[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI645587B - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI645587B
TWI645587B TW103145338A TW103145338A TWI645587B TW I645587 B TWI645587 B TW I645587B TW 103145338 A TW103145338 A TW 103145338A TW 103145338 A TW103145338 A TW 103145338A TW I645587 B TWI645587 B TW I645587B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
electrode
resin layer
metal
Prior art date
Application number
TW103145338A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201532319A (zh
Inventor
米田章法
粟飯原善之
Original Assignee
日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW201532319A publication Critical patent/TW201532319A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI645587B publication Critical patent/TWI645587B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明係提供一種生產性與散熱性之平衡良好之發光裝置。
發光裝置100係於半導體發光元件1之設置有p側電極15及n側電極13之一面側積層支持體3，且於另一面側積層螢光體層2而構成，支持體3具有樹脂層31、於樹脂層31之與半導體發光元件1相接之面為相反側之面露出地設置之p側外部連接用電極34p及n側外部連接用電極34n、及設置於樹脂層31內且將p側電極15與p側外部連接用電極34p之間及n側電極13與n側外部連接用電極34n之間分別電性地連接之內部配線，內部配線係分別串聯地連接有金屬導線32p及金屬鍍敷層33p、金屬導線32n及金屬鍍敷層33n。

Description

發光裝置
本發明係關於一種包含半導體發光元件、及具有內部配線之樹脂層之發光裝置。
使用發光二極體等半導體發光元件(發光元件)之發光裝置因容易小型化且可獲得較高之發光效率而被廣泛地使用。
使用發光元件之發光裝置若大致劃分，則存在於發光元件設置有焊墊電極之面為與安裝基板為相反側之面之面朝上型、及於與安裝基板對向之面即發光元件之下表面設置有電極之面朝下型之2個種類。
面朝上型係將發光元件安裝於引線等，且藉由接合線等而將發光元件與引線之間連接。因而，於安裝於安裝基板，且自與該基板之表面垂直處俯視之情形時，接合線之一部分必須與發光元件相比位於外側，從而小型化存在極限。
另一方面，面朝下型(採取覆晶型之形態之情形較多)可將設置於發光元件之表面之焊墊電極與設置於安裝基板上之配線，利用自與安裝基板之表面垂直處俯視之情形時位於發光元件之內側之凸塊或金屬支柱等連接機構電性地連接。
藉此，可將發光裝置之尺寸(尤其自與安裝基板垂直之方向俯視所得之尺寸)小型化至接近發光元件之晶片之等級。
而且，最近為發展更進一步之小型化，或者為更提昇發光效率，而採用將藍寶石等生長基板(透光性基板)去除、或使該生長基板之厚度變薄所得之面朝下型之發光裝置。
生長基板係用以於其上使構成發光元件之n型半導體層及p型半導體層生長之基板，且亦具有藉由支持厚度較薄且強度較低之發光元件而使發光裝置之強度提昇之效果。
因而，於形成發光元件之後，將生長基板去除所得之發光裝置、或使生長基板之厚度變薄所得之發光裝置例如專利文獻1所示，為支持發光元件而於電極側(與安裝基板對向之側)設置樹脂層，並且形成將該樹脂層貫穿之金屬支柱，且藉由該金屬支柱而將發光元件之電極與設置於安裝基板之配線(配線層)電性地連接。
而且，因具有包含該金屬支柱之樹脂層，發光裝置可確保充分之強度。
另一方面，雖然並非發光元件，但例如專利文獻2或專利文獻3中，揭示有利用金屬導線將安裝基板之配線、與設置於樹脂之表面以與外部連接之端子連接之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-141176號公報
[專利文獻2]日本專利特開平5-299530號公報
[專利文獻3]日本專利特開2008-251794號公報
此處，因發光裝置具有充分之強度，故樹脂層必須具有例如數十μm等級以上或1mm以上之充分之厚度。因而，金屬支柱亦必須達到如數十μm以上或1mm以上般之厚度。
另一方面，如專利文獻1中記載之金屬支柱係通常利用電鍍法而形成，故為形成如此厚之金屬支柱(金屬膜)而需要較長之時間，因此，存在量產性(生產性)變低之類的問題。
進而，若於厚膜形成鍍敷層，則因樹脂層之間之應力或內部應力而容易於鍍敷層產生翹曲，其結果，存在鍍敷層自發光元件剝離，或者無法以穩定之形狀製作發光裝置之虞。
因此，考慮適用專利文獻2或專利文獻3中揭示之方法，取代金屬支柱而使用金屬導線。若樹脂層為上述範圍之厚度，則僅改變所使用之金屬導線之長度，便可幾乎不改變生產性地形成內部配線。
另一方面，發光元件已知放熱量較多，且伴隨溫度上升而發光輸出下降。因而，必須將發光元件中產生之熱迅速地散熱，避免過度地溫度上升。此處，若作為支持體之樹脂層之厚度變厚，則金屬導線亦將變長。然而，一般而言，金屬導線因比利用電鍍法所形成之金屬支柱更細，故若長度變長，則金屬導線之熱阻變大，從而導致將金屬導線作為導熱路徑之散熱性下降。其結果，若發光元件過度地溫度上升，則導致發光裝置之發光輸出下降。
因此，本發明之課題在於提供一種生產性與散熱性之平衡較佳之發光裝置。
為解決上述課題，本發明之一形態之發光裝置包含：半導體發光元件，其具有將p型半導體層及n型半導體層積層而成之半導體積層體，且於上述半導體積層體之設置有上述p型半導體層之側或設置有上述n側半導體層之側之其中任一面側，具有與上述p型半導體層電性地連接之p側電極及與上述n型半導體層電性地連接之n側電極；樹脂層，其係設置於上述半導體積層體之上述一面側；p側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置； n側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；p側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述p側電極與上述p側外部連接用電極之間電性地連接；及n側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述n側電極與上述n側外部連接用電極之間電性地連接；上述p側內部配線及n側內部配線分別包含金屬鍍敷層、金屬導線或金屬導線凸塊。
根據本發明之發光裝置，可藉由於支持體之內部配線，將金屬鍍敷層與金屬導線或金屬導線凸塊組合，而抑制金屬鍍敷層之變形或製造所需之時間增加，並且抑制因金屬導線或金屬導線凸塊導致之熱阻之上升。
1、1A、1C‧‧‧發光元件(半導體發光元件)
2‧‧‧螢光體層(波長轉換層)
3、3A、3B、3C‧‧‧支持體
11‧‧‧成長生長基板
12‧‧‧半導體積層體
12a‧‧‧發光層
12b‧‧‧階差部
12c‧‧‧凹凸形狀
12n‧‧‧n型半導體層
12p‧‧‧p型半導體層
13‧‧‧n側電極
13a‧‧‧接合部
14‧‧‧整面電極
14a‧‧‧反射電極
14b‧‧‧包覆電極
15‧‧‧p側電極
15a‧‧‧焊墊電極層
15b‧‧‧衝擊吸收層
16‧‧‧保護層
31、31A、31B、31C‧‧‧樹脂層
32‧‧‧金屬導線
32A‧‧‧凸塊積層體(內部配線、金屬導線凸塊)
32An、32Ap‧‧‧凸塊積層體
32a‧‧‧凸塊
32n、32p‧‧‧第1金屬導線(內部配線、金屬導線)
33a‧‧‧晶種層
33b‧‧‧鍍敷層
33n、33p‧‧‧第1金屬鍍敷層(內部配線、金屬鍍敷層)
34n‧‧‧n側外部連接用電極
34p‧‧‧p側外部連接用電極
35n、35p‧‧‧第2金屬導線(內部配線、金屬導線)
36n、36p‧‧‧橫配線層
37n‧‧‧第2金屬鍍敷層(內部配線、金屬鍍敷 層、p側外部連接用電極)
37p‧‧‧第2金屬鍍敷層(內部配線、金屬鍍` 層、n側外部連接用電極)
41、42‧‧‧切削線
43‧‧‧切斷線
50‧‧‧打線接合機
61‧‧‧抗蝕圖案
100、100A、100B、100C‧‧‧發光裝置
311‧‧‧第1樹脂層(導線埋設層)
311A‧‧‧第1樹脂層(鍍敷埋設層)
311C‧‧‧第1樹脂層(鍍敷埋設層)
312‧‧‧第2樹脂層(鍍敷埋設層)
312A‧‧‧第2樹脂層(導線埋設層)
312C‧‧‧第2樹脂層(導線埋設層)
313‧‧‧第3樹脂層(導線埋設層)
313C‧‧‧第3樹脂層(鍍敷埋設層)
圖1A係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之構成之模式性立體圖。
圖1B係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之構成之模式性俯視圖。
圖1C係圖1B之A-A線處之模式性剖視圖。
圖1D係圖1B之B-B線處之模式性剖視圖。
圖2A係表示本發明之第1實施形態中之發光元件之構成之一例之模式性俯視圖。
圖2B係圖2A之A-A線處之模式性剖視圖。
圖3A係表示本發明之第1實施形態中之發光元件之構成之其他例之模式性俯視圖。
圖3B係圖3A之A-A線處之模式性剖視圖。
圖4A係圖3A之B-B線處之模式性剖視圖。
圖4B係圖3A之C-C線處之模式性剖視圖。
圖5係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造方法之流程之流程圖。
圖6A係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖6B係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖6C係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖6D係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖7A係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖7B係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖7C係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖7D係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖8A係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖8B係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖8C係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖8D係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部 分之模式性剖視圖。
圖9A係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖9B係表示本發明之第1實施形態之發光裝置之製造步驟之一部分之模式性剖視圖。
圖10A係表示本發明之第2實施形態及第3實施形態之發光裝置之構成之模式性剖視圖。
圖10B係表示本發明之第2實施形態及第3實施形態之發光裝置之構成之模式性剖視圖。
圖11係表示本發明之第2實施形態之發光裝置之製造方法之流程之流程圖。
圖12係表示本發明之第3實施形態之發光裝置之製造方法之流程之流程圖。
圖13A係表示於本發明中形成凸塊積層體之情況之模式性剖視圖。
圖13B係表示將金屬導線進行接合之情況之模式性剖視圖。
圖14A係表示本發明之第4實施形態之發光裝置之構成之模式性俯視圖。
圖14B係圖14A之A-A線處之模式性剖視圖。
圖15A係圖14A之B-B線處之模式性剖視圖。
圖15B係圖14A之C-C線處之模式性剖視圖。
圖16係表示本發明之第4實施形態之發光裝置之製造方法之流程之流程圖。
圖17A係表示於本發明之第4實施形態之發光裝置之製造步驟中，形成半導體發光元件之情況之模式性俯視圖。
圖17B係表示於本發明之第4實施形態之發光裝置之製造步驟 中，形成第1樹脂層之情況之模式性俯視圖。
圖18A係表示於本發明之第4實施形態之發光裝置之製造步驟中，形成橫配線層之情況之模式性俯視圖。
圖18B係表示於本發明之第4實施形態之發光裝置之製造步驟中，形成第2樹脂層之情況之模式性俯視圖。
圖19係表示於本發明之第4實施形態之發光裝置之製造步驟中，形成第3樹脂層之情況之模式性俯視圖。
以下，對本發明之發光裝置及其製造方法之實施形態進行說明。
再者，以下之說明中所參照之圖式係概率性表示本發明者，故存在將各構件之標度或間隔、位置關係等誇張，或者將構件之一部分之圖示省略之情形。又，於俯視圖與其剖視圖中，亦存在各構件之標度或間隔不一致之情形。又，以下之說明中，對於同一名稱及符號，原則上表示同一或同質之構件，且設為將詳細之說明適當地省略。
又，於本發明之各實施形態之發光裝置中，「上」、「下」、「左」及「右」等係相應於狀況而替換者。於本說明書中，「上」、「下」等係於為說明而參照之圖式中表示構成要素間之相對位置者，且如無特殊說明，並非意圖表示絕對之位置。
<第1實施形態> [發光裝置之構成]
首先，參照圖1A至圖1D，對本發明之第1實施形態之發光裝置之構成進行說明。
第1實施形態之發光裝置100係如圖1A至圖1D所示，包含具有將生長基板去除所得之LED(Light Emitting Diode，發光二極體)結構之半導體發光元件1(以下，適當地稱作「發光元件」)、設置於發光元 件1之一面側之支持體3、及設置於發光元件1之另一面側之螢光體層(波長轉換層)2。於發光元件1之一面側，設置有n側電極13及p側電極15，且n側電極13及p側電極15經由設置於支持體3內之作為內部配線之金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p，分別與n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p電性地連接。又，詳細情況隨後描述，但發光裝置100係於以晶圓狀態製作之後，藉由進行分割而製作。
又，本實施形態中之發光裝置100係藉由螢光體層2而將發光元件1所發出之光之一部分或全部轉換為不同波長之光，且將經波長轉換之光、或經波長轉換之光及發光元件1所發出之光輸出。例如，可藉由以發光元件1發出藍色光，且螢光體層2將藍色光之一部分吸收，波長轉換成黃色光之方式構成，而將發光裝置100設為輸出將藍色光與黃色光混色而成之白色光之白色光源。
再者，於本實施形態及下述其他實施形態中，發光裝置100雖具有螢光體層2，但螢光體層2並非必需，亦可不設置。
再者，本說明書係如各圖中適當地標註座標軸所示，為方便起見，而將發光元件1之設置有n側電極13及p側電極15之面之法線方向設為「+Z軸方向」，且將自+Z軸方向觀察-Z軸方向稱為俯視。又，將俯視下具有長方形之形狀之發光元件1之長邊方向設為X軸方向，且將短邊方向設為Y軸方向。
又，以剖視圖表示之圖均為表示與XY平面垂直之面(與XZ平面或YZ平面平行之面)之剖面者。
其次，對發光裝置100之各部之構成依次詳細地進行說明。
發光元件1係俯視下具有大致長方形之板狀之形狀，且於一面側具有n側電極13及p側電極15之面朝下型之LED晶片。
(發光元件之例)
此處，參照圖2A、圖2B，對發光元件1之一例詳細地進行說明。
圖2A及圖2B所示之發光元件1具備將n型半導體層12n與p型半導體層12p積層所得之半導體積層體12。較佳為，半導體積層體12成為藉由使電流對n側電極13及p側電極15間通電而發光，且於n型半導體層12n與p型半導體層12p之間具備發光層12a。
又，於半導體積層體12之設置有p型半導體層12p之側或設置有n型半導體層12n之側之其中任一面側，設置有與p型半導體層12p電性地連接之p側電極15及與n型半導體層12n電性地連接之n側電極13。圖2A及圖2B所示之例係於半導體積層體12之設置有p型半導體層12p之側之面側(圖2B中為上表面側)，設置有p側電極15及n側電極13。
於半導體積層體12，形成有局部地不存在p型半導體層12p及發光層12a之區域、即自p型半導體層12p之表面凹陷而成之區域(將該區域稱為「階差部12b」)。階差部12b之底面係n型半導體層12n之露出面，且於階差部12b，形成有n側電極13。又，於p型半導體層12p之上表面之大致整面，設置有整面電極14。整面電極14係包含具有良好之反射性之反射電極14a、及將反射電極14a之上表面及側面之整體被覆之包覆電極14b。又，於包覆電極14b之上表面之一部分形成有p側電極15。
又，將發光元件1之作為焊墊電極之n側電極13及p側電極15之表面去除，使半導體積層體12及整面電極14之表面被具有絕緣性之保護層16所被覆。
半導體積層體12可採用如GaN、GaAs、AlGaN、InGaN、AlInGaP、GaP、SiC、ZnO之適於半導體發光元件之材料。於本實施形態中，發光元件1所發出之光之一部分被螢光體層2轉換為不同波長之光，因此，以發光波長較短之藍色或紫色發光之半導體積層體12較為合適。
n型半導體層12n、發光層12a及p型半導體層12p可較佳地使用InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y<1)等GaN系化合物半導體。又，該等半導體層雖可分別為單層結構，但亦可為組成及膜厚等不同之層之積層結構、超晶格結構等。尤其，發光層12a較佳為將產生量子效果之薄膜積層所得之單一量子井或多重量子井結構。
作為半導體積層體12於採用GaN系化合物半導體之情形時，於適合使半導體層結晶生長之生長基板11(參照圖6A)上，例如可利用MOCVD法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，有機金屬化學氣相沈積法)、HVPE法(hydride vapor phase epitaxy，氫化物氣相磊晶法)、MBE法(molecular beam epitaxy，分子束磊晶生長法)等公知之技術而形成。又，半導體層之膜厚並無特別限定，可適用各種膜厚。
又，作為用以使半導體積層體12磊晶生長之生長基板，例如，於使用GaN(氮化鎵)等氮化物半導體形成半導體積層體12之情形時，可列舉將C面、R面、A面之任一面作為主面之藍寶石或尖晶石(MgAl2O4)之類的絕緣性基板、或者碳化矽(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、金剛石、及與氮化物半導體晶格接合之鈮酸鋰、鎵酸釹等氧化物基板。
再者，本實施形態係於發光裝置100之製造過程中，將生長基板自半導體積層體12剝離而去除，因而，已完成之發光裝置100中之發光元件1不具有生長基板。
又，將生長基板去除所得之半導體積層體12之下表面、即n型半導體層12n之下表面較佳為藉由表面粗化而具有凹凸形狀12c。可藉由設置凹凸形狀12c而提昇自該面之光擷取之效率。如此之凹凸形狀12c可藉由將n型半導體層12n之下表面進行濕式蝕刻而形成。
整面電極14係具有作為電流擴散層及反射層之功能者，且將反射電極14a與包覆電極14b積層而構成。
反射電極14a係以將p型半導體層12p之上表面之大致整面覆蓋之方式設置。又，以將反射電極14a之上表面及側面之整體被覆之方式，設置有包覆電極14b。反射電極14a係用以將經由包覆電極14b及設置於包覆電極14b之上表面之一部分中之p側電極15所供給之電流均一地擴散至p型半導體層12p之整面之導體層。又，反射電極14a具有良好之反射性，從而亦作為將發光元件1所發出之光朝向光擷取面之方向進行反射之反射膜發揮功能。此處，所謂具有反射性係指將發光元件1所發出之波長之光良好地反射之意。進而，反射電極14a較佳為亦對於由螢光體層2轉換後之波長之光具有良好之反射性。
反射電極14a可使用具有良好之導電性與反射性之金屬材料。尤其，作為於可見光區域具有良好之反射性之金屬材料，可較佳地使用Ag、Al或以該等金屬為主成分之合金。又，反射電極14a可利用將該等金屬材料設為單層或進行積層所得者。
又，包覆電極14b係用以防止構成反射電極14a之金屬材料之電子遷移之障壁層。尤其，作為反射電極14a，較佳為於使用容易電子遷移之Ag之情形時設置。
作為包覆電極14b，可使用具有良好之導電性與障壁性之金屬材料，例如可使用Al、Ti、W、Au等。又，包覆電極14b可利用將該等金屬材料設為單層或進行積層所得者。
n側電極13係設置於露出有n型半導體層12n之半導體積層體12之階差部12b之底面。又，p側電極15係設置於包覆電極14b之上表面之一部分。n側電極13係電性地連接於n型半導體層12n，且用以將來自外部之電流供給至發光元件1之焊墊電極，p側電極15係經由包覆電極14b及反射電極14a電性地連接於p型半導體層12p，且用以將來自外部之電流供給至發光元件1之焊墊電極。於n側電極13及p側電極15，分別連接有作為支持體3(參照圖1A~圖1D)之內部配線之金屬導線32n及 金屬導線32p等。
又，於圖2所示之例中，p側電極15係將作為原本之焊墊電極之焊墊電極層15a與衝擊吸收層15b積層而構成。衝擊吸收層15b並非必需之構成，但其係用以緩和將金屬導線32p進行打線接合時之衝擊，減少對半導體積層體12之損傷者。於圖2所示之例中，如p側電極15般，作為打線接合於進行球焊之情形時，接合部被施加之衝擊相對較大，故較佳為設置衝擊吸收層15b。
n側電極13亦可與p側電極15同樣地設置衝擊吸收層。又，亦可不設置p側電極15，而將整面電極14之一部分作為焊墊電極，將金屬導線32p直接連接於整面電極14。
作為n側電極13及焊墊電極層15a，可使用金屬材料，例如可較佳地使用Ag、Al、Ni、Rh、Au、Cu、Ti、Pt、Pd、Mo、Cr、W等單體金屬或以該等金屬為主成分之合金等。再者，於使用合金之情形時，例如，可如AlSiCu合金般，包含Si等非金屬元素作為組成元素。又，n側電極13及焊墊電極層15a可利用將該等金屬材料設為單層或進行積層所得者。
又，衝擊吸收層15b係例如用以吸收打線接合時之衝擊之層，且可使用與焊墊電極層15a相同之材料，但較佳為使用與連接於上表面之金屬導線32p之接合性良好之材料。衝擊吸收層15b係吸收衝擊，故較佳為形成為3μm以上且50μm以下之厚度，更佳為形成為20μm以上且30μm以下之厚度。例如，於金屬導線32p為Cu之情形時，衝擊吸收層15b亦較佳為使用Cu。
保護層16係具有絕緣性，且除了與n側電極13及p側電極15之外部之連接部以外，將發光元件1之上表面及側面之整體被覆之覆膜。保護層16係作為發光元件1之保護膜及防靜電膜發揮功能。
又，於設置於半導體積層體12之側面部之保護層16之外側設置 反射層之情形時，保護層16較佳為相對於發光元件1所發出之波長之光具有良好之透光性。進而，保護層16較佳為亦相對於螢光體層2進行波長轉換後之波長之光具有良好之透光性。
作為保護層16，可使用金屬氧化物或金屬氮化物，例如可較佳地使用選自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所組成之群中之至少一種氧化物或氮化物。
又，作為保護層16，亦可使用折射率不同之2種以上之透光性介電質進行積層，構成DBR(Distributed Bragg Reflector，布瑞格反射器)膜。可藉由利用DBR膜將自發光元件1之上表面及側面洩漏之光反射返回至發光元件1內，而使自發光元件1之作為光擷取面之下表面之光擷取效率提昇。作為DBR膜，例如可列舉SiO2與Nb2O5交替地積層而成之多層膜，且可藉由設為至少3對以上、較佳為7對以上之多層膜，而獲得良好之反射率。
(發光元件之其他例)
繼而，參照圖3及圖4，對發光元件之其他例詳細地進行說明。
再者，對於與圖2所示之例相同或對應之構成，標註相同之符號，將說明適當地省略。
圖3及圖4所示之其他例之發光元件1A係將作為p側之焊墊電極之p側電極15形成於整面電極14之上表面之一部分，並且將作為n側之焊墊電極之n側電極13設置為除了設置有p側電極15之區域及其附近以外，遍及半導體積層體12之上表面及側面之大致整面地經由絕緣性之保護層16延伸。可藉由以此方式，將n側電極13或p側電極15廣範圍地設置於發光元件1A之上表面及側面，而對於下述支持體3之樹脂層31有效地傳導熱，藉此，便可提昇散熱性。
再者，圖3及圖4所示之例係將n側電極13以延伸至半導體積層體12之上表面及側面之廣範圍之方式設置，但亦可廣範圍地設置p側電 極15。又，既可廣範圍且互補地設置n側電極13及p側電極15之兩者，亦可例如於圖3A中，在發光元件1A之左半個廣範圍之區域設置p側電極15，且在右半個廣範圍之區域設置n側電極13。
又，亦可將n側電極13及/或p側電極15以延伸至未設置反射電極14a之半導體積層體12之側面為止之方式設置，從而作為反射膜發揮功能。藉此，可使自半導體積層體12之側面出射之光朝向半導體積層體12內反射，從而使自發光元件1之作為光擷取面之下表面之光擷取效率提昇。
再者，於使n側電極13及/或p側電極15作為反射膜發揮功能之情形時，較佳為該等電極之至少下層側(保護層16側)中使用具有良好反射性之材料。作為對於可見光具有良好反射性之材料，例如可列舉Ag、Al或以該等金屬為主成分之合金。
發光元件1A係於半導體積層體12之外周部之整周，設置有露出n型半導體層12n之階差部12b。又，於半導體積層體12之p型半導體層12p之上表面之大致整面，設置有將反射電極14a及包覆電極14b積層所得之整面電極14。又，除了半導體積層體12之下表面之全部、階差部12b之底面之一部分、及整面電極14之上表面之一部分以外，半導體積層體12及整面電極14之表面被絕緣性之保護層16所被覆。又，發光元件1A係與發光元件1同樣地，於n型半導體層12n之下表面之整面形成有凹凸形狀12c。
又，於階差部12b之底面，如圖3B、圖4所示，保護層16具有開口部。即，該開口部係n型半導體層12n未被保護層16被覆之區域，且成為n型半導體層12n與n側電極13之接合部13a。於本例中，如圖3A所示，遍及半導體積層體12之外周部之整周地設置有接合部13a。可藉由以此方式遍及廣範圍地設置接合部13a，而將經由n側電極13所供給之電流均等地擴散至n型半導體層12n，因此，可使發光效率提昇。
再者，階差部12b並非設置於半導體積層體12之外緣部之整周，亦可設置於一部分。可藉由減小設置階差部12b之區域，而使具有p型半導體層12p及發光層12a之區域變大，增加發光量。又，亦可將階差部12b取代設置於外緣部或不僅設置於外緣部，而且俯視下設置於半導體積層體12之內側。再者，可藉由將階差部12b廣範圍且間斷地設置於半導體積層體12之一部分而並非分佈不均地設置於半導體積層體12之一部分，而不使階差部12b之區域過度地增加，從而如上所述地使對於n型半導體層之電流擴散變得均等。例如，可如圖3及圖4所示之例般，遍及半導體積層體12之外緣部之整周地間斷地設置階差部12b，而並非遍及半導體積層體12之外緣部之整周地連續設置階差部12b。
又，本實施形態中之發光裝置100(參照圖1A至圖1D)係為方便起見而以將發光元件1用作發光元件者進行說明，但圖2所示之發光元件1、或圖3及圖4所示之發光元件1A均可使用。於下述其他實施形態中，亦同樣地發光元件1或發光元件1A均可使用。
自圖1A返回圖1D，對發光裝置100之構成繼續進行說明。
螢光體層(波長轉換層)2係將發光元件1所發出之光之一部分或全部吸收，且轉換為與發光元件1所發出之波長不同之波長之光。螢光體層2可作為含有螢光體之粒子作為波長轉換材料之樹脂層而形成。又，螢光體層2係如圖1C所示地設置於設置有凹凸形狀12c(參照圖2B)之發光元件1之作為光擷取面之n型半導體層12n之下表面側。
螢光體層2之膜厚可根據螢光體之含量、或發光元件1所發出之光與波長轉換後之光之混色後所期望之色調等而決定，但例如可設為1~500μm，更佳為5~200μm，進而較佳為10~100μm。
又，較佳為，將螢光體層2中之螢光體之含量調整為以每單位體積之質量計，達到0.1~50mg/cm3。可藉由使螢光體之含量成為該範 圍內，而充分地進行顏色轉換。
作為樹脂材料，較佳為採用對於發光元件1所發出之光、及螢光體層2所含有之螢光體進行波長轉換之後之光具有良好之透光性者。
作為如此之樹脂材料，例如可較佳地採用聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、環氧樹脂、改性環氧樹脂、尿素樹脂、酚樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、氟樹脂、或至少包含至少1種以上該等樹脂之樹脂、或者混成樹脂等。
又，作為螢光體(波長轉換材料)，若為可被發光元件1所發出之波長之光激發，且發出與該激發光不同之波長之螢光之螢光物質，則並無特別限定，可較佳地使用粒狀之螢光體。粒狀之螢光體因具備光散射性及光反射性，故除了波長轉換功能，亦可作為光散射構件發揮功能，從而可獲得光之擴散效果。螢光體較佳為以大致均一之比例混合於作為樹脂層之螢光體層2中。又，螢光體於螢光體層2中，既可使2個種類以上均勻地混合存在，亦可以成為多層結構之方式分佈。
作為螢光體，可使用其領域中公知之螢光體。例如，可列舉被Ce(鈰)活化之YAG(釔、鋁、石榴石)系螢光體、被Ce活化之LAG(鎦、鋁、石榴石)系螢光體、被Eu(銪)及/或Cr(鉻)活化之含氮之鋁矽酸鈣(CaO-Al2O3-SiO2)系螢光體、被Eu活化之矽酸鹽((Sr、Ba)2SiO4)系螢光體、β矽鋁氮氧化物螢光體、及KSF(K2SiF6：Mn)系螢光體等。又，亦可使用量子點螢光體。
又，亦可為了對螢光體層2賦予光擴散性，而添加透光性之無機化合物粒子、例如Si、Al、Zn、Ca、Mg、Y等稀土類或Zr、Ti等元素之氧化物、碳酸鹽、硫酸鹽或氮化物、或膨潤土、鈦酸鉀等複合鹽等之無機填料。如此之無機填料之平均粒徑可設為與上述螢光體之平均粒徑之範圍同等程度之範圍。
螢光體層2可將於溶劑中含有上述樹脂、螢光體粒、及其他無機 填料粒子之漿料進行調整，且將經調整之漿料利用噴霧法、澆鑄法、灌注法等塗佈法塗佈於半導體積層體12之下表面，此後藉由硬化而形成。
又，亦可藉由另外地製作含有螢光體粒子之樹脂板，且將該樹脂板接著於半導體積層體12之下表面而形成。
再者，於發光裝置100中，亦可不設置螢光體層2，而將半導體積層體12之下表面作為光擷取面，將發光元件1發出之光直接輸出。又，亦可取代螢光體層2，而不含螢光體地設置透光性之樹脂層，亦可設置含有光擴散性之填料之光擴散性之樹脂層。
支持體3係於俯視下呈現內含發光元件1之外形之長方體形狀，且以與發光元件1之設置有n側電極13及p側電極15之面側接合之方式設置，且機械性地保持生長基板被去除之發光元件1。又，支持體3係於俯視下呈現與螢光體層2大致相同之外形形狀。
支持體3係包含樹脂層31、用以安裝於安裝基板之外部連接用電極(n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p)、及用以將n側電極13及p側電極15分別與對應之外部連接電極電性地連接之內部配線(金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p)。
樹脂層31係作為發光元件1之補強構件之母體。又，樹脂層31係如圖1C及圖1D所示，與支持體3之外形形狀大致相同，且於俯視下，內含發光元件1之外形形狀，並且呈現與螢光體層2大致相同之外形形狀。又，樹脂層31係將發光元件1之上表面及側面密封之密封樹脂層。因而，發光元件1係被樹脂層31與設置於下表面側之作為樹脂層之螢光體層2將整面密封。
樹脂層31係如圖1C及圖1D所示地將埋設有在厚度方向(Z軸方向)上貫通之金屬導線32n、32p之第1樹脂層(導線埋設層)311、及埋設有在厚度方向上貫通之金屬鍍敷層33n、33p之第2樹脂層(鍍敷埋設 層)312積層而構成。又，第1樹脂層311及第2樹脂層312形成有良好地密接一體化而成之樹脂層31。
用於第1樹脂層311及第2樹脂層312之樹脂材料可使用不同之材料，但為獲得更良好之密接性，較佳為使用相同之樹脂材料而形成。作為第1樹脂層311及第2樹脂層312之樹脂材料，可使用與用於上述螢光體層2者同樣之樹脂材料。又，於藉由壓縮成型而形成第1樹脂層311及第2樹脂層312之情形時，作為原料，例如可較佳地使用作為粉狀之環氧系樹脂之EMC(Epoxy Molding Compound，環氧模製化合物)或作為粉狀之聚矽氧系樹脂之SMC(Silicone Molding Compound，聚矽氧模製化合物)等。
又，可使第1樹脂層311及第2樹脂層312含有導熱構件，以提昇導熱性。可藉由提昇第1樹脂層311及第2樹脂層312之導熱率，而使發光元件1所產生之熱迅速地傳導而散熱至外部。
作為導熱構件，例如可使用粒狀之碳黑或AlN(氮化鋁)等。再者，於導熱構件為具有導電性之材料之情形時，可使第1樹脂層311及第2樹脂層312以不具有導電性之範圍之粒子密度含有導熱構件。
又，作為第1樹脂層311及第2樹脂層312，亦可使用使透光性之樹脂材料含有光反射性之填料之白色樹脂。可藉由至少在接合於發光元件1之上表面之第1樹脂層311中使用白色樹脂，且使第1樹脂層311作為光反射膜發揮功能，而使自發光元件1之上表面及側面側洩漏之光返回至發光元件1內，因此，可使自發光元件1之作為光擷取面之下表面側之光擷取效率提昇。又，於第1樹脂層311具備作為光反射膜之功能之情形時，可使用ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)等透光性導電材料，形成發光元件1之整面電極14。
樹脂層31之厚度可以作為生長基板被剝離之發光元件1之補強構 件具有充分之強度之方式規定下限，且可考慮到包含金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p之內部配線之熱阻、以及金屬鍍敷層33n、33p之生產性而規定上限。
例如，於發光元件1之俯視下之外形為1000μm×500μm左右之情形時，樹脂層31之厚度可設為50μm左右以上。又，考慮到包含金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p之內部配線之熱阻，樹脂層31之厚度較佳為設為1000μm左右以下，更佳為設為250μm左右以下。
金屬導線32n係於第1樹脂層311內在厚度方向上貫通地設置且將n側電極13與金屬鍍敷層33n之間電性地連接之內部配線。又，金屬鍍敷層33n係於第2樹脂層312內在厚度方向上貫通地設置且將金屬導線32n與n側外部連接用電極34n之間電性地連接之內部配線。即，發光元件1之n側電極13係藉由將金屬導線32n及金屬鍍敷層33n串聯連接而成之內部配線，而與n側外部連接用電極34n連接。
同樣地，金屬導線32p係於第1樹脂層311內在厚度方向上貫通地設置且將p側電極15與金屬鍍敷層33p之間電性地連接之內部配線。又，金屬鍍敷層33p係於第2樹脂層312內在厚度方向上貫通地設置且將金屬導線32p與p側外部連接用電極34p之間電性地連接之內部配線。即，發光元件1之p側電極15係藉由將金屬導線32p及金屬鍍敷層33p串聯連接而成之內部配線，而與p側外部連接用電極34p連接。
作為金屬導線32n、32p，較佳為使用具有良好之導電性及導熱性之材料，例如可較佳地使用Au、Cu、Al、Ag或以該等金屬為主成分之合金等。又，金屬導線32n、32p亦可為對金屬導線之表面實施塗佈所得者。又，為效率良好地傳導發光元件1所產生之熱，較佳為將導線直徑設為20μm左右以上，進而較佳為30μm左右以上，且愈粗愈佳。
再者，若為可對發光元件1之n側電極13及p側電極15進行配線之 尺寸，則導線直徑之上限並無特別限定，但於進行打線接合時，設為不因自打線接合機施加至半導體積層體12之衝擊而於半導體積層體12中產生損傷之程度，例如較佳為3mm左右以下，進而較佳為1mm左右以下。
又，可為了價廉地利用更粗之導線，而較佳地使用包含Cu、Al或以該等為主成分之合金之導線。
又，導線之形狀並無特別限定，不僅可使用具有圓形剖面形狀之導線，而且可使用具有橢圓形或長方形等剖面形狀之帶狀之導線。
又，金屬導線32n、32p之配線路徑並無特別限定，但較佳為以於第1樹脂層311之厚度方向上以最短路徑或接近最短路徑之路徑貫通之方式設置。又，可考慮到金屬導線32n、32p之熱阻與發光元件1之放熱量，以避免發光元件1過度地溫度上升之方式，決定金屬導線32n、32p之長度與直徑。
又，如本實施形態所述，若使用金屬導線32n、32p作為內部配線之第1層，則可自由地設定配線路徑，因此，發光元件1之n側電極13及p側電極15無論配置於何處，均可與n側電極13及p側電極15容易地連接。
又，由於成為第2層之金屬鍍敷層33n、33p與半導體積層體12之距離變大，故可降低金屬鍍敷層33n、33p之內部應力對半導體積層體12之影響。因而，可降低於半導體積層體12中引起裂痕等損傷之風險。
再者，如圖1C所示，本實施形態中之金屬導線32p係將導線之端面藉由球焊而連接於將用以吸收打線接合時之衝擊之衝擊吸收層15b設置為上層之p側電極15。因此，於與p側電極15之接合部即金屬導線32p之前端形成有凸塊32a。又，金屬導線32n係導線端部之側面藉由楔焊而與n側電極13連接。即，金屬導線32n係於一端具有楔形狀之前 端部，且於該楔形狀之前端部連接於n側電極13。再者，圖1C所示之例係表示導線之連接方法之一例，但不限定於此。例如，無論於何種電極，既可藉由球焊而連接，亦可藉由楔焊而連接。進而，亦可於金屬導線32p之形成於一端之楔形狀之前端部連接於p側電極15。尤其可藉由利用楔焊進行連接而將金屬導線32彎曲地進行配線，因此，可增加金屬於樹脂層31之內部所占之體積。因而，可更有效地傳導自發光元件1所產生之熱。
金屬鍍敷層33n、33p可藉由電鍍法而形成，且較佳為使用具有良好之導電性及導熱性之金屬材料。作為如此之金屬材料，可列舉Cu、Au、Ni、Pd。進而該等之中，可價廉且較佳地使用具有相對較高之導電性及導熱性之Cu。
金屬鍍敷層33n、33p較佳為2個金屬鍍敷層33n、33p彼此以不短路之程度隔開，且俯視下設置於第2樹脂層312之儘可能大之範圍，以具有尤其較金屬導線32n、32p更良好之導熱性。又，於本例中，作為內部配線之金屬鍍敷層33n、33p具有俯視下之形狀具有大致四邊形之柱狀形狀，但不僅限於此，亦可為圓柱、多角柱、圓錐台、錐台等形狀。
金屬鍍敷層33n、33p係可藉由1次電鍍而形成之膜厚於例如Cu之情形時為50~150μm左右。又，若鍍敷膜之膜厚變厚，則因與樹脂層之間之應力或內部應力，而導致於鍍敷膜容易產生翹曲。因而，將金屬鍍敷層33n、33p之膜厚設為可藉由較佳為數次、更佳為1次之電鍍而形成之膜厚。因此，金屬鍍敷層33n、33p之膜厚較佳為設為50~200μm左右。
又，金屬鍍敷層33n、33p之上表面係以與第2樹脂層312之上表面呈現同一面之方式形成。而且，以延伸至金屬鍍敷層33n之上表面之整面、及與金屬鍍敷層33n之上表面鄰接之第2樹脂層312之上表面 之一部分為止之方式，設置有n側外部連接用電極34n。同樣地，以延伸至金屬鍍敷層33p之上表面之全部、及與金屬鍍敷層33n之上表面鄰接之第2樹脂層312之上表面之一部分為止之方式，設置有p側外部連接用電極34p。
n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p係用以將發光裝置100接合於外部之安裝基板之焊墊電極。n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p係設置於樹脂層31之與和發光元件1接合之面為相反側之面、即樹脂層31之上表面。發光裝置100係以樹脂層31之上表面側為安裝面，利用焊料等導電性接著材料而將n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p接合於安裝基板之配線圖案。於本實施形態中，因設置有螢光體層2之面為光擷取面，故而發光裝置100以適於頂視型之安裝之方式，設置有n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p。
作為n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p，較佳為例如為提昇與採用Au-Sn共晶焊料等Au合金系接合材料之安裝基板之接合性，而至少利用Au形成最上層。例如，於金屬鍍敷層33n、33p由Cu、Al等除了Au以外之金屬形成之情形時，較佳為，為提昇與Au之密接性，而藉由濺鍍法，首先，依次地形成Ti及Ni之薄膜，且於Ni層之上層將Au層積層而形成。
又，n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p可將總膜厚設為0.1~5μm左右，進而較佳為0.5~4μm左右。
再者，於金屬鍍敷層33n、33p由Au形成之情形時，亦可不設置n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p，而將金屬鍍敷層33n、33p兼作焊墊電極，且將其之上表面設為與外部連接之連接面。
又，可將n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p僅設置於金屬鍍敷層33n、33p之上表面之全部或一部分，且以不延伸至第 2樹脂層312之上表面之方式設置，亦可相反地以延伸至將第2樹脂層312、進而延伸至第1樹脂層311之側面部為止之方式設置。亦可藉由以延伸至樹脂層31之側面(於圖1A~圖1D中為與XZ平面平行之側面、即俯視下包含長邊方向之邊之側面)之方式，設置n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p，而將發光裝置100作為側視型之發光裝置安裝於安裝基板。
[發光裝置之動作]
繼而，參照圖1A~圖1D及圖2，對發光裝置100之動作進行說明。再者，為了說明方便起見，而以發光元件1發出藍色光，且螢光體層2發出黃色光進行說明。
發光裝置100係若經由未圖示之安裝基板將外部電源連接於n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p間，則經由金屬鍍敷層33n、33p及金屬導線32n、32p，將電流供給至發光元件1之n側電極13及p側電極15間。而且，若將電流供給至n側電極13及p側電極15間，則發光元件1之發光層12a發出藍色光。
發光元件1之發光層12a所發出之藍色光係於半導體積層體12內進行傳播，且自發光元件1之下表面出射，一部分被螢光體層2中所含之螢光體吸收後轉換為黃色光而被外部擷取。又，藍色光之一部分係未被螢光體吸收而穿透螢光體層2被外部擷取。
再者，於發光元件1內朝向下方向傳播之光係被反射電極14a朝向上方向反射，從而自發光元件1之上表面出射。
而且，藉由被發光裝置100之外部擷取之黃色光及藍色光進行混色，而產生白色光。
[發光裝置之製造方法]
繼而，參照圖5，對圖1A~圖1D所示之發光裝置100之製造方法進行說明。
如圖5所示，發光裝置100之製造方法係包含發光元件準備步驟S101、導線配線步驟S102、第1樹脂層形成步驟S103、第1樹脂層切削步驟S104、鍍敷層形成步驟S105、第2樹脂層形成步驟S106、第2樹脂層切削步驟S107、外部連接用電極形成步驟S108、生長基板去除步驟S109、螢光體層形成步驟(波長轉換層形成步驟)S110、及單片化步驟S111，且以該順序實施各步驟。
以下，參照圖6~圖9(適當地參照圖1A~圖1D、圖2及圖5)，對各步驟詳細地進行說明。再者，於圖6~圖9之各圖中，對於發光元件1之詳細構成(例如，保護層16、半導體積層體12之積層結構等)，省略記載。又，亦對於其他各構件，存在將形狀、尺寸、位置關係適當地簡化或誇大之情形。
發光元件準備步驟S101係準備圖2所示之構成之發光元件1之步驟。本實施形態中之發光元件準備步驟S101係將複數個發光元件1以排列於一片生長基板11上之晶圓狀態形成。又，於圖6~圖9之各圖中，座標軸係如圖6A所示，將上下方向設為Z軸，將左右方向設為X軸，且將相對紙面之垂直方向設為Y軸。又，上方向為+Z軸方向。因此，圖6~圖9之各圖係表示相當於圖1B所示之俯視圖之A-A線處之剖面之剖視圖者。
具體而言，首先，於包含藍寶石等之生長基板11之上表面，使用上述半導體材料，將n型半導體層12n、發光層12a、及p型半導體層12p依次地積層，形成半導體積層體12。
形成半導體積層體12之後，對於半導體積層體12之上表面之一部分之區域，將p型半導體層12p、發光層12a、及n型半導體層12n之一部分藉由蝕刻而去除，形成n型半導體層12n露出於底面之階差部12b。
又，亦可與階差部12b之形成同時地，將發光元件1彼此之交界 區域進行蝕刻，使n型半導體層12n露出。藉此，於發光元件準備步驟S101內之後步驟，可使半導體積層體12之至少包含發光層12a之側面被保護層16被覆。
進而，對於交界區域，亦可以露出生長基板11之方式，將半導體積層體12全部去除。藉此，於單片化步驟S111中，無需切割半導體積層體12，因此，可藉由僅對包含樹脂之層之切割而容易地實施單片化。再者，圖6(a)所示之例係將發光元件1之交界區域之半導體積層體12完全地去除。
繼而，於階差部12b之底面形成作為焊墊電極之n側電極13。又，於成為具有p型半導體層12p及發光層12a之發光區域之區域，形成包含將p型半導體層12p之上表面之大致整面被覆之反射電極14a、及將反射電極14a之上表面及側面完全地被覆之包覆電極14b之整面電極14。又，於包覆電極14b之上表面之一部分形成作為焊墊電極之p側電極15。
進而，於除了n側電極13及p側電極15之表面以外之晶圓之表面整體，例如藉由濺鍍而使用SiO2等絕緣性材料，形成保護層16。
藉由以上處理，而如圖6A所示地形成晶圓狀態之發光元件1。
繼而，於導線配線步驟S102中，如圖6B所示，對於生長基板11上之各發光元件1，以將n側電極13與p側電極15連接之方式，利用打線接合機，將金屬導線32進行配線。被配線之金屬導線32係如圖6B所示，藉由球焊而與p側電極15連接，於金屬導線32之前端形成凸塊，且藉由楔焊而與n側電極13連接，從而金屬導線32之一端於楔形狀之前端部連接於n側電極13。此時，以p側電極15之自金屬導線32之接合面於垂直方向或接近垂直之方向上延伸之部分變得至少高於特定之高度之方式進行配線。此處所謂特定之高度係圖1C所示之第1樹脂層311之上表面之高度，且係圖6C中虛線所示之切削線41之高度。
繼而，於第1樹脂層形成步驟S103中，如圖6C所示，以將發光元件1及金屬導線32完全地密封之方式，例如藉由使用模具之壓縮成型而形成第1樹脂層311。此時，第1樹脂層311係以上表面變得至少高於切削線41之高度之方式形成。
繼而，於第1樹脂層切削步驟S104中，使用切削裝置，將第1樹脂層311與存在於內部之金屬導線32一同地自上表面側至切削線41之厚度為止進行切削。藉此，金屬導線32被分離為2條金屬導線32n、32p，並且如圖6D所示，金屬導線32之橫剖面以與第1樹脂層311之上表面成為同一面之方式，作為金屬導線32n、32p之上表面而露出。
繼而，於鍍敷層形成步驟S105中，形成金屬鍍敷層33n、33p。於該步驟中，包含5個子步驟。
首先，作為第1子步驟(晶種層形成步驟)，於晶圓之上表面整體、即第1樹脂層311之上表面整體及金屬導線32n、32p之上表面整體，藉由濺鍍法而將Ni及Au之薄膜依次地積層，藉此，形成晶種層33a。
繼而，作為第2子步驟(鍍敷層形成步驟)，藉由電鍍法而將晶種層33a用作電鍍之電流路徑，於晶種層33a上形成鍍敷層33b。圖7A係表示於晶種層33a上形成有鍍敷層33b之情況者。再者，鍍敷層33b係以上表面之高度至少成為特定之高度以上之方式形成。此處所謂特定之高度係圖1C所示之第2樹脂層312之上表面之高度，且係圖8A中以虛線所示之切削線42之高度。
繼而，作為第3子步驟(抗蝕圖案形成步驟)，如圖7B所示，藉由光微影法而於鍍敷層33b之上表面，形成將成為金屬鍍敷層33n、33p之區域被覆之抗蝕圖案61。
繼而，作為第4子步驟(蝕刻步驟)，將抗蝕圖案61作為掩膜，例如藉由濕式蝕刻而將鍍敷層33b及晶種層33a去除。藉此，如圖7C所示 地將金屬鍍敷層33n、33p圖案化。
進而，作為第5子步驟(抗蝕圖案去除步驟)，藉由使用灰化或藥劑而將抗蝕圖案61去除，藉此，如圖7D所示，製成金屬鍍敷層33n、33p。再者，晶種層33a係與鍍敷層33b相比充分薄之層，故於本說明書中，為方便起見，而將晶種層33a及鍍敷層33b合併作為金屬鍍敷層33n、33p進行說明。
再者，於第4子步驟中藉由濕式蝕刻而將鍍敷層33b及晶種層33a進行蝕刻之情形時，不僅於厚度方向上，而且亦於橫方向上等向性地進行蝕刻。因而，較佳為，考量鍍敷層33b及晶種層33a之膜厚與厚度方向及橫方向之蝕刻速率比，以利用蝕刻進行圖案化後之金屬鍍敷層33n、33p於俯視下達到預定之間隔及尺寸之方式，較寬地形成抗蝕圖案61。
繼而，於第2樹脂層形成步驟S106中，如圖8A所示，以將金屬鍍敷層33n、33p密封之方式，例如藉由使用模具之壓縮成型而形成第2樹脂層312。此時，第2樹脂層312以上表面變得至少高於切削線42之高度之方式形成。
繼而，於第2樹脂層切削步驟S107中，使用切削裝置，將第2樹脂層312與存在於內部之金屬鍍敷層33n、33p一同地自上表面側至切削線42之厚度為止進行切削。藉此，如圖8B所示，以與第2樹脂層312之上表面成為同一面之方式，露出與金屬導線32n連接之金屬鍍敷層33n及與金屬導線32p連接之金屬鍍敷層33p之上表面。
繼而，於外部連接用電極形成步驟S108中，如圖8C所示，於金屬鍍敷層33n、33p之上表面及其附近之第2樹脂層312之上表面，形成n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p。
成為n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p之金屬膜之成膜可採用濺鍍法。例如，於金屬鍍敷層33n、33p由Cu形成之情 形時，較佳為，為獲得與Au層之良好之密接性，而藉由將Ti層及Ni層依此順序進行成膜，於最上層將Au層進行積層而形成金屬膜。
又，金屬膜之圖案化可使用利用蝕刻之圖案形成法或利用剝離之圖案形成法。
利用蝕刻之圖案形成法可以如下所述之順序實施。首先，藉由濺鍍法等而於晶圓之上表面整體、即金屬鍍敷層33n、33p之上表面及第2樹脂層312之上表面之整體，形成金屬膜。繼而，藉由光微影法，而形成將成為n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p之區域被覆之抗蝕圖案。繼而，將該抗蝕圖案作為掩膜，將多餘之金屬膜藉由蝕刻而去除，此後將抗蝕圖案去除。
又，利用剝離之圖案形成法可以如下所述之順序實施。首先，藉由光微影法，而形成於形成n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p之區域具有開口之抗蝕圖案。繼而，藉由濺鍍法等，而於晶圓上表面之整體成膜金屬膜。繼而，藉由將抗蝕圖案去除，而將形成於抗蝕圖案上之多餘之金屬膜去除。
再者，於將n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p不延伸至第2樹脂層312之上表面為止，而僅形成於金屬鍍敷層33n、33p之上表面之情形時，亦可藉由無電電鍍法而形成n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p。
繼而，於生長基板去除步驟S109中，如圖8D所示，例如藉由LLO(laser lift-off，雷射剝離法)或化學剝離法等而將生長基板11剝離去除。此時，半導體積層體12因藉由將樹脂層31作為母體之支持體3而補強，故不會遭受破裂或裂痕等損傷。
又，作為將生長基板11剝離後之後步驟，亦可將已露出之半導體積層體12之下表面進行研磨，且例如藉由濕式蝕刻法而進行表面粗化，藉此，形成凹凸形狀12c(參照圖2B、圖3B)。
再者，已剝離之生長基板11可藉由將表面進行研磨，而作為用以使半導體積層體12結晶成之生長基板11再次利用。
繼而，於螢光體層形成步驟(波長轉換層形成步驟)S110中，於半導體積層體12之下表面側形成螢光體層2。螢光體層2可如上所述地例如藉由噴塗使溶劑中含有樹脂及螢光體粒子之漿料而形成。
又，於發光元件準備步驟S101中，於預先將發光元件1之交界區域之半導體積層體12完全地去除之情形時，半導體積層體12被包含樹脂之層即螢光體層2及第1樹脂層311將整面樹脂密封。
最後，於單片化步驟S111中，藉由沿著設定於各發光裝置100之交界區域之切斷線43進行切割，而將發光裝置100單片化。
再者，於發光元件準備步驟S101中，於預先將發光元件1之交界區域之半導體積層體12完全地去除之情形時，因切斷部位僅成為包含樹脂之層，故可容易地進行切割。
藉由以上之步驟，而製成圖1A~圖1D所示之發光裝置100。
又，如本實施形態所述，若將支持體3設為第1樹脂層(導線埋設層)311及第2樹脂層(鍍敷埋設層)312之積層結構，則可以各樹脂層(第1樹脂層311及第2樹脂層312)之厚度，管理作為內部配線而存在於內部之金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p之配線長度。因而，可減少發光裝置100間之散熱性之不均。其結果，可抑制發光元件1之溫度上升之不均，從而減少溫度上升導致之發光輸出之不均。如下述其他實施形態所述，即便變更樹脂層之積層順序或積層數量，情況亦相同。
<第2實施形態> [發光裝置之構成]
繼而，參照圖10A，對第2實施形態及第3實施形態之發光裝置進行說明。
圖10A所示之第2實施形態之發光裝置100A係支持體3A包括自發光元件1側起依序地將於內部具有金屬鍍敷層33n、33p作為內部配線之第1樹脂層(鍍敷埋設層)311A及於內部具有金屬導線32n、32p作為內部配線之第2樹脂層(導線埋設層)312A積層而構成之樹脂層31A。
即，發光裝置100A係相對於圖1A~圖1D所示之發光裝置100，將連接作為內部配線之金屬導線32n、32p與金屬鍍敷層33n、33p之順序更換而構成者。又，於本實施形態中，作為發光元件，預先使用圖3及圖4所示之發光元件1A，且將n側電極13及p側電極15設置於發光元件1A之上表面側之廣範圍中。
如本實施形態所述，於將金屬鍍敷層33n、33p用作第1層之內部配線之情形時，可將金屬鍍敷層33n、33p以與n側電極13及p側電極15之較廣範圍接觸之方式設置。因而，經由n側電極13及p側電極15之熱擴散性提昇，從而可有效地抑制發光裝置100之溫度上升。
尤其，於如圖3及圖4所示之發光元件1A所示地將n側電極13及p側電極15設置於發光元件1A之上表面側之廣範圍，且以與n側電極13及p側電極15廣範圍地接觸之方式設置金屬鍍敷層33n、33p之情形時，可將n側電極13及p側電極15設為藉由金屬鍍敷層33n、33p而實質性厚膜化之構成。藉此，經由n側電極13及p側電極15之熱擴散性進而提昇，並且作為焊墊電極之n側電極13及p側電極15內之電流之擴散性亦提昇。
[發光裝置之動作]
第2實施形態之發光裝置100A係僅內部配線之構成不同於第1實施形態之發光裝置100。因此，將外部電源連接於n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p，且經由內部配線將電力供給至發光元件1之n側電極13及p側電極15間之後之動作與發光裝置100相同，故將對於動作之詳細之說明省略。
[發光裝置之製造方法]
繼而，參照圖11(適當地參照圖5及圖10A)，對第2實施形態之發光裝置100A之製造方法進行說明。
如圖11所示，發光裝置100A之製造方法係包含發光元件準備步驟S201、鍍敷層形成步驟S202、第1樹脂層形成步驟S203、第1樹脂層切削步驟S204、導線配線步驟S205、第2樹脂層形成步驟S206、第2樹脂層切削步驟S207、外部連接用電極形成步驟S208、生長基板去除步驟S209、螢光體層形成步驟(波長轉換層形成步驟)S210、及單片化步驟S211，且以此順序實施各步驟。
首先，於發光元件準備步驟S201中，與第1實施形態中之發光元件準備步驟S101同樣地，準備晶圓狀態之發光元件1A。
再者，發光元件1A可藉由於發光元件1之形成中，變更形成階差部12b之區域，並且於形成保護層16後，變更以n側電極13及p側電極15延伸至保護層16之上表面為止之方式設置之區域而形成，因此將詳細之說明省略。
繼而，於鍍敷層形成步驟S202中，以如下所示之順序，形成金屬鍍敷層33n、33p。
首先，藉由光微影法而於形成有發光元件1之晶圓之上表面，形成在n側電極13之上表面及p側電極15之上表面具有開口之第1抗蝕圖案。繼而，藉由濺鍍法而於晶圓之上表面整體形成晶種層。
繼而，藉由光微影法，而形成於形成金屬鍍敷層33n、33p之區域具有開口之第2抗蝕圖案形成。該第2抗蝕圖案係形成為比所欲形成之金屬鍍敷層33n、33p之厚度更厚。繼而，將晶種層作為電流路徑藉由電鍍法而形成鍍敷層。
而且，藉由將第2抗蝕圖案去除、即藉由剝離法，而將鍍敷層圖案化。同時地亦將第1抗蝕圖案與多餘之晶種層一同地去除。
藉由以上之順序而形成金屬鍍敷層33n、33p。
繼而，藉由與第1實施形態中之第2樹脂層形成步驟S106及第2樹脂層切削步驟S107同樣地，實施第1樹脂層形成步驟S203及第1樹脂層切削步驟S204，而以露出金屬鍍敷層33n、33p之上表面之方式，形成第1樹脂層311A。
繼而，於導線配線步驟S205中，與第1實施形態中之導線配線步驟S102同樣地，使用打線接合機，於金屬鍍敷層33n之上表面與金屬鍍敷層33p之上表面之間將金屬導線32(參照圖6B)進行配線。藉由球焊而與金屬鍍敷層33p之上表面連接，於金屬導線32之前端形成凸塊，且藉由楔焊而與金屬鍍敷層33n連接，將金屬導線32之一端於楔形狀之前端部連接於金屬鍍敷層33n。
繼而，藉由與第1實施形態中之第1樹脂層形成步驟103及第1樹脂層切削步驟S104同樣地，實施第2樹脂層形成步驟S206及第2樹脂層切削步驟S207，而以露出金屬導線32n、32p之上表面之方式，形成第2樹脂層312A。
作為以下步驟之外部連接用電極形成步驟S208~單片化步驟S211可分別與第1實施形態中之外部連接用電極形成步驟S108~單片化步驟S111同樣地實施，故將詳細之說明省略。
藉由以上之步驟，而製成圖10A所示之發光裝置100A。
<第3實施形態> [發光裝置之構成]
繼而，參照圖10B，對第3實施形態之發光裝置進行說明。
圖10B所示之第3實施形態之發光裝置100B係支持體3B包括自發光元件1側起依序地將於內部具有第1金屬導線32n、32p作為內部配線之第1樹脂層(導線埋設層)311、於內部具有金屬鍍敷層33n、33p作為內部配線之第2樹脂層(鍍敷埋設層)312、及於內部具有第2金屬導線 35n、35p作為內部配線之第3樹脂層(導線埋設層)313積層而構成之樹脂層31B。
即，發光裝置100B係以3層構成內部具有不僅將發光裝置100中之作為內部配線之金屬導線32n、32p及金屬鍍敷層33n、33p，且進而將第2金屬導線35n、35p連接而成之內部配線之樹脂層31B者。
又，作為第3實施形態之變化例，亦可自發光元件1側起依序地將於內部分別具有金屬鍍敷層、金屬導線及金屬鍍敷層之樹脂層進行積層。再者，積層數並非限定於2層或3層，亦可設為4層以上。
可以此方式，將內部具有金屬導線之樹脂層、及內部具有金屬鍍敷層之樹脂層交替地積層，形成膜厚較厚之樹脂層。此時，可藉由抑制每1層之金屬鍍敷層之厚度，而一面防止應力所造成之金屬鍍敷層之翹曲或剝離之產生，一面將多個層積層而形成膜厚較厚之樹脂層。又，於樹脂層整體中，因導熱性優異之金屬鍍敷層之厚度之比例不下降，故可構成散熱性優異之較厚之支持體。
[發光裝置之動作〕
第3實施形態之發光裝置100B係內部配線之構成不同於第1實施形態之發光裝置100。因此，將外部電源連接於n側外部連接用電極34n及p側外部連接用電極34p且經由內部配線對發光元件1之n側電極13及p側電極15間供給電力之後之動作與發光裝置100相同，故將對於動作之詳細說明省略。
[發光裝置之製造方法]
繼而，參照圖12(適當地參照圖5及圖10B)，對第3實施形態之發光裝置100B之製造方法進行說明。
如圖12所示，發光裝置100B之製造方法係包含發光元件準備步驟S301、第1導線配線步驟S302、第1樹脂層形成步驟S303、第1樹脂層切削步驟S304、鍍敷層形成步驟S305、第2樹脂層形成步驟S306、 第2樹脂層切削步驟S307、第2導線配線步驟S308、第3樹脂層形成步驟S309、第3樹脂層切削步驟S310、外部連接用電極形成步驟S311、生長基板去除步驟S312、螢光體層形成步驟(波長轉換層形成步驟)S313、及單片化步驟S314，且以此順序實施各步驟。
首先，分別與第1實施形態中之發光元件準備步驟S101~第2樹脂層切削步驟S107同樣地實施發光元件準備步驟S301~第2樹脂層切削步驟S307。藉此，於發光元件1上，將內部存在第1金屬導線32n、32p之第1樹脂層311、及內部存在金屬鍍敷層33n、33p之第2樹脂層312進行積層，從而成為露出金屬鍍敷層33n、33p之上表面之圖8B所示之狀態。
繼而，於第2導線配線步驟S308中，與第1實施形態中之導線配線步驟S102同樣地利用打線接合機，於金屬鍍敷層33n之上表面與金屬鍍敷層33p之上表面之間將金屬導線進行配線。
繼而，藉由與第1實施形態中之第1樹脂層形成步驟103及第1樹脂層切削步驟S104同樣地實施第3樹脂層形成步驟S309及第3樹脂層切削步驟S310，而以露出第2金屬導線35n、35p之上表面之方式，形成第3樹脂層313。
作為以下之步驟之外部連接用電極形成步驟S311~單片化步驟S314可分別與第1實施形態中之外部連接用電極形成步驟S108~單片化步驟S111同樣地實施，故將詳細之說明省略。
藉由以上之步驟，而製成圖10B所示之發光裝置100B。
<變化例>
繼而，參照圖13，對導線配線步驟(導線配線步驟S102、導線配線步驟S205、第1導線配線步驟S302及第2導線配線步驟S308)之變化例進行說明。
於上述各實施形態中，對於在形成金屬導線32n、32p、35n、 35p(以下簡稱為金屬導線32)時，使用打線接合機50將金屬導線32在n側電極13與p側電極15之間、或金屬鍍敷層33n與金屬鍍敷層33p之間將金屬導線32進行配線之情況進行了說明。如圖13B所示，使用打線接合機50，藉由將金屬導線32之端部對n側電極13等之上表面加壓且施加超音波振動之球焊而使金屬導線32之端部融合於n側電極13等。此時，於融合部，形成較金屬導線32之導線直徑更大之球狀之凸塊32a。
本變化例係取代金屬導線32，而如圖13A所示地使用積層凸塊32a所得之凸塊積層體32A作為內部配線。如上所述，凸塊積層體32A形成為粗於原來之金屬導線32。因而，藉由使用凸塊積層體32A，而與使用金屬導線32之情形相比，內部配線之熱阻變低，其結果，可使發光裝置100等之散熱性提昇。
再者，本變化例係使用凸塊積層體32A作為內部配線，但本發明並非僅限於此，亦可取代凸塊積層體32A而利用1個凸塊32a構成內部配線。於本說明書中將含有包含複數個凸塊32a之凸塊積層體32A之內部配線要素與包含1個凸塊32a之內部配線要素總稱為金屬導線凸塊。此處所謂之凸塊32a之積層數為1個時係指實質上僅由較金屬導線粗之凸塊構成之情形而並非包含第1實施形態等中在金屬導線之前端形成有凸塊之形態。
又，凸塊積層體32A可藉由利用打線接合機50反覆地進行凸塊32a之形成與於該凸塊32a之上端處之金屬導線32之切斷而形成。凸塊積層體32A可形成為直徑粗於金屬導線32，且具有形成第1樹脂層311等時不會傾倒之程度之充分之剛性，因此，於2個電極間無需以II字狀或倒U字狀等弓形狀進行配線。因此，於本變化例中，在導線配線步驟中，於各n側電極13等之上表面，以達到特定之高度以上(製成發光裝置100等時之該凸塊積層體32A存在於內部之第1樹脂層311等之 厚度以上)之方式，形成凸塊積層體32A。
再者，作為後續步驟之形成第1樹脂層311等之步驟及切削第1樹脂層311等之步驟可與將金屬導線32用作內部配線之情形同樣地實施。
<第4實施形態> [發光裝置之構成]
繼而，參照圖14及圖15、以及圖17~圖19，對第4實施形態之發光裝置進行說明。
圖14及圖15所示之第4實施形態之發光裝置100C係支持體3C包括自發光元件1C側起依序地將埋設有第1金屬鍍敷層33n、33p作為內部配線之第1樹脂層(鍍敷埋設層)311C、埋設有凸塊積層體32An、32Ap及橫配線層36n、36p作為內部配線之第2樹脂層(導線埋設層)312C、及埋設有第2金屬鍍敷層37n、37p作為內部配線之第3樹脂層(鍍敷埋設層)313C積層而構成之樹脂層31C。
又，於作為最上層之樹脂層之第3樹脂層313C之上表面，以與第3樹脂層313C之上表面成為同一面之方式露出第2金屬鍍敷層37n、37p之上表面。本實施形態係將第2金屬鍍敷層37n、37p所露出之上表面兼用作外部連接用電極。
如圖14A所示，於本實施形態中，發光元件1C係於俯視下排列有4個縱向矩形狀之p側電極15，且於4個p側電極15之間，分別於俯視下將圓形之n側電極13於縱方向各2個地合計排列6個。
發光元件1C係於圖2所示之發光元件1，在複數個部位形成階差部12b，且於各階差部12b設置n側電極13，並且在複數個部位設置p側電極15，藉此實現自外部所供給之電流之擴散性之提昇。發光元件1C因除了電極數增加以外，與發光元件1相同，故將對於發光元件1C之詳細說明省略。
第1樹脂層311C係設置於發光元件1C之上表面側，且保持作為內部配線之與n側電極13電性地連接之6個第1金屬鍍敷層33n(參照圖17B)及與p側電極15電性地連接之4個第1金屬鍍敷層33p(參照圖17B)，並且將發光元件1C之上表面及側面密封。又，第1樹脂層311C係於發光元件1C之外緣部之外側，與螢光體層2相接，且發光元件1C藉由第1樹脂層311C及螢光體層2而將其整面樹脂密封。
第1金屬鍍敷層33n係如圖17B所示，於6個n側電極13之上表面分別各設置1個，且如圖18A所示，上表面連接於1個橫配線層36n。再者，第1金屬鍍敷層33n係俯視下成為圓形之圓柱狀之金屬層。
第1金屬鍍敷層33p係如圖17B所示，於4個p側電極15之上表面分別各設置1個，且如圖18A所示，上表面連接於1個橫配線層36p。再者，第1金屬鍍敷層33p係俯視下成為縱向之矩形之四角柱狀之金屬層。
第2樹脂層312C係與第1樹脂層311C之上表面相接地設置，且於內部具有將橫配線層36n、36p與凸塊積層體32An、32Ap積層而成之內部配線。
橫配線層36n及橫配線層36p係如圖18A所示，於俯視下分別形成為具有3根齒之梳齒狀及具有4根齒之梳齒狀，且齒於上下方向(Y軸方向)上延伸，以彼此之齒嵌合之方式進行配置。再者，橫配線層36n及橫配線層36p係以不短路之方式相互隔開地配置。
再者，橫配線層36n、36p可使用與下層之第1金屬鍍敷層33n、33p相同之金屬材料或與第1金屬鍍敷層33n、33p接合性良好之金屬材料，利用濺鍍法等而形成。
橫配線層36n係如圖18A所示，下表面側與6個第1金屬鍍敷層33n連接，且如圖18B所示，上表面側與9個凸塊積層體32An連接。
橫配線層36p係如圖18A所示，下表面側與4個第1金屬鍍敷層33p 連接，且如圖18B所示，上表面側與12個凸塊積層體32Ap連接。
將圖18A與圖18B進行比較，則於俯視下，下層側之n側之內部配線即第1金屬鍍敷層33n存在與上層側之n側之內部配線即凸塊積層體32An均不重合者。因此，可構成為經由在橫方向(XY平面內)上延伸地設置之橫配線層36n，將第1金屬鍍敷層33n與凸塊積層體32An電性地連接。
又，將圖18A與圖18B進行比較，則於俯視下，下層側之p側之內部配線即第1金屬鍍敷層33p以與上層側之p側之內部配線即凸塊積層體32Ap之任一者均重合之方式配置。又，可構成為經由在橫方向(XY平面內)上延伸地設置之橫配線層36p，將第1金屬鍍敷層33p與凸塊積層體32Ap電性地連接。因此，亦可將第1金屬鍍敷層33p與凸塊積層體32Ap以俯視下不重合之方式配置。
於俯視下，9個凸塊積層體32An係如圖18B所示配置於橫配線層36n上，且如圖19所示，配置於與上層側之n側外部配線用電極即第2金屬鍍敷層37n重合之區域內。
又，於俯視下，12個凸塊積層體32Ap係如圖18B所示配置於橫配線層36p上，且如圖19所示，配置於與上層側之p側外部配線用電極即第2金屬鍍敷層37p重合之區域內。
第3樹脂層313C係與第2樹脂層312C之上表面相接地設置，且於內部具有第2金屬鍍敷層37n、37p作為內部配線。
第2金屬鍍敷層37n及第2金屬鍍敷層37p係上表面自第3樹脂層313C露出，且分別兼用作n側外部連接用電極及p側外部連接用電極者。又，第2金屬鍍敷層37n係於下表面側連接有9個凸塊積層體32An，且第2金屬鍍敷層37p係於下表面側連接有12個凸塊積層體32Ap。
再者，第2金屬鍍敷層37n、37p較佳為至少最上層設為Au或以Au 為主成分之合金。又，亦可藉由不將第2金屬鍍敷層37n、37p兼用作外部連接用電極，而於第2金屬鍍敷層37n、37p之上表面，另行地設置外部連接用電極。
如以上所說明，複數個(6個)n側電極13係藉由作為n側之內部配線之第1金屬鍍敷層33n、橫配線層36n及凸塊積層體32An而連接於兼用作外部連接用電極之1個第2金屬鍍敷層37n。又，複數個(4個)p側電極15係藉由作為p側之內部配線之第1金屬鍍敷層33p、橫配線層36p及凸塊積層體32Ap而連接於兼用作外部連接用電極之1個第2金屬鍍敷層37p。
如上所述，於俯視下，作為n側外部連接用電極之第2金屬鍍敷層37n係設置於上半個(+Y軸方向側)之區域，作為p側外部連接用電極之第2金屬鍍敷層37p係設置於下半個(-Y軸方向側)之區域。因此，無法以於n側電極13及p側電極15之正上方向將內部配線積層，且分別與第2金屬鍍敷層37n及第2金屬鍍敷層37p連接之方式設置。
本實施形態可藉由將內部配線設為3層結構，且介置橫配線層36n、36p，而將發光元件1C之n側及p側各自之複數個電極與劃分於單純之2個矩形區域之1組外部連接用電極即第2金屬鍍敷層37n、37p連接。即，藉由將內部配線設為多層構成，而即便發光元件之焊墊電極為複雜之配置，亦可與單純地構成之外部連接用電極進行連接。
再者，內部配線之構成並非限定於圖3及圖4所示之例，例如亦可取代凸塊積層體32An、32Ap，而使用金屬導線32(參照圖13B等)。
[發光裝置之動作]
第4實施形態之發光裝置100C係僅內部配線之構成不同於第1實施形態之發光裝置100。因此，將外部電源連接於作為n側外部連接用電極之第2金屬鍍敷層37n及作為p側外部連接用電極之第2金屬鍍敷層37p且經由內部配線將電力供給至發光元件1C之n側電極13及p側電極 15間之後之動作與發光裝置100相同，故將對於動作之詳細說明省略。
[發光裝置之製造方法]
繼而，參照圖16，對圖14及圖15所示之第4實施形態之發光裝置100C之製造方法進行說明。
如圖16所示，發光裝置100C之製造方法係包含發光元件準備步驟S401、第1鍍敷層形成步驟S402、第1樹脂層形成步驟S403、第1樹脂層切削步驟S404、橫配線層形成步驟S405、導線凸塊形成步驟S406、第2樹脂層形成步驟S407、第2樹脂層切削步驟S408、第2鍍敷層形成步驟S409、第3樹脂層形成步驟S410、第3樹脂層切削步驟S411、生長基板去除步驟S412、螢光體層形成步驟(波長轉換層形成步驟)S413、及單片化步驟S414，且以此順序實施各步驟。
以下，參照圖17~圖19(適當地參照圖2及圖14~圖16)，對發光裝置100C之製造方法之各步驟進行說明。再者，於圖17~圖19中，圖示對於1個發光裝置100C進行製作之情況，但於單片化步驟S414中實施單片化之前，以排列有複數個發光元件1C之晶圓狀態製作發光裝置100C。
首先，於發光元件準備步驟S401中，與第1實施形態中之發光元件準備步驟S101同樣地，如圖17A所示，準備以於生長基板11上排列有發光元件1C之方式形成之晶圓。
再者，於各發光元件1C之上表面，形成6個n側電極13與4個p側電極15。
繼而，藉由分別與第2實施形態中之鍍敷層形成步驟S202、第1樹脂層形成步驟S203及第1樹脂層切削步驟S204同樣地實施第1鍍敷層形成步驟S402、第1樹脂層形成步驟S403及第1樹脂層切削步驟S404，而如圖17(b)所示，形成內部存在有第1金屬鍍敷層33n、33p且 其上表面露出之第1樹脂層311C。
再者，於各n側電極13上形成1個第1金屬鍍敷層33n，且於各p側電極15上形成1個第1金屬鍍敷層33p。
繼而，於橫配線層形成步驟S405中，藉由濺鍍法等，而如圖18A所示地於第1樹脂層311C之上表面形成橫配線層36n、36p。再者，橫配線層36n、36p之圖案化可藉由利用蝕刻之圖案形成法或利用剝離之圖案形成法而實施。
繼而，於導線凸塊形成步驟S406中，利用打線接合機，如圖18(b)所示地於橫配線層36n、36p上之特定之位置形成凸塊積層體32An、32Ap。此時，凸塊積層體32An、32Ap之上表面形成為與完成後之第2樹脂層312C之上表面相同、或高於該上表面。
繼而，藉由與第1實施形態中之第2樹脂層形成步驟S106及第2樹脂層切削步驟S107同樣地實施第2樹脂層形成步驟S407及第2樹脂層切削步驟S408，而如圖18B所示，形成內部存在有橫配線層36n、36p及凸塊積層體32An、32Ap且凸塊積層體32An、32Ap之上表面露出之第2樹脂層312C。
繼而，藉由分別與第1實施形態中之鍍敷層形成步驟S105、第2樹脂層形成步驟S106及第2樹脂層切削步驟S107同樣地實施第2鍍敷層形成步驟S409、第3樹脂層形成步驟S410及第3樹脂層切削步驟S411，而於第2樹脂層312C上，如圖19所示地形成內部存在有第2金屬鍍敷層37n、37p且第2金屬鍍敷層37n、37p之上表面露出之第3樹脂層313C。
繼而，藉由分別與第1實施形態中之生長基板去除步驟S109、螢光體層形成步驟S110及單片化步驟S111同樣地實施生長基板去除步驟S412、螢光體層形成步驟S413及單片化步驟S414，而製成圖14及圖15所示之發光裝置100C。
以上，藉由用以實施發明之形態而對本發明之發光裝置具體地進行了說明，但本發明之主旨並非由該等之記載所限定，而必須基於申請專利範圍之記載進行解釋。又，毋庸置疑，基於該等記載而實施各種變更、改變等所得者亦包含於本發明之主旨中。

Claims (11)

  1. 一種發光裝置，其特徵在於包括：半導體發光元件，其具有包含p型半導體層及n型半導體層之半導體積層體，且於上述半導體積層體之設置有上述p型半導體層之側或設置有上述n側半導體層之側之其中任一面側，具有與上述p型半導體層電性地連接之p側電極、及與上述n型半導體層電性地連接之n側電極；樹脂層，其係設置於上述半導體積層體之上述一面側；p側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；n側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；p側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述p側電極與上述p側外部連接用電極之間電性地連接；及n側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述n側電極與上述n側外部連接用電極之間電性地連接；且上述p側內部配線及n側內部配線分別包含第1金屬鍍敷層、第1金屬導線或第1金屬導線凸塊；上述樹脂層係將埋設有上述第1金屬鍍敷層之第1鍍敷埋設層、及埋設有上述第1金屬導線或上述第1金屬導線凸塊之第1導線埋設層積層而成；於上述p側電極接合有上述第1金屬導線或上述第1金屬導線凸塊，且於上述n側電極接合有上述第1金屬導線或上述第1金屬導線凸塊；且上述第1金屬鍍敷層之厚度與上述第1鍍敷埋設層之厚度相等。
  2. 一種發光裝置，其特徵在於包括：半導體發光元件，其具有包含p型半導體層及n型半導體層之半導體積層體，且於上述半導體積層體之設置有上述p型半導體層 之側或設置有上述n側半導體層之側之其中任一面側，具有與上述p型半導體層電性地連接之p側電極、及與上述n型半導體層電性地連接之n側電極；樹脂層，其係設置於上述半導體積層體之上述一面側；p側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；n側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；p側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述p側電極與上述p側外部連接用電極之間電性地連接；及n側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述n側電極與上述n側外部連接用電極之間電性地連接；且上述p側內部配線及n側內部配線分別包含第1金屬鍍敷層、第1金屬導線或第1金屬導線凸塊；上述樹脂層係將埋設有上述第1金屬鍍敷層之第1鍍敷埋設層、及埋設有上述第1金屬導線或上述第1金屬導線凸塊之第1導線埋設層積層而成；上述樹脂層更包含埋設有第2金屬鍍敷之第2鍍敷埋設層，且上述p側內部配線及n側內部配線分別包含上述第2金屬鍍敷。
  3. 一種發光裝置，其特徵在於包括：半導體發光元件，其具有包含p型半導體層及n型半導體層之半導體積層體，且於上述半導體積層體之設置有上述p型半導體層之側或設置有上述n側半導體層之側之其中任一面側，具有與上述p型半導體層電性地連接之p側電極、及與上述n型半導體層電性地連接之n側電極；樹脂層，其係設置於上述半導體積層體之上述一面側；p側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置；n側外部連接用電極，其係於上述樹脂層之表面露出地設置； p側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述p側電極與上述p側外部連接用電極之間電性地連接；及n側內部配線，其係設置於上述樹脂層內，且將上述n側電極與上述n側外部連接用電極之間電性地連接；且上述p側內部配線及n側內部配線分別包含第1金屬鍍敷層、第1金屬導線或第1金屬導線凸塊；於上述p側電極接合有上述第1金屬鍍敷層，且於上述n側電極接合有上述第1金屬鍍敷層；上述第1金屬導線係分別連接於上述第1金屬鍍敷層，上述第1金屬導線之至少一者係於一端具有楔形狀之前端部，且於該楔形狀之前端部連接於上述第1金屬鍍敷層。
  4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中上述p側內部配線及n側內部配線分別包含上述第1金屬導線凸塊，且該第1金屬導線凸塊包含複數個凸塊。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述樹脂層更包含埋設有第2金屬導線或第2金屬導線凸塊之第2導線埋設層，且上述p側內部配線及n側內部配線分別包含第2金屬導線或第2金屬導線凸塊。
  6. 如請求項5之發光裝置，其中上述p側內部配線及n側內部配線分別包含上述第2金屬導線凸塊，且該第2金屬導線凸塊包含複數個凸塊。
  7. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中設置有上述p側外部連接用電極及上述n側外部連接用電極之上述樹脂層之表面係與上述半導體積層體之上述一面對向之面之相反側之面。
  8. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1金屬導線係接合於上述p側電極及上述n側電極，上述第1金屬導線之至少一者係於一端具有楔形狀之前端部，且於該楔形狀之前端部連接於上述p側電極 或上述n側電極。
  9. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中於上述樹脂層之厚度方向上，上述第1金屬鍍敷層之配線長度長於上述第1金屬導線或上述第1金屬導線凸塊之配線長度。
  10. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其具備設置於上述半導體積層體之另一面側且將上述半導體發光元件所發出之波長之光轉換為不同之波長之光之波長轉換層。
  11. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中上述第1金屬鍍敷層具有自上述第1鍍敷埋設層露出之面，上述露出之面的面積比上述第1金屬導線之剖面積大。
TW103145338A 2013-12-25 2014-12-24 發光裝置 TWI645587B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-266464 2013-12-25
JP2013266464 2013-12-25
JP2014259029A JP6428249B2 (ja) 2013-12-25 2014-12-22 発光装置
JP2014-259029 2014-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201532319A TW201532319A (zh) 2015-08-16
TWI645587B true TWI645587B (zh) 2018-12-21

Family

ID=52134034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103145338A TWI645587B (zh) 2013-12-25 2014-12-24 發光裝置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9379287B2 (zh)
EP (1) EP2889924B1 (zh)
JP (1) JP6428249B2 (zh)
KR (1) KR102267394B1 (zh)
CN (1) CN104752598B (zh)
TW (1) TWI645587B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11329195B2 (en) * 2013-08-27 2022-05-10 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
CN106252470B (zh) * 2016-08-30 2018-08-14 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
US10340425B2 (en) * 2016-11-25 2019-07-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having light blocking layer
CN111525007B (zh) * 2017-02-17 2023-07-25 首尔伟傲世有限公司 具有侧面反射层的发光二极管
JP6680239B2 (ja) * 2017-02-20 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7004948B2 (ja) 2019-04-27 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
JP7430515B2 (ja) * 2019-11-06 2024-02-13 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
TWI747690B (zh) * 2020-12-28 2021-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製作方法
CN113270438B (zh) * 2021-04-30 2024-02-20 广东德力光电有限公司 一种倒装微led点阵的制作工艺
KR20240151061A (ko) * 2023-04-10 2024-10-17 에센코어 리미티드 메모리 장치를 처리하는 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050156189A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
US20060261364A1 (en) * 2003-03-10 2006-11-23 Yoshinobu Suehiro Solid element device and method for manufacturing thereof
JP2008251794A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201308673A (zh) * 2011-08-08 2013-02-16 Toshiba Kk 半導體發光裝置及發光模組

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05299530A (ja) 1992-04-17 1993-11-12 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JP2001144204A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2002050716A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Dainippon Printing Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US20020030437A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-14 Nobuhiro Shimizu Light-emitting device and backlight for flat display
KR20030073054A (ko) * 2002-03-08 2003-09-19 에피밸리 주식회사 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법
JP4214704B2 (ja) 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
DE102004034166B4 (de) * 2003-07-17 2015-08-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
US20060113548A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Ching-Chung Chen Light emitting diode
JP5124978B2 (ja) * 2005-06-13 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4749144B2 (ja) * 2005-12-22 2011-08-17 富士通株式会社 めっき膜下地樹脂層の形成方法、めっき方法及び半導体装置の製造方法
JP5032043B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR101523482B1 (ko) * 2006-08-22 2015-05-28 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 디바이스용 부재, 그리고 반도체 디바이스용 부재 형성액 및 반도체 디바이스용 부재의 제조 방법, 그리고 그것을 이용한 반도체 디바이스용 부재 형성액, 형광체 조성물, 반도체 발광 디바이스, 조명 장치, 및 화상 표시 장치
ITMI20071002A1 (it) * 2007-05-17 2008-11-18 Petracem Srl Manufatto per edilizia.
SG148901A1 (en) 2007-07-09 2009-01-29 Micron Technology Inc Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP4686625B2 (ja) * 2009-08-03 2011-05-25 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
WO2011093405A1 (ja) * 2010-02-01 2011-08-04 有限会社Ｍｔｅｃ チップサイズパッケージの光半導体装置
JP5197654B2 (ja) * 2010-03-09 2013-05-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5462078B2 (ja) 2010-06-07 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US9070851B2 (en) * 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
JPWO2012067177A1 (ja) * 2010-11-17 2014-05-12 株式会社フジクラ 配線板及びその製造方法
JP5763365B2 (ja) * 2011-02-24 2015-08-12 日東電工株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
JP5756515B2 (ja) * 2011-04-04 2015-07-29 株式会社村田製作所 チップ部品内蔵樹脂多層基板およびその製造方法
JP5633480B2 (ja) * 2011-06-30 2014-12-03 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR101260000B1 (ko) * 2011-11-08 2013-05-06 서울옵토디바이스주식회사 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
TWI489658B (zh) 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元
JP6094062B2 (ja) * 2012-06-01 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20130140321A (ko) * 2012-06-14 2013-12-24 에스케이하이닉스 주식회사 임베디드 패키지 및 제조 방법
JP5989420B2 (ja) 2012-06-28 2016-09-07 株式会社東芝 半導体発光装置
JP6256026B2 (ja) * 2014-01-17 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060261364A1 (en) * 2003-03-10 2006-11-23 Yoshinobu Suehiro Solid element device and method for manufacturing thereof
US20050156189A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
JP2008251794A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201308673A (zh) * 2011-08-08 2013-02-16 Toshiba Kk 半導體發光裝置及發光模組

Also Published As

Publication number Publication date
US20160276562A1 (en) 2016-09-22
JP2015144263A (ja) 2015-08-06
US10297737B2 (en) 2019-05-21
US20180159007A1 (en) 2018-06-07
US9923134B2 (en) 2018-03-20
JP6428249B2 (ja) 2018-11-28
KR20150075385A (ko) 2015-07-03
US20150187995A1 (en) 2015-07-02
CN104752598A (zh) 2015-07-01
US9379287B2 (en) 2016-06-28
EP2889924B1 (en) 2019-05-01
TW201532319A (zh) 2015-08-16
CN104752598B (zh) 2019-08-02
EP2889924A1 (en) 2015-07-01
KR102267394B1 (ko) 2021-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI645587B (zh) 發光裝置
US11056627B2 (en) Light emitting device
US9324925B2 (en) Light emitting device having a metal film extending from the first electrode
TWI613737B (zh) 發光裝置之製造方法
JP6256026B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6354273B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2016127111A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6237344B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6551210B2 (ja) 発光装置
JP6614313B2 (ja) 発光装置
JP2021097170A (ja) 発光素子及び発光装置
JP2020098852A (ja) 発光素子及び発光装置
JP6940784B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2016072364A (ja) リードフレーム及び発光装置