO)等酸性液。第1移動噴嘴71n可為噴出第1處理液之直線噴嘴，亦可為混合噴出第1處理液與惰性氣體之雙流體噴嘴。

第2移動噴嘴72n藉由第2移動單元72M，於水平方向移動。第2移動噴嘴72n藉由向水平方向之移動，可於與保持於保持部711之基板W之上表面Wa之旋轉中心對向之位置(以下亦稱為「第2噴出位置」)、與不與保 持於保持部711之基板W之上表面Wa對向之位置(以下亦稱為「第2起始位置」)之間移動。

第2噴出位置可為例如自第2移動噴嘴72n噴出之第2處理液附著於基板W之上表面之旋轉中心之位置。於俯視下，第2起始位置係保持部711之外側之位置。更具體而言，於俯視下，第2起始位置亦可為杯717之外側之位置。

第2移動噴嘴72n藉由第2移動單元72M之於上下方向之移動，而可接近保持於保持部711之基板W之上表面Wa，亦可自保持於保持部711之基板W之上表面Wa向上方退避。

第2移動單元72M包含例如於上下方向延伸之第2轉動軸72s、與第2轉動軸72s耦合水平延伸之第2臂72a、及驅動第2臂72a之第2臂驅動機構72m。

第2臂驅動機構72m藉由使第2轉動軸72s以沿上下方向延伸之虛擬轉動軸線A5為中心轉動而使第2臂72a擺動。第2移動噴嘴72n安裝於第2臂72a中之自轉動軸線A5於水平方向離開之部位。

根據第2臂72a之擺動，如圖6之雙點劃線之箭頭所示，第2移動噴嘴72n於水平方向上沿圓弧狀之軌道移動。第2臂驅動機構72m亦可藉由例如使第2轉動軸72s沿上下方向升降而使第2臂72a上下移動。

第2移動噴嘴72n具有對保持於保持部711之基板W之上表面Wa供給第2處理液(亦稱為第2處理液)之功能。於第2移動噴嘴72n，耦合作為供給第2處理液之管發揮功能之第2處理液供給管P2。

於第2處理液供給管P2，介置作為開關第2處理液供給管P2之流路之閥門發揮功能之第2處理液開關閥V2。自稍後敘述之處理液分配部701或處理液分配部702對第2處理液供給管P2供給第2處理液。此處，於第2處理液應用氨過氧化氫水(SC1)等鹼性液。第2移動噴嘴72n可為噴出第2處理液之直線噴嘴，亦可為混合噴出第2處理液與惰性氣體之雙流體噴嘴。

第3移動噴嘴73n藉由第3移動單元73M，於水平方向移動。第3移動噴嘴73n藉由向水平方向之移動，可於與保持於保持部711之基板W之上表面Wa之旋轉中心對向之位置(以下亦稱為「第3噴出位置」)、與不與保持於保持部711之基板W之上表面Wa對向之位置(以下亦稱為「第3起始位置」)之間移動。

第3噴出位置可為例如自第3移動噴嘴73n噴出之第3處理液附著於基板W之上表面之旋轉中心之位置。於俯視下，第3起始位置係保持部711之外側之位置。更具體而言，於俯視下，第3起始位置亦可為杯717之外側之位置。

第3移動噴嘴73n藉由第3移動單元73M之於上下方向之移動，而可接 近保持於保持部711之基板W之上表面Wa，亦可自保持於保持部711之基板W之上表面Wa向上方退避。

第3移動單元73M包含例如於上下方向延伸之第3轉動軸73s、與第3轉動軸73s耦合水平延伸之第3臂73a、及驅動第3臂73a之第3臂驅動機構73m。

第3臂驅動機構73m藉由使第3轉動軸73s以沿上下方向延伸之虛擬轉動軸線A6為中心轉動而使第3臂73a擺動。第3移動噴嘴73n安裝於第3臂73a中之自轉動軸線A6於水平方向離開之部位。

根據第3臂73a之擺動，如圖6之雙點劃線之箭頭所示，第3移動噴嘴73n於水平方向上沿圓弧狀之軌道移動。第3臂驅動機構73m亦可藉由例如使第3轉動軸73s沿上下方向升降而使第3臂73a上下移動。

第3移動噴嘴73n具有對保持於保持部711之基板W之上表面Wa供給第3處理液(亦稱為第3處理液)之功能。於第3移動噴嘴73n，耦合作為供給第3處理液之管發揮功能之第3處理液供給管P3。

於第3處理液供給管P3，介置作為開關第3處理液供給管P3之流路之閥門發揮功能之第3處理液開關閥V3。自稍後敘述之處理液分配部701或處理液分配部702對第3處理液供給管P3供給第3處理液。此處，於第3處理液應用去離子水(DIW)等清洗液。第3移動噴嘴73n可為噴出第3處理液 之直線噴嘴，亦可為混合噴出第3處理液與惰性氣體之雙流體噴嘴。

處理單元76具備例如作為供氣部718之風扇過濾器單元(FFU：Fan Filter Unit)。FFU可進而淨化設置有基板處理裝置790之潔淨室內之空氣並將其供給至處理室761內。

FFU安裝於例如處理室761之頂壁。FFU具備用於取入潔淨室內之空氣並將其送出至處理室761內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效微粒空氣)過濾器)等，可於處理室761內形成清淨空氣之降流。為使自FFU供給之清淨空氣更均一地分散於處理室761內，亦可將穿設有多個吹出孔之沖孔板配置於頂壁之正下方。

例如，於處理室761之側壁之一部分即處理室761之底壁附近，設置有以與基板處理裝置790之外部(工場之排氣設備等)連通之方式連接之排氣口762o。例如，於自FFU供給並於處理室761內流下之清淨空氣中之通過杯717等附近之空氣經由排氣口762o排出至基板處理裝置790之外。例如，亦可對處理室761內之上部添加導入氮氣等惰性氣體之構成。

<1-5.供給管空間之構成>

如圖4及圖5所示，4個供給管空間762於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76A至最上段(第6段)之處理單元76A，1個供給管空間762A於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76B至最上段(第6段)之處理單元76B，1個供給管空間762B於上下方向延伸。例 如，自最下段(第1段)之處理單元76C至最上段(第6段)之處理單元76C，1個供給管空間762C於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76D至最上段(第6段)之處理單元76D，1個供給管空間762D於上下方向延伸。供給管空間762A~62D於該等不相互區別之情形時，將該等均簡稱為供給管空間762。

供給管空間762係配置用於對處理室761供給流體之配管之區域。於供給管空間762，配置例如第1處理液供給管P1、第2處理液供給管P2、第3處理液供給管P3、第1處理液開關閥V1、第2處理液開關閥V2、及第3處理液開關閥V3。第1處理液供給管P1、第2處理液供給管P2、及第3處理液供給管P3自供給管空間762引出至處理室761內，並連接於第1移動噴嘴71n、第2移動噴嘴72n、及第3移動噴嘴73n。

<1-6.排氣管空間之構成>

如圖4及圖5所示，4個排氣管空間763於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76A至最上段(第6段)之處理單元76A，1個排氣管空間763A於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76B至最上段(第6段)之處理單元76B，1個排氣管空間763B於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76C至最上段(第6段)之處理單元76C，1個排氣管空間763C於上下方向延伸。例如，自最下段(第1段)之處理單元76D至最上段(第6段)之處理單元76D，1個排氣管空間763D於上下方向延伸。於不相互區別排氣管空間763A~63D之情形時，將該等均簡稱為排氣管空間763。

各排氣管空間763係配置用於自處理室761排出氣體之配管之區域。如圖4至圖7所示，於各排氣管空間763，配置例如排氣路切換機構770、第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773。

例如，於排氣管空間763A，相對於最下段(第1段)之處理單元76A之處理室761至最上段(第6段)之處理單元76A之處理室761之各者，配置排氣路切換機構770。例如，於排氣管空間763B，相對於最下段(第1段)之處理單元76B之處理室761至最上段(第6段)之處理單元76B之處理室761之各者，配置排氣路切換機構770。例如，於排氣管空間763C，相對於最下段(第1段)之處理單元76C之處理室761至最上段(第6段)之處理單元76C之處理室761之各者，配置排氣路切換機構770。例如，於排氣管空間763D，相對於最下段(第1段)之處理單元76D之處理室761至最上段(第6段)之處理單元76D之處理室761之各者，配置排氣路切換機構770。

存在例如四個第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773之組。第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773係例如用於將自處理室761經由排氣路切換機構770排出而來之氣體排出至基板處理裝置790之外部之配管。

於排氣管空間763之各者中，例如第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773之各者自最下段(第1段)之處理室761之側方延伸至最上段(第6段)之處理室761之側方。於排氣管空間763之各者中， 例如第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、第3垂直排氣管773排列於寬度方向(±Y方向)。於排氣管空間763之各者中，第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773具有排出自於上下方向積層之6段處理單元76之處理室761之各者經由排氣路切換機構770流入之氣體之功能。

於處理單元76A~76D彼此之間區別第1垂直排氣管771之情形時，稱為第1垂直排氣管771A~771D。於處理單元76A~76D彼此之間區別第2垂直排氣管772之情形時，稱為第2垂直排氣管772A~772D。於處理單元76A~76D彼此之間區別第3垂直排氣管773之情形時，稱為第3垂直排氣管773A~773D。

第1組(第1組)之第1垂直排氣管771A、第2垂直排氣管772A、及第3垂直排氣管773A構成為對6段處理單元76A之各者進行排氣。第2組(第2組)之第1垂直排氣管771B、第2垂直排氣管772B、及第3垂直排氣管773B構成為對6段處理單元76B之各者進行排氣。第3組(第3組)之第1垂直排氣管771C、第2垂直排氣管772C、及第3垂直排氣管773C構成為對6段處理單元76C之各者進行排氣。第4組(第4組)之第1垂直排氣管771D、第2垂直排氣管772D、及第3垂直排氣管773D構成為對6段處理單元76D之各者進行排氣。

排氣路切換機構770係用於將氣體自處理室761向基板處理裝置790之外部之排氣路切換為經由第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772及第3垂 直排氣管773中之任1個之垂直排氣管之排氣路之機構。

排氣路切換機構770配置於處理室761之各者之側方。排氣路切換機構770例如為排出處理室761之氣體而經由排氣口762o與處理室761連通。又，排氣路切換機構770與例如於上下方向延伸之第1垂直排氣管771、第2垂直排氣管772、及第3垂直排氣管773連通。

如圖6所示，排氣路切換機構770具有例如第1開關部71d與第2開關部72d。第1開關部71d及第2開關部72d具有例如門狀之構造，如單開門般動作。

第1開關部71d及第2開關部72d藉由馬達等之驅動以轉動軸為中心轉動。排氣路切換機構770根據例如第1開關部71d及第2開關部72d之開關，設定為使氣體自處理空間761s流入第1垂直排氣管771內之狀態(亦稱為第1狀態)、使氣體自處理空間761s流入第2垂直排氣管772內之狀態(亦稱為第2狀態)、及使氣體自處理空間761s流入第3垂直排氣管773之狀態(亦稱為第3狀態)中之任1個狀態。

例如於自第1移動噴嘴71n噴出第1藥液之期間，排氣路切換機構770被設定為第1狀態。例如於自第2移動噴嘴72n噴出第2藥液之期間，排氣路切換機構770被設定為第2狀態。例如於自第3移動噴嘴73n噴出第3藥液之期間，排氣路切換機構770被設定為第3狀態。

<1-7.水平排氣系統之構成>

如圖3至圖5所示，水平排氣系統780具備第1水平排氣管781A、第2水平排氣管782A、第3水平排氣管783A、第1水平排氣管781B、第2水平排氣管782B、及第3水平排氣管783B。

例如，如圖3、圖4所示，第1水平排氣管781A、第2水平排氣管782A、及第3水平排氣管783A以於最上段(第6段)之2個處理單元76A、76B之上方，於前後方向(±X方向)延伸之方式定位。第1水平排氣管781A、第2水平排氣管782A、及第3水平排氣管783A排列於例如寬度方向(±Y方向)。

例如，於第1水平排氣管781A，處理單元76A用之第1垂直排氣管771A及處理單元76B用之第1垂直排氣管771B之各者以連通之方式連接。第1水平排氣管781A自第1垂直排氣管771A、771B排出氣體。

例如，於第2水平排氣管782A，處理單元76A用之第2垂直排氣管772A及處理單元76B用之第2垂直排氣管772B之各者以連通之方式連接。第2水平排氣管782A自第2垂直排氣管772A、772B排出氣體。

例如，於第3水平排氣管783A，處理單元76A用之第3垂直排氣管773A及處理單元76B用之第3垂直排氣管773B之各者以連通之方式連接。第3水平排氣管783A自第3垂直排氣管773A、773B排出氣體。

例如，如圖3、圖5所示，第1水平排氣管781B、第2水平排氣管782B、及第3水平排氣管783B以於最上段(第6段)之2個處理單元76C、76D之上方，於前後方向(±X方向)延伸之方式定位。第1水平排氣管781B、第2水平排氣管782B、及第3水平排氣管783B排列於例如寬度方向(±Y方向)。

例如，於第1水平排氣管781B，處理單元76C用之第1垂直排氣管771C及處理單元76D用之第1垂直排氣管771D之各者以連通之方式連接。第1水平排氣管781B自第1垂直排氣管771C、771D排出氣體。

例如，於第2水平排氣管782B，處理單元76C用之第2垂直排氣管772C及處理單元76D用之第2垂直排氣管772D之各者以連通之方式連接。第2水平排氣管782B自第2垂直排氣管772C、772D排出氣體。

例如，於第3水平排氣管783B，處理單元76C用之第3垂直排氣管773C及處理單元76D用之第3垂直排氣管773D之各者以連通之方式連接。第3水平排氣管783B自第3垂直排氣管773C、773D排出氣體。

第1水平排氣管781A、第2水平排氣管782A、及第3水平排氣管783A長於第1水平排氣管781B、第2水平排氣管782B、及第3水平排氣管783B。

氣體於第1水平排氣管781A、第2水平排氣管782A、第3水平排氣管 783A、第1水平排氣管781B、第2水平排氣管782B、及第3水平排氣管783B之各者之內部向後方(+X方向)流動。

基板處理裝置790具有例如包含4個排氣管空間763及水平排氣系統780等之排氣部768，藉由該排氣部768，可自處理室761向基板處理裝置790之外部(工場之排氣設備等)排出氣體。

於基板處理裝置790之後方(+X方向)設置有處理液存儲部705。處理液存儲部705存儲處理液分配部701、702及處理液供給源703、704。例如處理液供給源703貯存藥液，處理液供給源704貯存清洗液。

處理液分配部701、702均分別獲得處理液，具體而言自處理液供給源703獲得藥液，自處理液供給源704獲得清洗液。處理液分配部701將處理液向處理單元76C、76D分配。處理液分配部702將處理液向處理單元76A、76B分配。

自處理液分配部701向處理單元76C、76D供給處理液之配管分別設置於供給管空間762C、762D。自處理液分配部702向處理單元76A、76B供給處理液之配管分別設置於供給管空間762A、762B。

<1-8.基板處理裝置之控制系統>

例如，如圖1所示，基板處理裝置790具備控制部79。控制部79為例如用於控制基板處理裝置790之各構成之動作之部分。

圖8係顯示用於控制基板處理裝置790之各構成之動作之功能性構成之方塊圖。控制部79與第1搬送機構723、第2搬送機構75、複數個處理單元76及水平排氣系統780可通信地連接。

更具體而言，控制部79與例如複數個處理單元76及水平排氣系統780中之成為控制對象之各要件可通信地連接。藉此，控制部79可控制例如第1搬送機構723、第2搬送機構75、複數個處理單元76及水平排氣系統780之動作。

圖9係顯示控制部79之一構成例之方塊圖。控制部79由例如一般之電腦等實現。控制部79具有例如經由匯流排線79Bu連接之通信部791、輸入部797、輸出部798、記憶部794、處理部795及驅動器796。

通信部791進行例如第1搬送機構723、第2搬送機構75、複數個處理單元76及水平排氣系統780之各者之間經由通信線路之信號之收發。通信部791亦可接收例如來自用於管理基板處理裝置790之管理用伺服器之信號。

輸入部797輸入例如與操作員之動作等對應之信號。輸入部797包含例如可輸入與操作對應之信號之滑鼠及鍵盤等操作部、可輸入與聲音對應之信號之麥克風及可輸入與移動對應之信號之各種感測器等。

輸出部798以例如操作員可辨識之態樣輸出各種資訊。輸出部798包含例如可視性輸出各種資訊之顯示部及可聽性輸出各種資訊之揚聲器等。顯示部亦可具有例如與輸入部797之至少一部分一體化之觸控面板之形態。

記憶部794記憶例如程式Pg1及各種資訊。記憶部794由例如硬碟或快閃記憶體等非揮發性記憶媒體構成。亦可於記憶部794，應用例如具有1個記憶媒體之構成、一體具有2個以上之記憶媒體之構成、及分2個以上之部分具有2個以上之記憶媒體之構成中之任一個。記憶媒體記憶例如第1搬送機構723、第2搬送機構75、複數個處理單元76及水平排氣系統780之動作條件相關之資訊。處理單元76之動作條件相關之資訊包含例如用於處理基板W之處理方案(製程方案)。

處理部795包含例如作為處理器起作用之運算處理部795a及作為運算處理之作業區域之記憶體795b等。於運算處理部795a，應用例如中央運算裝置(CPU：Central Processing Unit)等之電子電路，於記憶體795b，應用例如RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)等。處理部795藉由例如讀入並執行記憶於記憶部794之程式Pg1，而實現控制部79之功能。因此，於控制部79中，例如處理部795依照程式Pg1所記述之順序進行運算處理，藉此實現控制基板處理裝置790之各部之動作之各種功能部。即，藉由由基板處理裝置790所包含之控制部79執行程式Pg1，而可實現基板處理裝置790之功能及動作。控制部79所實現之一部分或全部功能部亦可於例如專用之邏輯電路等硬體性實現。

驅動器796為例如可裝卸可搬性之記憶媒體Sm1之部分。驅動器796於例如安裝有記憶媒體Sm1之狀態下，進行該記憶媒體Sm1與處理部795之間之資料之授受。驅動器796於將記憶有程式Pg1之記憶媒體Sm1安裝於驅動器796之狀態下，自記憶媒體Sm1讀入程式Pg1並使其記憶於記憶部794內。

說明基板處理裝置790之整體之動作之一例。於基板處理裝置790中，例如控制部79依照記述有基板W之搬送順序及處理條件等之方案，控制基板處理裝置790所具備之各部，藉此執行以下說明之一連串動作。

若收納有未處理之基板W之載體C載置於載體載置部721上，則第1搬送機構723自該載體C取出未處理之基板W。第1搬送機構723對基板載置部77搬送未處理之基板W。第2搬送機構75自基板載置部77對由方案等指定之處理單元76搬送未處理之基板W。基板W於第1搬送機構723與第2搬送機構75之間之交接亦可不經由例如基板載置部77，而於手7231與手751之間直接進行。

搬入基板W後之處理單元76對基板W執行決定之一連串基板處理。於該一連串基板處理中，例如對保持於保持部711之基板W之上表面Wa，按該記載之順序進行藥液之供給、與清洗液之供給。

亦可於使用清洗液之處理之後，進行有機溶劑之供給。於使用有機 溶劑之處理之後，進行例如自基板W之上表面Wa上去除有機溶劑使基板W之上表面Wa上乾燥之處理(亦稱為乾燥處理)。於乾燥處理中，例如保持於保持部711之基板W藉由作為驅動部之電動馬達711m以旋轉軸線A3為中心旋轉。

若於處理單元76中結束對基板W之一連串基板處理，則第2搬送機構75自處理單元76取出處理完畢之基板W。第2搬送機構75將處理完畢之基板W搬送至基板載置部77。第1搬送機構723自基板載置部77對載體載置部721上之載體C搬送基板W。

於基板處理裝置790中，第1搬送機構723及第2搬送機構75依照方案反復進行上述搬送動作，且各處理單元76依照處理方案執行對基板W之一連串基板處理。藉此，依次進行對基板W之一連串基板處理。

<2.循環裝置之說明>

圖10係例示循環裝置100之構成之配管圖。於處理液分配部701、702，均可採用循環裝置100。圖10中亦附記自循環裝置100之外部連接於循環裝置100之外部路徑71、72。循環裝置100對外部路徑71、72進行處理液之供給及回收。外部路徑71、72可稱為各不相同之塔中之處理液之路徑。

於採用循環裝置100作為處理液分配部701之情形時，例如外部路徑71為於6個處理單元76C中流通處理液之配管，外部路徑72為於6個處理單 元76D中流通處理液之配管。

例如外部路徑71與6個處理單元76C經由配管71b進行處理液之供給及回收。例如外部路徑72與6個處理單元76D經由配管72b進行處理液之供給及回收。配管71b設置於供給管空間762C，且配管72b設置於供給管空間762D。

於採用循環裝置100作為處理液分配部702之情形時，例如外部路徑71為於6個處理單元76A中流通處理液之配管，外部路徑72為於6個處理單元76B中流通處理液之配管。

例如外部路徑71與6個處理單元76A經由配管71b進行處理液之供給及回收。例如外部路徑72與6個處理單元76B經由配管72b進行處理液之供給及回收。配管71b設置於供給管空間762A，配管72b設置於供給管空間762B。

循環裝置100具備貯存槽T。貯存槽T以液體Q為貯存之對象。液體Q為上述之處理液，即例如硫酸或其稀釋液(稀硫酸)。

循環裝置100具備配管1。配管1具有流入端101，用來對外部路徑71、72供給液體Q。液體Q自貯存槽T流入流入端101。

循環裝置100具備配管2。配管2具有流出端202，用來經由外部路徑 71、72回收液體Q。液體Q自流出端202向貯存槽T流出。

循環裝置100具備泵12。泵12設置於配管1。泵12具有吸入口12a與噴出口12b。吸入口12a連接於流入端101。泵12將液體Q作為自吸入口12a向噴出口12b壓出之對象。泵12為例如旋轉型，且對泵12採用例如磁懸浮離心泵。對於磁懸浮離心泵，採用例如LEVITRONIX公司之無軸承泵。

循環裝置100具備加熱器11。加熱器11於配管1中與噴出口12b連接設置。加熱器11以液體Q為加熱之對象。

循環裝置100具備過濾器16。過濾器16於配管1中經由例如加熱器11連接於泵12，更具體而言連接於噴出口12b。過濾器16具有去除液體Q之雜質之功能。

循環裝置100具備閥13。閥13於配管1中經由過濾器16及加熱器11連接於泵12，更具體而言連接於噴出口12b。閥13至少可開關，控制液體Q對外部路徑71、72之供給。對於閥13例如採用開關閥。

液體Q自貯存槽T經由配管1、2及閥13流出、且液體Q向貯存槽T流入之循環稱為「外循環」。

循環裝置100具備配管3。配管3具有端301及流出端302。端301於過濾器16與閥13之間連接於配管1。液體Q自流出端302向貯存槽T流出。

循環裝置100具備閥31。閥31設置於配管3，控制液體Q自流出端302向貯存槽T之流出。對於閥31例如採用開關閥。

液體Q自貯存槽T經由配管1、3及閥31流出、且液體Q向貯存槽T流入之循環稱為「內循環」。

循環裝置100具備流量計15。流量計15設置於例如噴出口12b與加熱器11之間。流量計15測定配管1中之液體Q之流量。

循環裝置100具備溫度計17及壓力計18。溫度計17及壓力計18設置於例如加熱器11與過濾器16之間。溫度計17測定位於配管1之液體Q之溫度。壓力計18測定位於配管1之液體Q之壓力。

控制部5對閥13、31輸出控制各者之開關之信號Sv。

控制部5控制加熱器11及泵12之動作。例如控制部5將控制信號Sh輸出至加熱器11，控制藉由加熱器11對液體Q之加熱。例如控制部5將控制信號Sp輸出至泵12，控制藉由泵12對液體Q之加壓。具體而言藉由控制泵12之旋轉速度，而控制液體Q受到之壓力(以下亦稱為「第1壓力」)。

控制部5自流量計15輸入顯示流通於配管1之液體Q之流量之資料Fd。控制部5自溫度計17，輸入顯示位於配管1之液體Q之溫度(以下，亦 簡稱為「液溫」)之資料Td。控制部5自壓力計18，輸入顯示位於配管1之液體Q之壓力之資料Pd。

使用周知之技術實現以下情況：控制部5基於例如資料Fd、Pd使用控制信號Sp控制泵12之驅動(例如旋轉速度)、或控制部5基於資料Td使用控制信號Sh控制藉由加熱器11對液體Q之加熱(例如液溫)。藉此捨棄關於實現該泵12或加熱器11之控制之技術之細節。

控制部5可藉由例如控制部79之一部分或全部實現。亦可掌握控制部5作為循環裝置100之一部分。

以下對第1壓力、液溫、泵12之動作(具體而言為旋轉速度之控制)之三者之關聯進行說明。

於以下之說明中捨棄液體Q對貯存槽T之貯存相關之說明。據此，說明閥61處於關閉狀態之狀況。

<2-1.內循環之說明>

於對外部路徑71、72供給處理液(此處為液體Q)之前，進行內循環使處理液上升至規定之溫度有助於利用於處理時之處理液之溫度管理。於執行內循環時關閉閥13，打開閥31。

於內循環中液體Q自貯存槽T依序經由泵12、流量計15、加熱器11、 過濾器16、端301、閥31、及流出端302，向貯存槽T返回。

<2-2.外循環之說明>

打開閥13，對外部路徑71、72供給處理液(此處為液體Q)，執行外循環。

於對外部路徑71、72供給處理液之情形時，不僅外循環，亦並用內循環。流通於外部路徑71、72之處理液之流量之變動對循環裝置100中之處理液之壓力帶來之變動，藉由進行外循環時之內循環緩和。

藉由如此於外循環中伴隨著內循環，而可執行不拘泥於外部路徑71、72之狀況亦將流通於過濾器16之液體Q之流量維持為大致固定之控制。

<2-3.液溫、旋轉速度及壓力之關係>

液體Q於外部路徑71、72中作為處理液使用。根據處理，對處理液要求各種溫度。藉由加熱器11對液體Q之加熱實現處理液所要求之溫度。

第1壓力亦依存於泵12之旋轉速度(以下亦簡稱為「旋轉速度」)。相對於旋轉速度之上升，第1壓力有上升之傾向。以下有時亦將第1壓力與旋轉速度之間之關係暫稱為「速度-壓力關係」。

液體Q之黏度依存於液溫。例如於液體Q採用硫酸時，黏度有相對於 液溫之上升黏度下降之傾向。受黏度之影響，第1壓力亦依存於溫度。

速度-壓力關係亦可稱為第1壓力、液溫、及旋轉速度之間之關係。

速度-壓力關係先於下述說明之旋轉速度之設定，按每個液溫預先求出。速度-壓力關係記憶於例如記憶部794，於運算處理部795a中被參照。

<2-4.循環裝置之各部位之耐壓>

針對循環裝置100之複數個部位，例如閥13、31、過濾器16、端301之配管1、3彼此之接頭自液體Q受到之壓力，分別具有耐壓。以下，將上述耐壓中最小之耐壓暫稱為最小耐壓。

各個部位之耐壓受溫度之影響。例如相對於溫度之上升，該等耐壓均有下降之傾向。最小耐壓依存於溫度。具有最小耐壓之部位可能依存於溫度而不同。

<2-5.旋轉速度之設定>

為適當進行內循環及外循環，而期望第1壓力於任一部位中均為該部位之耐壓以下。於某液溫中，較理想為於任一液溫中，期望第1壓力為最小耐壓以下。

如上所述，速度-壓力關係依存於溫度。參照該溫度之速度-壓力關係求出用於壓出具有某液溫之液體Q之旋轉速度之上限，作為獲得最小耐壓 之第1壓力之旋轉速度。

於可對外部路徑71、72供給液體Q之第1壓力有最小值。該第1壓力於以下亦被暫稱為「第2壓力」。用於壓出具有某液溫之液體Q之旋轉速度之下限為獲得該液溫之第2壓力之旋轉速度。

因如上所述液體Q之黏度依存於液溫，故第2壓力亦依存於液溫。例如相對於液溫之上升，第2壓力處於下降之傾向。第2壓力先於下述說明之旋轉速度之設定，按每個液溫預先求出。

求出賦予某溫度之第2壓力以上且該溫度之最小耐壓以下之第1壓力之旋轉速度之範圍。求出該範圍有助於以於該範圍中設定之旋轉速度驅動泵，進而有助於適當進行使用具有該液溫之液體Q之內循環及外循環。

匯總上述處理，可使用下述第1工序至第4工序進行說明。

第1工序：參照循環裝置100之複數個部位，例如閥13、31、過濾器16、端301之配管1、3彼此之接頭於液體Q之溫度(液溫)θ下分別具有之耐壓。

第2工序：參照藉由泵12壓出之液溫θ之液體Q受到之第1壓力P01、與泵12之旋轉速度R之關係(此相當於上述「速度-壓力關係」)。

第3工序：參照將具有液溫θ之液體Q對外部路徑71、72供給所需之第2壓力P02。

第4工序：求出賦予液溫θ之第2壓力P02以上且液溫θ之耐壓之最小值(上述「最小耐壓」)以下之第1壓力之旋轉速度R之範圍△。

藉由如此實施第1工序至第4工序，依照處理液之溫度適當獲得旋轉速度R之範圍△。

於一般記載第1工序時，循環裝置100之複數個部位X1、X2、X3、...於溫度H下，分別具有耐壓Y1(H)、Y2(H)、Y3(H)、...。

表1例示部位具有之耐壓對溫度H之依存性。表1之內容以例如表格之形式記憶於記憶部794，於運算處理部795a中被參照。表1之內容係例如按每個部位作為溫度之函數記憶於記憶部794，於運算處理部795a中被參照。亦可記憶耐壓對帶範圍之溫度H之依存性。

分別係過濾器16對應於上述部位X1，閥13、31對應於部位X2、X3，端301之接頭對應於部位X4。為例如Y1(25[℃])=0.49[MPa]、Y3(140[℃])=0.45[MPa]。

於一般記載第2工序時，第1壓力P01表示速度-壓力關係，且可作為液溫θ與旋轉速度R之函數F1(θ,R)表示。函數F1(θ,R)相對於例如液溫θ單調非增加，相對於旋轉速度R單調非減少。函數F1(θ,R)記憶於例如記憶部794，於運算處理部795a中被參照。亦可取代函數F1(θ,R)以表格形式按每個液溫θ表示速度-壓力關係，將其記憶於記憶部794，於運算處理部795a中被參照。

於一般記載第3工序時，第2壓力P02可作為液溫θ之函數F2(θ)表示。 函數F2(θ)相對於例如液溫θ單調非增加。函數F2(θ)記憶於例如記憶部794，於運算處理部795a中被參照。亦可取代函數F2(θ)以表格形式表示液溫θ與第2壓力P02之關係，將其記憶於記憶部794，於運算處理部795a中被參照。

第4工序中使用之最小耐壓為某溫度下之各部位之耐壓之最小值。例如於液溫θ之液體Q藉由泵12壓出時，參照關於與液溫θ相等之溫度H、或接近液溫θ之溫度H之耐壓。

取液溫θ=25[℃]之情形為例，Y1(25[℃])、Y2(25[℃])、Y3(25[℃])之最小值為Y2(25[℃])=0.48[MPa]，且此為最小耐壓。取液溫θ=100[℃]之情形為例，Y1(100[℃])、Y2(100[℃])、Y3(100[℃])之最小值為Y1(100[℃])=0.34[MPa]，且此為最小耐壓。

例如，液溫θ藉由溫度計17測定，作為資料Td賦予至控制部5。控制部5實施第1工序。若液溫θ為25[℃]，則參照顯示表1之內容之表格或函數，獲得Y1(25[℃])、Y2(25[℃])、Y3(25[℃])、...。

控制部5使用自資料Td獲得之液溫θ，參照該液溫之速度-壓力關係。例如若液溫θ為25[℃]，則參照函數F1(25[℃]，R)(第2工序之實施)。

控制部5使用自資料Td獲得之液溫θ，參照該液溫之第2壓力P02。例如若液溫θ為25[℃]，則參照函數F2(25[℃])(第3工序之實施)。

控制部5實施第4工序。具體而言例如若液溫θ為25[℃]，則控制部5求出滿足F2(25[℃])≦F1(25[℃]，R)≦Y2(25[℃])之旋轉速度R之範圍。例如若液溫θ為100[℃]，則控制部5求出滿足F2(100[℃])≦F1(100[℃]，R)≦Y1(100[℃])之旋轉速度R之範圍。

表2例示第2壓力P02、最小耐壓、旋轉速度R之範圍△之相對於溫度H之依存性。其中針對第2壓力P02、範圍△，液溫θ相當於溫度H。表2亦例示於各者之溫度H(液溫θ)中，於循環裝置100之內循環或外循環中採用之旋轉速度R。

例如F2(25[℃])=0.45[Pa]，最小耐壓為Y2(25[℃])=0.48[Pa]，滿足F1(25[℃]，R)=0.45之旋轉速度R為7000[rpm]，滿足F1(25[℃]，R)=0.48之旋轉速度R為9000[rpm]。例如於液溫θ為25[℃]之情形時，於內循環或 外循環中，以7000[rpm]以上且9000[rpm]以下之旋轉速度R=8000[rpm]驅動泵12。

例如F2(100[℃])=0.3[Pa]，最小耐壓為Y1(100[℃])=0.34[Pa]，滿足F1(100[℃]，R)=0.3之旋轉速度R為4500[rpm]，滿足F1(100[℃]，R)=0.34之旋轉速度R為6000[rpm]。例如於液溫θ為100[℃]之情形時，於內循環或外循環中，以4500[rpm]以上且6000[rpm]以下之旋轉速度R=5750[rpm]驅動泵12。

以第4工序所求出之範圍△之旋轉速度R驅動泵12亦可視為控制部5實施之第5工序。或於第4工序所求出之旋轉速度R之範圍中設定旋轉速度R亦可視為第5工序。

圖11係例示本揭示之控制之流程圖。該流程圖亦包含液溫θ之測定或第5工序，顯示為整體上進行旋轉速度R之設定之控制。

先於第1工序至第4工序，於步驟S10中進行液溫θ之測定。於執行步驟S10之後，執行步驟S11。

於步驟S11中執行第1工序。具體而言參照液溫θ之各部位X1、X2、X3、...之各者之耐壓Y1(θ)、Y2(θ)、Y3(θ)、...。以上述之例為準則而言，若液溫θ為25[℃]，則表1中參照溫度H為25[℃]之列，獲得耐壓0.49[MPa]、0.48[MPa]、0.7[MPa]。若液溫θ為100[℃]，則表1中參照溫 度H為100[℃]之列，獲得耐壓0.34[MPa]、0.44[MPa]、0.575[MPa]。

於步驟S12中執行第2工序。具體而言參照液溫θ之速度-壓力關係。換言之參照液溫θ之第1壓力P01與旋轉速度R之關係。以工述之例為準則而言，若液溫θ為25[℃]則參照函數F1(25[℃]，R)，若液溫θ為100[℃]則參照函數F1(100[℃]，R)。或參照例如函數F1(θ,R)，若液溫θ為25[℃]則獲得函數F1(25[℃]，R)，若液溫θ為100[℃]則獲得函數F1(100[℃]，R)。

於步驟S13中執行第3工序。具體而言參照液溫θ之第2壓力P02。以上述之例為準則而言，若液溫θ為25[℃]則參照函數F2(25[℃])，若液溫θ為100[℃]則參照函數F2(100[℃])。或參照例如函數F2(θ)，若液溫θ為25[℃]則獲得函數F2(25[℃])，若液溫θ為100[℃]則獲得函數F2(100[℃])。

不追究第1工序、第2工序、及第3工序彼此之間之執行順序。不追究步驟S11、S12、S13彼此之間之執行順序。

於執行步驟S11之後，執行步驟S14。步驟S14相當於第4工序。於圖11中步驟S14分為步驟S14a、與使用步驟S14a之結果執行之步驟S14b而顯示。

步驟S14a係求出液溫θ之最小耐壓之工序。以上述之例為準則而言， 若液溫θ為25[℃]則求出0.48[MPa]作為最小耐壓，若液溫θ為100[℃]則求出0.34[MPa]作為最小耐壓。步驟S14a亦可與步驟S11一起包含於第1工序而考慮。

步驟S14b係求出範圍△之工序。具體而言，求出賦予液溫θ之第2壓力P02以上且液溫θ之最小耐壓以下之第1壓力P01之旋轉速度R之上限與下限。通常，若旋轉速度R上升則第1壓力P01上升。藉此該上限藉由最小耐壓決定，該下限藉由第2壓力決定。

以上述之例為準則而言，若液溫θ為25[℃]則範圍△之下限為使第1壓力P01與第2壓力P02=0.45[MPa]相等之旋轉速度R=7000[rpm]，範圍△之上限為使第1壓力P01與最小耐壓0.48[MPa]相等之旋轉速度R=9000[rpm]。若液溫θ為100[℃]則範圍△之下限為使第1壓力P01與第2壓力P02=0.3[MPa]相等之旋轉速度R=4500[rpm]，範圍△之上限為使第1壓力P01與最小耐壓0.34[MPa]相等之旋轉速度R=6000[rpm]。

於執行步驟S14之後，執行步驟S15。步驟S15相當於第5工序。於圖11中步驟S15分為步驟S15a、與使用步驟S15a之結果執行之步驟S15b而顯示。

步驟S15a係於範圍△中設定旋轉速度R之工序。於上述之例中參照表2，若液溫θ為25[℃]則旋轉速度R設定為7000[rpm]以上且9000[rpm]以下之值8000[rpm]。若液溫θ為100[℃]則旋轉速度R設定為4500[rpm]以上且 6000[rpm]以下之值5750[rpm]。

步驟S15b係以步驟S15a所設定之旋轉速度R驅動泵12之工序。步驟S15b亦可自第5工序脫離，進而自「旋轉速度R之設定」之流程圖脫離而考慮。

第1工序至第4工序或步驟S11~S14藉由例如控制部5執行。步驟S10藉由例如控制部5與溫度計17之協動執行。步驟S15b藉由例如控制部5與泵12之協動執行。

<3.變化>

例如步驟S14b所求出之範圍△可先於對內循環或外循環之採用，預先按每個液溫θ求出。例如每個液溫θ之範圍△可以表格或函數之形式記憶於記憶部794，於運算處理部795a中被參照。例如亦可於執行圖11所示之步驟S10之後，參照顯示與液溫θ對應之範圍△之表格或函數，執行步驟S15。

如上所述求出之範圍△除對內循環或外循環之採用以外，亦可利用於使用泵12排出液體Q。例如該排出藉由於泵12與流量計15之間設置接頭與閥，打開該閥且驅動泵12而實現。於該情形時，於最小耐壓之候補，採用該溫度下之該接頭及該閥具有之各者之耐壓。又作為第2壓力P02，採用該排出所需之壓力。

於上述實施形態中，例如亦可於泵12採用旋轉型以外之形式。於該情形時，上述旋轉速度R可換稱為泵12之速度，藉此上述說明妥當。

可適當將分別構成上述各實施形態及各種變化例之全部或一部分於不矛盾之範圍內組合。

1:配管(第1配管)

2:配管(第2配管)

3:配管(第3配管)

5:控制部

11:加熱器

12:泵

12a:吸入口

12b:噴出口

13:閥

15:流量計

16:過濾器

17:溫度計

18:壓力計

31:閥

61:閥

71:外部路徑

71a:第1臂

71b:配管

71d:第1開關部

71M:第1移動單元

71m:第1臂驅動機構

71n:第1移動噴嘴

71s:第1轉動軸

72:外部路徑

72a:第2臂

72b:配管

72d:第2開關部

72M:第2移動單元

72m:第2臂驅動機構

72n:第2移動噴嘴

72s:第2轉動軸

73a:第3臂

73M:第3移動單元

73m:第3臂驅動機構

73n:第3移動噴嘴

73s:第3轉動軸

73w:隔板

74:搬送空間

74A:搬送空間

74B:搬送空間

75:第2搬送機構

75A:第2搬送機構

75B:第2搬送機構

76:處理單元

76A:處理單元

76B:處理單元

76C:處理單元

76D:處理單元

77:基板載置部

77A:基板載置部

77B:基板載置部

79:控制部

79Bu:匯流排線

100:循環裝置

101:流入端(第1流入端)

202:流出端(第2流出端)

301:端

302:流出端(第3流出端)

701:處理液分配部

702:處理液分配部

703:處理液供給源

704:處理液供給源

705:處理液存儲部

711:保持部

711b:旋轉基座

711m:電動馬達

711p:卡盤銷

711s:旋轉軸

712:流體供給部

717:杯

718:供氣部

719:加熱器單元

719e:通電單元

719m:升降單元

719r:升降軸

719u:加熱面

721:載體載置部

722:搬送空間

723:第1搬送機構

751:手

752:手驅動部

752a:支柱

752b:垂直移動部

752c:水平移動部

752d:旋轉部

752e:進退移動部

761:處理室

761o:基板搬送口

761s:處理空間

762:供給管空間

762A:供給管空間

762B:供給管空間

762C:供給管空間

762D:供給管空間

762o:排氣口

763:排氣管空間

763A:排氣管空間

763B:排氣管空間

763C:排氣管空間

763D:排氣管空間

768:排氣部

770:排氣路切換機構

771:第1垂直排氣管

771A~771D:第1垂直排氣管

772:第2垂直排氣管

772A~772D:第2垂直排氣管

773:第3垂直排氣管

773A~773D:第3垂直排氣管

780:水平排氣系統

781A:第1水平排氣管

781B:第1水平排氣管

782A:第2水平排氣管

782B:第2水平排氣管

783A:第3水平排氣管

783B:第3水平排氣管

790:基板處理裝置

791:通信部

792:傳載部

793:處理區塊

794:記憶部

795:處理部

795a:運算處理部

795b:記憶體

796:驅動器

797:輸入部

798:輸出部

7231:手

7232:手驅動部

7232a:軌道

7232b:水平移動部

7232c:垂直移動部

7232d:旋轉部

7232e:進退移動部

A1:旋轉軸線

A2:旋轉軸線

A3:旋轉軸線

A4:轉動軸線

A5:轉動軸線

A6:轉動軸線

C:載體

Fd:資料

P1:第1處理液供給管

P2:第2處理液供給管

P3:第3處理液供給管

Pd:資料

Pg1:程式

Q:液體

R:旋轉速度(速度)

S10~S15:步驟

S14a,S14b:步驟

S15a,S15b:步驟

Sh:控制信號

Sm1:記憶媒體

Sp:控制信號

Sv:信號

T:貯存槽

Td:資料

V1:第1處理液開關閥

V2:第2處理液開關閥

V3:第3處理液開關閥

W:基板

Wa:上表面

III-III:線

△:範圍

θ:液溫(溫度)

圖1係模式性顯示基板處理裝置之橫剖視圖。

圖2係模式性顯示基板處理裝置之縱剖視圖。

圖3係模式性顯示基板處理裝置之沿III-III線之縱剖面之縱剖視圖。

圖4係模式性顯示沿左方向觀察處理區塊之左部之構成之一例之側視圖。

圖5係模式性顯示沿右方向觀察處理區塊之右部之構成之一例之側視圖。

圖6係模式性顯示處理單元之構成之橫剖視圖。

圖7係模式性顯示處理單元之構成之縱剖視圖。

圖8係顯示用於控制基板處理裝置之各構成之動作之功能性構成之方塊圖。

圖9係顯示控制部之一構成例之方塊圖。

圖10係例示循環裝置之構成之配管圖。

圖11係例示本揭示之控制之流程圖。

S10~S15:步驟

S14a,S14b:步驟

S15a,S15b:步驟

Claims (6)

1. 一種循環裝置之控制方法，其係控制對外部路徑進行液體之供給及回收之循環裝置之方法，且上述循環裝置具備：貯存槽，其以上述液體為貯存之對象；第1配管，其具有自上述貯存槽流入上述液體之第1流入端，且使用於上述液體之上述供給；第2配管，其具有向上述貯存槽流出上述液體之第2流出端，且使用於上述液體之上述回收；泵，其設置於上述第1配管，具有連接於上述第1流入端之吸入口、與噴出口，並以上述液體為壓出之對象；加熱器，其設置於上述第1配管，連接於上述噴出口，以上述液體為加熱之對象；過濾器，其設置於上述第1配管，經由上述加熱器連接於上述泵；閥，其於上述第1配管中經由上述過濾器及上述加熱器連接於上述泵，且至少可開關；及第3配管，其具有於上述過濾器與上述閥之間連接於上述第1配管之端、與向上述貯存槽流出上述液體之第3流出端；且上述方法具備：第1工序，其參照上述循環裝置中之複數個部位各自於上述液體之溫度下所具有之耐壓；第2工序，其參照藉由上述泵壓出之上述溫度之上述液體所承受之壓力即第1壓力、與上述泵之速度之關係； 第3工序，其參照進行具有上述溫度之上述液體之上述供給所需之上述第1壓力即第2壓力；及第4工序，其求出賦予上述溫度下之上述第2壓力以上且為上述溫度下之上述耐壓之最小值以下之上述第1壓力的上述速度之範圍。
2. 如請求項1之循環裝置之控制方法，其中上述循環裝置進而具備：測定上述溫度之溫度計；上述方法係測定上述溫度，基於測定出之上述溫度於上述第1工序中參照上述耐壓。
3. 如請求項1或2之循環裝置之控制方法，其進而具備以上述第4工序設定之上述範圍內之上述速度驅動上述泵之第5工序。
4. 一種循環裝置，其係對外部路徑進行液體之供給及回收之循環裝置，且具備：貯存槽，其以上述液體為貯存之對象；第1配管，其具有自上述貯存槽流入上述液體之第1流入端，且使用於上述液體之上述供給；第2配管，其具有向上述貯存槽流出上述液體之第2流出端，且使用於上述液體之上述回收；泵，其設置於上述第1配管，具有連接於上述第1流入端之吸入口、 與噴出口，並以上述液體為壓出之對象；加熱器，其設置於上述第1配管，連接於上述噴出口，以上述液體為加熱之對象；過濾器，其設置於上述第1配管，經由上述加熱器連接於上述泵；閥，其於上述第1配管中經由上述過濾器及上述加熱器連接於上述泵，且至少可開關；及第3配管，其具有在上述過濾器與上述閥之間連接於上述第1配管之端、及向上述貯存槽流出上述液體之第3流出端；及控制部，其驅動上述泵；且上述控制部參照上述循環裝置中之複數個部位各自於上述液體之溫度下所具有之耐壓；參照藉由上述泵壓出之上述溫度之上述液體所承受之壓力即第1壓力、與上述泵之速度之關係；參照進行具有上述溫度之上述液體之上述供給所需之上述第1壓力即第2壓力；且求出賦予上述溫度下之上述第2壓力以上且為上述溫度下之上述耐壓之最小值以下之上述第1壓力的上述速度之範圍。
5. 如請求項4之循環裝置，其進而具備：測定上述溫度之溫度計；且上述控制部基於測定出之上述溫度而參照上述耐壓。
6. 如請求項4或5之循環裝置，其中上述控制部以上述範圍內之上述速度驅動上述泵。