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TWI636337B - 基板保持裝置、基板保持構件及基板保持方法 - Google Patents

基板保持裝置、基板保持構件及基板保持方法 Download PDF

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TWI636337B
TWI636337B TW105141682A TW105141682A TWI636337B TW I636337 B TWI636337 B TW I636337B TW 105141682 A TW105141682 A TW 105141682A TW 105141682 A TW105141682 A TW 105141682A TW I636337 B TWI636337 B TW I636337B
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TW105141682A
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Tomohiro Ishino
石野智浩
Shinya Kikuchi
菊地真哉
Original Assignee
Ngk Spark Plug Co., Ltd.
日商日本特殊陶業股份有限公司
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Publication date
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Abstract

提供一種基板保持裝置及基板保持方法，其可期待保持狀態下之基板的形狀精度提高。
基板保持裝置具備：第1保持構件1，其具有板狀的第1基體10；及第2保持構件2，其具有薄板狀的第2基體20。於第1基體10形成有連通至上面的通氣路徑102。於第2基體20形成有朝厚度方向延伸於其中心部位的貫通孔202。在第2基體20的上面形成有朝上方突出的複數個凸部211、及環狀凸部212，該環狀凸部212係呈與第1基體10為相同中心的大致圓環狀朝上方突出且圍繞貫通孔202的上側開口及複數個凸部211。

Description

基板保持裝置、基板保持構件及基板保持方法
本發明係關於一種將半導體晶圓等的基板吸附保持於基體之基板保持裝置。
以往提出有一種基板保持裝置(例如，參照專利文獻1)，其於基體之上面形成有環狀之第1支撐部、複數個突起狀的第2支撐部、及筒狀部，該第1支撐部，係支撐基板的外緣部，該第2支撐部，係配置於藉由第1支撐部圍繞之區域內，該筒狀部係形成不吸附被配置於該區域內的基板之區域，且由基板及基體形成的第1支撐部的內側之空間的空氣吸引，係以自靠近筒狀部的吸引口開始之方式構成。藉此，可避免基板的皺褶朝非吸附部分集中之現象產生，因此可期待基板整體的平坦度提高。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本專利第4348734號公報
然而，為了製造精細的電路圖案，半導體曝光裝置的光源之線寬越來越趨向於微細化，奈米級尺寸的線寬正逐漸成為主流，因此對基板的平坦度之要求基準變高。
並且，近年來即使在附帶於半導體曝光製程的塗布、顯影製程中，對基板的平坦度之要求基準也變高。
因此，本發明之目的，在於提供一種基板保持裝置及基板保持方法，其除了常溫下的製程外，即使於常溫以外的製程中，仍可期待保持狀態下之基板的形狀精度提高。
本發明的基板保持裝置，其特徵在於具備：第1保持構件，其具備形成有連通至上面的通氣路徑之板狀的第1基體；及第2保持構件，其具備較上述第1基體薄的板狀之第2基體，該第2基體形成有延伸於厚度方向的貫通孔，且於上述第2基體之上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述貫通孔及上述複數個凸部的環狀凸部，且上述第2保持構件，係以於其上方載置基板，且被載置在上述第1保持構件上之方式構成。
再者，本發明的基板保持裝置，其特徵在於具備：第1保持構件，其具備內置加熱機構的上述第1基體；及上述第2保持構件，且上述第2保持構件，係以於其上方載置基板，且被載置在上述第1保持構件上之方式構成。
本發明的基板保持方法，係使用構成本發明的基板保持裝置之第1保持構件及第2保持構件而吸附保持基板的方法，其特徵在於包含：將上述基板載置於上述第2保持構件上的步驟；將上述第2保持構件載置於上述第1保持構件上的步驟；及對上述通氣路徑進行減壓的步驟。
根據本發明的基板保持裝置及使用該裝置之基板保持方法，於第2保持構件上載置有基板。即使於基板呈較大地翹曲或彎曲之情況，仍可於此階段使基板的形狀至少部分地適應於構成第2保持構件之第2基體的上面之形狀。亦即，即使為翹曲或彎曲相對較大的基板，仍可以該基板抵接在形成於第2基體的上面之複數個凸部中的至少一部分之上端面之方式，矯正或修正此基板的形狀。
於此狀態下，藉由內置於第1保持構件的加熱機構作動，或預先使加熱機構作動，即使為常溫以外的溫度，仍可與常溫的使用相同地矯正基板之形狀。
於此狀態下，在第1保持構件上載置有第2保持構件，且通氣路徑係藉由真空吸引裝置而被減壓。藉此，形成於第1保持構件及第2保持構件之間的第1空間，係透過形成於第1基體的通氣路徑而被減壓，進而將第2保持構件吸附保持於第1保持構件。此外，形成於第2保持構件及基板之間的第2空間，係透過形成於第2基體的貫通孔而被減壓，進而將基板吸附保持於第2保持構件。於此階段，基板成為抵接在形成於第2保持構件的上面之複數個凸部全部之上端面的狀態。
如此，即使為翹曲或彎曲較大的基板，仍可一面以高精度使其形狀與藉由形成在第2基體的上面之複數個凸部全部之上端面或抵接面而界定的形狀一致，一面使該基板吸附保持於第2保持構件。
於本發明的基板保持裝置中，上述第2基體係形成為彎曲形狀，且於上述第2保持構件被吸附保持在上述第1保持構件的狀態下可變形為平坦形狀。
根據該構成的基板保持裝置，即使於基板呈較大地翹曲或彎曲的情況下，仍可於基板被載置在第2保持構件上的階段，使基板的形狀更容易適應第2保持構件的形狀。
於本發明的基板保持裝置中，較佳為，在上述第1基體的上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述通氣路徑的開口及上述複數個凸部之環狀凸部。較佳為，於本發明的基板保持裝置中，在上述第2基體的下面形成有朝下方突出之複數個凸部、及圍繞上述複數個凸部的環狀凸部，以便取代上述者。
於本發明的基板保持裝置中，較佳為，在上述第2基體的上面且以外側的上述環狀凸部圍繞內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，且除了上述複數個環狀凸部中的最外側之環狀凸部外，其他之環狀凸部，係以朝上方的突出量較上述複數個凸部變少之方式形成。
於本發明的基板保持裝置中，較佳為，在上述第2基體的上面且以外側之上述環狀凸部圍繞內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，且上述複數個環狀凸部的每一者係以朝上方的突出量與上述複數個凸部成為相等之方式形成，上述貫通孔係與複數個空間的每一者對應而形成於上述基體，該複數個空間係與在上述第2保持構件及上述基板之間藉由上述複數個環狀凸部而劃定。
1‧‧‧第1保持構件
2‧‧‧第2保持構件
10‧‧‧第1基體
20‧‧‧第2基體
102‧‧‧通氣路徑
111‧‧‧凸部
112‧‧‧環狀凸部
121‧‧‧凸部
122‧‧‧環狀凸部
131‧‧‧發熱電阻
202‧‧‧貫通孔
211‧‧‧凸部
212‧‧‧環狀凸部
W‧‧‧基板
第1圖為作為本發明的第1實施形態之基板保持裝置的構成說明圖。
第2圖為作為本發明的第2實施形態之基板保持裝置的構成說明圖。
第3圖為關於藉由本發明的基板保持裝置而吸附保持之基板吸附保持狀態的說明圖。
第4圖為作為本發明的一實施形態之基板保持裝置的俯視圖。
第5圖為作為本發明的其他實施形態之基板保持裝置的構成說明圖。
(第1實施形態)
(構成)
第1圖所示的作為本發明之第1實施形態的基板保持裝置，具備：第1保持構件1，其具備由陶瓷燒結體 構成的大致圓板狀之第1基體10；及第2保持構件2，其具備由陶瓷燒結體構成的大致圓板狀之第2基體20。第2基體20係設計為與第1保持構件1等徑或在±5%以內，其厚度係設計為較第1保持構件1薄(例如，0.5~1.5[mm]左右)。作為陶瓷燒結體，例如採用SiC燒結體或Al2O3燒結體。
於第1基體10形成有連通至其上面的通氣路徑102。本實施形態中，通氣路徑102，係在厚度方向貫通第1基體10，例如，形成在相當於以第1基體10的中心為重心之正多邊形(例如，等邊三角形)的各頂點之位置。也可於第1基體10的中心形成1個開口、或於自第1基體10的中心分離之任意部位形成複數個開口等，而將通氣路徑102的上側開口之個數及配置進行各式各樣地變更。通氣路徑102，也可以自第1基體10的側面開口在內部橫向延伸之後，再朝上方延伸連通至第1基體10的上面之方式形成。也可於第1基體10的下面形成有溝部，且藉由以第1基體10的下面抵接於基台(省略圖示)的上面之方式將第1基體10固定於基台，進而藉由以基台及溝部包圍的通道構成通氣路徑102的一部分。
於第1基體10的上面形成有朝上方突出的複數個凸部111及單一的環狀凸部112，該單一的環狀凸部112，係呈與第1基體10為相同中心的大致圓環狀朝上方突出且圍繞通氣路徑102的上側開口及複數個凸部111。各凸部111係形成為圓柱狀、角柱狀、圓錐台狀或 角錐台狀、或者上部較下部小的多階圓柱狀、多階角柱狀、多階圓錐台狀或多階角錐台狀等的上端面平坦之任意形狀。複數個凸部111，係以格子狀(正方格子狀或六角格子狀)等的形態有規則地(或周期性地)排列。環狀凸部112的高度或自第1基體10上面突出的突出量，可與各凸部111相同，也可較其少。
於第1基體10的下面形成有朝下方突出的複數個凸部121及單一的環狀凸部122，該單一的環狀凸部122，係呈與第1基體為相同中心的大致圓環狀朝下方突出且圍繞通氣路徑102的下側開口及該複數個凸部。各凸部121係形成為圓柱狀等的下端面平坦之任意形狀。複數個凸部121，係以格子狀等的形態有規則地排列。環狀凸部122的高度或自第1基體10之下面突出的突出量，可與各凸部121相同，也可較其少。第1基體10的上面側之各凸部111的位置、與第1基體10之下面側的各凸部121之位置，可以位於第1基體10的上面及下面之中間的面為基準而對稱，也可為非對稱。也可於第1基體10的下面側省略複數個凸部121中的至少一部分，或者也可省略複數個凸部121全部及環狀凸部122。
於第2基體20形成有朝厚度方向延伸於其中心部位的貫通孔202。於第2基體20的上面形成有朝上方突出的複數個凸部211及單一的環狀凸部212，該單一的環狀凸部212，係呈與第1基體10為相同中心的大致圓環狀朝上方突出且圍繞貫通孔202的上側開口及複 數個凸部211。各凸部211係形成為上端面平坦的任意形狀。複數個凸部211，係以格子狀等的形態有規則地排列。環狀凸部212的高度或自第2基體20之上面突出的突出量，可與各凸部211相同，也可較其少。
(功能)
根據作為本發明的第1實施形態之基板保持裝置，於第2保持構件2上載置有基板W。即使於基板W呈較大地翹曲或彎曲之情況下，仍可於此階段使基板W的形狀至少部分地適應於構成第2保持構件2之第2基體20的上面之形狀。亦即，即使為翹曲或彎曲相對較大的基板W，仍可以該基板W抵接在形成於第2基體20的上面之複數個凸部211中的至少一部分之上端面之方式，矯正或修正此基板W的形狀。
於此狀態下，在第1保持構件1上載置有第2保持構件2，且通氣路徑102係藉由真空吸引裝置(省略圖示)而被減壓。藉此，形成於第1保持構件1及第2保持構件2之間的第1空間，透過形成於第1基體10的通氣路徑102而被減壓，進而將第2保持構件2吸附保持於第1保持構件1(參照第3圖)。此外，形成於第2保持構件2及基板W之間的第2空間，透過形成於第2基體20的貫通孔202而被減壓，進而將基板W吸附保持於第2保持構件2(參照第3圖)。在此階段，基板W成為抵接在形成於第2基體20的上面之複數個凸部211全部之上端面的狀態。如此，即使為翹曲或彎曲較大的基板W，仍可一面以高精度使其形狀與藉由形成在第2基 體20上的複數個凸部211全部之上端面或抵接面而界定的形狀一致，一面使該基板W吸附保持於第2保持構件2。
(第2實施形態)
(構成)
於第2圖所示的作為本發明之第2實施形態的基板保持裝置中，第2基體20，係以可某程度(例如約1/2)地緩和晶圓W的翹曲或畸變之程度，被形成為相當於球表面的一部分、橢圓體表面的一部分或圓柱側面之一部分等的彎曲形狀。其他的構成，與第1實施形態的基板保持裝置(參照第1圖)相同，因而採用同樣的符號並省略說明。
第2基體20係具有相對於其中心的上面法線方向，該中心及外緣之位置偏差存在有例如0.1~1.0[mm]的彎曲形狀。第2基體20，係被構成為於第2保持構件2被吸附保持於第1保持構件1的狀態下可變形為平坦形狀(與第1實施形態中的第2基體20之通常的形狀大致一致的形狀)(參照第3圖)。
於第2基體20變形為平坦狀時，也可以複數個凸部211的上端面位於相同平面內之方式且以靠近外緣部的凸部211之上端面朝向內側之方式傾斜形成。為了容易進行第2基體20之變形，也可將第2基體20局部形成為較薄壁。於第2基體20變形為平坦形狀時，也可以複數個凸部211的高度成為均等之方式，且以存在於該較薄壁部分的凸部211之突出量較存在於其他的部分之凸部211變大的方式形成有複數個凸部211。
(功能)
根據作為本發明的第2實施形態之基板保持裝置，即使於基板W呈較大地翹曲或彎曲之情況下，仍可於將其載置在第2保持構件2上的階段，使基板W之形狀更容易地適應於第2保持構件2的形狀。
(本發明的其他實施形態)
於第1~第2實施形態中，在第2基體20的上面形成有單一之環狀凸部212(參照第1~第2圖)，作為其他的實施形態，如第4圖所示，也可於第2基體20的上面，以外側的環狀凸部圍繞內側之環狀凸部212的方式形成複數個(第4圖之例子中為11個)環狀凸部212，且複數個環狀凸部212中的至少1個環狀凸部212，係以朝上方的突出量相較於複數個凸部211成為較少的方式形成。例如，複數個環狀凸部212中的位於最外側之環狀凸部212，也可以朝上方的突出量與複數個凸部211相較而成為相等之方式形成，另一方面，較其位於靠內側之環狀凸部212，也可以朝上方的突出量與複數個凸部211相較而成為較小之方式形成。此外，自外側數起至少排在第1及第2位的環狀凸部212，也可以朝上方的突出量與複數個凸部211相較而成為較少之方式形成，且從外側數起排在第1位的環狀凸部212，也可於圓周方向的至少一部分，以上方突出量較自外側數起排在第2位的環狀凸部212還少的方式形成。
(第3實施形態)
(構成)
第5圖所示的作為本發明之第1實施形態的基板保持裝置，其具備：第1保持構件1，其具備由AlN燒結體構成的大致圓板狀之第1基體10，該AlN燒結體係藉由同時燒成而內置有由鉬絲網構成之發熱電阻131；及第2保持構件2，其具備由陶瓷燒結體構成的大致圓板狀之第2基體20。第2基體20係設計為與第1保持構件1等徑或在±5%以內，其厚度係設計為較第1保持構件1還薄(例如，0.5~1.5[mm]左右)。
於常溫以外使用之情況下，構成第1保持構件1的第1基體10之陶瓷燒結體，宜為Al2O3燒結體、AlN燒結體、SiC燒結體。這是因為除該等的加工精度有被提高外，熱傳導率也高且可經由第2保持構件2均勻地加熱基板W。為了使發熱電阻131內置於第1保持構件1，可採用藉由熱壓而同時燒成的方法、於印刷有發熱電阻的生胚(green sheet)層積其他的生胚而同時燒成的方法、或於陶瓷燒結體的製作後將發熱電阻131接合之方法等。
於常溫以外使用之情況下，第1保持部宜為Al2O3燒結體、AlN燒結體、SiC燒結體。這是因為除該等的加工精度有被提高外，熱傳導率也高且可經由第2保持構件均勻地加熱基板。為了使發熱電阻內置於第1保持構件，可藉由熱壓而同時燒成、或於生胚印刷發熱電阻後再層積生胚而進行燒成的方法、或於燒成體製作後藉由接合而內置發熱電阻。
於第1基體10形成有連通至其上面的通氣路徑102。本實施形態中，通氣路徑102，係於厚度方向貫通第1基體10，例如，形成在相當於以第1基體10之中心作為重心的正多邊形(例如，等邊三角形)之各頂點的位置。也可於第1基體10的中心形成有1個開口、或者於自第1基體10的中心分離之任意部位形成有複數個開口等，而將通氣路徑102的上側開口之個數及配置進行各式各樣地變更。通氣路徑102也可以自第1基體10的側面開口在內部橫向延伸之後，再朝上方延伸連通至第1基體10的上面之方式形成。也可於第1基體10的下面形成有溝部，且藉由以第1基體10的下面抵接於基台(省略圖示)之上面的方式將第1基體10固定於基台，進而藉由以基台及溝部包圍的通道構成通氣路徑102的一部分。
於第1基體10的上面形成朝上方突出的複數個凸部111及單一的環狀凸部112，該環狀凸部112，係呈與第1基體10為相同中心的大致圓環狀朝上方突出且圍繞通氣路徑102的上側開口及複數個凸部111。各凸部111係形成為圓柱狀、角柱狀、圓錐台狀或角錐台狀、或者上部較下部小的多階圓柱狀、多階角柱狀、多階圓錐台狀或多階角錐台狀等的上端面平坦之任意形狀。複數個凸部111，係以格子狀(正方格子狀或六角格子狀)等的形態有規則地(或周期性地)排列。環狀凸部112的高度或自第1基體10的上面突出之突出量，可與各凸部111相同，也可較其少。
於第1基體10的下面形成有朝下方突出的複數個凸部121及單一的環狀凸部122，該單一的環狀凸部122，係呈與第1基體為相同中心的大致圓環狀朝下方突出且圍繞通氣路徑102的下側開口及該複數個凸部。各凸部121係形成為圓柱狀等的下端面平坦之任意形狀。複數個凸部121，係以格子狀等的形態有規則地排列。環狀凸部122的高度或自第1基體10之下面突出的突出量，可與各凸部121相同，也可較其少。第1基體10的上面側之各凸部111的位置、與第1基體10之下面側的各凸部121之位置，可以位於第1基體10的上面及下面之中間的面為基準而對稱，也可為非對稱。也可於第1基體10的下面側省略複數個凸部121中的至少一部分，或者也可省略複數個凸部121全部及環狀凸部122。
於第2基體20形成有朝厚度方向延伸於其中心部位的貫通孔202。於第2基體20的上面形成有朝上方突出的複數個凸部211及單一的環狀凸部212，該單一的環狀凸部212，係呈與第1基體10為相同中心的大致圓環狀朝上方突出且圍繞貫通孔202的上側開口及複數個凸部211。各凸部211係形成為上端面平坦的任意形狀。複數個凸部211，係以格子狀等的形態有規則地排列。環狀凸部212的高度或自第2基體20之上面突出的突出量，可與各凸部211相同，也可較其少。
(功能)
根據作為本發明的第3實施形態之基板保持裝置，在常溫以外的溫度下使用中，於第2保持構件2上載置有基板W。即使於基板W呈較大地翹曲或彎曲之情況下，仍可於此階段使基板W的形狀至少部分地適應於構成第2保持構件2之第2基體20的上面之形狀。亦即，即使為翹曲或彎曲相對較大的基板W，仍可以該基板W抵接在形成於第2基體20的上面之複數個凸部211中的至少一部分之上端面之方式，矯正或修正此基板W的形狀。
於此狀態下，在第1保持構件1上載置有第2保持構件2，且通氣路徑102係藉由真空吸引裝置(省略圖示)而被減壓。藉此，形成於第1保持構件1及第2保持構件2之間的第1空間，透過形成於第1基體10的通氣路徑102而被減壓，進而將第2保持構件2吸附保持於第1保持構件1(參照第3圖)。此外，形成於第2保持構件2及基板W之間的第2空間，透過形成於第2基體20的貫通孔202而被減壓，進而將基板W吸附保持於第2保持構件2(參照第3圖)。在此階段，基板W成為抵接在形成於第2基體20的上面之複數個凸部211全部之上端面的狀態。如此，即使為翹曲或彎曲較大的基板W，仍可一面以高精度使其形狀與藉由形成在第2基體20上的複數個凸部211全部之上端面或抵接面而界定的形狀一致，一面使該基板W吸附保持於第2保持構件2。
於該其他實施形態中，複數個環狀凸部212的每一者也可以朝上方的突出量與複數個凸部211成為相等之方式形成，且朝第2基體20的軸線方向延伸之貫通孔202係與複數個空間的每一者對應而形成於第2基體20，該複數個空間係與在第2保持構件2及基板W之間藉由複數個環狀凸部212劃定。該複數個空間，係由藉由最內側的環狀凸部212劃定之大致圓形狀的空間、及一重或多重地圍繞該大致圓形狀空間的大致圓環狀之空間所構成。

Claims (10)

  1. 一種基板保持裝置，其特徵在於具備：第1保持構件，其具備形成有連通至上面的通氣路徑之板狀的第1基體；及第2保持構件，其具備較上述第1基體薄的板狀之第2基體，該第2基體形成有延伸於厚度方向的貫通孔，且於上述第2基體之上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述貫通孔及上述複數個凸部的環狀凸部，上述第2保持構件，係以於其上方載置基板，且被載置在上述第1保持構件上之方式構成，上述第2基體係形成為彎曲形狀，且於上述第2保持構件被吸附保持在上述第1保持構件的狀態下可變形為平坦形狀。
  2. 如請求項1之基板保持裝置，其中在上述第1基體的上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述通氣路徑的開口及上述複數個凸部之環狀凸部。
  3. 如請求項1或2之基板保持裝置，其中在上述第2基體的上面且以外側的上述環狀凸部一重或多重地圍繞最內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，且上述複數個環狀凸部中的至少一個環狀凸部，係以朝上方的突出量較上述複數個凸部成為較少之方式形成。
  4. 如請求項1或2之基板保持裝置，其中在上述第2基體的上面且以外側的上述環狀凸部一重或多重地圍繞最內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，且上述複數個環狀凸部的每一者係以朝上方的突出量與上述複數個凸部成為相等之方式形成，上述貫通孔係與複數個空間的每一者對應而形成於上述第2基體，該複數個空間係在上述第2保持構件及上述基板之間藉由上述複數個環狀凸部而劃定。
  5. 如請求項1或2之基板保持裝置，其中具備加熱機構，該加熱機構係內置於上述第1基體。
  6. 一種基板保持構件，係作為被載置於第1保持構件上的第2保持構件之基板保持構件，該第1保持構件具備形成有連通至上面的通氣路徑之板狀之第1基體，其中該基板保持構件具備基體，該基體形成有朝厚度方向延伸的貫通孔，於載置基板的上述基體之上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述貫通孔及上述複數個凸部之環狀凸部，上述基體係形成為彎曲形狀，且於上述第2保持構件被吸附保持在上述第1保持構件的狀態下可變形為平坦形狀。
  7. 一種基板保持構件，係具備形成有朝厚度方向延伸的貫通孔之基體，且於上述基體之上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述貫通孔及上述複數個凸部之環狀凸部，該基板保持構件的特徵在於：上述基體係形成為彎曲形狀，且可變形為平坦形狀。
  8. 如請求項6或7之基板保持構件，其中在上述基體的上面且以外側的上述環狀凸部一重或多重地圍繞最內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，上述複數個環狀凸部中的至少一個環狀凸部，係以朝上方的突出量較上述複數個凸部成為較少之方式形成。
  9. 如請求項6或7之基板保持構件，其中在上述基體的上面且以外側的上述環狀凸部一重或多重地圍繞最內側的上述環狀凸部之方式形成有複數個上述環狀凸部，且上述複數個環狀凸部的每一者係以朝上方的突出量與上述複數個凸部成為相等之方式形成，上述貫通孔係與複數個空間的每一者對應而形成於上述基體，該複數個空間係與在上述第2保持構件及上述基板之間藉由上述複數個環狀凸部而劃定。
  10. 一種基板保持方法，係使用第1保持構件及第2保持構件而吸附保持基板的方法，該第1保持構件具備形成有連通至上面的通氣路徑之板狀之第1基體；該第2保持構件，具備較上述第1基體薄的板狀且形成為彎曲形狀之第2基體，該第2基體形成有延伸於厚度方向的貫通孔，且於上述第2基體之上面形成有朝上方突出的複數個凸部、及朝上方突出且圍繞上述貫通孔及上述複數個凸部的環狀凸部，且於被吸附保持在上述第1保持構件的狀態下可變形為平坦形狀，該基板保持方法的特徵在於包含：將上述基板載置於上述第2保持構件上的步驟；將上述第2保持構件載置於上述第1保持構件上的步驟；及對上述通氣路徑進行減壓的步驟。
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