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TWI627774B - 有機發光裝置及包含其之有機發光顯示設備 - Google Patents

有機發光裝置及包含其之有機發光顯示設備 Download PDF

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TWI627774B
TWI627774B TW102110815A TW102110815A TWI627774B TW I627774 B TWI627774 B TW I627774B TW 102110815 A TW102110815 A TW 102110815A TW 102110815 A TW102110815 A TW 102110815A TW I627774 B TWI627774 B TW I627774B
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organic emission
auxiliary layer
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pixel
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TW102110815A
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表相佑
宋河珍
兪炳旭
金孝姸
李寬熙
沈憓娟
權智英
Original Assignee
三星顯示器有限公司
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Abstract

提出一種有機發光裝置及包含其之有機發光顯示設備。有機發光裝置包含像素，各像素包含三個子像素，各子像素包含層疊結構，個別層中包含有機化合物。層疊結構可包含有機發射層、提供可使得增加亮度之微腔效應建立之厚度的共振輔助層、以及在電極與有機發射層之間促進電子及電洞傳輸之層，像是摻雜輔助層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、及電子傳輸層。

Description

有機發光裝置及包含其之有機發光顯示設備
相關申請案之交互參照
本申請書在此參照、併入並主張稍早於2012年7月24日向韓國智慧財產局所提出之「有機發光裝置及包含其之有機發光顯示設備(ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME)」且其申請號為10-2012-0080799之申請案之所有效益。
本發明關於一種能夠使用有機化合物而自發光之有機發光裝置，且更具體來說，關於一種具有改善之驅動電壓特性且可使用簡易製造過程而製成之有機發光裝置。
為自發光裝置之有機發光裝置(OLEDs)具有像是廣視角、優異對比度、快速響應、高亮度及優異驅動電壓特性之優點，且其可提供多彩影像。因為這些特性，有機發光裝置受到日益增加之注目。
典型的有機發光裝置具有包含基板、依序地堆疊於基板上之陽極、電洞傳輸層(HTL)、有機發射層、電子傳輸層(ETL)及陰極之結構。電洞傳輸層、有機發射層、及電子傳輸層主要由有機化合物所製成。 當電壓施加於陽極與陰極之間時，由陽極注入之電洞透過電洞傳輸層移動至發射層，而由陰極注入之電子透過電子傳輸層移動至發射層。電洞與電子(載子)在有機發射層中結合以產生激子。當激子由激發態降至基態時即會發光。
根據製造全彩有機發光裝置之既存技術，紅色、綠色、及藍色有機發射層可使用真空沉積、旋轉塗佈、或雷射引發熱成像來製造。使用真空沉積技術，各子像素之紅色、綠色及藍色有機發射層係使用陰影遮罩(shadow mask)來形成。雷射引發熱成像牽涉在各子像素中使用雷射而非陰影遮罩來圖樣化。雷射引發熱成像優勢在於紅色、綠色及藍色有機發射層毋需訴諸額外化學過程即可直接地圖樣化以具有不同厚度。
然而，對於各子像素兩種方法任一可能牽涉了使用至少三次沉積或轉移過程以形成紅色、綠色、及藍色有機發光層，且所牽涉之精細圖樣化可能會導致失準問題(misalignment problems)。
本發明提出一種具改善之驅動電壓特性之有機發光裝置，該有機發光裝置具有紅色、綠色及藍色有機發射層之其中之一設置於整組三個子像素上，而毋需精細之圖樣化。後者特徵相比於先前技術之過程所預期者提供了較少之失準。各子像素包含p型摻雜輔助層及具有對應於子像素之共振距離之厚度之共振輔助層。
本發明亦提出一種具有改善之驅動電壓特性及所包含的有機發光裝置為改良之效率之有機發光顯示設備。
根據本發明之第一實施例，其提出一種有機發光裝置包含：基板；第一子像素、第二子像素、及第三子像素；設置於各第一子像素、第二子像素、及第三子像素之第一電極；相對於各第一電極所設置之第二電極；第一有機發射層、第二有機發射層、及第三有機發射層，各設置於各子像素之第一電極與第二電極之間，第三有機發射層設置為對於第一子像素、第二子像素及第三子像素之共同層，第一有機發射層於第一子像素中設置於第三有機發射層上，第二有機發射層於第二子像素中設置於第三有機發射層上；設置於第三有機發射層與第一有機發射層之間之第一共振輔助層；設置於第三有機發射層與第二有機發射層之間之第二共振輔助層；以及設置於第三有機發射層與第一共振輔助層之間之第一摻雜輔助層以及設置於第三有機發射層與第二共振輔助層之間之第二摻雜輔助層，第一摻雜輔助層及第二摻雜輔助層各獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質。
P型摻質可包含2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7',8,8'-tetracyanoquinodimethane,F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(7,7',8,8'-tetracyanoquinodimethane,TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile,HAT-CN)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride,PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物(1,3,2-dioxaborin derivative)、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
P型摻質可包含以化學式1A至12A、化學式1B至5B及9B、化學式2C、3C及5C、化學式3D及5D、以及化學式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L及5M所表示之化合物之至少其一。
化學式11A至12A、化學式1B至5B及9B、化學式2C、3C及5C、化學式3D及5D以及化學式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L及5M中之R101、R102、R103、及R109各獨立地選自氫原子、氟原子、氰基、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之乙烯基、經取代或未經取代之甲氧基、經取代或未經取代之乙氧基、以及經取代或未經取代之丙氧基。
在第一摻雜輔助層及第二摻雜輔助層之其中之一之P型摻質之濃度可基於各摻雜輔助層之總重量而為約5wt%至約10wt%。
第一摻雜輔助層可接觸第一共振輔助層，而第二摻雜輔助層可接觸第二共振輔助層。
第三有機發射層可為藍色有機發射層。
第一共振輔助層及第二共振輔助層依據第一子像素及第二子像素之共振距離可具有不同厚度。共振距離則轉而依據於由各子像素所發出之光之波長。
有機發光裝置可更包含設置於第三有機發射層與第一摻雜輔助層之間之第一電荷產生層、以及設置於第三有機發射層與第二摻雜輔助層之間之第二電荷產生層。
第一電荷產生層及第二電荷產生層可各獨立地包含選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
有機發光裝置於各子像素中可更包含設置於對應之第一電極與第三有機發射層之間之電洞注入層及電洞傳輸層之至少之一。
有機發光裝置可更包含設置於第二電極與第三有機發射層之間之電子注入層及電子傳輸層之至少其一。
電子注入層及電子傳輸層之至少其一可包含8-羥基喹啉鋰(lithium quinolate,LiQ)及以下列化學式所表示之化合物101之至少之一。
有機發光裝置可更包含設置於任一有機發射層與電子傳輸層之間之電洞阻擋層。
有機發光裝置可為頂部發射型裝置。
根據本發明之第二實施例，其係提出一種有機發光裝置包含：基板；第一子像素、第二子像素、及第三子像素；設置於各第一子像素、第二子像素、及第三子像素之第一電極；相對於各第一電極所設置之第二電極；第一有機發射層、第二有機發射層、及第三有機發射層，各設置於各子像素之第一電極與第二電極之間，第三有機發射層設置為對於第一子像素、第二子像素及第三子像素之共同層，第一有機發射層於第一子像素中設置於第三有機發射層上，第二有機發射層於第二子像素中設置於第三有機發射層上；設置於第三有機發射層與第一有機發射層之間之第一上共振輔助層；設置於第三有機發射層與第二有機發射層之間之第二上共振輔助層；設置於第三有機發射層與第一上共振輔助層之間之第一摻雜輔助層；設置於第三有機發射層與第二上共振輔助層之間之第二摻雜輔助層；設置於第三有機發射層與第一摻雜輔助層之間之第一下共振輔助層；以及設置於第三有機發射層與第二摻雜輔助層之間之第二下共振輔助層，第一摻雜輔助層及第二摻雜輔助層各獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質。
P型摻質可包含2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、苝-3,4,9,10-四甲酸-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、富勒烯(C60)以及以下列化學式所表示之化合物201A及201B之至少之一。
在第一摻雜輔助層及第二摻雜輔助層之其中之一之P型摻質之量可基於各層之總重量而為約5wt%至約10wt%。
第一摻雜輔助層可接觸第一上共振輔助層及第一下共振輔助層兩者，且第二摻雜輔助層可接觸第二上共振輔助層及第二下共振輔助層兩者。
第三有機發射層可為藍色有機發射層。
第一上共振輔助層、第一下共振輔助層、第二上共振輔助層及第二下共振輔助層可依據第一子像素及第二子像素之共振距離而具有不同厚度。共振距離則轉而依據於由各子像素所發出之光之波長。
有機發光裝置可更包含設置於第三有機發射層與第一下共振輔助層之間之第一電荷產生層、以及設置於第三有機發射層與第二下共振輔助層之間之第二電荷產生層。
第一電荷產生層及第二電荷產生層可各獨立地包含選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、 SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
有機發光裝置可更包含設置於第一電極之至少之一與對應之有機發射層之間之電洞注入層及電洞傳輸層之至少之一。
有機發光裝置可更包含設置於第二電極與第三有機發射層之間之電子注入層及電子傳輸層之至少之一。
對於給定之子像素，電子注入層及電子傳輸層之至少之一可包含8-羥基喹啉鋰(LiQ)及以下列化學式所表示之化合物101之至少之一。
有機發光裝置可更包含設置於任一有機發射層與電子傳輸層之間之電洞阻擋層。
有機發光裝置可為頂部發射型裝置。
根據本發明之第三實施例，其係提出一種有機發光顯示設備包含：包含源極電極、汲極電極、閘極電極、及主動層之電晶體；以及上述任一有機發光裝置，源極電極及汲極電極之其中之一係電性連接至有機發光裝置之第一電極之至少之一。
SP1‧‧‧第一子像素
SP2‧‧‧第二子像素
SP3‧‧‧第三子像素
100、200、300、400‧‧‧有機發光裝置
101、201、301、401‧‧‧基板
110、210、310、410‧‧‧第一電極
112‧‧‧絕緣層
121、221、321、421‧‧‧電洞注入層
122、222、322、422‧‧‧電洞傳輸層
130、230、330、430‧‧‧有機發射層
125R、225R、325R、425R‧‧‧第一摻雜輔助層
125G、225G、325G、425G‧‧‧第二摻雜輔助層
126R、226R‧‧‧第一共振輔助層
126G、226G‧‧‧第二共振輔助層
130R、230R、330R、430R‧‧‧第一有機發射層
130G、230G、330G、430G‧‧‧第二有機發射層
130B、230B、330B、430B‧‧‧第三有機發射層
141、241、341、441‧‧‧電子傳輸層
142、242、342、442‧‧‧電子注入層
150、250、350、450‧‧‧第二電極
224R、424R‧‧‧第一電荷產生層
224G、424G‧‧‧第二電荷產生層
326R’、426R’‧‧‧第一上共振輔助層
326R”、426R”‧‧‧第一下共振輔助層
326G’、426G’‧‧‧第二上共振輔助層
326G”、426G”‧‧‧第二下共振輔助層
本發明之上述及其他特徵及優勢將藉由參照附圖詳細說明其例示性實施例而變得更加顯而易知，其中：第1圖為根據本發明之實施例之有機發光裝置之結構之示意截面圖。
第2圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之結構之示意截面圖。
第3圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之結構之示意截面圖。
第4圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之結構之示意截面圖。
第5圖為根據實例1至實例4以及比較例1所製造之有機發光裝置中電流強度對驅動電壓之圖表。
第6圖為顯示根據實例1至實例4以及比較例1所製造之有機發光裝置之壽命特性之圖表。
當在此使用時，詞彙「及/或」包含一或多個相關條列項目之任何及所有組合。當像是「至少一」之表述前綴於元件清單時，係修飾整體元件清單而非修飾清單中之個別元件。
現將對本發明之例示性實施例進行更詳細地參閱，其範例係繪示於附圖中。
與本發明無關之元件為了本發明清楚而於此不作說明。整份說明書中相同的參考符號表示相同的元件。在圖式中，層或區域之厚度及大小係為了清晰而誇大且因此非依比例所繪製。
第1圖為根據本發明之實施例之有機發光裝置100之結構之截面圖。
參照第1圖，有機發光裝置100包含基板101；第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3；設置於各第一子像素、第二子像素、及第三子像素之第一電極110；相對於各第一電極110所設置之第二電極150；設置於第一電極110與第二電極150之間且包含第一有機發射層130R、第二有機發射層130G、及第三有機發射層130B之有機發射層130；設置於第三有機發射層130B與第一有機發射層130R之間之第一共振輔助層126R；設置於第三有機發射層130B與第二有機發射層130G之間之第二共振輔助層126G；設置於第三有機發射層130B與第一共振輔助層126R之間之第一摻雜輔助層125R；以及設置於第三有機發射層130B與第二共振輔助層126G之間之第二摻雜輔助層125G。
第一子像素SP1可形成於基板101上；第二子像素SP2可形成於基板101上且相鄰於第一子像素SP1；第三子像素SP3可形成於基板101上且相鄰於第二子像素SP2，第一子像素、第二子像素、第三子像素各包含可設置於基板101上之第一電極110之其中之一。
進一步檢視上述結構，為了促進電洞之注入及傳輸，有機發光裝置100可更包含介於第一電極110與有機發射層130之間之電洞注入層121及電洞傳輸層122。為了促進電子之注入及傳輸，有機發光裝置 100可更包含介於第二電極150與有機發射層130之間之電子傳輸層141及電子注入層142。
有機發光裝置100可為具包含第一有機發射層130R、第二有機發射層130G及第三有機發射層130B之有機發射層130之全彩有機發光裝置。
有機發光裝置100之紅色、綠色、及藍色有機發射層並非各別於特定子像素中圖樣化；相反地，紅色、綠色、及藍色有機發射層之其中之一係形成為共同層於包含所有子像素之整個區域上。亦即，第三有機發射層130B非界定僅於第三子像素SP3中而是設置為共同層於第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3上。因此，毋需精細圖樣化第三有機發射層130B以位於第三子像素SP3中，且因此整個圖樣化過程可被簡化，且失準較不會發生。此外，由於用於第三有機發射層130B之發光材料係塗佈於基板101之整個表面上，發光材料可較少劣化，使得有機發光裝置100相對於既存之全彩有機發光裝置可具有改善之穩定度。第一有機發射層130R設置於第一子像素SP1之第三有機發射層130B上，而第二有機發射層130G則設置於第二子像素SP2之第三有機發射層130B上。
第三有機發射層130B可為藍色有機發射層。藍色有機發射層相較於紅色及綠色有機發射層具有較短之壽命。因此，如果藍色有機發射層形成為整組三個子像素之共同層，漏電流可降至最低，且此有利於改善有機發光裝置之壽命。在藍色有機發射層中，電洞之移動率大於電子，且因此激子之產生可能不平衡。為了降低此不平衡，藍色有機發 射層可設置為在有機發射層130之下部區域之共同層。第一有機發射層130R可為紅色有機發射層，而第二有機發射層130G可為綠色有機發射層。
用於對各色彩作光學厚度調整之共振輔助層126R及126G係設置於有機發光裝置100之第一子像素SP1及第二子像素SP2中。第一共振輔助層126R可於第一有機發射層130R與第三有機發射層130B之間，且第二共振輔助層126G可於第二有機發射層130G與第三有機發射層130B之間。第三有機發射層130B可為所有三個子像素共用之層。第一摻雜輔助層125R可於第一共振輔助層126R與第三有機發射層130B之間，且第二摻雜輔助層125G可於第二共振輔助層126G與第三有機發射層130B之間。
現將參照各像素來說明上述結構。在第一子像素SP1中，第三有機發射層130B、第一摻雜輔助層125R、第一共振輔助層126R以及第一有機發射層130R可依序地設置於彼此之上。在第二子像素SP2中，第三有機發射層130B、第二摻雜輔助層125G、第二共振輔助層126G以及第二有機發射層130G可依序地設置於彼此之上。在第三子像素SP3中，作為共同層之第三有機發射層130B可在無摻雜輔助層或共振輔助層下設置。
作為輔助層用於光學厚度調整之第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G依據第一子像素SP1及第二子像素SP2之共振距離以不同厚度提供微腔效應(microcavity effect)。在本發明之部份實施例中，第一有機發射層及第二有機發射層係實質上為相同厚度。
微腔效應可用於改善光學利用效率，亦即，亮度。微腔效應可藉著控制有機發射層130所產生之可見光之光學路徑長度來誘導，亦即，介於各別第一電極110與第二電極150之間之距離。此可藉由各別在對應之子像素中形成第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G來達成。用於最大化微腔效應之介於第一電極110與第二電極150之間之距離可能會依據由有機發光裝置之子像素所發出之光的色彩而變動，此最佳化距離在紅色發光裝置中相對較大而於藍色發光裝置中相對較小。
因此，藉著在第三有機發射層130B與第一有機發射層130R或第二有機發射層130G之間針對不同發光色彩設置具有不同厚度之第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G，亮度可有效地改善。具有相對較大厚度之第一共振輔助層126R可設置於發出紅色光之第一子像素SP1中，且沒有共振輔助層或具有相對較小厚度之共振輔助層可設置於發出藍色光之第三子像素SP3中。相較於第一共振輔助層及第二共振輔助層之厚度，若由第一子像素所發出之光之波長大於由第二子像素所發出之光之波長，第一共振輔助層可為大於第二共振輔助層之厚度，且若由第一子像素所發出之光之波長小於由第二子像素所發出之光之波長，第一共振輔助層可為小於第二共振輔助層之厚度。
第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G可提供最大化之微腔效應，且因此改善亮度。然而，第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G可能在對應之子像素中增加有機層之整體厚度，且因此增加了有機發光裝置之驅動電壓。為了抑制這種缺點且改善驅動電壓特 性，第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G可各別設置於第一子像素SP1及第二子像素SP2中。
可各獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質之第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G可抑制因包含第一共振輔助層126及第二共振輔助層126G於各別子像素中所導致之驅動電壓之增加。
舉例來說，P型摻質可為2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10苝-四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
舉例來說，P型摻質可為含氰基化合物。含氰基化合物之非限制性範例為以化學式1A至12A、化學式1B至5B及9B、化學式2C、3C及5C、化學式3D及5D、以及化學式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L及5M所表示之化合物：
化學式2A 化學式2B
化學式8A 化學式9A
化學式1A至12A、化學式1B至5B及9B、化學式2C、3C及5C、化學式3D及5D以及化學式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L及5M中，R101、R102、R103、及R109可各獨立地選自由氫原子、氟原子、氰基、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之乙烯 基、經取代或未經取代之甲氧基、經取代或未經取代之乙氧基、以及經取代或未經取代之丙氧基。
因為有機發光裝置100中之第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G，可無論第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G之厚度而抑制驅動電壓增加。因此，第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G之材料及厚度可自由地選擇。
P型摻質在第一摻雜輔助層125R或第二摻雜輔助層125G中有效用之濃度基於層之材料之總重量可為約5至約10wt%。P型摻質可自第一摻雜輔助層125R或第二摻雜輔助層125G之電洞傳輸材料接收電子並產生電洞，因而改善電洞傳輸能力。當P型摻質之量位於此範圍內時，第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G在電洞傳輸能力及電洞產生能力而言係令人滿意的。
第一摻雜輔助層125R可接觸第一共振輔助層126R，且第二摻雜輔助層125G可接觸第二共振輔助層126G。當第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G各別接觸第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G時，第一摻雜輔助層125R及第二摻雜輔助層125G以及第一共振輔助層126R及第二共振輔助層126G可在毋需增加腔室(chambers)(亦即，被裝置之層所圍起來的空白空間)之數目下形成。
第2圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置200之結構之截面圖。
參照第2圖，有機發光裝置200包含基板201；第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3；設置於各第一子像素、第二 子像素、及第三子像素之第一電極210；相對於各第一電極210所設置之第二電極250；設置於第一電極210與第二電極250之間且包含第一有機發射層230R、第二有機發射層230G、及第三有機發射層230B之有機發射層230；設置於第三有機發射層230B與第一有機發射層230R之間之第一共振輔助層226R；設置於第三有機發射層230B與第二有機發射層230G之間之第二共振輔助層226G；設置於第三有機發射層230B與第一共振輔助層226R之間之第一摻雜輔助層225R；設置於第三有機發射層230B與第二共振輔助層226G之間之第二摻雜輔助層225G；設置於第三有機發射層230B與第一摻雜輔助層225R之間之第一電荷產生層224R；以及設置於第三有機發射層230B與第二摻雜輔助層225G之間之第二電荷產生層224G。
第一子像素SP1可形成於基板201上；第二子像素SP2可形成於基板201上且相鄰於第一子像素SP1；第三子像素SP3可形成於基板201上且相鄰於第二子像素SP2，第一子像素、第二子像素、及第三子像素各包含可設置於基板201上之第一電極210。
進一步檢視上述結構，為了促進電洞之注入及傳輸，有機發光裝置200可更包含介於第一電極210與第一有機發射層230R、230G及230B之間之電洞注入層221及電洞傳輸層222。為了促進電子之注入及傳輸，有機發光裝置200可更包含介於第二電極250與有機發射層230R、230G及230B之間之電子傳輸層241及電子注入層242。
為了本發明之一實施例現將參照各像素來說明有機發光裝置200之有機發射層230R、230G及230B、第一共振輔助層226R及第二 共振輔助層226G、第一摻雜輔助層225R及第二摻雜輔助層225G、以及第一電荷產生層224R及第二電荷產生層224G。在第一子像素SP1中，為所有三個子像素共用之層的第三有機發射層230B、第一電荷產生層224R、第一摻雜輔助層225R、第一共振輔助層226R、及第一有機發射層230R依序地設置於彼此之上。在第二子像素SP2中，第三有機發射層230B、第二電荷產生層224G、第二摻雜輔助層225G、第二共振輔助層226G、及第二有機發射層230G依序地設置於彼此之上。在第三子像素SP3中，為所有三個子像素共用之層的第三有機發射層230B在不具電荷產生層、摻雜輔助層或共振輔助層下設置。
第一電荷產生層224R及第二電荷產生層224G可由可捕獲(trap)電子及產生電洞之單一材料形成。設置於第三有機發射層230B與第一摻雜輔助層225R之間之第一電荷產生層224R可增加由第一電極210所注入及傳輸之電洞之密度，因此促進了電洞通過第三有機發射層230B朝向第一有機發射層230R之遷移。相似地，設置於第三有機發射層230B與第二摻雜輔助層225G之間之第二電荷產生層224G可增加由相對應之第一電極210所注入及傳輸之電洞之密度，因此促進了電洞通過第三有機發射層230B朝向第二有機發射層230G之遷移。
第一電荷產生層224R及第二電荷產生層224G可各獨立地包含選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、 V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
作為光學厚度調整之輔助層的第一共振輔助層226R以依據第一子像素SP1之共振距離之厚度提供微腔效應。相似地，作為光學厚度調整之輔助層之第二共振輔助層226G以依據第二子像素SP2之共振距離之厚度提供微腔效應。
第一摻雜輔助層225R及第二摻雜輔助層225G可各獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質。第一摻雜輔助層225R可抑制驅動電壓由包含第一共振輔助層226R所導致之增加、且第二摻雜輔助層225G可抑制驅動電壓由包含第二共振輔助層226G所導致之增加。
由於有機發光裝置200中第一摻雜輔助層225R及第二摻雜輔助層225G之存在，在各別子像素堆疊(laminate)中驅動電壓由包含第一共振輔助層226R及第二共振輔助層226G所導致之增加可被抑制而與共振輔助層之厚度無關而為獨立形式。因此，第一共振輔助層226R及第二共振輔助層226G之材料及厚度可自由地選擇而不論其對於裝置之驅動電壓之影響。
第3圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置300之結構之截面圖。
參照第3圖，有機發光裝置300包含基板301；第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3；設置於各第一子像素、第二子像素、及第三子像素之第一電極310；相對於各第一電極310所設置之第二電極350；設置於第一電極310與第二電極350之間且包含第一有機 發射層330R、第二有機發射層330G、及第三有機發射層330B之有機發射層330；設置於第三有機發射層330B與第一有機發射層330R之間之第一上共振輔助層326R’；設置於第三有機發射層330B與第二有機發射層330G之間之第二上共振輔助層326G；設置於第三有機發射層330B與第一上共振輔助層326R’之間之第一摻雜輔助層325R；設置於第三有機發射層330B與第二上共振輔助層326G’之間之第二摻雜輔助層325G；設置於第三有機發射層330B與第一摻雜輔助層325R之間之第一下共振輔助層326R”；以及設置於第三有機發射層330B與第二摻雜輔助層325G之間之第二下共振輔助層326G”。
第一子像素SP1可形成於基板301上；第二子像素SP2可形成於基板301上且相鄰於第一子像素SP1；第三子像素SP3可形成於基板301上且相鄰於第二子像素SP2，第一子像素、第二子像素、及第三子像素各包含可設置於基板301上之第一電極310。
進一步檢視上述結構，為了促進電洞之注入及傳輸，有機發光裝置300可更包含介於第一電極310與有機發射層330R、330G及330B之間之電洞注入層321及電洞傳輸層322。為了促進電子之注入及傳輸，有機發光裝置300可更包含介於第二電極350與有機發射層330R、330G及330B之間之電子傳輸層341及電子注入層342。
有機發光裝置300可為具包含第一有機發射層330R、第二有機發射層330G及第三有機發射層330B之有機發射層330之全彩有機發光裝置。
有機發光裝置300之紅色、綠色、及藍色有機發射層並非各別於特定子像素中圖樣化；相反地，紅色、綠色、及藍色有機發射層之其中之一係形成為共同層延伸於所有三個子像素上。亦即，第三有機發射層330B可設置為共同層於第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3上。因此，毋需精細圖樣化第三有機發射層330B以位於第三子像素SP3中，且因此整個圖樣化過程可被簡化，且失準較不會發生。此外，由於用於第三有機發射層330B之發光材料係塗佈於基板301之整個表面上，發光材料可較少劣化，使得有機發光裝置300相對於既存之全彩有機發光裝置可具有改善之穩定度。第一有機發射層330R設置於第一子像素SP1之第三有機發射層330B上，而第二有機發射層330G則設置於第二子像素SP2之第三有機發射層330B上。
第三有機發射層330B可為藍色有機發射層。藍色有機發射層相較於紅色及綠色有機發射層具有較短之壽命。因此，如果藍色有機發射層形成為整體子像素之共同層，可最小化漏電流，因而有利於改善有機發光裝置之壽命。在藍色有機發射層中，電洞之移動率大於電子，且因此激子之產生可能不平衡。為了降低此不平衡，藍色有機發射層可設置為橫跨所有三個子像素之共同層。第一有機發射層330R可為紅色有機發射層，而第二有機發射層330G可為綠色有機發射層。
用於對各色彩作光學厚度調整之共振輔助層326R’、326R”、326G’及326G”係設置於有機發光裝置300之第一子像素SP1及第二子像素SP2中。
在對應之子像素中第一上共振輔助層326R’及第二上共振輔助層326G’可設置於所有三個子像素共用之第三有機發射層330B與對應之第一有機發射層330R及第二有機發射層330G之其中之一之間。第一下共振輔助層326R”及第二下共振輔助層326G”可設置於第三有機發射層330B與對應之第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G之其中之一之間，此將於後文中敘述。第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G可各別設置於第一上共振輔助層326R’及第一下共振輔助層326R”之間、以及第二上共振輔助層326G’與第二下共振輔助層326G”之間。
現將參照各像素來說明上述結構。在第一子像素SP1中，第三有機發射層330B、第一下共振輔助層326R”、第一摻雜輔助層325R、第一上共振輔助層326R’以及第一有機發射層330R係依序地設置於彼此之上。第二子像素SP2中，第三有機發射層330B、第二下共振輔助層326G”、第二摻雜輔助層325G、第二上共振輔助層326G’以及第二有機發射層330G係依序地設置於彼此之上。在第三子像素SP3中，作為共同層之第三有機發射層330B在無共振輔助層或摻雜輔助層下設置。
在第一子像素SP1中作為用於光學厚度調整之輔助層的第一上共振輔助層326R’及第一下共振輔助層326R”以依據第一子像素SP1之共振距離之厚度提供微腔效應。相似地，在第二子像素SP2中作為用於光學厚度調整之輔助層的第二上共振輔助層326G’及第二下共振輔助層326G”以依據第二子像素SP2之共振距離之厚度提供微腔效應。
微腔效應可藉著控制有機發射層330R、330G及330B所產生之可見光之光學路徑長度來誘導，亦即，介於各別第一電極310與第二 電極350之間之距離。此可藉由在對應之子像素中形成共振輔助層326R’、326R”、326G’、及326G”來達成。用於最大化微腔效應之介於第一電極310與第二電極350之間之距離可能會依據由有機發光裝置所發出之光的色彩而變動，且可在紅色發光裝置中相對較大而於藍色發光裝置中相對較小。
因此，於對應之子像素中藉著在第三有機發射層330B與第一有機發射層330R或第二有機發射層330G之間針對不同發光色彩設置具有不同厚度之共振輔助層326R'、326R"、326G'、326G"，亮度可有效地改善。具有相對較大厚度之第一上共振輔助層326R'及第一下共振輔助層326R"可設置於發出紅色光之第一子像素SP1中，且沒有共振輔助層或具有相對較小厚度之共振輔助層可設置於發出藍色光之第三子像素SP3中。
共振輔助層326R'、326R"、326G'、及326G"可提供最大化之微腔效應且因此改善了亮度。然而，在對應之子像素中共振輔助層326R'、326R"、326G'、及326G"可能會增加有機層之整體厚度，因而增加了有機發光裝置之驅動電壓。為了抑制這些缺點且改善驅動電壓特性，第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G可各別設置於第一子像素SP1及第二子像素SP2中。
可獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質之第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G可抑制因為包含第一上共振輔助層326R’、第二上共振輔助層326G’及第一下共振輔助層326R”、第二下共振輔助層326G”所導致之驅動電壓的增加。
舉例來說，P型摻質可為2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10苝-四甲酸-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
舉例來說，P型摻質可為以下列化學式所表示之含氰基化合物201A或201B。
藉由調整設置於第一下共振輔助層326R”與第一上共振輔助層326R’之間之第一摻雜輔助層325R，驅動電壓由於包含共振輔助層所導致之增加可被抑制。因此，第一下共振輔助層326R”及第一上共振輔助層326R’之材料及厚度可自由地選擇而不論其對於裝置之驅動電壓之影響。
相似地，藉由調整設置於第二下共振輔助層326G”與第二上共振輔助層326G’之間之第二摻雜輔助層325G，驅動電壓由於包含共振輔助層所導致之增加可被抑制。因此，第二下共振輔助層326G”及第 二上共振輔助層326G’之材料及厚度可自由地選擇而不論其對於裝置之驅動電壓之影響。
P型摻質在第一摻雜輔助層325R或第二摻雜輔助層325G中之量基於各別層材料之總重可為約5至約10wt%。P型摻質可自第一摻雜輔助層325R或第二摻雜輔助層325G之電洞傳輸材料接收電子並產生電洞，因而於堆疊中改善電洞傳輸能力。當P型摻質之量位於此範圍內時，第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G在電洞傳輸能力及電洞產生能力而言可令人滿意。
第一摻雜輔助層325R可同時接觸第一上共振輔助層326R’及第一下共振輔助層326R”兩者，且第二摻雜輔助層325G可同時接觸第二上共振輔助層326G’及第二下共振輔助層326G”兩者。當第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G接觸第一上共振輔助層326R’及第一下共振輔助層326R”以及第二上共振輔助層326G’及第二下共振輔助層326G”時，第一摻雜輔助層325R及第二摻雜輔助層325G以及第一上共振輔助層326R’及第一下共振輔助層326R”以及第二上共振輔助層326G’及第二下共振輔助層326G”可在毋需增加形成於裝置內之腔室之數目下形成。
第4圖為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置400之結構之截面圖。
參照第4圖，有機發光裝置400包含基板401；第一子像素SP1、第二子像素SP2、及第三子像素SP3；設置於各第一子像素、第二子像素、及第三子像素之第一電極410；相對於各第一電極410所設置之 第二電極450；設置於第一電極410與第二電極450之間且包含第一有機發射層430R、第二有機發射層430G、及第三有機發射層430B之有機發射層430；設置於第三有機發射層430B與第一有機發射層430R之間之第一上共振輔助層426R’；設置於第三有機發射層430B與第二有機發射層430G之間之第二上共振輔助層426G’；設置於第三有機發射層430B與第一上共振輔助層426R’之間之第一摻雜輔助層425R；設置於第三有機發射層430B與第二上共振輔助層426G’之間之第二摻雜輔助層425G；設置於第三有機發射層430B與第一摻雜輔助層425R之間之第一下共振輔助層426R”；設置於第三有機發射層430B與第二摻雜輔助層425G之間之第二下共振輔助層426G”；設置於第三有機發射層430B與第一下共振輔助層426R”之間之第一電荷產生層424R；以及設置於第三有機發射層430B與第二下共振輔助層426G”之間之第二電荷產生層424G。
第一子像素SP1可形成於基板401上；第二子像素SP2可形成於基板401上且相鄰於第一子像素SP1；第三子像素SP3可形成於基板401上且相鄰於第二子像素SP2，第一子像素、第二子像素、第三子像素各包含可設置於基板401上之第一電極410。
進一步檢視上述結構，為了促進電洞之注入及傳輸，有機發光裝置400可更包含介於第一電極410與有機發射層430R、430G及430B之間之電洞注入層421及電洞傳輸層422。為了促進電子之注入及傳輸，有機發光裝置400可更包含介於第二電極450與有機發射層430R、430G及430B之間之電子傳輸層441及電子注入層442。
現將參照各像素來說明有機發光裝置400之有機發射層430R、430G及430B、第一上共振輔助層426R’、第一下共振輔助層426R”、第二上共振輔助層426G’及第二下共振輔助層426G”、第一摻雜輔助層425R及第二摻雜輔助層425G、以及第一電荷產生層424R及第二電荷產生層424G。在第一子像素SP1中，所有三個子像素共用之層的第三有機發射層430B、第一電荷產生層424R、第一下共振輔助層426R”、第一摻雜輔助層425R、第一上共振輔助層426R’、以及第一有機發射層430R依序地堆疊於彼此之上。在第二子像素SP2中，第三有機發射層430B、第二電荷產生層424G、第二下共振輔助層426G”、第二摻雜輔助層425G、第二上共振輔助層426G’、以及第二有機發射層430G依序地堆疊於彼此之上。在第三子像素SP3中，作為共同層之第三有機發射層430B在不具電荷產生層、摻雜輔助層或共振輔助層下設置。
第一電荷產生層424R及第二電荷產生層424G可由能夠捕獲(trapping)電子及產生電洞之單一材料形成。設置於第三有機發射層430B與第一下共振輔助層426R”之間之第一電荷產生層424R可增加由第一電極410所注入及傳輸之電洞之密度，因此促進了電洞通過第三有機發射層430B朝向第一有機發射層430R之遷移。相似地，設置於第三有機發射層430B與第二下共振輔助層426G”之間之第二電荷產生層424G可增加由第一電極410所注入及傳輸之電洞之密度，因此促進了電洞通過第三有機發射層430B朝向第二有機發射層430G之遷移。
第一電荷產生層424R及第二電荷產生層424G可各獨立地包含選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’- 四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10苝-四甲酸-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
在第一子像素SP1中作為用於光學厚度調整之輔助層的第一上共振輔助層426R’及第一下共振輔助層426R”以依據第一子像素SP1之共振距離之厚度提供微腔效應。相似地，在第二子像素SP2中作為用於光學厚度調整之輔助層的第二上共振輔助層426G’及第二下共振輔助層426G”以依據第二子像素SP2之共振距離之厚度提供微腔效應。
第一摻雜輔助層425R及第二摻雜輔助層425G可各獨立地包含電洞傳輸材料及P型摻質。在子像素堆疊中第一摻雜輔助層425R可抑制驅動電壓由包含第一上共振輔助層426R’及第一下共振輔助層426R”所導致之增加，而在子像素堆疊中第二摻雜輔助層425G可抑制驅動電壓由包含第二上共振輔助層426G’及第二下共振輔助層426G”所導致之增加。
由於有機發光裝置400中第一摻雜輔助層425R及第二摻雜輔助層425G之存在，驅動電壓由包含共振輔助層所導致之增加可與第一上共振輔助層426R'、第一下共振輔助層426R"、第二上共振輔助層426G'、及第二下共振輔助層426G"之厚度無關而被抑制。因此，第一上共振輔助層426R'、第一下共振輔助層426R"、第二上共振輔助層426G'、及第二下共振輔助層426G"之材料及厚度可自由地選擇而不論其對於裝置之驅動電壓之影響。
下文中，根據本發明之實施例之有機發光裝置100之結構以及其製造方法將參照第1圖來描述。
首先，基板101可由包含SiO2作為主要成份之透明玻璃材料所形成。在一實施例中，基板101可由透明塑膠材料形成，但不限於此。塑膠材料之範例為包含聚醚碸(polyethersulphone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚乙烯對苯二甲酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚烯丙基(polyallylate)、聚亞醯胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、三醋酸纖維素(cellulose triacetate,TAC)、以及醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate,CAP)之絕緣有機材料。
基板101可由金屬基板形成。舉例來說，基板101可包含碳、鐵、鉻、錳、鎳、釱、鉬、不鏽鋼(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、英高鎳合金(Inconel alloy)、可伐合金(Kovar alloy)或其組合，但不限於此。舉例來說，基板101可由金屬箔膜形成。
在平坦化基板101之上表面後，絕緣層112可形成於基板101之上表面上以避免雜質元素由此滲透。絕緣層112可由SiO2及/或SiNx形成，但不限於此。
第一電極110可設置於基板101上。第一電極110可由第一電極形成材料藉著沉積、濺鍍等來形成。當第一電極110組成陽極時，具有高功函數可促進電洞注入之材料可用於作為第一電極形成材料。第一電極110可為反射電極或透射電極。具高傳導率之透明材料，像是ITO、 IZO、SnO2、及ZnO可用於作為第一電極形成材料。在一些實施例中，第一電極110可使用鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等之其中之一而形成為反射電極。第一電極110可具有單層結構或包含至少兩層之多層結構。舉例來說，第一電極110可具有ITO/Ag/ITO之三層結構，但不受限於此。
有機發光裝置100可為頂部發射型裝置。在這方面，第一電極110可形成為反射電極或可形成為具有反射板(reflective plates)位於透射電極下之透射電極。
舉例來說，第一電極110及第二電極150可各作用為陽極及陰極。然而，反之亦可。
電洞注入層121可設置於第一電極110上。電洞注入層121可使用任何各種方法而形成於第一電極110上，像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄(casting)、蘭穆爾-布羅傑(Langmuir-Boldgett,LB)沉積等。當電洞注入層121使用真空沉積形成時，沉積條件可根據用以形成電洞注入層121之材料及要形成之電洞注入層121之結構及熱特性而變動。舉例來說，真空沉積可於約100至約500℃之溫度、約10-8至約10-3托之壓力、以及約0.01至約100Å/秒之沉積速率下執行。當電洞注入層121使用旋轉塗佈形成時，塗佈條件可根據用以形成電洞注入層121之化合物及要形成之電洞注入層121之結構及熱特性而變動。舉例來說，旋轉塗佈可於約2000至約5000rpm之塗佈速率下執行，且用於在塗佈後執行以移除溶劑之熱處理之溫度可為約80至約200℃。
電洞注入層形成材料之非限制性範例為N,N'-聯苯-N,N'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-胺基)-苯基]-聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine,DNTPD)、像是酞菁銅(copper phthalocyanine)之酞菁化合物(phthalocyanine compound)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine,NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid,Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate),PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(polyaniline/camphor sulfonic acid,Pani/CSA)、以及聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(polyaniline)/poly(4-styrenesulfonate,PANI/PSS)。電洞注入層121之厚度可介於100Å至約10000Å，且在一些實施例中，可介於100Å至約1000Å。當電洞注入層121之厚度落於此範圍內時，電洞注入層121可在驅動電壓未實質增加下具有令入滿意的電洞注入能力。
電洞傳輸層122可形成於電洞注入層121上。當電洞傳輸層122使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，儘管用於沉積及塗佈之條件可能會根據用以形成電洞傳輸層122之材料而變動，然而用於沉積及塗佈之條件可相似於用於形成電洞注入層121者。
適用之習知電洞傳輸層形成材料之非限制性範例為像是N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)或聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)之咔唑衍生物(carbazole derivatives)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)以及N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine,NPB)。電洞傳輸層122之厚度可介於約50Å至約2000Å，且在一些實施例中，可介於100Å至約1500Å。當電洞傳輸層122之厚度於此範圍內時，電洞傳輸層122可在驅動電壓未實質增加下具有令人滿意的電洞傳輸能力。
如果電洞注入層121及電洞傳輸層122之其中之一設置於第一電極110之其中之一上，則可排除另一個。在一些實施例中，電洞注入層121及電洞傳輸層122之其中之一可形成以包含表示電洞注入及電洞傳輸能力之複數層。在一些實施例中，可並不是形成個別之電洞注入層及電洞傳輸層，而是形成兼具電洞注入及電洞傳輸能力之功能層(圖未示)。兼具電洞注入及電洞傳輸能力之功能層可使用來自電洞注入層材料及電洞傳輸層材料之各組之至少一材料來形成。功能層之厚度可介於約500Å至約10000Å，且在一些實施例中，可介於100Å至約1000Å。當兼具電洞注入及電洞傳輸能力之功能層之厚度落於此範圍內時，功能層可在不造成驅動電壓實質增加下具有令人滿意的電洞注入及傳輸能力。
在一些實施例中，有機發射層130可設置於電洞傳輸層122或兼具電洞注入及電洞傳輸能力之功能層(圖未示)上。當有機發射層130使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，儘管用於沉積及塗佈之條件可能會根據用以形成發射層130之材料而變動，然而沉積及塗佈之條件可相似於用於形成電洞注入層者。
適用於有機發射層130之基質之非限制性範例為Alq3、DPVBi、4,4'-雙-(2,2-聯苯-乙烯-1-基)聯苯)(4,4'-bis-(2,2-diphenyl-ethene-l-yl)biphenyl)、Gaq3、三(8-羥基喹啉)-鎵(tris(8-hydroxyquinolinolate)gallium)、4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl,CBP)、聚(n-乙烯咔唑)(poly(n-vinylcarbazole),PVK))、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene,TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、E3、聯苯乙烯伸芳基(distyrylarylene,DSA)、及dmCBP。
有機發射層130可包含可例如各別對應於紅色發射層、綠色發射層及藍色發射層之第一有機發射層130R、第二有機發射層130G、及第三有機發射層130B。紅色發射層、綠色發射層、及藍色發射層之至少之一可包含下列之摻質(ppy=苯基吡啶)。
適用於藍色發射層之摻質之非限制性範例包含以下列化學式所表示之化合物。
適用於紅色發射層之摻質之非限制性範例包含以下列化學式所表示之化合物。
適用於綠色發射層之摻質之非限制性範例包含以下列化學式所表示之化合物。
可用於有機發射層130之摻質之非限制性範例包含以下列化學式所表示之金屬錯合物。
可用於有機發射層130之摻質之非限制性範例包含以下列化學式所表示之Os錯合物。
當有機發射層130包含基質材料及摻質材料兩者時，摻質材料之量以基質材料為100重量份為基礎可佔約0.01至約25重量份。然而，摻質材料之量並非限於此範圍內。
首先，第三有機發射層130B可形成為共同層於第一子像素SP1、第二子像素SP2及第三子像素SP3上。舉例來說，當藍色發射層形成為共同層時，接續形成藍色發射層於所有三個子像素上可為各別形成紅色發射層及綠色發射層以界定於對應之子像素中。第三有機發射層 130B可具有約50Å至約500Å之厚度。當第三有機發射層130B之厚度落於此範圍內時，令人滿意的色彩重現度可在未產生驅動電壓實質上增加下達成。第一有機發射層及第二有機發射層可實質上為相同厚度。
接著，第一摻雜輔助層125R可在第一子像素SP1中形成於第三有機發射層130B上。第一摻雜輔助層125R可使用摻雜有P型摻質之電洞傳輸層形成材料來形成，P型摻質之量基於第一摻雜輔助層125R之總重係為約5至約10wt%。當P型摻質之量落於此範圍內時，驅動電壓由於包含共振輔助層所導致之增加可被抑制。第一摻雜輔助層125R可具有約50Å至約200Å之厚度。當第一摻雜輔助層125R之厚度落於此範圍內時，令人滿意的色彩重現度可在驅動電壓未實質上增加下達成。
接著，第一共振輔助層126R可在第一子像素SP1中形成於第一摻雜輔助層125R上。第一共振輔助層126R可使用電洞傳輸層形成材料來形成。第一共振輔助層126R之厚度基於第一子像素SP1之共振距離可適當地選自100Å至約800Å的範圍內。若由第一子像素所發出之光之波長大於由第二子像素所發出之光之波長，第一共振輔助層相較於第二共振輔助層可為較大之厚度，而若由第一子像素所發出之光之波長小於由第二子像素所發出之光之波長，第一共振輔助層相較於第二共振輔助層可為較小之厚度。
最後，第一有機發射層130R在第一子像素SP1中可形成於第一共振輔助層126R上。第一有機發射層130R可具有約200Å至約800Å之厚度。當第一有機發射層130R之厚度落於此範圍內時，令人滿意之色彩重現度可在驅動電壓未實質增加下達成。
相似地，在第二子像素SP2中第二摻雜輔助層125G、第二共振輔助層126G以及第二有機發射層130G可依序地形成於第三有機發射層130B上。
電子傳輸層141可形成於有機發射層130R、130G、及130B上。當電子傳輸層141使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，儘管沉積及塗佈之條件可能會根據用以形成電子傳輸層141之材料而變動，然而沉積及塗佈之條件可相似於用於形成電洞注入層121者。用於形成穩定地傳輸由作為電子注入電極之第二電極所注入之電子之電子傳輸層141之材料之非限制性範例為像是三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinorate)aluminum,Alq3)之喹啉衍生物(quinoline derivative)、TAZ、BAlq、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate,Bebq2)、以及9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)。
電子傳輸層141之厚度可形成為約50Å至約1000Å，且在一些實施例中，可形成為約100Å至500Å。當電子傳輸層141之厚度落 於此範圍內時，電子傳輸層141可在驅動電壓未實質增加下具有令人滿意的電子傳輸能力。
在一些實施例中，電子傳輸層141除了電子傳輸材料以外可更包含含金屬化合物。
含金屬化合物之非限制性範例為8-羥基喹啉鋰(LiQ)、下列化合物101、以及其混合物。
電子傳輸層141除了電子傳輸層形成材料以外可更包含1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯-六甲腈(1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)、四氰醌二甲烷(tetracyanoquinodimethane)、蒽醌(anthraquinone)、苝二醯亞胺(perylenebisimide)、及四氰蒽醌二甲烷(tetracyanoanthraquinodimethane)之至少其一。在一些實施例中，電子傳輸層141除了電子傳輸層形成材料以外可更包含選自鋰(Li)、銫(Cs)、鈉(Na)、鉀(K)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鋇(Ba)、鐳(Ra)之金屬；金屬碳酸鹽(metal carbonate)；金屬乙酸鹽(metal acetate)；金屬苯甲酸鹽(metal benzoate)；金屬乙醯醋酸鹽(metal acetoacetate)；金屬乙醯丙酮鹽(metal acetylacetonate)；以及金屬硬脂酸鹽(metal stearate)之至少之一。
當電子傳輸層141除了電子傳輸層形成材料以外更包含上列材料之至少之一時，可改善電子注入及傳輸能力。
可促使電子由第二電極150注入之電子注入層142可設置於電子傳輸層141上。電子注入層142之材料並無特定地限制。適用於電子注入層142之材料可為以上所述但不受限於此。
電子注入層形成材料之非限制性範例可為LiF、NaCl、CsF、Li2O、以及BaO，且此為所屬技術領域所習知。儘管沉積及塗佈條件可根據用以形成電子注入層之材料而變動，然而用於形成電子注入層142之沉積或塗佈條件可相似於用於形成電洞注入層121者。
電子注入層142之厚度可形成為約1Å至約100Å，且在一些實施例中，可形成為約3Å至90Å。當電子注入層142之厚度落於此範圍內時，電子注入層142可在驅動電壓未實質增加下具有令人滿意的電子注入能力。
第二電極150可設置於電子注入層142上。第二電極150可為電子注入電極之陰極。只要所選擇之材料具有低功函數，用於形成第二電極150之材料可為金屬、合金、電性傳導化合物、以及其混合物之其中之一。在一些實施例中，第二電極150可為透射電極且可形成為Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag等之其中之一的薄膜。
在一些實施例中，為了製造頂部發射型發光裝置，透射電極可由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)來形成。
參照第2圖，根據本發明之另一實施例之有機發光裝置200包含第一電荷產生層224R及第二電荷產生層224G。
第一電荷產生層224R可使用選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、苝-3,4,9,10-四甲酸-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一來形成，第一電荷產生層224R在第一子像素SP1中形成於第三有機發射層230B上。第一電荷產生層224R與第一摻雜輔助層225R差異在於第一電荷產生層224R係由未摻雜之單一材料所形成。第一電荷產生層224R可具有約30Å至約100Å之厚度。當第一電荷產生層224R之厚度落於此範圍內時，令人滿意的色彩重現度可在驅動電壓未實質增加下達成。
第二電荷產生層224G在第二子像素SP2中可形成於第三有機發射層230B上。第二電荷產生層224G之材料及厚度可基於第一電荷產生層224R之材料及厚度而適當地選擇。
根據本發明之一實施例，有機發光顯示設備可包含：具源極電極、汲極電極、閘極電極、及主動層之電晶體；以及上述之有機發光裝置，此電晶體之源極電極及汲極電極之其中之一係電性連接至有機發光裝置之第一電極之至少之一。
電晶體之主動層可為任何各種形式，舉例來說，非晶矽層(amorphous silicon layer)、晶矽層(crystalline silicon layer)、有機半 導體層(organic semiconductor layer)、或氧化半導體層(oxide semiconductor layer)。
當於此使用時，經取代之甲基代表未經取代之甲基其中至少一氫原子係經氘原子、鹵原子、羥基、硝基、氰基、氨基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、低級烷基、低級炔基、C6-C30芳基、C2-C30雜芳基、-N(Q101)(Q102)、以及-Si(Q103)(Q104)(Q105)(Q106)(其中Q101至Q106各獨立地選自由氫原子、低級烷基、低級烯基、低級炔基、C6-C30芳基、以及C2-C30雜芳基所組成之群組)之其中之一所取代。
當於此使用時，經取代之乙基、經取代之丙基、經取代之丁基、經取代之乙烯基、經取代之甲氧基、經取代之乙氧基及經取代之丙氧基代表此些基團其中至少一氫原子係以配合經取代之甲基所條列之取代基所取代。
下文中，本發明將參照下列範例而詳述。然而，此些範例係僅為說明性目的而非旨在限制本發明之範疇。
實例1
為了製造陽極，將corning15Ω/cm2(1200Å)ITO玻璃基板裁成50mm x 50mm x 0.7mm之尺寸，並接著於異丙醇與純水中各音波處理5分鐘，然後以超音波清理(cleaned)，接著以紫外線(UV)照射30分鐘，並暴露於臭氧中來清洗(washing)。生成之玻璃基板係裝載至真空沉積裝置中。
2-TNATA沉積於ITO玻璃基板上以形成具有約600埃厚度之電洞注入層於陽極上，且接著將4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl,NPB)真空沉積於電洞注入層上以形成具有約600Å厚度之電洞傳輸層。
作為基質之DPVBi以及Zn(BOX)2依約98：2之重量比共沉積於電洞傳輸層上以形成具有約200Å厚度之共同藍色有機發射層。
接著，在紅色子像素區域中NPB及化合物201B係依約97：3之重量比共沉積於藍色有機發射層上以形成具有約70Å厚度之第一摻雜輔助層，接著藉著沉積NPB於第一摻雜輔助層上以形成具有約600Å厚度之第一共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Gaq3以及作為紅色摻質之DCJTB於第一共振輔助層上，從而形成具有約400Å厚度之紅色有機發射層。
接著，在綠色子像素區域中NPB及化合物201B係依約97：3之重量比共沉積於藍色有機發射層上以形成具有約70Å厚度之第二摻雜輔助層，接著藉著沉積NPB於第二摻雜輔助層上以形成具有約200Å厚度之第二共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Alq3以及作為綠色摻質之DPT於第二共振輔助層上，從而形成具有約300Å厚度之綠色有機發射層。
Alq3係沉積於有機發射層上以形成具有約300Å厚度之電子傳輸層。
LiF係真空沉積於電子傳輸層上以形成具有約10Å厚度之電子注入層，且Al係真空沉積於電子注入層上以形成具有約3000Å厚度之陰極，從而完成具有LiF/Al電極之有機發光裝置之製備。
實例2
除了第一電荷產生層及第二電荷產生層係如下述般進一步形成以外，有機發光裝置係以實例1之相同方法所製造。
在紅色子像素區域中將HAT-CN沉積於藍色有機發射層上，以形成具有約50Å厚度之第一電荷產生層，接著藉由依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第一電荷產生層上以形成具有約70Å厚度之第一摻雜輔助層，將NPB沉積於第一摻雜輔助層上以形成具有約550Å厚度之第一共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Gaq3以及作為紅色摻質之DCJTB於第一共振輔助層上，從而形成具有約400Å厚度之紅色有機發射層。
在綠色子像素區域中將HAT-CN沉積於藍色有機發射層上以形成具有約50Å厚度之第二電荷產生層，接著藉由依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第二電荷產生層上以形成具有約70Å厚度之第二摻雜輔助層，將NPB沉積於第二摻雜輔助層上以形成具有約150Å厚度之第二共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Alq3以及作為綠色摻質之DPT於第二共振輔助層上，從而形成具有約300Å厚度之綠色有機發射層。
實例3
除了如下述以形成第一上共振輔助層及第一下共振輔助層來取代第一共振輔助層，以及以形成第二上共振輔助層及第二下共振輔助層來取代第二共振輔助層以外，有機發光裝置係以實例1之相同方法所製造。
在紅色子像素區域中將NPB沉積於藍色有機發射層上，以形成具有約50Å厚度之第一下共振輔助層，接著藉由依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第一下共振輔助層上，以形成具有約70Å厚度之第一摻雜輔助層，將NPB沉積於第一摻雜輔助層上以形成具有約550Å厚度之第一上共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Gaq3以及作為紅色摻質之DCJTB於第一上共振輔助層上，從而形成具有約400Å厚度之紅色有機發射層。
在綠色子像素區域中將NPB沉積於藍色有機發射層上，以形成具有約50Å厚度之第二下共振輔助層，接著藉由依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第二下共振輔助層上，以形成具有約70Å厚度之第二摻雜輔助層，將NPB沉積於第二摻雜輔助層上以形成具有約150Å厚度之第二上共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Alq3以及作為綠色摻質之DPT於第二上共振輔助層上，從而形成具有約300Å厚度之綠色有機發射層。
實例4
除了如下述形成額外之第一電荷產生層及第二電荷產生層、形成第一上共振輔助層及第一下共振輔助層來取代第一共振輔助 層，以及形成第二上共振輔助層及第二下共振輔助層來取代第二共振輔助層以外，有機發光裝置係以實例1之相同方法所製造。
在紅色子像素區域中將HAT-CN沉積於藍色有機發射層上，以形成具有約70Å厚度之第一電荷產生層，接著藉由將NPB沉積於第一電荷產生層上以形成具有約50Å厚度之第一下共振輔助層，依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第一下共振輔助層上，以形成具有約70Å厚度之第一摻雜輔助層，將NPB沉積於第一摻雜輔助層上以形成具有約480Å厚度之第一上共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Gaq3以及作為紅色摻質之DCJTB於第一上共振輔助層上，從而形成具有約400Å厚度之紅色有機發射層。
在綠色子像素區域中將HAT-CN沉積於藍色有機發射層上，以形成具有約70Å厚度之第二電荷產生層，接著藉由將NPB沉積於第二電荷產生層上以形成具有約50Å厚度之第二下共振輔助層，依約97：3之重量比共沉積NPB及化合物201B於第二下共振輔助層上，以形成具有約70Å厚度之第二摻雜輔助層，將NPB沉積於第二摻雜輔助層上以形成具有約180Å厚度之第二上共振輔助層，且依約98：2之重量比共沉積作為基質之Alq3以及作為綠色摻質之DPT於第二上共振輔助層上，從而形成具有約300Å厚度之綠色有機發射層。
比較例1
除了實例1之第一摻雜輔助層及第二摻雜輔助層未形成以外，有機發光裝置係以實例1之相同方法所製造。
評估例
根據實例1至實例4以及比較例1所製造之有機發光裝置之綠色子像素之驅動電壓、亮度效率以及色度座標係使用PR650(Spectroscan)源測量單位(source measurement unit)(可自先鋒科技公司(PhotoResearch,Inc.)購得)來測量。其結果係於下列表1顯示。
參照表1，可發現實例1至實例4之有機發光裝置相較於比較例1之有機發光裝置具有低驅動電壓及改善之亮度。實例1、實例2及實例4之有機發光裝置之驅動電壓相對遠低於比較例1之有機發光裝置之驅動電壓。實例2之有機發光裝置之驅動電壓低於比較例1之有機發光裝置約4V。
第5圖為根據實例1至實例4以及比較例1所製造之有機發光裝置中電流強度對驅動電壓之圖表。參照第5圖，實例1、實例2及實例4之有機發光裝置相較於比較例1之有機發光裝置具有較低之驅動電壓，而實例3之有機發光裝置具有與比較例1之有機發光裝置相似之驅動電壓。
第6圖為顯示根據實例1至實例4以及比較例1所製造之有機發光裝置在約400nit之亮度下的壽命特性之圖表。參照第6圖，發現實 例1至實例4之有機發光裝置相較於比較例1之有機發光裝置具有改善之壽命特性。
具體來說，發現實例1至實例4之有機發光裝置相較於比較例1之有機發光裝置在操作約100小時後於亮度下降上具有顯著地減少。
此些結果代表根據本發明之一或多種實施例之有機發光裝置由於抑制了驅動電壓增加故相較於不具摻雜輔助層之有機發光裝置可具有改善之驅動電壓特性、以及改善之效率及壽命。
如上所述，根據本發明之一或多種實施例，有機發光裝置可包含作為整個子像素群組之共同層之第三有機發射層，其中各子像素包含共振輔助層以及P型摻雜輔助層，使得在形成有機發射層時可發生較少之失準。因此，有機發光裝置可於驅動電壓特性、效率及壽命上表現出改善。
根據本發明之一或多種實施例，有機發光裝置在驅動電壓上之增加可被抑制，使得共振輔助層之厚度不會基於共振輔助層對於驅動電壓之任何不利影響而特別受到限制。此外，此些共振輔助層及摻雜輔助層可透過簡化之過程來形成，而毋需在標的子像素中形成任何額外之空室。
在本發明之另一態樣中，有機發光顯示設備可具有改善之驅動電壓特性、改善之效率及改善之壽命。
雖然本發明已參照其例示性實施例而特別地顯示及說明，其將為所屬技術領域具有通常知識者所了解的是，在不脫離本發明由下 列申請專利範圍所定義之精神及範疇內可對其進行形式及細節上之各種變更。

Claims (13)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：一基板；一第一子像素、一第二子像素及一第三子像素；一第一電極，係設置於各該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素中；一第二電極，係相對於各該第一電極而設置；一第一有機發射層、一第二有機發射層及一第三有機發射層，各設置於該第一電極與該第二電極之間，該第三有機發射層設置為該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素之一共同層，設置於該第一子像素中之該第一有機發射層位於該第三有機發射層上，設置於該第二子像素中之該第二有機發射層位於該第三有機發射層上；一第一上共振輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第一有機發射層之間；一第二上共振輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第二有機發射層之間；一第一摻雜輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第一上共振輔助層之間；一第二摻雜輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第二上共振輔助層之間，該第一摻雜輔助層及該第二摻雜輔助層各獨立地包含一電洞傳輸材料及一P型摻質；一第一下共振輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第一摻雜輔助層之間；以及一第二下共振輔助層，係設置於該第三有機發射層與該第二摻雜輔助層之間；其中該第一上共振輔助層及該第一下共振輔助層具有各別對應於該第一子像素之共振距離之厚度，且該第二上共振輔助層及該第二下共振輔助層具有各別對應於該第二子像素之共振距離之厚度；其中該第一上共振輔助層的厚度不同於該第二上共振輔助層的厚度，其中該第一摻雜輔助層接觸該第一上共振輔助層及該第一下共振輔助層兩者，且該第二摻雜輔助層接觸該第二上共振輔助層該第二下共振輔助層兩者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該P型摻質包含2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、富勒烯(C60)以及以下列化學式所表示之化合物201A及化合物201B之至少之一：
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中在該第一摻雜輔助層及該第二摻雜輔助層之其中之一之該P型摻質之濃度係基於各層之總重量而為約5wt%至約10wt%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第三有機發射層為一藍色有機發射層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其更包含設置於該第三有機發射層與該第一下共振輔助層之間之一第一電荷產生層、以及設置於該第三有機發射層與該第二下共振輔助層之間之一第二電荷產生層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，其中該第一電荷產生層及該第二電荷產生層各獨立地包含選自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰醌二甲烷(TCNQ)、六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)、3,4,9,10苝-四甲酸二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、及富勒烯(C60)之至少之一。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其更包含一電洞注入層及一電洞傳輸層之至少之一，該電洞注入層及該電洞傳輸層之至少之一設置於該第一電極之至少之一與該第三有機發射層之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其更包含一電子注入層及一電子傳輸層之至少之一，該電子注入層及該電子傳輸層之至少之一設置於該第二電極與該第三有機發射層之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光裝置，其中該電子注入層及該電子傳輸層之至少之一包含8-羥基喹啉鋰(LiQ)及以下列化學式所表示之化合物101之至少之一：
  10. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光裝置，其更包含設置於該第三有機發射層與該電子傳輸層之間之一電洞阻擋層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，該有機發光裝置為一頂部發射型裝置。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，該p型摻質層含由以化學式1A至12A、化學式1B至5B及9B、化學式2C、3C及5C、化學式3D及5D、以及化學式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L及5M所表示之化合物之至少其一：
  13. 一種有機發光顯示設備，其包含一電晶體，包含一源極電極、一汲極電極、一閘極電極及一主動層；以及如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，該源極電極及該汲極電極之其中之一係電性連接至該有機發光裝置之該第一電極之其中之一。
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